KR20230101986A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230101986A KR20230101986A KR1020210190963A KR20210190963A KR20230101986A KR 20230101986 A KR20230101986 A KR 20230101986A KR 1020210190963 A KR1020210190963 A KR 1020210190963A KR 20210190963 A KR20210190963 A KR 20210190963A KR 20230101986 A KR20230101986 A KR 20230101986A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- color
- area
- color filter
- layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 107
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 582
- 239000000463 material Substances 0.000 description 101
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 84
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 102100027126 Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Human genes 0.000 description 41
- 101001057942 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Proteins 0.000 description 41
- 102100027094 Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Human genes 0.000 description 40
- 101001057941 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Proteins 0.000 description 40
- 102100027095 Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Human genes 0.000 description 39
- 101001057939 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Proteins 0.000 description 39
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 24
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 102100030385 Granzyme B Human genes 0.000 description 17
- 101001009603 Homo sapiens Granzyme B Proteins 0.000 description 17
- 201000001130 congenital generalized lipodystrophy type 1 Diseases 0.000 description 17
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 14
- 101100451713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) HTL1 gene Proteins 0.000 description 13
- -1 SiON Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 102100027100 Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Human genes 0.000 description 11
- 101001057929 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 4 Proteins 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 201000001379 familial temporal lobe epilepsy 3 Diseases 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101150020392 Cgl3 gene Proteins 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 201000001113 congenital generalized lipodystrophy type 3 Diseases 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- 101100232347 Mus musculus Il11ra1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 201000001366 familial temporal lobe epilepsy 2 Diseases 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012736 patent blue V Nutrition 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000001062 red colorant Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical class C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002521 CoMn Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017706 MgZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- SIBWJMIKFTYEEK-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C Chemical compound [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C SIBWJMIKFTYEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000038 blue colorant Substances 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000040 green colorant Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Abstract
표시 장치는 제1 광을 각각 발광하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역이 정의되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역이 정의되고 상기 제1 기판을 마주보는 제1 면, 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 포함하는 제2 기판; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제1 투광 영역과 중첩하는 제1 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제2 투광 영역과 중첩하는 제2 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제3 투광 영역과 중첩하는 제3 컬러 필터; 상기 제1 컬러 필터 상에 위치하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 컬러 필터 상에 위치하는 제2 파장 변환 패턴; 및 상기 제3 컬러 필터 상에 위치하는 광 투과 패턴을 포함하고, 상기 제1 기판의 상기 제2 면 측에서 조사된 C광원에 대한 반사광은, 380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 광, 500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 광 및 600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 광을 포함하고, 상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터의 두께보다 크고, 상기 제2 컬러 필터의 두께는 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 크다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 자발광 표시 장치는 자발광 소자, 예시적으로 유기 발광 소자를 포함한다. 자발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 발광층을 포함할 수 있다. 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우, 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
자발광 표시 장치는 백라이트 유닛 등과 같은 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 뉴트럴 블랙(Neutral black) 반사색을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 파장 변환 패턴; 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 광 투과 패턴; 상기 제1 파장 변환 패턴 상의 제1 컬러 필터; 상기 제2 파장 변환 패턴 상의 제2 컬러 필터; 및 상기 광 투과 패턴 상의 제3 컬러 필터를 포함하고, 상기 기판에 조사된 측정 광원에 대한 반사광은, 380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 색의 광, 500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 색의 광 및 600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 색의 광을 포함하고, SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.3 내지 9.2, 67.6 내지 73.6, 및 18.3 내지 24.7이다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 광을 각각 발광하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역이 정의되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역이 정의되고 상기 제1 기판을 마주보는 제1 면, 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 포함하는 제2 기판; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제1 투광 영역과 중첩하는 제1 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제2 투광 영역과 중첩하는 제2 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제3 투광 영역과 중첩하는 제3 컬러 필터; 상기 제1 컬러 필터 상에 위치하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 컬러 필터 상에 위치하는 제2 파장 변환 패턴; 및 상기 제3 컬러 필터 상에 위치하는 광 투과 패턴을 포함하고, 상기 제1 기판의 상기 제2 면 측에서 조사된 측정 광원에 대한 반사광은, 380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 광, 500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 광 및 600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 광을 포함하고, 상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 크고, SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.1 내지 8.0, 70.0 내지 74.3, 및 18.5 내지 23.7이고, 상기 반사광은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(△Eab)가 3 이하이고, 상기 색차(△Eab)는 아래의 식 1에 따라 계산된다.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서,
L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 C 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 광을 각각 발광하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역이 정의되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역이 정의되고 상기 제1 기판을 마주보는 제1 면, 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 포함하는 제2 기판; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제1 투광 영역과 중첩하는 제1 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제2 투광 영역과 중첩하는 제2 컬러 필터; 상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제3 투광 영역과 중첩하는 제3 컬러 필터; 상기 제1 컬러 필터 상에 위치하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 컬러 필터 상에 위치하는 제2 파장 변환 패턴; 및 상기 제3 컬러 필터 상에 위치하는 광 투과 패턴을 포함하고, 상기 제1 기판의 상기 제2 면 측에서 조사된 측정 광원에 대한 반사광은, 380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 광, 500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 광 및 600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 광을 포함하고, SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 1.8 내지 2.2이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 1.7 내지 2.3이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 2.8 내지 3.8이고, 상기 반사광은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(△Eab)가 3 이하이고, 상기 색차(△Eab)는 아래의 식 1에 따라 계산된다.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서,
L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 C 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 뉴트럴 블랙(Neutral black) 반사색을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 적층구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 4의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 7은 도 2의 Q3부분을 확대한 평면도이다.
도 8은 도 3 및 도 4의 X1-X1'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 8의 Q7부분을 확대한 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 11은 도 7의 X3-X3'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제3 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제1 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제2 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 반사광들을 보여주는 모식도이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 17은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도18은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도이다.
도 19는 도 17 및 도 18의 X5-X5'선을 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20은 파장(Wavelength)에 따른 SCI 반사율(%)을 보여주는 그래프이다.
도 21은 시감 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 22는 도 20에 따른 그래프에 도 21에 따른 시감 곡선을 적용한 그래프이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 4의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 7은 도 2의 Q3부분을 확대한 평면도이다.
도 8은 도 3 및 도 4의 X1-X1'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 8의 Q7부분을 확대한 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 11은 도 7의 X3-X3'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제3 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제1 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제2 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 반사광들을 보여주는 모식도이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 17은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도이다.
도18은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도이다.
도 19는 도 17 및 도 18의 X5-X5'선을 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20은 파장(Wavelength)에 따른 SCI 반사율(%)을 보여주는 그래프이다.
도 21은 시감 곡선을 보여주는 그래프이다.
도 22는 도 20에 따른 그래프에 도 21에 따른 시감 곡선을 적용한 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 위치할 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
비록 제1, 제2, 제3, 제4 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 적층구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
표시 장치(1)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DA)에서 표시되는 영상은 제3 방향(Z) 중 도면의 화살표가 향하는 방향에서 사용자가 시인할 수 있다.
표시 장치(1)의 개략적 적층 구조를 설명하면, 몇몇 실시예에서 도 1에 도시된 바와 같이 표시 장치(1)는 표시 기판(10), 표시 기판(10)과 대향하는 색 변환 기판(30)을 포함하며, 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30)을 결합하는 실링 부재(50), 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30) 사이에 채워진 충진재(70)를 더 포함할 수 있다.
표시 기판(10)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DA)에 후술할 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막 및 자발광 소자(self-light emitting element)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광 소자는 유기발광 소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광 소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광다이오드(예컨대 Micro LED), 나노 사이즈를 갖는 무기물 기반의 발광 다이오드(예컨대 nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 자발광 소자가 유기발광 소자인 경우를 예로서 설명한다.
색 변환 기판(30)은 표시 기판(10) 상에 위치하고 표시 기판(10)과 대향할 수 있다. 몇몇 실시예에서 색 변환 기판(30)은 입사광의 색을 변환하는 색변환 패턴을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 색 변환 기판(30)은 상기 색변환 패턴으로서 컬러 필터와 파장 변환 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 색 변환 기판(30)은 상기 컬러 필터 및 상기 파장 변환 패턴을 모두 포함할 수도 있다.
비표시 영역(NDA)에서 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30) 사이에는 실링 부재(50)가 위치할 수 있다. 실링 부재(50)는 비표시 영역(NDA)에서 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30)의 가장자리를 따라 배치되어 평면 상에서 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30)은 실링 부재(50)를 매개로 상호 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서 실링 부재(50)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 실링 부재(50)는 에폭시계 레진으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 몇몇 실시예에서, 실링 부재(50)는 유리 등을 포함하는 프릿(Frit)의 형태로 적용될 수도 있다.
실링 부재(50)에 의해 둘러싸인 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30) 사이의 공간에는 충진재(70)가 위치할 수 있다. 충진재(70)는 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30) 사이를 채울 수 있다.
몇몇 실시예에서 충진재(70)는 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진재(70)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 충진재(70)는 실리콘계 유기물질, 에폭시계 유기물질 또는 실리콘계 유기물질과 에폭시계 유기물질의 혼합물 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 충진재(70)는 흡광계수(extinction coefficient)가 실질적으로 0인 물질로 이루어질 수 있다. 굴절률과 흡광계수는 상관관계가 있으며, 굴절률이 감소할수록 흡광계수도 감소한다. 그리고 굴절률이 1.7 이하인 경우 흡광계수는 실질적으로 0에 수렴할 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진재(70)는 굴절률이 1.7 이하인 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 따라 상기 자발광 소자에서 제공된 광이 충진재(70)를 투과하며 흡수되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진재(70)는 굴절률이 1.4 내지 1.6인 유기물질로 이루어질 수 있다.
도 1에서는 표시 장치(1)가 표시 기판(10)과 색변환 기판(30), 실링 부재(50), 및 충진재(70)를 포함하는 것으로 예시되었지만, 몇몇 실시예에서, 표시 장치(1)는 실링 부재(50) 및 충진재(70)가 생략되고, 표시 기판(10) 상에 제2 베이스부(310)를 제외한 색변환 기판(30)의 구성들이 배치될 수도 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도, 도 3은 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도, 도 4는 도 2의 Q1부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 2의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도, 도 5는 도 3의 변형예를 도시한 평면도, 도 6은 도 4의 변형예를 도시한 평면도, 도 7은 도 2의 Q3부분을 확대한 평면도이다.
도 1에 부가하여 도 2 내지 도 7을 더 참조하면, 몇몇 실시예에서 도 2에 도시된 바와 같이 표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)는 제1 방향(X)으로 연장된 두개의 제1 변(L1) 및 제3 변(L3)과 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 연장된 두개의 제2 변(L2) 및 제4 변(L4)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 각 변들이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 몇몇 실시예예서 제1 변(L1) 및 제3 변(L3)의 길이와 제2 변(L2) 및 제4 변(L4)의 길이는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 변(L1) 및 제3 변(L3)이 제2 변(L2) 및 제4 변(L4)에 비해 상대적으로 길 수 있다. 표시 장치(1)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 연성 회로 기판(FPC) 및 구동칩(IC)을 더 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)에서 표시 기판(10)에는 복수의 발광 영역들(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 기판(10)의 표시 영역(DA)에는 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)이 정의될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 표시 기판(10)의 발광 소자에서 생성된 광이 표시 기판(10)의 외부로 방출되는 영역일 수 있으며, 비발광 영역(NLA)은 표시 기판(10)의 외부로 광이 방출되지 않는 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에서 비발광 영역(NLA)은 표시 영역(DA) 내에서 각 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)을 둘러쌀 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 외부로 방출되는 광은 제3 색의 광일 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제3 색의 광은 청색광일 수 있으며, 약 440nm 내지 약 480nm 범위에서 피크 파장(peak wavelength)을 가질 수 있다. 여기서 피크 파장이란, 광의 강도(intensity)가 최대인 파장을 의미한다.
몇몇 실시예에서 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 하나의 그룹을 이루고, 상기 그룹이 표시 영역(DA)에 복수개 정의될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 발광 영역(LA1) 및 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(X)을 따라 서로 이웃하고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 방향(Y)을 따라 제1 발광 영역(LA1) 및 제3 발광 영역(LA3)의 일측에 위치할 수도 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예시적으로 도 5에 도시된 바와 같이 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(X)을 따라 순차적으로 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시 영역(DA) 내에서 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 하나의 그룹을 이루어 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 반복적으로 배치될 수 있다.
이하에서는 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)이 도 3에 도시된 바와 같이 배치되는 경우를 예시로 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)에서 색 변환 기판(30)에는 복수의 투광 영역들(TA1, TA2, TA3) 및 차광 영역(BA)이 정의될 수 있다. 투광 영역들(TA1, TA2, TA3)은 표시 기판(10)에서 방출된 광이 색 변환 기판(30)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공되는 영역일 수 있다. 차광 영역(BA)은 표시 기판(10)에서 방출된 광이 투과하지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 색 변환 기판(30)에는 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)이 정의될 수 있다.
