JP6411478B2 - ポリイミドフィルムの製造方法、電子機器の製造方法および塗膜の剥離方法 - Google Patents

Description

本発明は、ポリイミドフィルムの製造方法および塗膜の剥離方法に関する。また、前記ポリイミドフィルムの製造方法、および塗膜の剥離方法を用いて形成する電子機器の製造方法に関する。

近年、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの薄型化が進み、自由に折り曲げることが可能なフレキシブルフラットパネルディスプレイ等のフレキシブルディスプレイが開発されている。現在主流のフラットパネルディスプレイにおいては、基板としてガラスを用いるため重くて破損しやすかったが、フレキシブルディスプレイは、ベースフィルムを用いるので非常に薄くて軽く、且つ破損しづらいという利点を有する。また、フレキシブル性を付与することができるので、曲面でのディスプレイ表示も可能となる。フレキシブルディスプレイとして、電子ペーパーの開発もすすめられているところである。

フレキシブルディスプレイは、一般に支持体であるガラス基板にベースフィルムとなる樹脂膜を形成し、ベースフィルム上にデバイスを実装（形成）させる。そして、最終的に、ベースフィルムをガラス基板から剥離する工程を経て製造される。特許文献１には、基板上に第１の材料層、第２の材料層、被剥離層をこの順に積層した積層体を形成し、剥離前に第１の材料層と第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理（レーザー光、加圧など）を行った後、物理的手段で剥離することによって第２の材料層の層内または界面において分離する方法を提案している。

特開２００３−１６３３３８号公報

ベースフィルム上にデバイスを実装させる方法によれば、簡便にフレキシブルディスプレイ等の電子機器を製造することができる点で優れている。しかしながら、デバイスを実装する際に支持体のガラス基板とベースフィルム樹脂が剥離しないように両者間に接着性を持たせている。このため、実装後にガラス基板からベースフィルムを剥離するには技術的な工夫が必要となる。剥離方法としては、レーザー光でベースフィルム表面を焼き切る方法、強い力で引き剥がしたりする方法があるが、レーザー光のエネルギーによってデバイスが破壊されたり、ベースフィルムが損傷することがあり、製品の歩留まりにおいて課題があった。

フレキシブルディスプレイ等の電子機器の製造において、デバイスを形成するまではガラス基板とベースフィルムとが強く接着しており、デバイスを形成後は容易にガラス基板からベースフィルムを剥離できる技術が市場において強く求められている。なお、フレキシブルディスプレイにおける課題について述べたが、ベースフィルム上にデバイスを形成したい各種電子機器においても同様の課題がある。

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、剥離処理前は支持体とベースフィルムが良好に接着し、剥離処理後は容易に支持体とベースフィルムが剥離でき、且つ歩留まりが高い電子機器の製造方法および塗膜の剥離方法を提供すること、並びに前記ベースフィルムの少なくとも一層に用いられるポリイミドフィルムの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
［１］ 可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）を経て得られるポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に、前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含むポリイミドフィルムの製造方法。
［２］ 工程（ｂ）において、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射する［１］に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
［３］ ベースフィルム上にデバイスを形成する電子機器の製造方法であって、前記ベースフィルムとして、ポリイミドフィルムを少なくとも有し、可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）により得られたポリイミドフィルム上に前記デバイスを形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）を経て得られた前記ポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含む電子機器の製造方法。
［４］ 工程（ｃ）は、気相成長法による薄膜形成プロセスを含む、［３］に記載の電子機器の製造方法。
［５］ 工程（ｂ）は、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射することを特徴とする［３］又は［４］に記載の電子機器の製造方法。
［６］ 前記フラッシュ光は、前記支持体上に形成された前記ポリイミドフィルムの端縁部に集中的に照射することを特徴とする［５］に記載の電子機器の製造方法。
［７］ 平面視上、前記ポリイミドフィルムの端縁部と対向する前記支持体上に、前記フラッシュ光を吸収する光吸収層を設けることを特徴とする［５］又は［６］に記載の電子機器の製造方法。
［８］ 前記フラッシュ光の出射光のうち、前記ポリイミドフィルムの光吸収率が高い帯域を選択的に照射することを特徴とする［５］〜［７］のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
［９］ 前記フラッシュ光の出射光は、前記ポリイミドフィルムの光吸収率が低い帯域をフィルターによってカットすることを特徴とする、［８］に記載の電子機器の製造方法。
［１０］ 前記ポリイミドフィルムの光吸収率が高い帯域が、紫外域であることを特徴とする［８］又は［９］に記載の電子機器の製造方法。
［１１］ 前記フィルターは、４００ｎｍ以上の波長をカットするものであることを特徴とする［９］に記載の電子機器の製造方法。
［１２］ 工程（ｃ）の前に、前記ポリイミドフィルムが形成された前記支持体の周囲の雰囲気を減圧する工程（ｄ）をさらに備え、
前記フラッシュ光を照射する際に、前記ポリイミドフィルムと前記支持体の界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする、［５］〜［１１］のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
［１３］ 前記デバイスが、フレキシブルディスプレイ、フレキシブルデバイス、半導体デバイス、太陽電池および燃料電池からなる群から選択されるいずれか一つである［３］〜［１２］のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
［１４］ 可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥してポリイミドフィルムを形成する工程（ａ）と、工程（ａ）を経て得られる前記ポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に、前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含む塗膜の剥離方法。
［１５］ 工程（ｂ）において、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射する［１４］に記載の塗膜の剥離方法。

本発明によれば、剥離処理前は支持体とが良好に接着し、剥離処理後は容易に支持体とが剥離でき、且つ歩留まりが高い電子機器の製造方法および塗膜の剥離方法を提供すること、並びに前記ベースフィルムの少なくとも一層に用いられるポリイミドフィルムの製造方法を提供できるという優れた効果を奏する。

第１実施形態に係るフラッシュランプアニール装置の要部構成を示す図である。 フラッシュランプアニール装置における処理手順を示すフローチャートである。 被処理体の構造を示す断面図である。 被処理体にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。 ガラス基板から被剥離層たるポリイミドフィルムを剥離する様子の一例を示す図である。 第２実施形態のフラッシュランプアニール装置の要部構成を示す図である。 遮光板を上方から見た平面図である。 光吸収層を形成した被処理体の平面図である。 第３実施形態における被処理体にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。 第４実施形態のフラッシュランプアニール装置の要部構成を示す図である。 キセノンフラッシュランプの放射分光分布を示す図である。

［ポリイミドフィルムの製造方法］
本発明に係るポリイミドフィルムの製造方法は、少なくとも以下の工程（ａ）〜工程（ｂ）を有する。
工程（ａ）は、可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程である。工程（ｂ）は、工程（ａ）を経て得られる前記ポリイミドフィルムを、架橋材の架橋反応を促進させた後に、前記支持体から剥離する工程である。

工程（ａ）で用いるポリイミドワニスは、少なくとも可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含む。

可溶性ポリイミド樹脂は、通常、テトラカルボン酸二無水物とジアミン単量体を重縮合し、イミド化することにより得られる。溶剤可溶性を有していれば、ポリイミド樹脂の種類は特に限定されないが、支持体への接合性を良好にする観点から、熱可塑性ポリイミド樹脂が好ましい。

用いるテトラカルボン酸二無水物とジアミンは、フィルム化した後の機械物性を考慮すると芳香族基を有することが望ましい。芳香族テトラカルボン酸二無水物の例としては、無水ピロメリット酸（１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。また、芳香族ジアミンの例としては、４，４’−オキシジアミノベンゼン（４，４’−ジアミノジフェニルエーテル）、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス−（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４−ジアミノベンゼンおよび１，３−ジアミノベンゼン等が挙げられる。

可溶性ポリイミド樹脂を用いることにより、イミド化するための加熱工程が不要になる。すなわち、溶剤に可溶なポリイミドを含むポリイミドワニスは、支持体上に塗布した後、乾燥してポリイミドフィルムを形成することができる。従って、塗膜を高温でイミド化するステップが不要となり、後述する工程（ｂ）の剥離処理前に、架橋材の架橋開始温度未満に加温することがプロセス的に容易になり、適用可能な架橋材の選択肢を増やすことができる。なお、本発明のポリイミドフィルムの製造方法において、ポリイミドワニスに代えてポリイミド前駆体であるポリアミド酸ワニスを用いたり、ポリイミドワニスにポリアミド酸をブレンドすることも可能であるが、ポリアミド酸塗膜をイミド化するには、通常、３００〜３５０℃の加熱が必要となるため、一般的な架橋材の架橋開始温度以上になる場合が殆どである。また、低温でイミド化を実施する目的で触媒を添加することも可能であるが、架橋材の硬化を促進したり、触媒がポリイミドフィルムとしての物性を劣化させてしまう恐れがある。このため、本発明の製造方法には、溶剤に溶解したポリイミドワニスを使用することが望ましい。

