JP6483464B2 - 剥離方法 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に関する。特に、本発明の一態様は、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に関する。特に、本発明の一態様は、剥離方法や、剥離工程を有する装置の作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレキシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタなどの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。

可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に薄膜トランジスタや有機ＥＬ素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む被剥離層を剥離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。

例えば、特許文献１に開示されているレーザアブレーションを用いた剥離技術では、まず、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射により分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。

また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。

特開平１０−１２５９３１号公報 特開２００３−１７４１５３号公報

本発明の一態様は、剥離工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。本発明の一態様は、剥離工程における、無機絶縁膜等のクラック（膜割れやひび）の発生を抑制することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。特に、軽量である、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、量産性の高い装置の作製方法を提供することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、信頼性の高い装置を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、繰り返しの曲げに強い装置を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置を提供することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における不純物の混入を抑制することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における基板の貼り合わせの位置合わせ精度を高めることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な剥離方法や装置の作製方法を提供することを目的の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、素子層と、第１の接着層と、第２の接着層と、絶縁層と、を有する発光装置であって、第１の基板は、可撓性を有し、第２の基板は、可撓性を有し、素子層は、第１の基板と第２の基板との間に設けられ、素子層は、発光素子を有し、絶縁層は、第１の基板と素子層との間に設けられ、第１の接着層は、第１の基板と絶縁層との間に設けられ、第２の接着層は、第２の基板と素子層との間に設けられ、第１の接着層は、第１の部分を有し、第２の接着層は、第２の部分を有し、第１の部分の硬度は、ショアＤ（ショアＤ硬度ともいう）７０より高く、第２の部分の硬度は、ショアＤ７０より高く、第１の基板は、第３の部分を有し、第２の基板は、第４の部分を有し、第３の部分の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であり、第４の部分の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満である、発光装置である。

上記発光装置において、第１の部分の硬度は、ショアＤ８０以上であり、第２の部分の硬度は、ショアＤ８０以上であることが好ましい。

上記発光装置において、第３の部分の膨張係数は、３０ｐｐｍ／℃以下であり、第４の部分の膨張係数は、３０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。

また、本発明の一態様は、第１乃至第６の工程を有する剥離方法であって、第１の工程は、第１の基板上に、剥離層を形成する工程を有し、第２の工程は、剥離層上に、被剥離層を形成する工程を有し、被剥離層は、第１の層を有し、第１の層は、剥離層と接する領域を有し、第３の工程は、接着層を、剥離層及び被剥離層と重ねて配置する工程を有し、接着層に、シート状の接着剤を用い、第４の工程は、接着層を硬化する工程を有し、第５の工程は、第１の部分を除去する工程を有し、第１の層は、第１の部分を有し、第１の部分は、剥離層及び接着層と互いに重なる領域を有し、第６の工程は、剥離層と被剥離層とを分離する工程を有する、剥離方法である。

上記剥離方法の第５の工程において、第１の部分を、レーザ光を照射することにより除去することが好ましい。

上記剥離方法の第３の工程において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離層及び接着層を互いに重ねることが好ましい。

上記剥離方法の第４の工程において硬化された接着層は、硬度がショアＤ７０より高い部分を有することが好ましい。特に、該接着層は、硬度がショアＤ８０以上である部分を有することが好ましい。

また、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、発光素子を含む、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の間の素子層と、第１の可撓性基板及び素子層の間の絶縁層と、第１の可撓性基板及び絶縁層の間の第１の接着層と、第２の可撓性基板及び素子層の間の第２の接着層と、を有し、発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有する。

上記発光装置において、第１の接着層の硬度及び第２の接着層の硬度の少なくとも一方は、ショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。

上記発光装置において、第１の可撓性基板の膨張係数及び第２の可撓性基板の膨張係数の少なくとも一方は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。

本発明の一態様の剥離方法は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ねて接着層を硬化する第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第５の工程と、を有し、接着層に、シート状の接着剤を用いる。

上記剥離方法において、剥離の起点を、レーザ光を照射することにより形成することが好ましい。

上記剥離方法において、被剥離層は、無機絶縁膜を有することが好ましい。例えば、第１の層が、無機絶縁膜であってもよい。

上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離層と接着層とを重ねることが好ましい。

上記剥離方法において、硬化状態の接着層の硬度はショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは発光装置を有する場合がある。さらに、照明器具等も、発光装置を含む場合がある。

本発明の一態様では、剥離工程における歩留まりを向上することができる。本発明の一態様では、剥離工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制することができる。

また、本発明の一態様では、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することができる。特に、軽量である、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することができる。また、本発明の一態様では、装置の作製工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制することができる。また、本発明の一態様では、量産性の高い装置の作製方法を提供することができる。

また、本発明の一態様では、信頼性の高い装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、繰り返しの曲げに強い装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置を提供することができる。

また、本発明の一態様では、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することができる。また、本発明の一態様では、装置の作製工程における不純物の混入を抑制することができる。また、本発明の一態様では、装置の作製工程における基板の貼り合わせの位置合わせ精度を高めることができる。また、本発明の一態様では、新規な剥離方法や装置の作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離方法を説明する図。 剥離層の平面形状を説明する図。 発光装置の作製方法を説明する図。 発光装置の作製方法を説明する図。 発光装置の作製方法を説明する図。 発光装置の作製方法を説明する図。 発光装置の作製方法を説明する図。 作製中の発光装置を示す写真。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 電子機器及び照明装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 曲げ試験を説明する写真及び図。 折り曲げ部を説明する図。 曲げ試験及び保存試験の結果。 曲げ試験及び保存試験の結果。 曲げ試験機の写真。 剥離試験に用いる装置、及び試料の構成例。 ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。 ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。 剥離性の評価結果。 ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。 ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。 ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。 発光装置の作製方法を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置とその作製方法について図１〜図４を用いて説明する。

作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して別の基板に転置することができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができる。このため、被剥離層の作製温度が、耐熱性の低い基板によって制限されない。また、作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い基板等に被剥離層を転置することが可能であり、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。

また、各種装置を用いた、テレビジョン装置、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置などの電子機器の軽量化、薄型化、フレキシブル化も実現できる。

本発明の一態様を適用して作製できる装置は、機能素子を有する。機能素子としては、例えば、トランジスタ等の半導体素子や、発光ダイオード、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等の発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを用いた半導体装置、発光素子を用いた発光装置（ここでは、トランジスタ及び発光素子を用いた表示装置を含む）等も本発明を適用して作製できる装置の一例である。

例えば、有機ＥＬ素子は水分などにより劣化しやすいため、防湿性が低い有機樹脂基板上に作製すると、信頼性が不十分である場合がある。ここで、本発明の一態様では、防湿性の高い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、耐熱性や防湿性が低く、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機ＥＬ素子を形成することで、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。

また、別の例としては、防湿性の高い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、保護膜上に有機ＥＬ素子を形成した後、保護膜及び有機ＥＬ素子をガラス基板から剥離し、耐熱性や防湿性が低く、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる。有機樹脂基板に保護膜及び有機ＥＬ素子を転置することで、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。

ここでは、装置の作製方法を簡潔に２通り説明する。なお、本実施の形態において、実施の形態２で後述する装置の作製方法の詳細も適宜参照できる。

図１（Ａ）〜（Ｆ）に、剥離工程を１回有する装置の作製方法を示す。

まず、図１（Ａ）に示すように、作製基板１０１上に剥離層１０３を介して絶縁層１０４（例えば、上述の防湿性の高い保護膜）を形成する。必要であれば、さらに絶縁層１０４上に素子層１０６（例えば、上述のトランジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子）の少なくとも一部を形成する。そして、接着層１０７を用いて素子層１０６と基板１０９とを貼り合わせる。なお、素子層１０６は、基板１０９と貼り合わせる前に一部又は全部を形成してもよいし、基板１１４上に絶縁層１０４を転置した後、絶縁層１０４上に形成してもよい。

次に、図１（Ｂ）に示すように、剥離層１０３を用いて、作製基板１０１を絶縁層１０４から剥離する。

そして、図１（Ｃ）に示すように露出した絶縁層１０４と基板１１４とを、接着層１１２を用いて貼り合わせる。

その後、接着層１０７を溶解又は可塑化させるなどし、基板１０９を取り除く（図１（Ｄ））。図１（Ｅ）において、素子層１０６を構成する層の一部又は全部を形成する必要がある場合は、素子層１０６の一部又は全部を形成する。例えば、図１（Ａ）の時点で、有機ＥＬ素子の下部電極までを形成しておき、図１（Ｅ）の時点で、該下部電極上にＥＬ層及び上部電極を形成し、有機ＥＬ素子を完成させてもよい。素子層１０６の形成後は、図１（Ｆ）に示すように、素子層１０６と基板１７３とを、接着層１７１を用いて貼り合わせる。以上により、本発明の一態様の装置を作製できる。

図２（Ａ）〜（Ｅ）に、剥離工程を２回有する装置の作製方法を示す。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を介して絶縁層２０４（例えば、上述の防湿性の高い保護膜）を形成する。さらに、絶縁層２０４上に素子層２０６（例えば、上述のトランジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子等の素子を含む層）を形成する。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を介して絶縁層２２４（例えば、上述の防湿性の高い保護膜）を形成する。さらに、絶縁層２２４上に機能層２２６（例えば、着色層、遮光層などを含む層。また、上述のトランジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子等の素子を含んでもよい。）を形成する。そして、２つの作製基板の剥離層が形成されている側の面を対向させ、接着層２０７を用いて素子層２０６と機能層２２６とを貼り合わせる（図２（Ａ））。

次に、図２（Ｂ）に示すように、剥離層２０３を用いて、作製基板２０１を絶縁層２０４から剥離する。そして、図２（Ｃ）に示すように、露出した絶縁層２０４と基板２３１とを、接着層２３３を用いて貼り合わせる。