제1 투광 영역(TA1)은 제1 발광 영역(LA1)에 대응하거나 또는 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 유사하게 제2 투광 영역(TA2)은 제2 발광 영역(LA2)과 대응하거나 중첩하고 제3 투광 영역(TA3)은 제3 발광 영역(LA3)과 대응하거나 중첩할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 발광 영역(LA1) 및 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(X)을 따라 서로 이웃하고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 방향(Y)을 따라 제1 발광 영역(LA1) 및 제3 발광 영역(LA3)의 일측에 위치하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 투광 영역(TA1) 및 제3 투광 영역(TA3)은 제1 방향(X)을 따라 서로 이웃하고, 제2 투광 영역(TA2)은 제2 방향(Y)을 따라 제1 투광 영역(TA1) 및 제3 투광 영역(TA3)의 일측에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 도 5에 도시된 바와 같이 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 제1 방향(X)을 따라 순차적으로 위치하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)도 제1 방향(X)을 따라 순차적으로 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)의 평면 형상은 각각 사각형일 수 있다. 예를 들어, 상기 사각형은 직사각형, 또는 정사각형일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)의 평면 형상은 각각 원형, 타원형, 또는 기타 다각형 형상을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 기판(10)에서 제공된 상기 제3 색의 광은 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공될 수 있다. 제1 투광 영역(TA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제1 출사광이라 지칭하고, 제2 투광 영역(TA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제2 출사광이라 지칭하고, 제3 투광 영역(TA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제3 출사광이라 지칭하면, 상기 제1 출사광은 제1 색의 광이고, 상기 제2 출사광은 상기 제1 색과 다른 제2 색의 광이고, 상기 제3 출사광은 상기 제3 색의 광일 수 있다. 몇몇 실시예예서 상기 제3 색의 광은 380nm 내지 500nm 범위의 파장 범위를 갖고, 440nm 내지 480nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색광일 수 있으며, 상기 제1 색의 광은 600nm 내지 780nm 범위의 파장 범위를 갖고, 610nm 내지 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광일 수 있다. 또한 상기 제2 색의 광은 500nm 내지 600nm 범위의 파장 범위를 갖고, 510nm 내지 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광일 수 있다.
표시 영역(DA) 내에서 색 변환 기판(30)의 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)의 주변에는 차광 영역(BA)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광 영역(BA)은 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)을 둘러쌀 수 있다. 또한 차광 영역(BA)은 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에도 위치할 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)에서 색 변환 기판(30)에는 복수의 투광 영역들(TA1, TA2, TA3) 및 차광 영역(BA)이 정의될 수 있다. 투광 영역들(TA1, TA2, TA3)은 표시 기판(10)에서 방출된 광이 색 변환 기판(30)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공되는 영역일 수 있다. 차광 영역(BA)은 표시 기판(10)에서 방출된 광이 투과하지 않는 영역일 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 색 변환 기판(30)의 투광 영역(TA1, TA2, TA3)들은 도 8 및 도 11에 도시된 컬러 필터(231, 233, 235)들의 면적과 동일할 수 있다. 컬러 필터(231, 233, 235)들은 각 컬러 필터(231, 233, 235)들을 둘러싸는 차광 영역(250: 231a, 233a, 235a)들에 의해 정의될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 색 변환 기판(30)의 투광 영역(TA1, TA2, TA3)들은 소정의 면적(S1, S2, S3)들을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 색 변환 기판(30)의 투광 영역(TA1, TA2, TA3)들은 소정의 면적(S1, S2, S3)들에 대해서는 후술하기로 한다.
다시 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에는 댐부재(DM), 및 실링 부재(50)가 배치될 수 있다.
댐부재(DM)는 표시 영역(DA)에 배치되는 봉지층을 형성하는 과정에서 유기물(또는 모노머)이 넘치는 것을 차단할 수 있으며, 이에 따라 봉지층의 유기물이 표시 장치(1)의 가장자리 측으로 연장되는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 댐부재(DM)는 평면상에서 표시 영역(DA)을 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있다.
실링 부재(50)는 상술한 바와 같이 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30)을 결합시킬 수 있다.
실링 부재(50)는 비표시 영역(NDA) 중 댐부재(DM)의 외측에 위치할 수 있으며, 평면상에서 댐부재(DM) 및 표시 영역(DA)을 완전히 둘러싸도록 배치될 수 있다.
표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)은 패드 영역(PDA)을 포함할 수 있으며, 패드 영역(PDA)에는 복수의 접속 패드(PD)가 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 접속 패드(PD)는 비표시 영역(NDA) 중 장변과 인접한 부분에 위치할 수 있으며, 예시적으로 비표시 영역(NDA) 중 제1 변(L1)과 인접한 영역에 위치할 수 있다. 접속 패드(PD)는 연결배선 등을 매개로 표시 영역(DA) 내에 위치하는 화소 회로 등과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 장치(1) 중 표시 기판(도 1의 10)은 상술한 댐부재(DM), 및 접속 패드(PD)를 포함할 수 있다.
연성 회로 기판(FPC)은 접속 패드(PD)에 접속될 수 있다. 연성 회로 기판(FPC)은 표시 장치(1)를 구동하기 위한 신호, 전원 등을 제공하는 회로 보드 등과 표시 기판(도 1의 10)을 전기적으로 연결할 수 있다.
구동칩(IC)은 상기 회로 보드 등과 전기적으로 연결되어 데이터 및 신호 등을 제공받을 수 있다. 몇몇 실시예에서 구동칩(IC)은 데이터 구동칩일 수 있으며, 상기 회로 보드 등으로부터 데이터 제어신호 및 영상 데이터 등을 수신하고 영상 데이터들에 대응하는 데이터 전압 등을 생성하여 출력할 수 있다.
몇몇 실시예에서 구동칩(IC)은 연성 회로 기판(FPC)에 실장될 수 있다. 예컨대, 구동칩(IC)은 COF(Chip On Film) 형태로 연성 회로 기판(FPC)에 실장될 수 있다.
구동칩(IC)에서 제공된 데이터 전압, 상기 회로 보드에서 제공된 전원 등은 연성 회로 기판(FPC) 및 접속 패드(PD)를 경유하여 표시 기판(도 1의 10)의 상기 화소 회로 등에 전달될 수 있다.
이하 표시 장치(1)의 구조에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 8은 도 3 및 도 4의 X1-X1'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 9는 도 8의 Q4부분을 확대한 단면도이다. 도 10은 도 9에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다. 도 11은 도 7의 X3-X3'선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 1 내지 도 7에 부가하여 도 8 내지 도 11을 더 참조하면, 표시 장치(1)는 상술한 바와 같이 표시 기판(10) 및 색 변환 기판(30)을 포함하며, 표시 기판(10)과 색 변환 기판(30) 사이에 위치하는 충진재(70)를 더 포함할 수 있다.
이하 표시 기판(10)에 대하여 설명한다.
제1 베이스부(110)는 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 베이스부(110)는 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 제1 베이스부(110)가 플라스틱 기판인 경우, 제1 베이스부(110)는 가요성을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서 표시 영역(DA)에서 제1 베이스부(110)에는 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)이 정의될 수 있음은 상술한 바와 같다.
몇몇 실시예에서 표시 장치(1)의 제1 변(L1), 제2 변(L2), 제3 변(L3) 및 제4 변(L4)은 제1 베이스부(110)의 4개의 변과 동일할 수 있다. 즉, 표시 장치(1)의 제1 변(L1), 제2 변(L2), 제3 변(L3) 및 제4 변(L4)은 제1 베이스부(110)의 제1 변(L1), 제2 변(L2), 제3 변(L3) 및 제4 변(L4)으로 지칭될 수도 있다.
제1 베이스부(110) 상에는 버퍼층(111)이 더 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 제1 베이스부(110) 상에 위치하고 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 제1 베이스부(110)를 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 SiO2, SiNx, SiON와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 하부 차광층(BML)이 위치할 수 있다. 하부 차광층(BML)은 외부의 광 또는 발광 소자의 광이 후술할 반도체층(ACT)으로 유입되는 것을 차단할 수 있으며, 이에 따라 후술할 박막 트랜지스터(TL)에서 광에 의해 누설 전류가 발생하는 것을 방지하거나 누설 전류를 감소시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)은 광을 차단하고 전도성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 하부 차광층(BML)은 (Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 네오듐(Nd)등의 금속 중 단일 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)은 단층 또는 다층구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 하부 차광층(BML)이 다층 구조로 이루어지는 경우, 하부 차광층(BML)은 티타늄(Ti)/구리(Cu)/인듐틴옥사이드(ITO)의 적층 구조체 또는 티타늄(Ti)/구리(Cu)/산화알루미늄(Al2O3)의 적층 구조체일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)은 각 반도체층(ACT)과 대응하도록 복수개 구비되고 반도체층(ACT)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)의 폭은 반도체층(ACT)의 폭보다 넓을 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)은 데이터선, 전원공급선, 도면에 미도시된 박막 트랜지스터와 도면에 도시된 박막 트랜지스터(TL)를 서로 전기적으로 연결하는 배선 등의 일부일 수도 있다. 몇몇 실시예에서 하부 차광층(BML)은 제2 도전층 또는 상기 제2 도전층이 포함하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)보다 작은 저항을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
하부 차광층(BML) 상에는 제1 절연층(113)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 절연층(113)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 절연층(113)은 하부 차광층(BML)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 절연층(113)은 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O, HfO2, ZrO2 등과 같은 무기물을 포함할 수 있다.
제1 절연층(113) 상에는 반도체층(ACT)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3)과 각각 대응하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예시적으로 반도체층(ACT)은 Zn 산화물계 물질로, Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등으로 형성될 수 있으며, ZnO에 인듐(In)과 갈륨(Ga)과 같은 금속이 함유된 IGZO(In-Ga-Zn-O) 반도체일 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층(ACT)은 비정질실리콘 또는 폴리실리콘 등을 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 반도체층(ACT)은 각 하부 차광층(BML)과 중첩하도록 배치될 수 있으며, 이에 따라 반도체층(ACT)에서 광전류가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
반도체층(ACT) 상에는 제1 도전층이 위치할 수 있으며, 상기 제1 도전층은 게이트 전극(GE), 및 제1 게이트 메탈(WR1)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 표시 영역(DA)에 위치하고 반도체층(ACT)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이 제1 게이트 메탈(WR1)은 접속 패드(도 2의 PD)와 표시 영역(도 2의 DA) 내에 위치하는 소자들, 예컨대 박막 트랜지스터(TL) 및 발광 소자등과 전기적으로 연결하는 배선 중 일부를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE), 및 제1 게이트 메탈(WR1)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에서 반도체층(ACT)과 상기 제1 도전층 또는 반도체층(ACT)과 게이트 전극(GE) 사이에는 게이트 절연층(115)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 게이트 전극(GE) 및 게이트 절연층(115)은 반도체층(ACT)의 채널 영역을 마스킹하는 마스크로서 기능할 수 있으며, 게이트 전극(GE) 및 게이트 절연층(115)의 폭은 반도체층(ACT)의 폭보다 좁을 수 있다.
몇몇 실시예에서 게이트 절연층(115)은 제1 베이스부(110)의 전면에 배치된 하나의 층으로 이루어지지 않고, 부분적으로 패터닝된 형상으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 패터닝된 게이트 절연층(115)의 폭은, 게이트 전극(GE) 또는 상기 제1 도전층의 폭보다 넓을 수 있다.
몇몇 실시예에서 게이트 절연층(115)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어 게이트 절연층(115)은 제1 절연층(113)의 설명에서 예시된 무기물을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 게이트 절연층(115)은 제1 게이트 메탈(WR1)과 제1 절연층(113) 사이에 위치할 수 있다.
게이트 절연층(115) 상에는 반도체층(ACT) 및 게이트 전극(GE)을 커버하는 제2 절연층(117)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(117)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 절연층(117)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(117)은 제1 절연층(113)의 설명에서 예시된 무기물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제2 절연층(117)은 유기물을 포함할 수도 있다.
제2 절연층(117) 상에는 상기 제2 도전층이 위치할 수 있으며, 상기 제2 도전층은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원 공급 배선(VSL) 및 접속 패드(PD)의 제1 패드 전극(PD1)을 포함할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있으며, 서로 이격되어 배치될 수 있다. 드레인 전극(DE) 및 소스 전극(SE)은 각각 제2 절연층(117)을 관통하여 반도체층(ACT)과 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 소스 전극(SE)은 제1 절연층(113) 및 제2 절연층(117)을 관통하여 하부 차광층(BML)과 연결될 수도 있다. 하부 차광층(BML)이 신호 또는 전압 등을 전달하는 배선의 일부인 경우, 소스 전극(SE)은 하부 차광층(BML)과 연결되고 전기적으로 커플링되어 상기 배선에 제공된 전압 등을 전달받을 수 있다. 또는 하부 차광층(BML)이 별도의 배선이 아닌 플로팅된 패턴인 경우, 소스 전극(SE)에 제공된 전압 등이 하부 차광층(BML)에 전달될 수 있다.
다만 도 8에 도시된 바와는 달리, 드레인 전극(DE)이 제1 절연층(113) 및 제2 절연층(117)을 관통하여 하부 차광층(BML)과 연결될 수도 있다. 하부 차광층(BML)이 별도의 신호가 제공되는 배선이 아닌 경우, 드레인 전극(DE)에 인가되는 전압등이 하부 차광층(BML)에 전달될 수도 있다.
상술한 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TL)를 이룰 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 트랜지스터(TL)는 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에 각각 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 트랜지스터(TL) 중 일부분은 비발광 영역(NLA)에 위치할 수도 있다.
