CN115702609A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN115702609A
CN115702609A CN202080102410.0A CN202080102410A CN115702609A CN 115702609 A CN115702609 A CN 115702609A CN 202080102410 A CN202080102410 A CN 202080102410A CN 115702609 A CN115702609 A CN 115702609A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
support member
dam
inorganic layer
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080102410.0A
Other languages
English (en)
Inventor
金由振
赵建熙
姜信宅
金贤硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115702609A publication Critical patent/CN115702609A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了显示设备。显示设备包括：第一坝构件、第一支撑构件、第二坝构件和第二支撑构件，其在基础部件上位于非显示区域中；发光元件，设置在基础部件的显示区域中；第一封装层，位于发光元件上；波长转换图案，在第一封装层上设置成与发光元件重叠；滤色器，设置在波长转换图案上并且与波长转换图案重叠；以及第二封装层，位于滤色器上；其中：第一坝构件位于第一支撑构件与显示区域之间；第一支撑构件位于第二坝构件与第一坝构件之间；第二坝构件位于第二支撑构件与第一支撑构件之间；包括在第一封装层中的无机层的端部位于第一支撑构件和第一坝构件之间；且包括在第二封装层中的无机层的端部位于第二支撑构件和第二坝构件之间。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及一种显示设备。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备的重要性逐渐增加。因此，已经开发了各种显示设备，例如液晶显示设备(LCD)和有机发光二极管显示设备(OLED)。
在这些显示设备之中，自发光显示设备包括自发光元件，例如有机发光元件。自发光元件可包括彼此相对的两个电极和插置在两个电极之间的发射层。当自发光元件是有机发光元件时，从两个电极提供的电子和空穴在发射层中彼此复合以生成激子，并且可在所生成的激子从激发态变为基态的同时发光。
由于自发光显示设备不需要例如背光单元的光源，因此它具有低功耗，可被配置为轻重量和薄的，并且具有高质量特性，例如宽视角、高亮度和对比度、以及快速响应速度。因此，自发光显示设备作为下一代显示设备引起了关注。
发明内容
技术问题
作为一种允许显示设备的每个像素唯一地显示一种原色的方法，可存在一种在从光源到观看者的光学路径上为每个像素设置颜色转换图案或波长转换图案的方法。
本公开的方面提供了一种其显示质量可得到改善的显示设备。
然而，本公开的方面不限于本文所阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
技术方案
根据本公开的一个方面，提供了一种显示设备，其包括：基础部件，其中限定有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；第一坝构件、第一支撑构件、第二坝构件和第二支撑构件，它们位于基础部件上并且位于非显示区域中；发光元件，其位于基础部件上并且位于显示区域中；第一封装层，其位于发光元件上；波长转换图案，其位于第一封装层上并且与发光元件重叠；滤色器，其位于波长转换图案上并且与波长转换图案重叠；以及第二封装层，其位于滤色器上，其中，第一坝构件位于第一支撑构件与显示区域之间，第一支撑构件位于第二坝构件与第一坝构件之间，第二坝构件位于第二支撑构件与第一支撑构件之间，包括在第一封装层中的无机层的端部位于第一支撑构件与第一坝构件之间，以及包括在第二封装层中的无机层的端部位于第二支撑构件与第二坝构件之间。
在一些实施方式中，第一坝构件可设置成围绕显示区域，第一支撑构件可设置成围绕第一坝构件，第二坝构件可设置成围绕第一支撑构件，并且第二支撑构件可设置成围绕第二坝构件。
在一些实施方式中，第二封装层可包括位于滤色器上的下部无机层、位于下部无机层上的有机层、以及位于有机层上的上部无机层，并且下部无机层的端部和上部无机层的端部可位于第二支撑构件和第二坝构件之间。
在一些实施方式中，有机层的一部分可位于第二坝构件和第一坝构件之间。
在一些实施方式中，显示设备还可包括位于第一封装层上并且围绕波长转换图案的堤图案，其中第二支撑构件和第二坝构件中的至少一个以及堤图案可包括相同的材料。
在一些实施方式中，显示设备还可包括位于滤色器和波长转换图案之间的外涂层，其中第二支撑构件可包括与滤色器或外涂层相同的材料。
在一些实施方式中，显示设备还可包括位于第一封装层上并且围绕波长转换图案的堤图案，其中第二坝构件可包括与滤色器、外涂层和堤图案中的至少一个相同的材料。
在一些实施方式中，第一封装层可包括位于发光元件上的下部无机层、位于下部无机层上的有机层、以及位于有机层上的上部无机层，下部无机层和上部无机层可覆盖第一坝构件，并且下部无机层的端部可位于第一坝构件和第一支撑构件之间。
在一些实施方式中，第一坝构件可包括彼此间隔开的第一坝和第二坝，并且有机层的一部分可位于第一坝和第二坝之间的空间中。
在一些实施方式中，上部无机层的端部可位于第一坝构件和第一支撑构件之间。
在一些实施方式中，上部无机层的端部可位于第二支撑构件的外部，且第二支撑构件可位于上部无机层的端部与显示区域之间。
在一些实施方式中，显示设备还可包括位于基础部件上并且位于非显示区域中的连接焊盘，其中第二支撑构件可位于连接焊盘和显示区域之间，并且连接焊盘可不与第二封装层重叠。
在一些实施方式中，显示设备还可包括：第一覆盖层，其位于第一封装层和波长转换图案之间；以及第二覆盖层，其位于波长转换图案和滤色器之间，其中第一覆盖层和第二覆盖层可在非显示区域中彼此接触，并且第一覆盖层和第二覆盖层可与连接焊盘重叠。
在一些实施方式中，显示设备还可包括位于波长转换图案和滤色器之间的覆盖层，其中第一封装层可包括无机层，无机层和覆盖层可在非显示区域中彼此接触，并且无机层和覆盖层可与连接焊盘重叠。
根据本公开的另一个方面，提供了一种显示设备，其包括：基础部件，其中限定有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；坝构件和支撑构件，它们位于基础部件上并且位于非显示区域中；连接焊盘，其位于基础部件上并且位于非显示区域中；发光元件，其位于基础部件上并且位于显示区域中；无机层，其位于发光元件上；波长转换图案，其位于无机层上并且与发光元件重叠；覆盖层，其位于波长转换图案上；以及滤色器，其位于覆盖层上并且与波长转换图案重叠，其中坝构件位于支撑构件与显示区域之间，支撑构件位于连接焊盘与坝构件之间，无机层和覆盖层在非显示区域中彼此接触，且无机层和覆盖层与连接焊盘重叠。
在一些其它实施方式中，可在无机层和覆盖层中限定暴露连接焊盘的开口。
在一些其它实施方式中，显示设备还可包括：堤图案，其位于无机层和覆盖层之间并且与波长转换图案接触，其中坝构件和堤图案可包括相同的材料。
在一些其它实施方式中，显示设备还可包括：外涂层，其位于滤色器与波长转换图案之间，其中支撑构件可包括与堤图案、滤色器和外涂层中的至少一个相同的材料。
在一些其它实施方式中，外涂层的折射率可低于波长转换图案的折射率。
在一些其它实施方式中，显示设备还可包括：封装层，其位于滤色器上并且包括下部无机层、上部无机层、以及位于下部无机层和上部无机层之间的有机层，其中坝构件可与下部无机层和上部无机层重叠，并且连接焊盘和支撑构件可不与下部无机层和上部无机层重叠。
其它实施方式的详细内容在详细描述中被描述，并且在附图中示出。
有益效果
根据本公开的实施方式，可提供其显示质量得到改善并且可靠性得到改善的显示设备。
本公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果包括在本说明书中。
附图说明
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是图1的部分Q1的放大平面图；
图3是示出图2的修改示例的平面图；
图4是沿着图2的线X1-X1'截取的根据实施方式的显示设备的剖视图；
图5是图4的Q5部分的放大剖视图；
图6是示出根据实施方式的显示设备中的分隔壁图案的示意性布置的平面图；
图7是示出根据实施方式的显示设备中的波长转换图案和透光图案的示意性布置的平面图；
图8是示出根据实施方式的显示设备中的第一滤色器和第二滤色器的示意性布置的平面图；
图9是示出根据实施方式的显示设备中的第三滤色器和彩色图案的示意性布置的平面图；
图10是图1的部分Q3的放大平面图；
图11是沿着图10的线X3-X3'截取的显示设备的剖视图；
图12至图14分别是用于描述制造图11中所示的第一封装层的过程的视图；
图15至图17分别是用于描述制造图11中所示的第二封装层的过程的视图；
图18是示出图11中所示的显示设备的修改示例的剖视图；
图19是示出图11中所示的显示设备的另一个修改示例的剖视图；
图20至图24是各自示出图11中所示的显示设备的其它修改示例的剖视图；
图25是沿图2的线X1-X1'截取的根据另一个实施方式的显示设备的剖视图；
图26是沿图10的线X3-X3'截取的根据另一个实施方式的显示设备的剖视图；
图27是示出图26中所示的显示设备的修改示例的剖视图；
图28是示出图26中所示的显示设备的另一个修改示例的剖视图；以及
图29至图33是各自示出图26中所示的显示设备的其它修改示例的剖视图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及用于实现这些优点和特征的方法将从稍后将参考附图详细描述的实施方式中变得显而易见。然而，本公开不限于以下公开的实施方式，并且可以以各种不同的形式来实现，这些实施方式将仅被提供以便使本公开完整，并且允许本公开所属领域的普通技术人员完全认识本公开的范围，并且本公开将由权利要求的范围来限定。
短语“一个元件或层在另一个元件或层上”包括以下两者：其中一个元件或层直接在另一个元件或层上的情况；以及其中一个元件或层在另一个元件或层上并且其它元件或层插置在它们之间的情况。另一个方面，短语“一个元件或层直接在另一个元件或层上”表示没有其它元件或层插置在一个元件或层和另一个元件或层之间。在整个说明书中，相同的组件将由相同的附图标记表示。
可使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等，以便容易地描述附图中所示的、一个元件或组件与其它元件或组件之间的相关性。空间相对术语要理解为除了附图中所示的方向之外还包括在使用时元件的不同方向的术语。例如，当在附图中所示的元件被翻转时，被描述为在另一个元件的“下方或下面”的元件可被放置在另一个元件的上方。因此，术语“下方”可包括下方和上方两种方向。
术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用于描述各种组件，但这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个组件和其它组件。因此，在本公开的技术精神内，下面要提及的第一组件可以是第二元件、第三组件和第四组件中的任意一个。
将参考作为本公开的理想示意图的平面图和剖视图来描述本文描述的实施方式。因此，示例性附图的形式可能由于制造技术、公差等而改变。因此，本公开的实施方式不限于附图中所示的特定形式，并且还包括根据制造过程产生的形式变化。因此，附图中所示的区域具有示意性属性，并且附图中所示的区域的形状旨在示出元件的区域的特定形式，而不是旨在限制本公开的范围。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图，图2是图1的部分Q1的放大平面图，以及图3是示出图2的修改示例的平面图。
参考图1至图3，显示设备1可应用于各种电子设备，例如，中小型电子设备，诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、车辆导航单元、相机、车辆中设置的中央信息显示器(CID)、腕表型电子设备、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)以及游戏机；以及中大型电子设备，诸如电视、外部广告牌、监视器、个人计算机和膝上型计算机。这些电子设备仅作为示例提供，并且在不脱离本公开的构思的情况下，显示设备1也可在其它电子设备中被采用。
显示设备1可包括显示面板10。在一些实施方式中，显示设备1还可包括柔性电路板FPC和驱动芯片IC。
显示面板10在平面图中可具有矩形形状。显示面板10可包括在第一方向X上延伸的两个第一侧以及在与第一方向X交叉的第二方向Y上延伸的两个第二侧。显示设备1的第一侧和第二侧相遇的角可以是直角的，但不限于此，并且也可以是弯曲的。在一些实施方式中，第一侧的长度和第二侧的长度可彼此不同，但是本公开不限于此。显示面板10在平面图中的形状不限于所示的形状，并且也可以是圆形或其它形状。
除非另有定义，否则如本文所用的术语“上”、“上侧”、“上部分”、“顶”和“上表面”是指在附图中描述出的与第一方向X和第二方向Y交叉的第三方向Z的箭头所指向的方向，并且如本文所用的术语“下方”、“下侧”、“下部分”、“底”和“下表面”是指与在附图中描述出的第三方向Z的箭头所指向的方向相反的方向。
显示面板10可包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。
可在显示面板10的显示区域DA中限定多个发射区域和非发射区域NLA。在一些实施方式中，可在显示面板10的显示区域DA中限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以是其中由显示面板10的发光元件生成的光被发射到显示面板10的外部的区域，并且非发射区域NLA可以是其中光不被发射到显示面板10的外部的区域。
