JPWO2015008586A1 - 基板の製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

素材基板の表面を研磨することと、前記素材基板の表面を研磨したのちに、前記素材基板の表面に平坦化膜を形成することとを含む基板の製造方法。

Description

本技術は、特にフレキシブル性の高い電子デバイスの形成に好適な基板の製造方法、およびこの基板の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法に関する。

表示装置等の電子デバイスでは、基板表面に、電子回路および表示体等を含む機能部が設けられている。基板表面に傷や陥没などの欠陥がある場合には、電子回路へのダメージを抑えるため、電子回路形成前にそれらの欠陥を修復しておくことが望ましい。例えば特許文献１では、ガラス等の基板表面の傷や陥没などの欠陥に復元剤を注入し、復元剤を硬化させたのち、硬化した復元剤を局所的に研磨することにより基板表面を平坦化することが提案されている。

特開２０１０−１５１２３号公報

基板表面には傷や窪みなどの凹欠陥ばかりではなく、突起などの凸欠陥も存在しているが、凹欠陥および凸欠陥の両方に対応可能な平坦化技術は未だ存在していなかった。

従って、基板表面の平滑性を高めることが可能な基板の製造方法、およびこの基板の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供することが望ましい。

本開示の一実施の形態に係る基板の製造方法は、素材基板の表面を研磨することと、素材基板の表面を研磨したのちに、素材基板の表面に平坦化膜を形成することとを含むものである。

本開示の一実施の形態の基板の製造方法では、素材基板の表面を研磨することにより、素材基板の表面に存在する突起などの凸欠陥が除去される。そののち、素材基板の表面に平坦化膜が形成されることにより、素材基板の表面に存在する窪みなどの凹欠陥や、研磨により生じた傷が、平坦化膜で埋め込まれる。

本開示の一実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、基板を形成することと、基板に機能部を形成することとを含み、基板を形成することは、上記本開示に係る基板の製造方法により行われるものである。

本開示の一実施の形態の基板の製造方法、または本開示の一実施の形態の電子デバイスの製造方法によれば、素材基板の表面を研磨したのちに、素材基板の表面に平坦化膜を形成するようにしたので、基板表面の凹欠陥および凸欠陥の両方に対応可能となり、基板表面の平滑性を高めることが可能となる。

本開示の一実施の形態に係る基板の製造方法の流れを表す図である。 素材基板の一例を表す断面図である。 図２に示した素材基板を支持体に貼り合わせた状態を表す断面図である。 図３に示した素材基板の表面を研磨する工程を表す断面図である。 図４に示した素材基板の表面に平坦化膜を形成する工程を表す断面図である。 図５に示した平坦化膜の表面にバリアコートを形成する工程を表す断面図である。 本開示の一実施の形態に係る電子デバイス（表示装置）の製造方法の流れを表す図である。 図６に示した基板にＴＦＴ層を形成する工程を表す断面図である。 ＴＦＴ層の上に表示体を形成する工程を表す断面図である。 素材基板および平坦化膜を含む基板本体を支持体から剥離する工程を表す断面図である。 基板本体を切断し、モジュールを形成する工程を表す断面図である。 基板を切断し、モジュールを形成する工程を表す斜視図である。 素材基板および平坦化膜を含む基板本体を支持体から剥離する工程を表す断面図である。 図８に示した表示体の一例としての電気泳動素子の構成を表す平面図である。 図１４に示した電気泳動素子の構成を表す断面図である。 図１４に示した電気泳動素子を有する電子デバイス（表示装置）の構成を表す断面図である。 図１６に示した電子デバイス（表示装置）の動作を説明するための断面図である。 変形例１に係る電子デバイス（表示装置）の製造方法の流れを表す図である。 素材基板の表面に平坦化膜を形成する工程を表す断面図である。 変形例２に係る電子デバイス（表示装置）において、図８に示した表示体の他の例としての有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。 図２０に示した有機ＥＬ素子を有する電子デバイス（表示装置）の全体構成を表す図である。 図２１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 電子デバイスの適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例１の外観を表す他の斜視図である。 電子デバイスの適用例２の外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例３の外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例４の外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例５の表側から見た外観を表す斜視図である 適用例５の裏側から見た外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例６の外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例７の外観を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例８の開いた状態を表す斜視図である。 適用例８の閉じた状態を表す斜視図である。 電子デバイスの適用例９の閉じた状態を表す図である。 適用例９の開いた状態を表す図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（平坦化膜として樹脂膜を形成し、平坦化膜の表面に無機膜よりなるバリアコートを形成する例）
２．変形例１（平坦化膜としてバリアコートを兼ねる無機膜を形成する例）
３．変形例２（表示体として有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子を有する例）
４．適用例

（基板の製造方法）
まず、図１ないし図６を参照して、本開示の一実施の形態に係る基板の製造方法について説明する。本実施の形態の基板１の製造方法は、プラスチックフィルム等の可撓性を有する素材基板１０を用い、この素材基板１０の表面に存在する凹欠陥および凸欠陥を均して、平滑性の高い表面を有する基板１を形成するものである。本実施の形態の基板１の製造方法は、素材基板１０の表面を研磨することと、素材基板１０の表面を研磨したのちに、素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成することとを含んでいる。得られた基板１は、表示装置やセンサなどの電子デバイスの製造に用いられる。

（素材基板１０を支持体３０に貼り合わせる工程）
素材基板１０は、例えば図２に示したように、可撓性を有する樹脂シート（プラスチックシート）により構成されている。具体的には、素材基板１０の厚みは、例えば、２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であればより好ましい。素材基板１０の構成材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などのプラスチックシートが挙げられる。

素材基板１０の表面には、同じく図２に示したように、凸欠陥１１と、凹欠陥１２とが存在する。凸欠陥１１としては、例えば、基準面１０Ａからの高さが２μｍ以上の高い突起１１Ａ、または、基準面１０Ａからの高さが２μｍ以下の低い突起１１Ｂがありうる。凹欠陥１２としては、基準面１０Ａからクレータ状に窪んだ陥没１２Ａ、または、基準面１０Ａから楔状に掘り込まれた傷１２Ｂなどがありうる。なお、陥没１２Ａの基準面１０Ａからの深さは例えば２．０μｍ以下であり、傷１２Ｂの基準面１０Ａからの深さは例えば１．０μｍ以下である。

このような素材基板１０を、研磨工程の前に、図３に示したように、支持体３０に粘着層４０を用いて貼り付ける（図１のステップＳ１０１）。これにより、研磨する工程および平坦化膜２０を形成する工程を、素材基板１０を支持体３０に貼り付けた状態で行い、素材基板１０の裏面の平坦性を担保することが可能となる。

素材基板１０の支持体３０への貼り付けは、例えば、次のようにして行うことができる。まず、支持体３０または素材基板１０に、スピンコート、ダイコート、グラビアコートなどの印刷法で塗布するか、または粘着テープを貼付することにより、粘着層４０を形成する。次いで、ラミネーターで素材基板１０を支持体３０に貼り合わせて固定する。

支持体３０には、石英ガラス、耐熱ガラス、金属、セラミック等の融点が５００℃以上の材質を用いることが好ましい。また、支持体３０の線膨張係数は、例えば、１０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。より好ましくは、支持体３０の線膨張係数は、０．１ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下である。支持体３０の厚みＴ３０は、機械強度や取り扱い性の点から、例えば０．３ｍｍ以上であることが好ましい。より好ましくは、支持体３０の厚みＴ３０は、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましい。

粘着層４０には、汎用的な粘着剤、粘着テープを用いることが可能である。そのため、粘着力を低下させる特別な処理を行うこと無く、素材基板１０を支持体３０から剥離し、基板１に後述する機能部３等を作成することが可能である。具体的には、粘着層４０としては、アクリル系粘着剤、シリコーン系、シロキサン系、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤などを用いることが可能である。