전원 공급 배선(VSL)은 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 전원 공급 배선(VSL)에는 캐소드 전극(CE)에 제공되는 구동전압, 예컨대 ELVSS 전압이 공급될 수 있다.
접속 패드(PD)의 제1 패드 전극(PD1)은 비표시 영역(NDA) 중 패드 영역(도 2의 PDA)할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 패드 전극(PD1)은 제2 절연층(117)을 관통하여 제1 게이트 메탈(WR1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원 공급 배선(VSL) 및 접속 패드(PD)의 제1 패드 전극(PD1)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 전원 공급 배선(VSL) 및 접속 패드(PD)의 제1 패드 전극(PD1)은, Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
제2 절연층(117) 상에는 제3 절연층(130)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(130)은 표시 영역(DA)에서 박막 트랜지스터(TL)를 커버할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에서 전원 공급 배선(VSL)의 일부분을 노출할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 평탄화막일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 유기물으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 제3 절연층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(130)은 감광성 유기물을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제3 절연층(130) 위에는 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)이 위치할 수 있다. 또한 비표시 영역(NDA)에서 제3 절연층(130) 위에는 연결 전극(CNE) 및 접속 패드(PD)의 제2 패드 전극(PD2)이 위치할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1)은 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하고 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 발광 영역(LA2)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있으며, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 발광 영역(LA3)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(NLA)까지 확장될 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제1 애노드 전극(AE1)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결되고, 제2 애노드 전극(AE2)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제2 애노드 전극(AE2)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결되고, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 절연층(130)을 관통하여 제3 애노드 전극(AE3)과 대응하는 박막 트랜지스터(TL)의 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 반사형 전극일 수 있고, 이 경우에 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 다층구조, 예시적으로 ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 3층 구조를 가질 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)은 반사형 전극을 포함하는 경우, 후술하는 바와 같이, 표시 장치(1)의 외부에서 입사되는 외광(도 15의 LO) 중 일부가 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)으로부터 반사될 수 있다.
연결 전극(CNE)은 비표시 영역(NDA)에서 전원 공급 배선(VSL)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 전원 공급 배선(VSL)과 직접 접촉할 수 있다.
제2 패드 전극(PD2)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 패드 전극(PD1) 상에 위치할 수 있다. 제2 패드 전극(PD2)은 제1 패드 전극(PD1)과 직접 접촉하여 제1 패드 전극(PD1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 연결 전극(CNE) 및 제2 패드 전극(PD2)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)과 동일한 물질로 이루어지고, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)의 제조과정에서 함께 형성될 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에는 화소 정의막(150)이 위치할 수 있다. 화소 정의막(150)은 제1 애노드 전극(AE1)을 노출하는 개구부, 제2 애노드 전극(AE2)을 노출하는 개구부 및 제3 애노드 전극(AE3)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있으며, 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)을 정의할 수 있다. 즉, 제1 애노드 전극(AE1) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제1 발광 영역(LA1)일 수 있다. 유사하게 제2 애노드 전극(AE2) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제2 발광 영역(LA2)일 수 있으며, 제3 애노드 전극(AE3) 중 화소 정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제3 발광 영역(LA3)일 수 있다. 그리고 화소 정의막(150)이 위치하는 영역은 비발광 영역(NLA)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 후술할 차광 패턴(250)과 중첩할 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 후술할 뱅크 패턴(370)과도 중첩할 수 있다.
도 8 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에는 발광층(OL)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 걸쳐 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다. 도면에는 발광층(OL)이 표시 영역(DA) 내에만 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서 발광층(OL)의 일부는 비표시 영역(NDA) 내에 더 위치할 수 있다. 발광층(OL)에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
발광층(OL) 상에는 캐소드 전극(CE)이 위치할 수 있다. 캐소드 전극(CE)의 일부는 비표시 영역(NDA) 내에 더 위치할 수 있다. 캐소드 전극(CE)은 비표시 영역(NDA)에서 연결 전극(CNE)과 전기적으로 연결되고 연결 전극(CNE)과 접촉할 수 있다. 전원 공급 배선(VSL)에 제공되는 구동전압(예컨대, ELVSS전압)은 연결 전극(CNE)을 경유하여 캐소드 전극(CE)에 전달될 수 있다.
몇몇 실시예에서 캐소드 전극(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 캐소드 전극(CE)이 상기 반투과성을 갖는 경우에, 캐소드 전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CE)의 두께가 수십 내지 수백 옹스트롬인 경우에, 캐소드 전극(CE)은 반투과성을 가질 수 있다.
캐소드 전극(CE)이 투과성을 갖는 경우, 캐소드 전극(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(CE)은 WxOx(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 캐소드 전극(CE)은 발광층(OL)을 완전히 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 도 11에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(CE)의 단부는 발광층(OL)의 단부보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있으며, 발광층(OL)의 단부는 캐소드 전극(CE)에 의해 완전히 커버될 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제1 발광 소자(ED1)를 이루고, 제2 애노드 전극(AE2), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제2 발광 소자(ED2)를 이루고, 제3 애노드 전극(AE3), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CE)은 제3 발광 소자(ED3)를 이룰 수 있다. 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)는 각각 출사광(LE)을 방출할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 발광층(OL)에서 최종적으로 출사되는 출사광(LE)은 제1 성분(LE1) 및 제2 성분(LE2)이 혼합된 혼합광일 수 있다. 출사광(LE) 중 제1 성분(LE1) 과 제2 성분(LE2)은 각각 피크 파장이 440nm 이상 480nm 미만일 수 있다. 즉, 출사광(LE)은 청색광일 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 몇몇 실시예에서 발광층(OL)은 복수의 발광층이 중첩 배치된 구조, 예컨대 탠덤(tandem) 구조로 이루어질 수 있다. 예시적으로 발광층(OL)은 제1 발광층(EML1)을 포함하는 제1 스택(ST1), 제1 스택(ST1) 상에 위치하고 제2 발광층(EML2)을 포함하는 제2 스택(ST2), 제2 스택(ST2) 상에 위치하고 제3 발광층(EML3)을 포함하는 제3 스택(ST3), 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치하는 제1 전하생성층(CGL1) 및 제2 스택(ST2)과 제3 스택(ST3) 사이에 위치하는 제2 전하생성층(CGL2)을 포함할 수 있다. 제1 스택(ST1), 제2 스택(ST2) 및 제3 스택(ST3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 모두 상기 제1 색의 광, 예컨대 청색광을 발광할 수 있다. 예시적으로 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 각각 청색 발광층일 수 있으며, 유기물을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나는 제1 피크 파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나는 상기 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장의 제2 청색광을 출사할 수 있다. 예시적으로 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 어느 하나는 제1 피크 파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 둘은 제2 피크 파장을 갖는 제2 청색광을 출사할 수 있다. 즉, 발광층(OL)에서 최종적으로 출사되는 출사광(LE)은 제1 성분(LE1) 및 제2 성분(LE2)이 혼합된 혼합광일 수 있으며, 제1 성분(LE1) 은 제1 피크 파장을 갖는 제1 청색광이고, 제2 성분(LE2)은 제2 피크 파장을 갖는 제2 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 피크 파장과 상기 제2 피크 파장 중 하나의 범위는 440nm 이상 460nm 미만일 수 있으며, 상기 제1 피크 파장과 상기 제2 피크 파장 중 나머지 하나의 범위는 460nm 이상 480nm 이하일 수 있다. 다만 상기 제1 피크 파장의 범위 및 상기 제2 피크 파장의 범위에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 상기 제1 피크 파장의 범위 및 상기 제2 피크 파장의 범위는 모두 460nm를 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제1 청색광 및 상기 제2 청색광 중 어느 하나는 진청색(deep blue color)의 광일 수 있으며, 상기 제1 청색광 및 상기 제2 청색광 중 다른 하나는 연청색(sky blue color)의 광일 수 있다.
몇몇 실시예에 의하는 경우, 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광이며, 장파장 성분 및 단파장 성분을 포함할 수 있다. 따라서 최종적으로 발광층(OL)은 출사광(LE)으로서 좀 더 넓게 분포(broad)된 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사할 수 있게 된다. 이를 통해, 종래의 좁은(sharp) 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사하는 발광 소자 대비 측면 시야각에서의 색 시인성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
몇몇 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 각각 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2''-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
청색광을 출사하는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 은 각각 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 유기 금속 착체(organometallic complex)를 포함하는 인광 물질을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 하나는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나와 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사한다. 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사하기 위해서, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 서로 동일한 재료를 포함하고, 공진 거리를 조절하는 방법을 이용할 수 있다. 또는 서로 다른 파장 영역대의 청색광을 출사하기 위해서, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 하나와 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나는 서로 상이한 재료를 포함할 수도 있다.
다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 각각이 발광하는 청색광은, 모두 피크 파장이 440nm 내지 480nm일 수도 있으며, 서로 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
또는 또 다른 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 피크 파장을 갖는 제1 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 다른 하나는 상기 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장의 제2 청색광을 출사하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 하나는 상기 제1 피크 파장 및 상기 제2 피크 파장과 다른 제3 피크 파장의 제3 청색광을 출사할 수도 있다. 몇몇 다른 실시예에서 상기 제1 피크 파장, 상기 제2 피크 파장 및 상기 제3 피크 파장 중 어느 하나의 범위는 440nm 이상 460nm 미만일 수 있다. 상기 제1 피크 파장, 상기 제2 피크 파장 및 상기 제3 피크 파장 중 다른 하나의 범위는 460nm 이상 470nm 미만일 수 있으며, 상기 제1 피크 파장, 상기 제2 피크 파장 및 상기 제3 피크 파장 중 나머지 하나의 범위는 470nm 이상 480nm 이하일 수도 있다.
또 다른 몇몇 실시예에 의하는 경우, 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광이며, 장파장 성분, 중간파장 성분 및 단파장 성분을 포함한다. 따라서 최종적으로 발광층(OL)은 출사광(LE)으로서 좀 더 넓게 분포(broad)된 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사할 수 있으며, 측면 시야각에서의 색 시인성을 개선할 수 있게 된다.
상술한 실시예들에 따르면, 탠덤(tandem) 방식의 구조, 즉 복수개의 발광층을 적층한 구조를 채용하지 않는 종래의 발광 소자에 비하여 광 효율이 상승하는 이점 및 표시 장치의 수명을 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.
또는, 몇몇 또 다른 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나는 상기 제3 색의 광, 예컨대 청색광을 발광하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나는 상기 제3 색의 광, 예컨대 녹색광을 발광할 수도 있다. 몇몇 또 다른 실시예에서 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 어느 하나가 방출하는 청색광의 피크 파장의 범위는 440nm 이상 내지 480nm 이하 또는 460nm 이상 내지 480nm 이하 일 수 있다. 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 적어도 다른 하나가 방출하는 녹색광은 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 가질 수 있다.
예시적으로 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 어느 하나는 녹색광을 방출하는 녹색 발광층이고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 둘은 청색광을 방출하는 청색 발광층일 수 있다. 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 나머지 둘이 청색 발광층인 경우, 두개의 청색 발광층이 방출하는 청색광의 피크 파장 범위는 동일할 수도 있으며, 두개의 청색 발광층이 방출하는 피크 파장의 범위가 서로 다를 수도 있다.
몇몇 또 다른 실시예에 의하는 경우, 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광인 제1 성분(LE1)과 녹색광인 제2 성분(LE2)이 혼합된 혼합광일 수 있다. 예시적으로 제1 성분(LE1)이 진청색의 광이고, 제2 성분(LE2)이 녹색광인 경우, 출사광(LE)은 연청색(sky blue color)을 갖는 광일 수 있다. 상술한 실시예들과 유사하게 발광층(OL)에서 출사되는 출사광(LE)은 청색광과 녹색광의 혼합광으로서, 장파장 성분 및 단파장 성분을 포함한다. 따라서 최종적으로 발광층(OL)은 출사광(LE)으로서 좀 더 넓게 분포(broad)된 발광 피크(peak)를 가지는 청색광을 출사할 수 있으며, 측면 시야각에서의 색 시인성을 개선할 수 있게 된다. 또한 출사광(LE) 중 제2 성분(LE2)이 녹색광인 바, 표시 장치(1)에서 외부로 제공되는 광 중, 녹색광 성분을 보완할 수 있으며, 이에 따라 표시 장치(1)의 색 재현성이 향상될 수 있다.
또 다른 몇몇 실시예에서, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 중 녹색 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 녹색 발광층이 포함하는 호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2''-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
상기 녹색 발광층이 포함하는 도펀트는 예를 들어 Alq3(tris-(8-hydroyquinolato) aluminum(III))을 포함하는 형광물질, 또는 인광물질로서, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium), Ir(ppy)2(acac)(Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(mpyp)3(2-phenyl-4-methyl-pyridine iridium) 등이 예시될 수 있다.
제1 전하생성층(CGL1)은 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 각 발광층에 전하를 주입하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에서 전하 균형을 조절하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL12)은 n형 전하생성층(CGL11) 상에 배치될 수 있으며, n형 전하생성층(CGL11)과 제2 스택(ST2) 사이에 위치할 수 있다.