在一些实施方式中，从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射到外部的光可具有不同的颜色。例如，从第一发射区域LA1发射到外部的光可以是第一颜色的光，从第二发射区域LA2发射的光可以是第二颜色的光，从第三发射区域LA3发射的光可以是第三颜色的光，且第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光可具有不同的颜色。
在一些实施方式中，第三颜色的光可以是具有在440nm至约480nm的范围中的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可以是具有在610nm至650nm的范围中的峰值波长的红光。此外，第二颜色的光可以是具有在530nm至570nm的范围中的峰值波长的绿光。然而，本公开不限于此，且第一颜色的光可以是绿光并且第二颜色的光可以是红光。
在一些实施方式中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可形成组，并且可在显示区域DA中定义多个组。
在一些实施方式中，用于显示图像的元件和电路，例如像素电路(诸如开关元件)，可设置在显示面板10的显示区域DA中，且自发光元件以及限定上述的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA的像素限定层可包括在显示区域DA中。在实施方式中，自发光元件可包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机材料的微型发光二极管(例如，微型LED)和基于无机材料的纳米发光二极管(例如，纳米LED)中的至少一个。在下文中，为了便于解释，将通过示例来描述自发光元件是有机发光二极管的情况。
在一些实施方式中，如图2中所示，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可沿着第一方向X顺序地定位。在一些实施方式中，在显示区域DA中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可形成组，并且可沿着第一方向X和第二方向Y重复地布置。
然而，本公开不限于此，并且第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的布置可不同地改变。例如，如图3中所示，第一发射区域LA1和第二发射区域LA2可沿着第一方向X彼此相邻，并且第三发射区域LA3可沿着第二方向Y位于第一发射区域LA1和第二发射区域LA2的一侧。
在下文中，将描述如图2中所示布置第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的情况作为示例。
在一些实施方式中，显示面板10的非显示区域NDA可位于显示区域DA周围，并且可围绕显示区域DA。
可在显示面板10的非显示区域NDA中设置坝构件和支撑构件。
坝构件可在形成设置在显示区域DA中的封装层的过程中，阻挡有机材料(或单体)溢出，并且因此，可防止封装层的有机材料朝向显示面板10的边缘延伸。
在一些实施方式中，坝构件可包括第一坝构件IDM和第二坝构件ODM。
第一坝构件IDM和第二坝构件ODM两者可位于显示面板10的非显示区域NDA中，并且第一坝构件IDM可定位成比第二坝构件ODM相对更靠近显示区域DA。
在一些实施方式中，第一坝构件IDM可布置成在平面图中完全围绕显示区域DA，并且第二坝构件ODM可布置成在平面图中完全围绕显示区域DA和第一坝构件IDM。
支撑构件可用于在形成封装层的过程中支撑显示面板10的结构，例如掩模。
在一些实施方式中，支撑构件可包括第一支撑构件IS和第二支撑构件OS。
第一支撑构件IS和第二支撑构件OS两者可位于显示面板10的非显示区域NDA中，并且第一支撑构件IS可定位成比第二支撑构件OS相对更靠近显示区域DA。
在一些实施方式中，第一支撑构件IS可在平面图中位于第一坝构件IDM和第二坝构件ODM之间，并且可设置成完全围绕显示区域DA和第一坝构件IDM。
在一些实施方式中，第一支撑构件IS可在平面图中位于第一坝构件IDM的相对侧并且第二坝构件ODM插置在它们之间，并且可设置成完全围绕第二坝构件ODM、第一支撑构件IS、第一坝构件IDM和显示区域DA。
多个连接焊盘PD可位于显示面板10的非显示区域NDA中。连接焊盘PD可经由连接线等电连接到位于显示区域DA中的像素电路。
在一些实施方式中，连接焊盘PD可位于第二支撑构件OS的外部。也就是说，连接焊盘PD可比第二支撑构件OS定位得相对更远离显示区域DA，并且第二支撑构件OS可位于连接焊盘PD和显示区域DA之间。
柔性电路板FPC可连接到显示面板10的连接焊盘PD。柔性电路板FPC可将提供用于驱动显示设备1的信号和电力的电路板等与显示面板10彼此电连接。
驱动芯片IC可电连接到电路板等以接收数据、信号等。在一些实施方式中，驱动芯片IC可以是数据驱动芯片，并且可从电路板等接收数据控制信号、图像数据等，并且生成和输出对应于图像数据的数据电压。
在一些实施方式中，驱动芯片IC可安装在柔性电路板FPC上。例如，驱动芯片IC可以以膜上芯片(COF)的形式安装在柔性电路板FPC上。
从驱动芯片IC提供的数据电压、从电路板提供的电力等可经由柔性电路板FPC和连接焊盘PD传递到显示面板10的像素电路等。
图4是沿图2的线X1-X1'截取的根据实施方式的显示设备的剖视图，图5是图4的部分Q5的放大剖视图，图6是示出根据实施方式的显示设备中的分隔壁的示意性布置的平面图，图7是示出根据实施方式的显示设备中的波长转换图案和透光图案的示意性布置的平面图，图8是示出根据实施方式的显示设备中的第一滤色器和第二滤色器的示意性布置的平面图，图9是示出根据实施方式的显示设备中的第三滤色器和彩色图案的示意性布置的平面图，图10是图1的部分Q3的放大平面图，以及图11是沿着图10的线X3-X3'截取的显示设备的剖视图。
在下文中，将参考图4至图11来描述显示设备1的堆叠结构。
基础部件110可由透光材料制成。在一些实施方式中，基础部件110可以是玻璃衬底或塑料衬底。当基础部件110是塑料衬底时，基础部件110可具有柔性。
在一些实施方式中，如上所述，多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可限定在基础部件110中。
缓冲层111可进一步位于基础部件110上。缓冲层111可设置在基础部件110上，并且可设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。缓冲层111可阻挡异物或湿气通过基础部件110渗入。例如，缓冲层111可包括无机材料，例如SiO2、SiNx或SiON，并且可形成为单层或多层。
光阻挡图案BML可位于缓冲层111上。光阻挡图案BML可阻挡光并且可具有导电性。光阻挡图案BML可阻挡外部光或发光元件的光被引入到稍后将描述的半导体层ACT中，并且因此，可减小或最小化由稍后将描述的薄膜晶体管TL中的光生成的泄漏电流。在附图中已经例示了光阻挡图案BML位于显示区域DA中并且不位于非显示区域NDA中，但是光阻挡图案BML也可位于非显示区域NDA中。
在一些实施方式中，光阻挡图案BML可由阻挡光并具有导电性的材料制成，并且可具有单层或多层结构。例如，光阻挡图案BML可以是钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铟锡(ITO)的堆叠结构，或者钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al2O3)的堆叠结构，但不限于此。
在一些实施方式中，可提供多个光阻挡图案BML以对应于相应的半导体层ACT，并且可与半导体层ACT重叠。在一些实施方式中，光阻挡图案BML的宽度可大于半导体层ACT的宽度。
在一些实施方式中，光阻挡图案BML可以是数据线、电力供应线、将薄膜晶体管(图中未示出)和薄膜晶体管TL(图中示出)彼此电连接的线等的一部分。在一些实施方式中，光阻挡图案BML可由具有比第二导电层或者包括在第二导电层中的源电极SE和漏电极DE的电阻低的电阻的材料制成。
第一绝缘层113可位于光阻挡图案BML上。在一些实施方式中，第一绝缘层113可位于显示区域DA和非显示区域NDA中。第一绝缘层113可覆盖光阻挡图案BML。在一些实施方式中，第一绝缘层113可包括无机材料，例如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O、HfO2或ZrO2。
半导体层ACT可位于第一绝缘层113上。在一些实施方式中，半导体层ACT可被设置为分别对应于显示区域DA中的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。
在一些实施方式中，半导体层ACT可包括氧化物半导体。例如，半导体层ACT可由Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等制成，它们是基于Zn氧化物的材料；并且半导体层ACT可以是其中例如铟(In)和镓(Ga)的金属包含在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体。然而，本公开不限于此，并且半导体层ACT可包括非晶硅、多晶硅等。
在一些实施方式中，半导体层ACT可设置成与相应的光阻挡图案BML重叠，并且因此，可抑制半导体层ACT中光电流的生成。
第一导电层可设置在半导体层ACT上，并且可包括栅电极GE和布线层WR。栅电极GE可位于显示区域DA中，并且可设置成与半导体层ACT重叠。布线层WR可包括将连接焊盘PD和位于显示区域DA中的元件(例如薄膜晶体管TL、发光元件等)彼此电连接的线中的一些。
栅电极GE和布线层WR可考虑到与相邻层的粘附性、待堆叠的层的表面平整度、和可加工性等而包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或更多种，并且可形成为单层或多层。
在显示区域DA中，栅极绝缘层115可位于半导体层ACT和第一导电层之间或半导体层ACT和栅电极GE之间。在一些实施方式中，栅电极GE和栅极绝缘层115可用作掩蔽半导体层ACT的沟道区的掩模，并且栅电极GE和栅极绝缘层115的宽度可小于半导体层ACT的宽度。
在一些实施方式中，栅极绝缘层115可被图案化以具有与栅电极GE或第一导电层的形状基本相同的形状。在一些实施方式中，栅极绝缘层115的宽度可大于栅电极GE或第一导电层的宽度。
在一些实施方式中，栅极绝缘层115可包括无机材料。例如，栅极绝缘层115可包括在第一绝缘层113的描述中例示的无机材料。
在非显示区域NDA中，栅极绝缘层115可位于布线层WR和第一绝缘层113之间。
覆盖半导体层ACT和栅电极GE的第二绝缘层117可位于栅极绝缘层115上。第二绝缘层117可位于显示区域DA和非显示区域NDA中。在一些实施方式中，第二绝缘层117可用作提供平坦表面的平坦化层。
在一些实施方式中，第二绝缘层117可包括有机材料。例如，第二绝缘层117可包括光丙烯(PAC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、基于氟的聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中的至少一种，但不限于此。
第二导电层可位于第二绝缘层117上，并且可包括源电极SE、漏电极DE、电力供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1。
源电极SE和漏电极DE可位于显示区域DA中，并且可设置成彼此间隔开。
漏电极DE和源电极SE中的每个都可穿过第二绝缘层117以连接到半导体层ACT。
在一些实施方式中，源电极SE可穿过第一绝缘层113和第二绝缘层117以连接到光阻挡图案BML。当光阻挡图案BML是传递信号、电压等的线的一部分时，源电极SE可连接到并电耦合到光阻挡图案BML以接收提供给该线的电压等。或者，当光阻挡图案BML是浮动图案而不是单独的线时，提供给源电极SE的电压可被传递到光阻挡图案BML。
上述的半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可构成作为开关元件的薄膜晶体管TL。在一些实施方式中，薄膜晶体管TL可分别位于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中。在一些实施方式中，薄膜晶体管TL的一部分也可位于非发射区域NLA中。
电力供应线VSL可位于非显示区域NDA中。提供给阴极电极CE的驱动电压(例如ELVSS电压)可被提供给电力供应线VSL。
连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可位于非显示区域NDA中。在一些实施方式中，第一焊盘电极PD1可穿过第二绝缘层117以电连接到或电耦合到布线层WR。
源电极SE、漏电极DE、电力供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可形成为多层或单层。在实施方式中，源电极SE、漏电极DE、电力供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第三绝缘层130可位于第二绝缘层117上。第三绝缘层130可覆盖显示区域DA中的薄膜晶体管TL，并且可暴露电力供应线VSL的在非显示区域NDA中的部分。
在一些实施方式中，第三绝缘层130可以是平坦化层。在一些实施方式中，第三绝缘层130可形成为有机层。例如，第三绝缘层130可包括丙烯酸树脂、基于环氧的树脂、基于酰亚胺的树脂、基于酯的树脂等。在一些实施方式中，第三绝缘层130可包括正性光敏材料或负性光敏材料。
第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可位于显示区域DA中的第三绝缘层130上。此外，连接电极CNE和连接焊盘PD的第二焊盘电极PD2可位于非显示区域NDA中的第三绝缘层130上。