（素材基板１０の表面を研磨する工程）
素材基板１０を支持体３０に固定したのち、図４に示したように、研磨部材Ｐを用いて、素材基板１０の表面を研磨する（図１のステップＳ１０２）。これにより、素材基板１０の表面に存在する凸欠陥１１が削り取られて除去される。

研磨方法は、機械的な研磨でもよいし、研磨効率を上げるために適切にＰＨを調整した研磨剤（スラリー）等を用いることも可能である。具体的には、研磨方法としては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ；化学機械研磨）、テープ研磨、ロール研磨などの手法を用いることが可能である。

この研磨工程では、素材基板１０の表面全体を研磨することが好ましい。素材基板１０の表面の一部を局所的に研磨するだけでは、研磨されない領域には凸欠陥１１が残存する可能性がある。残存した凸欠陥１１は、その高さによっては、後工程で形成する平坦化膜２０によってもカバーしきれず、基板１の表面平滑性を低下させるおそれがある。

また、この研磨工程では、凸欠陥１１の高さが、後工程で形成する平坦化膜２０の厚み以下、例えば１μｍ以下となるように研磨を行うことが好ましい。凸欠陥１１の高さが１μｍ以下であれば、後工程で形成する平坦化膜２０によってカバーすることが可能となる。

研磨工程において、素材基板１０の表面に研磨傷１３がつくことは許容される。研磨傷１３により、表面積が増加することにより、素材基板１０と平坦化膜２０の接触面積が増加し、アンカー効果が生じることによって密着性を向上させる効果が見込まれる。研磨傷１３の深さＤ１３は、後工程で形成する平坦化膜２０の厚み以下、例えば３μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であればより好ましい。研磨傷１３の深さＤ１３がこの程度であれば、後工程で形成する平坦化膜２０によって平坦化が可能となる。

（洗浄）
素材基板１０の表面を研磨したのち、次工程の平坦化膜２０の成膜に備えて、素材基板１０の表面を洗浄する（図１のステップＳ１０３）。洗浄工程により、研磨カスや研磨剤（スラリー）などを除去して、清浄な表面を得る。洗浄方法は水洗もしくは有機洗浄、またこれに加えて超音波洗浄などを実施することも可能である。更に、ＵＶ（紫外線）洗浄またはオゾン洗浄も行うようにしてもよい。

（前処理）
素材基板１０の表面を洗浄したのち、平坦化膜２０を形成する前に、前処理を行う（図１のステップＳ１０４）。前処理では、平坦化膜２０の密着性を向上させるためのＵＶ処理、プラズマ処理、シランカップリング剤塗布などを行うことが可能である。

（素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成する工程）
前処理を終了したのち、図５に示したように、素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成する（図１のステップＳ１０５）。これにより、素材基板１０の表面に存在する凹欠陥１２および研磨工程で生じた研磨傷１３が平坦化膜２０で埋め込まれる。これと同時に、研磨後に残存している凸欠陥１１が平坦化膜２０でカバーされる。よって、平坦化膜２０の表面が平滑に形成される。

平坦化膜２０は樹脂膜でもよいし、無機膜でもよい。樹脂膜ではアクリル系、ポリイミド系などが挙げられる。無機膜ではＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜などが挙げられる。また、平坦化膜２０は、樹脂膜と無機膜とのハイブリッド膜でもよい。平坦化膜２０をＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate）とすることも可能であり、素材基板１０の表面に凹欠陥１２が存在していても容易に平坦化膜２０の表面を平滑にすることが可能となる。

平坦化膜２０の成膜手法としては、樹脂膜の場合は、スリットコート、スクリーン印刷、グラビアコート、スピンコート、スプレーコートなどの方法を用いることが可能である。無機膜の場合は、上記方法に加えて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ；原子層堆積）、スパッタ法などを用いることが可能である。

平坦化膜２０と素材基板１０の熱挙動が大きく異なる場合は、製造プロセス中の熱工程により歪応力が蓄積される。例えば、熱膨張係数差が大きい場合は加熱工程中に基板反りや膜剥がれが生じる可能性があり、熱収縮差が大きい場合は加熱工程後に常温に戻った際に基板反りや膜剥がれが生じる可能性がある。そこで、平坦化膜２０の熱膨張係数や熱収縮などの熱挙動が同じまたは略同じ材料により構成することが好ましい。更に、平坦化膜２０は、素材基板１０との化学組成や官能基などの親和性の高い材料により構成されていることが好ましい。加えて、平坦化膜２０は、後の機能部３の形成の際の温度に対して耐熱性を備えていることが好ましい。

平坦化膜２０の厚みＴ２０は、素材基板１０の厚みＴ１０よりも薄くすることが好ましい。素材基板１０のほうが平坦化膜２０よりも薄い場合には、素材基板１０の表面の研磨後に残存している凸欠陥１１をカバーしきれないおそれがある。また、平坦化膜２０の熱収縮が大きいと後の機能部形成の際の加熱工程などにより平坦化膜２０の膜収縮が大きくなり基板１に反りが生じる。また、厚みＴ２０が大きいほどその影響が大きくなる。そのため、平坦化膜２０の厚みＴ２０は、例えば、素材基板１０の厚みＴ１０の５分の１以下であることが好ましく、より好ましくは７分の１以下、更に好ましくは１０分の１以下である。

（ポストベーク）
素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成したのち、オーブン、ＩＲ（infrared）炉などにより、平坦化膜２０の焼結（ポストベーク）を行う（図１のステップＳ１０６）。この際の温度は、素材基板１０、平坦化膜２０、支持体３０および粘着層４０を含む積層構造体の各層の材料の耐熱温度以下で行うことが好ましい。また、焼成温度は、後の工程で樹脂膜が分解しない温度で行うことが好ましい。更に、樹脂膜などから脱ガスが極力出なくなるまで十分に加熱することが好ましい。

（バリアコート形成）
ポストベークを終了したのち、図６に示したように、平坦化膜２０の表面にバリアコート５０を形成する（図１のステップＳ１０７）。バリアコート５０は、例えば、厚みが数十ｎｍ〜数百ｎｍであり、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜、ＴＥＯＳ膜などの無機膜により構成されていることが好ましい。以上により、基板１が完成する。

（電子デバイス（表示装置）の製造方法）
続いて、図７ないし図１３を参照して、本実施の形態に係る電子デバイス（表示装置）の製造方法について説明する。本実施の形態の電子デバイス２の製造方法は、上述した基板１の製造方法により基板１を形成したのち、この基板１に画像表示またはセンシング等の所望の機能を有する機能部３を形成し、切断およびモジュール化を行うものである。

（機能部３を形成する工程）
まず、図８に示したように、基板１のバリアコート５０の表面に、ＴＦＴ層６０を形成する（図７のステップＳ２０１）。

次いで、図９に示したように、ＴＦＴ層６０の上に表示体７０を形成する（図７のステップＳ２０２）。これにより、基板１に画像表示を行う機能部３が形成される。

（切断およびモジュール化を行う工程）
基板１に機能部３を形成したのち、図１０の矢印Ｒ１に示したように、素材基板１０、平坦化膜２０およびバリアコート５０を含む基板本体４を、支持体３０および粘着層４０から剥離する（図７のステップＳ３０１）。

続いて、図１１に示したように、基板本体４および機能部３を切断線ＣＬで切断して所定の寸法・形状に整え、フレキシブル配線基板５を接続することにより、モジュール６を形成する（図７のステップＳ３０２）。最後に、モジュール６を筐体（図示せず）に組み込むことにより、電子デバイス２が完成する。