제1 전하생성층(CGL1)은 n형 전하생성층(CGL11) 및 p형 전하생성층(CGL12)이 서로 접합 구조를 가질 수도 있다. n형 전하생성층(CGL11)은 애노드 전극(AE1, AE2, AE3) 및 캐소드 전극(CE) 중 애노드 전극(AE1, AE2, AE3)에 더 인접하게 배치된다. p형 전하생성층(CGL12)은 애노드 전극(AE1, AE2, AE3) 및 캐소드 전극(CE) 중 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치된다. n형 전하생성층(CGL11)은 애노드 전극(AE1, AE2, AE3)에 인접한 제1 발광층(EML1)에 전자를 공급하고, p형 전하생성층(CGL12)은 제2 스택(ST2)에 포함되는 제2 발광층(EML2)에 정공을 공급한다. 제1 전하생성층(CGL1)을 제1 스택(ST1) 및 제2 스택(ST2) 사이에 배치하여, 각각의 발광층에 전하를 제공함으로써, 발광 효율을 증대시키고, 구동 전압을 낮출 수 있게 된다.
제1 스택(ST1)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 위에 위치할 수 있으며, 제1 정공수송층(HTL1), 제1 전자블록층(BIL1), 제1 전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제1 정공수송층(HTL1)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 상에 위치할 수 있다. 제1 정공수송층(HTL1)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, 정공수송물질을 포함할 수 있다. 상기 정공수송물질은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전자블록층(BIL1)은 제1 정공수송층(HTL1) 상에 위치할 수 있으며, 제1 정공수송층(HTL1)과 제1 발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 제1 전자블록층(BIL1)은 제1 발광층(EML1)에서 생성된 전자가 제1 정공수송층(HTL1)으로 넘어오는 것을 방지하도록 정공수송물질과 금속 또는 금속 화합물을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 상술한 제1 정공수송층(HTL1)과 제1 전자블록층(BIL1)은 각각의 재료가 혼합된 단일층으로도 이루어질 수도 있다.
제1 전자수송층(ETL1)은 제1 발광층(EML1) 상에 위치할 수 있으며, 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 발광층(EML1) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전자수송층(ETL1)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물과 같은 전자수송물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 수송 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다. 제2 스택(ST2)은 제1 전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있으며, 제2 정공수송층(HTL2), 제2 전자블록층(BIL2), 제2 전자수송층(ETL1)을 더 포함할 수 있다.
제2 정공수송층(HTL2)은 제1 전하생성층(CGL1) 상에 위치할 수 있다. 제2 정공수송층(HTL2)은 제1 정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제2 정공수송층(HTL2)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
제2 전자블록층(BIL2)은 제2 정공수송층(HTL2) 상에 위치할 수 있으며, 제2 정공수송층(HTL2)과 제1 발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전자블록층(BIL2)은 제1 전자블록층(BIL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자블록층(BIL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제2 전자수송층(ETL2)은 제2 발광층(EML2) 상에 위치할 수 있으며, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 발광층(EML2) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전자수송층(ETL2)은 제1 전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제2 전자수송층(ETL2)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 제2 스택(ST2) 상에 위치하고 제2 스택(ST2)과 제3 스택(ST3) 사이에 위치할 수 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 상술한 제1 전하생성층(CGL1)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 전하생성층(CGL2)은 제2 스택(ST2)에 보다 인접하게 배치된 n형 전하생성층(CGL21)과, 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치되는 p형 전하생성층(CGL22)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL22)은 n형 전하생성층(CGL21) 상에 배치될 수 있다.
제2 전하생성층(CGL2)은 n형 전하생성층(CGL21) 및 p형 전하생성층(CGL22)이 서로 접한 구조로 이루어질 수 있다. 제1 전하생성층(CGL1) 및 제2 전하생성층(CGL2)은 서로 다른 재료로 이루어질 수도 있고, 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
제2 스택(ST2)은 제2 전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있으며, 제3 정공수송층(HTL3) 및 제3 전자수송층(ETL3)을 더 포함할 수 있다.
제3 정공수송층(HTL3)은 제2 전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있다. 제3 정공수송층(HTL3)은 제1 정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제3 정공수송층(HTL3)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제3 정공수송층(HTL3)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제3 전자수송층(ETL3)은 제3 발광층(EML3) 상에 위치할 수 있으며, 캐소드 전극(CE)과 제3 발광층(EML3) 사이에 위치할 수 있다. 제3 전자수송층(ETL3)은 제1 전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1 전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제3 전자수송층(ETL3)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제3 전자수송층(ETL3)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
도면에는 미도시 하였으나, 제1 스택(ST1)과 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 사이, 제2 스택(ST2)과 제1 전하생성층(CGL1) 사이, 제3 스택(ST3)과 제2 전하생성층(CGL2) 사이 중 적어도 어느 하나에는 각각 정공주입층(Hole Injection Layer)이 더 위치할 수도 있다. 상기 정공주입층은 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)으로 보다 원활하게 정공이 주입되도록 하는 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 정공주입층은 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 몇몇 실시예에서 상기 정공주입층은 제1 스택(ST1)과 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3) 사이, 제2 스택(ST2)과 제1 전하생성층(CGL1) 사이, 제3 스택(ST3)과 제2 전하생성층(CGL2) 사이에 각각 위치할 수도 있다.
도면에는 미도시 하였으나, 제3 전자수송층(ETL3)과 캐소드 전극(CE) 사이, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 스택(ST2) 사이 및 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 스택(ST1) 사이 중 적어도 어느 하나에는 전자주입층(Electron Injection Layer)이 더 위치할 수도 있다. 상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 전자주입층은 금속할라이드 화합물일 수 있으며, 예를 들어 MgF2, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI 및 CaF2 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 전자주입층은 Yb, Sm, Eu 등의 란탄계 물질을 포함할 수도 있다. 또는 상기 전자주입층은 RbI:Yb, KI:Yb 등과 같이 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 동시에 포함할 수도 있다. 상기 전자주입층이 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 모두 포함하는 경우, 상기 전자주입층은 금속할라이드 물질과 란탄계 물질을 공증착(Co-deposition)하여 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 전자주입층은 제3 전자수송층(ETL3)과 캐소드 전극(CE) 사이, 제2 전하생성층(CGL2)과 제2 스택(ST2) 사이 및 제1 전하생성층(CGL1)과 제1 스택(ST1) 사이에 각각 위치할 수도 있다.
상술한 구조 이외에도 발광층(OL)의 구조는 변형될 수도 있다. 예시적으로 발광층(OL)은 도 10에 도시된 발광층(OLa)과 같이 변형될 수도 있다. 도 10에 도시된 발광층(OLa)은 도 9에 도시된 구조와 달리 제3 스택(ST3) 상에 제4 스택(ST4)을 더 포함할 수 있으며, 제3 스택(ST3)과 제4 스택(ST4) 사이에 위치하는 제3전하생성층(CGL3)도 더 포함할 수 있다.
제4 스택(ST4)은 제4발광층(EML4)을 포함할 수 있으며, 제4정공수송층(HTL4), 제3전자블록층(BIL3) 및 제4전자수송층(ETL4)을 더 포함할 수 있다.
발광층(OL)이 포함하는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4)은 각각 상기 제1 색의 광, 예컨대 청색광을 방출할 수 있다. 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4) 중 적어도 어느 하나와, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4) 중 적어도 다른 하나는 서로 다른 피크 파장 범위의 청색광을 방출할 수 있다.
또는 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4) 중 적어도 어느 하나는 녹색광을 방출하고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4) 중 적어도 다른 하나는 청색광을 방출할 수도 있다. 예를 들어, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 제3 발광층(EML3) 및 제4발광층(EML4) 중 어느 하나는 녹색 발광층이고, 나머지 3개의 발광층들은 모두 청색 발광층일 수도 있다.
또는 제4 발광층(EML4)은 녹색 발광층이고, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3)은 모두 청색 발광층일 수도 있다.
제4정공수송층(HTL4)은 제2전하생성층(CGL2) 상에 위치할 수 있다. 제4정공수송층(HTL4)은 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1정공수송층(HTL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제4정공수송층(HTL4)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제4정공수송층(HTL4)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제3전자블록층(BIL3)은 제4정공수송층(HTL4) 상에 위치할 수 있으며, 제4정공수송층(HTL4)과 제4발광층(EML4) 사이에 위치할 수 있다. 제3전자블록층(BIL3)은 제1전자블록층(BIL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1전자블록층(BIL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 몇몇 다른 실시예에서 제3전자블록층(BIL3)은 생략될 수도 있다.
제4전자수송층(ETL4)은 제4발광층(EML4) 상에 위치할 수 있으며, 제3전하생성층(CGL3)과 제4발광층(EML4) 사이에 위치할 수 있다. 제4전자수송층(ETL4)은 제1전자수송층(ETL1)과 동일한 물질 및 동일한 구조로 이루어지거나, 제1전자수송층(ETL1)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 제4전자수송층(ETL4)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 제4전자수송층(ETL4)이 복수의 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제3전하생성층(CGL3)은 상술한 제1전하생성층(CGL1)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3전하생성층(CGL3)은 제2 스택(ST2)에 보다 인접하게 배치된 n형 전하생성층(CGL31)과, 캐소드 전극(CE)에 더 인접하게 배치되는 p형 전하생성층(CGL32)을 포함할 수 있다. p형 전하생성층(CGL32)은 n형 전하생성층(CGL31) 상에 배치될 수 있다.
도면에는 미도시 하였으나, 제4 스택(ST4)과 제3전하생성층(CGL3) 사이에는 상기 전자주입층이 더 위치할 수도 있다. 또한 제4 스택(ST4)과 제2전하생성층(CGL2) 사이에는 상기 정공주입층이 더 위치할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 도 9에 도시된 발광층(OL) 및 도 10에 도시된 발광층(OLa)은 모두 공통적으로 적색 발광층을 포함하지 않을 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 색의 광, 예컨대 적색광을 방출하지 않을 수 있다. 즉, 출사광(LE)은 피크 파장이 610nm 내지 약 650nm의 범위인 광 성분을 포함하지 않을 수 있으며, 출사광(LE)은 피크 파장이 440nm 내지 550nm인 광 성분만을 포함할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 비표시 영역(NDA)에서 제2 절연층(117) 상에는 댐부재(DM)가 위치할 수 있다.
댐부재(DM)는 전원 공급 배선(VSL)보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도 11에 도시된 바와 같이, 댐부재(DM)와 표시 영역(DA) 사이에 전원 공급 배선(VSL)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 댐부재(DM)는 복수의 댐을 포함할 수 있다. 예를 들어 댐부재(DM)는 복수의 댐을 포함할 수 있다. 예를 들어 댐부재(DM)는 제1 댐(D1) 및 제2 댐(D2)을 포함할 수 있다.
제1 댐(D1)은 전원 공급 배선(VSL)과 부분적으로 중첩할 수 있으며, 전원 공급 배선(VSL)을 사이에 두고 제3 절연층(130)과 이격될 수 있다 몇몇 실시예에서 제1 댐(D1)은 제2 절연층(117) 상에 위치하는 제1 하부 댐패턴(D11) 및 제1 하부 댐패턴(D11) 상에 위치하는 제1 상부 댐패턴(D12)을 포함할 수 있다.
제2 댐(D2)은 제1 댐(D1)의 외측에 위치할 수 있으며, 제1 댐(D1)과 이격될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 댐(D2)은 제2 절연층(117) 상에 위치하는 제2 하부 댐패턴(D21) 및 제2 하부 댐패턴(D21) 상에 위치하는 제2 상부 댐패턴(D22)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 하부 댐패턴(D11) 및 제2 하부 댐패턴(D21)은 제3 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어지고 제3 절연층(130)과 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 상부 댐패턴(D12) 및 제2 상부 댐패턴(D22) 은 화소 정의막(150)과 동일한 물질로 이루어지고 화소 정의막(150)과 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 댐(D1) 및 제2 댐(D2)의 높이는 서로 다를 수 있다. 예를 들어 제2 댐(D2)의 높이는 제1 댐(D1)의 높이보다 높을 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)에서 멀어질수록 댐부재(DM)가 포함하는 댐의 높이는 점차 증가할 수 있으며, 이에 따라 후술할 봉지층(170)이 포함하는 유기층(173)의 형성과정에서 유기물이 넘치는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
도 8 및 도 11에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(CE) 상에는 제1 캡핑층(160)이 위치할 수 있다. 제1 캡핑층(160)은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 배치될 수 있으며, 시야각 특성을 개선하고 외부 발광 효율을 증가시킬 수 있다.
제1 캡핑층(160)은 광투과성을 갖는 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 제1 캡핑층(160)은 무기층으로 이루어지거나, 또는 유기층으로 이루어질 수 있으며, 무기 입자가 포함된 유기층으로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(160)은 트리아민(triamine) 유도체, 카르바졸(carbazole biphenyl) 유도체, 아릴렌디아민(arylenediamine) 유도체 또는 알루미 키노륨 복합체(Alq3) 등을 포함할 수 있다.
또한 제1 캡핑층(160)은 고굴절 물질과 저굴절 물질의 혼합물로 이루어질 수도 있다. 또는 제1 캡핑층(160)은 굴절률이 서로 다른 두개의 층, 예컨대 고굴절층과 저굴절층을 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 캡핑층(160)은 캐소드 전극(CE)을 완전히 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 캡핑층(160)의 단부는 캐소드 전극(CE)의 단부보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있으며, 캐소드 전극(CE)의 단부는 제1 캡핑층(160)에 의해 완전히 커버될 수 있다.