架橋材は、所定の温度で架橋反応を開始する熱硬化性の架橋材を用いる。架橋材の架橋開始温度は、用いるポリイミド樹脂のガラス転移点よりも高く、且つ用いる支持体の耐熱性温度よりも低い温度のものを用いる。

架橋材は、架橋反応により支持体とポリイミドフィルムとの剥離を促すことができるものであればよく、化合物や添加量は限定されない。架橋剤の添加量は、例えば、５〜２５質量％であり、架橋材の好ましい架橋開始温度は、１５０〜４００℃であり、より好ましくは２００℃以上、３５０℃以下である。２００℃以上とすることにより、プロセス安定性を高め、製造歩留まりを高めることができる。また、３５０℃以下とすることにより、ポリイミドフィルム或いはポリイミドフィルム上に形成する他の部材の加熱による劣化を防止できる。

架橋材の種類は、本発明の趣旨に合致する限りにおいて限定されないが、ビスマレイミド化合物、ビスナジイミド化合物、末端ビスアセチレン化合物等が例示できる。

溶剤は、ワニスにした際に可溶性ポリイミド樹脂が溶解できるものであればよく、特に限定されない。例えば、単独ではポリイミド樹脂を溶解しない溶剤でも、別の溶剤と併用した際にポリイミド樹脂が溶解できれば用いることができる。溶剤は、単独または併用して用いることができる。

支持体は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて限定されないが、好適な例としてガラス基板（石英基板等）、サファイア基板、シリコン基板、シリコンカーバイド基板等が例示できる。支持体の直上にポリイミドフィルムを形成する。

ポリイミドワニスを塗工する工程は、例えば、スプレーコート、刷毛塗り、ディップコート、ダイコート、カーテンコート、フローコート、スピンコート、スクリーン印刷などの溶液製膜法が例示できる。塗布後、乾燥させることによりポリイミドフィルムを得る。膜厚は、用途に応じて適宜設計し得るが、例えば、５〜１００μｍ程度である。塗布後の乾燥温度は、可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、架橋材の架橋開始温度未満とする必要がある。塗布後の乾燥温度は、プロセス安定性の観点から、架橋開始温度よりも２０℃以上低いことが好ましい。

ポリイミドフィルムは、単層でもよいし複数層から形成されたものでもよい。また、ポリイミドフィルム層の上層に他の樹脂からなる層、金属層、金属酸化物層等を積層した積層体であってもよい。

工程（ｂ）は、架橋材の架橋反応を促進させることにより、支持体とポリイミドフィルムの接着力を弱める。架橋材の架橋反応は、架橋材の架橋開始温度以上にすることにより実現できる。接着力が弱まったポリイミドフィルムと支持体は、公知の方法により容易に剥離することができる。工程（ｂ）の手段は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で限定されないが、架橋剤の架橋反応を促進させる方法として、支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射する方法が好適である。フラッシュ光の照射方法は特に限定されないが、例えばフラッシュランプを用いて形成することができる。更に、フラッシュ光を照射する際に加熱することも有効である。工程（ｂ）の詳細なプロセスについては、後述する。

［電子機器の製造方法］
次に、本発明のポリイミドフィルムの製造方法を用いた電子機器の製造方法の実施形態の一例について説明する。
本発明に係る電子機器の製造方法は、ベースフィルムたるポリイミドフィルム上にデバイスを形成する工程を含むものであり、上述した工程（ａ）、工程（ｂ）に加えて工程（ｃ）を少なくとも有するものである。工程（ｃ）は、工程（ｂ）の前に行われるものであり、ポリイミドフィルム上にデバイスを形成する工程である。デバイスの種類は特に限定されないが、フレキシブルディスプレイ、フレキシブルデバイス、半導体デバイス、太陽電池および燃料電池等が例示できる。

ポリイミドフィルムは、デバイス形成のためのベースフィルムとして機能する。ポリイミドフィルムは、工程（ａ）により形成したポリイミドフィルムのみからなる層、または工程（ａ）により形成されたポリイミドフィルム上に他の層を積層した積層フィルムからなる層を用いることができる。ポリイミドフィルムは、デバイスを形成する際のプロセス温度に耐え得る耐熱性が必要である。通常、デバイスをベースフィルムに実装する際に、プロセス温度が３００℃以上となることが多いので、用いるポリイミド樹脂は耐熱性に優れるものが好ましい。かかる観点から、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるポリイミド樹脂を用いることが好ましい。

工程（ｃ）は、支持体上に形成したポリイミドフィルムに、公知の方法によって、デバイスを実装する工程である。例えば、ベースフィルム上に、気相成長法や溶液塗布法などを用いて半導体層、金属層、絶縁層等を所望の順で積層してデバイスを形成する薄膜形成プロセスを含むことができる。また、作製済みのデバイスを直接実装してもよい。

工程（ｂ）は、前述した通り種々の方法が可能であるが、ここでは、ガラス基板側からポリイミドフィルムに対してフラッシュ光を照射することにより行う方法について説明する（照射工程）。フラッシュ光を照射すると、ガラス基板とポリイミドフィルムにおける光吸収率や線膨張係数の違いに起因して、昇温の度合いや加熱による伸び率に差異が生じ、ガラス基板とポリイミドフィルムとの界面に、当該界面と平行な方向のせん断応力が生じる。また、ポリイミドフィルムには未反応の架橋材が含まれており、フラッシュ光を照射することにより、これらの架橋材が架橋開始温度を上回る温度まで急速に昇温され、急峻に架橋反応が進行する。これらのせん断応力により、界面の接着力（結合力）が低下する。その結果、フラッシュ光の照射後は、ガラス基板からポリイミドフィルムが容易に剥離できる。

照射工程の後、ガラス基板との接着力が低下したポリイミドフィルムをガラス基板から剥離する（剥離工程）。ガラス基板からポリイミドフィルムを剥離する方法としては、各種の公知技術を採用することができる。以下、工程（ｂ）についてのより具体的な実施形態の一例について説明する。

［第１実施形態］
（フラッシュランプアニール装置の構成）
図１に、第１実施形態に用いるフラッシュランプアニール装置の模式的構成図を示す。フラッシュランプアニール装置１は、ガラス基板上にポリイミドフィルムを形成した被処理体８にフラッシュ光を照射することによって、ポリイミドフィルムの剥離を補助する装置である。フラッシュランプアニール装置１は、主たる要素として、被処理体８を収容するチャンバー１０と、被処理体８を保持する保持プレート２０と、被処理体８にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源７０とを備える。また、フラッシュランプアニール装置１は、装置に設けられた各種動作機構を制御して処理を進行させる制御部３を備える。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

チャンバー１０は、フラッシュ光源７０の下方に設けられており、チャンバー側壁１１およびチャンバー底部１２によって構成される。チャンバー底部１２は、チャンバー側壁１１の下部を覆う。チャンバー側壁１１およびチャンバー底部１２によって囲まれる空間が処理空間１５として確定される。また、チャンバー１０の上部開口にはチャンバー窓１８が装着されて閉塞されている。

チャンバー１０の天井部を構成するチャンバー窓１８は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ光源７０から照射された光を処理空間１５に透過する石英窓として機能する。チャンバー１０の本体を構成するチャンバー側壁１１およびチャンバー底部１２は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されている。

処理空間１５の気密性を維持するために、チャンバー窓１８とチャンバー側壁１１とは図示省略のＯリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓１８の下面周縁部とチャンバー側壁１１との間にＯリングを挟み込み、これらの隙間から気体が流出入するのを防いでいる。

チャンバー１０の内部には保持プレート２０が設けられている。保持プレート２０は、金属製（例えば、アルミニウム製）の平坦な板状部材である。保持プレート２０の上面には複数の支持ピン２２が設けられている。保持プレート２０は、チャンバー１０内にて複数の支持ピン２２によって被処理体８を支持し、且つ被処理体８を略水平姿勢に保持する。支持ピン２２は、図示省略の昇降駆動機構（例えば、エアシリンダ等）によって昇降可能とされていてもよい。