第一阳极电极AE1可与第一发射区域LA1重叠，并且第一阳极电极AE1的至少一部分可延伸到非发射区域NLA。第二阳极电极AE2可与第二发射区域LA2重叠，并且第二阳极电极AE2的至少一部分可延伸到非发射区域NLA，并且第三阳极电极AE3可与第三发光区域LA3重叠，但是第三阳极电极AE3的至少一部分可延伸到非发射区域NLA。第一阳极电极AE1可穿过第三绝缘层130以连接到薄膜晶体管TL的与第一阳极电极AE1对应的漏电极DE，第二阳极电极AE2可穿过第三绝缘层130以连接到薄膜晶体管TL的与第二阳极电极AE2对应的漏电极DE，且第三阳极电极AE3可穿过第三绝缘层130以连接到薄膜晶体管TL的与第三阳极电极AE3对应的漏电极DE。在一些实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是反射电极。在这种情况下，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是包括金属(例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr)的金属层。在另一个实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3还可包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可具有多层结构，例如，诸如氧化铟锡(ITO)/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF的两层结构，或者诸如ITO/Ag/ITO的三层结构。
连接电极CNE可电连接到非显示区域NDA中的电力供应线VSL，并且可与电力供应线VSL直接接触。
第二焊盘电极PD2可位于非显示区域NDA中的第一焊盘电极PD1上。第二焊盘电极PD2可与第一焊盘电极PD1直接接触并电连接到第一焊盘电极PD1。
在一些实施方式中，连接电极CNE和第二焊盘电极PD2可由与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3相同的材料制成，并且可在制造第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3的过程中与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3一起形成。
像素限定层150可位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。像素限定层150可包括暴露第一阳极电极AE1的开口、暴露第二阳极电极AE2的开口和暴露第三阳极电极AE3的开口，并且可限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA。也就是说，第一阳极电极AE1的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可以是第一发射区域LA1。类似地，第二阳极电极AE2的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可以是第二发射区域LA2，且第三阳极电极AE3的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可以是第三发射区域LA3。此外，像素限定层150位于其中的区域可以是非发射区域NLA。
在一些示例中，像素限定层150可包括有机绝缘材料，例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基醚树脂、聚亚苯基硫化物树脂或苯并环丁烯(BCB)。
在一些实施方式中，像素限定层150可与稍后描述的彩色图案250重叠。此外，像素限定层150还可与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。
像素限定层150还可与稍后将描述的堤图案310重叠。
如图4和图11中所示，发射层OL可位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。
在一些实施方式中，发射层OL可具有跨越多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA形成的连续层的形状。稍后将提供对发射层OL的更详细的描述。
如图4和图11中所示，阴极电极CE可位于发射层OL上。阴极电极CE的一部分可进一步位于非显示区域NDA中，如图11中所示。阴极电极CE可电连接到非显示区域NDA中的连接电极CNE并且与其接触。提供给电力供应线VSL的驱动电压(例如ELVSS电压)可经由连接电极CNE传输到阴极电极CE。
在一些实施方式中，阴极电极CE可具有透反射特性或透射特性。当阴极电极CE具有透反射特性时，阴极电极CE可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物。此外，当阴极电极CE的厚度为几十至几百埃时，阴极电极CE可具有半透射半反射特性。
当阴极电极CE具有透射特性时，阴极电极CE可包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极电极CE可包括氧化钨(WxOx)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镁(MgO)等。
第一阳极电极AE1、发射层OL和阴极电极CE可构成第一发光元件ED1，第二阳极电极AE2、发射层OL和阴极电极CE可构成第二发光元件ED2，且第三阳极电极AE3、发射层OL和阴极电极CE可构成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每个可发射出发射光LE。
如图5中所示，最终从发射层OL发射的发射光LE可以是其中第一组分LE1和第二组分LE2彼此混合的混合光。发射光LE的第一组分LE1和第二组分LE2中的每个的峰值波长可以是440nm以上并且小于480nm。也就是说，发射光LE可以是蓝光。
在一些实施方式中，发射层OL可具有其中多个发射层设置成彼此重叠的结构，例如串联结构。例如，发射层OL可包括：包括第一发射层EML1的第一叠层ST1、位于第一叠层ST1上并包括第二发射层EML2的第二叠层ST2、位于第二叠层ST2上并包括第三发射层EML3的第三叠层ST3、位于第一叠层ST1和第二叠层ST2之间的第一电荷生成层CGL1、以及位于第二叠层ST2和第三叠层ST3之间的第二电荷生成层CGL2。第一叠层ST1、第二叠层ST2和第三叠层ST3可设置成彼此重叠。
第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可设置成彼此重叠。
在一些实施方式中，全部的第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可发射第一颜色的光，例如蓝光。例如，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可以是蓝色发射层，并且可包括有机材料。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个可发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光。例如，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的任意一个可发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的其它可发射具有第二峰值波长的第二蓝光。也就是说，最终从发射层OL发射的发射光LE可以是其中第一组分LE1和第二组分LE2彼此混合的混合光，第一组分LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，且第二组分LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。
在一些实施方式中，第一峰值波长和第二峰值波长中的一个的范围可以是440nm以上且460nm以下，并且第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个的范围可以是460nm以上且480nm以下。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于此。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围两者可包括460nm。在一些实施方式中，第一蓝光和第二蓝光中的任意一个可以是深蓝色的光，且第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色的光。
根据一些实施方式，从发射层OL发射的发射光LE是蓝光并且包括长波长组分和短波长组分。因此，最后，发射层OL可发射具有作为发射光LE的更宽发射峰值的蓝光。因此，与发射具有尖锐发射峰值的蓝光的常规发光元件相比，存在可改善在侧视角处的颜色可见性的优点。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可包括宿主和掺杂剂。宿主不受特别限制，只要它是通常使用的材料即可，但可以是例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚(n-正乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基-亚芳基(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)等。
发射蓝光的第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可包括例如荧光材料，该荧光材料包括选自由以下组成的组中的任意一种：螺环-DPVBi、螺环-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-亚芳基(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物、以及基于聚对苯乙烯撑的聚合物。作为另一个示例，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可包括磷光材料，该磷光材料包括有机金属络合物，例如(4,6-F2ppy)2Irpic。
如上所述，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个发射波长带不同于第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个的波长带的蓝光。为了发射不同波长带的蓝光，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可包括相同的材料，并且可使用调整谐振距离的方法。或者，为了发射不同波长带的蓝光，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个以及第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个可包括不同的材料。
然而，本公开不限于此，并且从第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个发射的蓝光可具有440nm至480nm的峰值波长，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可由相同的材料制成。
或者，在又一个实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可发射具有上述的第一峰值波长的第一蓝光，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的另一个可发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光，且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的其余一个可发射具有不同于第一峰值波长和第二峰值波长的第三峰值波长的第三蓝光。在一些其它实施方式中，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的任一个的范围可以是440nm以上且小于460nm。第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个的范围可以是460nm以上且小于470nm，并且第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的其余一个的范围可以是470nm以上且480nm以下。
根据一些其它实施方式，从发射层OL发射的发射光LE是蓝光，并且包括长波长组分、中间波长组分和短波长组分。因此，最后，发射层OL可发射具有更宽发射峰值的蓝光作为发射光LE，并且可改善在侧视角处的颜色可见性。
根据上述实施方式，与不采用串联结构(即，其中堆叠有多个发射层的结构)的传统发光元件相比，具有提高发光效率和提高显示设备的寿命的优点。
第一电荷生成层CGL1可位于第一叠层ST1和第二叠层ST2之间。第一电荷生成层CGL1可用于将电荷注入到每个发射层中。第一电荷生成层CGL1可用于调整第一叠层ST1与第二叠层ST2之间的电荷平衡。第一电荷生成层CGL1可包括n型电荷生成层CGL11和p型电荷生成层CGL12。p型电荷生成层CGL12可设置在n型电荷生成层CGL11上，并且可位于n型电荷生成层CGL11和第二叠层ST2之间。
在第一电荷生成层CGL1中，n型电荷生成层CGL11和p型电荷生成层CGL12可具有结型结构。n型电荷生成层CGL11更靠近阳极电极AE1、AE2(参见图4)和AE3(参见图4)以及阴极电极CE之中的阳极电极AE1、AE2(参见图4)和AE3(参见图4)设置。p型电荷生成层CGL12更靠近阳极电极AE1、AE2(参见图4)和AE3(参见图4)以及阴极电极CE之中的阴极电极CE设置。n型电荷生成层CGL11向靠近阳极电极AE1、AE2(参见图4)和AE3(参见图4)的第一发射层EML1提供电子，并且p型电荷生成层CGL12向包括在第二叠层ST2中的第二发射层EML2提供空穴。第一电荷生成层CGL1可设置在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间以向相应的发射层提供电荷，从而提高发光效率并降低驱动电压。