次に、図２（Ｄ）に示すように、剥離層２２３を用いて、作製基板２２１を絶縁層２２４から剥離する。そして、図２（Ｅ）に示すように、露出した絶縁層２２４と基板１７３とを、接着層１７１を用いて貼り合わせる。以上により、本発明の一態様の装置を作製できる。

上記２通りの装置の作製方法において、作製基板の剥離時に、絶縁層や素子層、機能層を構成する膜（代表的には無機絶縁膜）にクラック（膜割れやひび）が発生することがある。また、剥離時に生じた装置内のクラックが致命的でなくても、その後の作製工程（加熱処理など）や、作製後の装置の使用等によって、クラックの数や大きさが増していくことがある。装置内でのクラックの発生は、素子の動作不良や寿命の低下等につながり、装置の信頼性を低下させてしまう。

そこで、本発明の一態様では、装置に用いる接着層の硬度を、ショアＤ７０より高くする。これにより、作製基板の剥離時に、絶縁層や素子層、機能層を構成する膜（代表的には無機絶縁膜）にクラックが発生することを抑制できる。さらに、この構成が適用された可撓性を有する装置は、繰り返しの曲げに強いため、好ましい。例えば、本発明の一態様の装置は、曲げた際の曲率半径の最小値を０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上１００ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、さらに好ましくは２ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。

例えば、上述の接着層１０７、接着層１１２、接着層１７１、接着層２０７、及び接着層２３３のうち、少なくともいずれか一に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用すればよい。各接着層の硬度が、いずれもショアＤ７０より高いことが好ましい。

または、本発明の一態様では、装置に用いる可撓性基板の膨張係数を、５８ｐｐｍ／℃未満とする。これにより、絶縁層や素子層、機能層等を可撓性基板に転置した後、これらの層にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。

例えば、上述の基板１１４、基板１７３、及び基板２３１のうち、少なくともいずれか一に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用すればよい。各基板の膨張係数が、いずれも５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましい。

具体的には、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の間の素子層と、第１の可撓性基板及び素子層の間の絶縁層と、第１の可撓性基板及び絶縁層の間の第１の接着層と、第２の可撓性基板及び素子層の間の第２の接着層と、を有し、素子層は発光素子を含む。

本発明の一態様において、第１の接着層の硬度は、ショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。

同様に、本発明の一態様において、第２の接着層の硬度は、ショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。

本発明の一態様では、第１の接着層及び第２の接着層のいずれの硬度もショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましいが、これに限られない。第１の接着層又は第２の接着層の一方のみの硬度がショアＤ７０より高くてもよい。また、素子層や絶縁層にクラックの入りやすい層を用いていないときなど、場合によっては、第１の接着層及び第２の接着層の双方の硬度がショアＤ７０以下であってもよい。

本発明の一態様において、第１の可撓性基板の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。

同様に、本発明の一態様において、第２の可撓性基板の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。

本発明の一態様では、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板のいずれの膨張係数も５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましいが、これに限られない。第１の可撓性基板又は第２の可撓性基板の一方のみの膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満であってもよい。また、素子層や絶縁層にクラックの入りやすい層を用いていないときなど、場合によっては、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の双方の膨張係数が５８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。

以下では、本発明の一態様が適用された、発光素子を用いた発光装置の具体例について説明する。

＜具体例１＞
図３（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図３（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の一例を図３（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図３（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び接着層８２３によって封止されている。

図３（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、接着層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３を有する。接着層８２３、オーバーコート８４９、絶縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接着層８２３で充填されている。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図３（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８４３に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図３（Ｃ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１において、接着層８１１、接着層８４１、及び接着層８２３のうち、少なくともいずれか一に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。接着層８１１、接着層８４１、及び接着層８２３のそれぞれに、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが特に好ましい。これにより発光装置の作製時に、絶縁層８１３や絶縁層８４３、トランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

また、具体例１において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板８０１や基板８０３に転置された絶縁層８１３や絶縁層８４３、トランジスタ、発光素子等にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

＜具体例２＞
図３（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図３（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図の一例を図３（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光装置は、具体例１とは異なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。ここでは、具体例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図３（Ｄ）に示す発光装置は、図３（Ｃ）に示す発光装置と下記の点で異なる。

図３（Ｄ）に示す発光装置は、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図３（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。ＦＰＣ８０８が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層８４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料が制限されない。

＜具体例３＞
図４（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図４（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６間の断面図の一例を図４（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光装置は、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。

図４（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、枠状の接着層８２４、及び接着層８２３によって封止されている。

図４（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、接着層８２３、枠状の接着層８２４、及び基板８０３を有する。接着層８２３及び基板８０３は可視光を透過する。

枠状の接着層８２４は、接着層８２３よりも防湿性が高い層であることが好ましい。これにより、外部から水分等の不純物が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

具体例３では、接着層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光装置から取り出される。したがって、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて透光性が高いことが好ましい。また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて屈折率が高いことが好ましい。また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図４（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図４（Ｃ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５は、基板８０３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の作製時に、絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

また、具体例３において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板８０１に転置された絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

＜具体例４＞
図４（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図４（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８間の断面図の一例を図４（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光装置である。

図４（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、接着層８２３、及び基板８０３を有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければよい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図４（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

具体例４において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の作製時に、絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

また、具体例４において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板８０１に転置された絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

＜具体例５＞
図４（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光装置の例を示す。

図４（Ｅ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、接着層８２３、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層８２１上に該導電層を形成しても、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の作製時に、絶縁層８１３や発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

また、具体例５において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板８０１に転置された絶縁層８１３や発光素子等にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。

＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用することもできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることができる。

接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子は、一対の防湿性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする。

防湿性の高い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁層８２１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光装置に用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。

なお、本実施の形態では、発光素子を用いた発光装置を例に説明したが、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置に適用することができる。また、本発明の一態様は、タッチパネルを有する装置であってもよい。

本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、ＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、干渉変調（ＩＭＯＤ）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的又は磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部又は全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部又は全部が、アルミニウム、銀などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

例えば、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有するアクティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。

パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのための照明装置として活用してもよい。

以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様では、装置を構成する接着層の硬度を高くする（具体的には、ショアＤ７０より高くする）。また、本発明の一態様では、それに加えて、装置を構成する可撓性基板の膨張係数を小さくする（具体的には、５８ｐｐｍ／℃未満とする）これにより、装置の作製工程における無機絶縁膜や素子へのクラックの発生を抑制できる。また、無機絶縁膜や素子にクラックが発生しても、そのクラックの進行を抑制できる。そして、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い装置を実現できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法、及び本発明の一態様の装置の作製方法について図５〜図１７、図３７を用いて説明する。

具体的には、本発明の一態様は、第１の基板上に剥離層を形成する、第１の工程と、剥離層上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する、第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ねて接着層を硬化する、第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する、第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する、第５の工程と、を有し、接着層に、シート状の接着剤を用いる、剥離方法である。

本発明の一態様では、剥離層、被剥離層、及び硬化状態の接着層が重なる領域において、第１の層（被剥離層に含まれる、剥離層と接する層）の一部を除去し、剥離の起点を形成する。上記領域に剥離の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができる。

ここで、図６（Ａ）の断面図に示す点線で囲った領域のように、剥離層１０３と重ならずに、作製基板１０１及び基板１０９が接着層１１１によって貼り合わされてしまうと、作製基板１０１と基板１０９の密着性（又は、接着層１１１と接する、作製基板１０１上の層及び基板１０９上の層の密着性）の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。なお、図６（Ａ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。

そのため、本発明の一態様では、接着層１１１にシート状の接着剤を用いることが好ましい。シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができる。したがって、剥離層の外側に接着層が広がり、剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

また、接着層に流動性の高い材料を用いると、所望の領域からはみ出した材料の無駄や、ふき取りの手間などが発生する。シート状の接着剤を用いることで、材料のコストや装置の作製に要する時間を低減でき、好ましい。

本発明の一態様の装置が接着層を複数有する場合、少なくとも一つの接着層にシート状の接着剤を用いればよい。特にすべての接着層にシート状の接着剤を用いることが好ましい。

また、剥離層１０３が設けられていない側の基板１０９が刃物等で切断できる場合、基板１０９、接着層１１１、及び被剥離層１０５に切り込みを入れることができる（図６（Ｂ）の矢印Ｐ２参照）。例えば、カッターなどの鋭利な刃物で切り込みを入れることができる。ここでは、接着層１１１と剥離層１０３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れることで、実線状に剥離の起点を形成する例を示す。この方法によれば、作製基板１０１と基板１０９の密着性が高くても、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にして剥離を行うことができる（図６（Ｃ））ため、剥離工程の歩留まりの低下を抑制できる。

しかし、基板１０９や接着層１１１を切り取る方法は、時間を要する、ゴミが発生する、ゴミ（基板１０９や接着層１１１の残部）が表面に残った作製基板１０１の再利用が困難である、カッター等の鋭利な刃物が摩耗する、等の問題があり、量産化に適していない場合がある。また、剥離の起点をより明瞭にするために鋭利な刃物などを剥離の界面に滑り込ませるなど、剥離の歩留まりを向上させる仕組みが量産化に応用しにくい場合がある。

そのため、本発明の一態様では、接着層にシート状の接着剤を用い、剥離の起点を、レーザ光を照射することにより形成することが好ましい。レーザ光を用いることで、剥離の起点を形成するために基板の切断等をする必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。また、剥離の起点の形成にかかる時間を短縮することができる。また、作製基板１０１の表面に残るゴミを低減できるため、作製基板１０１の再利用が容易となる。また、接着層にシート状の接着剤を用いる方法は、カッター等の鋭利な刃物の摩耗がないため、コストが抑制できる、量産に適用しやすい、といった利点がある。また、いずれかの基板の端部を引っ張ることで剥離を開始できるため、量産化に応用しやすい剥離方法である。