また、保持プレート２０はヒータ２１を内蔵する。ヒータ２１は、ニクロム線などの抵抗加熱線で構成されており、図外の電力供給源からの電力供給を受けて発熱し、保持プレート２０を加熱する。なお、保持プレート２０には、ヒータ２１に加えて、水冷管等の冷却機構を設けるようにしてもよい。

保持プレート２０には、熱電対を用いて構成された図示省略の温度センサが設けられている。温度センサは保持プレート２０の上面近傍の温度を測定し、その測定結果が制御部３に伝達される。制御部３は、温度センサによる測定結果に基づいてヒータ２１の出力を制御し、保持プレート２０を所定の温度とする。保持プレート２０に保持された被処理体８は、保持プレート２０のヒータ２１によって所定の温度に加熱されることとなる。

また、フラッシュランプアニール装置１は、チャンバー１０内の処理空間１５に処理ガスを供給するガス供給機構４０および処理空間１５から雰囲気ガスの排気を行う排気機構５０を備える。ガス供給機構４０は、処理ガス供給源４１、供給配管４２および供給バルブ４３を備える。供給配管４２の先端側はチャンバー１０内の処理空間１５に連通接続され、基端側は処理ガス供給源４１に接続される。供給配管４２の経路途中に供給バルブ４３が設けられる。供給バルブ４３を開放することによって、処理ガス供給源４１から処理空間１５に処理ガスが供給される。処理ガス供給源４１は、被処理体８の種類や処理目的に応じた適宜の処理ガスを供給することが可能であるが、第１実施形態では窒素ガス（Ｎ_２）を供給する。

排気機構５０は、排気装置５１、排気配管５２および排気バルブ５３を備える。排気配管５２の先端側はチャンバー１０内の処理空間１５に連通接続され、基端側は排気装置５１に接続される。排気配管５２の経路途中に排気バルブ５３が設けられる。排気装置５１は、例えばドライポンプとスロットルバルブとを備える。排気装置５１を作動させつつ、排気バルブ５３を開放することによって、処理空間１５の雰囲気を装置外に排出することができる。これらガス供給機構４０および排気機構５０によって、処理空間１５の雰囲気を調整することができる。また、処理空間１５は密閉空間であるため、ガス供給機構４０から処理ガスの供給を行うことなく排気機構５０による雰囲気排出を行うと、処理空間１５内の雰囲気を大気圧未満にまで減圧することができる。

フラッシュ光源７０は、チャンバー１０の上方に設けられている。フラッシュ光源７０は、複数本（図１では図示の便宜上１１本としているが、これに限定されるものではない）のフラッシュランプＦＬと、それら全体の上方を覆うように設けられたリフレクタ７２と、を備えて構成される。フラッシュ光源７０は、チャンバー１０内にて保持プレート２０に保持される被処理体８に対して、石英のチャンバー窓１８を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。第１実施形態では、フラッシュランプＦＬとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入され、その両端部がコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極と、を備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが、例えば、０．０５ミリ秒〜１００ミリ秒という極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯のランプに比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。

また、リフレクタ７２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ７２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を処理空間１５の側に反射するというものである。

制御部３は、フラッシュランプアニール装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによってフラッシュランプアニール装置１における処理が進行する。

上記の構成以外にもフラッシュランプアニール装置１には、種々の構成要素が適宜設けられる。例えば、チャンバー側壁１１には、被処理体８を搬入出するための搬送開口部が形設されている。また、フラッシュランプＦＬからの光照射による過剰な温度上昇を防止するために、チャンバー側壁１１に水冷管を設けるようにしてもよい。さらに、フラッシュランプアニール装置１には、チャンバー１０内の気圧を測定する圧力計が設けられている。

（フラッシュランプアニール装置を用いたポリイミドフィルムの処理方法）
次に、上記構成を有するフラッシュランプアニール装置１における処理手順について説明する。図２は、フラッシュランプアニール装置１における処理手順を示すフローチャートである。以下に説明するフラッシュランプアニール装置１の各処理工程は、制御部３がフラッシュランプアニール装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、チャンバー１０内に被処理体８を搬入する搬入工程を行う（ステップＳ１）。被処理体８の搬入は、フラッシュランプアニール装置１外部の搬送ロボットによって行うようにしてもよいし、手動にて行うようにしてもよい。図３は、被処理体８の構造を示す断面図である。第１実施形態の被処理体８は、ガラス基板８１の上面にポリイミドフィルム８２が貼り付けられて構成されている。ガラス基板８１の材質としては、例えば、石英ガラスを用いる。石英ガラスのガラス基板８１は、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光を概ね全波長域にわたって透過する。被処理体８に、照射したい波長帯域に応じて適切な支持体を選択することができる。ポリイミドフィルム８２は、前述したベース樹脂フィルムとして機能するポリイミドフィルムの形成手法により、塗膜状に形成される。また、ポリイミドフィルム８２の上面には公知の手法によりデバイス８３が実装されている。

ポリイミドフィルム８２の塗布形成およびデバイス８３の実装は、フラッシュランプアニール装置１とは異なる設備にて行われる。リジッド基板（キャリア基板や、ダミー基板とも呼ばれる）であるガラス基板８１上にポリイミドフィルム８２を貼り付け、さらにその上にデバイス８３を実装しているため、既存の設備の多くを流用してデバイスの実装を行うことができる。そして、デバイス８３が実装された後に、図３のような被処理体８がチャンバー１０内に搬入される。

次に、チャンバー１０内に搬入された被処理体８を、支持ピン２２を介して保持プレート２０に載置して保持する保持工程を行う（ステップＳ２）。ここで、被処理体８は、デバイス８３が形成された側の面を下側に向けて、つまりガラス基板８１を上側に向けて保持プレート２０に保持される。また、被処理体８は、複数の支持ピン２２によって点接触で支持され、保持プレート２０に保持される。複数の支持ピン２２は、デバイス８３が実装されていないガラス基板８１の端縁部を支持するのが好ましい。

保持プレート２０は、内蔵するヒータ２１によって予め所定温度に加熱されている。保持プレート２０の温度は制御部３によって制御されている。被処理体８が複数の支持ピン２２によって保持プレート２０に近接支持されることにより、デバイス８３が実装されたポリイミドフィルム８２を含む被処理体８の全体が加熱される。被処理体８を加熱する温度は、デバイス８３に熱的ダメージを与えない範囲であり、可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越えであって、且つ架橋材の架橋温度未満の範囲において、適宜に設定される。このときの加熱効率を高めるため、複数の支持ピン２２によって支持する被処理体８の高さ位置は保持プレート２０の上面に近い方が好ましい。

また、被処理体８がチャンバー１０内に搬入されて、処理空間１５が密閉空間とされた後、チャンバー１０内を減圧する減圧工程を行う（ステップＳ３）。すなわち、ガス供給機構４０からのガス供給を行うことなく排気機構５０による排気を行うことにより、チャンバー１０内の処理空間１５の雰囲気が大気圧未満に減圧される。このときに、チャンバー１０内の酸素分圧をさらに低下させる必要があれば、ガス供給機構４０から窒素ガスを供給して処理空間１５を窒素雰囲気に置換した後に、チャンバー１０内を減圧するようにしてもよい。

保持プレート２０に保持された被処理体８が加熱されて所定の温度にまで到達し、チャンバー１０内が大気圧未満にまで減圧された後、制御部３の制御によりフラッシュ光源７０の複数のフラッシュランプＦＬを一斉に点灯させる照射工程を行う（ステップＳ４）。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光（リフレクタ７２によって反射されたフラッシュ光を含む）はチャンバー窓１８を透過し、処理空間１５にて保持プレート２０に保持された被処理体８へと向かう。フラッシュランプＦＬから出射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間（パルス幅）が０．０５ミリ秒以上、１００ミリ秒以下程度の極めて短く強い閃光（照射エネルギーが１０Ｊ／ｃｍ^２以上、２０Ｊ／ｃｍ^２以下程度）であることが好ましい。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、ガラス基板とポリイミドフィルムとの界面において、界面の接着力が充分に低下するに足る条件であれば、上記の範囲に限られない。また、フラッシュ光の照射回数も、１回のみでもよいし、複数回照射してもよい。

好適な照射光エネルギーに下限がある理由としては、ポリイミドフィルムにおけるガラス基板との界面を充分に昇温できない点が挙げられる。よって、ガラス基板とポリイミドフィルムとの界面において、界面の接着力が充分に低下するに足るのであれば、照射光エネルギーが１０Ｊ／ｃｍ^２よりも低い照射条件を採用してもよい。