第一叠层ST1可位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2(参见图4)和第三阳极电极AE3(参见图4)上，并且还可包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2(参见图4)和第三阳极电极AE3(参见图4)上。第一空穴传输层HTL1可用于平滑地传输空穴并且可包括空穴传输材料。空穴传输材料可包括基于咔唑的衍生物(例如，N-苯咔唑和聚乙烯咔唑)、基于芴的衍生物、基于三苯胺的衍生物(例如，N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基--4,4'-二胺(TPD)、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双(TAPC))等，但不限于此。在一些实施方式中，第一空穴传输层HTL1可形成为单层。或者，在一些实施方式中，第一空穴传输层HTL1可形成为多个层。当第一空穴传输层HTL1形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。
第一电子阻挡层BIL1可位于第一空穴传输层HTL1上，并且可位于第一空穴传输层HTL1和第一发射层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可包括空穴传输材料以及金属或金属化合物，以防止在第一发射层EML1中生成的电子流入第一空穴传输层HTL1。在一些实施方式中，上述的第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1中的每个可形成为其中各自的材料彼此混合的单层。然而，本公开不限于此。在一些其它实施方式中，可省略第一电子阻挡层BIL1。
第一电子传输层ETL1可位于第一发射层EML1上，并且可位于第一电荷生成层CGL1和第一发射层EML1之间。在一些实施方式中，第一电子传输层ETL1可包括电子传输材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-(1,1'-联苯-4-醇)铝(BAlq)、铍(苯并喹啉-10-醇)(BeBq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)及其混合物。然而，本公开不限于上述电子传输材料的类型。在一些实施方式中，第一电子传输层ETL1可形成为单层。或者，在一些实施方式中，第一电子传输层ETL1可形成为多个层。当第一电子传输层ETL1形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。第二叠层ST2可位于第一电荷生成层CGL1上，并且还可包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL1。
第二空穴传输层HTL2可位于第一电荷生成层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可包括从作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料而例示的材料中选择的一种或更多种材料。第二空穴传输层HTL2可形成为单层或形成为多个层。当第二空穴传输层HTL2形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。
第二电子阻挡层BIL2可位于第二空穴传输层HTL2上，并且可位于第二空穴传输层HTL2和第一发射层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料制成，并且可具有与第一电子阻挡层BIL1相同的结构，或者可包括从作为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料而例示的材料中选择的一种或更多种材料。在一些其它实施方式中，可省略第二电子阻挡层BIL2。
第二电子传输层ETL2可位于第二发射层EML2上，并且可位于第二电荷生成层CGL2和第二发射层EML2之间。第二电子传输层ETL2可由与第一电子传输层ETL1相同的材料制成，并且可具有与第一电子传输层ETL1相同的结构，或者可包括从作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料而例示的材料中选择的一种或更多种材料。第二电子传输层ETL2可形成为单层或形成为多个层。当第二电子传输层ETL2形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。
第二电荷生成层CGL2可位于第二叠层ST2上，并且可位于第二叠层ST2与第三叠层ST3之间。
第二电荷生成层CGL2可具有与上述的第一电荷生成层CGL1相同的结构。例如，第二电荷生成层CGL2可包括更靠近第二叠层ST2设置的n型电荷生成层CGL21以及更靠近阴极电极CE设置的p型电荷生成层CGL22。p型电荷生成层CGL22可设置在n型电荷生成层CGL21上。
第二电荷生成层CGL2可具有其中n型电荷生成层CGL21和p型电荷生成层CGL22彼此接触的结构。第一电荷生成层CGL1和第二电荷生成层CGL2可由不同的材料制成或由相同的材料制成。
第二叠层ST2可位于第二电荷生成层CGL2上，并且还可包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可位于第二电荷生成层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可包括从作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料而例示的材料中选择的一种或更多种材料。第三空穴传输层HTL3可形成为单层或形成为多个层。当第三空穴传输层HTL3形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。
第三电子传输层ETL3可位于第三发射层EML3上，并且可位于阴极电极CE和第三发射层EML3之间。第三电子传输层ETL3可由与第一电子传输层ETL1相同的材料制成，并且可具有与第一电子传输层ETL1相同的结构，或者可包括从作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料而例示的材料中选择的一种或更多种材料。第三电子传输层ETL3可形成为单层或形成为多个层。当第三电子传输层ETL3形成为多个层时，各个层可包括不同的材料。
尽管在附图中未示出，但是空穴注入层(HIL)可进一步位于第一叠层ST1和第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2(参见图4)和第三阳极电极AE3(参见图4)之间，第二叠层ST2和第一电荷生成层CGL1之间，或者第三叠层ST3和第二电荷生成层CGL2之间。空穴注入层可用于将空穴更平滑地注入到第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中。在一些实施方式中，空穴注入层可由从选自由以下构成的组的一种或多种制成：铜酞菁(CuPc)、聚(3,4)-乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、以及N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)，但不限于此。在一些实施方式中，空穴注入层也可位于第一叠层ST1和第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2(参见图4)和第三阳极电极AE3(参见图4)之间，第二叠层ST2和第一电荷生成层CGL1之间，以及第三叠层ST3和第二电荷生成层CGL2之间。
尽管在附图中未示出，但是电子注入层(EIL)可进一步位于第三电子传输层ETL3和阴极电极CE之间，第二电荷生成层CGL2和第二叠层ST2之间，或者第一电荷生成层CGL1和第一叠层ST1之间。电子注入层可用于平稳地注入电子，并且可由以下制成：三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺环-PBD、BAlq或SAlq，但不限于此。此外，电子注入层可包括金属卤化物化合物，例如选自由以下构成的组中的一种或更多种：MgF2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FRF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FRi和CaF2，但不限于此。此外，电子注入层可包括基于镧的材料，例如Yb、Sm或Eu。或者，电子注入层可包括金属卤化物材料和基于镧的材料两者，例如Rb1:Yb或KI:Yb。当电子注入层包括金属卤化物材料和基于镧的材料两者时，可通过金属卤化物材料和基于镧的材料的共沉积形成电子注入层。在一些实施方式中，电子注入层也可位于第三电子传输层ETL3和阴极电极CE之间，第二电荷生成层CGL2和第二叠层ST2之间，以及第一电荷生成层CGL1和第一叠层ST1之间。
除了上述结构之外，可修改发射层OL的结构。例如，发射层OL可仅包括两个叠层，或者可包括四个或更多叠层。
如图11中所示，第一坝构件IDM和第一支撑构件IS可位于非显示区域NDA中的第二绝缘层117上。
第一坝构件IDM可相对地位于电力供应线VSL的外部。换句话说，如图11中所示，电力供应线VSL可位于第一坝构件IDM和显示区域DA之间。
在一些实施方式中，第一坝构件IDM的一部分可与电力供应线VSL重叠。
在一些实施方式中，第一坝构件IDM可包括多个坝。例如，第一坝构件IDM可包括第一坝D1、第二坝D2和第三坝D3。
第一坝D1可部分地与电力供应线VSL重叠，并且可与第三绝缘层130间隔开并且电力供应线VSL置于它们之间。在一些实施方式中，第一坝D1可包括位于第二绝缘层117上的第一下部坝图案D11和位于第一下部坝图案D11上的第一上部坝图案D12。
第二坝D2可位于第一坝D1的外部，并且可与第一坝D1间隔开。在一些实施方式中，第二坝D2可包括位于第二绝缘层117上的第二下部坝图案D21和位于第二下部坝图案D21上的第二上部坝图案D22。
第三坝D3可位于第二坝D2的外部，并且可与第二坝D2间隔开。在一些实施方式中，第三坝D3可包括位于第二绝缘层117上的第三下部坝图案D31和位于第三下部坝图案D31上的第三上部坝图案D32。
在一些实施方式中，第一下部坝图案D11、第二下部坝图案D21和第三下部坝图案D31可由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可与第三绝缘层130同时形成。
在一些实施方式中，第一上部坝图案D12、第二上部坝图案D22和第三上部坝图案D32可由与像素限定层150相同的材料制成，且可与像素限定层150同时形成。
在一些实施方式中，第一坝D1、第二坝D2和第三坝D3的高度可彼此不同。例如，第二坝D2的高度可大于第一坝D1的高度，并且第三坝D3的高度可大于第二坝D2的高度。即，随着距显示区域DA的距离增加，包括在第一坝构件IDM中的坝的高度可逐渐增加，并且因此，在形成包括在稍后将描述的第一封装层170中的第一有机层173的过程中，可更有效地阻挡有机材料溢出。
第一支撑构件IS可相对地位于第一坝构件IDM的外部。换句话说，如图10和图11中所示，第一坝构件IDM可位于第一支撑构件IS和显示区域DA之间。第一支撑构件IS可用于在制造第一封装层170的过程中支撑掩模。
在一些实施方式中，第一支撑构件IS可由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可在制造第三绝缘层130的过程中与第三绝缘层130一起形成。或者，第一支撑构件IS可由与像素限定层150相同的材料制成，并且可在制造像素限定层150的过程中与像素限定层150一起形成。
如图4和图11中所示，第一封装层170可设置在阴极电极CE上。第一封装层170保护位于第一封装层170下方的组件(例如发光元件ED1、ED2和ED3)免受外部异物(例如湿气)的影响。第一封装层170被公共地设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA中。在一些实施方式中，第一封装层170可直接覆盖阴极电极CE。在一些实施方式中，覆盖阴极电极CE的覆盖层(图中未示出)可进一步设置在第一封装层170和阴极电极CE之间。在这种情况下，第一封装层170可直接覆盖覆盖层。第一封装层170可以是薄膜封装层。
在一些实施方式中，第一封装层170可包括依次堆叠在阴极电极CE上的第一下部无机层171、第一有机层173和第一上部无机层175。
在一些实施方式中，第一下部无机层171可覆盖显示区域DA中的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3，并且可覆盖非显示区域NDA中的第一坝构件IDM。
在一些实施方式中，第一下部无机层171的端部171e可位于非显示区域NDA中，并且可位于第一坝构件IDM和第一支撑构件IS之间。
第一有机层173可位于第一下部无机层171上。第一有机层173可覆盖显示区域DA中的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。在一些实施方式中，第一有机层173的一部分可位于非显示区域NDA中，但是可不位于第一坝构件IDM的外部。在图11中已经例示了第一有机层173的一部分容纳在第一坝D1和第二坝D2之间的空间中，但是本公开不限于此。尽管在附图中未示出，但是第一有机层173的一部分也可位于第二坝D2和第三坝D3之间。
第一上部无机层175可位于第一有机层173上。第一上部无机层175可覆盖第一有机层173。在一些实施方式中，第一上部无机层175可与非显示区域NDA中的第一下部无机层171直接接触以形成无机-无机结，并且第一上部无机层175的端部175e可位于第一坝构件IDM和第一支撑构件IS之间。在一些实施方式中，第一上部无机层175的端部175e和第一下部无机层171的端部171e可基本彼此对准。
在一些实施方式中，第一下部无机层171和第一上部无机层175中的每个可由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)、氟化锂等制成。