あるいは、切断およびモジュール６形成を行ったのちに基板本体４を支持体３０から剥離することも可能である。その場合には、例えば、基板１に機能部３を形成したのち、図１２に示したように、基板１および機能部３を切断線ＣＬで切断して所定の寸法・形状に整え、フレキシブル配線基板５を接続することにより、モジュール６を形成する（図７のステップＳ３０３）。

続いて、図１３の矢印Ｒ２に示したように、得られたモジュール６において、素材基板１０、平坦化膜２０およびバリアコート５０を含む基板本体４を、支持体３０および粘着層４０から剥離する（図７のステップＳ３０４）。最後に、モジュール６を筐体（図示せず）に組み込むことにより、電子デバイス２が完成する。

（表示体７０として電気泳動素子を形成する例）
以下、図１４ないし図１７を参照して、表示体７０として電気泳動素子を形成し、電子デバイス２として電子ペーパーディスプレイを製造する例について説明する。

図１４は表示体７０の一例である電気泳動素子７１の平面構成、図１５は電気泳動素子７１の断面構成をそれぞれ表している。この電気泳動素子７１は、電気泳動現象を利用してコントラストを生じさせるものであり、例えば表示装置などの多様な電子機器に適用される。電気泳動素子７１は、絶縁性液体７２中に、泳動粒子７３（第１粒子）と細孔７４Ａを有する多孔質層７４とを含んでいる。なお、図１４および図１５は電気泳動素子７１の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。

絶縁性液体７２は、例えばパラフィンまたはイソパラフィンなどの有機溶媒により構成されている。絶縁性液体７２には、１種類の有機溶媒を用いてもよく、あるいは複数種類の有機溶媒を用いるようにしてもよい。絶縁性液体７２の粘度および屈折率は、できるだけ低くすることが好ましい。絶縁性液体７２の粘度を低くすると泳動粒子７３の移動性（応答速度）が向上する。また、これに応じて泳動粒子７３の移動のためのエネルギー（消費電力）は低くなる。絶縁性液体７２の屈折率を低くすると、絶縁性液体７２と多孔質層７４との屈折率の差が大きくなり、多孔質層７４の反射率が高くなる。

絶縁性液体７２には、例えば、着色剤，電荷調整剤，分散安定剤，粘度調整剤，界面活性剤または樹脂などを添加するようにしてもよい。

絶縁性液体７２中に分散された泳動粒子７３は、１または２以上の荷電粒子であり、このような帯電した泳動粒子７３が電界に応じ細孔７４Ａを経て移動する。泳動粒子７３は、任意の光学的反射特性（光反射率）を有しており、泳動粒子７３の光反射率と多孔質層７４の光反射率との違いによりコントラストが生じるようになっている。例えば、泳動粒子７３が明表示し、多孔質層７４が暗表示するようにしてもよく、泳動粒子７３が暗表示し、多孔質層７４が明表示するようにしてもよい。

外部から電気泳動素子７１を見ると、泳動粒子７３が明表示する場合には泳動粒子７３は例えば白色または白色に近い色に視認され、暗表示する場合には、例えば黒色または黒色に近い色に視認される。このような泳動粒子７３の色は、コントラストを生じさせることができれば特に限定されない。

泳動粒子７３は、例えば、有機顔料，無機顔料，染料，炭素材料，金属材料，金属酸化物，ガラスまたは高分子材料（樹脂）などの粒子（粉末）により構成されている。泳動粒子７３に、これらのうちの１種類を用いてもよく、または２種類以上を用いてもよい。泳動粒子７３を、上記粒子を含む樹脂固形分の粉砕粒子またはカプセル粒子などにより構成することも可能である。なお、上記炭素材料，金属材料，金属酸化物，ガラスまたは高分子材料に該当する材料は、有機顔料，無機顔料または染料に該当する材料から除く。泳動粒子７３の粒径は例えば３０ｎｍ〜３００ｎｍである。

上記の有機顔料は、例えば、アゾ系顔料、メタルコンプレックスアゾ系顔料、ポリ縮合アゾ系顔料、フラバンスロン系顔料、ベンズイミダゾロン系顔料、フタロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、アントラピリジン系顔料、ピランスロン系顔料、ジオキサジン系顔料、チオインジゴ系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料またはインダンスレン系顔料などである。無機顔料は、例えば、亜鉛華、アンチモン白、鉄黒、硼化チタン、ベンガラ、マピコエロー、鉛丹、カドミウムエロー、硫化亜鉛、リトポン、硫化バリウム、セレン化カドミウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、クロム酸鉛、硫酸鉛、炭酸バリウム、鉛白またはアルミナホワイトなどである。染料は、例えば、ニグロシン系染料、アゾ系染料、フタロシアニン系染料、キノフタロン系染料、アントラキノン系染料またはメチン系染料などである。炭素材料は、例えば、カーボンブラックなどである。金属材料は、例えば、金、銀または銅などである。金属酸化物は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、銅−クロム酸化物、銅−マンガン酸化物、銅−鉄−マンガン酸化物、銅−クロム−マンガン酸化物または銅−鉄−クロム酸化物などである。高分子材料は、例えば、可視光領域に光吸収域を有する官能基が導入された高分子化合物などである。可視光領域に光吸収域を有する高分子化合物であれば、その種類は特に限定されない。

泳動粒子７３の具体的な材料は、例えば、泳動粒子７３がコントラストを生じさせるために担う役割に応じて選択される。泳動粒子７３が明表示する場合、泳動粒子７３には例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムまたはチタン酸カリウムなどの金属酸化物等が用いられる。泳動粒子７３が暗表示する場合、泳動粒子７３には例えば、カーボンブラックなどの炭素材料または銅−クロム酸化物、銅−マンガン酸化物、銅−鉄−マンガン酸化物、銅−クロム−マンガン酸化物および銅−鉄−クロム酸化物などの金属酸化物等が用いられる。中でも、泳動粒子７３には炭素材料を用いることが好ましい。炭素材料からなる泳動粒子７３は、優れた化学的安定性、移動性および光吸収性を示す。

絶縁性液体７２中における泳動粒子７３の含有量（濃度）は、特に限定されないが、例えば、０．１重量％〜１０重量％である。この濃度範囲では、泳動粒子７３の遮蔽性および移動性が確保される。詳細には、泳動粒子７３の含有量が０．１重量％よりも少ないと、泳動粒子７３が多孔質層７４を遮蔽（隠蔽）しにくくなり、十分にコントラストを生じさせることが難しい可能性がある。一方、泳動粒子７３の含有量が１０重量％よりも多いと、泳動粒子７３の分散性が低下するため、その泳動粒子７３が泳動しにくくなり、凝集する虞がある。

泳動粒子７３は、絶縁性液体７２中で長期間に渡って分散および帯電しやすく、また、多孔質層７４に吸着しにくいことが好ましい。このため、例えば絶縁性液体７２中に分散剤が添加される。分散剤と電荷調整剤とを併用するようにしてもよい。

この分散剤または電荷調整剤は、例えば、正、負のどちらか一方、または両方の電荷を有しており、絶縁性液体７２中の帯電量を増加させると共に、静電反発により泳動粒子７３を分散させるためのものである。このような分散剤として、例えば、Ｌｕｂｒｉｚｏｌ社製のＳｏｌｓｐｅｒｃｅシリーズ、ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｃ社製のＢＹＫシリーズまたはＡｎｔｉ−Ｔｅｒｒａシリーズ、あるいはＴＣＩ Ａｍｅｒｉｃａ社製Ｓｐａｎシリーズなどが挙げられる。