好適な照射光エネルギーに上限がある理由としては、当該上限程度のエネルギーを与えればガラス基板とポリイミドフィルムとの界面において、界面の接着力が充分に低下するに足り、当該上限以上のエネルギーを与える必要がない点、また、余分なエネルギーを与えないことでフラッシュランプの消費電力の増加を抑制する点、そして、余分なエネルギーを与えないことでポリイミドフィルムに実装されたデバイスへのダメージを抑制する点などが挙げられる。よって、ポリイミドフィルムの膜厚や組成、基板とするガラス基板の特性など、各種の条件により、上記の点を満たす照射光エネルギーが２０Ｊ／ｃｍ^２よりも高い場合には、２０Ｊ／ｃｍ^２以上の照射光エネルギーも好適な条件として採用される。

複数回照射の利点としては、ポリイミドフィルムに実装されたデバイスや、ポリイミドフィルム自体における、過熱によるダメージ防止が挙げられる。長時間フラッシュ光を照射すると、熱が深部まで届くことにより、デバイスやフィルム内部が過熱するおそれがある。本発明においては、ポリイミドフィルムとガラス基板の界面にさえフラッシュ光のエネルギーが届けばよいため、パルス幅を短くすることが好適である。しかしながら、エネルギーが一定のまま、パルス幅を短くすると、与えられるエネルギーが減少し、界面の接着力を充分に低下させられないおそれがある。このため、パルス幅を短くし、且つ複数回フラッシュ光を照射することで、与えられるエネルギーを充分に保ち、界面の接着力を充分に低下させ、且つデバイス等へ熱が届くのを抑制して、デバイス等のダメージを防ぐことができる。

図４は、被処理体８にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー１０内にて、被処理体８はガラス基板８１を上側に向けて保持プレート２０に保持されている。チャンバー１０の上方に設けられたフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は、被処理体８の上側から、つまりガラス基板８１の側から照射される。ガラス基板８１は、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を透過する。その結果、フラッシュ光は、上側のガラス基板８１を透過し、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に照射されることとなる。また、第１実施形態では、フラッシュ光は被処理体８の全面に対して一括して照射される。

ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面はフラッシュ光を吸収して急激に昇温し、その後急速に降温する。このときに、ガラス基板８１およびポリイミドフィルム８２の双方の界面近傍の領域が昇温する。照射時間が０．０５ミリ秒以上、１００ミリ秒以下程度の極めて短いフラッシュ光照射であれば、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面近傍のみを選択的に昇温することができる。このため、フラッシュ光照射によってポリイミドフィルム８２上に形成されたデバイス８３を必要以上に加熱して熱的ダメージを与えることは防止される。

フラッシュ光照射によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面近傍が急速に昇温したときに、ガラス基板８１およびポリイミドフィルム８２のそれぞれの界面近傍領域が昇温して熱膨張することとなる。このとき、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２とでは線膨張係数が異なるため、同じ温度に昇温したとしても膨張の程度が異なる。ガラス基板８１およびポリイミドフィルム８２の種類にも依存するが、一般にはポリイミドフィルム８２の線膨張係数がガラス基板８１のそれよりも顕著に大きい（数倍程度以上）。

また、フラッシュ光照射によって直接的に加熱されるのは界面近傍のポリイミドフィルム８２であり（ガラス基板８１はフラッシュ光を透過する）、ガラス基板８１は、昇温したポリイミドフィルム８２からの熱伝導によって加熱される。よって、フラッシュ光照射時の到達温度自体も通常はポリイミドフィルム８２の方がガラス基板８１よりも高い。このため、フラッシュ光照射によってガラス基板８１およびポリイミドフィルム８２のそれぞれの界面近傍領域が昇温したときに、ポリイミドフィルム８２の方がガラス基板８１よりも大きく熱膨張することとなる。その結果、図４の矢印ＡＲ４にて示すように、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面には、当該界面と平行な方向に沿ってポリイミドフィルム８２がガラス基板８１よりも大きく伸びようとするせん断応力が作用する。このようなガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に沿ったせん断応力が作用することにより、その界面におけるガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との接着力が低下することとなる。

さらに、本発明では、ポリイミドフィルム８２へ架橋材を添加している。照射工程（ステップＳ４）でフラッシュ光を照射する直前まで、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材の多くは架橋反応が未反応の状態である。

照射工程（ステップＳ４）において、未反応の架橋材を含有するポリイミドフィルム８２にフラッシュ光を照射することにより、架橋材の架橋開始温度を上回る温度まで急速に昇温し、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材は急速に架橋反応が生じる。これにより、上記のようなポリイミドフィルム８２自体の熱膨張に加え、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材の急速な架橋反応によっても、ポリイミドフィルム８２の当該界面方向と平行な方向へ伸びようとするせん断応力が作用する。よって、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に沿ったせん断応力がより強く作用し、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との接着力が確実に低下する。

上記のようなフラッシュ光の照射による接着力の低下によって、後述するステップＳ７の剥離工程におけるポリイミドフィルム８２の剥離が極めて容易となる。すなわち、本発明に係るフラッシュランプアニール装置１での処理は、ガラス基板８１上に形成されたポリイミドフィルム８２の剥離を補助するものである。

被処理体８に対するフラッシュ光照射が終了した後、排気機構５０による排気を停止するとともに、ガス供給機構４０から処理空間１５に窒素ガスを供給し、チャンバー１０内を大気圧に復圧する復圧工程を行う（ステップＳ５）。その後、チャンバー１０から処理後の被処理体８を搬出する搬出工程を行う（ステップＳ６）。これにより、フラッシュランプアニール装置１における一連の剥離補助処理は完了する。

次に、チャンバー１０から搬出した被処理体８において、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２とを剥離する剥離工程を行う（ステップＳ７）。図５は、ガラス基板８１から被剥離層たるポリイミドフィルム８２を剥離する様子の一例を示す図である。ポリイミドフィルム８２の端部を剥がして把持部材（図示省略）によって機械的に把持し、その把持部材が図５中の矢印にて示すように移動することによってポリイミドフィルム８２がガラス基板８１から剥離される。

照射工程（ステップＳ４）におけるフラッシュ光の照射によって、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面にはせん断応力が作用したため、これらの界面の接着力は低下し、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との密着は脆弱になっている。このため、剥離工程（ステップＳ７）においてガラス基板８１からポリイミドフィルム８２を剥離する際、小さな応力にて簡単にポリイミドフィルム８２をガラス基板８１から剥離することができる。

なお、把持部材に代えて、ポリイミドフィルム８２の端部をドラムに巻き付け、そのドラムを回転させることによってポリイミドフィルム８２をガラス基板８１から剥離するようにしてもよい。あるいは、ベルヌーイチャックなどの公知の吸引部材によってポリイミドフィルム８２を吸引しつつガラス基板８１から剥離するようにしてもよい。

第１実施形態においては、線膨張係数が異なるガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面にフラッシュ光を照射して加熱し、それらの熱膨張の程度が異なることによって、当該界面と平行な方向に沿ってせん断応力を生じさせている。また、ポリイミドフィルム８２に架橋材を含有させ、フラッシュ光の照射により架橋材の急速な架橋反応を生じさせることにより、ポリイミドフィルム８２における当該界面と平行な方向に沿うせん断応力をさらに強力なものとしている。

このせん断応力が作用することによってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の接着力が低下し、それらの密着性が弱まる。このため、剥離工程（ステップＳ７）では、被剥離層たるポリイミドフィルム８２を小さな応力にて容易にガラス基板８１から剥離することができる。したがって、ポリイミドフィルム８２およびそれに実装されたデバイス８３に与える物理的なダメージを最小限に抑制しつつ、ポリイミドフィルム８２を剥離することができる。

また、第１実施形態では、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の全面に対してフラッシュ光を一括して照射しているため、界面全面の接着力を均一に低下させて密着性を弱めることができる。照射時間が０．０５ミリ秒以上１００ミリ秒以下程度のフラッシュ光を一括照射すれば、従来のようにレーザー光をスキャン照射する場合と比較して処理時間を顕著に短くすることもできる。