在一些实施方式中，第一下部无机层171和第一上部无机层175中的每个可形成为单层，但不限于此。第一下部无机层171和第一上部无机层175中的至少一个可具有其中堆叠了各自由无机材料制成的多个层的结构，例如多层结构。
在一些实施方式中，第一有机层173可由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、基于乙烯的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于二萘嵌苯的树脂等制成。
然而，第一封装层170的结构不限于上述示例，并且可对第一封装层170的堆叠结构进行各种修改。
第一覆盖层181可位于第一封装层170上。第一覆盖层181可与稍后将描述的第二覆盖层183一起密封第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330。在一些实施方式中，第一覆盖层181不仅可设置在显示区域DA中而且可设置在非显示区域NDA中，并且可覆盖非显示区域NDA中的第一坝构件IDM和第一支撑构件IS。此外，第一覆盖层181可覆盖非显示区域NDA中的连接焊盘PD的一部分。
在一些实施方式中，第一覆盖层181可包括无机材料。例如，第一覆盖层181可包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
堤图案310可位于第一覆盖层181上。在一些实施方式中，堤图案310可位于显示区域DA中的非发射区域NLA中，并且可在平面图中围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3，如图6中所示。堤图案310可分隔其中设置有第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330的空间。此外，堤图案310也可位于非显示区域NDA中，如图11中所示，并且可覆盖非显示区域NDA中的第一坝构件IDM。在一些实施方式中，第一支撑构件IS还可用作坝以防止堤图案310溢出，并且堤图案310的一部分可位于第一坝构件IDM和第一支撑构件IS之间的空间中。
在一些实施方式中，堤图案310可形成为如图6中所示一体地连接的一个图案，但不限于此。在另一个实施方式中，堤图案310的围绕第一发射区域LA1的部分、堤图案310的围绕第二发射区域LA2的部分、以及堤图案310的围绕第三发射区域LA3的部分可形成为彼此分离的单独图案。
当第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330通过排放油墨组合物的方法(即喷墨印刷方法)形成时，堤图案310可用作将排放的油墨组合物稳定地定位在期望位置处的引导件。也就是说，堤图案310可用作分隔壁。
在一些实施方式中，堤图案310可包括具有光固化性的有机材料。
在一些实施方式中，堤图案310可包括具有光阻挡特性的有机材料。当堤图案310具有光阻挡特性时，堤图案310可防止光在显示区域DA中的彼此相邻的发射区域之间渗透。例如，堤图案310可防止从第二发光元件ED2发射的发射光LE入射到与第一发射区域LA1重叠的第一波长转换图案340上。此外，堤图案310可阻挡或防止外部光渗入非显示区域NDA中的位于堤图案310下方的组件。
第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可位于第一覆盖层181上。在一些实施方式中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可位于显示区域DA中。
透光图案330可位于第一覆盖层181上，可位于由堤图案310分隔的空间中，并且可与第三发射区域LA3或第三发光元件ED3重叠。
在一些实施方式中，透光图案330可形成为岛状图案，如图7中所示。在一些实施方式中，透光图案330的一部分可与非发射区域NLA重叠。
透光图案330可透射入射光。如上所述，从第三发光元件ED3提供的发射光LE可以是蓝光。作为蓝光的发射光LE被透射通过透光图案330和第三滤色器235，然后被发射到显示设备1的外部。也就是说，从第三发射区域LA3发射到显示设备1外部的第三光L3可以是蓝光。
在一些实施方式中，透光图案330可包括第一基础树脂331，并且还可包括分散在第一基础树脂331中的第一散射体333。
第一基础树脂331可由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第一基础树脂331可由有机材料制成。例如，第一基础树脂331可包括有机材料，例如基于环氧的树脂、丙烯酸树脂、基于碳的树脂或基于酰亚胺的树脂。
第一散射体333可具有与第一基础树脂331不同的折射率，并且可与第一基础树脂331形成光学界面。例如，第一散射体333可以是光散射颗粒。第一散射体333不受特别限制，只要它是能够散射透射光中的至少一部分的材料即可，但可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物颗粒的金属氧化物的示例可包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等，并且有机颗粒的材料的示例可包括丙烯酸树脂、基于氨基甲酸酯的树脂等。不管入射光的入射方向如何，第一散射体333都可在基本不转换透射通过透光图案330的光的波长的情况下在随机方向上散射光。
在一些实施方式中，透光图案330可与第一覆盖层181和堤图案310直接接触。
第一波长转换图案340可位于第一覆盖层181上，可位于由堤图案310分隔的空间中，并且可与第一发射区域LA1或第一发光元件ED1重叠。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可形成为岛状图案的形式，如图7中所示。在一些实施方式中，第一波长转换图案340的一部分可与非发射区域NLA重叠。
第一波长转换图案340可将入射光的峰值波长转换或移位为具有另一个特定峰值波长的光，并发射具有另一个特定峰值波长的光。在一些实施方式中，第一波长转换图案340可将从第一发光元件ED1提供的发射光LE转换为峰值波长在610nm至650nm的范围中的红光，并发射红光。稍后将提供第一波长转换图案340的发射光谱和光吸收光谱的更详细的描述。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可包括第二基础树脂341和分散在第二基础树脂341中的第一波长移位器345，并且还可包括分散在第二基础树脂341中的第二散射体343。
第二基础树脂341可由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第二基础树脂341可由有机材料制成。在一些实施方式中，第二基础树脂341可由与第一基础树脂331相同的材料制成，或者可包括作为第一基础树脂331的材料而例示的材料中的至少一种。
第一波长移位器345可将入射光的峰值波长转换或移位到另一个特定峰值波长。在一些实施方式中，第一波长移位器345可将第三颜色的发射光LE(其是从第一发光元件ED1提供的蓝光)转换为具有在610nm至650nm的范围中的单个峰值波长的红光并发射红光。
第一波长移位器345的示例可包括量子点、量子棒、磷光体等。例如，量子点可以是在电子从导带过渡到价带的过程中发射特定颜色的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可根据量子点的组成和尺寸具有特定的带隙以吸收光，且然后发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族纳米晶体或其组合。
II-VI族化合物可选自由以下构成的组：二元化合物，其选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物构成的组。
III-V族化合物可选自由以下构成的组：二元化合物，其选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物构成的组。
IV-VI族化合物可选自由以下构成的组：二元化合物，其选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物构成的组；三元化合物，其选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物构成的组；以及四元化合物，其选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物构成的组。IV族元素可选自由Si、Ge及其混合物构成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物构成的组的二元化合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。此外，量子点可具有核/壳结构，其中一个量子点包围另一个量子点。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低。
在一些实施方式中，量子点可具有核-壳结构，该核-壳结构包括含有上述纳米晶体的核以及包围该核的壳。量子点的壳可用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体特性的钝化层，和/或用作用于向量子点赋予电泳特性的电荷层。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低。量子点的壳的示例可包括金属或非金属氧化物、半导体化合物、其组合等。
金属或非金属氧化物的示例可包括：二元化合物，例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；或者三元化合物，例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4，但本公开不限于此。
此外，半导体化合物的示例可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开不限于此。
由第一波长移位器345发射的光可具有约45nm或更小、约40nm或更小、或约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)，并且因此，可进一步提高由显示设备1显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。此外，由第一波长移位器345发射的光可向几个方向发射，而与入射光的入射方向无关。因此，可改善在第一发射区域LA1中显示的第一颜色的侧面可视性。
从第一发光元件ED1提供的发射光LE的一部分可在不被第一波长移位器345转换为红光的情况下透射通过第一波长转换图案340，并且然后被发射。发射光LE的、在没有被第一波长转换图案340转换的情况下入射到第一滤色器231上的组分可被第一滤色器231阻挡。另一个方面，发射光LE之中的由第一波长转换图案340转换的红光透射通过第一滤色器231，并且然后发射到外部。也就是说，从第一发射区域LA1发射到外部的第一光L1可以是红光。
第二散射体343可具有与第二基础树脂341的折射率不同的折射率，并且可与第二基础树脂341形成光学界面。例如，第二散射体343可以是光散射颗粒。第二散射体343的除了上述的描述之外的详细描述基本与第一散射体333的描述相同或相似，并且因此将被省略。
第二波长转换图案350可位于第一覆盖层181上，可位于由堤图案310分隔的空间中，并且可与第二发射区域LA2或第二发光元件ED1重叠。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可形成为岛状图案的形式，如图7中所示。在一些实施方式中，第二波长转换图案350的一部分可与非发射区域NLA重叠。
第二波长转换图案350可将入射光的峰值波长转换或移位为具有另一个特定峰值波长的光，并发射具有另一个特定峰值波长的光。在一些实施方式中，第二波长转换图案350可将从第二发光元件ED2提供的发射光LE转换为约510nm至约550nm的范围中的绿光并发射绿光。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可包括第三基础树脂351和分散在第三基础树脂351中的第二波长移位器355，并且还可包括分散在第三基础树脂351中的第三散射体353。
第三基础树脂351可由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第三基础树脂351可由有机材料制成。在一些实施方式中，第三基础树脂351可由与第一基础树脂331相同的材料制成，或者可包括例如作为第一基础树脂331的材料而例示的材料中的至少一种。
第二波长移位器355可将入射光的峰值波长转换或移位成另一个特定峰值波长。在一些实施方式中，第二波长移位器355可将峰值波长在440nm至480nm的范围中的蓝光转换为峰值波长在510nm至550nm的范围中的绿光。
第二波长移位器355的示例可包括量子点、量子棒、磷光体等。第二波长移位器355的更详细的描述与上面在第一波长移位器345的描述中所描述的那些基本相同或相似，并且因此将被省略。
在一些实施方式中，第一波长移位器345和第二波长移位器355两者可由量子点构成。在这种情况下，构成第二波长移位器355的量子点的粒度可小于构成第一波长移位器345的量子点的粒度。
第三散射体353可具有与第三基础树脂351的折射率不同的折射率，并且可与第三基础树脂351形成光学界面。例如，第三散射体353可以是光散射颗粒。第三散射体353的除了上述描述之外的详细描述与第二散射体343的描述基本相同或相似，并且因此将被省略。
从第二发光元件ED2发射的发射光LE可被提供给第二波长转换图案350，并且第二波长移位器355可将从第三发光元件ED3提供的发射光LE转换为具有在约510nm至约550nm的范围中的峰值波长的绿光，并且发射绿光。
发射光LE的作为蓝光的部分可在不被第二波长移位器355转换为绿光的情况下透射通过第二波长转换图案350，并且可被第二滤色器233阻挡。另一个方面，发射光LE之中的、被第二波长转换图案350转换的绿光透射通过第二滤色器233，并且然后发射到外部。因此，从第三发射区域LA2发射到显示设备1外部的第二光LE可以是绿光。