また、本発明の一態様では、硬化状態の接着層の端部近傍であり、かつ、剥離層及び被剥離層が重なる領域において、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成してもよい。接着層と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層と被剥離層とを確実に分離できるため、剥離の起点の形成位置は、接着層からの距離が近いほど好ましく、具体的には、接着層の端部からの距離が１ｍｍ以内に剥離の起点を形成することが好ましい。

上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離層と接着層とを重ねることが好ましい。接着層が剥離層と重ならない領域を有すると、その領域の広さや、接着層と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場合がある。したがって、接着層は剥離層の外側に位置しないように形成することが好ましい。なお、接着層の端部と剥離層の端部が重なっていてもよい。

上記剥離方法において、硬化状態の接着層の硬度はショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。これにより、剥離工程における無機絶縁膜や素子へのクラックの発生を抑制できる。また、無機絶縁膜や素子にクラックが発生しても、そのクラックの進行を抑制できる。そして、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い装置を実現できる。

以下では、本発明の一態様の剥離方法を２つ例示する。

＜剥離方法１＞
はじめに、作製基板１０１上に剥離層１０３を形成し、剥離層１０３上に被剥離層１０５を形成する（図５（Ａ））。ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限られない。また、被剥離層１０５を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板１０１から被剥離層１０５を剥離する際に、作製基板１０１と剥離層１０３の界面、剥離層１０３と被剥離層１０５の界面、又は剥離層１０３中で剥離が生じるような材料を選択する。本実施の形態では、被剥離層１０５と剥離層１０３の界面で剥離が生じる場合を例示するが、剥離層１０３や被剥離層１０５に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られない。なお、被剥離層１０５が積層構造である場合、剥離層１０３と接する層を特に第１の層と記す。

例えば、剥離層１０３がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、被剥離層１０５側に剥離層１０３の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい。また被剥離層１０５側に残った剥離層１０３は、その後除去してもよい。例えば、酸化タングステン膜の除去には、水やアルカリ水溶液を用いることができる。また、例えば、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液、過酸化水素水、エタノール水溶液等を用いることができる。水や溶液は温度によって酸化タングステン膜を除去できる速度が変わるため、適宜選択すればよい。例えば、常温の水に比べて６０℃程度の水は酸化タングステン膜をより除去しやすい。

作製基板１０１には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板１０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。

なお、量産性を向上させるため、作製基板１０１として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×７２０ｍｍ、又は６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、又は７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板を用いることができる。

作製基板１０１にガラス基板を用いる場合、作製基板１０１と剥離層１０３との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層１０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層１０３に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥離層１０５の形成工程の自由度が高まるため好ましい。

剥離層１０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層１０３の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。

剥離層１０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層１０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層１０３の表面状態を変えることにより、剥離層１０３と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能である。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。

なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

被剥離層１０５として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層１０５として、剥離層１０３上に接する絶縁層を作製する。さらに、絶縁層上に機能素子を作製してもよい。

剥離層１０３上の絶縁層は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。

該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に防湿性の高い膜とすることができる。なお、絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。

次に、被剥離層１０５と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせ、接着層１０７を硬化させる（図５（Ｂ））。本実施の形態では、接着層１０７にシート状の接着剤を用いる。

ここで、図５（Ｂ）は図７（Ａ）における一点鎖線Ｃ１−Ｃ２間の断面図に相当する。なお、図７（Ａ）は、基板１０９（図示しない）側から見た平面図である。

接着層１０７は、剥離層１０３及び被剥離層１０５と重なるように配置する。そして、図７（Ａ）に示すように、接着層１０７の端部は、剥離層１０３の端部よりも外側に位置しないことが好ましい。接着層１０７が剥離層１０３と重ならない領域を有すると、その領域の広さや、接着層１０７と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場合がある。したがって、接着層１０７は剥離層１０３の内側に位置する、もしくは、接着層１０７の端部と剥離層１０３の端部とが重なることが好ましい。

本発明の一態様では、接着層１０７にシート状の接着剤を用いる。シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができ、剥離層１０３の外側に接着層１０７が広がること、さらには、剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。そして、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

また、図６（Ｄ）に示すように、接着層１０７の外側に、樹脂層１１３を設けてもよい。図６（Ｄ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。樹脂層１１３を設けることで、作製工程中の発光装置を大気雰囲気に露出しても、被剥離層１０５に水分等の不純物が混入することを抑制できる。

なお、被剥離層１０５と基板１０９の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。

シート状の接着剤としては、所望の領域にのみ配置できる程度に流動性の低い材料を用いればよい。例えば、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムを好適に用いることができる。また、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型の接着シート、粘着シート、シート状もしくはフィルム状の接着剤等を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、熱硬化型接着剤を用いると、基板１０９の透光性によらず硬化が可能であるため、光硬化型接着剤を用いる場合に比べて、基板１０９の材料の選択の幅が広がり好ましい。

シート状の接着剤は、貼り合わせ前から粘着性を有していてもよく、貼り合わせ後に加熱や光照射によって粘着性を発現してもよい。

また、シート状の接着剤として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化させることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用いたシート状の接着剤を適用してもよい。

また、本発明の一態様では、シート状の接着剤と基板が積層された粘着フィルム、接着フィルム等を用いてもよい。

基板１０９としては、作製基板１０１に用いることができる各種基板を適用できる。また、フィルム等のような可撓性基板を用いてもよい。

樹脂層１１３には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、樹脂層１１３として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化させることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用いてもよい。

樹脂層１１３は、硬化状態であると、作製基板１０１と基板１０９の密着性の高さにより、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層１１３の少なくとも一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層１１３に粘度の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分等の不純物が被剥離層１０５に混入することを抑制する効果を高めることができる。

また、例えば、樹脂層１１３として、光硬化樹脂を用い、一部に光を照射することで、樹脂層１１３の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、工程中に、減圧雰囲気から大気圧雰囲気に移動した場合でも、作製基板１０１及び基板１０９の間隔及び位置を一定に保つことができ、好ましい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図５（Ｂ）、（Ｃ））。

レーザ光は、硬化状態の接着層１０７と、被剥離層１０５と、剥離層１０３とが重なる領域に対して照射する（図５（Ｂ）の矢印Ｐ１参照）。レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層１０３が設けられた作製基板１０１側から照射することが好ましい。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。

少なくとも第１の層（被剥離層１０５に含まれる、剥離層１０３と接する層）にクラックを入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成できる（図５（Ｃ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層１０５を構成する各層の一部を除去する例を示す。）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層１０５の他の層や、剥離層１０３、接着層１０７の一部を除去してもよい。レーザ光の照射によって、被剥離層１０５、剥離層１０３、又は接着層１０７に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

図７（Ａ）の一点鎖線で囲んだ領域Ｅの拡大図を図７（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）に示す。各拡大図では、レーザ光の照射領域１１５を例示している。図７（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）はすべて、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射する例である。

剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層１０５と剥離層１０３を引き離す力が集中することが好ましいため、硬化状態の接着層１０７の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。例えば、図７（Ｂ−１）、（Ｂ−３）に示すように、レーザ光の照射領域１１５が硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域のみに位置してもよい。または、図７（Ｂ−２）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）に示すように、レーザ光の照射領域１１５が、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域だけでなく、その外側の領域にまで位置してもよい。なお、図７（Ｂ−５）に示すように、レーザ光を接着層１０７の辺に接して照射することも、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域にレーザ光を照射する態様の一つである。

また、図７（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）に示すように、接着層１０７の端部近傍に断続的にレーザ光を照射することで、破線状に剥離の起点を形成すると、剥離が容易となるため好ましい。

また、図７（Ｃ）に示すように、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域に連続的もしくは断続的にレーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の剥離の起点を枠状に形成してもよい。

剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板１０１や剥離層１０３の厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図５（Ｄ）、（Ｅ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置することができる。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。例えば、作製基板１０１を吸着ステージに固定し、作製基板１０１から被剥離層１０５を剥離してもよい。また、基板１０９を吸着ステージに固定し、基板１０９から作製基板１０１を剥離してもよい。

例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）によって被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離すればよい。

また、剥離層１０３と被剥離層１０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板１０１と被剥離層１０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層１０３と被剥離層１０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、被剥離層１０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純水が好ましく、有機溶剤なども用いることができる。例えば、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。また、過酸化水素水や、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液等を用いてもよい。

なお、剥離後に、基板１０９上に残った、被剥離層１０５と基板１０９との接着に寄与していない接着層１０７、又は樹脂層１１３等を除去してもよい。除去することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき好ましい。例えば、ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。

以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

＜剥離方法２＞
まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被剥離層２０５を形成する（図８（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に被剥離層２２５を形成する（図８（Ｂ））。

次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向するように、接着層２０７を用いて貼り合わせ、接着層２０７を硬化させる（図８（Ｃ））。本実施の形態では、接着層２０７にシート状の接着剤を用いる。

なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。

なお、図８（Ｃ）では、剥離層２０３との剥離層２２３の大きさが異なる場合を示したが、図８（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。

接着層２０７は剥離層２０３、被剥離層２０５、被剥離層２２５、及び剥離層２２３と重なるように配置する。そして、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。本発明の一態様で用いるシート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができ、好適である。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図９（Ａ）、（Ｂ））。

作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。

レーザ光は、硬化状態の接着層２０７と、被剥離層２０５と、剥離層２０３とが重なる領域に対して照射する（図９（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。

第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図９（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２０５の他の層や、剥離層２０３、接着層２０７の一部を除去してもよい。

レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層２０５及び被剥離層２２５のうち被剥離層２０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板２０１及び剥離層２０３を剥離することができる（図９（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。ここでは被剥離層２０５を構成する各層の一部を除去する例を示す。

剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層２０３側の被剥離層２０５と剥離層２２３側の被剥離層２２５の両方に剥離の起点を形成してしまうと、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合がある。

このとき、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の一方の端部よりも内側に位置し、他方の端部より外側に位置することが好ましい。例えば、図１１（Ａ）では、接着層２０７が剥離層２０３の端部よりも内側に位置し、剥離層２２３の端部より外側に位置する。図１１（Ａ）に示した構成であると、レーザ光を、剥離層２０３と重なり、かつ剥離層２２３と重ならない領域に照射することで、剥離層２０３と剥離層２２３の両方に剥離の起点が形成されることを防止できる（図１１（Ｂ）、（Ｃ））。したがって、レーザ光の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層２０３が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図９（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から作製基板２２１に転置することができる。

次に、露出した被剥離層２０５と基板２３１とを、接着層２３３を用いて貼り合わせ、接着層２３３を硬化させる（図１０（Ａ））。本実施の形態では、接着層２３３にシート状の接着剤を用いる。

なお、被剥離層２０５と基板２３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１０（Ｂ）、（Ｃ））。

レーザ光は、硬化状態の接着層２３３と、被剥離層２２５と、剥離層２２３とが重なる領域に対して照射する（図１０（Ｂ）の矢印Ｐ４参照）。第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図１０（Ｃ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層２２５を構成する各層の一部を除去する例を示す。）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２２５の他の層や、剥離層２２３、接着層２３３の一部を除去してもよい。

レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図１０（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５及び被剥離層２２５を基板２３１に転置することができる。

なお、上記では、接着層２０７及び接着層２３３の双方にシート状の接着剤を用いる例を示したが、本発明の一態様はこれに限られず、例えば、一方にのみシート状の接着剤を用いてもよい。

また、図１０（Ａ）〜（Ｄ）では、接着層２３３の端部が接着層２０７の端部よりも外側に位置する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、図３７（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、接着層２３３の端部が接着層２０７の端部よりも内側に位置していてもよい。

以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が設けられた一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれの剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。

＜剥離層の平面形状＞
本発明の一態様で用いる剥離層の平面形状は特に限定されない。剥離層の平面形状の例を図１２（Ａ）〜（Ｆ）に示す。図１２（Ａ）〜（Ｆ）では、それぞれ剥離開始領域の一例を示している。剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層と剥離層を引き離す力が集中することが好ましいため、剥離層の中央部や辺部に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。なお、図１２（Ａ）〜（Ｆ）に示す剥離開始領域１１７以外から剥離を開始してもよい。

図１２（Ａ）に示すように、作製基板１０１の角部から剥離を始めたい場合は、剥離層１０３の角部が作製基板１０１の角部に位置するような平面形状とすればよい。図１２（Ｂ）、（Ｄ）〜（Ｆ）に示すように、作製基板１０１の辺部から剥離を始めたい場合は、剥離層１０３の角部が作製基板１０１の辺部に位置するような平面形状とすればよい。図１２（Ｃ）に示すように、剥離層１０３の角部は、丸い角を有していてもよい。

図１２（Ｇ）に示すように、剥離したい被剥離層１０５の端部は、剥離層１０３の端部よりも内側に位置するよう形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高くすることができる。また、剥離したい被剥離層１０５が複数ある場合、図１２（Ｈ）に示すように、被剥離層１０５ごとに剥離層１０３を設けてもよいし、図１２（Ｉ）に示すように、１つの剥離層１０３上に複数の被剥離層１０５を設けてもよい。

＜装置の作製方法１＞
本発明の一態様の剥離方法を用いて、各種装置を作製することができる。以下では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、発光素子を有する発光装置を作製する例を示す。本発明の一態様を適用して作製できる装置はこれに限られず、例えば、実施の形態１に例示した他の機能素子を用いた装置を作製することができる。

まずは、上記剥離方法１を用いた発光装置の作製方法を示す。既に用いた符号と同様の符号で説明する構成について、適用できる材料などは前述を参照できる。

なお、被剥離層の構成を変えることで、実施の形態１に示した具体例３〜５の発光装置を同様の方法により作製できる。

まず、図１３（Ａ）に示すように、作製基板１０１上に剥離層１０３、絶縁層８１３、トランジスタ、絶縁層８１５、導電層８５７、絶縁層８１７を順に形成する。次に、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する下部電極８３１を形成する。そして、下部電極８３１の端部を覆う絶縁層８２１と、絶縁層８２１上のスペーサ８２７を形成する。ここで、絶縁層８１３からスペーサ８２７までが被剥離層に相当する。

また、図１３（Ｂ）に示すように、仮支持基板である基板１０９上に剥離用接着剤である接着層１０７と、を形成する。このとき、剥離用接着剤には、基板１０９と被剥離層とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。本実施の形態ではシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。

次に、基板１０９と作製基板１０１とを接着層１０７により貼り合わせ、接着層１０７を硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１３（Ｃ））。少なくとも絶縁層８１３の一部を除去することで剥離の起点を形成できる。ここでは、絶縁層８１３及び剥離層１０３の一部を除去する例を示す。なお、剥離の起点を形成する工程を示す各図において、剥離の起点が形成される領域は点線で囲って示す。

形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板１０１とを分離する。これにより、被剥離層が作製基板１０１から基板１０９に転置される（図１４（Ａ））。

次に、作製基板１０１から剥離され、露出した絶縁層８１３と、基板８０１とを接着層８１１により貼り合わせる（図１４（Ｂ））。本実施の形態では、接着層８１１に、シート状の接着剤を用いるが、これに限られない。

その後、接着層１０７を溶解又は可塑化させて、基板１０９を取り除く。そして、被剥離層（ここではスペーサ８２７など）が露出するように接着層１０７を水や溶媒などで除去する（図１４（Ｃ））。

以上により、被剥離層を作製基板１０１から基板８０１上に転置することができる。

その後、露出した下部電極８３１及びスペーサ８２７上にＥＬ層及び上部電極を形成し、発光素子と基板とを接着層（例えばシート状の接着剤を用いることができる。）により接着する。最後に、異方性導電材で入出力端子部の各電極にＦＰＣを貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性基板がたわみやすいと、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する場合がある。したがって、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシリコーンゴム等で支持してもよい。これによりＦＰＣ又はＴＣＰと、機能素子との電気的な接続を確実にすることができる。

＜装置の作製方法２＞
次に、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図３（Ａ）、図３（Ｃ）に示すカラーフィルタ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置（上記具体例１）を作製する例を示す。

なお、被剥離層の構成を変えることで、実施の形態１に示した具体例２の発光装置を同様の方法により作製できる。

まず、図１５（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ（トランジスタ８２０等）、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子（発光素子８３０等）、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する。ここでは、露出した導電層８５７上に、発光素子のＥＬ層と同一材料、同一工程でＥＬ層８６２を形成し、ＥＬ層８６２上に、発光素子の上部電極と同一材料、同一工程で導電層８６４を形成する。なお、ＥＬ層８６２及び導電層８６４は設けなくてもよい。ここで、絶縁層８１３から発光素子までを被剥離層とする。

また、図１５（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層８４３を形成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７及び着色層８４５を形成する（図１１（Ｂ））。なお、ここでは図示しないが、図３（Ｄ）に示すように、遮光層８４７及び着色層８４５を覆うオーバーコートを設けてもよい。ここで、絶縁層８４３、遮光層８４７、及び着色層８４５を被剥離層とする。

次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを接着層８２３により貼り合わせ、接着層８２３を硬化させる。本実施の形態では、接着層８２３にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１５（Ｃ））。ここでは、絶縁層８１３及び剥離層２０３の一部を除去する例を示す。

本作製方法では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥離をし、可撓性基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。したがって、発光素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い作製方法であるといえる。

次に、形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板２０１とを剥離する。これにより、被剥離層が作製基板２０１から作製基板２２１に転置される（図１６（Ａ））。

次に、作製基板２０１から剥離され、露出した絶縁層８１３と、基板８０１とを接着層８１１により接着する。本実施の形態では、接着層８１１にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。

次に、レーザ光の照射により剥離の起点を形成する（図１６（Ｂ））。そして、形成した剥離の起点から、絶縁層８４３と作製基板２２１とを分離する（図１６（Ｃ））。

以上により、被剥離層を作製基板２０１及び作製基板２２１から基板８０１上に転置することができる。

その後、導電層８５７を露出する工程と、絶縁層８４３及び基板８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。本実施の形態では、接着層８４１にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。

例えば、絶縁層８４３、接着層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる。なお、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５７を露出させるために、基板８０３及び接着層８４１も開口する。

開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に針やカッターなどの鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

例えば、膜の一部を除去した領域をきっかけに、導電層８５７と重なる基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８６２、及び導電層８６４を除去する（図１７（Ｂ））。例えば、粘着性のローラーを基板８０３に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動させる。または、粘着性のテープを基板８０３に貼り付け、剥してもよい。ＥＬ層８６２と導電層８６４の密着性や、ＥＬ層８６２を構成する層どうしの密着性が低いため、ＥＬ層８６２と導電層８６４の界面、又はＥＬ層８６２中で分離が生じる。これにより、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８６２、又は導電層８６４の導電層８５７と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層８５７上にＥＬ層８６２等が残存した場合は、有機溶剤等により除去すればよい。図１８に、実際に、導電層８５７と重なる絶縁層８４３などを除去した様子を示す。矢印で示すように、部分的に絶縁層８４３等を剥離できていることがわかる。

なお、導電層８５７が露出し、後の工程でＦＰＣ８０８と電気的に接続することができれば、導電層８５７と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければＥＬ層８６２や導電層８６４を導電層８５７に重ねて形成しなくてもよい。例えば、ＥＬ層８６２中で分離が生じる場合は導電層８６４を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、ＥＬ層８６２と接着層８２３が接することで、２層の材料が混合する、層の界面が不明確になる等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制するため、ＥＬ層８６２と接着層８２３の間に導電層８６４を設けることが好ましい。