제1 캡핑층(160) 상에는 봉지층(170)이 배치될 수 있다. 봉지층(170)은 수분과 같은 외부 이물질 등으로부터 봉지층(170)의 아래에 위치하는 구성들, 예컨대 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)을 보호한다. 봉지층(170)은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(NLA)에 공통적으로 배치된다. 몇몇 실시예에서 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)을 직접 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 봉지층(170)과 캐소드 전극(CE) 사이에는, 캐소드 전극(CE)을 커버하는 캡핑층(도면 미도시)이 더 배치될 수 있으며, 이러한 경우 봉지층(170)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다. 봉지층(170)은 박막 봉지층(Thin Film Encapsulation Layer)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 봉지층(170)은 제1 캡핑층(160) 상에 순차적으로 적층된 하부 무기층(171), 유기층(173) 및 상부 무기층(175)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부 무기층(171)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)를 커버할 수 있다. 하부 무기층(171)은 비표시 영역(NDA)에서 댐부재(DM)를 커버하고, 댐부재(DM)의 외측까지 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서 하부 무기층(171)은 제1 캡핑층(160)을 완전히 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 하부 무기층(171)의 단부는 제1 캡핑층(160)의 단부보다 상대적으로 외측에 위치할 수 있으며, 제1 캡핑층(160)의 단부는 하부 무기층(171)에 의해 완전히 커버될 수 있다.
하부 무기층(171)은 복수의 적층된 막을 포함할 수 있다. 하부 무기층(171) 상에는 유기층(173)이 위치할 수 있다. 유기층(173)은 표시 영역(DA)에서 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)를 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 유기층(173)의 일부는 비표시 영역(NDA)에 위치하되, 댐부재(DM)의 외측에는 위치하지 않을 수 있다. 유기층(173)의 일부가 제1 댐(D1)보다 내측에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서 유기층(173)의 일부는 제1 댐(D1)과 제2 댐(D2) 사이의 공간에 수용되고, 유기층(173)의 단부는 제1 댐(D1)과 제2 댐(D2) 사이의 영역에 위치할 수도 있다.
유기층(173) 상에는 상부 무기층(175)이 위치할 수 있다. 상부 무기층(175)은 유기층(173)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상부 무기층(175)은 비표시 영역(NDA)에서 하부 무기층(171)과 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상부 무기층(175)의 단부와 하부 무기층(171)의 단부의 단부는 실질적으로 정렬될 수도 있다. 상부 무기층(175)은 복수의 적층된 막을 포함할 수 있다. 상부 무기층(175)의 더욱 자세한 구조에 대해서는 후술하기로 한다.
몇몇 실시예에서 하부 무기층(171) 및 상부 무기층(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON), 리튬 플로라이드 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 유기층(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
이하 도 1 내지 도 11에 부가하여 도 12 내지 도 15를 더 참조하여 색 변환 기판(30)에 대해 설명한다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제3 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다. 도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제1 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다. 도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 색 변환 기판에서, 제2 컬러 필터의 개략적인 배치를 도시한 평면도이다.
도 8, 및 도 11에 도시된 제2 베이스부(310)는 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 베이스부(310)는 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 베이스부(310)는 유리 기판 또는 플라스틱 기판 상에 위치하는 별도의 층, 예시적으로 무기막 등의 절연층 등을 더 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제2 베이스부(310)에는 복수의 투광 영역(TA1, TA2, TA3) 및 차광 영역(BA)이 정의될 수 있음은 상술한 바와 같다. 제2 베이스부(310)가 유리 기판을 포함할 경우, 제2 베이스부(310)의 굴절률은 약 1.5 일 수 있다.
도 8, 및 도 11에 도시된 바와 같이, 표시 기판(10)을 향하는 제2 베이스부(310)의 일면 상에는 컬러 필터층이 배치될 수 있다. 컬러 필터층은 컬러 필터들(231, 233, 235)들과 차광 패턴(250)을 포함할 수 있다.
도 8, 도 11, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 컬러 필터들(231, 233, 235)은 각각 투광 영역(TA1, TA2, TA3)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 차광 패턴(250)은 차광 영역(BA)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(231)는 제1 투광 영역(TA1)에 중첩하고, 제2 컬러 필터(233)는 제2 투광 영역(TA2)에 중첩하고, 제3 컬러 필터(235)는 제3 투광 영역(TA3)에 중첩할 수 있다. 차광 패턴(250)은 차광 영역(BA)과 중첩하도록 배치되어 광의 투과를 차단할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광 패턴(250)은 평면상 대략 격자 형태로 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 차광 패턴(250)은 제2 베이스부(310)의 일면 상의 제1 차광 패턴부(235a), 제1 차광 패턴부(235a) 상의 제2 차광 패턴부(231a), 및 제2 차광 패턴부(231a) 상의 제3 차광 패턴부(233a)를 포함할 수 있다. 제1 차광 패턴부(235a)는 제3 컬러 필터(235)와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2 차광 패턴부(231a)는 제1 컬러 필터(231)와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제3 차광 패턴부(233a)는 제2 컬러 필터(233)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 차광 패턴(250)은 차광 영역(BA) 상에서, 제2 베이스부(310)의 일면으로부터 제1 차광 패턴부(235a), 제2 차광 패턴부(231a), 및 제3 차광 패턴부(233a)가 순차 적층된 구조를 포함할 수 있다. 차광 패턴(250)은 차광 영역(BA) 상에서, 제2 베이스부(310)의 일면으로부터 제1 차광 패턴부(235a), 제2 차광 패턴부(231a), 및 제3 차광 패턴부(233a)가 순차 적층된 구조를 가지면, 차광 영역(BA)으로 외광(La)이 입사되는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 차광 패턴부(235a)를 투과하면서 상기 제3 색의 광을 제외한 상기 제1 색의 광 및 상기 제2 색의 광은 모두 제1 차광 패턴부(235a)에 의해 흡수되고, 상기 제3 색의 광도 제2 및 제3 차광 패턴부(231a, 233a)을 투과하면서 흡수될 수 있다. 다만, 도시되지 않았으나, 제1 차광 패턴부(235a)에 의해 투과되지 않고 제1 타광 패턴부(235a)와 제2 베이스부(310)의 계면에서 외부로 반사된 광이 일부 존재할 수 있다. 이 때의 광은 상기 제3 색의 광일 수 있다.
다른 몇몇 실시예에서, 몇몇 실시예에서 차광 패턴(250)은 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 차광 물질은 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터(231)는 청색광 및 녹색광을 차단하는 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 컬러 필터(231)는 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제2 색의 광(예컨대, 녹색광) 및 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제1 컬러 필터(231)는 적색 컬러 필터(red color filter)일 수 있으며, 적색의 색재(red colorant)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(231)는 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 적색의 색재를 포함할 수 있다.
제2 컬러 필터(233)는 청색광 및 적색광을 차단하는 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 컬러 필터(233)는 상기 제2 색의 광(예컨대, 녹색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광) 및 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제2 컬러 필터(233)는 녹색 컬러 필터(green color filter)일 수 있으며, 녹색의 색재(green colorant)를 포함할 수 있다.
제3 컬러 필터(235)는 상기 제3 색의 광(예컨대, 청색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광(예컨대, 적색광) 및 상기 제2 색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 컬러 필터(235)는 청색 컬러 필터(blue color filter)일 수 있으며, 청색염료(blue dye) 또는 청색안료(blue pigment)와 같은 청색의 색재(blue colorant)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 색재(colorant)란, 염료(dye) 및 안료(pigment)를 모두 포함하는 개념이다.
도 8, 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 베이스부(310)의 일면 상에는 차광 패턴(250), 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(233) 및 제3 컬러 필터(235)를 커버하는 저굴절층(391)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 저굴절층(391)은 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(233) 및 제3 컬러 필터(235)와 직접 접촉할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 저굴절층(391)은 차광 패턴(250)과도 직접 접촉할 수 있다.
저굴절층(391)은 파장 변환 패턴(340, 350), 및 광 투과 패턴(330)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 저굴절층(391)은 무기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 저굴절층(391)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 저굴절층(391)의 굴절률을 낮추기 위해 저굴절층 내부에 복수의 중공 입자들이 형성될 수도 있다.
저굴절층(391)과 파장 변환 패턴(340, 350) 사이 및 저굴절층(391)과 광 투과 패턴(330) 사이에는 저굴절 캡핑층(392)이 더 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 저굴절 캡핑층(392)은 파장 변환 패턴(340, 350), 및 광 투과 패턴(330)과 직접 접촉할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 저굴절 캡핑층(392)은 뱅크 패턴(370)과도 직접 접촉할 수 있다.
저굴절 캡핑층(392)은 파장 변환 패턴(340, 350), 및 광 투과 패턴(330)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 저굴절 캡핑층(392)은 무기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 저굴절 캡핑층(392)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 저굴절 캡핑층(392)의 굴절률을 낮추기 위해 저굴절층 내부에 복수의 중공 입자들이 형성될 수도 있다.
저굴절 캡핑층(392)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(233) 및 제3 컬러 필터(235) 등을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한 저굴절 캡핑층(392)은 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(233) 및 제3 컬러 필터(235)에 포함된 색재가 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(233) 및 제3 컬러 필터(235)와 다른 구성, 예컨대 제1 파장 변환 패턴(340) 및 제2 파장 변환 패턴(350) 등으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 저굴절층(391) 및 저굴절 캡핑층(392)은 비표시 영역(NDA)에서 차광 패턴(250)의 측면을 감쌀 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 저굴절층(391)은 비표시 영역(NDA)에서 제2 베이스부(310)와 직접 접촉할 수 있다.
표시 기판(10)을 향하는 저굴절 캡핑층(392)의 일면 상에는 뱅크 패턴(370)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 저굴절 캡핑층(392)의 일면 바로 위에 위치하고 저굴절 캡핑층(392)과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 비발광 영역(NLA) 또는 차광 영역(BA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 도 15에 도시된 바와 같이 평면상에서 제1 투광 영역(TA1), 제2 투광 영역(TA2) 및 제3 투광 영역(TA3)을 둘러쌀 수 있다. 뱅크 패턴(370)은 제1 파장 변환 패턴(340), 제2 파장 변환 패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 배치되는 공간을 구획할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 일체로 연결된 하나의 패턴으로 이루어질 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 뱅크 패턴(370) 중 제1 투광 영역(TA1)을 둘러싸는 부분, 뱅크 패턴(370) 중 제2 투광 영역(TA2)을 둘러싸는 부분 및 뱅크 패턴(370) 중 제3 투광 영역(TA3)을 둘러싸는 부분은 서로 분리된 개별 패턴으로 구성될 수도 있다.
제1 파장 변환 패턴(340), 제2 파장 변환 패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 노즐 등을 이용하여 잉크 조성물을 토출하는 방식, 즉 잉크젯 프린팅 방식으로 형성되는 경우, 뱅크 패턴(370)은 토출된 잉크 조성물을 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다. 즉, 뱅크 패턴(370)은 격벽으로 기능할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 화소 정의막(150)과 중첩할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이 몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 비표시 영역(NDA) 내에 더 위치할 수 있다. 뱅크 패턴(370)은 비표시 영역(NDA)에서 차광 패턴(250)과 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 광경화성을 갖는 유기물을 포함할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 뱅크 패턴(370)은 광경화성을 갖고 차광물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크 패턴(370)이 차광성을 갖는 경우, 표시 영역(DA)에서 서로 이웃하는 발광 영역 간에 광이 침범하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 뱅크 패턴(370)은 제2 발광 소자(ED2)에서 방출된 출사광(LE)이 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하는 제1 파장 변환 패턴(340)에 입사하는 것을 저지할 수 있다. 또한 뱅크 패턴(370)은 비발광 영역(NLA) 및 비표시 영역(NDA)에서 뱅크 패턴(370)의 하부에 위치하는 구성들로 외광이 침투하는 것을 차단하거나 저지할 수 있다.
도 8, 및 도 11에 도시된 바와 같이, 저굴절층(391)의 하부상에는 제1 파장 변환 패턴(340), 제2 파장 변환 패턴(350) 및 광투과 패턴(330)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340), 제2 파장 변환 패턴(350) 및 광투과 패턴(330)은 표시 영역(DA) 내에 위치할 수 있다.
광투과 패턴(330)은 제3 발광 영역(LA3) 또는 제3 발광 소자(ED3)와 중첩할 수 있다. 광투과 패턴(330)은 제3 투광 영역(TA3)에서 뱅크 패턴(370)에 의해 구획된 공간 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 섬형의 패턴(island shape pattern)으로 이루어질 수 있다. 도면에는 광투과 패턴(330)이 차광 영역(BA)과는 비중첩하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 몇몇 다른 실시예에서, 광투과 패턴(330)의 일부는 차광 영역(BA)과 중첩할 수도 있다.