第二覆盖层183可位于透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第二覆盖层183可覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。第二覆盖层183也可位于非显示区域NDA中。在非显示区域NDA中，第二覆盖层183可与第一覆盖层181接触，并且可密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可防止由于例如来自外部的湿气或空气的异物的渗透而对透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350造成损坏或污染。在一些实施方式中，第二覆盖层183可由无机材料制成。
在一些实施方式中，第二覆盖层183可由与第一覆盖层181相同的材料制成，或者可包括在第一覆盖层181的描述中提到的材料中的至少一种。当第一覆盖层181和第二覆盖层183两者由无机材料制成时，第一覆盖层181和第二覆盖层183彼此直接接触的部分可形成无机-无机结，并且可有效地阻止湿气、空气等从外部引入。
在一些实施方式中，第一覆盖层181和第二覆盖层183可在非显示区域NDA中彼此直接接触。
在一些实施方式中，第二覆盖层183可覆盖连接焊盘PD的一部分，并且暴露连接焊盘PD的一部分的开口OPN可限定在第一覆盖层181和第二覆盖层183中。连接焊盘PD的由开口OPN暴露的一部分可电连接到上述柔性电路板FPC的端子。
在一些实施方式中，在稍后将描述的制造显示设备的过程中，可在形成外涂层190之后形成开口OPN。也就是说，在制造显示设备的过程中，连接焊盘PD可被第一覆盖层181和第二覆盖层183覆盖，并且可在形成外涂层190之后被部分地被去除。也就是说，在制造显示设备的过程中，连接焊盘PD可由第一覆盖层181和第二覆盖层183保护，并且因此，可防止在制造显示设备的过程中可能发生的、对连接焊盘PD的损坏。
外涂层190可位于第二覆盖层183上。外涂层190可使透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的上部分平坦化。
在一些实施方式中，外涂层190可包括有机材料，其可以是具有光固化性的有机材料。
在一些实施方式中，外涂层190的折射率可低于第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的折射率。例如，外涂层190的折射率可以是1.1以上且1.3以下，并且第一波长转换图案340的折射率和第二波长转换图案350的折射率可比外涂层190的折射率大出0.3或更多。例如，第一波长转换图案340的折射率和第二波长转换图案350的折射率可以是1.7至1.9。
在一些实施方式中，外涂层190的折射率可低于透光图案330的反光率。在一些实施方式中，透光图案330的折射率可比外涂层190的折射率大出0.3或更多。
具有相对低的折射率的外涂层190可在朝向显示设备1的上侧的方向上将从第一波长转换图案340和第二波长转换图案350发射的光的一部分朝向第一波长转换图案340和第二波长转换图案350反射。也就是说，外涂层190可再循环透射通过第一波长转换图案340和第二波长转换图案350并且然后入射到其上的光的至少一部分以增加由第一波长转换图案340和第二波长转换图案350转换的光的量，并且结果，可提高显示设备1的光效率。
在一些实施方式中，外涂层190可仅位于显示区域DA中，并且可不位于非显示区域NDA中。然而，本公开不限于此，并且在另一个实施方式中，外涂层190的一部分也可位于非显示区域NDA中。
第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和彩色图案250可位于显示区域DA中的外涂层190上。
第一滤色器231可设置成与第一发射区域LA1重叠，第二滤色器233可设置成与第二发射区域LA2重叠，并且第三滤色器235可设置成与第三发射区域LA3重叠。
在一些实施方式中，第一滤色器231可阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。也就是说，第一滤色器231可用作阻挡蓝光的蓝光阻挡滤色器。在一些实施方式中，第一滤色器231可选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)并阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第二颜色的光(例如，绿光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器，并且可包括红色着色剂。
第二滤色器233可阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。也就是说，第二滤色器233也可用作蓝光阻挡滤色器。在一些实施方式中，第二滤色器233可选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)并且阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器，并且可包括绿色着色剂。
如图4和图8中所示，在一些实施方式中，第一滤色器231的一部分可进一步位于非发射区域NLA内，并且第二滤色器233的一部分也可进一步位于非发射区域NLA内。
在一些实施方式中，第一滤色器231的部分可进一步在非发射区域NLA中位于第一发射区域LA1和第二发射区域LA2之间的区域以及第一发射区域LA1和第三发射区域LA3之间的区域中。
在一些实施方式中，第二滤色器233的部分可进一步在非发射区域NLA中位于第一发射区域LA1和第二发射区域LA2之间的区域以及第二发射区域LA2和第三发射区域LA3之间的区域中。
在附图中已经示出，第一滤色器231和第二滤色器233彼此不重叠，但是第一滤色器231和第二滤色器233也可在非发射区域NLA中在第一发射区域LA1和第二发射区域LA2之间的区域中彼此重叠。第一滤色器231和第二滤色器233在非发射区域NLA中彼此重叠的部分可用作阻挡光的透射的光阻挡构件。
或者，在另一个实施方式中，与附图中所示的不同，第一滤色器231和第二滤色器233可位于整个非发射区域NLA上方，并且在实施方式中，第一滤色器231和第二滤色器233可在整个非发射区域NLA中彼此重叠。
第三滤色器235可选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第一颜色的光(例如，绿光)。在一些实施方式中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器，并且可包括蓝色着色剂，例如蓝色染料或蓝色颜料。
彩色图案250可设置成与显示区域DA中的非发射区域NLA重叠。彩色图案250也可位于非显示区域NDA中，并且可设置成与非显示区域NDA中的堤图案310重叠。
彩色图案250可将来自显示设备1的外部的光的一部分吸收到显示设备1中，以减少由于外部光引起的反射光。外部光在很大程度上被反射以引起显示设备1的色域的失真。然而，根据本实施方式，当彩色图案250位于非发射区域NLA和非显示区域NDA中时，可减少由于外部光反射而引起的颜色失真。
在一些实施方式中，彩色图案250可包括蓝色着色剂，例如蓝色染料或蓝色颜料。在一些实施方式中，彩色图案250可由与第三滤色器235相同的材料制成，并且可在形成第三滤色器235的过程中与第三滤色器235同时形成。当彩色图案250包括蓝色着色剂时，透射通过彩色图案250的外部光或反射光具有蓝色波长带。用户的眼睛颜色敏感性根据光的颜色而不同。更具体地，与绿色波长带的光和红色波长带的光相比，用户可较不敏感地感知蓝色波长带的光。因此，彩色图案250包括蓝色着色剂，并且因此，用户可相对较不灵敏地感知反射光。
在一些实施方式中，彩色图案250可与非发射区域NLA中的第一滤色器231和第二滤色器233重叠。例如，彩色图案250可在非发射区域NLA中在第一发射区域LA1和第二发射区域LA2之间的区域中与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。此外，彩色图案250可在非发射区域NLA中在第二发射区域LA2和第三发射区域LA3之间的区域中与第二滤色器233重叠。此外，彩色图案250可在非发射区域NLA中在第三发射区域LA3和第一发射区域LA1之间的区域中与第一滤色器231重叠。
在非发射区域NLA中第一滤色器231和彩色图案250彼此重叠的部分以及第二滤色器233和彩色图案250彼此重叠的部分可用作阻挡光的透射的光阻挡构件。在非发射区域NLA中第一滤色器231和彩色图案250彼此重叠的部分以及第二滤色器233和彩色图案250彼此重叠的部分可通过吸收外部光的至少一部分来减小由于外部光反射而引起的颜色失真。此外，这些部分可防止发射到外部的光在相邻的发射区域之间渗透从而发生混色的现象，并且因此可进一步改善显示设备1的色域。
在一些实施方式中，在非发射区域NLA中，彩色图案250可位于第一滤色器231和第二滤色器233上。也就是说，与第一滤色器231和第二滤色器233相比，彩色图案250可被定位成离基础部件110相对更远。
第二坝构件ODM可在非显示区域NDA中位于第一覆盖层181和第二覆盖层183之间。
第二坝构件ODM可在形成包括在第二封装层270中的第二有机层273的过程中阻止有机材料溢出。
第二坝构件ODM可相对地位于第一坝构件IDM的外部。换句话说，如图10和图11中所示，第一坝构件IDM可位于第二坝构件ODM和显示区域DA之间。
在一些实施方式中，第二坝构件ODM可由与堤图案310相同的材料制成，并且可在形成堤图案310的过程中与堤图案310同时形成。
第二支撑构件OS可在非显示区域NDA中位于第二覆盖层183上。第二支撑构件OS可支撑在形成第二封装层270的过程中使用的掩模。
在一些实施方式中，第二支撑构件OS可相对地位于第二坝构件ODM的外部。换句话说，如图10和图11中所示，第二坝构件ODM可位于第二支撑构件OS和显示区域DA之间。
在一些实施方式中，第二支撑构件OS可由与外涂层190相同的材料制成，并且可在形成外涂层190的过程中与外涂层190一起形成。或者，第二支撑构件OS可包括与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的至少一个相同的材料。例如，当第二支撑构件OS包括与第三滤色器235相同的材料时，第二支撑构件OS可在形成第三滤色器235的过程中与第三滤色器235一起形成。
第二封装层270可位于第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和彩色图案250上。第二封装层270保护位于第二封装层270下方的组件免受外部异物(例如湿气)的影响。
第二封装层270在显示区域DA中被公共地设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA中。在一些实施方式中，第二封装层270可在显示区域DA中直接覆盖第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和彩色图案250。
第二封装层270可覆盖非显示区域NDA中的堤图案310和彩色图案250。
在一些实施方式中，第二封装层270可包括顺序堆叠的第二下部无机层271、第二有机层273和第二上部无机层275。
在一些实施方式中，第二下部无机层271可直接覆盖显示区域DA中的第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和彩色图案250，并且可覆盖非显示区域NDA中的堤图案310和彩色图案250。
在一些实施方式中，第二下部无机层271的端部271e可位于非显示区域NDA中，并且可位于第二坝构件ODM和第二支撑构件OS之间。
第二有机层273可位于第二下部无机层271上。第二有机层173可位于整个显示区域DA上方，并且第二有机层173的一部分可位于非显示区域NDA中。在一些实施方式中，第二有机层273的一部分可位于非显示区域NDA中，但是可不位于第二坝构件ODM的外部。在一些实施方式中，第二有机层273的一部分可位于第二坝构件ODM和第一支撑构件IS之间的空间中。
第二上部无机层275可位于第二有机层273上。第二上部无机层275可覆盖第二有机层273。在一些实施方式中，第二上部无机层275可在非显示区域NDA中与第二下部无机层271直接接触以形成无机-无机结，并且第二上部无机层275的端部275e可位于第二坝构件ODM和第二支撑构件OS之间。第二上部无机层275的端部275e和第二下部无机层271的端部275e两者可位于第二坝构件ODM和第二支撑构件OS之间，并且因此，第二上部无机层275和第二下部无机层271两者可不与连接焊盘PD重叠。
在一些实施方式中，第二上部无机层275的端部275e和第二下部无机层271的端部271e可基本彼此对准。
在一些实施方式中，第二下部无机层271和第二上部无机层275可由无机绝缘材料制成。在一些实施方式中，第二下部无机层271和第二上部无机层275可由与第一下部无机层171相同的材料制成，或者可包括作为第一下部无机层171的材料而例示的材料中的至少一种。
第二有机层273可位于第二下部无机层271和第二上部无机层275之间。第二有机层273可由有机绝缘材料制成。在一些实施方式中，第二有机层273可由与第一有机层173相同的材料制成，或者可包括作为第一有机层173的材料而例示的材料中的至少一种。
图12至图14分别是用于描述制造图11中所示的第一封装层的过程的视图。
除了图11之外，参考图12至图14，首先，如图12中所示，在形成阴极电极CE之后，在基础部件110上设置第一掩模MSK1。第一掩模MSK1可由第一支撑构件IS支撑，并且可包括开口区域OP1，该开口区域OP1对应于稍后将在其中形成第一封装层170(参见图11)的区域。在一些实施方式中，在第一掩模MSK1中，一个开口区域OP1可与显示区域DA的整体重叠，并且与非显示区域NDA的一部分重叠。例如，第一掩模MSK1可以是开口掩模。
此后，当用于形成第一下部无机层的第一无机材料mat1沉积在基础部件110上时，可形成第一下部无机层171。在除了开口区域OP1以外的区域中，第一无机材料mat1被第一掩模MSK1掩蔽，并且因此不会到达基础部件110。因此，第一下部无机层171的端部171e位于第一支撑构件IS和第一坝构件IDM之间。
之后，如图13中所示，通过喷墨方法等将有机材料施加到第一下部无机层171上，并且将其光固化以形成第一有机层173。在形成第一有机层173的过程中，在固化之前的状态下的有机材料具有流动性。具有流动性的有机材料的移动可被第一坝构件IDM阻挡，并且因此，可防止有机材料的溢出。