最後に、異方性導電材（接続体８２５）で入出力端子部の各電極（導電層８５７）にＦＰＣ８０８を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、剥離の起点を形成し、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。したがって、歩留まりよく発光装置を作製できる。

以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様では、シート状の接着剤を用いて装置の作製を行う。シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができる。したがって、剥離層の外側に接着層が広がり、剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。また、ゴミが低減できる、工程時間が短縮できる、量産化に好適である、等の利点を有する剥離方法、及び装置の作製方法を提供できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１９〜図２２を用いて説明する。なお、各層の材料については実施の形態１を参照することができる。なお、本実施の形態では、発光素子を用いたタッチパネルを例示したが、これに限られない。本発明の一態様では、例えば、実施の形態１に例示した他の素子を用いたタッチパネルを作製することができる。

なお、実施の形態１で詳述した内容と同様に、本実施の形態のタッチパネルには、硬度がショアＤ７０より高い接着層や、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。また、実施の形態２で詳述した内容と同様に、本実施の形態のタッチパネルは、シート状の接着剤を用いて作製することが好ましい。

＜構成例１＞
図１９（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図１９（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。

図１９（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向する基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート又はアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。

接着層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。接着層５６０は空気より大きい屈折率を備える。画素回路及び発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１９（Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１９（Ｂ））。また、発光モジュール３８０Ｒは発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１９（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する接着層３６０を有する。

着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、接着層３６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する。

タッチパネル３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１９（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有していてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ又はトランジスタ３０２ｔ等にそれぞれ設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２＞
図２０（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図２１は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図である。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図２０（Ｂ））。また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図２０（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図２０（Ｂ）を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接又は接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、第１の電極５９１と第２の電極５９２を有する。第１の電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、第２の電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

第２の電極５９２は、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

第１の電極５９１は四辺形であり、第２の電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。

配線５９４は、第２の電極５９２の１つを挟む２つの第１の電極５９１を電気的に接続する。このとき、第２の電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、第１の電極５９１、第２の電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、帯状の複数の第１の電極をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して帯状の複数の第２の電極を、第１の電極と交差するよう配置する。このとき隣接する２つの第２の電極は離間して設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの第２の電極の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された第１の電極５９１及び第２の電極５９２、第１の電極５９１及び第２の電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う第１の電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、図２０（Ｂ）、図２１（Ａ）に示すように、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。

第１の電極５９１及び第２の電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、第１の電極５９１及び第２の電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、第１の電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する第１の電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、第１の電極５９１及び第２の電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。

第２の電極５９２のそれぞれは一方向に延在し、複数の第２の電極５９２がストライプ状に設けられている。

配線５９４は第２の電極５９２の１つと交差して設けられている。

一対の第１の電極５９１が第２の電極５９２の１つを挟んで設けられ、配線５９４は一対の第１の電極５９１を電気的に接続している。

なお、複数の第１の電極５９１は、第２の電極５９２の１つと必ずしも直交する方向に配置される必要はない。

配線５９８は、第１の電極５９１又は第２の電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、又はシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する発光素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる発光素子を副画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び接着層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒ及び発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層５６７Ｒを有する。

また、接着層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、接着層５６０は、発光素子５５０Ｒと着色層５６７Ｒに接する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。

表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２１（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図２１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図２１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

＜構成例３＞
図２２は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図２２（Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図２２（Ａ））。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２２（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図２２（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図２２（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置について、図２３及び図２４を用いて説明する。

電子機器や照明装置に用いることができる発光装置、表示装置、半導体装置等の各種装置は、本発明の一態様を適用して作製することで、歩留まりよく作製できる。また、本発明の一態様を適用することで、生産性高く、フレキシブルな電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様を適用することで、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い電子機器や照明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様を適用して作製された装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

図２３（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本発明の一態様を適用して作製された表示装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提供できる。

図２３（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。

また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

図２３（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００は、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７１０５、入出力端子７１０６などを備える。

携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７１０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。

操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーションシステムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。

また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により行ってもよい。

携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様を適用して作製された発光装置が組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供できる。

図２３（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。

図２３（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図２３（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全方位を照らすことができる。

図２３（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。したがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。

また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

ここで、各発光部には、本発明の一態様を適用して作製された発光装置が組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供できる。

図２３（Ｆ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を備える。

表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部７３０２を備える。

また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえる。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。

図２３（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態の表示装置７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。また、図２３（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。

なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

表示部７３０２には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置が組み込まれている。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく提供できる。

図２４（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。

表示パネル３１２はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されている。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様を適用して作製された表示装置を表示パネル３１２に用いることができる。例えば、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置を適用できる。

図２４（Ｄ）、（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２０を示す。図２４（Ｄ）に表示部３２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。図２４（Ｅ）に、表示部３２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。携帯情報端末３２０を使用しない際に、非表示部３２５を外側に折りたたむことで、表示部３２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様を適用して作製された表示装置を表示部３２２に用いることができる。

図２４（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図２４（Ｇ）は、携帯情報端末３３０の上面図である。図２４（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明する斜視図である。

携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。

携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図２４（Ｆ）、（Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図２４（Ｇ）、（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名又は送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタン３３９、アイコンなどを表示してもよい。なお、図２４（Ｆ）、（Ｇ）では、上側に情報３３７が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図２４（Ｈ）に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。

例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収納した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する表示部３３３には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置を用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく提供できる。

また、図２４（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示してもよい。ここでは、情報３５５、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。

携帯情報端末３４５の筐体３５１が有する表示部３５８には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置を用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく提供できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、接着層の材料が異なる複数のフレキシブルな試料を作製し、クラックの発生状況を確認した。

［試料の作製］
本実施例で作製した試料の作製方法について、図１３及び図１４を用いて説明する。

まず、作製基板１０１であるガラス基板上に、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を下地膜（図示しない）として形成した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ_２Ｏガスの流量をそれぞれ１０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力３０Ｗ、圧力２２Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。下地膜はガラス基板のエッチングストッパーとしても機能することができる。

次に、下地膜上に膜厚３０ｎｍのタングステン膜を剥離層１０３として形成した。タングステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力６０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成した。

次に、Ｎ_２Ｏプラズマ処理を行った。Ｎ_２Ｏプラズマ処理は、Ｎ_２Ｏガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力５００Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温度３３０℃、２４０秒間の条件で行った。

次に、剥離層１０３上に被剥離層を形成した。被剥離層は、図１３（Ａ）に示す絶縁層８１３、トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、下部電極８３１、絶縁層８２１、及びスペーサ８２７を含む。

絶縁層８１３は、第１の酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜を、この順で積層して形成した。

具体的には、まず、剥離層１０３上に、厚さ約６００ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜を形成した。第１の酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ_２Ｏガスの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。

その後、第１の酸化窒化シリコン膜をウェットエッチングにより島状に加工し、剥離層１０３をドライエッチングにより島状に加工した。

次に、第１の酸化窒化シリコン膜上に、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ_２ガス及びＮＨ_３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。

次に、窒化シリコン膜上に、厚さ約２００ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜を形成した。第２の酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ_２Ｏガスの流量をそれぞれ５０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。

次に、第２の酸化窒化シリコン膜上に、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成した。窒化酸化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ_２ガス、Ｎ_２ガス、ＮＨ_３ガス、Ｎ_２Ｏガスの流量をそれぞれ１１０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、７０ｓｃｃｍとし、電源電力３２０Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。

次に、窒化酸化シリコン膜上に、厚さ約１００ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を形成した。第３の酸化窒化シリコン膜は、下地膜と同様の条件で形成した。

その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。

本実施例における、タングステン膜、第１の酸化窒化シリコン膜、及び窒化シリコン膜の３層の積層構造と、加熱処理は、高い歩留まりで剥離を行うための好ましい条件である。

第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜は、絶縁層８１３全体の応力を調整し、かつ、防湿層として機能する。

このように、剥離層及び絶縁層を構成する無機膜は、剥離性と防湿性を両立した構成となっており、信頼性の高いフレキシブルな装置を作製するために好適である。

トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した。ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質ではないため、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界を有さないため、可撓性を有する装置を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高い。

本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。

プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。

そして、被剥離層と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせた（図１３（Ｃ））。基板１０９と接着層１０７の材料は試料によって異なる（後に示す表１参照）。各試料における基板１０９は可撓性を有する。

試料４以外は、ラミネータを用いて接着層１０７を形成し、接着層１０７の膜厚は、約３μｍ以上約１０μｍ以下であった。試料４は、スピンコータを用いて接着層１０７を形成し、接着層１０７の膜厚は、約１０μｍ以上約２０μｍ以下であった。

基板１０９の膜厚は１２５μｍであった。なお、試料４で基板１０９に用いたＵＤＴ−１０２５ＭＣ（デンカアドテックス株式会社製）は、紫外線硬化型粘着フィルムであり、膜厚１２５μｍのうち、２５μｍが粘着層であった。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成し、被剥離層と作製基板１０１とを分離した（図１３（Ｃ）、図１４（Ａ））。

その後、露出した絶縁層８１３の表面を観察し、クラックの発生状況を確認した。

［実験結果］
表１に、各試料に用いた接着層１０７及び基板１０９の種類と、接着層１０７の硬度を示す。さらに、表１では、剥離後の絶縁層８１３の表面観察における、クラックの発生状況の判定結果も示す。ここでは、クラックがほとんど見られなかった場合は○（丸印）、クラックが多数見られた（致命的なクラックが見られた）場合は×（バツ印）で示す。