광투과 패턴(330)은 입사광을 투과시킬 수 있다. 제3 발광 소자(ED3)에서 제공된 출사광(LE)은 상술한 바와 같이 청색광일 수 있다. 청색광인 출사광(LE)은 광투과 패턴(330) 및 제3 컬러 필터(235)를 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 출사된다. 즉, 제3 발광 영역(LA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제3 광(L3)은 청색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 제3 베이스 수지(331)를 포함할 수 있으며, 제3 베이스 수지(331) 내에 분산된 제3 산란체(333)를 더 포함할 수 있다. 이하에서는, 광투과 패턴(330) 및 파장 변환 패턴(340, 350)들이 포함하는 베이스 수지, 산란체, 및/또는 파장 시프터를 명명하면서 각 구성들에 "제1", "제2", 및 "제3"이라는 서수를 붙여 광투과 패턴(330) 및 파장 변환 패턴(340, 350)들 간의 구성들을 구분하고 있지만, 광투과 패턴(330), 파장 변환 패턴(340, 350)들의 각 구성들에 병기된 상기 "제1", "제2", "제3" 서수는 이에 제한되지 않고, 그 순서들이 바뀌어 각 구성들에 병기될 수 있음은 물론이다.
제3 베이스 수지(331)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 베이스 수지(331)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제3 베이스 수지(331)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제3 산란체(333)는 제3 베이스 수지(331)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(331)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(333)는 광 산란 입자일 수 있다. 제3 산란체(333)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 제3 산란체(333)는 산화 티타늄(TiO2)을 포함할 수 있다.
제3 산란체(333)는 광투과 패턴(330)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 광투과 패턴(330)은 뱅크 패턴(370)과 직접 접촉할 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(340)은 제1 발광 영역(LA1) 또는 제1 발광 소자(ED1) 또는 제1 투광 영역(TA1)과 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340)은 제1 투광 영역(TA1)에서 뱅크 패턴(370)에 의해 구획된 공간 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340)은 도 15에 도시된 바와 같이 아일랜드 패턴 형태로 이루어질 수 있다. 도면에는 제1 파장 변환 패턴(340)이 차광 영역(BA)과는 비중첩하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 몇몇 다른 실시예에서, 제1 파장 변환 패턴(340)의 일부는 차광 영역(BA)과 중첩할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340)은 뱅크 패턴(370)과 직접 접촉할 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(340)은 후술할 제1 파장 시프터(345)를 통해 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340)은 제1 발광 소자(ED1)에서 제공된 출사광(LE)을 610nm 내지 650nm 범위의 피크 파장을 갖는 적색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(340)은 제1 베이스 수지(341) 및 제1 베이스 수지(341) 내에 분산된 제1 파장 시프터(345)를 포함할 수 있으며, 제1 베이스 수지(341) 내에 분산된 제1 산란체(343)를 더 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(341)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 베이스 수지(341)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 베이스 수지(341)는 제3 베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제3 베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 파장 시프터(345)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; InZnP, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InAlP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 시프터(345)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(1)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또, 제1 파장 시프터(345)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 제1 투광 영역(TA1)에서 표시되는 제1 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제1 발광 소자(ED1)에서 제공된 출사광(LE) 중 일부는 제1 파장 시프터(345)에 의해 적색광으로 변환되지 않고 제1 파장 변환 패턴(340)을 투과하여 방출될 수 있다. 출사광(LE)중 제1 파장 변환 패턴(340)에 의해 변환되지 않고 제1 컬러 필터(231)에 입사한 성분은, 제1 컬러 필터(231)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 출사광(LE)중 제1 파장 변환 패턴(340)에 의해 변환된 적색광은 제1 컬러 필터(231)를 투과하여 외부로 출사된다. 즉, 제1 투광 영역(TA1)을 통해 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제1 광(L1)은 적색광일 수 있다.
제1 산란체(343)는 제1 베이스 수지(341)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(341)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(343)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제1 산란체(343)에 대한 구체적 설명은 제3 산란체(333)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2 파장 변환 패턴(350)은 제2 투광 영역(TA2)에서 뱅크 패턴(370)에 의해 구획된 공간 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 파장 변환 패턴(350)은 도 19에 도시된 바와 같이 아일랜드 패턴 형태로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 도면에 도시된 바와는 달리, 제2 파장 변환 패턴(350)의 일부는 차광 영역(BA)과 중첩할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2 파장 변환 패턴(350)은 뱅크 패턴(370)과 직접 접촉할 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(350)은 후술할 제2 파장 시프터(355)를 통해 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 파장 변환 패턴(350)은 제2 발광 소자(ED2)에서 제공된 출사광(LE)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 파장 변환 패턴(350)은 제2 베이스 수지(351) 및 제2 베이스 수지(351) 내에 분산된 제2 파장 시프터(355)를 포함할 수 있으며, 제2 베이스 수지(351) 내에 분산된 제2 산란체(353)를 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(351)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 베이스 수지(351)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 베이스 수지(351)는 제3 베이스 수지(331)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제3 베이스 수지(331)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 파장 시프터(355)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2 파장 시프터(355)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1 파장 시프터(345)의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바 생략한다.
몇몇 실시예에서 제1 파장 시프터(345) 및 제2 파장 시프터(355)는 모두 양자점으로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 제2 파장 시프터(355)를 이루는 양자점의 입자 크기는 제1 파장 시프터(345)를 이루는 양자점의 입자 크기보다 작을 수 있다.
제2 산란체(353)는 제2 베이스 수지(351)와 상이한 굴절률을 가지고 제2 베이스 수지(351)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(353)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2 산란체(353)에 대한 구체적 설명은 제1 산란체(343)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2 파장 변환 패턴(350)에는 제3 발광 소자(ED3)에서 방출된 출사광(LE)이 제공될 수 있으며, 제2 파장 시프터(355)는 제3 발광 소자(ED3)에서 제공된 출사광(LE)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
청색광인 출사광(LE) 중 일부는 제2 파장 시프터(355)에 의해 녹색광으로 변환되지 않고 제2 파장 변환 패턴(350)을 투과할 수 있으며, 이는 제2 컬러 필터(233)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 출사광(LE) 중 제2 파장 변환 패턴(350)에 의해 변환된 녹색광은 제2 컬러 필터(233)를 투과하여 외부로 출사된다. 이에 따라 제2 투광 영역(TA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제2 광(L2)은 녹색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 캡핑층(393)은 비표시 영역(NDA)에서 뱅크 패턴(370)의 외측면을 감쌀 수 있다. 또한 캡핑층(393)은 비표시 영역(NDA)에서 저굴절 캡핑층(392)과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 캡핑층(393)은 무기물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 캡핑층(393)은 저굴절층(391)과 동일한 물질로 이루어지거나, 저굴절층(391)의 설명에서 언급된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 저굴절층(391) 및 캡핑층(393)이 모두 무기물로 이루어지는 경우, 비표시 영역(NDA)에서 저굴절층(391)과 캡핑층(393)은 서로 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 비표시 영역(NDA)에서 색 변환 기판(30)과 표시 기판(10) 사이에는 실링 부재(50)가 위치할 수 있다.
실링 부재(50)는 봉지층(170)과 중첩할 수 있다. 보다 구체적으로 실링 부재(50)는 하부 무기층(171) 및 상부 무기층(175)과 중첩하고 상기 유기층(173)과는 비중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 실링 부재(50)는 봉지층(170)과 직접 접촉할 수 있다. 보다 구체적으로 실링 부재(50)는 상부 무기층(175) 바로 위에 위치하고 상부 무기층(175)과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 실링 부재(50)의 아래에 위치하는 상부 무기층(175) 및 하부 무기층(171)은 실링 부재(50)의 외측까지 연장될 수 있다.
실링 부재(50)는 비표시 영역(NDA)에서 컬러 패턴(250), 제1 컬러 필터(231) 및 뱅크 패턴(370)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 실링 부재(50)는 뱅크 패턴(370)을 커버하는 캡핑층(393)과 직접 접촉할 수 있다.
실링 부재(50)는 접속 패드(PD)와 연결된 배선 등을 포함하는 제1 게이트 메탈(WR1)과 중첩할 수 있다. 실링 부재(50)가 제1 게이트 메탈(WR1)과 중첩하도록 배치됨에 따라, 비표시 영역(NDA)의 폭을 감소시킬 수 있다.
색 변환 기판(30), 표시 기판(10) 및 실링 부재(50) 사이의 공간에는 충진재(70)가 위치할 수 있음은 상술한 바와 같다. 몇몇 실시예에서 충진재(70)는 도 8, 및 도 11에 도시된 바와 같이, 캡핑층(393) 및 봉지층(170)의 상부 무기층(175)과 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제2 베이스부(310)의 컬러 필터(231, 233, 235)들과 접하는 면의 반대면에는 반사 방지 필름(AF)이 더 배치될 수 있다. 반사 방지 필름(AF)은 제2 베이스부(310)의 컬러 필터(231, 233, 235)들과 접하는 면의 반대면에 배치되어 외광이 표시 장치(1) 내부로 입사되는 것을 최소화할 수 있다. 반사 방지 필름(AF)은 표시면 측에 위치하는 제1 면과, 상기 제1 면의 반대면인 제2 면(제2 베이스부(310)와 접촉하는 면)을 포함하고, 상기 제1 면에서 반사된 외광과 상기 제2 면에서 반사된 외광들을 상호 간섭시키는 원리로 외광의 표시 장치(1) 내부로의 입사를 최소화할 수 있다. 도시되지 않았지만, 반사 방지 필름(AF)은 복수개의 굴절률이 조절된 층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 반사광들을 보여주는 모식도이다.
도 15를 참조하면, 한편, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 경우, 상술한 반사 방지 필름(AF)이 배치되고, 차광 영역(BA) 상에 차광 패턴(250)이 배치되더라도, 표시 장치(1)의 외부에서 입사되는 외광의 반사를 제어하는 데에 한계가 있다. 차광 영역(BA) 상에 차광 패턴(250)이 배치되더라도, 표시 장치(1)의 외부에서 입사되는 외광의 반사를 제어하는 데에 한계가 있는 이유는 상술한 바와 같이, 제1 차광 패턴부(235a)에 의해 투과되지 않고 제1 차광 패턴부(235a)와 제2 베이스부(310)의 계면에서 외부로 반사된 광(예컨대, 상기 제3 색의 광)이 일부 존재하고, 차광 영역(BA)의 면적에 따라 반사광 중 상기 제3 색의 광이 차지하는 비율이 상이해지기 때문이다. 투광 영역(TA1, TA2, TA3)을 통해 입사된 외광(LO)은 도 15에 도시된 바와 같이, 다양한 계면 및/또는 부재를 통해 외부로 반사될 수 있다. 먼저, 투광 영역(TA1, TA2, TA3)을 통해 입사된 외광(LO)의 반사광들은 반사 방지 필름(AF)과 제2 베이스부(310)의 계면에서 반사된 광 중 반사 방지 필름(AF)의 제1 면에서 반사된 광과 상호 간섭되어 상쇄되지 않는 반사광(LR1), 제2 베이스부(310)와 컬러 필터(231, 233, 235) 간 계면에서 반사된 반사광(LR2), 저굴절 캡핑층(392)과 파장 변환 패턴(340, 350)의 계면 및 저굴절 캡핑층(392)과 광 투과 패턴(330)의 계면에서 반사된 반사광(LR3), 파장 변환 패턴(340, 350) 내 파장 시프터(345, 355)에 의해 산란되어 반사된 반사광(LR4), 애노드 전극(AE1, AE2, AE3)에 의해 반사되어 산란체(333, 343, 353) 및/또는 파장 시프터(345, 355)와 접촉하지 않고 외부로 반사된 반사광(LR5), 및 애노드 전극(AE1, AE2, AE3)에 의해 반사되고 파장 변환 패턴(340, 350) 및/또는 광 투과 패턴(330)의 산란체(333, 343, 353)에 의해 산란되어 반사된 반사광(LR6) 등을 포함할 수 있다.
상술한 상기 반사광들은 표시 장치(1)의 반사색을 변화시킬 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 표시 장치(1)의 화면(또는 표시 화면)이 오프(OFF)(표시 장치(1)의 비구동 시)되었을 때, 표시 장치(1)의 화면은 검은색으로 표현되는 뉴트럴 블랙(Neutral black; NB)이 되어야 한다. 즉, 표시 장치(1)의 비구동 시 표시 장치(1)의 화면은 검은색으로 표현되는 뉴트럴 블랙(Neutral black; NB)이 되기 위해서는 외광(도 8의 La, LO)에 의해 반사가 전혀 없는 상태가 되거나, 외광(La, LO)에 의해 반사된 반사광들의 색의 합이 뉴트럴 블랙이 되어야 한다. 상술한 바와 같이, 제1 차광 패턴부(235a)에 의해 투과되지 않고 제1 차광 패턴부(235a)와 제2 베이스부(310)의 계면에서 외부로 반사된 광(예컨대, 상기 제3 색의 광)이 일부 및 투광 영역(TA1, TA2, TA3)을 통해 입사된 외광(LO)의 반사광들이 필연적으로 발생되기 때문에, 외광(La, LO)에 의해 반사가 전혀 없는 상태가 되는 것은 불가능할 수 있다. 따라서, 외광(La, LO)에 의해 반사된 반사광들의 색의 합(또는 반사색)이 뉴트럴 블랙이 되는 방안을 고려해야 한다.