泳動粒子７３の分散性を向上させるため、泳動粒子７３に表面処理を施すようにしてもよい。この表面処理は、例えば、ロジン処理、界面活性剤処理、顔料誘導体処理、カップリング剤処理、グラフト重合処理またはマイクロカプセル化処理などである。特に、グラフト重合処理、マイクロカプセル化処理またはこれらを組み合わせて処理を行うことにより、泳動粒子１０の長期間の分散安定性を維持することができる。

このような表面処理には、例えば、泳動粒子７３の表面に吸着可能な官能基と重合性官能基とを有する材料（吸着性材料）などが用いられる。吸着可能な官能基は、泳動粒子７３の形成材料に応じて決定する。例えば、泳動粒子７３がカーボンブラックなどの炭素材料により構成されている場合には、４−ビニルアニリンなどのアニリン誘導体、泳動粒子１０が金属酸化物により構成されている場合には、メタクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピルなどのオルガノシラン誘導体をそれぞれ吸着することができる。重合性官能基は、例えば、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などである。

泳動粒子７３の表面に重合性官能基を導入し、これにグラフトさせて表面処理を行うようにしてもよい（グラフト性材料）。グラフト性材料は、例えば重合性官能基と分散用官能基とを有している。分散用官能基は、絶縁性液体７２中に泳動粒子７３を分散させ、その立体障害により分散性を保持するものである。絶縁性液体７２が例えばパラフィンである場合、分散用官能基として分岐状のアルキル基などを用いることができる。重合性官能基は、例えばビニル基、アクリル基、メタクリル基などである。グラフト性材料を重合およびグラフトさせるためには、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）などの重合開始剤を用いればよい。

上記泳動粒子７３を絶縁性液体７２中に分散させる方法の詳細については、「超微粒子の分散技術とその評価〜表面処理・微粉砕と気中／液中／高分子中の分散安定化〜（サイエンス＆テクノロジー社）」などの書籍に掲載されている。

多孔質層７４は泳動粒子７３を遮蔽可能なものであり、繊維状構造体７４Ｂおよび繊維状構造体７４Ｂに保持された非泳動粒子７４Ｃ（第２粒子）を有している。この多孔質層７４は、繊維状構造体７４Ｂにより形成された３次元立体構造物（不織布のような不規則なネットワーク構造物）であり、複数の隙間（細孔７４Ａ）が設けられている。繊維状構造体７４Ｂにより、多孔質層７４の３次元立体構造を構成することで、光（外光）が乱反射（多重散乱）し、多孔質層７４の反射率が高くなる。従って、多孔質層７４の厚みが小さい場合であっても高反射率を得ることができ、電気泳動素子７１のコントラストを向上させると共に泳動粒子７３の移動のためのエネルギーを小さくすることができる。また、細孔７４Ａの平均孔径が大きくなり、かつ、多くの細孔７４Ａが多孔質層７４に設けられる。これにより、泳動粒子７３が細孔７４Ａを経由して移動し易くなり、応答速度が向上すると共に、泳動粒子７３を移動させるためのエネルギーがより小さくなる。このような多孔質層７４の厚みは、例えば、５μｍ〜１００μｍである。

繊維状構造体７４Ｂは、繊維径（直径）に対して十分な長さを有する繊維状物質である。例えば、複数の繊維状構造体２１が集合し、ランダムに重なって多孔質層７４を構成する。１つの繊維状構造体７４Ｂがランダムに絡みあって多孔質層７４を構成していてもよい。あるいは、１つの繊維状構造体７４Ｂによる多孔質層７４と複数の繊維状構造体７４Ｂによる多孔質層７４とが混在していてもよい。

繊維状構造体７４Ｂは、例えば、高分子材料または無機材料等により構成されている。高分子材料としては、例えば、ナイロン，ポリ乳酸，ポリアミド，ポリイミド，ポリエチレンテレフタレート，ポリアクリロニトリル，ポリエチレンオキシド，ポリビニルカルバゾール，ポリビニルクロライド，ポリウレタン，ポリスチレン，ポリビニルアルコール，ポリサルフォン，ポリビニルピロリドン，ポリビニリデンフロリド，ポリヘキサフルオロプロピレン，セルロースアセテート，コラーゲン，ゼラチン，キトサンまたはそれらのコポリマーなどが挙げられる。無機材料は、例えば酸化チタンなどである。繊維状構造体７４Ｂには、高分子材料を用いることが好ましい。高分子材料は、例えば光などに対する反応性が低く、化学的に安定であるためである。即ち、高分子材料を用いることにより、意図しない繊維状構造体７４Ｂの分解反応を防ぐことができる。繊維状構造体７４Ｂが高反応性の材料により構成される場合には、表面を任意の保護層で被覆しておくことが好ましい。

繊維状構造体７４Ｂは例えば直線状に延在している。繊維状構造体７４Ｂの形状は、どのようなものであってもよく、例えば、縮れていたり、途中で折れ曲がったりしていてもよい。あるいは、繊維状構造体７４Ｂは途中で分岐していてもよい。

繊維状構造体７４Ｂの平均繊維径は、例えば５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるが、上記範囲外であってもよい。平均繊維径を小さくすることにより、光が乱反射し易くなり、また、細孔７４Ａの孔径が大きくなる。繊維状構造体７４Ｂが非泳動粒子７４Ｃを保持できるよう、その繊維径を決定する。平均繊維径は、例えば、走査型電子顕微鏡などを用いた顕微鏡観察により測定することができる。繊維状構造体７４Ｂの平均長さは任意である。繊維状構造体７４Ｂは、例えば、相分離法，相反転法，静電（電界）紡糸法，溶融紡糸法，湿式紡糸法，乾式紡糸法，ゲル紡糸法，ゾルゲル法またはスプレー塗布法などにより形成される。このような方法を用いることにより、繊維径に対して十分な長さを有する繊維状構造体７４Ｂを容易に、かつ安定して形成することができる。

繊維状構造体７４Ｂは、ナノファイバーにより構成することが好ましい。ここでナノファイバーとは、繊維径が１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、長さが繊維径の１００倍以上である繊維状物質である。このようなナノファイバーを繊維状構造体７４Ｂとして用いることにより、光が乱反射し易くなり、多孔質層７４の反射率をより向上させることができる。即ち、電気泳動素子７１のコントラストを向上させることが可能となる。また、ナノファイバーからなる繊維状構造体７４Ｂでは、単位体積中に占める細孔７４Ａの割合が大きくなり、細孔７４Ａを経由して泳動粒子７３が移動がし易くなる。従って、泳動粒子７３の移動のためのエネルギーを小さくすることができる。ナノファイバーからなる繊維状構造体７４Ｂは、静電紡糸法により形成することが好ましい。静電紡糸法を用いることにより繊維径が小さい繊維状構造体７４Ｂを容易に、かつ安定して形成することができる。

繊維状構造体７４Ｂには、その光反射率が泳動粒子７３の光反射率と異なるものを用いることが好ましい。これにより、多孔質層７４と泳動粒子７３との光反射率の差によるコントラストが形成され易くなる。絶縁性液体７２中で光透過性（無色透明）を示す繊維状構造体７４Ｂを用いるようにしてもよい。

細孔７４Ａは、複数の繊維状構造体７４Ｂが重なり合い、または１つの繊維状構造体７４Ｂが絡まりあうことにより構成されている。この細孔７４Ａは、泳動粒子７３が細孔７４Ａを経て移動し易いよう、できるだけ大きな平均孔径を有していることが好ましい。細孔７４Ａの平均孔径は、例えば、０．１μｍ〜１０μｍである。

非泳動粒子７４Ｃは繊維状構造体７４Ｂに固定されており、その光反射率は泳動粒子７３の光反射率と異なっている。非泳動粒子７４Ｃは、上記泳動粒子７３と同様の材料により構成することが可能である。詳細には、非泳動粒子７４Ｃ（多孔質層７４）が明表示する場合には上記泳動粒子７３が明表示する場合の材料、非泳動粒子７４Ｃが暗表示する場合には上記泳動粒子７３が暗表示する場合の材料をそれぞれ用いることができる。多孔質層７４により明表示を行うとき、非泳動粒子７４Ｃを金属酸化物により構成することが好ましい。これにより、優れた化学的安定性、定着性および光反射性を得ることができる。中でも、非泳動粒子７４Ｃを屈折率の高い金属酸化物、例えばルチル型の酸化チタンにより構成することが好ましい。非泳動粒子７４Ｃ、泳動粒子７３それぞれの構成材料は同じであってもよく、異なっていてもよい。非泳動粒子７４Ｃは、繊維状構造体７４Ｂの内部に完全に埋設されていてもよく、あるいは、繊維状構造体７４Ｃから部分的に露出していてもよい。非泳動粒子７４Ｃが明表示または暗表示を行うときに外部から視認される色は、上記泳動粒子７３について説明したものと同様である。

このような多孔質層７４は、例えば以下の方法により形成することができる。まず有機溶剤などに、例えば高分子材料等の繊維状構造体７４Ｂの構成材料を溶解させ、紡糸溶液を調製する。次いで、この紡糸溶液に非泳動粒子７４Ｃを加えて十分に攪拌し、非泳動粒子７４Ｃを分散させる。最後に、この紡糸溶液から例えば静電紡糸法により紡糸を行って非泳動粒子７４Ｃを繊維状構造体７４Ｂに固定し、多孔質層７４を形成する。多孔質層７４は、高分子フィルムに、レーザを使用して穴開け加工を施して細孔７４Ａを形成するようにしてもよく、多孔質層７４に合成繊維等により編まれた布、または連泡多孔性高分子などを用いるようにしてもよい。

電気泳動素子７１は、上記のように、泳動粒子７３の光反射率と多孔質層７４の光反射率との差によりコントラストを生じさせるものである。具体的には、泳動粒子７３および多孔質層７４のうち、明表示する方の光反射率が暗表示する方の光反射率よりも高くなっている。非泳動粒子７４Ｃの光反射率を、泳動粒子７３よりも高くして、多孔質層７４で明表示し、泳動粒子７３で暗表示することが好ましい。このような表示を行うことにより、明表示がなされる際の光反射率が、多孔質層７４（３次元立体構造物）による光の乱反射を利用して著しく高くなる。従って、これに応じ、コントラストも著しく向上する。

電気泳動素子７１では、電界が印加された範囲内で泳動粒子７３が多孔質層７４の細孔７４Ａを経て移動する。泳動粒子７３の移動した領域、移動しない領域に応じて、明表示および暗表示のうちのどちらか一方がなされ、画像が表示される。

図１６は、表示体７０として電気泳動素子７１を用いた電子デバイス（表示装置）２の断面構成の一例を表したものである。この電子デバイス２は、電気泳動現象を利用して画像（例えば文字情報など）を表示する電気泳動型ディスプレイ（いわゆる電子ペーパーディスプレイ）である。電子デバイス２は、例えば、基板１に、ＴＦＴ層６０と、表示体７０としての電気泳動素子７１とを有する機能部３が設けられたものである。

ＴＦＴ層６０は、例えば、ＴＦＴ６１と、保護層６２と、平坦化絶縁層６３とを有している。

ＴＦＴ６１は、画素を選択するためのスイッチング用素子である。ＴＦＴ６１は、チャネル層として無機半導体層を用いた無機ＴＦＴでもよいし、有機半導体層を用いた有機ＴＦＴでもよい。保護層６２および平坦化絶縁層６３は、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により構成されている。保護層６２の表面が十分に平坦であれば、平坦化絶縁層６３を省略することも可能である。

表示体７０は、画素電極７５と、上述した電気泳動素子７１と、対向基板７６とを有している。ＴＦＴ層６０と対向基板７６との間にはスペーサ７７が介在している。

画素電極７５は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）などの金属材料により形成されている。画素電極７５は、保護層６２および平坦化絶縁層６３に設けられたコンタクトホール（図示せず）を通じてＴＦＴ６１に接続されている。ＴＦＴ６１および画素電極７５は、例えば画素配置に応じてマトリクス状またはセグメント状に配置されている。

対向基板７６は、例えば板状部材７６Ａおよび対向電極７６Ｂを有しており、板状部材７６Ａの全面（基板１との対向面）に対向電極７６Ｂが設けられている。対向電極７６Ｂを、画素電極７５と同様に、マトリクス状またはセグメント状に配置するようにしてもよい。

板状部材７６Ａは、光透過性を有し、例えば、無機材料，金属材料またはプラスチック材料などにより構成されている。無機材料としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ），酸化ケイ素（ＳｉＯ_x ），窒化ケイ素（ＳｉＮ_x ）または酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x ）などが挙げられる。酸化ケイ素には、ガラスまたはスピンオングラス（ＳＯＧ）などが含まれる。金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）またはステンレスなどが挙げられ、プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）またはポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられる。

対向電極７６Ｂには、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化アンチモン−酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）またはアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）などの光透光性導電性材料（透明電極材料）を用いることができる。

対向基板７６側に画像を表示する場合には、対向電極７６Ｂを介して電気泳動素子７１を見ることになるため、対向電極７６Ｂの光透過性（透過率）は、できるだけ高いことが好ましく、例えば、８０％以上である。また、対向電極７６Ｂの電気抵抗は、できるだけ低いことが好ましく、例えば、１００Ω／□以下である。

電気泳動素子７１は、上述したように、絶縁性液体７２中に、泳動粒子７３と、複数の細孔７４Ａを有する多孔質層７４とを含んでいる。絶縁性液体７２は、ＴＦＴ層６０と対向基板７６との間の空間に充填されており、多孔質層７４は、例えば、スペーサ７７により支持されている。絶縁性液体７２が充填されている空間は、例えば、多孔質層７４を境界として、画素電極７５に近い側の待避領域Ｒ１と、対向電極７６Ｂに近い側の表示領域Ｒ２とに区分けされている。絶縁性液体７２、泳動粒子７３および多孔質層７４の構成は、上述と同様である。なお、図１６および後述の図１７では、図示内容を簡略化するために、細孔７４Ａの一部だけを示している。

多孔質層７４は、画素電極７５および対向電極７６Ｂのうちのどちらか一方に隣接していてもよく、待避領域Ｒ１と表示領域Ｒ２とが明確に区切られていなくてもよい。泳動粒子７３は、電界に応じて画素電極７５または対向電極７６Ｂに向かって移動する。

スペーサ７７の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍであり、できるだけ、薄くすることが好ましい。これにより、消費電力を抑えることができる。スペーサ７７は、例えば、高分子材料などの絶縁性材料により構成され、ＴＦＴ層６０と対向基板７６との間に例えば格子状に設けられている。スペーサ７７の配置形状は、特に限定されないが、泳動粒子７３の移動を妨げず、かつ、泳動粒子７３を均一分布させるように設けることが好ましい。

初期状態の電子デバイス２では、泳動粒子７３が待避領域Ｒ１に配置されている（図１６）。この場合には、全ての画素で泳動粒子７３が多孔質層７４により遮蔽されているため、対向基板７６側から電気泳動素子７１を見ると、コントラストが生じていない（画像が表示されていない）状態にある。

一方、ＴＦＴ６１により画素が選択され、画素電極７５と対向電極７６Ａとの間に電界が印加されると、図１７に示したように、画素毎に泳動粒子７３が待避領域Ｒ１から多孔質層７４（細孔７４Ａ）を経由して表示領域Ｒ２に移動する。この場合には、泳動粒子７３が多孔質層７４により遮蔽されている画素と遮蔽されていない画素とが併存するため、対向基板７６側から電気泳動素子７１を見ると、コントラストが生じている状態になる。これにより、画像が表示される。

このように本実施の形態では、素材基板１０の表面を研磨したのちに、素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成するようにしたので、素材基板１０の表面の凹欠陥１２および凸欠陥１１の両方に対応可能となり、凹凸欠陥の少ない、表面平滑性の優れた基板１を得ることが可能となる。よって、ＴＦＴ層６０などの電子素子へのダメージが少なく、歩留まりの向上が可能となる。

また、プラスチックシートよりなるフレキシブルな素材基板１０上に電子回路を形成するためには、電気特性への影響を考慮して高い表面平滑性が求められ、素材基板１０の選択肢が限られていた。本実施の形態では、表面平滑性がそれほど高くない素材基板１０も使用することが可能となり、素材基板１０の選択肢を広げることが可能となる。

更に、プラスチックシートよりなるフレキシブルな素材基板１０上に電子回路を形成するためには、凹凸欠陥の少ない素材基板１０が好ましく、素材基板１０の受け入れ基準が高く設定されることによりコスト増加の原因となっていた。本実施の形態では、素材基板１０の受け入れ基準を緩和することが可能となり、素材基板１０のコストを抑制することが可能となる。

（変形例１）
図１８は、変形例１に係る基板１の製造方法の流れを表したものである。本変形例は、平坦化膜２０としてバリアコートを兼ねる無機膜を形成することを除いては、上記実施の形態の基板１の製造方法と同じである。よって、上記実施の形態と重複する工程については、図２ないし図４を参照して説明する。

（素材基板１０を支持体３０に貼り合わせる工程）
まず、上記実施の形態と同様にして、図２および図３に示した工程により、素材基板１０を、支持体３０に粘着層４０を用いて貼り付ける（図１８のステップＳ１０１）。

（素材基板１０の表面を研磨する工程）
次いで、上記実施の形態と同様にして、図４に示した工程により、素材基板１０の表面を研磨する（図１８のステップＳ１０２）。これにより、素材基板１０の表面に存在する凸欠陥１１が削り取られて除去される。

（洗浄および前処理）
続いて、次工程の平坦化膜２０の成膜に備えて、素材基板１０の表面を洗浄し（図１８のステップＳ１０３）、前処理を行う（図１８のステップＳ１０４）。

（素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成する工程）
そののち、図１９に示したように、素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成する（図１８のステップＳ１０８）。これにより、素材基板１０の表面に存在する凹欠陥１２および研磨工程で生じた研磨傷１３が平坦化膜２０で埋め込まれる。これと同時に、研磨後に残存している凸欠陥１１が平坦化膜２０でカバーされる。よって、平坦化膜２０の表面が平滑に形成される。

本変形例では、平坦化膜２０として、バリアコートを兼ねる無機膜を形成する。無機膜の材料は、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜などが挙げられる。なお、平坦化膜２０は、バリアコート性能を有していれば、樹脂膜と無機膜とのハイブリッド膜でもよい。

平坦化膜２０の成膜手法としては、スリットコート、スクリーン印刷、グラビアコート、スピンコート、スプレーコート、ＣＶＤ、ＡＬＤ、スパッタ法などを用いることが可能である。

平坦化膜２０と素材基板１０の熱挙動が大きく異なる場合は、製造プロセス中の熱工程により歪応力が蓄積される。例えば、熱膨張係数差が大きい場合は加熱工程中に基板反りや膜剥がれが生じる可能性があり、熱収縮差が大きい場合は加熱工程後に常温に戻った際に基板反りや膜剥がれが生じる可能性がある。そこで、平坦化膜２０の熱膨張係数や熱収縮などの熱挙動が同じまたは略同じ材料により構成することが好ましい。更に、平坦化膜２０は、素材基板１０との化学組成や官能基などの親和性の高い材料により構成されていることが好ましい。加えて、平坦化膜２０は、後の機能部３の形成の際の温度に対し耐熱性を備えていることが好ましい。

平坦化膜２０の厚みＴ２０は、上記実施の形態と同様に、素材基板１０の厚みＴ１０よりも薄くすることが好ましい。素材基板１０のほうが平坦化膜２０よりも薄い場合には、素材基板１０の表面の研磨後に残存している凸欠陥１１をカバーしきれないおそれがある。また、平坦化膜２０の熱収縮が大きいと、後の機能部形成の際の加熱工程などにより平坦化膜２０の膜収縮が大きくなり基板１に反りが生じる。また、厚みＴ２０が大きいほどその影響が大きくなる。そのため、平坦化膜２０の厚みＴ２０は、例えば、素材基板１０の厚みＴ１０の５分の１以下であることが好ましく、より好ましくは７分の１以下、更に好ましくは１０分の１以下である。

（ポストベーク）
なお、平坦化膜２０として樹脂膜と無機膜とのハイブリッド膜を形成した場合には、素材基板１０の表面に平坦化膜２０を形成したのち、オーブン、ＩＲ（infrared）炉などにより、平坦化膜２０の焼結（ポストベーク）を行ってもよい。この際の温度は、素材基板１０、平坦化膜２０、支持体３０および粘着層４０を含む積層構造体の各層の材料の耐熱温度以下で行うことが好ましい。また、焼成温度は、後の工程で樹脂膜が分解しない温度で行うことが好ましい。更に、樹脂膜などから脱ガスが極力出なくなるまで十分に加熱することが好ましい以上により、基板１が完成する。

（変形例２）
次に、図２０ないし図２２を参照して、変形例２について説明する。本変形例は、表示体７０として有機ＥＬ素子８１を形成し、電子デバイス２として有機ＥＬディスプレイを製造するものである。

図２０は、表示体７０として有機ＥＬ素子８１を用いた電子デバイス（表示装置）２の断面構成の一例を表したものである。この電子デバイス２は、有機ＥＬ素子８１の発光を利用して画像表示を行う有機ＥＬディスプレイであり、例えば、基板１に、ＴＦＴ層６０と、表示体７０としての有機ＥＬ素子８１とを有する機能部３が設けられたものである。

ＴＦＴ層６０は、例えば、ＴＦＴ６４と、平坦化絶縁層６５とを有している。

ＴＦＴ６４は、いわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ６４では、基板１上に、ゲート電極６４Ａ、ゲート絶縁膜（第１ゲート絶縁膜６４Ｂ，第２ゲート絶縁膜６４Ｃ）、酸化物半導体層６４Ｄ、チャネル保護膜６４Ｅおよびソース・ドレイン電極６４Ｆがこの順に形成されている。ソース・ドレイン電極６４Ｆ上には、基板１の全面に渡ってＴＦＴ６４の凹凸を平坦化させるための平坦化絶縁層６５が形成されている。

ゲート電極６４Ａは、ＴＦＴ６４に印加されるゲート電圧によって酸化物半導体層６４Ｄ中のキャリア密度（ここでは、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極６４Ａは、例えばＭｏ，Ａｌおよびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。

第１ゲート絶縁膜６４Ｂおよび第２ゲート絶縁膜６４Ｃは、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ここでは、第１ゲート絶縁膜６４Ｂおよび第２ゲート絶縁膜６４Ｃは２層構造を有し、第１ゲート絶縁膜６４Ｂが例えばＳｉＯ２ 膜、第２ゲート絶縁膜６４Ｃは例えばＳｉ₃ Ｎ₄ 膜によりそれぞれ構成されている。第１ゲート絶縁膜６４Ｂおよび第２ゲート絶縁膜６４Ｃの総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。

酸化物半導体層６４Ｄは、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。この酸化物半導体層６４Ｄは、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極６４Ｆ間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層６４Ｄの膜厚は負の電荷の影響がチャネルへ及ぶように、薄膜トランジスタのオン電流の悪化を引き起こさない程度であることが望ましく、具体的には５ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。

チャネル保護膜６４Ｅは、酸化物半導体層６４Ｄ上に形成され、ソース・ドレイン電極６４Ｆ形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜６４Ｅの厚みは、例えば１０〜３００ｎｍである。

ソース・ドレイン電極６４Ｆは、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ｔｉ，ＩＴＯおよびＴｉＯ等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。

平坦化絶縁層６５は、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料が用いられる。この平坦化層２７の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化絶縁層６５上には、有機ＥＬ素子８１のアノード電極８２が形成されている。

有機ＥＬ素子８１は、ＴＦＴ層６０の上に、アノード電極８２、隔壁絶縁膜８３、発光層を含む有機層８４、カソード電極８５、保護層８６および封止基板８７をこの順に積層した構成を有している。有機ＥＬ素子８１は、アノード電極８２から注入された正孔とカソード電極８５から注入された電子が有機層８４の発光層内で再結合する際に生じた発光光を基板１と反対側（カソード電極８３側）から光を取り出す上面発光型（トップエミッション型）の表示素子である。上面発光型の有機ＥＬ素子８１を用いることにより電子デバイス（表示装置）２の発光部の開口率が向上する。なお、本開示の有機ＥＬ素子８１は、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）の表示素子としてもよい。

アノード電極８２は、例えば電子デバイス（表示装置）２が上面発光型である場合には、高反射性材料、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等により構成されている。アノード電極８２は、電子デバイス（表示装置）２が透過型である場合には、透明材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等が用いられる。

隔壁絶縁膜８３は、ポリイミドまたはノボラック等の有機材料により形成され、アノード電極８２とカソード電極８５との絶縁性を確保する機能も有している。隔壁絶縁膜８３は、アノード電極８２の発光領域を囲むように設けられると共に、ＴＦＴ６４のソース・ドレイン電極６４Ｆとアノード電極８２との接続部上に設けられている。

有機層８４は、図示しないが、アノード電極８２側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層を積層した構成を有する。有機層８４は例えば真空蒸着法やスピンコート法等によって形成される。この有機層８４の上面はカソード電極８５によって被覆されている。有機層８４を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。

正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層の厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔注入層の構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。

正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層を構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ３などを用いることができる。

発光層では、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり発光する。発光層の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍである。発光層は、単層あるいは積層構造であってもよい。具体的には、正孔輸送層上に赤色，緑色，青色の発光層が単層設けられていてもよい。あるいは、青色発光層を赤色，緑色および青色の有機ＥＬ素子の共通層とし、赤色有機ＥＬ素子には赤色発光層上に青色発光層が積層され、緑色有機ＥＬ素子には緑色発光層上に青色発光層が積層されていてもよい。また、赤色発光層，緑色発光層および青色発光層を積層してもよく、これらを積層することにより白色有機ＥＬ素子が形成される。

発光層を構成する材料は、それぞれの発光色に応じた材料を用いればよく、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等を用いることができる。なお、発光層を構成する材料は、上記材料を２種類以上混合して用いてもよい。また、上記高分子量の材料に限らず、低分子量の材料を組み合わせて用いてもよい。低分子材料の例としては、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。

発光層を構成する材料としては、上記材料の他に発光性ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料を用いることができる。

なお、発光層は、例えば上述した正孔輸送層を兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、電子輸送層を兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。

電子輸送層および電子注入層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層および電子注入層の総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。電子輸送層の材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層への電子輸送効率を高めることにより、電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持されるからである。電子注入層の材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。

なお、有機層８４は、真空蒸着法やスピンコート法の他にディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法などの印刷法などによる形成も可能であり、各層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。

カソード電極８５は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することができる。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いる事が可能である。カソード電極８５は単層でもよいし、積層構造でもよい。

更に、この有機ＥＬ素子８１が、キャビティ構造となっている場合には、カソード電極８５が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、アノード電極８２側の光反射面と、カソード電極８５側の光反射面との間で多重干渉させた発光光がカソード電極８５側から取り出される。この場合、アノード電極８２側の光反射面とカソード電極８５側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の有機ＥＬ素子８１においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。

保護層８６は、有機層８４への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護層８６の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）, アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）, アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x ），アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファ
ス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。

封止用基板８７は、有機ＥＬ素子８１のカソード電極８５の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子８１を封止するものである。封止用基板８７は、有機ＥＬ素子８１で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板８１には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられており、有機ＥＬ素子８１で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子１０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）とを交互に積層したものが挙げられる。

図２１は、この電子デバイス（表示装置）２の概略構成を表したものである。この電子デバイス（表示装置）２は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、基板１の上に、ＴＦＴ層６０と、表示体７０とを含む機能部３が形成されている。機能部３は、基板１の上に、表示領域１１０Ａと、周辺領域１１０Ｂとを有している。表示領域１１０Ａには、赤色の光を発生する赤色有機ＥＬ素子８１Ｒと、緑色の光を発生する緑色有機ＥＬ素子８１Ｇと、青色の光を発生する青色有機ＥＬ素子８１Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に配置されている。周辺領域１１０Ｂは、表示領域１１０を囲うように配置されている。周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０Ａ内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、アノード電極８１の下層のＴＦＴ層６０に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子８１Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子８１Ｇ，青色有機ＥＬ素子８１Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えば、図２０に示したＴＦＴ６４のようなボトムゲート型の酸化物半導体ＴＦＴにより構成されている。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子８１Ｒ，緑色有機ＥＬ素子８１Ｇ，青色有機ＥＬ素子８１Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

この電子デバイス（表示装置）２では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子８１に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合にはアノード電極８２および基板１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合にはカソード８５，カラーフィルタ（図示せず）および封止用基板８７を透過して取り出される。

（適用例）
以下、上記のような電子デバイス（表示装置）２の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（適用例１）
図２３および図２４は、電子ブック２１０の外観構成を表している。この電子ブック２１０は、例えば、表示部２１１および非表示部２１２と、操作部２１３とを備えている。なお、操作部２１３は、図２３に示したように非表示部２１２の前面に設けられていてもよいし、図２４に示したように非表示部２１２の上面に設けられていてもよい。表示部２１１が電子デバイス（表示装置）２により構成される。なお、電子デバイス（表示装置）２は、図２３および図２４に示した電子ブックと同様の構成を有するＰＤＡ（Personal Digital Assistants ）などに搭載されてもよい。

（適用例２）
図２５は、スマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表示部２２１および非表示部２２２を有している。表示部２２１が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例３）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置２３０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２３０は、例えば、フロントパネル２３１およびフィルターガラス２３２を含む映像表示画面部２３３を有している。映像表示画面部２３３が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例４）
図２７は、タブレットパーソナルコンピュータ２４０の外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータ２４０は、例えば、タッチパネル部２４１および筐体２４２を有しており、タッチパネル部２４１が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例５）
図２８および図２９は、デジタルスチルカメラ２５０の外観を表したものである。このデジタルスチルカメラ２５０は、例えば、フラッシュ用の発光部２５１、表示部２５２、メニュースイッチ２５３およびシャッターボタン２５４を有しており、表示部２５２が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例６）
図３０は、ノートブック型パーソナルコンピュータ２６０の外観を表したものである。このノートブック型パーソナルコンピュータ２６０は、例えば、本体２６１，文字等の入力操作のためのキーボード２６２および画像を表示する表示部２６３を有しており、表示部２６３が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例７）
図３１は、ビデオカメラ２７０の外観を表したものである。このビデオカメラ２７０は、例えば、本体部２７１，この本体部２７１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ２７２，撮影時のスタート／ストップスイッチ２７３および表示部２７４を有している。表示部２７４が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例８）
図３２および図３３は、他の電子ブック２８０の外観を表したものである。電子ブック２８０は、柔らかい素材をコンポーネント化して形成された薄型のフレキシブルディスプレイである。この電子ブック２８０では、複数枚の紙（頁）を綴じて作られる実際の本のように、装置全体を閉じたり（折り畳んだり）、あるいは開いたりすることができるようになっている。ユーザは実際に本を読んでいるかのような感覚で、電子ブック３に表示された内容（例えば書籍の頁等）を閲覧することが可能である。

電子ブック２８０は、支持基板２８１上に、表示部２８２を備えたものであり、本における「背」の部分（背２８３Ａ）には、ヒンジ部２８３を有している。この電子ブック２８０の下面（閉じたときに外側になる面）側には軟らかい樹脂フィルムよりなるカバー２８４が設けられ、上面（閉じたときに内側になる面）側は、柔らかく、かつ表示光に対して透明性を有する樹脂フィルムよりなる保護シート２８５により覆われている。表示部２８２が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

（適用例９）
図３４および図３５は、携帯電話機２９０の外観を表したものである。この携帯電話機２９０は、例えば、上側筐体２９１と下側筐体２９２とを連結部（ヒンジ部）２９３で連結したものであり、ディスプレイ２９４，サブディスプレイ２９５，ピクチャーライト２９６およびカメラ２９７を有している。ディスプレイ２９４またはサブディスプレイ２９５が電子デバイス（表示装置）２により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、電子デバイス（表示装置）２として電子ペーパーディスプレイおよび有機ＥＬ表示装置について説明したが、液晶表示装置などの他の表示装置であってもよい。また、本技術の電子デバイス２は、表示装置のほか、センサ等への適用も可能である。

また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更に、上記実施の形態等では、基板１および電子デバイス２の構成を具体的に挙げて説明したが、本技術の基板１および電子デバイス２は、図示した構成要素を全て備えるものに限定されるものではない。また、一部の構成要素を他の構成要素に置換することもできる。

本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
素材基板の表面を研磨することと、
前記素材基板の表面を研磨したのちに、前記素材基板の表面に平坦化膜を形成することと
を含む基板の製造方法。
（２）
前記研磨することおよび前記平坦化膜を形成することを、前記素材基板を支持体に貼り付けた状態で行う
前記（１）記載の基板の製造方法。
（３）
前記平坦化膜を、前記素材基板の線膨張係数と同じまたは略同じ線膨張係数をもつ材料により構成する
前記（１）または（２）記載の基板の製造方法。
（４）
前記平坦化膜を、前記素材基板の熱収縮と同じまたは略同じ熱収縮をもつ材料により構成する
前記（１）ないし（３）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（５）
前記平坦化膜の厚みを、前記素材基板の厚みよりも薄くする
前記（１）ないし（４）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（６）
前記平坦化膜の厚みを、前記素材基板の厚みの５分の１以下とする
前記（５）記載の基板の製造方法。
（７）
前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の表面全体を研磨する
前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（８）
前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の表面に存在する凸欠陥の高さが前記平坦化膜の厚み以下になるまで研磨する
前記（７）記載の基板の製造方法。
（９）
前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の研磨傷の深さを前記平坦化膜の厚み以下とする
前記（８）記載の基板の製造方法。
（１０）
前記素材基板を、可撓性をもつ樹脂シートにより構成する
前記（１）ないし（９）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（１１）
前記平坦化膜として樹脂膜を形成する
前記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（１２）
前記平坦化膜の表面に、無機膜よりなるバリアコートを形成することを更に含む
前記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（１３）
前記平坦化膜としてバリアコートを兼ねる無機膜を形成する
前記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の基板の製造方法。
（１４）
基板を形成することと、前記基板に機能部を形成することとを含み、
前記基板を形成することは、
素材基板の表面を研磨することと、
前記素材基板の表面を研磨したのちに、前記素材基板の表面に平坦化膜を形成することと
を含む電子デバイスの製造方法。
（１５）
前記研磨することおよび前記平坦化膜を形成することを、前記素材基板を支持体に貼り付けた状態で行う
前記（１４）記載の電子デバイスの製造方法。
（１６）
前記基板に機能部を形成したのちに、
前記素材基板および前記平坦化膜を含む基板本体を、前記支持体から剥離することと、
前記基板本体を切断してモジュールを形成することと
を更に含む前記（１５）記載の電子デバイスの製造方法。
（１７）
前記基板に機能部を形成したのちに、
前記基板を切断してモジュールを形成することと、
前記素材基板および前記平坦化膜を含む基板本体を、前記支持体から剥離することと
を更に含む前記（１５）記載の電子デバイスの製造方法。

本出願は、日本国特許庁において２０１３年７月１６日に出願された日本特許出願番号２０１３−１４７７４１号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (17)

1. 素材基板の表面を研磨することと、
   前記素材基板の表面を研磨したのちに、前記素材基板の表面に平坦化膜を形成することと
   を含む基板の製造方法。
2. 前記研磨することおよび前記平坦化膜を形成することを、前記素材基板を支持体に貼り付けた状態で行う
   請求項１記載の基板の製造方法。
3. 前記平坦化膜を、前記素材基板の線膨張係数と同じまたは略同じ線膨張係数をもつ材料により構成する
   請求項１記載の基板の製造方法。
4. 前記平坦化膜を、前記素材基板の熱収縮と同じまたは略同じ熱収縮をもつ材料により構成する
   請求項１記載の基板の製造方法。
5. 前記平坦化膜の厚みを、前記素材基板の厚みよりも薄くする
   請求項１記載の基板の製造方法。
6. 前記平坦化膜の厚みを、前記素材基板の厚みの５分の１以下とする
   請求項５記載の基板の製造方法。
7. 前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の表面全体を研磨する
   請求項１記載の基板の製造方法。
8. 前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の表面に存在する凸欠陥の高さが前記平坦化膜の厚み以下になるまで研磨する
   請求項７記載の基板の製造方法。
9. 前記素材基板の表面を研磨することにおいて、前記素材基板の研磨傷の深さを前記平坦化膜の厚み以下とする
   請求項８記載の基板の製造方法。
10. 前記素材基板を、可撓性をもつ樹脂シートにより構成する
    請求項１記載の基板の製造方法。
11. 前記平坦化膜として樹脂膜を形成する
    請求項１記載の基板の製造方法。
12. 前記平坦化膜の表面に、無機膜よりなるバリアコートを形成することを更に含む
    請求項１記載の基板の製造方法。
13. 前記平坦化膜としてバリアコートを兼ねる無機膜を形成する
    請求項１記載の基板の製造方法。
14. 基板を形成することと、前記基板に機能部を形成することとを含み、
    前記基板を形成することは、
    素材基板の表面を研磨することと、
    前記素材基板の表面を研磨したのちに、前記素材基板の表面に平坦化膜を形成することと
    を含む電子デバイスの製造方法。
15. 前記研磨することおよび前記平坦化膜を形成することを、前記素材基板を支持体に貼り付けた状態で行う
    請求項１４記載の電子デバイスの製造方法。
16. 前記基板に機能部を形成したのちに、
    前記素材基板および前記平坦化膜を含む基板本体を、前記支持体から剥離することと、
    前記基板本体を切断してモジュールを形成することと
    を更に含む請求項１５記載の電子デバイスの製造方法。
17. 前記基板に機能部を形成したのちに、
    前記基板を切断してモジュールを形成することと、
    前記素材基板および前記平坦化膜を含む基板本体を、前記支持体から剥離することと
    を更に含む請求項１５記載の電子デバイスの製造方法。

Images