同时，在图13中已经示出没有设置第一掩模，但是这仅仅是示例。第一有机层173也可在图12中所示的第一掩模MSK1设置在第一支撑构件IS上的状态下形成。
之后，如图14中所示，当第一掩模MSK1设置在第一支撑构件IS上并且用于形成第一上部无机层的第二无机材料mat2沉积在第一有机层173上时，可形成第一上部无机层175。
在除了开口区域OP1之外的区域中，第二无机材料mat2被第一掩模MSK1掩蔽，并且因此不会到达基础部件110。因此，第一上部无机层175的端部175e位于第一支撑构件IS和第一坝构件IDM之间。此外，第一下部无机层171和第一上部无机层175可使用相同的第一掩模MSK1形成，并且因此，第一下部无机层171的端部171e和第一上部无机层175的端部175e可基本彼此对准。
图15至图17分别是用于描述制造图11中所示的第二封装层的过程的视图。
除了图11之外，还参考图15至图17，首先，在形成第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和彩色图案250之后，在基础部件110上设置第二掩模MSK2，如图15中所示。第二掩模MSK2可由第二支撑构件OS支撑，并且可包括开口区域OP2，该开口区域OP2对应于稍后将在其中形成第二封装层270(参见图11)的区域。
在一些实施方式中，第二掩模MSK2的开口区域OP2可比第一掩模MSK1的开口区域OP1更宽。
在一些实施方式中，在第二掩模MSK2中，一个开口区域OP2可与整个显示区域DA重叠，并且与非显示区域NDA的一部分重叠。例如，第二掩模MSK2可以是开口掩模。
此后，当用于形成第二下部无机层的第三无机材料mata1沉积在基础部件110上时，可形成第二下部无机层271。在开口区域OP2以外的区域中，第三无机材料mata1被第二掩模MSK2掩蔽，并且因此不会到达基础部件110。因此，第二下部无机层271的端部271e位于第二支撑构件OS和第二坝构件ODM之间。
此后，如图16中所示，通过喷墨方法等将有机材料施加到第二下部无机层271上，并将其光固化以形成第二有机层273。用于形成第二有机层273的有机材料在被固化之前的状态下的移动可被第二坝构件ODM阻挡，并且因此可防止有机材料的溢出。
同时，在图16中已经示出没有设置第一掩模，但是这仅仅是示例。第二有机层273也可在图15中所示的第二掩模MSK2设置在第二支撑构件OS上的状态下被形成。
此后，如图17中所示，当第二掩模MSK2被设置在第二支撑构件OS上并且用于形成第二上部无机层的第四无机材料mata2被沉积在第二有机层273上时，可形成第二上部无机层275。
第四无机材料mata2的一部分在沉积过程中被第二掩模MSK2掩蔽，并且因此不会到达基础部件110。因此，第二上部无机层275的端部275e位于第二支撑构件OS和第二坝构件ODM之间。此外，第二下部无机层271和第二上部无机层275可使用相同的第二掩模MSK2形成，并且因此，第二下部无机层271的端部271e和第二上部无机层275的端部275e可基本彼此对准。
在根据上述实施方式的显示设备1中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350、透光图案330、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235顺序地位于第一封装层170上，并且因此可防止组件之间发生错位。此外，显示设备1不包括单独的衬底，并且因此，可减小显示设备1的厚度。此外，可减小发光元件和波长转换图案之间的距离，并且因此可增加光效率。
此外，在显示设备1中，可在制造位于显示区域DA中的组件的过程中形成第一坝构件IDM、第二坝构件ODM、第一支撑构件IS和第二支撑构件OS，并且因此，可在不增加单独的过程的情况下形成相应的组件。
图18是示出图11中所示的显示设备的修改示例的剖视图。
参考图18，根据本实施方式的显示设备1a与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSa，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。因此，将省略对重合内容的描述，并且将主要描述与上述内容不同的内容。
第二支撑构件OSa可包括位于第二覆盖层183上的下部支撑构件OSa1和位于下部支撑构件OSa1上的上部支撑构件OSa2。
在一些实施方式中，下部支撑构件OSa1可由与外涂层190相同的材料制成，并且可在形成外涂层190的过程中与外涂层190一起形成。此外，上部支撑构件OSa2可由与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个相同的材料制成，并且可在制造第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个的过程中与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个一起形成。
或者，下部支撑构件OSa1可由与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个相同的材料制成，并且可在制造第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个的过程中与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的任意一个一起形成。此外，上部支撑构件OSa2可由与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的另一个相同的材料制成，并且可在制造第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的另一个的过程中与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的另一个一起形成。例如，当滤色器按照第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的顺序形成时，下部支撑构件OSa1可由与第一滤色器231相同的材料制成，并且可在制造第一滤色器231的过程中与第一滤色器231同时形成。此外，上部支撑构件OSa2可由与第三滤色器235相同的材料制成，并且可在制造第三滤色器235的过程中与第三滤色器235一起形成。
图19是示出图11中所示的显示设备的另一个修改示例的剖视图。
参考图18，根据本实施方式的显示设备1b与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSb，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。因此，将省略对重合内容的描述，并且将主要描述与上述内容不同的内容。
第二支撑构件OSb可位于第一覆盖层181和第二覆盖层183之间。在一些实施方式中，第二支撑构件OSb可由与堤图案310相同的材料制成，并且可在形成堤图案310的过程中与堤图案310一起形成，类似于第二坝构件ODM。
图20是示出图11中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图20，根据本实施方式的显示设备1c与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSc，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。因此，将省略对重合内容的描述，并且将主要描述与上述内容不同的内容。
第二支撑构件OSc可包括位于第一覆盖层181和第二覆盖层183之间的下部支撑构件OSc1以及位于第二覆盖层183上并且与下部支撑构件OSc1重叠的上部支撑构件OSc2。
在一些实施方式中，下部支撑构件OSc1可由与堤图案310相同的材料制成，并且可在形成堤图案310的过程中与堤图案310一起形成，类似于第二坝构件ODM。
上部支撑构件OSc2可包括与外涂层190、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的至少一个相同的材料，并且可在相同的制造过程中与外涂层190、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的至少一个一起形成。
图21是示出图11中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图21，根据本实施方式的显示设备1d与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二坝构件ODMa，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。因此，将省略对重合内容的描述，并且将主要描述与上述内容不同的内容。
第二坝构件ODMa可包括位于第一覆盖层181上的下部坝图案ODMa1以及位于下部坝图案ODMa1上的上部坝图案ODMa2。在一些实施方式中，上部坝图案ODMa2可直接位于下部坝图案ODMa1上方。
在一些实施方式中，下部坝图案ODMa1可由与堤图案310相同的材料制成，并且可在与堤图案310相同的过程中与堤图案310同时形成。
在一些实施方式中，上部坝图案ODMa2可包括与外涂层190、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的至少一个相同的材料，并且可在相同的制造过程中与外涂层190、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的至少一个一起形成。
图22是示出图11中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图22，根据本实施方式的显示设备1e与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSa和第二坝构件ODMa，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSa的更详细的描述与以上在图18的描述中所描述的那些相同，且对第二坝构件ODMa的更详细的描述与以上在图21的描述中所描述的那些相同，并且因此将被省略。
图23是示出图11中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图23，根据本实施方式的显示设备1f与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSb和第二坝构件ODMa，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSb的更详细的描述与以上在图19的描述中所描述的那些相同，且对第二坝构件ODMa的更详细的描述与以上在图21的描述中所描述的那些相同，并且因此将被省略。
图24是示出图11中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图24，根据本实施方式的显示设备1g与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSc和第二坝构件ODMa，并且在其它配置中与根据图4至图11中所示的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSc的更详细的描述与以上在图20的描述中所描述的那些相同，且对第二坝构件ODMa的更详细的描述与以上在图21的描述中所描述的那些相同，并且因此将被省略。
图25是沿图2的线X1-X1'截取的根据另一个实施方式的显示设备的剖视图，以及图26是沿图10的线X3-X3'截取的根据另一个实施方式的显示设备的剖视图。
参考图25和图26，根据本实施方式的显示设备2与根据图4至图11的实施方式的显示设备的不同之处在于：省略了第一覆盖层181(参见图4和图11)，并且显示设备2包括第一封装层170a，并且在其它配置中与根据图4至图11的实施方式的显示设备基本相同或相似。因此，将省略对重合内容的描述。
第一封装层170a包括第一下部无机层171、位于第一下部无机层171上的第一有机层173、以及位于第一有机层173上的第一上部无机层175a。
第一下部无机层171和第一有机层173的描述与以上在图4至图11的描述中描述的那些相同。
第一上部无机层175a可位于显示区域DA和非显示区域NDA上方，可不仅覆盖第一坝构件IDM而且覆盖第一支撑构件IS，并且还可覆盖连接焊盘PD的一部分。
在一些实施方式中，第一上部无机层175a可位于基础部件110的整个表面上方。因此，第一上部无机层175a的端部175ae可位于基础部件110的边缘侧，并且可相对地位于第二支撑构件OS的外部。换句话说，第二支撑构件OS可位于第一上部无机层175a的端部175ae和显示区域DA之间。
第一下部无机层171的端部171e位于第一支撑构件IS和第一坝构件IDM之间，并且第一上部无机层175a的端部175ae位于第二支撑构件OS的外部，并且因此，第一下部无机层171的端部171e和第一上部无机层175a的端部175ae可彼此不对准。
所有的第一波长转换图案340、第二波长转换图案350、透光图案330、堤图案310和第二坝构件ODM可位于第一上部无机层175a和第二覆盖层183之间。
第一上部无机层175a可与非显示区域NDA中的第二覆盖层183直接接触以形成无机-无机结，并且因此可密封第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330。
在一些实施方式中，暴露连接焊盘PD的开口OPN可限定在第一上部无机层175a和第二覆盖层183中。
图27是示出图26中所示的显示设备的修改示例的剖视图。
参考图27，根据本实施方式的显示设备2a与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSa，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSa的更详细的描述与上面在图18的实施方式中所描述的那些相同，并且因此将被省略。
图28是示出图26中所示的显示设备的另一个修改示例的剖视图。