상기 반사색을 결정하는 인자(Factor)로는, 상술한 차광 영역(BA)의 면적, 상기 반사광들 중 파장 변환 패턴(340, 350) 내 파장 시프터(345, 355)에 의해 산란되어 반사된 반사광(LR4), 애노드 전극(AE1, AE2, AE3)에 의해 반사되고 파장 변환 패턴(340, 350) 및/또는 광 투과 패턴(330)의 산란체(333, 343, 353)에 의해 산란되어 반사된 반사광(LR6), 및 제2 베이스부(310)와 컬러 필터(231, 233, 235) 간 계면에서 반사된 반사광(LR2)일 수 있다. 나아가, 반사광(LR2, LR4, LR6)들의 반사색을 결정하는 인자는 컬러 필터들(231, 233, 235)의 두께에 따른 투과율, 컬러 필터들(231, 233, 235)의 종류, 및 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3)) 등일 수 있다. 상술한 차광 영역(BA)의 면적은 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3))과 직접 관련되어 있으므로, 이하에서는 차광 영역(BA)의 면적에 대한 설명을 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3))으로 갈음하기로 한다.
다만, 컬러 필터들(231, 233, 235)의 종류, 및 두께를 조절하여 상기 반사색을 조절하는 것에는 한계가 있다. 특히, 컬러 필터들(231, 233, 235)의 두께(도 8의 t1, t2, t3)는 표시 장치(1)의 색재현율과 관련되고, 표시 장치(1)의 색재현율은 기 설정되어 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 색재현율은 BT2020 영역에서, 표시 장치(1)의 색재현율(%)은 90.2 내지 90.6로 기설정되어 있을 수 있다. 몇몇 실시예에서, DCI 영역에서, 표시 장치(1)의 색재현율(%)은 99.9로 기설정되어 있을 수 있다. 표시 장치(1)의 색재현율(%)은 90.2 내지 90.6로 설정하기 위해, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 컬러 필터(231, 233, 235)들은 각각 소정의 두께(t1, t2, t3)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 컬러 필터(231)의 두께(t1)는 제2 컬러 필터(233)의 두께(t2)보다 크고, 제2 컬러 필터(233)의 두께(t2)는 제3 컬러 필터(235)의 두께(t3)보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 컬러 필터(231)의 두께(t1)는 4.0μm 내지 4.4μm이고, 제2 컬러 필터(233)의 두께(t2)는 3.0μm 내지 3.4μm이고, 제3 컬러 필터(235)의 두께(t3)는 2.8μm 내지 3.2μm일 수 있다.
따라서, 반사광(LR2, LR4, LR6)들의 반사색을 결정하는 인자들 중 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3))을 고려하여야 한다. 즉, 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3))을 결정함으로써, 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 도출(후술할 색차도 관련됨)할 수 있다.
우선, 도출된 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 갖는 특성을 살펴보면, 도출된 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색은 반사광들의 각각의 색마다의 반사율 및/또는 반사광들의 색마다의 반사율 비율을 만족하여 도출될 수 있다. 본 명세서에서, 상기 반사광들의 색마다의 반사율 비율은 상기 제1 색의 광, 상기 제2 색의 광, 및 상기 제3 색의 광을 포함하는 상기 반사광 중 특정 색의 광의 비율을 의미한다. 즉, 상기 제1 색의 광의 반사율 비율, 상기 제2 색의 광의 반사율 비율, 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율의 합은 100%일 수 있다. 상술한 바와 같이, 각각의 색마다의 반사율 및/또는 반사광들의 색마다의 반사율 비율은 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3))을 조절하여 획득될 수 있다. 한편, 상기 반사광들은 소정의 상기 제1 색의 광의 반사율, 상기 제2 색의 광의 반사율, 및 상기 제3 색의 광의 반사율을 가질 수 있다. 또한, 상기 반사광들은 소정의 상기 제1 색의 광의 반사율, 상기 제2 색의 광의 반사율, 및 상기 제3 색의 광의 반사율 간의 반사비를 가질 수 있다. 본 명세서에서, 반사광들의 각각의 색마다의 반사율 및/또는 반사광들의 색마다의 반사율 비율은 SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 것일 수 있다. SCI (Specular Component Included) 모드의 측정은 반사율 측정 장치를 통해 수행될 수 있다. 상기 반사율 측정 장치는 CM-2600D, CM-700D, 또는 CM-3700A를 포함할 수 있다. 상기 SCI (Specular Component Included) 모드의 측정은 제2 베이스부(310)의 타면 측에서 상기 반사율 측정 장치로부터 측정 광원을 조사한 후, 상기 반사율 측정 장치에 수광된 반사광의 반사율을 측정함으로써 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 측정 광원은 표준 광원 A, 표준 광원 B, 표준 광원 C, 표준 광원 D, D50, D65, D75, 표준 광원 E, 또는 표준 광원 F을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 측정 광원은 표준 광원 C, 또는 D65일 수 있다. 상기 표준 광원 C는 하늘 낮의 평균 직사량을 나타내고(상관 색온도 6800 K), 상기 D65는 북쪽하늘의 평균 태양광선을 나타낸다(상관 색온도 6500 K).
한편, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 경우, 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하인 것이 바람직하다. 상기 반사색 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(β가 3 이하이고, 상기 색차(β는 아래의 식 1에 따라 계산된다.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서, L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 측정 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다.
일 실시예에 의하면, 도 20에서 후술하는 바와 같이, 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하거나, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 1.8 내지 2.2이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 1.7 내지 2.3이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 2.8 내지 3.8일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도 22에서 후술하는 바와 같이, 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.3 내지 9.2, 67.6 내지 73.6, 및 18.3 내지 24.7일 수 있다.
상술한 표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)인 5.3 내지 9.2, 67.6 내지 73.6, 및 18.3 내지 24.7은, 도출된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)에서, 시감 곡선(도 21 참조)을 고려하여 산출된 것일 수 있다.
표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색은 반사광들의 각각의 색마다의 반사율 및/또는 반사광들의 색마다의 반사율 비율에 대해서는, 뒤에서 상세히 설명하기로 한다.
이하, 도 16 내지 도 19를 참조하여 다른 실시예에 따른 표시 장치(2)에 대해 설명한다. 도 16 내지 도 19를 설명하면서, 도 1 내지 도 15에 따른 표시 장치(1)의 구성과 동일한 경우, 동일한 참조 부호가 이용될 것이며, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 16은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 17은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 표시 기판의 개략적인 평면도이다. 도18은 도 16의 Q1' 부분을 확대한 평면도로서, 보다 구체적으로 도 16의 표시 장치가 포함하는 색 변환 기판의 개략적인 평면도이다. 도 19는 도 17 및 도 18의 X5-X5'선을 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16 내지 도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제1 투광 영역(TA1'), 제2 투광 영역(TA2') 및 제3 투광 영역(TA3')의 평면 형상은 각각 비정형 형상일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제1 투광 영역(TA1'), 제2 투광 영역(TA2') 및 제3 투광 영역(TA3')의 평면 형상은 각각 원형, 타원형, 또는 기타 다각형 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(2)의 제1 발광 영역(LA1'), 제2 발광 영역(LA2') 및 제3 발광 영역(LA3')의 평면 형상은 대응되는 제1 투광 영역(TA1'), 제2 투광 영역(TA2') 및 제3 투광 영역(TA3')의 평면 형상과 동일 또는 유사할 수 있다. 표시 장치(2)의 색 변환 기판(30)의 투광 영역(TA1', TA2', TA3')들은 소정의 면적(S1', S2', S3')들을 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 색재현율은 BT2020 영역에서, 83.7 내지 84.1로 기설정되어 있을 수 있다. 몇몇 실시예에서, DCI 영역에서, 표시 장치(2)의 색재현율(%)은 99.4로 기설정되어 있을 수 있다. 표시 장치(2)의 색재현율(%)은 83.7 내지 84.1로 설정하기 위해, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 컬러 필터(231, 233, 235)들은 각각 소정의 두께(t1', t2', t3')를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 컬러 필터(231)의 두께(t1')는 제2 컬러 필터(233)의 두께(t2) 및 제3 컬러 필터(235)의 두께(t3')보다 각각 클 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 컬러 필터(231)의 두께(t1')는 3.0μm 내지 3.4μm이고, 제2 컬러 필터(233)의 두께(t2')는 2.1μm 내지 2.5μm이고, 제3 컬러 필터(235)의 두께(t3')는 2.1μm 내지 2.5μm일 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 경우에도, 표시 장치(2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하인 것이 바람직하다. 상기 반사광은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(β가 3 이하이고, 상기 색차(β는 상술한 식 1에 따라 계산된다.
본 실시예에 의하면, 도 20에서 후술하는 바와 같이, 표시 장치(2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 1.8 내지 2.2이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 1.7 내지 2.3이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 2.8 내지 3.8일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도 22에서 후술하는 바와 같이, 표시 장치(2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.1 내지 8.0, 70.0 내지 74.3, 및 18.5 내지 23.7일 수 있다.
상술한 표시 장치(2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)인 5.1 내지 8.0, 70.0 내지 74.3, 및 18.5 내지 23.7은, 도출된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)에서, 시감 곡선(도 21 참조)을 고려하여 산출된 것일 수 있다.
표시 장치(1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색은 반사광들의 각각의 색마다의 반사율 및/또는 반사광들의 색마다의 반사율 비율에 대해서는, 뒤에서 상세히 설명하기로 한다.
도 20은 파장(Wavelength)에 따른 SCI 반사율(%)을 보여주는 그래프이다. 도 21은 시감 곡선을 보여주는 그래프이다. 도 22는 도 20에 따른 그래프에 도 21에 따른 시감 곡선을 적용한 그래프이다.
도 20 내지 도 22를 설명하면서, 하기의 표 1 내지 표 7, 및 도 1 내지 도 19가 더 참조된다.
도 20 내지 도 22의 가로축은 파장(nm)을 나타내고, 도 20 및 도 22의 세로축은 반사율(%)을 나타내고, 도 21의 세로축은 빛의 세기(Intensity)를 나타낸다. 도 20, 도 22, 및 표 1에는 2개의 샘플이 예시되어 있다. 제1 샘플(#1)은 도 2의 표시 장치(1)에 관한 것이고, 제2 샘플(#2)은 도 16의 표시 장치(2)에 관한 것이다. 도 20, 도 22, 및 표 1의 타겟(Target)은 도 20 및 도 22의 그래프를 해석함에 있어, 제1 샘플(#1)과 제2 샘플(#2)의 중간값(Midian)을 의미한다. 표 2 내지 표 4는 제1 샘플(#1)의 반사광의 반사율 비율을 보여주고, 표 5 내지 표 7은 제2 샘플(#2)의 반사광의 반사율 비율을 보여준다.
| Target | #1 | #2 | |
| 460nm | 2.02 | 1.84 | 2.19 |
| 540nm | 2.01 | 1.71 | 2.30 |
| 640nm | 3.27 | 2.75 | 3.78 |
도 20, 도 22, 및 표 1을 참조하면, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 1.84이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 1.71이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 2.75임을 확인할 수 있고, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 2.19이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 2.30이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 3.78임을 확인할 수 있다. 나아가, 제1 샘플(#1) 및 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target)은 각각 2.19, 2.30, 3.78임을 확인할 수 있다.460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target)을 기준으로 제1 샘플(#1) 및 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 범위, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 범위, 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 범위는 각각 1.8 내지 2.2, 1.7 내지 2.3, 및 2.8 내지 3.8일 수 있다. 제1 샘플(#1) 및 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 범위, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 범위, 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 범위는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target)에서, 각각 
0.2%, 
0.3%, 
0.3%(이하, "반사율 마진 오차")를 고려한 것이다. 색차(β가 3 이하를 만족하는 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 범위, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 범위, 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 범위가 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target), 및 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)의 중간값(Target)을 기준으로, 상기 반사율 마진 오차 내에 있음으로써, 제1 샘플(#1) 및 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족할 수 있다.
이어서, 도 22, 표 2 내지 표 4에 나타난 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 도 20의 그래프에 도 21에 따른 시감 곡선을 고려하여 산출된 것일 수 있다. 도 21의 시감 곡선은 특정 광원에서 방사되는 광에 파장별로 사람의 표준적인 밝기 감각을 곱한 것을 나타낸 곡선으로서, 사람 눈의 최대감도를 파장(nm) 555㎚를 1로하여 다른 파장에 대한 시감도의 비를 나타낸다.도 22, 표 2 내지 표 4를 참조하면, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.3 내지 9.2, 67.6 내지 73.6, 및 18.3 내지 24.7임을 확인할 수 있다. 더욱 상세히 설명하면, 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%)이 5.3 내지 9.3 범위를 벗어나면, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 되고, 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%)이 67.6 내지 73.6 범위를 벗어나면, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 되고, 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)이 18.3 내지 24.7 범위를 벗어나면, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 된다.
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Blue Max | 9.2% | 68.9% | 22.0% | 2.99 | 7.5 | 2.4 |
| Blue Min | 5.3% | 71.8% | 22.9% | 2.99 | 13.6 | 4.3 |
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Green Max | 6.6% | 73.6% | 19.8% | 2.99 | 11.2 | 3.0 |
| Green Min | 8.1% | 67.6% | 24.3% | 2.99 | 8.4 | 3.0 |
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Red Max | 7.2% | 68.1% | 24.7% | 2.99 | 9.4 | 3.4 |
| Red Min | 7.8% | 73.9% | 18.3% | 2.99 | 9.4 | 2.3 |
나아가, 도 22 및 표 2 내지 표 4를 통해, 제2 색의 광의 반사율(%)과 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비, 및 제3 색의 광의 반사율(%)과 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비를 각각 도출할 수 있다.
상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제2 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(G/B)은 1:7.5 내지 1:13.6임이 확인되었고, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(R/B)은 1:2.3 내지 1:4.3임이 확인되었다. 즉, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제2 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(G/B)이 1:7.5 내지 1:13.6을 갖고, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(R/B)은 1:2.3 내지 1:4.3을 가짐으로써, 제1 샘플(#1)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 가짐과 동시에, 색차(β가 3이하를 만족할 수 있다.
도 22, 표 5 내지 표 7을 참조하면, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색이 가질뿐만 아니라, 색차(β가 3 이하를 만족하는 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.1 내지 8.0, 70.0 내지 74.3, 및 18.5 내지 23.7임을 확인할 수 있다. 더욱 상세히 설명하면, 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%)이 5.1 내지 8.0 범위를 벗어나면, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 되고, 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%)이 70.0 내지 74.3 범위를 벗어나면, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 되고, 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)이 18.5 내지 23.7 범위를 벗어나면, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 벗어남과 동시에, 색차(β가 3을 초과하게 된다.
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Blue Max | 8.0% | 70.2% | 21.8% | 2.99 | 8.8 | 2.7 |
| Blue Min | 5.1% | 72.4% | 22.5% | 2.99 | 14.3 | 4.4 |
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Green Max | 5.9% | 74.3% | 19.8% | 2.99 | 12.6 | 3.4 |
| Green Min | 6.9% | 70.0% | 23.1% | 2.99 | 10.2 | 3.4 |
| 반사율 | △Eab | G/B | R/B | |||
| B | R | G | ||||
| Red Max | 6.5% | 69.8% | 23.7% | 2.99 | 10.8 | 3.7 |
| Red Min | 6.9% | 74.6% | 18.5% | 2.99 | 10.8 | 2.7 |
나아가, 도 22 및 표 5 내지 표 7을 통해, 제2 색의 광의 반사율(%)과 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비, 및 제3 색의 광의 반사율(%)과 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비를 각각 도출할 수 있다.
상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제2 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(G/B)은 1:8.8 내지 1:14.3임이 확인되었고, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(R/B)은 1:2.3 내지 1:4.3임이 확인되었다. 즉, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(G/B)이 1:2.7 내지 1:4.4을 갖고, 상기 제3 색의 광의 반사율(%)과 상기 제1 색의 광의 반사율(%) 간의 비율(R/B)은 1:2.3 내지 1:4.3을 가짐으로써, 제2 샘플(#2)의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색을 가짐과 동시에, 색차(β가 3이하를 만족할 수 있다.
상술한 바와 같이, 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)의 면적(S1, S2, S3)) 및 컬러 필터들(231, 233, 235)의 면적(또는 투광 영역(TA1', TA2', TA3')의 면적(S1', S2', S3'))을 결정함으로써, 샘플(#1, #2)들의 비구동시 반사색이 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색 및 색차(β를 도출할 수 있다. 즉, 제1 샘플(#1)의 경우, 제3 투광 영역(TA3)의 면적(S3)과 제2 투광 영역(TA2)의 면적(S2)의 비가 1.3 내지 2.1 범위를 갖고, 제3 투광 영역(TA3)의 면적(S3)과 제1 투광 영역(TA1)의 면적(S1)의 비가 0.8 내지 1.7 범위를 가짐으로써, 상술한 제1 샘플(#1)의 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색 및 색차(β를 도출할 수 있다.
나아가, 제2 샘플(#2)의 경우, 제3 투광 영역(TA3')의 면적(S3')과 제2 투광 영역(TA2')의 면적(S2')의 비가 1.3 내지 1.9 범위를 갖고, 제3 투광 영역(TA3')의 면적(S3')과 제1 투광 영역(TA1')의 면적(S1')의 비가 1.1 내지 1.9 범위를 가짐으로써, 상술한 제2 샘플(#2)의 뉴트럴 블랙을 만족하는 반사색 및 색차(β를 도출할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (26)
- 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 파장 변환 패턴;
상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 파장 변환 패턴;
상기 제3 발광 영역과 중첩하는 광 투과 패턴;
상기 제1 파장 변환 패턴 상의 제1 컬러 필터;
상기 제2 파장 변환 패턴 상의 제2 컬러 필터; 및
상기 광 투과 패턴 상의 제3 컬러 필터를 포함하고,
상기 기판에 조사된 측정 광원에 대한 반사광은,
380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 색의 광,
500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 색의 광 및
600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 색의 광을 포함하고,
SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.3 내지 9.2, 67.6 내지 73.6, 및 18.3 내지 24.7인 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터의 두께보다 크고,
상기 제2 컬러 필터의 두께는 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 큰 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 4.0μm 내지 4.4μm인 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터의 두께는 3.0μm 내지 3.4μm인 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제3 컬러 필터의 두께는 2.8μm 내지 3.2μm인 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
BT2020 영역에서, 상기 표시 장치의 색재현율(%)은 90.2 내지 90.6인 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 시감 곡선을 더 기초하여 산출되는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 색의 광의 반사율과 상기 제2 색의 광의 반사율 간의 비율은 1:7.5 내지 1:13.6인 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 색의 광의 반사율과 상기 제3 색의 광의 반사율 간의 비율은 1:2.3 내지 1:4.3인 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역을 포함하는 제2 기판을 더 포함하고,
상기 제3 투광 영역의 면적과 상기 제2 투광 영역의 면적의 비는 1.3 내지 2.1 범위를 갖고, 상기 제3 투광 영역의 면적과 상기 제1 투광 영역의 면적의 비는 0.8 내지 1.7 범위를 갖는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사광의 반사색은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(β가 3 이하이고,
상기 색차(β는 아래의 식 1에 따라 계산된 표시 장치.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서,
L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 C 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다. - 제1 항에 있어서,
상기 측정 광원은 표준 광원 C, 또는 D65를 포함하는 표시 장치. - 제1 광을 각각 발광하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역이 정의되는 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역이 정의되고 상기 제1 기판을 마주보는 제1 면, 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 포함하는 제2 기판;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제1 투광 영역과 중첩하는 제1 컬러 필터;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제2 투광 영역과 중첩하는 제2 컬러 필터;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제3 투광 영역과 중첩하는 제3 컬러 필터;
상기 제1 컬러 필터 상에 위치하는 제1 파장 변환 패턴;
상기 제2 컬러 필터 상에 위치하는 제2 파장 변환 패턴; 및
상기 제3 컬러 필터 상에 위치하는 광 투과 패턴을 포함하고,
상기 제1 기판의 상기 제2 면 측에서 조사된 측정 광원에 대한 반사광은,
380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 색의 광,
500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 색의 광 및
600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 색의 광을 포함하고,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 크고,
SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 각각 5.1 내지 8.0, 70.0 내지 74.3, 및 18.5 내지 23.7이고,
상기 반사광은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(β가 3 이하이고,
상기 색차(β는 아래의 식 1에 따라 계산된 표시 장치.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서,
L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 C 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다. - 제13 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 3.0μm 내지 3.4μm인 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터의 두께는 2.1μm 내지 2.5μm인 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제3 컬러 필터의 두께는 2.1μm 내지 2.5μm인 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
BT2020 영역에서, 상기 표시 장치의 색재현율(%)은 83.7 내지 84.1인 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 제1 색의 광의 반사율 비율(%), 상기 제2 색의 광의 반사율 비율(%), 및 상기 제3 색의 광의 반사율 비율(%)은 시감 곡선을 더 기초하여 산출되는 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 제2 색의 광의 반사율과 상기 제1 색의 광의 반사율 간의 비율은 1:8.8 내지 1:14.3인 표시 장치. - 제19 항에 있어서,
상기 제3 색의 광의 반사율과 상기 제1 색의 광의 반사율 간의 비율은 1:2.7 내지 1:4.4인 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 제3 투광 영역의 면적과 상기 제2 투광 영역의 면적의 비는 1.3 내지 1.9 범위를 갖고, 상기 제3 투광 영역의 면적과 상기 제1 투광 영역의 면적의 비는 1.1 내지 1.9 범위를 갖는 표시 장치. - 제1 광을 각각 발광하는 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 및 제3 발광 영역이 정의되는 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하고 상기 제1 발광 영역과 중첩하는 제1 투광 영역, 상기 제2 발광 영역과 중첩하는 제2 투광 영역, 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하는 제3 투광 영역이 정의되고 상기 제1 기판을 마주보는 제1 면, 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 포함하는 제2 기판;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제1 투광 영역과 중첩하는 제1 컬러 필터;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제2 투광 영역과 중첩하는 제2 컬러 필터;
상기 제2 기판의 상기 제1 면 상에 위치하고 상기 제3 투광 영역과 중첩하는 제3 컬러 필터;
상기 제1 컬러 필터 상에 위치하는 제1 파장 변환 패턴;
상기 제2 컬러 필터 상에 위치하는 제2 파장 변환 패턴; 및
상기 제3 컬러 필터 상에 위치하는 광 투과 패턴을 포함하고,
상기 제1 기판의 상기 제2 면 측에서 조사된 측정 광원에 대한 반사광은,
380nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제1 색의 광,
500nm 내지 600nm의 파장을 갖는 제2 색의 광 및
600nm 내지 780nm의 파장을 갖는 제3 색의 광을 포함하고,
SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 460nm에서의 상기 제1 색의 광의 반사율(%)은 1.8 내지 2.2이고, 540nm에서의 상기 제2 색의 광의 반사율(%)은 1.7 내지 2.3이고, 640nm에서의 상기 제3 색의 광의 반사율(%)은 2.8 내지 3.8이고,
상기 반사광은 분광색도 측정기를 사용하여 측정한 색차(β가 3 이하이고,
상기 색차(β는 아래의 식 1에 따라 계산된 표시 장치.
[식 1]
△Eab = {(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2}1/2
상기 식 1에서,
L*, a* 및 b*는 분광측정기를 이용하여 C 광원 및 2° 시야각 조건에서 측정된 CIE 1931 공간 표색계 값이다. - 제22 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터의 두께보다 크고, 상기 제2 컬러 필터의 두께는 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 큰 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 4.0μm 내지 4.4μm이고, 상기 제2 컬러 필터의 두께는 3.0μm 내지 3.4μm이며, 상기 제3 컬러 필터의 두께는 2.8μm 내지 3.2μm인 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터의 두께보다 큰 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터의 두께는 3.0μm 내지 3.4μm이고, 상기 제2 컬러 필터의 두께는 2.1μm 내지 2.5μm이며, 상기 제3 컬러 필터의 두께는 2.1μm 내지 2.5μm인 표시 장치.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210190963A KR20230101986A (ko) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 표시 장치 |
| US17/949,847 US20230209958A1 (en) | 2021-12-29 | 2022-09-21 | Display device |
| JP2022203731A JP2023098846A (ja) | 2021-12-29 | 2022-12-20 | 表示装置 |
| CN202223499842.5U CN219322900U (zh) | 2021-12-29 | 2022-12-27 | 显示装置 |
| CN202211688867.1A CN116367652A (zh) | 2021-12-29 | 2022-12-27 | 显示装置 |
| TW111150506A TW202337050A (zh) | 2021-12-29 | 2022-12-28 | 顯示裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210190963A KR20230101986A (ko) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230101986A true KR20230101986A (ko) | 2023-07-07 |
Family
ID=86896624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210190963A KR20230101986A (ko) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 표시 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230209958A1 (ko) |
| JP (1) | JP2023098846A (ko) |
| KR (1) | KR20230101986A (ko) |
| CN (2) | CN219322900U (ko) |
| TW (1) | TW202337050A (ko) |
-
2021
- 2021-12-29 KR KR1020210190963A patent/KR20230101986A/ko unknown
-
2022
- 2022-09-21 US US17/949,847 patent/US20230209958A1/en active Pending
- 2022-12-20 JP JP2022203731A patent/JP2023098846A/ja active Pending
- 2022-12-27 CN CN202223499842.5U patent/CN219322900U/zh active Active
- 2022-12-27 CN CN202211688867.1A patent/CN116367652A/zh active Pending
- 2022-12-28 TW TW111150506A patent/TW202337050A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN219322900U (zh) | 2023-07-07 |
| CN116367652A (zh) | 2023-06-30 |
| TW202337050A (zh) | 2023-09-16 |
| JP2023098846A (ja) | 2023-07-11 |
| US20230209958A1 (en) | 2023-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102416445B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20210156371A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20210146468A (ko) | 표시 장치 | |
| EP3958324A2 (en) | Display device | |
| KR20220000388A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20220014426A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20210099242A (ko) | 색 변환 기판, 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20220004891A (ko) | 표시 장치 | |
| CN219322900U (zh) | 显示装置 | |
| CN219288079U (zh) | 显示装置 | |
| CN220108616U (zh) | 显示装置 | |
| CN220326171U (zh) | 显示装置 | |
| CN220326172U (zh) | 显示装置 | |
| US20230165062A1 (en) | Display device | |
| US20210384283A1 (en) | Display device | |
| KR20230101989A (ko) | 발광 소자들을 포함하는 기판, 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20240006102A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20220099595A (ko) | 표시 장치 |