また、第１実施形態においては、フラッシュ光照射によるガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との熱膨張の差異や、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材の架橋反応に起因するポリイミドフィルム８２の伸縮（弾性の変化）を利用して、界面の接着力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。すなわち、ガラス基板８１と、架橋材を添加したポリイミドフィルム８２との界面にフラッシュ光を照射することにより、被剥離層たるポリイミドフィルム８２に与えるダメージを抑制しつつ、均一かつ清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。さらに、架橋材の添加により、架橋材を添加しない場合よりもガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に生じるせん断応力が強くなるため、より確実に当該界面の接着力を低下させることができる。

また、第１実施形態において、フラッシュ光照射による剥離補助は、大気圧未満の雰囲気にて行われている。ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面にフラッシュ光を照射して加熱すると、その界面から微量のガスが発生する。被剥離層たるポリイミドフィルム８２が貼り付けられたガラス基板８１の周囲の雰囲気を減圧した状態にて界面にフラッシュ光を照射して微量のガスを発生させると、周囲が減圧状態であるためにそのガスの気泡が膨張することとなる。その結果、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との密着性がさらに弱まり、被剥離層たるポリイミドフィルム８２をより簡単にガラス基板８１から剥離することができる。

さらに、第１実施形態においては、フラッシュ光照射前に、保持プレート２０が内蔵するヒータ２１によって、デバイス８３に熱的ダメージを与えず、且つポリイミドフィルム８２に含有される架橋材が架橋反応を起こさない程度の温度に被処理体８を加熱している。これにより、フラッシュ光照射時にガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面が熱エネルギーによる補助を受け、フラッシュ光照射前後における当該界面の熱膨張の差異や、フラッシュ光照射による架橋反応に起因するポリイミドフィルム８２の伸縮の変化をより急峻なものとし、せん断応力をより大きく生じさせることで、当該界面の接着力をより低下させることとなり、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との密着性をさらに弱めることができる。

第１実施形態に係る電子機器の製造方法によれば、従来のレーザー光でフィルム表面を焼き切ったり、強い力で引き剥がしたりする製造方法に比べて、デバイスを破壊し難く、ガラス基板からベースフィルムを損傷することなくベースフィルム付きデバイスを容易に剥離できる。よって、第１実施形態に係る電子機器の製造方法は、より高い歩留まりで生産が可能になる。

［第２実施形態］
次に、上記第１実施形態とは異なる電子機器の製造方法の一例について説明する。第２実施形態に係る電子機器の製造方法は、以下の点を除く基本的な構成は第１実施形態と同様である。すなわち、第２実施形態に係る電子機器の製造方法は、フラッシュランプアニール装置の構成、および照射方法の点において、第１実施形態と相違する。

一部の領域への照射としては、例えば、ガラス基板とポリイミドフィルムの界面のうち、端縁部に照射する方法が例示できる。ガラス基板とポリイミドフィルムとの接着力は、端縁部で大きくなる傾向がある。端縁部はフラッシュ光の照射なしには容易に剥離できず、端縁部ではない他の領域がフラッシュ光の照射なしに機械的な剥離方法によって剥離可能であるような場合に、フラッシュ光を端縁部へ集中的に照射する方法が効果的である。この方法により、端縁部の接着力を低下させて端縁部を容易に剥離可能とすることで、ガラス基板からポリイミドフィルムを容易に剥離することができる。このように、接着力が局所的に高い領域など、一部の領域に集中的にフラッシュ光を照射する構成とすることで、フラッシュ光の照射によるデバイスへのダメージ抑制できる。また、フラッシュ光の照射領域が全面照射する場合に比して狭まることから、フラッシュランプの消費電力を削減できるといった効果がある。

図６は、第２実施形態のフラッシュランプアニール装置１ａの要部構成を示す図である。以降の図において、第１実施形態と同一の要素については、同一の符号を付している。

第２実施形態のフラッシュランプアニール装置１ａは、チャンバー１０内に遮光板６０を備える。図７は、遮光板６０を上方から見た平面図である。遮光板６０は、平面視矩形の板状部材であり、図示省略の支持部材によってチャンバー１０内に固定設置されている。遮光板６０は、フラッシュランプＦＬのフラッシュ光を透過しない材質（例えば、フラッシュ光に対する耐性に優れたアルミニウム等の金属材料）にて形成されている。遮光板６０は、チャンバー１０内にて保持プレート２０よりも上方に設置されており、保持プレート２０に保持される被処理体８の大部分を覆うように設けられている。

第２実施形態では図７に示すように、保持プレート２０に保持される矩形の被処理体８の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源７０に露出するように遮光板６０が設けられている。ここで、被処理体８の端縁部とは、デバイス８３が形成されている領域よりも外側の領域である。すなわち、デバイス８３はガラス基板８１上に形成されたポリイミドフィルム８２の全面にわたって実装されているものではなく、ポリイミドフィルム８２の端部から内側に向けて所定幅の領域には実装されていない。このように、ポリイミドフィルム８２の端縁においてデバイス８３が実装されておらず、比較的不要な領域が「ポリイミドフィルム８２の端縁部」であり、第２実施形態において、その幅は例えば５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲である。なお、デバイス８３が実装されていないポリイミドフィルム８２の端縁部に対応するガラス基板８１の領域を「ガラス基板８１の端縁部」と称し、ポリイミドフィルム８２およびガラス基板８１を含めた被処理体８の領域を「被処理体８の端縁部」と称する。

また、第２実施形態においては、図６に示すように、フラッシュ光源７０に１本のフラッシュランプＦＬを備えている。フラッシュランプＦＬの上方にはリフレクタ７２が設けられている。第２実施形態のフラッシュランプＦＬは、遮光板６０によって覆われていない被処理体８の端縁部の直上に設置されている。すなわち、フラッシュランプＦＬは、遮光板６０から露出している被処理体８の端縁部に対向する位置のみに配置されている。このため、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は、遮光板６０によって覆われていない被処理体８の端縁部に集中的に照射されることとなる。

遮光板６０およびフラッシュ光源７０を除くフラッシュランプアニール装置１ａの残余の構成については第１実施形態のフラッシュランプアニール装置１と同じである。また、第２実施形態のフラッシュランプアニール装置１ａにおける処理手順も第１実施形態と概ね同様である（図２参照）。

第２実施形態においては、照射工程（ステップＳ４）のフラッシュ光照射時に、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光の一部が遮光板６０によって遮光され、保持プレート２０に保持された被処理体８のうち遮光板６０によって覆われていない端縁部に選択的にフラッシュ光が照射される。よって、フラッシュ光は、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面のうちの端縁部に選択的に照射され、その端縁部が集中的に昇温されることとなる。端縁部にはデバイス８３が実装されていないため、第２実施形態ではポリイミドフィルム８２の端縁部表面が相当高温に（例えば、第１実施形態よりも高温に）加熱される程度に強いフラッシュ光を照射するようにしてもよい。

ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。

さらに、本発明では、ポリイミドフィルム８２に架橋材を添加している。ここで、フラッシュ光を照射する前の工程は、第１実施形態と同様の工程であるため、一貫して当該架橋材の架橋開始温度よりも低い温度で処理がなされており、照射工程（ステップＳ４）でフラッシュ光を照射する直前まで、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材は架橋反応が未反応の状態である。

照射工程（ステップＳ４）において、未反応の架橋材を含有するポリイミドフィルム８２の端縁部へフラッシュ光を照射することにより、ポリイミドフィルム８２の端縁部に含有される架橋材は、架橋材の架橋開始温度を上回る温度まで急速に昇温し、急速に架橋反応が生じる。これにより、上記のようなポリイミドフィルム８２自体の熱膨張に加え、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材の急速な架橋反応によっても、ポリイミドフィルム８２の当該界面方向と平行な方向へ伸びようとするせん断応力が作用する。よって、被処理体８の端縁部において、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に沿ったせん断応力がより強く作用し、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との接着力が確実に低下する。したがって、ポリイミドフィルム８２の端縁部がガラス基板８１から剥離しやすくなる。

また、第２実施形態においても、大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、被処理体８の端縁部のうち、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面において、微量のガスの気泡が加熱により膨張することで、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との密着性がさらに弱まり、ポリイミドフィルム８２の端縁部がより確実に剥離しやすくなる。

ここで、より強いフラッシュ光を照射すると、より確実にポリイミドフィルム８２の剥離が実行できるほか、後の剥離工程（ステップＳ７）が容易になるといった効果がある。より強いフラッシュ光を照射すると、ポリイミドフィルム８２の端縁部におけるガラス基板８１との界面により強力なせん断応力が作用する。これにより、フラッシュ光照射後にポリイミドフィルム８２の端縁部の一部が、めくり上がるように剥離し、後の剥離工程（ステップＳ７）においてポリイミドフィルム８２の機械的な把持が容易になる。第２実施形態において、以降は、より強いフラッシュ光の照射により、ポリイミドフィルム８２の端縁部が剥離した状態であることを前提に説明する。