参考图28，根据本实施方式的显示设备2b与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSb，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSb的更详细的描述与以上在图19的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
图29是示出图26中所示的显示设备的修改示例的剖视图。
参考图29，根据本实施方式的显示设备2c与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二支撑构件OSc，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二支撑构件OSc的更详细的描述与上面在图20的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
图30是示出图26中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图30，根据本实施方式的显示设备2d与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二坝构件ODMa，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二坝构件ODMa的更详细的描述与上面在图21的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
图31是示出图26中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图31，根据本实施方式的显示设备2e与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二坝构件ODMa和第二支撑构件OSa，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二坝构件ODMa的更详细的描述与上面在图21的实施方式中所描述的那些相同或相似，且对第二支撑构件OSa的更详细的描述与上面在图18的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
图32是示出图26中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图32，根据本实施方式的显示设备2f与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二坝构件ODMa和第二支撑构件OSb，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二坝构件ODMa的更详细的描述与上面在图21的实施方式中所描述的那些相同或相似，且对第二支撑构件OSb的更详细的描述与上面在图19的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
图33是示出图26中所示的显示设备的又一个修改示例的剖视图。
参考图33，根据本实施方式的显示设备2g与根据图26的实施方式的显示设备的不同之处在于：它包括第二坝构件ODMa和第二支撑构件OSc，并且在其它配置中与根据图26的实施方式的显示设备基本相同或相似。对第二坝构件ODMa的更详细的描述与上面在图21的实施方式中所描述的那些相同或相似，且对第二支撑构件OSc的更详细的描述与上面在图20的实施方式中所描述的那些相同或相似，并且因此将被省略。
同时，尽管在附图中未示出，但是除了上述实施方式之外，可对显示设备的结构进行各种修改。例如，作为第二支撑构件的结构而例示的结构可用作第二坝构件的结构。例如，第二坝构件可包括与外涂层或滤色器相同的材料。
以上已经参考附图描述了本公开的实施方式，但是本公开所属领域的普通技术人员将理解，在不脱离本公开的技术精神或基本特征的情况下，可进行各种修改和改变。因此，要理解，在所有方面，上述实施方式是说明性的而不是限制性的。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基础部件，在所述基础部件中限定有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
第一坝构件、第一支撑构件、第二坝构件和第二支撑构件，所述第一坝构件、所述第一支撑构件、所述第二坝构件和所述第二支撑构件位于所述基础部件上并且位于所述非显示区域中；
发光元件，位于所述基础部件上并且位于所述显示区域中；
第一封装层，位于所述发光元件上；
波长转换图案，位于所述第一封装层上并且与所述发光元件重叠；
滤色器，位于所述波长转换图案上并且与所述波长转换图案重叠；以及
第二封装层，位于所述滤色器上，
其中，所述第一坝构件位于所述第一支撑构件与所述显示区域之间，
所述第一支撑构件位于所述第二坝构件和所述第一坝构件之间，
所述第二坝构件位于所述第二支撑构件和所述第一支撑构件之间，
包括在所述第一封装层中的无机层的端部位于所述第一支撑构件和所述第一坝构件之间，以及
包括在所述第二封装层中的无机层的端部位于所述第二支撑构件和所述第二坝构件之间。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一坝构件设置成围绕所述显示区域，
所述第一支撑构件设置成围绕所述第一坝构件，
所述第二坝构件设置成围绕所述第一支撑构件，以及
所述第二支撑构件设置成围绕所述第二坝构件。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二封装层包括位于所述滤色器上的下部无机层、位于所述下部无机层上的有机层、以及位于所述有机层上的上部无机层，以及
所述下部无机层的端部和所述上部无机层的端部位于所述第二支撑构件和所述第二坝构件之间。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中，所述有机层的一部分位于所述第二坝构件与所述第一坝构件之间。
5.如权利要求3所述的显示设备，还包括：堤图案，位于所述第一封装层上并且围绕所述波长转换图案，
其中，所述第二支撑构件和所述第二坝构件中的至少一个以及所述堤图案包括相同的材料。
6.如权利要求3所述的显示设备，还包括：外涂层，位于所述滤色器和所述波长转换图案之间，
其中，所述第二支撑构件包括与所述滤色器或所述外涂层相同的材料。
7.如权利要求6所述的显示设备，还包括：堤图案，位于所述第一封装层上并且围绕所述波长转换图案，
其中，所述第二坝构件包括与所述滤色器、所述外涂层和所述堤图案中的至少一个相同的材料。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一封装层包括位于所述发光元件上的下部无机层、位于所述下部无机层上的有机层、以及位于所述有机层上的上部无机层，
所述下部无机层和所述上部无机层覆盖所述第一坝构件，以及
所述下部无机层的端部位于所述第一坝构件和所述第一支撑构件之间。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一坝构件包括彼此间隔开的第一坝和第二坝，以及
所述有机层的一部分位于所述第一坝和所述第二坝之间的空间中。
10.如权利要求9所述的显示设备，其中，所述上部无机层的端部位于所述第一坝构件与所述第一支撑构件之间。
11.如权利要求9所述的显示设备，其中，所述上部无机层的端部位于所述第二支撑构件的外部，以及
所述第二支撑构件位于所述上部无机层的所述端部与所述显示区域之间。
12.如权利要求1所述的显示设备，还包括：连接焊盘，位于所述基础部件上并且位于所述非显示区域中，
其中，所述第二支撑构件位于所述连接焊盘与所述显示区域之间，以及
所述连接焊盘不与所述第二封装层重叠。
13.如权利要求12所述的显示设备，还包括：
第一覆盖层，位于所述第一封装层与所述波长转换图案之间；以及
第二覆盖层，位于所述波长转换图案和所述滤色器之间，
其中，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层在所述非显示区域中彼此接触，以及
所述第一覆盖层和所述第二覆盖层与所述连接焊盘重叠。
14.如权利要求12所述的显示设备，还包括：覆盖层，位于所述波长转换图案和所述滤色器之间，
其中，所述第一封装层包括无机层，
所述无机层和所述覆盖层在所述非显示区域中彼此接触，以及
所述无机层和所述覆盖层与所述连接焊盘重叠。
15.一种显示设备，包括：
基础部件，在所述基础部件中限定有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
坝构件和支撑构件，所述坝构件和所述支撑构件位于所述基础部件上并且位于所述非显示区域中；
连接焊盘，位于所述基础部件上并且位于所述非显示区域中；
发光元件，位于所述基础部件上并且位于所述显示区域中；
无机层，位于所述发光元件上；
波长转换图案，位于所述无机层上并且与所述发光元件重叠；
覆盖层，位于所述波长转换图案上；以及
滤色器，位于所述覆盖层上并且与所述波长转换图案重叠；
其中，所述坝构件位于所述支撑构件和所述显示区域之间，
所述支撑构件位于所述连接焊盘与所述坝构件之间，
所述无机层和所述覆盖层在所述非显示区域中彼此接触，以及
所述无机层和所述覆盖层与所述连接焊盘重叠。
16.如权利要求15所述的显示设备，其中，在所述无机层和所述覆盖层中限定有暴露所述连接焊盘的开口。
17.如权利要求16所述的显示设备，还包括：堤图案，位于所述无机层和所述覆盖层之间并且与所述波长转换图案接触，
其中，所述坝构件和所述堤图案包括相同的材料。
18.如权利要求17所述的显示设备，还包括：外涂层，位于所述滤色器和所述波长转换图案之间，
其中，所述支撑构件包括与所述堤图案、所述滤色器和所述外涂层中的至少一个相同的材料。
19.如权利要求18所述的显示设备，其中，所述外涂层的折射率低于所述波长转换图案的折射率。
20.如权利要求15所述的显示设备，还包括：
封装层，位于所述滤色器上，并且包括下部无机层、上部无机层以及位于所述下部无机层和所述上部无机层之间的有机层，
其中，所述坝构件与所述下部无机层和所述上部无机层重叠，以及
所述连接焊盘和所述支撑构件不与所述下部无机层和所述上部无机层重叠。
CN202080102410.0A 2020-07-03 2020-11-02 显示设备 Pending CN115702609A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0082244 2020-07-03
KR1020200082244A KR20220004891A (ko) 2020-07-03 2020-07-03 표시 장치
PCT/KR2020/015148 WO2022004958A1 (ko) 2020-07-03 2020-11-02 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115702609A true CN115702609A (zh) 2023-02-14

Family

ID=79316758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080102410.0A Pending CN115702609A (zh) 2020-07-03 2020-11-02 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230263034A1 (zh)
KR (1) KR20220004891A (zh)
CN (1) CN115702609A (zh)
WO (1) WO2022004958A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230128170A (ko) * 2022-02-25 2023-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR102105287B1 (ko) * 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102612036B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR20200059369A (ko) * 2018-11-20 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200062445A (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20230263034A1 (en) 2023-08-17
WO2022004958A1 (ko) 2022-01-06
KR20220004891A (ko) 2022-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210376291A1 (en) Display device
KR20210156371A (ko) 표시 장치
US11925051B2 (en) Display device including an encapsulation layer including porous layer
US20230263034A1 (en) Display device
CN219288079U (zh) 显示装置
CN219761827U (zh) 包括发光元件的衬底和显示装置
CN220554268U (zh) 显示装置
CN220108616U (zh) 显示装置
CN219322900U (zh) 显示装置
US20230413632A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN220326172U (zh) 显示装置
US20210384283A1 (en) Display device
US20230165062A1 (en) Display device
EP4266372A1 (en) Display device
KR20220099595A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination