WO2022004958A1 - 표시 장치 - Google Patents

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WO2022004958A1
WO2022004958A1 PCT/KR2020/015148 KR2020015148W WO2022004958A1 WO 2022004958 A1 WO2022004958 A1 WO 2022004958A1 KR 2020015148 W KR2020015148 W KR 2020015148W WO 2022004958 A1 WO2022004958 A1 WO 2022004958A1
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WO
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layer
light
support member
dam
display area
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PCT/KR2020/015148
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French (fr)
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김유진
조건희
강신택
김현석
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삼성디스플레이 주식회사
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    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • LCD liquid crystal display device
  • OLED organic light emitting diode display device
  • the self-emission display device includes a self-emission device, for example, an organic light emitting device.
  • the self-light emitting device may include two opposing electrodes and a light emitting layer interposed therebetween.
  • the self-light emitting device is an organic light emitting device, electrons and holes provided from the two electrodes recombine in the emission layer to generate excitons, and the generated excitons change from an excited state to a ground state, and light may be emitted.
  • the self-luminous display device does not require a light source such as a backlight unit, it has low power consumption and can be configured in a light and thin shape, as well as high quality characteristics such as a wide viewing angle, high brightness and contrast, and fast response speed, attracting attention as a next-generation display device are receiving
  • a method of arranging a color conversion pattern or a wavelength conversion pattern for each pixel on an optical path from a light source to a viewer As one method for allowing each pixel of the display device to uniquely display one primary color, a method of arranging a color conversion pattern or a wavelength conversion pattern for each pixel on an optical path from a light source to a viewer.
  • An object of the present invention is to provide a display device capable of improving display quality.
  • a display device includes: a base in which a display area and a non-display area around the display area are defined; a first dam member, a first support member, a second dam member, and a second support member positioned on the base part and positioned in the non-display area; a light emitting device positioned on the base portion and positioned in the display area; a first encapsulation layer positioned on the light emitting device; a wavelength conversion pattern positioned on the first encapsulation layer and overlapping the light emitting device; a color filter positioned on the wavelength conversion pattern and overlapping the wavelength conversion pattern; and a second encapsulation layer positioned on the color filter.
  • the first dam member is positioned between the first support member and the display area
  • the first support member is positioned between the second dam member and the first dam member
  • the second dam member includes: An end of the inorganic layer that is located between the second support member and the first support member, and includes the first encapsulation layer, is positioned between the first support member and the first dam member, and includes the second encapsulation layer
  • An end of the inorganic layer is positioned between the second support member and the second dam member.
  • the first dam member is disposed to surround the display area
  • the first support member is disposed to surround the first dam member
  • the second dam member is disposed to surround the first support member and the second support member may be disposed to surround the second dam member.
  • the second encapsulation layer includes a lower inorganic layer positioned on the color filter, an organic layer positioned on the lower inorganic layer, and an upper inorganic layer positioned on the organic layer, and the lower inorganic layer and an end of the upper inorganic layer may be positioned between the second support member and the second dam member.
  • a portion of the organic layer may be positioned between the second dam member and the first dam member.
  • the display device may include: a bank pattern positioned on the first encapsulation layer and surrounding the wavelength conversion pattern; Further comprising, at least one of the second support member and the second dam member and the bank pattern may include the same material.
  • the display device may include an overcoat layer positioned between the color filter and the wavelength conversion pattern; It further includes, and the second support member may include the same material as the color filter or the overcoat layer.
  • the display device may include: a bank pattern positioned on the first encapsulation layer and surrounding the wavelength conversion pattern;
  • the second dam member may include the same material as at least one of the color filter, the overcoat layer, and the bank pattern.
  • the first encapsulation layer includes a lower inorganic layer positioned on the light emitting device, an organic layer positioned on the lower inorganic layer, and an upper inorganic layer positioned on the organic layer, and the lower inorganic layer and the upper inorganic layer may cover the first dam member, and an end of the lower inorganic layer may be positioned between the first dam member and the first support member.
  • the first dam member may include a first dam and a second dam spaced apart from each other, and a portion of the organic layer may be located in a space between the first dam and the second dam.
  • an end of the upper inorganic layer may be positioned between the first dam member and the first support member.
  • an end of the upper inorganic layer may be positioned outside the second support member, and the second support member may be positioned between an end of the upper inorganic layer and the display area.
  • the display device may include: a connection pad positioned on the base part and positioned in the non-display area;
  • the second support member may be positioned between the connection pad and the display area, and the connection pad may not overlap the second encapsulation layer.
  • the display device may include: a first capping layer positioned between the first encapsulation layer and the wavelength conversion pattern; and a second capping layer positioned between the wavelength conversion pattern and the color filter.
  • the first capping layer and the second capping layer may contact each other in the non-display area, and the first capping layer and the second capping layer may overlap the connection pad.
  • the display device may include: a capping layer positioned between the wavelength conversion pattern and the color filter;
  • the first encapsulation layer may include an inorganic layer, the inorganic layer and the capping layer may contact each other in the non-display area, and the inorganic layer and the capping layer may overlap the connection pad. .
  • a display device includes: a base portion in which a display area and a non-display area around the display area are defined; a dam member and a support member positioned on the base part and positioned in the non-display area; a connection pad positioned on the base part and positioned in the non-display area; a light emitting device positioned on the base portion and positioned in the display area; an inorganic layer positioned on the light emitting device; a wavelength conversion pattern positioned on the inorganic layer and overlapping the light emitting device; a capping layer positioned on the wavelength conversion pattern; and a color filter positioned on the capping layer and overlapping the wavelength conversion pattern.
  • dam member is positioned between the support member and the display area, the support member is positioned between the connection pad and the dam member, the inorganic layer and the capping layer are in contact with each other in the non-display area; , the inorganic layer and the capping layer overlap the connection pad.
  • an opening exposing the connection pad may be defined in the inorganic layer and the capping layer.
  • the display device may include: a bank pattern positioned between the inorganic layer and the capping layer and in contact with the wavelength conversion pattern; Further comprising, the dam member and the bank pattern, may include the same material.
  • the display device may include an overcoat layer positioned between the color filter and the wavelength conversion pattern; It further includes, and the support member may include the same material as at least one of the bank pattern, the color filter, and the overcoat layer.
  • the refractive index of the overcoat layer may be lower than the refractive index of the wavelength conversion pattern.
  • the display device may include: an encapsulation layer disposed on the color filter and including a lower inorganic layer, an upper inorganic layer, and an organic layer positioned between the lower inorganic layer and the upper inorganic layer; and the dam member may overlap the lower inorganic layer and the upper inorganic layer, and the connection pad and the support member may not overlap the lower inorganic layer and the upper inorganic layer.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion Q1 of FIG. 1 .
  • FIG. 3 is a plan view illustrating a modified example of FIG. 2 .
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment taken along line X1-X1' of FIG. 2 .
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of part Q5 of FIG. 4 .
  • FIG. 6 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a barrier rib pattern in a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a wavelength conversion pattern and a light transmission pattern in a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a first color filter and a second color filter in a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a third color filter and a color pattern in a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view of a portion Q3 of FIG. 1 .
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the display device taken along line X3-X3' of FIG. 10 .
  • FIG. 12 12, 13, and 14 are views for explaining a manufacturing process of the first encapsulation layer shown in FIG. 11, respectively.
  • 15, 16, and 17 are views for explaining a manufacturing process of the second encapsulation layer shown in FIG. 11, respectively.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • 20, 21, 22, 23, and 24 are cross-sectional views each illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • 25 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment taken along line X1-X1' of FIG. 2 .
  • 26 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment taken along line X3-X3' of FIG. 10 .
  • FIG. 27 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • 29, 30, 31, 32, and 33 are cross-sectional views each illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 26 .
  • references to an element or layer 'on' of another element or layer includes any intervening layer or other element directly on or in the middle of the other element or layer. On the other hand, when an element is referred to as 'directly on', it indicates that no other element or layer is interposed therebetween.
  • Like reference numerals refer to like elements throughout.
  • first, second, third, fourth, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, it goes without saying that the first component mentioned below may be any one of the second component, the third component, and the fourth component within the spirit of the present invention.
  • Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic views of the present invention. Accordingly, the shape of the illustrative drawing may be modified due to manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in the form generated according to the manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the drawings have schematic properties, and the shapes of the regions illustrated in the drawings are intended to illustrate specific shapes of regions of the device, and not to limit the scope of the invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to an exemplary embodiment
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion Q1 of FIG. 1
  • FIG. 3 is a plan view illustrating a modified example of FIG. 2 .
  • the display device 1 includes a tablet PC, a smart phone, a car navigation unit, a camera, a center information display (CID) provided to a car, a wrist watch type electronic device, and a PDA ( Personal Digital Assistant), PMP (Portable Multimedia Player), small and medium electronic equipment such as a game machine, television, external billboard, monitor, personal computer, can be applied to various electronic equipment such as medium and large electronic equipment such as a notebook computer.
  • PMP Personal Digital Assistant
  • PMP Portable Multimedia Player
  • small and medium electronic equipment such as a game machine, television, external billboard, monitor, personal computer
  • these are presented only as examples, and may be employed in other electronic devices without departing from the concept of the present invention.
  • the display device 1 may include a display panel 10 .
  • the display device 1 may further include a flexible circuit board (FPC) and a driving chip (IC).
  • FPC flexible circuit board
  • IC driving chip
  • the display panel 10 may have a rectangular shape in plan view.
  • the display panel 10 may include two first sides extending in the first direction (X) and two second sides extending in a second direction (Y) intersecting the first direction (X).
  • An edge where the first side and the second side of the display device 1 meet may be a right angle, but is not limited thereto, and may form a curved surface.
  • the length of the first side and the length of the second side may be different from each other, but the present invention is not limited thereto.
  • the flat shape of the display panel 10 is not limited to the illustrated one, and a circular shape or other shape may be applied.
  • top”, “top”, “top”, “top”, and “top” refer to a first direction (X) and a second direction (Y) intersecting the first direction (Y) with respect to the drawing.
  • Y first direction
  • the arrow in the drawing refers to the direction in which the arrow in the third direction (Z) is pointing based on the drawing. It is assumed to mean the opposite direction to the direction.
  • the display panel 10 may include a display area DA displaying an image and a non-display area NDA not displaying an image.
  • a plurality of light-emitting areas and a non-emission area NLA may be defined in the display area DA of the display panel 10 .
  • a first emission area LA1 , a second emission area LA2 , and a third emission area LA3 may be defined in the display area DA of the display panel 10 .
  • the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , and the third light-emitting area LA3 may be areas in which light generated by the light emitting device of the display panel 10 is emitted to the outside of the display panel 10 .
  • the non-emission area NLA may be an area in which light is not emitted to the outside of the display panel 10 .
  • light emitted to the outside from the first light emitting area LA1 , the second light emitting area LA2 , and the third light emitting area LA3 may have different colors.
  • light emitted from the first light-emitting area LA1 to the outside is light of a first color
  • light emitted from the second light-emitting area LA2 is light of a second color
  • the third light-emitting area LA3 is light.
  • the light emitted from the may be light of a third color
  • the light of the first color, the light of the second color, and the light of the third color may have different colors.
  • the light of the third color may be blue light having a peak wavelength in the range of 440 nm to about 480 nm
  • the light of the first color may be red light having a peak wavelength in the range of 610 nm to 650 nm
  • the light of the second color may be green light having a peak wavelength in the range of 530 nm to 570 nm.
  • the present invention is not limited thereto, and the light of the first color may be green light and the light of the second color may be red light.
  • the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , and the third light-emitting area LA3 may form a group, and a plurality of groups may be defined in the display area DA.
  • a device and circuits for displaying an image may be disposed in the display area DA of the display panel 10 , and the above-described first light emission is provided in the display area DA. It may include a pixel defining layer defining an area LA1 , a second light emitting area LA2 , a third light emitting area LA3 , and a non-emission area NLA and a self-light emitting element.
  • the self-luminous device is an organic light-emitting device (Organic Light Emitting Diode), a quantum dot light-emitting device (Quantum dot Light Emitting Diode), an inorganic material-based micro light-emitting diode (eg, Micro LED), an inorganic material-based nano-size light-emitting diode (eg, nano LED) may include at least one of.
  • Organic Light Emitting Diode Organic Light Emitting Diode
  • Quantum dot Light Emitting Diode Quantum dot Light Emitting Diode
  • an inorganic material-based micro light-emitting diode eg, Micro LED
  • an inorganic material-based nano-size light-emitting diode eg, nano LED
  • the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , and the third light-emitting area LA3 may be sequentially positioned along the first direction X.
  • the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , and the third light-emitting area LA3 form a group in the first direction X and the second direction. It can be repeatedly placed along (Y).
  • the present invention is not limited thereto, and the arrangement of the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , and the third light-emitting area LA3 may be variously changed. 3 , the first light-emitting area LA1 and the second light-emitting area LA2 are adjacent to each other in the first direction X, and the third light-emitting area LA3 is located in the second direction. It may be positioned at one side of the first light emitting area LA1 and the second light emitting area LA2 along (Y).
  • first light-emitting area LA1, the second light-emitting area LA2, and the third light-emitting area LA3 are disposed as shown in FIG. 2 will be described as an example.
  • the non-display area NDA of the display panel 10 may be located around the display area DA and surround the display area DA.
  • a dam member and a support member may be disposed in the non-display area NDA of the display panel 10 .
  • the dam member may block an organic material (or monomer) from overflowing in the process of forming the encapsulation layer disposed in the display area DA, thereby preventing the organic material of the encapsulation layer from extending toward the edge of the display panel 10 . can do.
  • the dam member may include a first dam member IDM and a second dam member ODM.
  • Both the first dam member IDM and the second dam member ODM may be positioned in the non-display area NDA of the display panel 10 , and the first dam member IDM is the second dam member ODM. It may be located relatively adjacent to the display area DA.
  • the first dam member IDM may be disposed to completely surround the display area DA in a plan view
  • the second dam member ODM may include the display area DA and the first dam member IDM in a plan view. ) can be arranged to completely surround the
  • the support member may serve to support the structure of the display panel 10 , for example, a mask in the process of forming the encapsulation layer.
  • the support member may include a first support member IS and a second support member OS.
  • Both the first support member IS and the second support member OS may be positioned in the non-display area NDA of the display panel 10 , and the first support member IS is the second support member OS It may be located relatively adjacent to the display area DA.
  • the first support member IS may be positioned between the first dam member IDM and the second dam member ODM on a plan view, and the display area DA and the first dam member IDM It can be arranged to completely enclose.
  • the first support member IS may be positioned on the opposite side of the first dam member IDM with the second dam member ODM interposed therebetween, and the second dam member ODM, the first It may be disposed to completely surround the support member IS, the first dam member IDM, and the display area DA.
  • connection pads PD may be positioned in the non-display area NDA of the display panel 10 .
  • the connection pad PD may be electrically connected to the pixel circuit positioned in the display area DA through a connection line or the like.
  • connection pad PD may be located outside the second support member OS. That is, the connection pad PD may be located relatively farther from the display area DA than the second support member OS, and the second support member OS includes the connection pad PD and the display area DA. can be located between
  • the flexible circuit board FPC may be connected to the connection pad PD of the display panel 10 .
  • the flexible circuit board FPC may electrically connect the display panel 10 to a circuit board that provides signals and power for driving the display device 1 .
  • the driving chip IC may be electrically connected to the circuit board and the like to receive data and signals.
  • the driving chip IC may be a data driving chip, and may receive a data control signal and image data from the circuit board, etc., and generate and output a data voltage corresponding to the image data.
  • the driving chip IC may be mounted on a flexible circuit board FPC.
  • the driving chip IC may be mounted on the flexible circuit board FPC in the form of a chip on film (COF).
  • COF chip on film
  • the data voltage provided from the driving chip IC, the power provided from the circuit board, etc. may be transmitted to the pixel circuit of the display panel 10 via the flexible circuit board FPC and the connection pad PD.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment taken along line X1-X1' of FIG. 2
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion Q5 of FIG. 4
  • FIG. 9 is a plan view schematically illustrating the arrangement of a first color filter and a second color filter
  • FIG. 9 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a third color filter and a color pattern in a display device according to an exemplary embodiment
  • FIG. 10 is FIG. 1
  • An enlarged plan view of part Q3 of FIG. 11 is a cross-sectional view of the display device taken along line X3-X3' of FIG. 10 .
  • the base part 110 may be made of a light-transmitting material.
  • the base 110 may be a glass substrate or a plastic substrate.
  • the base part 110 may have flexibility.
  • a plurality of light emitting areas LA1 , LA2 , LA3 and non-emission areas NLA may be defined in the base unit 110 .
  • a buffer layer 111 may be further positioned on the base part 110 .
  • the buffer layer 111 may be positioned on the base part 110 and may be disposed in the display area DA and the non-display area NDA.
  • the buffer layer 111 may block foreign substances or moisture penetrating through the base part 110 .
  • the buffer layer 111 may include an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, or SiON, and may be formed as a single layer or multiple layers.
  • a light blocking pattern BML may be positioned on the buffer layer 111 .
  • the light blocking pattern BML may block light and may have conductivity.
  • the light blocking pattern BML may block external light or light from the light emitting device from flowing into the semiconductor layer ACT to be described later, thereby reducing leakage current generated by light in the thin film transistor TL to be described later. or can be minimized.
  • the drawing shows that the light blocking pattern BML is positioned in the display area DA and not in the non-display area NDA, the light blocking pattern BML may also be located in the non-display area NDA.
  • the light blocking pattern BML may be formed of a material that blocks light and has conductivity, and may have a single-layer or multi-layer structure.
  • the light blocking pattern (BML) is a stacked structure of titanium (Ti)/copper (Cu)/indium tin oxide (ITO) or a stack of titanium (Ti)/copper (Cu)/aluminum oxide (Al 2 O 3 ). It may be a structure, but is not limited thereto.
  • a plurality of light blocking patterns BML may be provided to correspond to each semiconductor layer ACT and may overlap the semiconductor layer ACT.
  • the width of the light blocking pattern BML may be wider than the width of the semiconductor layer ACT.
  • the light blocking pattern BML may be a part of a data line, a power supply line, or a wiring electrically connecting the thin film transistor (not shown) and the thin film transistor (TL) shown in the drawing to each other.
  • the light blocking pattern BML may be formed of a material having a lower resistance than the second conductive layer or the source electrode SE and the drain electrode DE included in the second conductive layer.
  • a first insulating layer 113 may be positioned on the light blocking pattern BML.
  • the first insulating layer 113 may be positioned in the display area DA and the non-display area NDA.
  • the first insulating layer 113 may cover the light blocking pattern BML.
  • the first insulating layer 113 may include an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , TiO 2 , Ta 2 O, HfO 2 , ZrO 2 , and the like.
  • a semiconductor layer ACT may be positioned on the first insulating layer 113 .
  • the semiconductor layer ACT may be disposed to correspond to the first light emitting area LA1 , the second light emitting area LA2 , and the third light emitting area LA3 in the display area DA, respectively.
  • the semiconductor layer ACT may include an oxide semiconductor.
  • the semiconductor layer ACT is a Zn oxide-based material, and may be formed of Zn oxide, In-Zn oxide, Ga-In-Zn oxide, etc., and a metal such as indium (In) and gallium (Ga) in ZnO.
  • This may be an IGZO (In-Ga-Zn-O) semiconductor.
  • the present invention is not limited thereto, and the semiconductor layer ACT may include amorphous silicon or polysilicon.
  • the semiconductor layer ACT may be disposed to overlap each light blocking pattern BML, thereby suppressing generation of a photocurrent in the semiconductor layer ACT.
  • a first conductive layer may be disposed on the semiconductor layer ACT, and the first conductive layer may include a gate electrode GE and a wiring layer WR.
  • the gate electrode GE may be disposed in the display area DA and overlap the semiconductor layer ACT.
  • the wiring layer WR may include a portion of wiring electrically connecting the connection pad PD and devices positioned in the display area DA, for example, the thin film transistor TL and the light emitting device.
  • the gate electrode GE and the wiring layer WR are made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), Magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), It may include at least one of tungsten (W) and copper (Cu), and may be formed as a single layer or a multilayer.
  • a gate insulating layer 115 may be positioned between the semiconductor layer ACT and the first conductive layer or between the semiconductor layer ACT and the gate electrode GE.
  • the gate electrode GE and the gate insulating layer 115 may function as a mask for masking the channel region of the semiconductor layer ACT, and the widths of the gate electrode GE and the gate insulating layer 115 are It may be narrower than the width of the semiconductor layer ACT.
  • the gate insulating layer 115 may be patterned to have substantially the same shape as that of the gate electrode GE or the first conductive layer. In some embodiments, a width of the gate insulating layer 115 may be greater than a width of the gate electrode GE or the first conductive layer.
  • the gate insulating layer 115 may include an inorganic material.
  • the gate insulating layer 115 may include the inorganic material exemplified in the description of the first insulating layer 113 .
  • the gate insulating layer 115 may be positioned between the wiring layer WR and the first insulating layer 113 .
  • a second insulating layer 117 covering the semiconductor layer ACT and the gate electrode GE may be positioned on the gate insulating layer 115 .
  • the second insulating layer 117 may be positioned in the display area DA and the non-display area NDA.
  • the second insulating layer 117 may function as a planarization layer providing a flat surface.
  • the second insulating layer 117 may include an organic material.
  • the second insulating layer 117 may be formed of photo acryl (PAC), polystyrene (polystylene), polymethyl methacrylate (PMMA), polyacrylonitrile (PAN), polyamide (polyamide), or polystyrene (polyamide).
  • PAC photo acryl
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • PAN polyacrylonitrile
  • polyamide polyamide
  • polyamide polystyrene
  • the second conductive layer may be positioned on the second insulating layer 117 , and the second conductive layer includes the source electrode SE, the drain electrode DE, the power supply line VSL, and the connection pad PD.
  • a first pad electrode PD1 may be included.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE may be located in the display area DA, and may be spaced apart from each other.
  • the drain electrode DE and the source electrode SE may each pass through the second insulating layer 117 to be connected to the semiconductor layer ACT.
  • the source electrode SE may pass through the first insulating layer 113 and the second insulating layer 117 to be connected to the light blocking pattern BML.
  • the source electrode SE may be connected to and electrically coupled to the light blocking pattern BML to receive a voltage or the like provided to the wiring.
  • the light blocking pattern BML is a floating pattern rather than a separate wire, a voltage provided to the source electrode SE may be transmitted to the light blocking pattern BML.
  • the semiconductor layer ACT, the gate electrode GE, the source electrode SE, and the drain electrode DE described above may form the thin film transistor TL as a switching device.
  • the thin film transistor TL may be positioned in the first light emitting area LA1 , the second light emitting area LA2 , and the third light emitting area LA3 , respectively.
  • a portion of the thin film transistor TL may be located in the non-emission area NLA.
  • the power supply line VSL may be located in the non-display area NDA.
  • a driving voltage provided to the cathode electrode CE for example, an ELVSS voltage, may be supplied to the power supply line VSL.
  • the first pad electrode PD1 of the connection pad PD may be located in the non-display area NDA. In some embodiments, the first pad electrode PD1 may pass through the second insulating layer 117 to be electrically connected to or electrically coupled to the wiring layer WR.
  • the source electrode SE, the drain electrode DE, the power supply wiring VSL, and the first pad electrode PD1 of the connection pad PD include aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), etc. and may be formed as a multi-layer or a single layer.
  • the source electrode SE, the drain electrode DE, the power supply line VSL, and the first pad electrode PD1 of the connection pad PD may have a multilayer structure of Ti/Al/Ti. have.
  • the third insulating layer 130 may be positioned on the second insulating layer 117 .
  • the third insulating layer 130 may cover the thin film transistor TL in the display area DA, and may expose a portion of the power supply line VSL in the non-display area NDA.
  • the third insulating layer 130 may be a planarization layer. In some embodiments, the third insulating layer 130 may be formed of an organic layer. Exemplarily, the third insulating layer 130 may include an acrylic resin, an epoxy resin, an imide resin, an ester resin, or the like. In some embodiments, the third insulating layer 130 may include a positive photosensitive material or a negative photosensitive material.
  • a first anode electrode AE1 , a second anode electrode AE2 , and a third anode electrode AE3 may be positioned on the third insulating layer 130 in the display area DA.
  • the connection electrode CNE and the second pad electrode PD2 of the connection pad PD may be positioned on the third insulating layer 130 in the non-display area NDA.
  • the first anode electrode AE1 may overlap the first light emitting area LA1 and at least a portion thereof may extend to the non-emission area NLA.
  • the second anode electrode AE2 overlaps the second light emitting area LA2, but at least a portion thereof may extend to the non-emission area NLA, and the third anode electrode AE3 overlaps the third light emitting area LA3. However, at least a portion may extend to the non-emission area NLA.
  • the first anode electrode AE1 passes through the third insulating layer 130 and is connected to the drain electrode DE of the thin film transistor TL corresponding to the first anode electrode AE1, and the second anode electrode AE2.
  • the first anode electrode AE1 , the second anode electrode AE2 , and the third anode electrode AE3 may be reflective electrodes, in which case the first anode electrode AE1 , the second anode electrode (AE2) and the third anode electrode (AE3) may be a metal layer including a metal such as Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, and Cr.
  • the first anode electrode AE1 , the second anode electrode AE2 , and the third anode electrode AE3 may further include a metal oxide layer stacked on the metal layer.
  • the first anode electrode AE1, the second anode electrode AE2, and the third anode electrode AE3 have a multi-layer structure, for example, ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF may have a two-layer structure or a three-layer structure such as ITO/Ag/ITO.
  • connection electrode CNE may be electrically connected to the power supply line VSL in the non-display area NDA, and may directly contact the power supply line VSL.
  • the second pad electrode PD2 may be positioned on the first pad electrode PD1 in the non-display area NDA.
  • the second pad electrode PD2 may directly contact the first pad electrode PD1 to be electrically connected to the first pad electrode PD1 .
  • connection electrode CNE and the second pad electrode PD2 are made of the same material as the first anode electrode AE1, the second anode electrode AE2, and the third anode electrode AE3, and the first The anode electrode AE1, the second anode electrode AE2, and the third anode electrode AE3 may be formed together during the manufacturing process.
  • the pixel defining layer 150 may be positioned on the first anode electrode AE1 , the second anode electrode AE2 , and the third anode electrode AE3 .
  • the pixel defining layer 150 may include an opening exposing the first anode electrode AE1 , an opening exposing the second anode electrode AE2 , and an opening exposing the third anode electrode AE3 .
  • a light emitting area LA1 , a second light emitting area LA2 , a third light emitting area LA3 , and a non-emission area NLA may be defined. That is, an area of the first anode electrode AE1 that is not covered by the pixel defining layer 150 and is exposed may be the first emission area LA1 .
  • an area of the second anode electrode AE2 that is not covered and exposed by the pixel defining layer 150 may be the second light emitting area LA2, and of the third anode electrode AE3, the pixel defining layer 150 is exposed.
  • the area not covered by and exposed may be the third light emitting area LA3 .
  • the area in which the pixel defining layer 150 is located may be a non-emission area NLA.
  • the pixel defining layer 150 may include polyacrylates resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, It may include an organic insulating material such as unsaturated polyesters resin, polyphenyleneethers resin, polyphenylenesulfides resin, or benzocyclobutene (BCB). .
  • the pixel defining layer 150 may overlap a color pattern 250 to be described later. Also, the pixel defining layer 150 may further overlap the first color filter 231 and the second color filter 233 .
  • the pixel defining layer 150 may also overlap a bank pattern 310 to be described later.
  • the emission layer OL may be positioned on the first anode electrode AE1 , the second anode electrode AE2 , and the third anode electrode AE3 .
  • the light emitting layer OL may have a continuous film shape formed over the plurality of light emitting areas LA1 , LA2 , and LA3 and non-emission areas NLA. A more detailed description of the light emitting layer OL will be described later.
  • the cathode electrode CE may be positioned on the emission layer OL. A portion of the cathode electrode CE may be further positioned in the non-display area NDA as shown in FIG. 11 .
  • the cathode electrode CE may be electrically connected to the connection electrode CNE in the non-display area NDA and may be in contact with the connection electrode CNE.
  • the driving voltage eg, ELVSS voltage
  • the driving voltage provided to the power supply line VSL may be transmitted to the cathode electrode CE via the connection electrode CNE.
  • the cathode electrode CE may be transflective or transmissive.
  • the cathode electrode CE has the semi-permeability
  • the cathode electrode CE is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF /Al, Mo, Ti or a compound or mixture thereof, for example a mixture of Ag and Mg.
  • the cathode electrode CE may have transflectivity.
  • the cathode electrode CE may include a transparent conductive oxide (TCO).
  • TCO transparent conductive oxide
  • the cathode electrode CE includes tungsten oxide (WxOx), titanium oxide (TiO2), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), MgO (magnesium oxide) and the like may be included.
  • the first anode electrode AE1, the light emitting layer OL, and the cathode electrode CE constitute the first light emitting device ED1, and the second anode electrode AE2, the light emitting layer OL and the cathode electrode CE are the second The light emitting device ED2 may be formed, and the third anode electrode AE3 , the emission layer OL and the cathode electrode CE may form the third light emitting device ED3 .
  • the first light emitting device ED1 , the second light emitting device ED2 , and the third light emitting device ED3 may each emit the emitted light LE.
  • the emitted light LE finally emitted from the emission layer OL may be mixed light in which the first component LE1 and the second component LE2 are mixed.
  • the peak wavelength of each of the first component LE1 and the second component LE2 of the emitted light LE may be 440 nm or more and less than 480 nm. That is, the emitted light LE may be blue light.
  • the light emitting layer OL may have a structure in which a plurality of light emitting layers are overlapped, for example, a tandem structure.
  • the emission layer OL includes a first stack ST1 including the first emission layer EML1, a second stack ST2 positioned on the first stack ST1 and including the second emission layer EML2, and a second stack ST1 including the first emission layer EML1.
  • a third stack ST3 positioned on the second stack ST2 and including a third light emitting layer EML3, a first charge generating layer CGL1 positioned between the first stack ST1 and the second stack ST2, and
  • the second charge generation layer CGL2 may be positioned between the second stack ST2 and the third stack ST3 .
  • the first stack ST1 , the second stack ST2 , and the third stack ST3 may be disposed to overlap each other.
  • the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 may be disposed to overlap each other.
  • all of the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 may emit light of the first color, for example, blue light.
  • each of the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 may be a blue emission layer and may include an organic material.
  • At least one of the first light emitting layer EML1, the second light emitting layer EML2, and the third light emitting layer EML3 emits the first blue light having the first peak wavelength
  • At least one of the second emission layer EML2 and the third emission layer EML3 may emit a second blue light having a second peak wavelength different from the first peak wavelength.
  • any one of the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 emits the first blue light having a first peak wavelength
  • the other two of the EML2 and the third emission layer EML3 may emit the second blue light having the second peak wavelength. That is, the emitted light LE finally emitted from the emission layer OL may be a mixed light in which the first component LE1 and the second component LE2 are mixed, and the first component LE1 has a first peak wavelength. It may be the first blue light having the first blue light, and the second component LE2 may be the second blue light having the second peak wavelength.
  • one range of the first peak wavelength and the second peak wavelength may be 440 nm or more and less than 460 nm, and the other range of the first peak wavelength and the second peak wavelength may be 460 nm or more and 480 nm or less.
  • the range of the first peak wavelength and the range of the second peak wavelength are not limited thereto.
  • both the range of the first peak wavelength and the range of the second peak wavelength may include 460 nm.
  • any one of the first blue light and the second blue light may be light of a deep blue color, and the other of the first blue light and the second blue light may be light of a sky blue color. have.
  • the emitted light LE emitted from the emission layer OL is blue light and includes a long wavelength component and a short wavelength component. Therefore, finally, the emission layer OL can emit blue light having an emission peak that is more widely distributed as the emission light LE. Through this, there is an advantage in that color visibility can be improved at a side viewing angle compared to a conventional light emitting device emitting blue light having a sharp emission peak.
  • each of the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 may include a host and a dopant.
  • the host is not particularly limited as long as it is a commonly used material, but for example, Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(d
  • the first light emitting layer EML1, the second light emitting layer EML2, and the third light emitting layer EML3 emitting blue light are, respectively, for example, spiro-DPVBi (spiro-DPVBi), spiro-6P (spiro-6P), DSB ( It may include a fluorescent material including any one selected from the group consisting of distyryl-benzene), distyryl-arylene (DSA), polyfluorene (PFO)-based polymer, and poly(p-phenylene vinylene)-based polymer.
  • (4,6-F2ppy)2Irpic may include phosphorescent materials including organometallic complexes.
  • At least one of the first light-emitting layer EML1, the second light-emitting layer EML2, and the third light-emitting layer EML3 is selected from among the first light-emitting layer EML1, the second light-emitting layer EML2, and the third light-emitting layer EML3. Blue light in a wavelength band different from that of at least one other is emitted.
  • the first light emitting layer EML1 , the second light emitting layer EML2 , and the third light emitting layer EML3 may include the same material, and a method of adjusting a resonance distance may be used.
  • At least one of the first light emitting layer EML1, the second light emitting layer EML2, and the third light emitting layer EML3 and the first light emitting layer EML1, the second light emitting layer EML2 and At least another one of the third light emitting layers EML3 may include different materials.
  • the present invention is not limited thereto, and the blue light emitted from each of the first light emitting layer EML1 , the second light emitting layer EML2 , and the third light emitting layer EML3 may have a peak wavelength of 440 nm to 480 nm, and may be made of the same material. may be
  • At least one of the first emission layer EML1, the second emission layer EML2, and the third emission layer EML3 emits the first blue light having the first peak wavelength, and the first emission layer EML1 ), the other of the second light emitting layer EML2 and the third light emitting layer EML3 emits second blue light having a second peak wavelength different from the first peak wavelength, and the first light emitting layer EML1 and the second light emitting layer EML2 ) and the third light emitting layer EML3 may emit third blue light having a third peak wavelength different from the first and second peak wavelengths.
  • any one of the first peak wavelength, the second peak wavelength, and the third peak wavelength may be 440 nm or more and less than 460 nm.
  • the other one of the first peak wavelength, the second peak wavelength, and the third peak wavelength may be 460 nm or more and less than 470 nm, and the other one of the first peak wavelength, the second peak wavelength, and the third peak wavelength
  • the range of may be 470 nm or more and 480 nm or less.
  • the emitted light LE emitted from the light emitting layer OL is blue light and includes a long wavelength component, an intermediate wavelength component, and a short wavelength component. Accordingly, finally, the emission layer OL may emit blue light having a more widely distributed emission peak as the emission light LE, and color visibility at a side viewing angle may be improved.
  • the light efficiency increases and the lifespan of the display device can be improved.
  • the first charge generation layer CGL1 may be positioned between the first stack ST1 and the second stack ST2 .
  • the first charge generation layer CGL1 may serve to inject charges into each light emitting layer.
  • the first charge generation layer CGL1 may serve to adjust a charge balance between the first stack ST1 and the second stack ST2 .
  • the first charge generation layer CGL1 may include an n-type charge generation layer CGL11 and a p-type charge generation layer CGL12.
  • the p-type charge generation layer CGL12 may be disposed on the n-type charge generation layer CGL11 , and may be positioned between the n-type charge generation layer CGL11 and the second stack ST2 .
  • the n-type charge generation layer CGL11 and the p-type charge generation layer CGL12 may have a junction structure with each other.
  • the n-type charge generation layer (CGL11) is more adjacent to the anode electrode (AE1, AE2 in FIG. 4, AE3 in FIG. 4) of the anode electrode (AE1, AE2 in FIG. 4, AE3 in FIG. 4) and the cathode electrode (CE) are placed
  • the p-type charge generation layer CGL12 is disposed closer to the cathode electrode CE among the anode electrodes AE1 , AE2 in FIG. 4 , and AE3 in FIG. 4 .
  • the n-type charge generation layer CGL11 supplies electrons to the first light emitting layer EML1 adjacent to the anode electrode AE1, AE2 of FIG. 4, and AE3 of FIG. 4
  • the p-type charge generation layer CGL12 is a second stack Holes are supplied to the second light emitting layer EML2 included in ST2.
  • the first charge generation layer CGL1 is disposed between the first stack ST1 and the second stack ST2 to provide electric charges to each light emitting layer, thereby increasing luminous efficiency and lowering the driving voltage.
  • the first stack ST1 may be positioned on the first anode electrode AE1, the second anode electrode AE2 in FIG. 4, and the third anode electrode AE3 in FIG. 4, a first hole transport layer HTL1, It may further include a first electron block layer (BIL1) and a first electron transport layer (ETL1).
  • BIL1 first electron block layer
  • ETL1 first electron transport layer
  • the first hole transport layer HTL1 may be disposed on the first anode electrode AE1 , the second anode electrode AE2 of FIG. 4 , and the third anode electrode AE3 of FIG. 4 .
  • the first hole transport layer HTL1 serves to facilitate hole transport and may include a hole transport material.
  • the hole transport material is a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, a fluorene-based derivative, and TPD (N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl).
  • the first hole transport layer HTL1 may be formed of a single layer, or in some embodiments, the first hole transport layer HTL1 may include a plurality of layers. In the case of being composed of layers of , each layer may include a different material.
  • the first electron block layer BIL1 may be positioned on the first hole transport layer HTL1 , and may be positioned between the first hole transport layer HTL1 and the first light emitting layer EML1 .
  • the first electron blocking layer BIL1 may include a hole transport material and a metal or a metal compound to prevent electrons generated in the first light emitting layer EML1 from flowing into the first hole transport layer HTL1 .
  • the first hole transport layer HTL1 and the first electron block layer BIL1 may be formed of a single layer in which respective materials are mixed. However, the present invention is not limited thereto. In some other embodiments, the first electron block layer BIL1 may be omitted.
  • the first electron transport layer ETL1 may be disposed on the first emission layer EML1 , and may be located between the first charge generation layer CGL1 and the first emission layer EML1 .
  • the first electron transport layer (ETL1) is Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl ), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD( 2-(4-Biphenylyl
  • the present invention is not limited to the type of the electron transport material.
  • the first electron transport layer ETL1 may be formed of a single layer, or in some embodiments, the first electron transport layer ETL1 may include It may be formed of a plurality of layers. When the first electron transport layer ETL1 is formed of a plurality of layers, each layer may include different materials.
  • the second stack ST2 is the first charge generation layer CGL1 . It may be positioned on the second hole transport layer (HTL2), the second electron block layer (BIL2), and may further include a second electron transport layer (ETL1).
  • the second hole transport layer HTL2 may be disposed on the first charge generation layer CGL1 .
  • the second hole transport layer HTL2 may be made of the same material as the first hole transport layer HTL1 or may include one or more materials selected from the exemplified materials included in the first hole transport layer HTL1 .
  • the second hole transport layer HTL2 may be formed of a single layer or a plurality of layers. When the second hole transport layer HTL2 includes a plurality of layers, each layer may include different materials.
  • the second electron block layer BIL2 may be positioned on the second hole transport layer HTL2 , and may be positioned between the second hole transport layer HTL2 and the first light emitting layer EML2 .
  • the second e-blocking layer BIL2 is made of the same material and the same structure as the first e-blocking layer BIL1, or includes one or more materials selected from the materials exemplified as the material contained in the first e-blocking layer BIL1. You may. In some embodiments, the second electron block layer BIL2 may be omitted.
  • the second electron transport layer ETL2 may be disposed on the second emission layer EML2 , and may be located between the second charge generation layer CGL2 and the second emission layer EML2 .
  • the second electron transport layer ETL2 may be made of the same material and the same structure as the first electron transport layer ETL1, or may include one or more materials selected from materials exemplified as materials included in the first electron transport layer ETL1.
  • the second electron transport layer ETL2 may be formed of a single layer or a plurality of layers. When the second electron transport layer ETL2 includes a plurality of layers, each layer may include different materials.
  • the second charge generation layer CGL2 may be positioned on the second stack ST2 and positioned between the second stack ST2 and the third stack ST3 .
  • the second charge generation layer CGL2 may have the same structure as the first charge generation layer CGL1 described above.
  • the second charge generation layer CGL2 may include an n-type charge generation layer CGL21 disposed more adjacent to the second stack ST2 and a p-type charge generation layer disposed closer to the cathode electrode CE. layer CGL22.
  • the p-type charge generation layer CGL22 may be disposed on the n-type charge generation layer CGL21.
  • the second charge generation layer CGL2 may have a structure in which the n-type charge generation layer CGL21 and the p-type charge generation layer CGL22 are in contact with each other.
  • the first charge generation layer CGL1 and the second charge generation layer CGL2 may be made of different materials or may be made of the same material.
  • the second stack ST2 may be disposed on the second charge generation layer CGL2 , and may further include a third hole transport layer HTL3 and a third electron transport layer ETL3 .
  • the third hole transport layer HTL3 may be disposed on the second charge generation layer CGL2 .
  • the third hole transport layer HTL3 may be made of the same material as the first hole transport layer HTL1 , or may include one or more materials selected from the exemplified materials included in the first hole transport layer HTL1 .
  • the third hole transport layer HTL3 may be formed of a single layer or a plurality of layers. When the third hole transport layer HTL3 includes a plurality of layers, each layer may include a different material.
  • the third electron transport layer ETL3 may be disposed on the third emission layer EML3 , and may be located between the cathode electrode CE and the third emission layer EML3 .
  • the third electron transport layer ETL3 may be made of the same material and structure as the first electron transport layer ETL1, or may include one or more materials selected from materials exemplified as a material included in the first electron transport layer ETL1. .
  • the third electron transport layer ETL3 may be formed of a single layer or a plurality of layers. When the third electron transport layer ETL3 includes a plurality of layers, each layer may include different materials.
  • the second stack ST2 A hole injection layer (HIL) may be further positioned in at least one of between the first charge generation layer CGL1 and the third stack ST3 and the second charge generation layer CGL2 , respectively.
  • the hole injection layer may serve to more smoothly inject holes into the first emission layer EML1 , the second emission layer EML2 , and the third emission layer EML3 .
  • the hole injection layer is made of cupper phthalocyanine (CuPc), poly(3,4)-ethylenedioxythiophene (PEDOT), polyaniline (PANI), and N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine (NPD). It may consist of any one or more selected from the group, but is not limited thereto.
  • the hole injection layer is formed between the first stack ST1, the first anode electrode AE1, the second anode electrode (AE2 in FIG. 4), and the third anode electrode (AE3 in FIG. 4), the second stack They may be respectively positioned between ST2 and the first charge generation layer CGL1 and between the third stack ST3 and the second charge generation layer CGL2 .
  • EIL electron injection layer
  • the electron injection layer serves to facilitate electron injection, and Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, or SAlq may be used, but is not limited thereto.
  • the electron injection layer may be a metal halide compound, for example, any one selected from the group consisting of MgF2, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI and CaF2. It may be one or more, but is not limited thereto.
  • the electron injection layer may include a lanthanide-based material such as Yb, Sm, or Eu.
  • the electron injection layer may include a metal halide material and a lanthanide-based material such as RbI:Yb, KI:Yb, or the like.
  • the electron injection layer may be formed by co-deposition of the metal halide material and the lanthanum-based material.
  • the electron injection layer is formed between the third electron transport layer ETL3 and the cathode electrode CE, between the second charge generation layer CGL2 and the second stack ST2, and between the first charge generation layer CGL1 and They may be respectively positioned between the first stacks ST1 .
  • the structure of the light emitting layer OL may be modified.
  • the light emitting layer OL may include only two stacks, or may include four or more stacks.
  • a first dam member IDM and a first support member IS may be positioned on the second insulating layer 117 in the non-display area NDA.
  • the first dam member IDM may be located relatively outside the power supply line VSL.
  • the power supply line VSL may be positioned between the first dam member IDM and the display area DA.
  • a portion of the first dam member IDM may overlap the power supply line VSL.
  • the first dam member IDM may include a plurality of dams.
  • the first dam member IDM may include a first dam D1 , a second dam D2 , and a third dam D3 .
  • the first dam D1 may partially overlap the power supply line VSL, and may be spaced apart from the third insulating layer 130 with the power supply line VSL interposed therebetween.
  • the first dam (D1) may include a first lower dam pattern D11 positioned on the second insulating layer 117 and a first upper dam pattern D12 positioned on the first lower dam pattern D11.
  • the second dam D2 may be located outside the first dam D1 and may be spaced apart from the first dam D1.
  • the second dam D2 includes a second lower dam pattern D21 positioned on the second insulating layer 117 and a second upper dam pattern D22 positioned on the second lower dam pattern D21. ) may be included.
  • the third dam D3 may be located outside the second dam D2 and may be spaced apart from the second dam D2.
  • the third dam D3 includes a third lower dam pattern D31 positioned on the second insulating layer 117 and a third upper dam pattern D32 positioned on the third lower dam pattern D31 . ) may be included.
  • the first lower dam pattern D11 , the second lower dam pattern D21 , and the third lower dam pattern D31 are made of the same material as the third insulating layer 130 , and the third insulating layer 130 . ) can be formed at the same time.
  • the first upper dam pattern D12 , the second upper dam pattern D22 , and the third upper dam pattern D32 may be made of the same material as the pixel defining layer 150 , and may be formed of the pixel defining layer 150 and the pixel defining layer 150 . can be formed simultaneously.
  • the heights of the first dam D1 , the second dam D2 , and the third dam D3 may be different from each other.
  • the height of the second dam D2 may be higher than the height of the first dam D1
  • the height of the third dam D3 may be higher than the height of the second dam D2 . That is, as the distance from the display area DA increases, the height of the dam included in the first dam member IDM may gradually increase, and accordingly, the first organic layer 173 included in the first encapsulation layer 170 to be described later. It is possible to more effectively block the overflow of organic matter during the formation of
  • the first support member IS may be positioned relatively outside of the first dam member IDM. In other words, as shown in FIGS. 10 and 11 , the first dam member IDM may be positioned between the first support member IS and the display area DA. The first support member IS may serve to support the mask during the manufacturing process of the first encapsulation layer 170 .
  • the first support member IS may be made of the same material as the third insulating layer 130 , and may be formed together during the manufacturing process of the third insulating layer 130 .
  • the first support member IS may be made of the same material as the pixel defining layer 150 and may be formed together during the manufacturing process of the pixel defining layer 150 .
  • a first encapsulation layer 170 may be disposed on the cathode electrode CE.
  • the first encapsulation layer 170 protects components positioned under the first encapsulation layer 170 , for example, the light emitting devices ED1 , ED2 , and ED3 from external foreign substances such as moisture.
  • the first encapsulation layer 170 is disposed in common in the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , the third light-emitting area LA3 , and the non-emission area NLA.
  • the first encapsulation layer 170 may directly cover the cathode electrode CE.
  • a capping layer (not shown) covering the cathode electrode CE may be further disposed between the first encapsulation layer 170 and the cathode electrode CE.
  • the first encapsulation layer ( 170) may directly cover the capping layer.
  • the first encapsulation layer 170 may be a thin film encapsulation layer.
  • the first encapsulation layer 170 may include a first lower inorganic layer 171 , a first organic layer 173 , and a first upper inorganic layer 175 sequentially stacked on the cathode electrode CE.
  • the first lower inorganic layer 171 may cover the first light emitting device ED1 , the second light emitting device ED2 , and the third light emitting device ED3 in the display area DA, and may not be displayed.
  • the area NDA may cover the first dam member IDM.
  • the end 171e of the first lower inorganic layer 171 may be located in the non-display area NDA, and may be located between the first dam member IDM and the first support member IS. have.
  • a first organic layer 173 may be positioned on the first lower inorganic layer 171 .
  • the first organic layer 173 may cover the first light emitting device ED1 , the second light emitting device ED2 , and the third light emitting device ED3 in the display area DA.
  • a portion of the first organic layer 173 may be located in the non-display area NDA but not outside the first dam member IDM.
  • 11 illustrates that a portion of the first organic layer 173 is accommodated in the space between the first dam D1 and the second dam D2, but is not limited thereto.
  • a portion of the first organic layer 173 may be located between the second dam D2 and the third dam D3 .
  • a first upper inorganic layer 175 may be positioned on the first organic layer 173 .
  • the first upper inorganic layer 175 may cover the first organic layer 173 .
  • the first upper inorganic layer 175 may directly contact the first lower inorganic layer 171 in the non-display area NDA to form an inorganic-inorganic junction, and the first upper inorganic layer 175 may be in direct contact with the first upper inorganic layer 175 .
  • the end 175e of the dam may be positioned between the first dam member IDM and the first support member IS.
  • an end of the end 175e of the first upper inorganic layer 175 and an end of the end 171e of the first lower inorganic layer 171 may be substantially aligned.
  • the first lower inorganic layer 171 and the first upper inorganic layer 175 may each include silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, It may be made of tin oxide, cerium oxide, silicon oxynitride (SiON), lithium fluoride, or the like.
  • each of the first lower inorganic layer 171 and the first upper inorganic layer 175 may be formed of a single layer, but is not limited thereto. At least one of the first lower inorganic layer 171 and the first upper inorganic layer 175 may have a structure in which a plurality of inorganic materials are stacked, for example, a multi-layer structure.
  • the first organic layer 173 may be formed of an acrylic resin, a methacrylic resin, polyisoprene, a vinyl resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin, a perylene resin, or the like.
  • the structure of the first encapsulation layer 170 is not limited to the above-described example, and the stacked structure of the first encapsulation layer 170 may be variously changed.
  • a first capping layer 181 may be positioned on the first encapsulation layer 170 .
  • the first capping layer 181 may seal the first wavelength conversion pattern 340 , the second wavelength conversion pattern 350 , and the light transmission pattern 330 together with a second capping layer 183 , which will be described later.
  • the first capping layer 181 may be disposed not only in the display area DA but also in the non-display area NDA, and the first dam member IDM and the first support member in the non-display area NDA. (IS) can be covered.
  • the first capping layer 181 may cover a portion of the connection pad PD in the non-display area NDA.
  • the first capping layer 181 may include an inorganic material.
  • the first capping layer 181 may include an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.
  • a bank pattern 310 may be positioned on the first capping layer 181 .
  • the bank pattern 310 may be located in the non-emission area NLA in the display area DA, and as shown in FIG. 6 , in a plan view, the first light-emitting area LA1 and the second light-emitting area ( LA2) and the third light emitting area LA3 may be surrounded.
  • the bank pattern 310 may partition a space in which the first wavelength conversion pattern 340 , the second wavelength conversion pattern 350 , and the light transmission pattern 330 are disposed.
  • the bank pattern 310 may be located in the non-display area NDA and may cover the first dam member IDM in the non-display area NDA.
  • the first support member IS may also function as a dam to prevent overflow of the bank pattern 310 , and a part of the bank pattern 310 includes the first dam member IDM and the first support member ( IS) can be located in the space between.
  • the bank pattern 310 may be formed of one pattern integrally connected as shown in FIG. 6 , but is not limited thereto. In another embodiment, a portion surrounding the first light emitting area LA1 of the bank pattern 310 , a portion surrounding the second light emitting area LA2 of the bank pattern 310 , and a third light emission of the bank pattern 310 . A portion surrounding the area LA3 may be formed of individual patterns separated from each other.
  • the bank pattern 310 is the discharged ink. It may serve as a guide for stably positioning the composition in a desired position. That is, the bank pattern 310 may function as a barrier rib.
  • the bank pattern 310 may include an organic material having photocurability.
  • the bank pattern 310 may include an organic material having light blocking properties.
  • the bank pattern 310 may prevent the emitted light LE emitted from the second light emitting device ED2 from being incident on the first wavelength conversion pattern 340 overlapping the first light emitting area LA1.
  • the bank pattern 310 may block or prevent external light from penetrating into the components positioned below the non-display area NDA.
  • a first wavelength conversion pattern 340 , a second wavelength conversion pattern 350 , and a light transmission pattern 330 may be positioned on the first capping layer 181 .
  • the first wavelength conversion pattern 340 , the second wavelength conversion pattern 350 , and the light transmission pattern 330 may be located in the display area DA.
  • the light-transmitting pattern 330 may be positioned on the first capping layer 181 , located in a space partitioned by the bank pattern 310 , and overlap the third light-emitting area LA3 or the third light-emitting device ED3 .
  • the light transmission pattern 330 may have an island shape pattern as shown in FIG. 7 . In some embodiments, a portion of the light transmission pattern 330 may overlap the non-emission area NLA.
  • the light transmission pattern 330 may transmit incident light.
  • the emitted light LE provided from the third light emitting device ED3 may be blue light as described above.
  • the blue light emitted light LE passes through the light transmission pattern 330 and the third color filter 235 and is emitted to the outside of the display device 1 . That is, the third light L3 emitted from the third light emitting area LA3 to the outside of the display device 1 may be blue light.
  • the light transmission pattern 330 may include a first base resin 331 , and may further include a first scatterer 333 dispersed in the first base resin 331 .
  • the first base resin 331 may be made of a material having high light transmittance.
  • the first base resin 331 may be formed of an organic material.
  • the first base resin 331 may include an organic material such as an epoxy-based resin, an acrylic resin, a cardo-based resin, or an imide-based resin.
  • the first scattering body 333 may have a refractive index different from that of the first base resin 331 and form an optical interface with the first base resin 331 .
  • the first scatterers 333 may be light scattering particles.
  • the first scatterer 333 is not particularly limited as long as it is a material capable of scattering at least a portion of transmitted light, but may be, for example, metal oxide particles or organic particles.
  • the metal oxide titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), indium oxide (In 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO) or tin oxide (SnO 2 ), etc.
  • the first scatterer 333 may scatter light in a random direction irrespective of the incident direction of the incident light without substantially converting the wavelength of the light passing through the light transmission pattern 330 .
  • the light transmitting pattern 330 may directly contact the first capping layer 181 and the bank pattern 310 .
  • the first wavelength conversion pattern 340 is located on the first capping layer 181 , and may be located in a space partitioned by the bank pattern 310 , the first light emitting area LA1 or the first light emitting device ED1 . ) can be nested.
  • the first wavelength conversion pattern 340 may be formed in the form of an island pattern as shown in FIG. 7 . In some embodiments, a portion of the first wavelength conversion pattern 340 may overlap the non-emission area NLA.
  • the first wavelength conversion pattern 340 may be emitted by converting or shifting the peak wavelength of the incident light into light of another specific peak wavelength.
  • the first wavelength conversion pattern 340 may convert the emitted light LE provided from the first light emitting device ED1 into red light having a peak wavelength in the range of 610 nm to 650 nm to be emitted. A more detailed description of the emission spectrum and the light absorption spectrum of the first wavelength conversion pattern 340 will be described later.
  • the first wavelength conversion pattern 340 may include a second base resin 341 and a first wavelength shifter 345 dispersed in the second base resin 341 , and the second base resin 341 . ) may further include a second scatterer 343 dispersed in the.
  • the second base resin 341 may be made of a material having high light transmittance. In some embodiments, the second base resin 341 may be made of an organic material. In some embodiments, the second base resin 341 may be made of the same material as the first base resin 331 or may include at least one of the materials exemplified as a constituent material of the first base resin 331 .
  • the first wavelength shifter 345 may convert or shift the peak wavelength of the incident light to another specific peak wavelength.
  • the first wavelength shifter 345 converts the emitted light LE of the third color, which is the blue light provided from the first light emitting device ED1, into red light having a single peak wavelength in the range of 610 nm to 650 nm. have.
  • Examples of the first wavelength shifter 345 may include quantum dots, quantum bars, or phosphors.
  • quantum dots may be particulate matter that emits a specific color as electrons transition from the conduction band to the valence band.
  • the quantum dots may be semiconductor nanocrystalline materials.
  • the quantum dots may have a specific bandgap according to their composition and size to absorb light and then emit light having a unique wavelength.
  • Examples of the semiconductor nanocrystals of the quantum dots include group IV nanocrystals, group II-VI compound nanocrystals, group III-V compound nanocrystals, group IV-VI nanocrystals, or a combination thereof.
  • the group II-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; InZnP, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, HgZnTe, HgSe, HgZnSgTe, HgZnTe, HgSe, HgZnSgTe, HgSeTe, HgSeTe, HgSeTe, HgSeTe, HgSeTe, HgS
  • the group III-V compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InAlP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof.
  • the group IV-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof.
  • the group IV element may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof.
  • the group IV compound may be a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.
  • the binary compound, the ternary compound, or the quaternary compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle as the concentration distribution is partially divided into different states.
  • one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot.
  • the interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell decreases toward the center.
  • the quantum dots may have a core-shell structure including a core including the aforementioned nanocrystals and a shell surrounding the core.
  • the shell of the quantum dot may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical modification of the core and/or as a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots.
  • the shell may be single-layered or multi-layered.
  • the interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell decreases toward the center.
  • Examples of the shell of the quantum dot may include a metal or non-metal oxide, a semiconductor compound, or a combination thereof.
  • the metal or non-metal oxide is SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 ,
  • a binary compound such as CoO, Co 3 O 4 , NiO, or a ternary compound such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , CoMn 2 O 4 may be exemplified, but the present invention is not limited thereto it is not
  • the semiconductor compound is exemplified by CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, etc.
  • the present invention is not limited thereto.
  • Light emitted by the first wavelength shifter 345 may have a full width of half maximum (FWHM) of an emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, or about 40 nm or less, or about 30 nm or less, through which the display device 1
  • FWHM full width of half maximum
  • the light emitted by the first wavelength shifter 345 may be emitted in several directions regardless of the incident direction of the incident light. Through this, side visibility of the first color displayed in the first light emitting area LA1 may be improved.
  • Some of the emitted light LE provided from the first light emitting device ED1 may pass through the first wavelength conversion pattern 340 and be emitted without being converted into red light by the first wavelength shifter 345 .
  • a component of the emitted light LE incident on the first color filter 231 without being converted by the first wavelength conversion pattern 340 may be blocked by the first color filter 231 .
  • the red light converted by the first wavelength conversion pattern 340 among the emitted light LE passes through the first color filter 231 and is emitted to the outside. That is, the first light L1 emitted to the outside from the first light emitting area LA1 may be red light.
  • the second scattering body 343 may have a refractive index different from that of the second base resin 341 and form an optical interface with the second base resin 341 .
  • the second scatterer 343 may be a light scattering particle. A detailed description of the second scatterer 343 other than that is substantially the same as or similar to that of the first scatterer 333 , and thus will be omitted.
  • the second wavelength conversion pattern 350 is located on the first capping layer 181 and may be located in a space partitioned by the bank pattern 310 , and the second light emitting area LA2 or the second light emitting device ED2 . can be nested with
  • the second wavelength conversion pattern 350 may be formed in the form of an island pattern as shown in FIG. 7 . In some embodiments, a portion of the second wavelength conversion pattern 350 may overlap the non-emission area NLA.
  • the second wavelength conversion pattern 350 may be emitted by converting or shifting the peak wavelength of the incident light into light of another specific peak wavelength.
  • the second wavelength conversion pattern 350 may convert the emitted light LE provided from the second light emitting device ED2 into green light in a range of about 510 nm to about 550 nm to be emitted.
  • the second wavelength conversion pattern 350 may include a third base resin 351 and a second wavelength shifter 355 dispersed in the third base resin 351 , and the third base resin 351 . ) may further include a third scatterer 353 dispersed in the.
  • the third base resin 351 may be made of a material having high light transmittance. In some embodiments, the third base resin 351 may be made of an organic material. In some embodiments, the third base resin 351 may be made of the same material as the first base resin 331 or may include at least one of the materials exemplified as a constituent material of the first base resin 331 .
  • the second wavelength shifter 355 may convert or shift the peak wavelength of the incident light to another specific peak wavelength.
  • the second wavelength shifter 355 may convert blue light having a peak wavelength in a range of 440 nm to 480 nm into green light having a peak wavelength in a range of 510 nm to 550 nm.
  • Examples of the second wavelength shifter 355 may include quantum dots, quantum bars, or phosphors. A more detailed description of the second wavelength shifter 355 is substantially the same as or similar to that described above in the description of the first wavelength shifter 345 , and thus will be omitted.
  • both the first wavelength shifter 345 and the second wavelength shifter 355 may be formed of quantum dots.
  • the particle size of the quantum dots constituting the second wavelength shifter 355 may be smaller than the particle size of the quantum dots constituting the first wavelength shifter 345 .
  • the third scattering body 353 may have a refractive index different from that of the third base resin 351 and form an optical interface with the third base resin 351 .
  • the third scatterer 353 may be a light scattering particle. A detailed description of the third scatterer 353 other than that is substantially the same as or similar to the description of the second scatterer 343 , and thus will be omitted.
  • the emitted light LE emitted from the second light emitting device ED2 may be provided to the second wavelength conversion pattern 350 , and the second wavelength shifter 355 may include the emitted light provided from the third light emitting device ED3 ( ED3 ). LE) may be converted into green light having a peak wavelength ranging from about 510 nm to about 550 nm and emitted.
  • a portion of the blue light emitted light LE may pass through the second wavelength conversion pattern 350 without being converted into green light by the second wavelength shifter 355 , which may be blocked by the second color filter 233 .
  • the green light converted by the second wavelength conversion pattern 350 among the emitted light LE passes through the second color filter 233 and is emitted to the outside. Accordingly, the second light L2 emitted from the second light emitting area LA2 to the outside of the display device 1 may be green light.
  • a second capping layer 183 may be positioned on the light transmission pattern 330 , the first wavelength conversion pattern 340 , and the second wavelength conversion pattern 350 .
  • the second capping layer 183 may cover the light transmission pattern 330 , the first wavelength conversion pattern 340 , and the second wavelength conversion pattern 350 .
  • the second capping layer 183 may also be located in the non-display area NDA. In the non-display area NDA, the second capping layer 183 may contact the first capping layer 181 , the light transmitting pattern 330 , the first wavelength conversion pattern 340 , and the second wavelength conversion pattern ( 350) can be sealed.
  • the second capping layer 183 may be formed of an inorganic material.
  • the second capping layer 183 may be made of the same material as the first capping layer 181 , or may include at least one of the materials mentioned in the description of the first capping layer 181 .
  • the portion in which the first capping layer 181 and the second capping layer 183 directly contact may form an inorganic-inorganic junction.
  • the first capping layer 181 and the second capping layer 183 may directly contact each other in the non-display area NDA.
  • the second capping layer 183 may cover a portion of the connection pad PD, and the first capping layer 181 and the second capping layer 183 may expose a portion of the connection pad PD.
  • An opening OPN may be defined. A portion of the connection pad PD exposed by the opening OPN may be electrically connected to the terminal of the above-described flexible circuit board FPC.
  • the opening OPN may be formed at a stage after the overcoat layer 190 is formed in a manufacturing process to be described later. That is, during the manufacturing process of the display device, the connection pad PD is covered by the first capping layer 181 and the second capping layer 183 , and may be partially removed after the overcoat layer 190 is formed. . That is, during the manufacturing process of the display device, the connection pad PD may be protected by the first capping layer 181 and the second capping layer 183 . damage can be prevented.
  • An overcoat layer 190 may be positioned on the second capping layer 183 .
  • the overcoat layer 190 may planarize upper portions of the light transmission pattern 330 , the first wavelength conversion pattern 340 , and the second wavelength conversion pattern 350 .
  • the overcoat layer 190 may include an organic material, and the organic material may be an organic material having photocurability.
  • the refractive index of the overcoat layer 190 may be lower than the refractive indices of the first wavelength conversion pattern 340 and the second wavelength conversion pattern 350 .
  • the refractive index of the overcoat layer 190 is 1.1 or more and 1.3 or less, and the refractive index of the first wavelength conversion pattern 340 and the refractive index of the second wavelength conversion pattern 350 are 0.3 or more than the refractive index of the overcoat layer 190 .
  • the refractive index of the first wavelength conversion pattern 340 and the refractive index of the second wavelength conversion pattern 350 may be 1.7 to 1.9.
  • the refractive index of the overcoat layer 190 may be lower than that of the light transmitting pattern 330 . In some embodiments, the refractive index of the light transmitting pattern 330 may be 0.3 or more greater than the refractive index of the overcoat layer 190 .
  • the overcoat layer 190 having a relatively low refractive index suppresses some of the light emitted from the first wavelength conversion pattern 340 and the second wavelength conversion pattern 350 in an upward direction of the display device 1 again.
  • the first wavelength conversion pattern 340 and the second wavelength conversion pattern 350 may be reflected. That is, the overcoat layer 190 transmits the first wavelength conversion pattern 340 and the second wavelength conversion pattern 350 and recycles at least a portion of the light incident on the overcoat layer 190, so that the first wavelength
  • the amount of light converted by the conversion pattern 340 and the second wavelength conversion pattern 350 may be increased, and as a result, the light efficiency of the display device 1 may be improved.
  • the overcoat layer 190 may be positioned only in the display area DA and not in the non-display area NDA. However, the present invention is not limited thereto, and in another embodiment, a portion of the overcoat layer 190 may be located in the non-display area NDA.
  • a first color filter 231 , a second color filter 233 , a third color filter 235 , and a color pattern 250 may be positioned on the overcoat layer 190 in the display area DA.
  • the first color filter 231 is disposed to overlap the first emission area LA1
  • the second color filter 233 is disposed to overlap the second emission area LA2
  • the third color filter 235 is disposed to It may be disposed to overlap the third light emitting area LA3 .
  • the first color filter 231 may block or absorb light of the third color (eg, blue light). That is, the first color filter 231 may function as a blue light blocking filter that blocks blue light. In some embodiments, the first color filter 231 selectively transmits the light of the first color (eg, red light) and the light of the third color (eg, blue light) and the light of the second color (eg, green light) ) can be blocked or absorbed.
  • the first color filter 231 may be a red color filter and may include a red colorant.
  • the second color filter 233 may block or absorb light of the third color (eg, blue light). That is, the second color filter 233 may also function as a blue light blocking filter. In some embodiments, the second color filter 233 selectively transmits the light of the second color (eg, green light) and the light of the third color (eg, blue light) and the light of the first color (eg, red light) ) can be blocked or absorbed.
  • the second color filter 233 may be a green color filter and may include a green colorant.
  • a portion of the first color filter 231 is further located in the non-emission area NLA, and a part of the second color filter 233 is also located within the non-emission area NLA). more can be located.
  • a portion of the first color filter 231 includes an area between the first light-emitting area LA1 and the second light-emitting area LA2 and the first light-emitting area LA1 and the third light-emitting area of the non-emission area NLA. It may be further positioned in an area between the light emitting areas LA3 .
  • a portion of the second color filter 233 may include an area between the first light emitting area LA1 and the second light emitting area LA2 and the second light emitting area LA2 and the third light emitting area of the non-emissive area NLA. It may be further positioned in an area between the light emitting areas LA3 .
  • first color filter 231 and the second color filter 233 do not overlap each other
  • a space between the first light emitting area LA1 and the second light emitting area LA2 of the non-emission area NLA is shown.
  • the first color filter 231 and the second color filter 233 may overlap each other.
  • a portion where the first color filter 231 and the second color filter 233 overlap in the non-emission area NLA may function as a light blocking member that blocks light transmission.
  • the first color filter 231 and the second color filter 233 may be positioned over the entire non-emission area NLA, and in an embodiment, the first color filter 231 and the second color filter 233 may overlap each other in the entire non-emission area NLA.
  • the third color filter 235 selectively transmits the light of the third color (eg, blue light) and blocks the light of the first color (eg, red light) and the light of the first color (eg, green light), or can absorb.
  • the third color filter 235 may be a blue color filter, and may include a blue colorant such as a blue dye or a blue pigment.
  • the color pattern 250 may be disposed to overlap the non-emission area NLA in the display area DA.
  • the color pattern 250 may also be located in the non-display area NDA, and may be disposed to overlap the bank pattern 310 in the non-display area NDA.
  • the color pattern 250 may absorb a portion of light flowing into the display device 1 from the outside of the display device 1 to reduce reflected light due to external light.
  • the external light is reflected to a large extent, causing a problem of distorting the color gamut of the display device 1 .
  • color distortion due to external light reflection can be reduced.
  • the color pattern 250 may include a blue colorant such as a blue dye or a blue pigment.
  • the color pattern 250 may be made of the same material as the third color filter 235 , and may be simultaneously formed in the process of forming the third color filter 235 .
  • the color pattern 250 includes a blue color material, external light or reflected light passing through the color pattern 250 has a blue wavelength band. Eye color sensibility perceived by the user's eyes varies according to the color of light. More specifically, light of a blue wavelength band may be perceived less sensitively by a user than light of a green wavelength band and light of a red wavelength band. Accordingly, as the color pattern 250 includes the blue color material, the user may recognize the reflected light relatively less sensitively.
  • the color pattern 250 may overlap the first color filter 231 and the second color filter 233 in the non-emission area NLA.
  • the color pattern 250 is formed with the first color filter 231 and the second color filter 233 and can be nested.
  • the color pattern 250 may overlap the second color filter 233 between the second emission area LA2 and the third emission area LA3 of the non-emission area NLA.
  • the color pattern 250 may overlap the first color filter 231 .
  • a portion where the first color filter 231 and the color pattern 250 overlap and a portion where the second color filter 233 and the color pattern 250 overlap may function as a light blocking member.
  • the color pattern 250 may be positioned on the first color filter 231 and the second color filter 233 in the non-emission area NLA. That is, the color pattern 250 may be located relatively farther from the base unit 110 than the first color filter 231 and the second color filter 233 .
  • a second dam member ODM may be positioned between the first capping layer 181 and the second capping layer 183 in the non-display area NDA.
  • the second dam member ODM may block the organic material from overflowing during the formation of the second organic layer 273 included in the second encapsulation layer 270 .
  • the second dam member ODM may be positioned relatively outside the first dam member IDM. In other words, as shown in FIGS. 10 and 11 , the second dam member ODM and the display area A first dam member IDM may be positioned between the DAs.
  • the second dam member ODM may be made of the same material as the bank pattern 310 and may be simultaneously formed during the formation of the bank pattern 310 .
  • a second support member OS may be positioned on the second capping layer 183 in the non-display area NDA.
  • the second support member OS may support a mask used in the process of forming the second encapsulation layer 270 .
  • the second support member OS may be located relatively outside of the second dam member ODM. In other words, as shown in FIGS. 10 and 11 , the second dam member ODM may be positioned between the second support member OS and the display area DA.
  • the second support member OS is made of the same material as the overcoat layer 190 and may be formed together during the formation of the overcoat layer 190 .
  • the second support member OS may include the same material as at least one of the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 .
  • the second support member OS may be formed together in the process of forming the third color filter 235 . .
  • a second encapsulation layer 270 may be positioned on the first color filter 231 , the second color filter 233 , the third color filter 235 , and the color pattern 250 .
  • the second encapsulation layer 270 protects components positioned under the second encapsulation layer 270 from external foreign substances such as moisture.
  • the second encapsulation layer 270 is commonly disposed in the first light-emitting area LA1 , the second light-emitting area LA2 , the third light-emitting area LA3 , and the non-emission area NLA in the display area DA. In some embodiments, the second encapsulation layer 270 directly covers the first color filter 231 , the second color filter 233 , the third color filter 235 , and the color pattern 250 in the display area DA. can do.
  • the second encapsulation layer 270 may cover the bank pattern 310 and the color pattern 250 in the non-display area NDA.
  • the second encapsulation layer 270 may include a second lower inorganic layer 271 , a second organic layer 273 , and a second upper inorganic layer 275 sequentially stacked.
  • the second lower inorganic layer 271 directly connects the first color filter 231 , the second color filter 233 , the third color filter 235 , and the color pattern 250 in the display area DA. and the bank pattern 310 and the color pattern 250 in the non-display area NDA.
  • the end 271e of the second lower inorganic layer 271 may be located in the non-display area NDA, and may be located between the second dam member ODM and the second support member OS. have.
  • a second organic layer 273 may be positioned on the second lower inorganic layer 271 .
  • the second organic layer 173 may be positioned over the entire display area DA, and a portion of the second organic layer 173 may be positioned in the non-display area NDA.
  • a portion of the second organic layer 273 may be located in the non-display area NDA but not outside the second dam member ODM.
  • a portion of the second organic layer 273 may be located in a space between the second dam member ODM and the first support member IS.
  • a second upper inorganic layer 275 may be positioned on the second organic layer 273 .
  • the second upper inorganic layer 275 may cover the second organic layer 273 .
  • the second upper inorganic layer 275 may directly contact the second lower inorganic layer 271 in the non-display area NDA to form an inorganic-inorganic junction, and the second upper inorganic layer 275 may be in direct contact with the second upper inorganic layer 275 .
  • the end 275e of the dam may be positioned between the second dam member ODM and the second support member OS.
  • Both the end 275e of the second upper inorganic layer 275 and the end 275e of the second lower inorganic layer 271 may be positioned between the second dam member ODM and the second support member OS. Bar, both the second upper inorganic layer 275 and the second lower inorganic layer 271 may not overlap the connection pad PD.
  • the end 275e of the second upper inorganic layer 275 and the end of the end 271e of the second lower inorganic layer 271 may be substantially aligned.
  • the second lower inorganic layer 271 and the second upper inorganic layer 275 may be formed of an inorganic insulating material.
  • the second lower inorganic layer 271 and the second upper inorganic layer 275 are made of the same material as the first lower inorganic layer 171 or are exemplified as a constituent material of the first lower inorganic layer 171 . It may contain at least one of the materials.
  • the second organic layer 273 may be positioned between the second lower inorganic layer 271 and the second upper inorganic layer 275 .
  • the second organic layer 273 may be made of an organic insulating material.
  • the second organic layer 273 may be made of the same material as the first organic layer 173 , or may include at least one of the materials exemplified as a constituent material of the first organic layer 173 .
  • FIG. 12 12, 13, and 14 are views for explaining a manufacturing process of the first encapsulation layer shown in FIG. 11, respectively.
  • the first mask MSK1 is disposed on the base part 110 .
  • the first mask MSK1 may be supported by the first support member IS, and may include an opening region OP1 corresponding to a region in which a first encapsulation layer 170 of FIG. 11 will be formed later.
  • one opening area OP1 may overlap the entire display area DA and partially overlap the non-display area NDA.
  • the first mask MSK1 may be an open mask.
  • the first lower inorganic layer 171 may be formed.
  • the first inorganic material mat1 is covered by the first mask MSK1 and does not reach the base part 110 , so the end 171e of the first lower inorganic layer 171 . is positioned between the first support member IS and the first dam member IDM.
  • an organic material is applied on the first lower inorganic layer 171 by an inkjet method or the like and photocured to form a first organic layer 173 .
  • the organic material in a state before curing has fluidity. Movement of the organic material having fluidity may be blocked by the first dam member IDM, thereby preventing the organic material from overflowing.
  • the first organic layer 173 may be formed in a state in which the first mask MSK1 illustrated in FIG. 12 is disposed on the first support member IS.
  • a first mask MSK1 is disposed on the first support member IS, and a second inorganic material mat2 for forming the first upper inorganic layer is deposited on the first organic layer 173 . Then, the first upper inorganic layer 175 may be formed.
  • the second inorganic material mat2 is covered by the first mask MSK1 and does not reach the base part 110 side, so the end 175e of the first upper inorganic layer 175 . is positioned between the first support member IS and the first dam member IDM.
  • the first lower inorganic layer 171 and the first upper inorganic layer 175 may be formed using the same first mask MSK1 , the end 171e of the first lower inorganic layer 171 and the second One end 175e of the upper inorganic layer 175 may be substantially aligned.
  • 15, 16, and 17 are views for explaining a manufacturing process of the second encapsulation layer shown in FIG. 11, respectively.
  • a second mask MSK2 is disposed on the base part 110 .
  • the second mask MSK2 may be supported by the second support member OS, and may include an opening region OP2 corresponding to a region in which a second encapsulation layer 270 of FIG. 11 will be formed later.
  • the opening area OP2 of the second mask MSK2 may be wider than the opening area OP1 of the first mask MSK1 .
  • one opening area OP2 may overlap the entire display area DA and partially overlap the non-display area NDA.
  • the second mask MSK2 may be an open mask.
  • the second lower inorganic layer 271 may be formed.
  • the third inorganic material mata1 is covered by the second mask MSK2 and does not reach the base part 110 , so the end 271e of the second lower inorganic layer 271 ) is positioned between the second support member OS and the second dam member ODM.
  • an organic material is applied on the second lower inorganic layer 271 by an inkjet method or the like and photocured to form a second organic layer 273 .
  • the organic material for forming the second organic layer 273 before curing may be blocked from moving by the second dam member ODM, thereby preventing the organic material from overflowing.
  • the second organic layer 273 may be formed in a state in which the second mask MSK2 illustrated in FIG. 15 is disposed on the second support member OS.
  • a second mask MSK2 is disposed on the second support member OS, and a fourth inorganic material mata2 for forming a second upper inorganic layer is deposited on the second organic layer 273 . Then, the second upper inorganic layer 275 may be formed.
  • a portion of the fourth inorganic material mata2 is covered by the second mask MSK2 during the deposition process and thus does not reach the base 110 side, and the end 275e of the second upper inorganic layer 275 has a second support. It is positioned between the member OS and the second dam member ODM.
  • the second lower inorganic layer 271 and the second upper inorganic layer 275 may be formed using the same second mask MSK2, the end 271e of the second lower inorganic layer 271 and the second upper inorganic layer 275 are Ends 275e of the second upper inorganic layers 275 may be substantially aligned.
  • the display device 1 has a first wavelength conversion pattern 340 , a second wavelength conversion pattern 350 , a light transmission pattern 330 , and a first color filter on the first encapsulation layer 170 . Since the bar 231, the second color filter 233, and the third color filter 235 are sequentially positioned, it is possible to prevent misalignment between the components. In addition, since the display device 1 does not include a separate substrate, the thickness of the display device 1 can be reduced. In addition, since the distance between the light emitting device and the wavelength conversion pattern can be reduced, the light efficiency can be increased.
  • the display device 1 includes a first dam member IDM, a second dam member ODM, a first support member IS, and a second support member (IS) in a process of manufacturing components positioned in the display area DA.
  • OS can be formed, and there is also an advantage in that the corresponding components can be formed without adding a separate process.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1a according to the present exemplary embodiment is different from the embodiments illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes a second support member OSa, except that the configuration is substantially the same. or similar Therefore, overlapping contents are omitted, and differences will be mainly described.
  • the second support member OSa may include a lower support member OSa1 positioned on the second capping layer 183 and an upper support member OSa2 positioned on the lower support member OSa1.
  • the lower support member OSa1 is made of the same material as the overcoat layer 190 , and may be formed together during the manufacturing process of the overcoat layer 190 .
  • the upper support member OSa2 is made of the same material as any one of the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 , and includes the first color filter 231 , the first color filter 231 , and the second color filter 235 . Either one of the second color filter 233 and the third color filter 235 may be formed together during a manufacturing process.
  • the lower support member OSa1 is made of the same material as any one of the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 , and the first color filter 231 , Either one of the second color filter 233 and the third color filter 235 may be formed together during the manufacturing process.
  • the upper support member OSa2 is made of the same material as the other one of the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 , and includes the first color filter 231 , the second color filter 231 , and the second color filter 235 . The other one of the second color filter 233 and the third color filter 235 may be formed together during the manufacturing process.
  • the lower support member OSa1 is the first color filter 231 . It is made of the same material as , and may be formed at the same time during the manufacturing process of the first color filter 231 .
  • the upper support member OSa2 is made of the same material as the third color filter 235 and may be formed together during the manufacturing process of the third color filter 235 .
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1b according to the present exemplary embodiment is different from the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes the second support member OSb, except that the configuration is substantially the same. or similar Therefore, overlapping contents are omitted, and differences will be mainly described.
  • the second support member OSb may be positioned between the first capping layer 181 and the second capping layer 183 .
  • the second support member OSb may be made of the same material as the bank pattern 310 like the second dam member ODM, and may be formed together during the manufacturing process of the bank pattern 310 .
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1c according to the present exemplary embodiment is different from the embodiments illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes a second support member OSc, except that the configuration is substantially the same. or similar Therefore, overlapping contents are omitted, and differences will be mainly described.
  • the second support member OSc is positioned on the lower support member OSc1 positioned between the first capping layer 181 and the second capping layer 183 and the second capping layer 183 and the lower support member OSc1 is positioned between the first capping layer 181 and the second capping layer 183 . and may include an upper support member OSc2 overlapping with the .
  • the lower support member OSc1 is made of the same material as the bank pattern 310 like the second dam member ODM, and may be formed together during the manufacturing process of the bank pattern 310 .
  • the upper support member OSc2 includes the same material as at least one of the overcoat layer 190 , the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 , and has the same manufacturing process. can be formed together in
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1d according to the present exemplary embodiment is different from the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes the second dam member ODMa, except that the configuration is substantially the same. or similar Therefore, overlapping contents are omitted, and differences will be mainly described.
  • the second dam member ODMa may include a lower dam pattern ODMa1 positioned on the first capping layer 181 and an upper dam pattern ODMa2 positioned on the lower dam pattern ODMa1.
  • the upper dam pattern ODMa2 may be positioned directly above the lower dam pattern ODMa1 .
  • the lower dam pattern ODMa1 may be made of the same material as the bank pattern 310 and may be simultaneously formed in the same process as the bank pattern 310 .
  • the upper dam pattern ODMa2 includes the same material as at least one of the overcoat layer 190 , the first color filter 231 , the second color filter 233 , and the third color filter 235 , , can be formed together in the same manufacturing process.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1e according to the present exemplary embodiment is different from the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes a second support member OSa and a second dam member ODMa. and other configurations are substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second support member OSa is the same as that described in the description of FIG. 18
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as that described in the description of FIG. 21 , and thus will be omitted. .
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 11 .
  • the display device 1f is different from the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes a second support member OSb and a second dam member ODMa. and other configurations are substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second support member OSb is the same as that described in the description of FIG. 19
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as that described in the description of FIG. 21 , and thus will be omitted. .
  • FIG. 24 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device shown in FIG. 11 .
  • the display device 1g according to the present exemplary embodiment is different from the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 4 to 11 in that it includes a second support member OSc and a second dam member ODMa. and other configurations are substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second support member OSc is the same as described above in the description of FIG. 20
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as that described in the description of FIG. 21 , and thus will be omitted. .
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment taken along line X1-X1' of FIG. 2 .
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of a display device taken along line X3-X3' of FIG. 10 according to another exemplary embodiment.
  • the first capping layer ( 181 in FIGS. 4 and 11 ) is omitted and the first encapsulation layer 170a is included.
  • the first capping layer 181 in FIGS. 4 and 11
  • the first encapsulation layer 170a is included.
  • the first encapsulation layer 170a includes a first lower inorganic layer 171 , a first organic layer 173 positioned on the first lower inorganic layer 171 , and a first upper inorganic layer positioned on the first organic layer 173 . layer 175a.
  • the description of the first lower inorganic layer 171 and the first organic layer 173 is the same as described above with reference to FIGS. 4 to 11 .
  • the first upper inorganic layer 175a may be positioned over the display area DA and the non-display area NDA, and the first upper inorganic layer 175a includes the first dam member IDM as well as the first support member. (IS) may also be covered, and a part of the connection pad PD may also be covered.
  • the first upper inorganic layer 175a may be positioned over the entire surface of the base part 110 . Accordingly, the end 175ae of the first upper inorganic layer 175a may be positioned on the edge side of the base part 110 , and the end 175ae of the first upper inorganic layer 175a is the second support member OS. It may be located more relatively outside. In other words, the second support member OS may be positioned between the end 175ae of the first upper inorganic layer 175a and the display area DA.
  • the end 171e of the first lower inorganic layer 171 is positioned between the first supporting member IS and the first dam member IDM, and the end 175ae of the first upper inorganic layer 175a is the second supporting member. Since it is positioned outside the member OS, the end 171e of the first lower inorganic layer 171 and the end 175ae of the first upper inorganic layer 175a may not be aligned with each other.
  • the first wavelength conversion pattern 340 , the second wavelength conversion pattern 350 , the light transmission pattern 330 , the bank pattern 310 , and the second dam member ODM are the first upper inorganic layer 175a and the second It may be positioned between the two capping layers 183 .
  • the first upper inorganic layer 175a may directly contact the second capping layer 183 in the non-display area NDA to form an inorganic-inorganic junction, and thus the first wavelength conversion pattern 340 and the second The wavelength conversion pattern 350 and the light transmission pattern 330 may be sealed.
  • the opening OPN exposing the connection pad PD may be defined in the first upper inorganic layer 175a and the second capping layer 183 .
  • FIG. 27 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • the display device 2a is different from the exemplary embodiment of FIG. 26 in that it includes a second support member OSa, and other configurations are substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second support member OSa is the same as that described above in the embodiment of FIG. 18 , and thus will be omitted.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • the display device 2b is different from the exemplary embodiment of FIG. 26 in that it includes the second support member OSb, and other configurations are substantially the same or similar. A more detailed description of the second support member OSb will be omitted since it is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 19 .
  • FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • the display device 2c is different from the exemplary embodiment of FIG. 26 in that it includes the second support member OSc, and other configurations are substantially the same or similar. A more detailed description of the second support member OSc will be omitted since it is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 20 .
  • FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • the display device 2d according to the present exemplary embodiment is different from the exemplary embodiment of FIG. 26 in that it includes a second dam member ODMa, and other configurations are substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 21 , and thus will be omitted.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device shown in FIG. 26 .
  • the display device 2e is different from the embodiment of FIG. 26 in that it includes a second dam member ODMa and a second support member OSa. substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 21
  • a more detailed description of the second support member OSa is the same as described above in the embodiment of FIG. 18 . or similar bar, omit.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device illustrated in FIG. 26 .
  • the display device 2f is different from the embodiment of FIG. 26 in that it includes a second dam member ODMa and a second support member OSb. substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 21
  • a more detailed description of the second support member OSb is the same as described above in the embodiment of FIG. 19 . or similar bar, omit.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view illustrating another modified example of the display device of FIG. 26 .
  • the display device 2g is different from the exemplary embodiment of FIG. 26 in that it includes a second dam member ODMa and a second support member OSc. substantially the same or similar.
  • a more detailed description of the second dam member ODMa is the same as or similar to that described above in the embodiment of FIG. 21
  • a more detailed description of the second support member OSc is the same as described above in the embodiment of FIG. 20 . or similar bar, omit.
  • the structure of the display device may be variously modified in addition to the above-described exemplary embodiments.
  • structures exemplified as the structure of the second support member may be applied as the structure of the second dam member.
  • the second dam member may include the same material as the overcoat layer or the color filter.

Landscapes

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Abstract

표시장치가 제공된다. 표시장치는 베이스부 상의 비표시 영역에 위치하는 제1 댐부재, 제1 지지부재, 제2 댐부재 및 제2 지지부재; 상기 베이스부의 표시 영역에 위치하는 발광소자; 상기 발광소자 상에 위치하는 제1 봉지층; 상기 제1 봉지층 상에 상기 발광소자와 중첩 배치된 파장변환패턴; 상기 파장변환패턴 상에 위치하고 상기 파장변환패턴과 중첩하는 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 제2 봉지층; 을 포함하고, 상기 제1 댐부재는 상기 제1 지지부재와 상기 표시 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 지지부재는 상기 제2 댐부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고, 상기 제2 댐부재는 상기 제2 지지부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치하고, 상기 제1 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제1 지지부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고, 상기 제2 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재와 상기 제2 댐부재 사이에 위치한다.

Description

표시 장치
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 자발광 표시 장치는 자발광 소자, 예시적으로 유기 발광 소자를 포함한다. 자발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우, 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
자발광 표시 장치는 백라이트 유닛 등과 같은 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
표시 장치의 각 화소가 하나의 기본색을 고유하게 표시하도록 하기 위한 한 가지 방법으로, 광원으로부터 시청자에 이르는 광 경로 상에 각 화소마다 색 변환 패턴 또는 파장변환패턴을 배치하는 방법을 들 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역이 정의된 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 제1 댐부재, 제1 지지부재, 제2 댐부재 및 제2 지지부재; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시 영역에 위치하는 발광소자; 상기 발광소자 상에 위치하는 제1 봉지층; 상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 발광소자와 중첩하는 파장변환패턴; 상기 파장변환패턴 상에 위치하고 상기 파장변환패턴과 중첩하는 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 제2 봉지층; 을 포함하고, 상기 제1 댐부재는 상기 제1 지지부재와 상기 표시 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 지지부재는 상기 제2 댐부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고, 상기 제2 댐부재는 상기 제2 지지부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치하고, 상기 제1 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제1 지지부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고, 상기 제2 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재와 상기 제2 댐부재 사이에 위치한다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1 댐부재는 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치되고, 상기 제1 지지부재는 상기 제1 댐부재를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제2 댐부재는 상기 제1 지지부재를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제2 지지부재는 상기 제2 댐부재를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제2 봉지층은, 상기 컬러필터 상에 위치하는 하부 무기층, 상기 하부 무기층 상에 위치하는 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 상부 무기층을 포함하고, 상기 하부 무기층의 단부 및 상기 상부 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재와 상기 제2 댐부재 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 유기층 중 일부는 상기 제2 댐부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴을 둘러싸는 뱅크패턴; 을 더 포함하고, 상기 제2 지지부재 및 상기 제2 댐부재 중 적어도 어느 하나와 상기 뱅크패턴은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 컬러필터와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 오버코트층; 을 더 포함하고, 상기 제2 지지부재는 상기 컬러필터 또는 상기 오버코트층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴을 둘러싸는 뱅크패턴; 을 더 포함하고, 상기 제2 댐부재는, 상기 컬러필터, 상기 오버코트층 및 상기 뱅크패턴 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1 봉지층은, 상기 발광소자 상에 위치하는 하부 무기층, 상기 하부 무기층 상에 위치하는 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 상부 무기층을 포함하고, 상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층은 상기 제1 댐부재를 커버하고, 상기 하부 무기층의 단부는 상기 제1 댐부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 제1 댐부재는, 서로 이격된 제1 댐 및 제2 댐을 포함하고, 상기 유기층 중 일부는 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이의 공간에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 상부 무기층의 단부는 상기 제1 댐부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 상부 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재의 외측에 위치하고, 상기 제2 지지부재는 상기 상부 무기층의 단부와 상기 표시 영역 사이에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 접속패드; 를 더 포함하고, 상기 제2 지지부재는 상기 접속패드와 상기 표시 영역 사이에 위치하고, 상기 접속패드는 상기 제2 봉지층과 비중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 제1 봉지층과 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 제1 캡핑층; 및 상기 파장변환패턴과 상기 컬러필터 사이에 위치하는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고, 상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시장치는, 상기 파장변환패턴과 상기 컬러필터 사이에 위치하는 캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1 봉지층은 무기층을 포함하고, 상기 무기층 및 상기 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고, 상기 무기층 및 상기 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역이 정의된 베이스부; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 댐부재 및 지지부재; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 접속패드; 상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시 영역에 위치하는 발광소자; 상기 발광소자 상에 위치하는 무기층; 상기 무기층 상에 위치하고 상기 발광소자와 중첩하는 파장변환패턴; 상기 파장변환패턴 상에 위치하는 캡핑층; 및 상기 캡핑층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴과 중첩하는 컬러필터; 를 포함하고, 상기 댐부재는 상기 지지부재와 상기 표시 영역 사이에 위치하고, 상기 지지부재는 상기 접속패드와 상기 댐부재 사이에 위치하고, 상기 무기층과 상기 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고, 상기 무기층과 상기 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩한다.
몇몇 다른 실시예에서, 상기 무기층과 상기 캡핑층에는 상기 접속패드를 노출하는 개구부가 정의될 수 있다.
몇몇 다른 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 무기층과 상기 캡핑층 사이에 위치하고 상기 파장변환패턴과 접촉하는 뱅크패턴; 을 더 포함하고, 상기 댐부재와 상기 뱅크패턴은, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 다른 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 컬러필터와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 오버코트층; 을 더 포함하고, 상기 지지부재는, 상기 뱅크패턴, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 다른 실시예에서, 상기 오버코트층의 굴절률은 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮을 수 있다.
몇몇 다른 실시예에서, 상기 표시장치는, 상기 컬러필터 상에 위치하고 하부 무기층, 상부 무기층 및 상기 하부 무기층과 상기 상부 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하는 봉지층; 을 더 포함하고, 상기 댐부재는 상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층과 중첩하고, 상기 접속패드 및 상기 지지부재는 상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층과 비중첩할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 표시품질이 향상되고 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Q1부분을 확대한 평면도이다.
도 3은 도 2의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 2의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 도 4의 Q5부분을 확대한 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 격벽패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 파장 변환 패턴 및 광투과 패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 컬러필터 및 제2 컬러필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제3 컬러필터 및 컬러패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 10은 도 1의 Q3부분을 확대한 평면도이다.
도 11은 도 10의 X3-X3'를 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 12, 도 13 및 도 14는 각각 도 11에 도시된 제1 봉지층의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15, 도 16 및 도 17은 각각 도 11에 도시된 제2 봉지층의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 11에 도시된 표시 장치의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 19는 도 11에 도시된 표시 장치의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 20, 도 21, 도 22, 도 23, 도 24는 각각 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 25는 도 2의 X1-X1'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 26은 도 10의 X3-X3'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 27은 도 26에 도시된 표시 장치의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 28은 도 26에 도시된 표시 장치의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 29, 도 30, 도 31, 도 32, 도 33은 각각 도 26에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
비록 제1, 제2, 제3, 제4 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도, 도 2는 도 1의 Q1부분을 확대한 평면도, 도 3은 도 2의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
표시 장치(1)는 표시 패널(10)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 연성 회로 기판(FPC) 및 구동칩(IC)을 더 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 패널(10)은 제1 방향(X)으로 연장된 두개의 제1 변과 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 연장된 두개의 제2 변을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 상기 제1 변과 상기 제2 변이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 한정되지 않으며, 곡면을 이룰 수도 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제1 변의 길이와 상기 제2 변의 길이는 서로 다를 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표시 패널(10)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 “상”, “상측”, "상부", "탑", "상면"은 도면을 기준으로 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 교차하는 제3 방향(Z) 중 도면의 화살표가 향하는 방향을 의미하고, “하”, “하측”, "하부", "바텀", "하면"은 도면을 기준으로 제3 방향(Z)의 화살표가 향하는 방향의 반대 방향을 의미하는 것으로 한다.
표시 패널(10)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 복수의 발광영역들 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)이 정의될 수 있다. 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)은 표시 패널(10)의 발광소자에서 생성된 광이 표시 패널(10)의 외부로 방출되는 영역일 수 있으며, 비발광 영역(NLA)은 표시 패널(10)의 외부로 광이 방출되지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)에서 외부로 방출되는 광은 서로 색이 다를 수 있다. 예시적으로 제1 발광영역(LA1)에서 외부로 방출되는 광은 제1 색의 광이고, 제2 발광영역(LA2)에서 방출되는 광은 제2 색의 광이고, 제3 발광영역(LA3)에서 방출되는 광은 제3 색의 광일 수 있으며, 상기 제1 색의 광, 상기 제2 색의 광 및 상기 제3 색의 광은 색이 서로 다를 수 있다.
몇몇 실시예예서 상기 제3 색의 광은 440nm 내지 약 480nm 범위에서 피크파장을 갖는 청색광일 수 있으며, 상기 제1 색의 광은 610nm 내지 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광일 수 있다. 또한 상기 제2 색의 광은 530nm 내지 570nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 색의 광이 녹색광이고 상기 제2 색의 광이 적색광일 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)은 하나의 그룹을 이루고, 상기 그룹이 표시 영역(DA)에 복수개 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로가 배치될 수 있으며, 표시 영역(DA)에 상술한 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2), 제3 발광영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)을 정의하는 화소 정의막 및 자발광 소자(self-light emitting element)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광 소자는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광다이오드(예컨대 Micro LED), 무기물 기반의 나노 사이즈 발광 다이오드(예컨대 nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 자발광 소자가 유기발광소자인 경우를 예로서 설명한다.
몇몇 실시예에서 도 2에 도시된 바와 같이 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)은 제1 방향(X)을 따라 순차적으로 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시 영역(DA) 내에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)은 하나의 그룹을 이루어 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 반복적으로 배치될 수 있다.
다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예시적으로 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 발광영역(LA1) 및 제2 발광영역(LA2)은 제1 방향(X)을 따라 서로 이웃하고, 제3 발광영역(LA3)은 제2 방향(Y)을 따라 제1 발광영역(LA1) 및 제2 발광영역(LA2)의 일측에 위치할 수도 있다.
이하에서는 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)이 도 2에 도시된 바와 같이 배치되는 경우를 예시로 설명한다.
몇몇 실시예에서 표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에는 댐부재 및 지지부재가 배치될 수 있다.
상기 댐부재는 표시 영역(DA)에 배치되는 봉지층을 형성하는 과정에서 유기물(또는 모노머)이 넘치는 것을 차단할 수 있으며, 이에 따라 봉지층의 유기물이 표시 패널(10)의 가장자리 측으로 연장되는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 댐부재는 제1 댐부재(IDM) 및 제2 댐부재(ODM)를 포함할 수 있다.
제1 댐부재(IDM) 및 제2 댐부재(ODM)는 모두 표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA) 내에 위치할 수 있으며, 제1 댐부재(IDM)는 제2 댐부재(ODM)보다 상대적으로 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 댐부재(IDM)는 평면상에서 표시 영역(DA)을 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 제2 댐부재(ODM)는 평면상에서 표시 영역(DA) 및 제1 댐부재(IDM)를 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 지지부재는 표시 패널(10)의 구조물들, 예시적으로 상기 봉지층을 형성하는 과정에서 마스크를 지지하는 역할을 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 지지부재는 제1 지지부재(IS) 및 제2 지지부재(OS)를 포함할 수 있다.
제1 지지부재(IS) 및 제2 지지부재(OS)는 모두 표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA) 내에 위치할 수 있으며, 제1 지지부재(IS)는 제2 지지부재(OS)보다 상대적으로 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 지지부재(IS)는 평면상에서 제1 댐부재(IDM)와 제2 댐부재(ODM) 사이에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA) 및 제1 댐부재(IDM)를 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 지지부재(IS)는 평면상에서 제2 댐부재(ODM)를 사이에 두고 제1 댐부재(IDM)의 반대측에 위치할 수 있으며, 제2 댐부재(ODM), 제1 지지부재(IS), 제1 댐부재(IDM) 및 표시 영역(DA)을 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있다.
표시 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에는 복수의 접속패드(PD)가 위치할 수 있다. 접속패드(PD)는 연결배선 등을 매개로 표시 영역(DA) 내에 위치하는 상기 화소 회로와 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 접속패드(PD)는 제2 지지부재(OS)의 외측에 위치할 수 있다. 즉, 접속패드(PD)는 제2 지지부재(OS)보다 상대적으로 표시 영역(DA)에서 멀리 떨어져 위치할 수 있으며, 제2 지지부재(OS)는 접속패드(PD)와 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
연성 회로 기판(FPC)은 표시 패널(10)의 접속패드(PD)에 접속될 수 있다. 연성 회로 기판(FPC)은 표시 장치(1)를 구동하기 위한 신호, 전원 등을 제공하는 회로보드 등과 표시 패널(10)을 전기적으로 연결할 수 있다.
구동칩(IC)은 상기 회로보드 등과 전기적으로 연결되어 데이터 및 신호 등을 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서 구동칩(IC)은 데이터 구동칩일 수 있으며, 상기 회로보드 등으로부터 데이터 제어신호 및 영상 데이터 등을 수신하고 영상 데이터들에 대응하는 데이터 전압 등을 생성하여 출력할 수 있다.
몇몇 실시예에서 구동칩(IC)은 연성 회로 기판(FPC)에 실장될 수 있다. 예컨대, 구동칩(IC)은 COF(Chip On Film) 형태로 연성 회로 기판(FPC)에 실장될 수 있다.
구동칩(IC)에서 제공된 데이터 전압, 상기 회로보드에서 제공된 전원 등은 연성 회로 기판(FPC) 및 접속패드(PD)를 경유하여 표시 패널(10)의 상기 화소 회로 등에 전달될 수 있다.
도 4는 도 2의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 5는 도 4의 Q5부분을 확대한 단면도, 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 격벽의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 파장 변환 패턴 및 광투과 패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 컬러필터 및 제2 컬러필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제3 컬러필터 및 컬러패턴의 개략적인 배치를 도시한 평면도, 도 10은 도 1의 Q3부분을 확대한 평면도, 도 11은 도 10의 X3-X3'를 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
이하 도 4 내지 도 11을 참조하여 표시 장치(1)의 적층 구조에 대하여 설명한다.
베이스부(110)는 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 베이스부(110)는 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 베이스부(110)가 플라스틱 기판인 경우, 베이스부(110)는 가요성을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서 베이스부(110)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있음은 상술한 바와 같다.
베이스부(110) 상에는 버퍼층(111)이 더 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 베이스부(110) 상에 위치하고 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 베이스부(110)를 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 SiO 2, SiNx, SiON와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 차광패턴(BML)이 위치할 수 있다. 차광패턴(BML)은 광을 차단할 수 있으며, 전도성을 가질 수 있다. 차광패턴(BML)은 외부의 광 또는 발광소자의 광이 후술할 반도체층(ACT)으로 유입되는 것을 차단할 수 있으며, 이에 따라 후술할 박막 트랜지스터(TL)에서 광에 의해 발생하는 누설 전류를 감소시키거나 최소화할 수 있다. 도면에는 차광패턴(BML)이 표시 영역(DA)에 위치하고 비표시 영역(NDA)에는 위치하지 않는 것으로 도시되어 있으나, 비표시 영역(NDA)에도 차광패턴(BML)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광패턴(BML)은 광을 차단하고 전도성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 차광패턴(BML)은 티타늄(Ti)/구리(Cu)/인듐틴옥사이드(ITO)의 적층 구조체 또는 티타늄(Ti)/구리(Cu)/산화알루미늄(Al 2O 3)의 적층 구조체일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 차광패턴(BML)은 각 반도체층(ACT)과 대응하도록 복수개 구비되고 반도체층(ACT)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광패턴(BML)의 폭은 반도체층(ACT)의 폭보다 넓을 수 있다.
몇몇 실시예에서 차광패턴(BML)은 데이터선, 전원공급선, 도면에 미도시된 박막 트랜지스터와 도면에 도시된 박막 트랜지스터(TL)를 서로 전기적으로 연결하는 배선 등의 일부일 수도 있다. 몇몇 실시예에서 차광패턴(BML)은 제2 도전층 또는 상기 제2 도전층이 포함하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)보다 작은 저항을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
차광패턴(BML) 상에는 제1 절연층(113)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 절연층(113)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 절연층(113)은 차광패턴(BML)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 절연층(113)은 SiO 2, SiNx, SiON, Al 2O 3, TiO 2, Ta 2O, HfO 2, ZrO 2 등과 같은 무기물을 포함할 수 있다.
제1 절연층(113) 상에는 반도체층(ACT)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2), 제3 발광영역(LA3)과 각각 대응하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예시적으로 반도체층(ACT)은 Zn 산화물계 물질로, Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등으로 형성될 수 있으며, ZnO에 인듐(In)과 갈륨(Ga)과 같은 금속이 함유된 IGZO(In-Ga-Zn-O) 반도체일 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층(ACT)은 비정질실리콘 또는 폴리실리콘 등을 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 각 차광패턴(BML)과 중첩하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 반도체층(ACT)에서 광전류가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
반도체층(ACT) 상에는 제1 도전층이 위치할 수 있으며, 상기 제1 도전층은 게이트 전극(GE) 및 배선층(WR)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 표시 영역(DA)에 위치하고 반도체층(ACT)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 배선층(WR)은 접속패드(PD)와 표시 영역(DA) 내에 위치하는 소자들, 예컨대 박막 트랜지스터(TL) 및 발광소자등과 전기적으로 연결하는 배선 중 일부를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE) 및 배선층(WR)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에서 반도체층(ACT)과 상기 제1 도전층 또는 반도체층(ACT)과 게이트 전극(GE) 사이에는 게이트 절연층(115)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 게이트 전극(GE) 및 게이트 절연층(115)은 반도체층(ACT)의 채널 영역을 마스킹하는 마스크로서 기능할 수 있으며, 게이트 전극(GE) 및 게이트 절연층(115)의 폭은 반도체층(ACT)의 폭보다 좁을 수 있다.
몇몇 실시예에서 게이트 절연층(115)은 게이트 전극(GE) 또는 상기 제1 도전층의 형상과 실질적으로 동일한 형상으로 패터닝될 수 있다. 몇몇 실시예에서 게이트 절연층(115)의 폭은, 게이트 전극(GE) 또는 상기 제1 도전층의 폭보다 넓을 수 있다.
몇몇 실시예에서 게이트 절연층(115)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어 게이트 절연층(115)은 제1 절연층(113)의 설명에서 예시된 무기물을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 게이트 절연층(115)은 배선층(WR)과 제1 절연층(113) 사이에 위치할 수 있다.
게이트 절연층(115) 상에는 반도체층(ACT) 및 게이트 전극(GE)을 커버하는 제2 절연층(117)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(117)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 절연층(117)은 평탄면을 제공하는 평탄화막으로 기능할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 절연층(117)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(117)은 포토아크릴(photo acryl, PAC), 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리아릴에테르(polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 실록산계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane resin) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 절연층(117) 상에는 상기 제2 도전층이 위치할 수 있으며, 상기 제2 도전층은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원공급배선(VSL) 및 접속패드(PD)의 제1 패드전극(PD1)을 포함할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있으며, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE)은 각각 제2 절연층(117)을 관통하여 반도체층(ACT)과 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 소스 전극(SE)은 제1 절연층(113) 및 제2 절연층(117)을 관통하여 차광패턴(BML)과 연결될 수도 있다. 차광패턴(BML)이 신호 또는 전압 등을 전달하는 배선의 일부인 경우, 소스 전극(SE)은 차광패턴(BML)과 연결되고 전기적으로 커플링되어 상기 배선에 제공된 전압 등을 전달받을 수 있다. 또는 차광패턴(BML)이 별도의 배선이 아닌 플로팅된 패턴인 경우, 소스 전극(SE)에 제공된 전압 등이 차광패턴(BML)에 전달될 수 있다.
상술한 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TL)를 이룰 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 트랜지스터(TL)는 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)에 각각 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 트랜지스터(TL) 중 일부분은 비발광 영역(NLA)에 위치할 수도 있다.
전원공급배선(VSL)은 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 전원공급배선(VSL)에는 캐소드 전극(CE)에 제공되는 구동전압, 예컨대 ELVSS 전압이 공급될 수 있다.
접속패드(PD)의 제1 패드전극(PD1)은 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 패드전극(PD1)은 제2 절연층(117)을 관통하여 배선층(WR)과 전기적으로 연결되거나 전기적으로 커플링될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원공급배선(VSL) 및 접속패드(PD)의 제1 패드전극(PD1)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원공급배선(VSL) 및 접속패드(PD)의 제1 패드전극(PD1)은, Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
제2 절연층(117) 상에는 제3 절연층(130)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(130)은 표시 영역(DA)에서 박막 트랜지스터(TL)를 커버할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 전원공급배선(VSL)의 일부분을 노출할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 평탄화막일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 제3 절연층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 포지티브 감광성 재료 또는 네거티브 감광성 재료를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제3 절연층(130) 위에는 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)이 위치할 수 있다. 또한 비표시 영역(NDA)에서 제3 절연층(130) 위에는 연결전극(CNE) 및 접속패드(PD)의 제2 패드전극(PD2)이 위치할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1)은 제1 발광영역(LA1) 과 중첩하고 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 발광영역(LA2)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있으며, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 발광영역(LA3)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제1 애노드 전극(AE1)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결되고, 제2 애노드 전극(AE2)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제2 애노드 전극(AE2)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결되고, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제3 애노드 전극(AE3)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 반사형 전극일 수 있고, 이 경우에 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 다층구조, 예시적으로 ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 3층 구조를 가질 수 있다.
연결전극(CNE)은 비표시 영역(NDA)에서 전원공급배선(VSL)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 전원공급배선(VSL)과 직접 접촉할 수 있다.
제2 패드전극(PD2)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 패드전극(PD1) 상에 위치할 수 있다. 제2 패드전극(PD2)은 제1 패드전극(PD1)과 직접 접촉하여 제1 패드전극(PD1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 연결전극(CNE) 및 제2 패드전극(PD2)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)과 동일한 물질로 이루어지고, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에는 화소 정의막(150)이 위치할 수 있다. 화소 정의막(150)은 제1 애노드 전극(AE1)을 노출하는 개구부, 제2 애노드 전극(AE2)을 노출하는 개구부 및 제3 애노드 전극(AE3)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있으며, 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2), 제3 발광영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)을 정의할 수 있다. 즉, 제1 애노드 전극(AE1) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제1 발광영역(LA1)일 수 있다. 유사하게 제2 애노드 전극(AE2) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제2 발광영역(LA2)일 수 있으며, 제3 애노드 전극(AE3) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제3 발광영역(LA3)일 수 있다. 그리고 화소 정의막(150)이 위치하는 영역은 비발광 영역(NLA)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 후술할 컬러패턴(250)과 중첩할 수 있다. 또한 화소 정의막(150)은 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)와 더 중첩할 수 있다.
화소 정의막(150)은 후술할 뱅크패턴(310)과도 중첩할 수 있다.
도 4 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에는 발광층(OL)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 걸쳐 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다. 발광층(OL)에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
도 4 및 도 11에 도시된 바와 같이, 발광층(OL) 상에는 캐소드 전극(CE)이 위치할 수 있다. 캐소드 전극(CE)의 일부는 도 11에 도시된 바와 같이 비표시 영역(NDA) 내에 더 위치할 수 있다. 캐소드 전극(CE)은 비표시 영역(NDA)에서 연결전극(CNE)과 전기적으로 연결되고 연결전극(CNE)과 접촉할 수 있다. 전원공급배선(VSL)에 제공되는 구동전압(예컨대, ELVSS전압)은 연결전극(CNE)을 경유하여 캐소드 전극(CE)에 전달될 수 있다.
몇몇 실시예에서 캐소드 전극(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 캐소드 전극(CE)이 상기 반투과성을 갖는 경우에, 캐소드 전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CE)의 두께가 수십 내지 수백 옹스트롬인 경우에, 캐소드 전극(CE)은 반투과성을 가질 수 있다.
캐소드 전극(CE)이 투과성을 갖는 경우, 캐소드 전극(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(CE)은 WxOx(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제1 발광소자(ED1)를 이루고, 제2 애노드 전극(AE2), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제2 발광소자(ED2)를 이루고, 제3 애노드 전극(AE3), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제3 발광소자(ED3)를 이룰 수 있다. 제1 발광소자(ED1), 제2 발광소자(ED2) 및 제3 발광소자(ED3)는 각각 출사광(LE)을 방출할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 발광층(OL)에서 최종적으로 출사되는 출사광(LE)은 제1 성분(LE1) 및 제2 성분(LE2)이 혼합된 혼합광일 수 있다. 출사광(LE) 중 제1 성분(LE1) 과 제2 성분(LE2)은 각각 피크 파장이 440nm 이상 480nm 미만일 수 있다. 즉, 출사광(LE)은 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광층이 중첩 배치된 구조, 예컨대 탠덤(tandem) 구조로 이루어질 수 있다. 예시적으로 발광층(OL)은 제1 발광층(EML1)을 포함하는 제1 스택(ST1), 제1 스택(ST1) 상에 위치하고 제2 발광층(EML2)을 포함하는 제2 스택(ST2), 제2 스택(ST2) 상에 위치하고 제3 발광층(EML3)을 포함하는 제3 스택(ST3), 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치하는 제1 전하생성층(CGL1) 및 제2 스택(ST2)과 제3 스택(ST3) 사이에 위치하는 제2 전하생성층(CGL2)을 포함할 수 있다. 제1 스택(ST1), 제2 스택(ST2) 및 제3 스택(ST3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 모두 상기 제1 색의 광, 예컨대 청색광을 발광할 수 있다. 예시적으로 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 각각 청색 발광층일 수 있으며, 유기물을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나는 제1 피크파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나는 상기 제1 피크파장과 다른 제2 피크파장의 제2 청색광을 출사할 수 있다. 예시적으로 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 어느 하나는 제1 피크파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 둘은 제2 피크파장을 갖는 제2 청색광을 출사할 수 있다. 즉, 발광층(OL)에서 최종적으로 출사되는 출사광(LE)은 제1 성분(LE1) 및 제2 성분(LE2)이 혼합된 혼합광일 수 있으며, 제1 성분(LE1) 은 제1 피크파장을 갖는 제1 청색광이고, 제2 성분(LE2)은 제2 피크파장을 갖는 제2 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 피크파장과 상기 제2 피크파장 중 하나의 범위는 440nm 이상 460nm 미만일 수 있으며, 상기 제1 피크파장과 상기 제2 피크파장 중 나머지 하나의 범위는 460nm 이상 480nm 이하일 수 있다. 다만 상기 제1 피크파장의 범위 및 상기 제2 피크파장의 범위에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 상기 제1 피크파장의 범위 및 상기 제2 피크파장의 범위는 모두 460nm를 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제1 청색광 및 상기 제2 청색광 중 어느 하나는 진청색(deep blue color)의 광일 수 있으며, 상기 제1 청색광 및 상기 제2 청색광 중 다른 하나는 연청색(sky blue color)의 광일 수 있다.
몇몇 실시예에 의하는 경우, 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광이며, 장파장 성분 및 단파장 성분을 포함한다. 따라서 최종적으로 발광층(OL)은 출사광(LE)으로서 좀 더 넓게 분포(broad)된 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사할 수 있게 된다. 이를 통해, 종래의 좁은(sharp) 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사하는 발광 소자 대비 측면 시야각에서의 색 시인성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 각각 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
청색광을 출사하는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 은 각각 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 유기 금속 착체(organometallic complex)를 포함하는 인광 물질을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 하나는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나와 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사한다. 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사하기 위해서, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 서로 동일한 재료를 포함하고, 공진 거리를 조절하는 방법을 이용할 수 있다. 또는 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사하기 위해서, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 하나와 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나는 서로 상이한 재료를 포함할 수도 있다.
다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 각각이 발광하는 청색광은, 모두 피크파장이 440nm 내지 480nm일 수도 있으며, 서로 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
또는 또 다른 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 피크파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 다른 하나는 상기 제1 피크파장과 다른 제2 피크파장의 제2 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 하나는 상기 제1 피크파장 및 상기 제2 피크파장과 다른 제3 피크파장의 제3 청색광을 출사할 수도 있다. 몇몇 다른 실시예에서 상기 제1 피크파장, 상기 제2 피크파장 및 상기 제3 피크파장 중 어느 하나의 범위는 440nm 이상 460nm 미만일 수 있다. 상기 제1 피크파장, 상기 제2 피크파장 및 상기 제3 피크파장 중 다른 하나의 범위는 460nm 이상 470nm 미만일 수 있으며, 상기 제1 피크파장, 상기 제2 피크파장 및 상기 제3 피크파장 중 나머지 하나의 범위는 470nm 이상 480nm 이하일 수도 있다.
몇몇 또 다른 실시예에 의하는 경우, 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광이며, 장파장 성분, 중간파장 성분 및 단파장 성분을 포함한다. 따라서 최종적으로 발광층(OL)은 출사광(LE)으로서 좀 더 넓게 분포(broad)된 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사할 수 있으며, 측면 시야각에서의 색 시인성을 개선할 수 있게 된다.
상술한 실시예들에 따르면, 탠덤(tandem) 방식의 구조, 즉 복수개의 발광층을 적층한 구조를 채용하지 않는 종래의 발광 소자에 비하여 광 효율이 상승하는 이점 및 표시 장치의 수명을 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.
제1 전하생성층(CGL1)은 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 각 발광층에 전하를 주입하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에서 전하 균형을 조절하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL12)은 n형 전하생성층(CGL11) 상에 배치될 수 있으며, n형 전하생성층(CGL11)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다.
제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)이 서로 접합 구조를 가질 수도 있다. n형 전하생성층(CGL11)은 애노드 전극(AE1, 도 4의 AE2, 도 4의 AE3) 및 캐소드 전극(CE) 중 애노드 전극(AE1, 도 4의 AE2, 도 4의 AE3)에 더 인접하게 배치된다. p형 전하생성층(CGL12)은 애노드 전극(AE1, 도 4의 AE2, 도 4의 AE3) 및 캐소드 전극(CE) 중 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치된다. n형 전하생성층(CGL11)은 애노드 전극(AE1, 도 4의 AE2, 도 4의 AE3)에 인접한 제1 발광층(EML1)에 전자를 공급하고, p형 전하생성층(CGL12)은 제2 스택(ST2)에 포함되는 제2 발광층(EML2)에 정공을 공급한다. 제1 전하생성층(CGL1)을 제1 스택(ST1) 및 제2 스택(ST2) 사이에 배치하여, 각각의 발광층에 전하를 제공함으로써, 발광 효율을 증대시키고, 구동 전압을 낮출 수 있게 된다.
제1 스택(ST1)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(도 4의 AE2) 및 제3 애노드 전극(도 4의 AE3) 위에 위치할 수 있으며, 제1 정공수송층(HTL1), 제1 전자블록층(BIL1), 제1 전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제1 정공수송층(HTL1)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(도 4의 AE2) 및 제3 애노드 전극(도 4의 AE3) 상에 위치할 수 있다. 제1 정공수송층(HTL1)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, 정공수송물질을 포함할 수 있다. 상기 정공수송물질은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서 제1 정공수송층(HTL1)은 단일층으로 이루어질 수 있다. 또는 몇몇 실시예에서 제1 정공수송층(HTL1)은 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. 제1 정공수송층(HLT1)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제1 전자블록층(BIL1)은 제1 정공수송층(HTL1) 상에 위치할 수 있으며, 제1 정공수송층(HTL1)과 제1 발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 제1 전자블록층(BIL1)은 제1 발광층(EML1)에서 생성된 전자가 제1 정공수송층(HTL1)으로 넘어오는 것을 방지하도록 정공수송물질과 금속 또는 금속 화합물을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 상술한 제1 정공수송층(HTL1)과 제1 전자블록층(BIL1)은 각각의 재료가 혼합된 단일층으로도 이루어질 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서 제1 전자블록층(BIL1)은 생략될 수도 있다.
제1 전자수송층(ETL1)은 제1 발광층(EML1) 상에 위치할 수 있으며, 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전자수송층(ETL1)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물과 같은 전자수송물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 수송 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서 제1 전자수송층(ETL1)은 단일층으로 이루어질 수 있다. 또는 몇몇 실시예에서 제1 전자수송층(ETL1)은 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. 제1 전자수송층(ETL1)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다. 제2 스택(ST2)은 제1 전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있으며, 제2 정공수송층(HTL2), 제2 전자블록층(BIL2), 제2 전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제2 정공수송층(HTL2)은 제1 전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있다. 제2 정공수송층(HTL2)은 제1 정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제2 정공수송층(HTL2)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제2 정공수송층(HTL2)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제2 전자블록층(BIL2)은 제2 정공수송층(HTL2) 상에 위치할 수 있으며, 제2 정공수송층(HTL2)과 제1 발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전자블록층(BIL2)은 제1 전자블록층(BIL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자블록층(BIL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2 전자블록층(BIL2)은 생략될 수도 있다.
제2 전자수송층(ETL2)은 제2 발광층(EML2) 상에 위치할 수 있으며, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전자수송층(ETL2)은 제1 전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제2 전자수송층(ETL2)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제2 전자수송층(ETL2)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 제2 스택(ST2) 상에 위치하고 제2 스택(ST2)과 제3 스택(ST3) 사이에 위치할 수 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 상술한 제1 전하생성층(CGL1)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 전하생성층(CGL2)은 제2 스택(ST2)에 보다 인접하게 배치된 n형 전하생성층(CGL21)과, 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치되는 p형 전하생성층(CGL22)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL22)은 n형 전하생성층(CGL21) 상에 배치될 수 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 n형 전하생성층(CGL21) 및 p형 전하생성층(CGL22)이 서로 접한 구조로 이루어질 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1) 및 제2 전하생성층(CGL2)은 서로 다른 재료로 이루어질 수도 있고, 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
제2 스택(ST2)은 제2 전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있으며, 제3 정공수송층(HTL3) 및 제3 전자수송층(ETL3)을 더 포함할 수 있다.
제3 정공수송층(HTL3)은 제2 전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있다. 제3 정공수송층(HTL3)은 제1 정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제3 정공수송층(HTL3)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제3 정공수송층(HTL3)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제3 전자수송층(ETL3)은 제3 발광층(EML3) 상에 위치할 수 있으며, 캐소드 전극(CE)과 제3 발광층(EML3) 사이에 위치할 수 있다. 제3 전자수송층(ETL3)은 제1 전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제3 전자수송층(ETL3)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제3 전자수송층(ETL3)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
도면에는 미도시 하였으나, 제1 스택(ST1)과 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(도 4의 AE2) 및 제3 애노드 전극(도 4의 AE3) 사이, 제2 스택(ST2)과 제1 전하생성층(CGL1) 사이, 제3 스택(ST3)과 제2 전하생성층(CGL2) 사이 중 적어도 어느 하나에는 각각 정공주입층(Hole Injection Layer ; HIL)이 더 위치할 수도 있다. 상기 정공주입층은 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)으로 보다 원활하게 정공이 주입되도록 하는 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 정공주입층은 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 몇몇 실시예에서 상기 정공주입층은 제1 스택(ST1)과 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(도 4의 AE2) 및 제3 애노드 전극(도 4의 AE3) 사이, 제2 스택(ST2)과 제1 전하생성층(CGL1) 사이, 제3 스택(ST3)과 제2 전하생성층(CGL2) 사이에 각각 위치할 수도 있다.
도면에는 미도시 하였으나, 제3 전자수송층(ETL3)과 캐소드 전극(CE) 사이, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 스택(ST2) 사이 및 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 스택(ST1) 사이 중 적어도 어느 하나에는 전자주입층(Electron Injection Layer ; EIL)이 더 위치할 수도 있다. 상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 전자주입층은 금속할라이드 화합물일 수 있으며, 예를 들어 MgF2, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI 및 CaF2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 전자주입층은 Yb, Sm, Eu 등의 란탄계 물질을 포함할 수도 있다. 또는 상기 전자주입층은 RbI:Yb, KI:Yb 등과 같이 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 동시에 포함할 수도 있다. 상기 전자주입층이 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 모두 포함하는 경우, 상기 전자주입층은 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 공증착(Co-deposition)하여 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 전자주입층은 제3 전자수송층(ETL3)과 캐소드 전극(CE) 사이, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 스택(ST2) 사이 및 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 스택(ST1) 사이에 각각 위치할 수도 있다.
상술한 구조 이외에도 발광층(OL)의 구조는 변형될 수도 있다. 예시적으로 발광층(OL)은 두개의 스택만을 포함하거나, 또는 4개 이상의 스택을 포함할 수도 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 비표시 영역(NDA)에서 제2 절연층(117) 상에는 제1 댐부재(IDM) 및 제1 지지부재(IS)가 위치할 수 있다.
제1 댐부재(IDM)는 전원공급배선(VSL)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 댐부재(IDM)와 표시 영역(DA) 사이에 전원공급배선(VSL)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 댐부재(IDM)의 일부는 전원공급배선(VSL)과 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 댐부재(IDM)는 복수의 댐을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 댐부재(IDM)는 제1 댐(D1), 제2 댐(D2) 및 제3 댐(D3)을 포함할 수 있다.
제1 댐(D1)은 전원공급배선(VSL)과 부분적으로 중첩할 수 있으며, 전원공급배선(VSL)을 사이에 두고 제3 절연층(130)과 이격될 수 있다 몇몇 실시예에서 제1 댐(D1)은 제2 절연층(117) 상에 위치하는 제1 하부 댐패턴(D11) 및 제1 하부 댐패턴(D11) 상에 위치하는 제1 상부 댐패턴(D12)을 포함할 수 있다.
제2 댐(D2)은 제1 댐(D1)의 외측에 위치할 수 있으며, 제1 댐(D1)과 이격될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 댐(D2)은 제2 절연층(117) 상에 위치하는 제2 하부 댐패턴(D21) 및 제2 하부 댐패턴(D21) 상에 위치하는 제2 상부 댐패턴(D22)을 포함할 수 있다.
제3 댐(D3)은 제2 댐(D2)의 외측에 위치할 수 있으며, 제2 댐(D2)과 이격될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 댐(D3)은 제2 절연층(117) 상에 위치하는 제3 하부 댐패턴(D31) 및 제3 하부 댐패턴(D31) 상에 위치하는 제3 상부 댐패턴(D32)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 댐패턴(D11), 제2 하부 댐패턴(D21) 및 제3 하부 댐패턴(D31)은 제3 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어지고 제3 절연층(130)과 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 상부 댐패턴(D12), 제2 상부 댐패턴(D22) 및 제3 상부 댐패턴(D32)은 화소 정의막(150)과 동일한 물질로 이루어지고 화소 정의막(150)과 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 댐(D1), 제2 댐(D2) 및 제3 댐(D3)의 높이는 서로 다를 수 있다. 예를 들어 제2 댐(D2)의 높이는 제1 댐(D1)의 높이보다 높고, 제3 댐(D3)의 높이는 제2 댐(D2)의 높이보다 높을 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)에서 멀어질수록 제1 댐부재(IDM)가 포함하는 댐의 높이는 점차 증가할 수 있으며, 이에 따라 후술할 제1 봉지층(170)이 포함하는 제1 유기층(173)의 형성과정에서 유기물이 넘치는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
제1 지지부재(IS)는 제1 댐부재(IDM)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 지지부재(IS)와 표시 영역(DA) 사이에는 제1 댐부재(IDM)가 위치할 수 있다. 제1 지지부재(IS)는 제1 봉지층(170)의 제조과정에서 마스크를 지지하는 역할을 할 수 있다
몇몇 실시예에서 제1 지지부재(IS)는 제3 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어지고, 제3 절연층(130)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다. 또는 제1 지지부재(IS)는 화소 정의막(150)과 동일한 물질로 이루어지고 화소 정의막(150)의 제조과정에서 함께 형성될 수도 있다.
도 4 및 도 11에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(CE) 상에는 제1 봉지층(170)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(170)은 수분과 같은 외부 이물질 등으로부터 제1 봉지층(170)의 아래에 위치하는 구성들, 예컨대 발광소자들(ED1, ED2, ED3)을 보호한다. 제1 봉지층(170)은 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2), 제3 발광영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 배치된다. 몇몇 실시예에서 제1 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)을 직접 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 봉지층(170)과 캐소드 전극(CE) 사이에는, 캐소드 전극(CE)을 커버하는 캡핑층(도면 미도시)이 더 배치될 수 있으며, 이러한 경우 제1 봉지층(170)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다. 제1 봉지층(170)은 박막 봉지층(Thin Film Encapsulation Layer)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE) 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 무기층(171), 제1 유기층(173) 및 제1 상부 무기층(175)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 무기층(171)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광소자(ED1), 제2 발광소자(ED2) 및 제3 발광소자(ED3)를 커버할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 제1 댐부재(IDM)를 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있으며, 제1 댐부재(IDM)와 제1 지지부재(IS) 사이에 위치할 수 있다.
제1 하부 무기층(171) 상에는 제1 유기층(173)이 위치할 수 있다. 제1 유기층(173)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광소자(ED1), 제2 발광소자(ED2) 및 제3 발광소자(ED3)를 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 유기층(173)의 일부는 비표시 영역(NDA)에 위치하되, 제1 댐부재(IDM)의 외측에는 위치하지 않을 수 있다. 도 11에는 제1 유기층(173)의 일부가 제1 댐(D1)과 제2 댐(D2) 사이의 공간에 수용된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에는 미도시하였으녀, 제1 유기층(173)의 일부는 제2 댐(D2)과 제3 댐(D3) 사이에 위치할 수도 있다.
제1 유기층(173) 상에는 제1 상부 무기층(175)이 위치할 수 있다. 제1 상부 무기층(175)은 제1 유기층(173)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 상부 무기층(175)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 하부 무기층(171)과 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있으며, 제1 상부 무기층(175)의 단부(175e)는 제1 댐부재(IDM)와 제1 지지부재(IS) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 상부 무기층(175)의 단부(175e)와 제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)의 단부는 실질적으로 정렬될 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 무기층(171) 및 제1 상부 무기층(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON), 리튬 플로라이드 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 무기층(171) 및 제1 상부 무기층(175)은 각각 단일층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 하부 무기층(171) 및 제1 상부 무기층(175) 중 적어도 어느 하나는 각각 무기물로 이루어진 복수의 층이 적층된 구조, 예컨대 다층구조로 이루어질 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 유기층(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
다만 제1 봉지층(170)의 구조가 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 제1 봉지층(170)의 적층구조는 다양하게 변경될 수 있다.
제1 봉지층(170) 상에는 제1 캡핑층(181)이 위치할 수 있다. 제1 캡핑층(181)은 후술할 제2 캡핑층(183)과 함께 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)을 밀봉할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 캡핑층(181)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라 비표시 영역(NDA)에도 배치될 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 제1 댐부재(IDM) 및 제1 지지부재(IS)를 커버할 수 있다. 또한 제1 캡핑층(181)은 비표시 영역(NDA)에서 접속패드(PD)의 일부분을 커버할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 캡핑층(181)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 캡핑층(181)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물과 같은 무기물을 포함할 수 있다.
제1 캡핑층(181) 상에는 뱅크패턴(310)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 뱅크패턴(310)은 표시 영역(DA)에서 비발광 영역(NLA) 내에 위치할 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이 평면상에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2) 및 제3 발광영역(LA3)을 둘러쌀 수 있다. 뱅크패턴(310)은 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 배치되는 공간을 구획할 수 있다. 또한 뱅크패턴(310)은 도 11에 도시된 바와 같이 비표시 영역(NDA) 내에도 위치할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 제1 댐부재(IDM)를 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 지지부재(IS)는 뱅크패턴(310)의 넘침을 방지하는 댐으로서도 기능할 수 있으며, 뱅크패턴(310)의 일부는 제1 댐부재(IDM)와 제1 지지부재(IS) 사이의 공간 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크패턴(310)은 도 6에 도시된 바와 같이 일체로 연결된 하나의 패턴으로 이루어질 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 뱅크패턴(310) 중 제1 발광영역(LA1)을 둘러싸는 부분, 뱅크패턴(310) 중 제2 발광영역(LA2)을 둘러싸는 부분, 뱅크패턴(310) 중 제3 발광영역(LA3)을 둘러싸는 부분은 서로 분리된 개별 패턴으로 구성될 수도 있다.
제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 잉크 조성물을 토출하는 방식, 즉 잉크젯 프린팅 방식으로 형성되는 경우, 뱅크패턴(310)은 토출된 잉크 조성물을 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다. 즉, 뱅크패턴(310)은 격벽으로 기능할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크패턴(310)은 광경화성을 갖는 유기물을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크패턴(310)은 차광성을 갖는 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크패턴(310)이 차광성을 갖는 경우, 표시 영역(DA)에서 서로 이웃하는 발광영역 간에 광이 침범하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 뱅크패턴(310)은 제2 발광소자(ED2)에서 방출된 출사광(LE)이 제1 발광영역(LA1)과 중첩하는 제1 파장변환패턴(340)에 입사하는 것을 저지할 수 있다. 또한 뱅크패턴(310)은 비표시 영역(NDA)에서 그 하부에 위치하는 구성들로 외광이 침투하는 것을 차단하거나 저지할 수 있다.
제1 캡핑층(181) 상에는 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다.
광투과 패턴(330)은 제1 캡핑층(181) 상에 위치하고 뱅크패턴(310)에 의해 구획된 공간 내에 위치하고 제3 발광영역(LA3) 또는 제3 발광소자(ED3)와 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 도 7에 도시된 바와 같이 섬형의 패턴(island shape pattern)으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 광투과 패턴(330)의 일부는 비발광 영역(NLA)과 중첩할 수도 있다.
광투과 패턴(330)은 입사광을 투과시킬 수 있다. 제3 발광소자(ED3)에서 제공된 출사광(LE)은 상술한 바와 같이 청색광일 수 있다. 청색광인 출사광(LE)은 광투과 패턴(330) 및 제3 컬러필터(235)를 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 출사된다. 즉, 제3 발광영역(LA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제3 광(L3)은 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제1 베이스 수지(331)를 포함할 수 있으며, 제1 베이스 수지(331) 내에 분산된 제1 산란체(333)를 더 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(331)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 베이스 수지(331)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제1 베이스 수지(331)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제1 산란체(333)는 제1 베이스 수지(331)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(331)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(333)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1 산란체(333)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO 2), 산화 지르코늄(ZrO 2), 산화 알루미늄(Al 2O 3), 산화 인듐(In 2O 3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO 2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제1 산란체(333)는 광투과 패턴(330)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제1 캡핑층(181) 및 뱅크패턴(310)과 직접 접촉할 수 있다.
제1 파장변환패턴(340)은 제1 캡핑층(181) 상에 위치하고, 뱅크패턴(310)에 의해 구획된 공간 내에 위치할 수 있으며, 제1 발광영역(LA1) 또는 제1 발광소자(ED1)와 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 파장변환패턴(340)은 도 7에 도시된 바와 같이 아일랜드 패턴 형태로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장변환패턴(340)의 일부는 비발광 영역(NLA)과 중첩할 수도 있다.
제1 파장변환패턴(340)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장변환패턴(340)은 제1 발광소자(ED1)에서 제공된 출사광(LE)을 610nm 내지 650nm 범위의 피크파장을 갖는 적색광으로 변환하여 출사할 수 있다. 제1 파장변환패턴(340)의 발광 스펙트럼과 광흡수 스펙트럼에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
몇몇 실시예에서 제1 파장변환패턴(340)은 제2 베이스 수지(341) 및 제2 베이스 수지(341) 내에 분산된 제1 파장시프터(345)를 포함할 수 있으며, 제2 베이스 수지(341) 내에 분산된 제2 산란체(343)를 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(341)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 베이스 수지(341)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 베이스 수지(341)는 제1 베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 파장시프터(345)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장시프터(345)는 제1 발광소자(ED1)에서 제공된 청색광인 제3 색의 출사광(LE)을 610nm 내지 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
제1 파장시프터(345)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; InZnP, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InAlP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO 2, Al 2O 3, TiO 2, ZnO, MnO, Mn 2O 3, Mn 3O 4, CuO, FeO, Fe 2O 3, Fe 3O 4, CoO, Co 3O 4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl 2O 4, CoFe 2O 4, NiFe 2O 4, CoMn 2O 4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장시프터(345)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(1)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또, 제1 파장시프터(345)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 제1 발광영역(LA1)에서 표시되는 제1 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제1 발광소자(ED1)에서 제공된 출사광(LE) 중 일부는 제1 파장시프터(345)에 의해 적색광으로 변환되지 않고 제1 파장변환패턴(340)을 투과하여 방출될 수 있다. 출사광(LE)중 제1 파장변환패턴(340)에 의해 변환되지 않고 제1 컬러필터(231)에 입사한 성분은, 제1 컬러필터(231)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 출사광(LE)중 제1 파장변환패턴(340)에 의해 변환된 적색광은 제1 컬러필터(231)를 투과하여 외부로 출사된다. 즉, 제1 발광영역(LA1)에서 외부로 출사되는 제1 광(L1)은 적색광일 수 있다.
제2 산란체(343)는 제2 베이스 수지(341)와 상이한 굴절률을 가지고 제2 베이스 수지(341)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(343)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2 산란체(343)에 대한 구체적 설명은 제1 산란체(333)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2 파장변환패턴(350)은 제1 캡핑층(181) 상에 위치하고 뱅크패턴(310)에 의해 구획된 공간 내에 위치할 수 있으며, 제2 발광영역(LA2) 또는 제2 발광소자(ED2)와 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 파장변환패턴(350)은 도 7에 도시된 바와 같이 아일랜드 패턴 형태로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 파장변환패턴(350)의 일부는 비발광 영역(NLA)과 중첩할 수도 있다.
제2 파장변환패턴(350)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 파장변환패턴(350)은 제2 발광소자(ED2)에서 제공된 출사광(LE)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 파장변환패턴(350)은 제3 베이스 수지(351) 및 제3 베이스 수지(351) 내에 분산된 제2 파장시프터(355)를 포함할 수 있으며, 제3 베이스 수지(351) 내에 분산된 제3 산란체(353)를 더 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(351)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 베이스 수지(351)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 베이스 수지(351)는 제1 베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 파장시프터(355)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 파장시프터(355)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색광을 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환할 수 있다.
제2 파장시프터(355)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2 파장시프터(355)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1 파장시프터(345)의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
몇몇 실시예에서 제1 파장시프터(345) 및 제2 파장시프터(355)는 모두 양자점으로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 제2 파장시프터(355)를 이루는 양자점의 입자 크기는 제1 파장시프터(345)를 이루는 양자점의 입자 크기보다 작을 수 있다.
제3 산란체(353)는 제3 베이스 수지(351)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(351)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(353)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제3 산란체(353)에 대한 구체적 설명은 제2 산란체(343)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2 파장변환패턴(350)에는 제2 발광소자(ED2)에서 방출된 출사광(LE)이 제공될 수 있으며, 제2 파장시프터(355)는 제3 발광소자(ED3)에서 제공된 출사광(LE)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
청색광인 출사광(LE) 중 일부는 제2 파장시프터(355)에 의해 녹색광으로 변환되지 않고 제2 파장변환패턴(350)을 투과할 수 있으며, 이는 제2 컬러필터(233)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 출사광(LE) 중 제2 파장변환패턴(350)에 의해 변환된 녹색광은 제2 컬러필터(233)를 투과하여 외부로 출사된다. 이에 따라 제2 발광영역(LA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제2 광(L2)은 녹색광일 수 있다.
광투과 패턴(330), 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350) 상에는 제2 캡핑층(183)이 위치할 수 있다. 제2 캡핑층(183)은 광투과 패턴(330), 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)을 커버할 수 있다. 제2 캡핑층(183)은 비표시 영역(NDA)에도 위치할 수 있다. 비표시 영역(NDA)에서 제2 캡핑층(183)은 제1 캡핑층(181)과 접촉할 수 있으며, 광투과 패턴(330), 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)을 밀봉할 수 있다. 이에 따라 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 광투과 패턴(330), 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 캡핑층(183)은 무기물로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 캡핑층(183)은 제1 캡핑층(181)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 캡핑층(181)의 설명에서 언급된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183)이 모두 무기물로 이루어지는 경우, 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183)이 직접 접촉하는 부분은 무기-무기 접합을 이룰 수 있으며, 외부로부터의 수분이나 공기 등이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183)은 비표시 영역(NDA)에서 서로 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 캡핑층(183)은 접속패드(PD)의 일부분을 커버할 수도 있으며, 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183)에는 접속패드(PD)의 일부분을 노출하는 개구부(OPN)가 정의될 수 있다. 접속패드(PD) 중 개구부(OPN)에 의해 노출된 부분은 상술한 연성 회로 기판(FPC)의 단자와 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실싱예에서 개구부(OPN)는 후술할 제조과정에서 오버코트층(190)이 형성된 이후의 단계에서 형성될 수 있다. 즉, 표시 장치의 제조과정에서 접속패드(PD)는 제1 캡핑층(181) 및 제2 캡핑층(183)에 의해 커버되고 오버코트층(190)이 형성된 이후의 단계에서 부분적으로 제거될 수 있다. 즉, 표시 장치의 제조과정에서 접속패드(PD)는 제1 캡핑층(181) 및 제2 캡핑층(183)에 의해 보호될 수 있으며, 이에 따라 제조과정에서 발생할 수 있는 접속패드(PD)의 손상을 방지할 수 있다.
제2 캡핑층(183) 상에는 오버코트층(190)이 위치할 수 있다. 오버코트층(190)은 광투과 패턴(330), 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)의 상부를 평탄화할 수 있다.
몇몇 실시예에서 오버코트층(190)은 유기물을 포함할 수 있으며, 상기 유기물은 광경화성을 갖는 유기물일 수 있다.
몇몇 실시예에서 오버코트층(190)의 굴절률은 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 오버코트층(190)의 굴절률은 1.1 이상 1.3 이하이고, 제1 파장변환패턴(340)의 굴절률 및 제2 파장변환패턴(350)의 굴절률은 오버코트층(190)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다. 예를 들어 제1 파장변환패턴(340)의 굴절률 및 제2 파장변환패턴(350)의 굴절률은 1.7 내지 1.9일 수 있다.
몇몇 실시예에서 오버코트층(190)의 굴절률은 광투과 패턴(330)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)의 굴절률은 오버코트층(190)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다.
상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 오버코트층(190)은, 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)으로부터 표시 장치(1)의 상측을 향하는 방향으로 방출되는 광 중 일부를 다시 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)측으로 반사시킬 수 있다. 즉, 오버코트층(190)은 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)을 투과하여 오버코트층(190)이 입사하는 광 중 적어도 일부를 리사이클(recycle)시킴으로써, 제1 파장변환패턴(340) 및 제2 파장변환패턴(350)에서 변환되는 광량을 증가시킬 수 있으며, 결과적으로 표시 장치(1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 오버코트층(190)은 표시 영역(DA) 내에만 위치하고 비표시 영역(NDA)에는 위치하지 않을 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 오버코트층(190)의 일부분이 비표시 영역(NDA) 내에 위치할 수도 있다.
표시 영역(DA)에서 오버코트층(190) 상에는 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235) 및 컬러패턴(250)이 위치할 수 있다.
제1 컬러필터(231)는 제1 발광영역(LA1)과 중첩하도록 배치되고, 제2 컬러필터(233)는 제2 발광영역(LA2)과 중첩하도록 배치되고, 제3 컬러필터(235)는 제3 발광영역(LA3)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 컬러필터(231)는 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제1 컬러필터(231)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 컬러필터(231)는 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광) 및 상기 제2 색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제1 컬러필터(231)는 적색 컬러필터(red color filter)일 수 있으며, 적색의 색재(red colorant)를 포함할 수 있다.
제2 컬러필터(233)는 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제2 컬러필터(233)도 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 컬러필터(233)는 상기 제2 색의 광(예컨대, 녹색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광) 및 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제2 컬러필터(233)는 녹색 컬러필터(green color filter)일 수 있으며, 녹색의 색재(green colorant)를 포함할 수 있다.
도 4 및 도 8에 도시된 바와 같이, 몇몇 실시예에서 제1 컬러필터(231)의 일부는 비발광 영역(NLA) 내에 더 위치하고 제2 컬러필터(233)의 일부도 비발광 영역NLA) 내에 더 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 컬러필터(231) 중 일부는 비발광 영역(NLA) 중 제1 발광영역(LA1)과 제2 발광영역(LA2) 사이의 영역 및 제1 발광영역(LA1)과 제3 발광영역(LA3) 사이의 영역에 더 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 컬러필터(233) 중 일부는 비발광 영역(NLA) 중 제1 발광영역(LA1)과 제2 발광영역(LA2) 사이의 영역 및 제2 발광영역(LA2)과 제3 발광영역(LA3) 사이의 영역에 더 위치할 수 있다.
도면에는 제1 컬러필터(231)와 제2 컬러필터(233)가 서로 비중첩하는 것으로 도시하였으나, 비발광 영역(NLA) 중 제1 발광영역(LA1)과 제2 발광영역(LA2) 사이의 영역에서 제1 컬러필터(231)와 제2 컬러필터(233)는 서로 중첩할 수도 있다. 비발광 영역(NLA)에서 제1 컬러필터(231)와 제2 컬러필터(233)가 중첩하는 부분은 광의 투과를 저지하는 차광부재로서 기능할 수 있다.
또는, 다른 실시예에서 도면에 도시된 바와 달리, 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)는 비발광 영역(NLA) 전체에 걸쳐 위치할 수도 있으며, 실시예에서 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)는 비발광 영역(NLA) 전체에서 서로 중첩할 수도 있다.
제3 컬러필터(235)는 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광) 및 상기 제1 색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 컬러필터(235)는 청색 컬러필터(blue color filter)일 수 있으며, 청색염료 또는 청색안료와 같은 청색의 색재(blue colorant)를 포함할 수 있다.
컬러패턴(250)은 표시 영역(DA)에서 비발광 영역(NLA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 컬러패턴(250)은 비표시 영역(NDA)에도 위치할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 뱅크패턴(310)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
컬러패턴(250)은 표시 장치(1)의 외부에서 표시 장치(1)로 유입되는 광의 일부를 흡수하여 외광에 의한 반사광을 저감시킬 수 있다. 외광은 상당 부분 반사되어 표시 장치(1)의 색 재현율을 왜곡시키는 문제를 발생시킨다. 그러나 본 실시예에 따라 비발광 영역(NLA) 및 비표시 영역(NDA)에 컬러패턴(250)이 위치하는 경우 외광 반사에 의한 색의 왜곡을 저감시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 컬러패턴(250)은 청색염료 또는 청색안료와 같은 청색의 색재(blue colorant)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 컬러패턴(250)은 제3 컬러필터(235)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제3 컬러필터(235)의 형성과정에서 동시에 형성될 수 있다. 컬러패턴(250)이 청색의 색재를 포함하는 경우, 컬러패턴(250)을 투과한 외광 또는 반사광은 청색 파장대역을 갖게 된다. 사용자의 눈이 인식하는 색상별 민감도(eye color sensibility)는 광의 색상에 따라 다르다. 보다 구체적으로 청색 파장대역의 광은 녹색 파장대역의 광 및 적색 파장대역의 광보다 사용자에게 보다 덜 민감하게 인식될 수 있다. 따라서 컬러패턴(250)이 청색의 색재를 포함함에 따라, 사용자는 반사광을 상대적으로 덜 민감하게 인식할 수 있다.
몇몇 실시예에서 컬러패턴(250)은 비발광 영역(NLA)에서 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 비발광 영역(NLA) 중 제1 발광영역(LA1)과 제2 발광영역(LA2) 사이에서 컬러패턴(250)은 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)와 중첩할 수 있다. 또한 비발광 영역(NLA) 중 제2 발광영역(LA2)과 제3 발광영역(LA3) 사이에서 컬러패턴(250)은 제2 컬러필터(233)와 중첩할 수 있다. 또한 비발광 영역(NLA) 중 제3 발광영역(LA3)과 제1 발광영역(LA1) 사이에서 컬러패턴(250)은 제1 컬러필터(231)와 중첩할 수 있다.
비발광 영역(NLA)에서 제1 컬러필터(231)와 컬러패턴(250)이 중첩하는 부분 및 제2 컬러필터(233)와 컬러패턴(250)이 중첩하는 부분은 차광부재로서 기능할 수 있다. 비발광 영역(NLA)에서 제1 컬러필터(231)와 컬러패턴(250)이 중첩하는 부분 및 제2 컬러필터(233)와 컬러패턴(250)이 중첩하는 부분은 외광의 적어도 일부를 흡수함으로써 외광 반사에 의한 색의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 또한 외부로 방출되는 광이 인접한 발광영역 간에 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 표시 장치(1)의 색 재현율을 더욱 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 비발광 영역(NLA)에서 컬러패턴(250)은 제1 컬러필터(231)와 제2 컬러필터(233) 상에 위치할 수 있다. 즉, 컬러패턴(250)은 제1 컬러필터(231) 및 제2 컬러필터(233)보다 상대적으로 베이스부(110)에서 멀리 떨어져 위치할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183) 사이에는 제2 댐부재(ODM)가 위치할 수 있다.
제2 댐부재(ODM)는 제2 봉지층(270)이 포함하는 제2 유기층(273)의 형성과정에서 유기물이 넘치는 것을 차단할 수 있다.
제2 댐부재(ODM)는 제1 댐부재((IDM)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 댐부재(ODM)와 표시 영역(DA) 사이에 제1 댐부재(IDM)가 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 댐부재(ODM)는 뱅크패턴(310)과 동일한 물질로 이루어지고 뱅크패턴(310)의 형성과정에서 동시에 형성될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 제2 캡핑층(183) 상에는 제2 지지부재(OS)가 위치할 수 있다. 제2 지지부재(OS)는 제2 봉지층(270)의 형성과정에서 사용되는 마스크를 지지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 지지부재(OS)는 제2 댐부재(ODM)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 지지부재(OS)와 표시 영역(DA) 사이에는 제2 댐부재(ODM)가 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 지지부재(OS)는 오버코트층(190)과 동일한 물질로 이루어지고 오버코트층(190)의 형성과정에서 함께 형성될 수 있다. 또는 제2 지지부재(OS)는 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어 제2 지지부재(OS)가 제3 컬러필터(235)와 동일한 물질을 포함하는 경우, 제2 지지부재(OS)는 제3 컬러필터(235)의 형성과정에서 함께 형성될 수 있다.
제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235) 및 컬러패턴(250) 상에는 제2 봉지층(270)이 위치할 수 있다. 제2 봉지층(270)은 수분과 같은 외부 이물질 등으로부터 제2 봉지층(270)의 아래에 위치하는 구성들을 보호한다.
제2 봉지층(270)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광영역(LA1), 제2 발광영역(LA2), 제3 발광영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 배치된다. 몇몇 실시예에서 제2 봉지층(270)은 표시 영역(DA)에서 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235) 및 컬러패턴(250)을 직접 커버할 수 있다.
제2 봉지층(270)은 비표시 영역(NDA)에서 뱅크패턴(310) 및 컬러패턴(250)을 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 봉지층(270)은 순차적으로 적층된 제2 하부 무기층(271), 제2 유기층(273) 및 제2 상부 무기층(275)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 하부 무기층(271)은 표시 영역(DA)에서 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235) 및 컬러패턴(250)을 직접 커버하고, 비표시 영역(NDA)에서 뱅크패턴(310) 및 컬러패턴(250)을 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 하부 무기층(271)의 단부(271e)는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있으며, 제2 댐부재(ODM)와 제2 지지부재(OS) 사이에 위치할 수 있다.
제2 하부 무기층(271) 상에는 제2 유기층(273)이 위치할 수 있다. 제2 유기층(173)은 표시 영역(DA) 전체에 걸쳐 위치할 수 있으며, 일부는 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 유기층(273)의 일부는 비표시 영역(NDA)에 위치하되, 제2 댐부재(ODM)의 외측에는 위치하지 않을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 유기층(273) 중 일부는 제2 댐부재(ODM)와 제1 지지부재(IS) 사이의 공간 내에 위치할 수 있다.
제2 유기층(273) 상에는 제2 상부 무기층(275)이 위치할 수 있다. 제2 상부 무기층(275)은 제2 유기층(273)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 상부 무기층(275)은 비표시 영역(NDA)에서 제2 하부 무기층(271)과 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있으며, 제2 상부 무기층(275)의 단부(275e)는 제2 댐부재(ODM)와 제2 지지부재(OS) 사이에 위치할 수 있다. 제2 상부 무기층(275)의 단부(275e)와 제2 하부 무기층(271)의 단부(275e)가 모두 제2 댐부재(ODM)와 제2 지지부재(OS) 사이에 위치할 수 있는 바, 제2 상부 무기층(275)과 제2 하부 무기층(271)은 모두 접속패드(PD)와 비중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 상부 무기층(275)의 단부(275e)와 제2 하부 무기층(271)의 단부(271e)의 단부는 실질적으로 정렬될 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제2 하부 무기층(271) 및 제2 상부 무기층(275)은 무기절연물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 하부 무기층(271) 및 제2 상부 무기층(275)은 제1 하부 무기층(171)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 하부 무기층(171)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 유기층(273)은 제2 하부 무기층(271)과 제2 상부 무기층(275) 사이에 위치할 수 있다. 제2 유기층(273)은 유기절연물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 유기층(273)은 제1 유기층(173)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 유기층(173)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 12, 도 13 및 도 14는 각각 도 11에 도시된 제1 봉지층의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11에 부가하여 도 12 내지 도 14를 더 참조하면, 우선 도 12에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(CE)을 형성한 이후 베이스부(110) 상에 제1 마스크(MSK1)를 배치한다. 제1 마스크(MSK1)는 제1 지지부재(IS)에 의해 지지될 수 있으며, 추후 제1 봉지층(도 11의 170)이 형성될 영역과 대응하는 개구영역(OP1)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 마스크(MSK1)는 하나의 개구영역(OP1)이 표시 영역(DA)의 전체와 중첩하고 비표시 영역(NDA)의 일부분과 중첩할 수 있다. 예컨대, 제1 마스크(MSK1)는 오픈 마스크일 수 있다.
이후 제1 하부 무기층 형성을 위한 제1 무기물(mat1)을 베이스부(110) 상에 증착하면, 제1 하부 무기층(171)이 형성될 수 있다. 개구영역(OP1)을 제외한 영역에서 제1 무기물(mat1)은 제1 마스크(MSK1)에 의해 가려져 베이스부(110) 상에 도달하지 못하는 바, 제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)는 제1 지지부재(IS)와 제1 댐부재(IDM) 사이에 위치하게 된다.
이후 도 13에 도시된 바와 같이 제1 하부 무기층(171) 상에 유기물을 잉크젯 방식 등으로 도포하고 이를 광경화하여 제1 유기층(173)을 형성한다. 제1 유기층(173)의 형성과정에서 경화전 상태의 유기물은 유동성을 갖는다. 유동성을 갖는 유기물은 제1 댐부재(IDM)에 의해 이동이 차단될 수 있으며, 이에 따라 유기물의 오버플로우를 방지할 수 있다.
한편, 도 13에는 제1 마스크가 배치되지 않은 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 도 12에 도시된 제1 마스크(MSK1)가 제1 지지부재(IS) 상에 배치된 상태에서 제1 유기층(173)이 형성될 수도 있다.
이후 도 14에 도시된 바와 같이 제1 마스크(MSK1)를 제1 지지부재(IS) 상에 배치하고 제1 상부 무기층 형성을 위한 제2 무기물(mat2)을 제1 유기층(173) 상에 증착하면, 제1 상부 무기층(175)이 형성될 수 있다
개구영역(OP1)을 제외한 영역에서 제2 무기물(mat2)은 제1 마스크(MSK1)에 의해 가려져 베이스부(110) 측에 도달하지 못하는 바, 제1 상부 무기층(175)의 단부(175e)는 제1 지지부재(IS)와 제1 댐부재(IDM) 사이에 위치하게 된다. 아울러 제1 하부 무기층(171)과 제1 상부 무기층(175)이 동일한 제1 마스크(MSK1)를 이용하여 형성될 수 있는 바, 제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)와 제1 상부 무기층(175)의 단부(175e)는 실질적으로 정렬될 수 있다.
도 15, 도 16 및 도 17은 각각 도 11에 도시된 제2 봉지층의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11에 부가하여 도 15 내지 도 17를 더 참조하면, 우선 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235) 및 컬러패턴(250)을 형성한 이후 도 15에 도시된 바와 같이 베이스부(110) 상에 제2 마스크(MSK2)를 배치한다. 제2 마스크(MSK2)는 제2 지지부재(OS)에 의해 지지될 수 있으며, 추후 제2 봉지층(도 11의 270)이 형성될 영역과 대응하는 개구영역(OP2)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 마스크(MSK2)의 개구영역(OP2)은 제1 마스크(MSK1)의 개구영역(OP1)보다 넓을 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 마스크(MSK2)는 하나의 개구영역(OP2)이 표시 영역(DA)의 전체와 중첩하고 비표시 영역(NDA)의 일부분과 중첩할 수 있다. 예컨대, 제2 마스크(MSK2)는 오픈 마스크일 수 있다.
이후 제2 하부 무기층 형성을 위한 제3 무기물(mata1)을 베이스부(110) 상에 증착하면, 제2 하부 무기층(271)이 형성될 수 있다. 개구영역(OP2)을 제외한 영역에서 제3 무기물(mata1)은 제2 마스크(MSK2)에 의해 가려져 베이스부(110) 상에 도달하지 못하는 바, 제2 하부 무기층(271)의 단부(271e)는 제2 지지부재(OS)와 제2 댐부재(ODM) 사이에 위치하게 된다.
이후 도 16에 도시된 바와 같이 제2 하부 무기층(271) 상에 유기물을 잉크젯 방식 등으로 도포하고 이를 광경화하여 제2 유기층(273)을 형성한다. 경화전 상태의 제2 유기층(273)을 형성하기 위한 유기물은 제2 댐부재(ODM)에 의해 이동이 차단될 수 있으며, 이에 따라 유기물의 오버플로우를 방지할 수 있다.
한편, 도 16에는 제1 마스크가 배치되지 않은 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 도 15에 도시된 제2 마스크(MSK2)가 제2 지지부재(OS) 상에 배치된 상태에서 제2 유기층(273)이 형성될 수도 있다.
이후 도 17에 도시된 바와 같이 제2 마스크(MSK2)를 제2 지지부재(OS) 상에 배치하고 제2 상부 무기층 형성을 위한 제4무기물(mata2)을 제2 유기층(273) 상에 증착하면, 제2 상부 무기층(275)이 형성될 수 있다
제4무기물(mata2)은 일부분이 증착 과정에서 제2 마스크(MSK2)에 의해 가려져 베이스부(110) 측에 도달하지 못하는 바, 제2 상부 무기층(275)의 단부(275e)는 제2 지지부재(OS)와 제2 댐부재(ODM) 사이에 위치하게 된다. 아울러 제2 하부 무기층(271)과 제2 상부 무기층(275)이 동일한 제2 마스크(MSK2)를 이용하여 형성될 수 있는 바, 제2 하부 무기층(271)의 단부(271e)와 제2 상부 무기층(275)의 단부(275e)는 실질적으로 정렬될 수 있다.
상술한 실시예에 따른 표시 장치(1)는 제1 봉지층(170) 상에 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350), 광투과 패턴(330), 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233), 제3 컬러필터(235)가 순차적으로 위치하는 바, 구성간에 미스얼라인이 발생하는 것을 방지할 수 있는 이점을 갖는다. 아울러 표시 장치(1)는 별도의 기판을 구비하지 않음에 따라 표시 장치(1)의 두께를 감소시킬 수 있는 이점을 갖는다. 또한 발광소자와 파장변환패턴 간의 거리를 감소시킬 수 있는 바, 광효율을 증가시킬 수 있는 이점도 갖는다.
또한 표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 내에 위치하는 구성들을 제조하는 과정에서 제1 댐부재(IDM), 제2 댐부재(ODM), 제1 지지부재(IS) 및 제2 지지부재(OS)를 형성할 수 있는 바, 별도의 공정을 추가하지 않고도 해당 구성들을 형성할 수 있는 이점도 갖는다.
도 18은 도 11에 도시된 표시 장치의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1a)는 제2 지지부재(OSa)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
제2 지지부재(OSa)는 제2 캡핑층(183) 상에 위치하는 하부지지부재(OSa1) 및 하부지지부재(OSa1) 상에 위치하는 상부지지부재(OSa2)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부지지부재(OSa1)는 오버코트층(190)과 동일한 물질로 이루어지고, 오버코트층(190)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다. 또한 상부지지부재(OSa2)는 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 어느 하나의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
또는, 하부지지부재(OSa1)는 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 어느 하나의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다. 그리고 상부지지부재(OSa2)는 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 다른 하나와 동일한 물질로 이루어지고, 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 상기 다른 하나의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 컬러필터가 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 순서로 형성되는 경우, 하부지지부재(OSa1)는 제1 컬러필터(231)와 동일물질로 이루어지고 제1 컬러필터(231)의 제조과정에서 동시에 형성될 수 있다. 그리고 상부지지부재(OSa2)는 제3 컬러필터(235)와 동일물질로 이루어지고 제3 컬러필터(235)의 제조과정에서 함께 형성될 수도 있다.
도 19는 도 11에 도시된 표시 장치의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1b)는 제2 지지부재(OSb)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
제2 지지부재(OSb)는 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 지지부재(OSb)는 제2 댐부재(ODM)와 마찬가지로 뱅크패턴(310)과 동일한 물질로 이루어지고, 뱅크패턴(310)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
도 20은 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1c)는 제2 지지부재(OSc)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
제2 지지부재(OSc)는 제1 캡핑층(181)과 제2 캡핑층(183) 사이에 위치하는 하부지지부재(OSc1) 및 제2 캡핑층(183) 상에 위치하고 하부지지부재(OSc1)와 중첩하는 상부지지부재(OSc2)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부지지부재(OSc1)는 제2 댐부재(ODM)와 마찬가지로 뱅크패턴(310)과 동일한 물질로 이루어지고, 뱅크패턴(310)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
상부지지부재(OSc2)는 오버코트층(190), 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하고, 동일한 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
도 21은 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1d)는 제2 댐부재(ODMa)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
제2 댐부재(ODMa)는 제1 캡핑층(181) 상에 위치하는 하부 댐패턴(ODMa1) 및 하부 댐패턴(ODMa1) 상에 위치하는 상부 댐패턴(ODMa2)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상부 댐패턴(ODMa2)은 하부 댐패턴(ODMa1)의 바로 위에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부 댐패턴(ODMa1)은 뱅크패턴(310)과 동일한 물질로 이루어지고, 뱅크패턴(310)과 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 상부 댐패턴(ODMa2)은 오버코트층(190), 제1 컬러필터(231), 제2 컬러필터(233) 및 제3 컬러필터(235) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하고, 동일한 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
도 22는 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1e)는 제2 지지부재(OSa) 및 제2 댐부재(ODMa)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 18의 설명에서 상술한 바와 동일하며, 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 23은 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 23을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1f)는 제2 지지부재(OSb) 및 제2 댐부재(ODMa)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSb)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 19의 설명에서 상술한 바와 동일하며, 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 24는 도 11에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1g)는 제2 지지부재(OSc) 및 제2 댐부재(ODMa)를 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11에 도시된 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSc)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 20의 설명에서 상술한 바와 동일하며, 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 25는 도 2의 X1-X1'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 도 26은 도 10의 X3-X3'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 제1 캡핑층(도 4 및 도 11의 181)이 생략된 점, 제1 봉지층(170a)을 포함하는 점에서 도 4 내지 도 11의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략한다.
제1 봉지층(170a)은 제1 하부 무기층(171), 제1 하부 무기층(171) 상에 위치하는 제1 유기층(173) 및 제1 유기층(173) 상에 위치하는 제1 상부 무기층(175a)을 포함한다.
제1 하부 무기층(171) 및 제1 유기층(173)에 대한 설명은 도 4 내지 도11의 설명에서 상술한 바와 동일하다.
제1 상부 무기층(175a)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 위치할 수 있으며, 제1 상부 무기층(175a)은 제1 댐부재(IDM) 뿐만 아니라 제1 지지부재(IS)도 커버할 수 있으며, 접속패드(PD)의 일부분도 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 상부 무기층(175a)은 베이스부(110) 상의 전면에 걸쳐 위치할 수 있다. 따라서 제1 상부 무기층(175a)의 단부(175ae)는 베이스부(110)의 가장자리측에 위치할 수 있으며, 제1 상부 무기층(175a)의 단부(175ae)는 제2 지지부재(OS)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2 지지부재(OS)는 제1 상부 무기층(175a)의 단부(175ae)와 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)는 제1 지지부재(IS)와 제1 댐부재(IDM) 사이에 위치하고, 제1 상부 무기층(175a)의 단부(175ae)는 제2 지지부재(OS)의 바깥쪽에 위치하는 바, 제1 하부 무기층(171)의 단부(171e)와 제1 상부 무기층(175a)의 단부(175ae)는 서로 얼라인되지 않을 수 있다.
제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350), 광투과 패턴(330), 뱅크패턴(310), 제2 댐부재(ODM)는 모두 제1 상부 무기층(175a)과 제2 캡핑층(183) 사이에 위치할 수 있다.
제1 상부 무기층(175a)은 비표시 영역(NDA)에서 제2 캡핑층(183)과 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있으며, 이에 따라 제1 파장변환패턴(340), 제2 파장변환패턴(350) 및 광투과 패턴(330)을 밀봉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 접속패드(PD)를 노출하는 개구부(OPN)는 제1 상부 무기층(175a) 및 제2 캡핑층(183)에 정의될 수 있다.
도 27은 도 26에 도시된 표시 장치의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 27을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2a)는 제2 지지부재(OSa)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 18의 실시예에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 28은 도 26에 도시된 표시 장치의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 28을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2b)는 제2 지지부재(OSb)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSb)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 19의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 29는 도 26에 도시된 표시 장치의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 29를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2c)는 제2 지지부재(OSc)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 지지부재(OSc)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 20의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 30은 도 26에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 30을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2d)는 제2 댐부재(ODMa)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 31은 도 26에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 31를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2e)는 제2 댐부재(ODMa) 및 제2 지지부재(OSa)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사하며, 제2 지지부재(OSa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 18의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 32는 도 26에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 32를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2f)는 제2 댐부재(ODMa) 및 제2 지지부재(OSb)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사하며, 제2 지지부재(OSb)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 19의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 33은 도 26에 도시된 표시 장치의 또 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 33을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2g)는 제2 댐부재(ODMa) 및 제2 지지부재(OSc)를 포함하는 점에서 도 26의 실시예와 차이점이 있으며, 이외 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 제2 댐부재(ODMa)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 21의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사하며, 제2 지지부재(OSc)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 20의 실시예에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
한편, 도면에는 미도시하였으나, 상술한 실시예들 이외에도 표시 장치의 구조는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 제2 지지부재의 구조로 예시된 구조들은 제2 댐부재의 구조로서 적용될 수도 있다. 예를 들어, 제2 댐부재는 오버코트층 또는 컬러필터와 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역이 정의된 베이스부;
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 제1 댐부재, 제1 지지부재, 제2 댐부재 및 제2 지지부재;
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시 영역에 위치하는 발광소자;
    상기 발광소자 상에 위치하는 제1 봉지층;
    상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 발광소자와 중첩하는 파장변환패턴;
    상기 파장변환패턴 상에 위치하고 상기 파장변환패턴과 중첩하는 컬러필터; 및
    상기 컬러필터 상에 위치하는 제2 봉지층; 을 포함하고,
    상기 제1 댐부재는 상기 제1 지지부재와 상기 표시 영역 사이에 위치하고,
    상기 제1 지지부재는 상기 제2 댐부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고,
    상기 제2 댐부재는 상기 제2 지지부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치하고,
    상기 제1 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제1 지지부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하고,
    상기 제2 봉지층이 포함하는 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재와 상기 제2 댐부재 사이에 위치하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 댐부재는 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치되고,
    상기 제1 지지부재는 상기 제1 댐부재를 둘러싸도록 배치되고,
    상기 제2 댐부재는 상기 제1 지지부재를 둘러싸도록 배치되고,
    상기 제2 지지부재는 상기 제2 댐부재를 둘러싸도록 배치된 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층은,
    상기 컬러필터 상에 위치하는 하부 무기층, 상기 하부 무기층 상에 위치하는 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 상부 무기층을 포함하고,
    상기 하부 무기층의 단부 및 상기 상부 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재와 상기 제2 댐부재 사이에 위치하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 유기층 중 일부는 상기 제2 댐부재와 상기 제1 댐부재 사이에 위치하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴을 둘러싸는 뱅크패턴; 을 더 포함하고,
    상기 제2 지지부재 및 상기 제2 댐부재 중 적어도 어느 하나와 상기 뱅크패턴은 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 컬러필터와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 오버코트층; 을 더 포함하고,
    상기 제2 지지부재는 상기 컬러필터 또는 상기 오버코트층과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴을 둘러싸는 뱅크패턴; 을 더 포함하고,
    상기 제2 댐부재는, 상기 컬러필터, 상기 오버코트층 및 상기 뱅크패턴 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은,
    상기 발광소자 상에 위치하는 하부 무기층, 상기 하부 무기층 상에 위치하는 유기층 및 상기 유기층 상에 위치하는 상부 무기층을 포함하고,
    상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층은 상기 제1 댐부재를 커버하고,
    상기 하부 무기층의 단부는 상기 제1 댐부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 댐부재는, 서로 이격된 제1 댐 및 제2 댐을 포함하고,
    상기 유기층 중 일부는 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이의 공간에 위치하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 상부 무기층의 단부는 상기 제1 댐부재와 상기 제1 지지부재 사이에 위치하는 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 상부 무기층의 단부는 상기 제2 지지부재의 외측에 위치하고,
    상기 제2 지지부재는 상기 상부 무기층의 단부와 상기 표시 영역 사이에 위치하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 접속패드; 를 더 포함하고,
    상기 제2 지지부재는 상기 접속패드와 상기 표시 영역 사이에 위치하고,
    상기 접속패드는 상기 제2 봉지층과 비중첩하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층과 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 제1 캡핑층; 및
    상기 파장변환패턴과 상기 컬러필터 사이에 위치하는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고,
    상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고,
    상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩하는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 파장변환패턴과 상기 컬러필터 사이에 위치하는 캡핑층; 을 더 포함하고,
    상기 제1 봉지층은 무기층을 포함하고,
    상기 무기층 및 상기 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고,
    상기 무기층 및 상기 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩하는 표시 장치.
  15. 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역이 정의된 베이스부;
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 댐부재 및 지지부재;
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 비표시 영역에 위치하는 접속패드;
    상기 베이스부 상에 위치하고 상기 표시 영역에 위치하는 발광소자;
    상기 발광소자 상에 위치하는 무기층;
    상기 무기층 상에 위치하고 상기 발광소자와 중첩하는 파장변환패턴;
    상기 파장변환패턴 상에 위치하는 캡핑층; 및
    상기 캡핑층 상에 위치하고 상기 파장변환패턴과 중첩하는 컬러필터; 를 포함하고,
    상기 댐부재는 상기 지지부재와 상기 표시 영역 사이에 위치하고,
    상기 지지부재는 상기 접속패드와 상기 댐부재 사이에 위치하고,
    상기 무기층과 상기 캡핑층은 상기 비표시 영역에서 서로 접촉하고,
    상기 무기층과 상기 캡핑층은 상기 접속패드와 중첩하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 무기층과 상기 캡핑층에는 상기 접속패드를 노출하는 개구부가 정의된 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 무기층과 상기 캡핑층 사이에 위치하고 상기 파장변환패턴과 접촉하는 뱅크패턴; 을 더 포함하고,
    상기 댐부재와 상기 뱅크패턴은, 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 컬러필터와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 오버코트층; 을 더 포함하고,
    상기 지지부재는, 상기 뱅크패턴, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 오버코트층의 굴절률은 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮은 표시장치.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 컬러필터 상에 위치하고 하부 무기층, 상부 무기층 및 상기 하부 무기층과 상기 상부 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하는 봉지층; 을 더 포함하고,
    상기 댐부재는 상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층과 중첩하고,
    상기 접속패드 및 상기 지지부재는 상기 하부 무기층 및 상기 상부 무기층과 비중첩하는 표시장치.
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