表面観察の結果から、接着層１０７に硬度がショアＤ７０の材料ｅを用いた試料５、及び、ショアＤ７０よりも硬度の低いＪＩＳ Ｋ６２５３ Ｅ２５度の材料ｆを用いた試料６では、作製工程時にクラックが多数発生したことがわかった。一方、ショアＤ８０以上の材料ａ〜材料ｄをそれぞれ用いた試料１〜試料４では、作製工程時に致命的なクラックは発生していなかった。

このことから、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置に用いる接着層の硬度は、ショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましいとわかった。これにより、作製工程時のクラックの発生を抑制できる。したがって、発光装置の歩留まりを向上できる。また、発光装置の信頼性を向上できる。

本実施例では、可撓性基板の材料が異なる複数のフレキシブルな試料を作製し、該試料に加熱処理を行い、クラックの発生状況を確認した。

［試料の作製］
本実施例で作製した試料の作製方法について、図１３及び図１４を用いて説明する。

まず、作製基板１０１であるガラス基板上に、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を下地膜（図示しない）として形成した。次に、下地膜上に膜厚３０ｎｍのタングステン膜を剥離層１０３として形成した。次に、Ｎ_２Ｏプラズマ処理を行った。次に、剥離層１０３上に被剥離層を形成した。被剥離層は、図１３（Ａ）に示す絶縁層８１３、トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、下部電極８３１、絶縁層８２１、及びスペーサ８２７を含む。絶縁層８１３は、第１の酸化窒化シリコン膜、第１の窒化シリコン膜、第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜を、この順で積層して形成した。その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタを適用した。本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。ここまでは実施例１と同様であるため、詳細は省略する。

そして、被剥離層と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせた（図１３（Ｃ））。実施例１の試料４と同様、基板１０９には、紫外線硬化型粘着フィルムを用い、接着層１０７には、水溶性樹脂である材料ｄを用いた。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成し、被剥離層と作製基板１０１とを分離した（図１３（Ｃ）、図１４（Ａ））。

その後、露出した絶縁層８１３の表面に、基板８０１を、接着層８１１を用いて貼り合わせた（図１４（Ｂ））。接着層８１１の材料には、実施例１の試料３で接着層１０７に用いた２液硬化型エポキシ系樹脂である材料ｃを用いた。基板８０１の材料は試料によって異なる（後に示す表２参照）。

次に、接着層１０７及び基板１０９を除去し（図１４（Ｂ））、露出した面（図１４（Ｃ）のスペーサ８２７等が形成されている面）を観察し、クラックの発生状況を確認した。観察の結果、各試料において、クラックはほとんど見られなかった。

［加熱処理］
作製した各試料を、６０℃で１時間、加熱した。その後、同じ面を観察し、クラックの発生状況を確認した。加熱処理後の観察で、致命的なクラック（大きなクラック、多数のクラック等）が見られた試料については、その時点で実験を終了し、以降の加熱処理は施さなかった。

次に、観察でクラックがほとんど見られなかった試料を、８０℃で１時間、さらに加熱した。その後、同様にクラックの発生状況を確認した。

そして、観察でクラックがほとんど見られなかった試料を、１００℃で１時間、さらに加熱した。その後、クラックの発生状況を確認した。

［実験結果］
表２に、各試料に用いた基板８０１の種類と膨張係数を示す。さらに、表２では、加熱処理前後の試料の表面観察における、クラックの発生状況の判定結果も示す。ここでは、クラックがほとんど見られなかった場合は○（丸印）、致命的なクラックが見られた場合は×（バツ印）で示す。

加熱処理後の表面観察の結果から、基板８０１の膨張係数が５８ｐｐｍ／℃以上の試料１０〜試料１２では、６０℃で１時間、又は８０℃で１時間の加熱処理を行った後に、致命的なクラックが発生したことがわかった。一方、基板８０１の膨張係数が２７ｐｐｍ／℃以下の試料７〜試料９では、１００℃で１時間の加熱処理を行った後も、致命的なクラックは発生していなかった。

このことから、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置に用いる可撓性基板の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、２７ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましいとわかった。これにより、加熱処理時のクラックの発生を抑制できる。したがって、発光装置の信頼性を向上できる。

本実施例では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置を作製し、その信頼性を評価した。

本実施例で作製した発光装置は、実施の形態１で示した具体例２の構成（図３（Ｂ）、（Ｄ））が適用されている。詳細は実施の形態１の説明を参照できる。

本実施例では、実施の形態２に示す剥離方法２を用いて発光装置を作製した。

まず、作製基板２０１であるガラス基板上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被剥離層２０５を形成した（図８（Ａ））。また、作製基板２２１であるガラス基板上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に被剥離層２２５を形成した（図８（Ｂ））。次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向するように貼り合わせた（図８（Ｃ））。そして、２つの作製基板をそれぞれ被剥離層から剥離し、それぞれの被剥離層に可撓性基板を貼り合わせた（図１０（Ｄ））。以下に各層の材料を示す。

剥離層２０３及び剥離層２２３としては、タングステン膜と、該タングステン膜上の酸化タングステン膜の積層構造を形成した。

剥離層を構成する積層構造は、成膜直後の剥離性は低いが、加熱処理により無機絶縁膜との反応が起こることで、界面状態が変化し脆性を示す。そして、剥離の起点を形成することで、物理的に剥離することができるようになる。

被剥離層２０５としては、絶縁層８１３と、トランジスタと、発光素子８３０である有機ＥＬ素子と、を形成した。被剥離層２２５としては、カラーフィルタ（着色層８４５に相当）等を作製した。

絶縁層８１３及び絶縁層８４３には、実施例１で作製した絶縁層８１３と同様の構成、作製方法を適用した。

トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタを適用した。本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。

プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。

発光素子８３０には、青色の光を呈する発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の光を呈する発光層及び赤色の光を呈する発光層を有する燐光発光ユニットと、を有するタンデム型の有機ＥＬ素子を用いた。発光素子８３０は、トップエミッション型である。発光素子８３０の下部電極８３１としては、アルミニウム膜上にチタン膜を積層し、チタン膜上に光学調整層として機能するＩＴＯ膜を積層した。光学調整層の膜厚は、各画素の色に応じて変化させた。カラーフィルタとマイクロキャビティ構造との組み合わせにより、本実施例で作製した発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。

基板８０１及び基板８０３としては、厚さ２０μｍ、膨張係数２７ｐｐｍ／℃以下の、有機樹脂フィルムを用いた。

また、接着層８２３、接着層８１１、及び接着層８４１には、実施例１の試料３に用いた材料ｃと同様である、硬度がショアＤ８２の２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた。

図２６に本実施例で作製した発光装置を示す。作製した発光装置は、発光部（画素部）のサイズが対角３．４インチ、画素数が５４０×９６０×３（ＲＧＢ）、画素ピッチが０．０７８ｍｍ×０．０７８ｍｍ、解像度が３２６ｐｐｉ、開口率が５６．９％である。スキャンドライバ（ゲートドライバ）及びソースドライバは内蔵である。発光装置の厚さ１００μｍ以下であり、重さは２ｇであった。

そして、作製した発光装置を、画像を表示させた状態で、繰り返し折り曲げた。図２６に示すように、折り曲げた部分（Ｂｅｎｔ ｐｏｒｔｉｏｎ）は発光装置の中央部であり、発光部（Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｒｅａ）とスキャンドライバ（Ｓｃａｎ Ｄｒｉｖｅｒ）を含む。図２５（Ａ）は発光装置が配置された曲げ試験機の外観を示す写真である。図２５（Ｂ）は、曲げ試験の様子を示す写真である。ＦＰＣ側を固定することで、発光装置を駆動しながら、曲げ試験を行うことが可能である。図２５（Ｃ）に示すように、発光装置９９を曲げる際の曲率半径を金属製の棒９８で設定した。棒９８として、直径１０ｍｍ、直径６ｍｍ、直径４ｍｍ、及び直径２ｍｍの４種類を用いた。つまり、発光装置において、曲率半径５ｍｍ、曲率半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍ、及び曲率半径１ｍｍの４種類の曲げ試験を行った。なお、ここでは、発光装置の表示面を外側にした場合を外曲げ、内側にした場合を内曲げと記す。例えば、図２５（Ｂ）は、内曲げの試験中の様子を示している。曲げ試験は１回の曲げを約２秒の速さで行った。曲げ試験の結果、曲率半径５ｍｍでは、外曲げ、内曲げいずれの場合も、１０万回の曲げを行った後で、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径３ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径２ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径１ｍｍで、４千回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。

曲率半径５ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２７（Ａ）に外観を示し、図２７（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２７（Ａ）に示すように、発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で、高温高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２７（Ｃ）に示す。保存試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等のクラックも発生していないと考えられる。

曲率半径２ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２８（Ａ）に外観を示し、図２８（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２８（Ａ）に示すように、発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で高温高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２８（Ｃ）に示す。保存試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等のクラックも発生していないと考えられる。

上記で用いた曲げ試験機の結果には、単純な曲げだけでなく、引張応力や押し付け応力、摩擦等の要因も加わっている。

以下では、曲げ耐性のみを評価できるブック型の曲げ試験機により、再度評価を行った。本曲げ試験機はブックの様に開いた状態（図２９（Ａ）参照）と閉じた状態（図２９（Ｂ）参照）を繰り返すことで曲げ試験を行う。曲げた際の板と板との間の距離を定めることで、発光装置の曲げの曲率半径を決めている。

ブック型曲げ試験機を用いて評価した発光装置の曲げ特性を示す。曲率半径５ｍｍ、曲率半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍのそれぞれで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径１ｍｍで、９千回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。そして、ブック型曲げ試験機を用いることで、先に用いた曲げ試験機を用いた場合に比べ、曲げ試験後の曲げ癖は大きく低減しており、曲率半径５ｍｍの試験後では、ほぼ曲げ癖は見られなかった。

以上、本実施例により、本発明の一態様である、膨張係数が２７ｐｐｍ／℃以下である基板を用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。また、本実施例により、本発明の一態様である、硬度がショアＤ８０以上である接着層を用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。

本実施例では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置を作製し、その信頼性を評価した。

本実施例で作製した発光装置は５種類である。実施例３で作製した発光装置と同様の構成、作製方法については説明を省略する。

試料１３及び試料１４は、接着層８１１及び接着層８４１に、シート状の接着剤を用いた点で、実施例３の発光装置と異なる。試料１３に用いたシート状の接着剤の厚さは１０μｍであり、試料１４に用いたシート状の接着剤の厚さは２０μｍである。

接着面に気泡が混入するのを抑制するため、減圧下（約１００Ｐａ）で、加圧及び加熱を行いながら各接着層を用いた貼り合わせを行った。また、試料１３及び試料１４に用いたシート状の接着剤は、室温における粘着性は低く、６０℃以上に加熱することで高い粘着性が発現する。本実施例では、８０℃で１時間加熱することで、シート状の接着剤を硬化させた。

試料１５は、接着層８１１及び接着層８４１に、実施例１の試料１に用いた材料ａと同様である、硬度がショアＤ８４〜８６の２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた点で、実施例３の発光装置と異なる。

試料１６は、接着層８１１及び接着層８４１に、硬度がショアＤ５８〜６２のシート状の接着剤を用いた点で、実施例３の発光装置と異なる。試料１６に用いたシート状の接着剤は、高圧水銀ランプを用いて紫外光を両面に照射し（エネルギーは３０００ｍＪ／ｃｍ^２）、１２０℃で１時間加熱することで硬化させた。

試料１７は、接着層８１１、接着層８２３、及び接着層８４１に、実施例１の試料１に用いた材料ａと同様である、硬度がショアＤ８４〜８６の２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた点で、実施例３の発光装置と異なる。

試料１３及び試料１４について、１００時間、６５℃９０％の環境下で、高温高湿保存試験を行ったところ、表示状態やドライバの動作に不良は見られなかった。

また、試料１３及び試料１４について、図２５（Ａ）に示す曲げ試験機を用いて、曲率半径３ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、どちらの試料も、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。

接着層８１１及び接着層８４１の硬度がショアＤ５８〜６２である試料１６は、作製工程時に既にクラックが発生していた。一方、接着層８１１及び接着層８４１の硬度がショアＤ８４〜８６である試料１５では、作製した発光装置にクラックは見られなかった。試料１５及び試料１６について、５００時間、６５℃９０％の環境下で、高温高湿保存試験を行ったところ、試料１５は試料１６に比べてシュリンク（ここでは、発光部端部からの輝度劣化や、発光部の非発光領域の拡大を指す）が少なかった。このことから、発光装置の作製工程における無機絶縁膜や素子へのクラックの発生を抑制することで、発光装置の信頼性を高めることができるとわかった。

試料１７について、図２５（Ａ）に示す曲げ試験機を用いて、曲率半径５ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。さらに、曲げ試験後の試料１７について、２４０時間、６５℃９５％の環境下で、高温高湿保存試験を行ったところ、曲げ部にシュリンクは発生せず、微小なクラックも発生していないことが確認できた。

以上、本実施例により、本発明の一態様である、硬度がショアＤ８０以上である接着層を用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。また、本実施例により、本発明の一態様である、シート状の接着剤を用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。

実施例１で作製した下地膜、剥離層１０３、及び絶縁層８１３の作製に要する時間の一例について説明する。

下地膜、剥離層１０３、絶縁層８１３を構成する各層の成膜方式、１バッチあたりの処理時間、及び基板１枚あたりの処理時間を表３に示す。

ここでは、下地膜、剥離層１０３、及び第１の酸化窒化シリコン膜は、それぞれ単層ごとの成膜であり、絶縁層８１３を構成する他の４層は一括で成膜した。また、タングステン膜は枚葉式のスパッタリング装置を用いて成膜し、他の層は、バッチ式のＣＶＤ装置を用いて成膜した。

なお、表３に示したタクトタイムには、基板を搬送している時間を含んでいない。バッチ処理でのタクトタイムに関しては、１バッチあたりのタクトタイムと基板１枚あたりのタクトタイム（１バッチあたりのタクトタイムを処理枚数で割った値。ここでは１バッチで基板１０枚を処理した。）を示す。

本実施例では、量産に好適な装置での作製を行っていないため、装置の仕様により、さらにタクトタイムを短くできることが示唆される。また、剥離層及び絶縁層を構成する無機膜に、剥離性と防湿性を両立した構成を適用した場合でも、極端に低いレートでの成膜などは不要であり、信頼性の高い装置を、量産性高く作製できることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の装置の作製方法における、各工程の歩留まり及び各工程に要する時間について説明する。

実施の形態２で例示した本発明の一態様の装置の作製方法（図１５〜図１７参照）は、１回目の作製基板の剥離及び１回目の可撓性基板の貼り合わせを行う第１の工程、２回目の作製基板の剥離及び２回目の可撓性基板の貼り合わせを行う第２の工程、及び、ＦＰＣと電気的に接続する導電層を露出させ、ＦＰＣを圧着させる第３の工程を有する。

なお、本実施例では、第１の工程で、トランジスタや有機ＥＬ素子が形成された作製基板２０１を剥離し、第２の工程で、カラーフィルタ等が形成された作製基板２２１を剥離した。また、接着層８２３、接着層８１１、及び接着層８４１の硬度はそれぞれショアＤ８０以上とした。材料としては、シート状の接着剤の代わりに２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた。また、基板８０１及び基板８０３には、膨張係数が２７ｐｐｍ／℃以下の可撓性基板を用いた。

まず、５インチ角のサイズの作製基板で３．４インチのフレキシブル有機ＥＬディスプレイを作製し、上記３つの工程での歩留まりを確認した。

表４に示す通り、２２１個のディスプレイを作製したところ、各工程では９０％以上、全体としては８３％の歩留まりであった。

さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍのサイズの作製基板で５．３インチのフレキシブル有機ＥＬディスプレイを作製し、上記３つの工程での歩留まりを確認した。なお、該作製基板における該ディスプレイの取り数は２つである。

表５に示す通り、作製基板３８枚分、全７６個のディスプレイを作製したところ、各工程では９０％以上、全体としては８４％の歩留まりであった。

作製工程中に異物が混入することで、剥離時に有機膜で膜剥がれが生じたことなどが、不良の一態様として挙げられる。本実施例では手作業でディスプレイを作製したため、作製装置を用いることで歩留まりをより高くできることが示唆される。また、作製基板を大判化しても歩留まりが低下しにくいことがわかった。

また、３００ｍｍ×３６０ｍｍのサイズの作製基板を用いて、１３．５インチのフレキシブル有機ＥＬディスプレイを手作業で作製する際に、各工程で要した時間を表６に示す。

本実施例では接着層の材料に２液硬化型エポキシ系樹脂を使用したため、接着層の硬化に時間を要した。ただし、バッチ処理を行うことで、ディスプレイ１つ当たりの工程に要する時間を短くすることができる。また、本発明の一態様のように、シート状の接着剤を用いると、装置の作製に要する時間を短縮できるため好ましい。

本実施例では、薄膜を良好に剥離するための条件について説明する。

［剥離性の評価方法］
まず、支持基板から薄膜を剥離するための評価方法の一例について説明する。

剥離に要する力の評価は、例えば図３０（Ａ）に示すような治具を用いて行えばよい。図３０（Ａ）に示す治具は、複数のガイドローラ７６０６と、サポートローラ７６０５を有する。測定は、予め支持基板７６０１上に形成された薄膜７６０３上にテープ７６０４を貼り付け、端部を一部剥離しておく。次いで、支持基板７６０１を治具にテープ７６０４をサポートローラ７６０５に引っ掛けるように取り付け、テープ７６０４及び薄膜７６０３が支持基板７６０１に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ７６０４を支持基板７６０１に対して垂直方向に引っ張り、薄膜７６０３が支持基板７６０１から剥離する際に、垂直方向に引っ張るのに要する力を測定することで、剥離に要する力を測定することができる。ここで、剥離が進行している間、剥離層７６０２が露出した状態で支持基板７６０１がガイドローラ７６０６に沿ってその面方向に走行する。サポートローラ７６０５及びガイドローラ７６０６は、薄膜７６０３及び支持基板７６０１の走行中の摩擦の影響を無くすために回転可能に設けられている。

以下で示す剥離試験のための試料は、支持基板を２５ｍｍ×１２６．６ｍｍに分断し、テープ７６０４として紫外光硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルムともいう）（電気化学工業株式会社製 ＵＨＰ−０８１０ＭＣ）をテープマウンタにより貼り付けた後、ＵＶフィルムの端部を約２０ｍｍ剥離し、上記治具に取り付けた。また剥離試験には、島津製作所製の小型卓上試験機（ＥＺ−ＴＥＳＴ ＥＺ−Ｓ−５０Ｎ）を用いた。剥離試験方法には、日本工業規格（ＪＩＳ）の規格番号ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠する粘着テープ・粘着シート試験方法を参考にした。

［試料の構成］
評価に用いた試料の構成について説明する。図３０（Ｂ）に試料の断面構成を示す。試料は、支持基板７６１１上に剥離層７６１２、第１の層７６１３及び第２の層７６１４を順に積層した構成を有する。剥離は剥離層７６１２と第１の層７６１３との間で生じる。

［水素の放出性と剥離性の関係］
ここでは、第１の層の水素の放出量と剥離性との関係について説明する。

〈試料Ａ〜試料Ｃ〉
試料Ａ〜試料Ｃは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜、厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をそれぞれプラズマＣＶＤ法により順に形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。