その後、剥離工程（ステップＳ７）では、照射工程（ステップＳ４）でのフラッシュ光照射によって剥離したポリイミドフィルム８２の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第１実施形態と同様にしてポリイミドフィルム８２の全体をガラス基板８１から剥離する。

第２実施形態においては、遮光板６０によってフラッシュ光の一部を遮光することにより、被処理体８の端縁部のみにフラッシュ光を照射してガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部のみを加熱している。一般に塗布法によって形成されたポリイミドフィルム８２とガラス基板８１との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第２実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、ポリイミドフィルム８２の端縁部をガラス基板８１から剥がすようにすれば、剥離工程（ステップＳ７）の剥離工程では、被剥離層たるポリイミドフィルム８２を容易にガラス基板８１から剥離することができる。

また、第１実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第２実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミドフィルム８２に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。

特に、第２実施形態においては、デバイス８３が実装されていない不要領域である被処理体８の端縁部のみにフラッシュ光を照射して加熱しているため、デバイス８３に熱的ダメージを与えることを確実に防止することができる。また、デバイス８３に与える熱的ダメージを考慮する必要がないため、フラッシュランプＦＬの発光強度を相当に強くすることができ、フラッシュ光照射によってポリイミドフィルム８２の端縁部を確実にガラス基板８１から剥離することができる。

［第３実施形態］
第３実施形態に係る電子機器の製造方法は、以下の点を除く基本的な構成および製造方法は第１実施形態に係る電子機器の製造方法と同様である。すなわち、第３実施形態は、ガラス基板に光吸収層を形成する点において、光吸収層を用いていない第１実施形態と相違する。

フラッシュランプアニール装置の構成は第１実施形態のフラッシュランプアニール装置１と全く同じである。また、第３実施形態における処理手順も第１実施形態と概ね同様である（図２参照）。よって、第１実施形態と同一の処理手順については、説明を省略する。

第３実施形態においては、チャンバー１０内に被処理体８を搬入する前に、ガラス基板８１の端縁部に黒色の光吸収層８５を形成している。図８は、光吸収層８５を形成した被処理体８をガラス基板８１側から見た平面図である。矩形の被処理体８の端縁部において、黒色の光吸収層８５がガラス基板８１の表面に形成されている。具体的には、例えば、ガラス基板８１の表面端縁部に黒色の塗料を塗布して光吸収層８５を形成すればよい。なお、被処理体８の端縁部とは、第２実施形態と同様に、デバイス８３が実装されている領域よりも外側の領域である。第３実施形態では、矩形の被処理体８の四辺全ての端縁部に光吸収層８５が形成されている。

このような端縁部に光吸収層８５を形成した被処理体８がチャンバー１０内に搬入され（ステップＳ１）、保持プレート２０に保持される（ステップＳ２）。被処理体８は、ガラス基板８１を上側に向けて保持プレート２０に保持される。よって、被処理体８の端縁部に形成された光吸収層８５も上側を向くこととなる。

第３実施形態においては、照射工程（ステップＳ４）のフラッシュ光照射時に、第１実施形態と同様に被処理体８の全面に対してフラッシュ光が照射される。図９は、第３実施形態における被処理体８にフラッシュ光が照射された状態を示す図である。チャンバー１０の上方に設けられたフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は、被処理体８の上側から、つまりガラス基板８１の側から照射される。光吸収層８５は黒色であるため、受光したフラッシュ光を全波長域にわたって吸収する。このため、被処理体８の端縁部においては、フラッシュ光照射によって光吸収層８５が著しく昇温し、その光吸収層８５からの熱伝導によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部が集中的に加熱される。被処理体８の端縁部よりも内側の領域においては、第１実施形態と同様にガラス基板８１を透過したフラッシュ光によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面が加熱されることとなるが、黒色の光吸収層８５を設けた界面端縁部の方が内側領域よりも強く加熱される。

ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２とでは線膨張係数が異なるため、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面にフラッシュ光が照射されて加熱されると、それらの熱膨張の差異に起因したせん断応力が当該界面に作用する。第３実施形態では、特に、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部が集中的に加熱されるため、当該界面の端縁部に強いせん断応力が作用する。この強いせん断応力が作用することによってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面端縁部の結合力が低下し、ポリイミドフィルム８２の端縁部がガラス基板８１から剥がれることとなる。

さらに、本発明では、ポリイミドフィルム８２に架橋材を添加している。ここで、フラッシュ光を照射する前の工程では、一貫して当該架橋材の架橋開始温度よりも低い温度で処理がなされており、照射工程（ステップＳ４）でフラッシュ光を照射する直前まで、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材は架橋反応が未反応の状態である。

照射工程（ステップＳ４）において、未反応の架橋材を含有するポリイミドフィルム８２にフラッシュ光を照射することにより、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材は、架橋材の架橋開始温度を上回る温度まで急速に昇温し、急速に架橋反応が生じる。これにより、上記のようなポリイミドフィルム８２自体の熱膨張に加え、ポリイミドフィルム８２に含有される架橋材の急速な架橋反応によっても、ポリイミドフィルム８２の当該界面方向と平行な方向へ伸びようとするせん断応力が作用する。よって、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に沿ったせん断応力がより強く作用し、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との接着力が確実に低下する。

また、第３実施形態においても、減圧工程（ステップＳ３）によってチャンバー１０内が減圧されており、照射工程（ステップＳ４）では大気圧未満の減圧雰囲気にてフラッシュ光照射を行っているため、加熱により界面端縁部に生じた微量のガスの気泡が膨張してガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との密着性がさらに弱まってポリイミドフィルム８２の端縁部が確実に剥がれる。

その後、剥離工程（ステップＳ７）では、フラッシュ光照射により剥がれたポリイミドフィルム８２の端縁部を把持部材によって機械的に把持し、第１実施形態と同様にしてポリイミドフィルム８２の全体をガラス基板８１から剥離する。

第３実施形態においては、被処理体８のガラス基板８１の端縁部に黒色の光吸収層８５を形成し、その被処理体８に対してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。光吸収率の高い黒色の光吸収層８５はフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層８５からの熱伝導によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部が集中的に加熱される。既述したように、塗布法によって形成されたポリイミドフィルム８２とガラス基板８１との密着性は、中央部近傍よりも端縁部において強くなる傾向が認められる。従って、第３実施形態のように、フラッシュ光照射によりガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部を集中的に加熱して結合力を低下させ、ポリイミドフィルム８２の端縁部をガラス基板８１から剥がすようにすれば、ステップＳ７の剥離工程では、被剥離層たるポリイミドフィルム８２を容易にガラス基板８１から剥離することができる。

また、第１実施形態と同様に、フラッシュ光照射によるガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との熱膨張の差異を利用して界面の結合力を低下させているため、従来のレーザー光照射によるアブレーションなどと比較してゴミの発生を少なく抑制することができる。よって、第３実施形態のようにしても、被剥離層たるポリイミドフィルム８２に与えるダメージを抑制しつつ、清浄に被剥離層の剥離を補助することができる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態に係る電子機器の製造方法は、以下の点を除く基本的な構成および製造方法は第１実施形態に係る電子機器の製造方法と同様である。すなわち、第４実施形態は、光学フィルターを用いている点において、光学フィルターを用いていない第１実施形態と相違する。

ポリイミドフィルムは一般に、短波長の光（４００〜５００ｎｍ以下）を吸収しやすく、長波長（４００〜５００ｎｍ以上）の光を透過しやすい光学特性を有する。よって、フラッシュランプからのフラッシュ光に、長波長域の光が含まれている場合に、ポリイミドフィルムをフラッシュ光が透過し、デバイスを過熱するおそれがある。ポリイミドフィルムを効率よく昇温する波長帯の光を用いるため、長波長域の光をカットする光学フィルターを用いる。これにより、光学フィルターを設けるという簡素な構成の追加で、デバイス等へのダメージを抑制できるといった効果がある。ポリイミドフィルムの光吸収スペクトルに応じて、特定の波長帯をカットする光学フィルターをガラス基板とフラッシュランプとの間に設けてもよいし、ガラス基板自体を当該光学フィルターとする構成としてもよい。図１０は、第４実施形態のフラッシュランプアニール装置１ｂの要部構成を示す図である。図１０において、第１実施形態と同一の要素については、同一の符号を付している。

図１０のフラッシュランプアニール装置１ｂでは、チャンバー１０のチャンバー窓１８とフラッシュ光源７０との間に光学フィルター７４が配設されている。第４実施形態の光学フィルター７４は、石英ガラスにバリウム（Ｂａ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、カドミウム（Ｃｄ）などの金属を溶解させて形成される板状の光学部材である。より詳細には、石英ガラスにバリウム、ヒ素、アンチモン、カドミウムからなる群より選択された少なくとも１以上の金属を溶解させて含有させる。石英ガラスに金属成分を含有させることにより、光学フィルター７４を透過する光から所定の波長域の光が反射または吸収されてカット（遮光）される。カットされる波長域は、石英ガラスに溶解させる金属の種類に依存する。本実施形態の光学フィルター７４は、波長４００ｎｍ以上の長波長側の成分をカットし、波長４００ｎｍよりも短い紫外光を透過する。

さらに、フラッシュ光を吸収することによる光学フィルター７４の加熱を防止するために、光学フィルター７４に冷却エアを吹き付ける公知の吹付機構を設けるようにしてもよい。

チャンバー１０とフラッシュ光源７０との間に光学フィルター７４を設けることによって、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光が光学フィルター７４を透過するときに、波長４００ｎｍ以上の成分がカットされる。そして、残る波長４００ｎｍ未満の紫外域の成分を有するフラッシュ光が光学フィルター７４を透過して保持プレート２０に保持された被処理体８に照射されることとなる。

図１１は、キセノンのフラッシュランプＦＬの放射分光分布を示す図である。同図に示すように、キセノンのフラッシュランプＦＬの放射分光分布は紫外域から近赤外域におよんでおり、波長４００ｎｍよりも短波長側の紫外光と長波長側の可視光および赤外光が含まれる。本実施形態においては、光学フィルター７４によって波長４００ｎｍ以上の成分をカットすることにより、波長４００ｎｍよりも短い紫外域のフラッシュ光を被処理体８に照射している。

第４実施形態においてガラス基板８１は石英ガラスにより構成され、波長４００ｎｍよりも短い紫外域のフラッシュ光を透過する。その結果、紫外域のフラッシュ光は、ガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面に、ガラス基板８１を透過して照射されることとなる。また、第４実施形態では、紫外域のフラッシュ光は被処理体８の全面に対して一括して照射される。

一般的なポリイミドフィルムは、紫外域の光に対する光吸収率が高く、紫外域よりも長波長側の可視光および赤外域の光に対する光吸収率が低い。このため、図１１のような波長を有するフラッシュ光をそのまま被処理体８にガラス基板８１側から照射すると、紫外域のフラッシュ光はポリイミドフィルム８２に吸収されるが、紫外域よりも長波長側の可視光領域および赤外域のフラッシュ光の一部は、ポリイミドフィルム８２に完全に吸収されずに透過して、ポリイミドフィルム８２に実装されたデバイス８３に達する。これにより、デバイス８３が過熱されると、デバイス８３にダメージが生じるおそれがある。

そこで、第４実施形態では光学フィルター７４をさらに設けることで、ポリイミドフィルム８２において光吸収率が低い波長域のフラッシュ光を、光学フィルター７４によりカットし、被処理体８にポリイミドフィルム８２が吸収しやすい波長域のフラッシュ光を選択的に照射する。ポリイミドフィルム８２に照射された紫外域のフラッシュ光は、ポリイミドフィルム８２に効率よく吸収され、ポリイミドフィルム８２に実装されたデバイス８３にはほとんど照射されない。よって、デバイス８３がフラッシュ光により過熱され、デバイス８３にダメージが生じるのを抑制することができる。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、ガラス基板８１上に貼り付けられたポリイミドフィルム８２にデバイス８３を実装したものを被処理体８としていたが、被処理体８はこれに限定されるものではなく、種々のバリエーションが可能である。

第１実施形態においては、ガラス基板８１の材質として、石英ガラスを用いたが、本発明の実施に関してはこれに限られず、その他の公知のガラス材料を用いてガラス基板８１を構成してもよいし、石英ガラスに各種の公知の添加物を加えたガラスを用いてもよい。

また、第１実施形態において、フラッシュランプアニール装置１は、被処理体８においてガラス基板８１を上側に向けて保持するが、本発明の実施に関してはこれに限られず、被処理体８においてガラス基板８１を下側に向けて保持してもよい。この場合、フラッシュ光源７０も被処理体８の下側に設けられ、第１実施形態と同じくガラス基板８１側からフラッシュ光が照射される構成となる。

第２実施形態においては、矩形の被処理体８の端縁部のうち、一辺のみが上方のフラッシュ光源７０に露出するようにしていたが、端縁部の二辺以上がフラッシュ光源７０に露出するように遮光板６０を設けてもよい。このようにしても、フラッシュ光照射によりガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部のみを加熱して結合力を低下させ、被剥離層たるポリイミドフィルム８２を容易にガラス基板８１から剥離することができる。

また、第２実施形態において用いた遮光板６０に代えて、フラッシュ光を完全に遮光せず、フラッシュ光の量を減少させるフィルター（ＮＤフィルターなど）を用いてもよい。遮光板６０をＮＤフィルターとすることで、被処理体８の端縁部を集中的に加熱するとともに、端縁部以外の領域もフラッシュ光によって加熱でき、剥離工程（ステップＳ７）においてより容易な剥離が可能となる。

被処理体８の端縁部の二辺以上が露出するように遮光板６０を設けた場合には、その露出した端縁部の形状に応じてフラッシュランプＦＬを配置すればよい。例えば、矩形の被処理体８の四辺全ての端縁部が露出するように遮光板６０を設けた場合には、フラッシュ光源７０に４本のフラッシュランプＦＬを四角形に配置する。すなわち、遮光板６０から露出している被処理体８の端縁部に対向する位置にフラッシュランプＦＬを配置する。

また、第２実施形態において、被処理体８の端縁部が露出するように遮光板６０を設けるとともに、第１実施形態と同様の複数本のフラッシュランプＦＬを平行に配置したフラッシュ光源７０を設けるようにしてもよい。あるいは、遮光板６０を設けることなく、被処理体８の端縁部に対向する位置のみにフラッシュランプＦＬを配置するようにしてもよい。

第３実施形態においては、矩形の被処理体８の四辺全ての端縁部に光吸収層８５を形成していたが、本発明の実施に関してはこれに限られず、端縁部の一辺以上に光吸収層８５を形成すればよい。このようにしても、光吸収層８５がフラッシュ光照射によって著しく昇温し、その光吸収層８５からの熱伝導によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部が集中的に加熱されて結合力が低下され、被剥離層たるポリイミドフィルム８２を容易にガラス基板８１から剥離することができる。

また、第３実施形態においては、ガラス基板８１の端縁部に光吸収層８５を形成するようにしていたが、これに代えて、ポリイミドフィルム８２の端縁部に黒色の光吸収層８５を形成するようにしてもよい。あるいは、ガラス基板８１およびポリイミドフィルム８２の双方の端縁部に黒色の光吸収層８５を形成するようにしてもよい。

また、第３実施形態において、光吸収層８５は黒色に限定されるものではなく、フラッシュ光の吸収率が所定値以上となる色に着色されていればよい。

また、フラッシュ光源７０に設ける複数のフラッシュランプＦＬの配置面積を被処理体８より充分に大きなものとすることによって、被処理体８の端縁部におけるフラッシュ光の照度を、端縁部以外の領域（端縁部よりも内側の領域）より大きくするようにしてもよい。すなわち、複数のフラッシュランプＦＬの配置面積が被処理体８より充分に大きければ、被処理体８の端縁部に影響を与えるフラッシュランプＦＬの本数が増えることとなり、端縁部におけるフラッシュ光の照度が相対的に増加することとなる。このようにすれば、第３実施形態と同様に、フラッシュ光照射によってガラス基板８１とポリイミドフィルム８２との界面の端縁部が集中的に加熱されることとなり、その界面の結合力を低下させて被剥離層たるポリイミドフィルム８２を容易にガラス基板８１から剥離することができる。このような被処理体８の端縁部における照度増加効果を得るためには、複数のフラッシュランプＦＬの配置面積を被処理体８の面積の１．２倍以上とする必要がある。

また、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、第２実施形態の遮光板６０から露出した被処理体８の端縁部に第３実施形態の黒色の光吸収層８５を形成するようにしてもよい。

また、上記実施形態においては、保持プレート２０に内蔵されたヒータ２１によってフラッシュ光照射前に被処理体８を加熱するようにしていたが、ヒータ２１に代えてハロゲンランプによって被処理体８を加熱するようにしてもよいし、ヒータ２１に加えてハロゲンランプによる加熱機構を設置してもよい。複数の支持ピン２２によって支持される被処理体８と保持プレート２０の上面との間隔が大きい場合にはハロゲンランプによる加熱が好ましく、樹脂層が透明である場合にはヒータ２１によって加熱するのが好ましい。また、フラッシュ光照射のみによって界面の結合力を充分に低下できる場合には、フラッシュ光照射前のヒータ２１やハロゲンランプによる加熱は必須ではない。

また、上記実施形態では、フラッシュ光源７０にキセノンのフラッシュランプＦＬを備えていたが、これに代えてクリプトンなどの他の希ガスのフラッシュランプ等の公知技術を用いた各種の光源を用いることができる。

≪実施例≫
以下、実施例を参照して本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されない。

（第１実施例）
［ポリイミドフィルムの形成］
下記表１に示すポリイミドワニスＡおよびＢを用意した。

ポリイミドワニスＢは以下に述べる方法で調製した。すなわち、３００ｍＬのセパラブルフラスコにポリイミドワニスＭＰ２０Ａ（三井化学株式会社製）１５０．０ｇを入れ、この中に室温下で架橋開始温度が２００℃の架橋材１１．８ｇを添加し、加熱・冷却せずスリーワンモーターに接続した攪拌羽根を１８０ｒｐｍで回転させて１２時間攪拌させ、架橋材を溶解させることでワニスＢを得た。なお、Ｔｇは、塗膜から得られたポリイミドフィルムにおいて動的粘弾性測定装置を用いて測定した値である。

［ガラス基板とポリイミドフィルム間の接着性の評価］
１２．５ｍｍ角のガラス基板に幅１１．０ｍｍのアプリケーターで、乾燥後の厚みが２０μｍになるように各ポリイミドワニスを塗工し、オーブンを用いてポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の架橋材の架橋開始温度未満の温度、所定の時間で加熱して乾燥し、試験片を得た。当該試験片の一部にフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）装置でフラッシュ光を照射した。照射、非照射の各試験片のピール強度をそれぞれ測定し、評価した。照射エネルギーは５〜１５Ｊ／ｃｍ^２とした。下記表２に結果を示す。

実施例１、２、および比較例１は、架橋材を添加した例である。ワニスＡに架橋材を添加することにより、表１に示すように、可塑効果によってＴｇが２００℃から１５６℃に低下する。ガラス転移温度越えの温度で、且つ架橋剤の架橋開始温度未満で乾燥している実施例１、実施例２においては、フラッシュ光を照射する前のピール強度が０．７ｋＮ／ｍ、０．６ｋＮ／ｍとなり、充分な接着強度が得られた。更に、フラッシュ光照射により、接着力を充分に低下させることができ、ガラス基板からポリイミドフィルムを良好に剥離できた。一方、ガラス転移温度越えで、且つ架橋剤の架橋開始温度以上の温度で乾燥している比較例１においては、フラッシュ光を照射する前のピール強度が０．３ｋＮ／ｍであり、実施例１、実施例２の半分以下の強度となった。このサンプルにフラッシュ光照射を実施することにより、接着力が１／３低下したが、実施例１、２の接着力低下幅に比べると小さく、接着力低下の効果は低かった。

比較例２〜４は、架橋材を添加しない例である。比較例２、３は、ガラス転移点以下で乾燥しているので、フラッシュ光を照射する前の段階でピール強度が得られず接着しなかった。一方、ガラス転移点を超える温度で乾燥している比較例４は、フラッシュ光を照射する前にピール強度が０．９ｋＮ／ｍとなり、充分な接着強度が得られた。しかしながら、フラッシュ光の照射前後において接着強度が変わらず、ポリイミドフィルムを支持体から剥離することができなかった。

本発明に係るポリイミドフィルムの製造方法および電子機器の製造方法は、基板上に被剥離層を貼り付けた種々の被処理体に適用することができる。特に、ベースフィルムにデバイスを実装でき、フレキシブル性を付与することが容易となるので、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や電子ペーパーなどに用いられるフレキシブルディスプレイ、フレキシブルデバイス、電子機器、太陽電池、燃料電池および半導体デバイスなどの電子機器に好適に利用することができる。

この出願は、２０１４年５月１２日に出願された日本出願特願２０１４−９８６４２を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１ フラッシュランプアニール装置
３ 制御部
８ 被処理体
１０ チャンバー
１１ チャンバー側壁
１２ チャンバー底部
１５ 処理空間
１８ チャンバー窓
２０ 保持プレート
２１ ヒータ
２２ 支持ピン
４０ ガス供給機構
４１ 処理ガス供給源
４２ 供給配管
４３ 供給バルブ
５０ 排気機構
５１ 排気装置
５２ 排気配管
５３ 排気バルブ
６０ 遮光板
７０ フラッシュ光源
７２ リフレクタ
７４ 光学フィルター
８１ ガラス基板
８２ ポリイミドフィルム
８３ デバイス
８５ 光吸収層

Claims (15)

1. 可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程（ａ）と、
   工程（ａ）を経て得られるポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に、前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含むポリイミドフィルムの製造方法。
2. 工程（ｂ）において、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射する請求項１に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
3. ベースフィルム上にデバイスを形成する電子機器の製造方法であって、
   前記ベースフィルムとして、ポリイミドフィルムを少なくとも有し、
   可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程（ａ）と、
   工程（ａ）により得られた前記ポリイミドフィルム上に前記デバイスを形成する工程（ｃ）と、
   工程（ｃ）を経て得られた前記ポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含む電子機器の製造方法。
4. 工程（ｃ）は、気相成長法による薄膜形成プロセスを含む、請求項３に記載の電子機器の製造方法。
5. 工程（ｂ）は、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射することを特徴とする請求項３又は４に記載の電子機器の製造方法。
6. 前記フラッシュ光は、前記支持体上に形成された前記ポリイミドフィルムの端縁部に集中的に照射することを特徴とする請求項５に記載の電子機器の製造方法。
7. 平面視上、前記ポリイミドフィルムの端縁部と対向する前記支持体上に、前記フラッシュ光を吸収する光吸収層を設けることを特徴とする請求項５又は６に記載の電子機器の製造方法。
8. 前記フラッシュ光の出射光のうち、前記ポリイミドフィルムの光吸収率が高い帯域を選択的に照射することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
9. 前記フラッシュ光の出射光は、前記ポリイミドフィルムの光吸収率が低い帯域をフィルターによってカットすることを特徴とする、請求項８に記載の電子機器の製造方法。
10. 前記ポリイミドフィルムの光吸収率が高い帯域が、紫外域であることを特徴とする請求項８又は９に記載の電子機器の製造方法。
11. 前記フィルターは、４００ｎｍ以上の波長をカットするものであることを特徴とする請求項９に記載の電子機器の製造方法。
12. 工程（ｃ）の前に、前記ポリイミドフィルムが形成された前記支持体の周囲の雰囲気を減圧する工程（ｄ）をさらに備え、
    前記フラッシュ光を照射する際に、前記ポリイミドフィルムと前記支持体の界面に存在する気泡を膨張させることを特徴とする、請求項５〜１１のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
13. 前記デバイスが、フレキシブルディスプレイ、フレキシブルデバイス、半導体デバイス、太陽電池および燃料電池からなる群から選択されるいずれか一つである請求項３〜１２のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法。
14. 可溶性ポリイミド樹脂、熱硬化性の架橋材および溶剤を含むポリイミドワニスを、支持体上に塗布し、前記可溶性ポリイミド樹脂のガラス転移点越え、熱硬化性の前記架橋材の架橋開始温度未満で乾燥して塗膜を形成する工程（ａ）と、
    工程（ａ）を経て得られるポリイミドフィルムを、前記架橋材の架橋反応を促進させた後に、前記支持体から剥離する工程（ｂ）とを含む塗膜の剥離方法。
15. 工程（ｂ）において、前記支持体側から前記ポリイミドフィルムにフラッシュ光を照射する請求項１４に記載の塗膜の剥離方法。

Images