試料Ａは第１の層７６１３の厚さを約６００ｎｍとした。試料Ｂは第１の層７６１３の厚さを約４００ｎｍとした。試料Ｃは第１の層７６１３の厚さを約２００ｎｍとした。

ここで、試料Ａに用いた厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜と、試料Ｃに用いた厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜について、昇温脱離ガス分光法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により水素分子に相当する質量電荷比（ｍ／ｚ）２で検出される強度の温度依存性を評価した結果を図３１（Ａ）に示す。酸化窒化シリコン膜の厚さが厚いほど、水素の放出量が高い傾向があることが分かった。

続いて、試料Ａ〜試料Ｃについて、剥離に要する力を測定した。測定はそれぞれの試料について、同一の基板を上述のサイズに切り出した６つの試料に対して行った。測定した結果を図３１（Ｂ）に示す。試料Ａが最も剥離に要する力が小さく、試料Ｃが最も剥離に要する力が大きい結果となった。

〈試料Ｄ〜試料Ｆ〉
試料Ｄ〜試料Ｆは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。

ここで、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、シランの流量を５０ｓｃｃｍとした試料を試料Ｄ、７５ｓｃｃｍとした試料を試料Ｅ、１００ｓｃｃｍとした試料を試料Ｆとした。

試料Ｄ〜試料Ｆについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３２（Ａ）に示す。酸化窒化シリコン膜の成膜時のシランの流量が多いほど、水素の放出量が高い傾向があることが確認できた。

続いて、試料Ｄ〜試料Ｆについて、剥離に要する力を測定した結果を図３２（Ｂ）に示す。試料Ｄでは、測定した６つの試料すべてで良好に剥離することができなかった。試料Ｅ及び試料Ｆでは、測定した６つの試料すべてで良好に剥離することができた。また試料Ｅに比べて試料Ｆの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。

〈試料Ｍ〜試料Ｏ〉
試料Ｍ〜試料Ｏは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。

ここで、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜、及び第２の層７６１４に用いた窒化シリコン膜の成膜は、試料Ｄ〜試料Ｆで用いた装置とは異なる装置を用いて行った。具体的には、試料Ｄ〜試料Ｆで用いた成膜装置よりも電極面積及びチャンバー容量等が小さい成膜装置を用いた。

また、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、シランの流量を５ｓｃｃｍとした試料を試料Ｍ、２７ｓｃｃｍとした試料を試料Ｎ、６０ｓｃｃｍとした試料を試料Ｏとした。

試料Ｍ〜試料Ｏについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３５（Ａ）に示す。試料Ｄ〜試料Ｆの結果と同様、酸化窒化シリコン膜の成膜時のシランの流量が多いほど、水素の放出量が高い傾向があることが確認できた。

続いて、試料Ｍ〜試料Ｏについて、剥離に要する力を測定した結果を図３５（Ｂ）に示す。試料Ｍでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができなかった。試料Ｎ及び試料Ｏでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。また試料Ｎに比べて試料Ｏの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。

〈試料Ｐ〜試料Ｒ〉
試料Ｐ〜試料Ｒは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。

ここで、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、電力密度を０．０４１Ｗ／ｃｍ^２とした試料を試料Ｐ、０．０７１Ｗ／ｃｍ^２とした試料を試料Ｑ、０．２０４Ｗ／ｃｍ^２とした試料を試料Ｒとした。

試料Ｐ〜試料Ｒについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３６（Ａ）に示す。酸化窒化シリコン膜の成膜時の電力密度が小さいほど、水素の放出量が高い傾向があることが確認できた。

続いて、試料Ｐ〜試料Ｒについて、剥離に要する力を測定した結果を図３６（Ｂ）に示す。試料Ｒでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができなかった。試料Ｐ及び試料Ｑでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。また試料Ｑに比べて試料Ｐの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。

以上の結果から、第１の層７６１３からの水素の放出量が大きいほど、剥離に要する力が小さくなることが確認できた。

また水素の放出量は、第１の層７６１３に用いる酸化窒化シリコン膜の成膜条件によって制御可能であることが確認できた。具体的には、膜厚、成膜ガスに対するシランの流量比、又は電力密度等の条件により、水素の放出量が高く、剥離に適した酸化窒化シリコン膜を作製できることが確認できた。

［熱処理温度と剥離性の関係］
ここでは、第２の層７６１４を形成した後の加熱処理の温度と剥離性の関係について説明する。

〈試料Ｇ〜試料Ｊ〉
試料Ｇ〜試料Ｊは、加熱処理の条件以外は、試料Ａと同様の方法で作製した。

第２の層７６１４を形成した後、３５０℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｇとした。同様に４００℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｈ、４５０℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｉ、４８０℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｊとした。

試料Ｇ〜試料Ｊについて、剥離に要する力を測定した結果を図３３に示す。試料Ｇでは、測定した３つの試料すべてで良好に剥離することができなかった。試料Ｈ〜試料Ｊでは、測定した３つの試料すべてで良好に剥離することができた。試料Ｉ及び試料Ｊは、剥離に要する力が同等であった。試料Ｈは、試料Ｉ及び試料Ｊより剥離に要する力が高い結果となった。

以上の結果から、第２の層７６１４の形成後の加熱処理の温度が高いほど剥離性が向上すること、一定以上の温度では、剥離性が飽和することが確認できた。加熱処理の温度が高いほど第１の層７６１３からの水素の放出量が増大し、剥離性が向上することが示唆される。

［第２の層の水素ブロック性と剥離性との関係］
ここでは、第２の層７６１４の水素ブロック性と剥離性との関係について説明する。

〈試料Ｋ及び試料Ｌ〉
試料Ｋ及び試料Ｌは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。

また、試料Ｋのみ、第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により順に形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。また試料Ｌでは第２の層７６１４の形成を行わなかった。

まず、第１の層７６１３に用いた厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜の単層、第２の層７６１４に用いた厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜の単層、及びこれら酸化窒化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層について、ＴＤＳ分析を行った結果を図３４（Ａ）に示す。酸化窒化シリコン膜単層は多くの水素を放出するものの、窒化シリコン膜はこれに比べてほとんど水素を放出しないことが確認できた。また酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積層することで、水素が上部に拡散する量が低減した。この結果から、窒化シリコン膜は水素に対してブロック性を有していることが確認できた。

続いて、試料Ｋ及び試料Ｌについて、剥離に要する力を測定した結果を図３４（Ｂ）に示す。試料Ｋでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。一方、第２の層７６１４を形成しない試料Ｌでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができなかった。

この結果から、水素に対してブロック性を有する第２の層７６１４を設けることで、第１の層７６１３から放出される水素が上方に拡散してしまうことを抑制し、剥離に寄与する水素の量を増大させることが剥離性を向上させることが分かった。

９８ 棒
９９ 発光装置
１０１ 作製基板
１０３ 剥離層
１０４ 絶縁層
１０５ 被剥離層
１０６ 素子層
１０７ 接着層
１０９ 基板
１１１ 接着層
１１２ 接着層
１１３ 樹脂層
１１４ 基板
１１５ 照射領域
１１７ 剥離開始領域
１７１ 接着層
１７３ 基板
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０４ 絶縁層
２０５ 被剥離層
２０６ 素子層
２０７ 接着層
２２１ 作製基板
２２３ 剥離層
２２４ 絶縁層
２２５ 被剥離層
２２６ 機能層
２３１ 基板
２３３ 接着層
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１０ 携帯情報端末
３１１ 配線
３１２ 表示パネル
３１３ ヒンジ
３１５ 筐体
３１９ 端子
３２０ 携帯情報端末
３２１ 絶縁層
３２２ 表示部
３２５ 非表示部
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３３０ 携帯情報端末
３３３ 表示部
３３５ 筐体
３３６ 筐体
３３７ 情報
３３９ 操作ボタン
３４０ 携帯情報端末
３４５ 携帯情報端末
３５０Ｒ 発光素子
３５１ 筐体
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３５５ 情報
３５６ 情報
３５７ 情報
３５８ 表示部
３６０ 接着層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 接着層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 接着層
８２４ 接着層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
８６２ ＥＬ層
８６４ 導電層
７１００ 携帯情報端末
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ バンド
７１０４ バックル
７１０５ 操作ボタン
７１０６ 入出力端子
７１０７ アイコン
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７６０１ 支持基板
７６０２ 剥離層
７６０３ 薄膜
７６０４ テープ
７６０５ サポートローラ
７６０６ ガイドローラ
７６１１ 支持基板
７６１２ 剥離層
７６１３ 第１の層
７６１４ 第２の層

Claims (5)

1. 第１乃至第６の工程を有する剥離方法であって、
   前記第１の工程は、第１の基板上に、剥離層を形成する工程を有し、
   前記第２の工程は、前記剥離層上に、被剥離層を形成する工程を有し、
   前記被剥離層は、第１の層を有し、
   前記第１の層は、前記剥離層と接する領域を有し、
   前記第３の工程は、接着層を、前記剥離層及び前記被剥離層と重ねて配置する工程を有し、
   前記接着層に、シート状の接着剤を用い、
   前記第４の工程は、前記接着層を硬化する工程を有し、
   前記第５の工程は、第１の部分を除去する工程を有し、
   前記第１の層は、前記第１の部分を有し、
   前記第１の部分は、前記剥離層及び前記接着層と互いに重なる領域を有し、
   前記第６の工程は、前記剥離層と前記被剥離層とを分離する工程を有する、剥離方法。
2. 請求項１において、
   前記第５の工程において、前記第１の部分を、レーザ光を照射することにより除去する、剥離方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記被剥離層は、無機絶縁膜を有する、剥離方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第３の工程において、前記剥離層の端部よりも内側に前記接着層の端部が位置するように、前記剥離層及び前記接着層を互いに重ねる、剥離方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第４の工程において硬化された前記接着層は、硬度がショアＤ７０より高い部分を有する、剥離方法。