TWI481645B - 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜 - Google Patents

聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI481645B
TWI481645B TW099111635A TW99111635A TWI481645B TW I481645 B TWI481645 B TW I481645B TW 099111635 A TW099111635 A TW 099111635A TW 99111635 A TW99111635 A TW 99111635A TW I481645 B TWI481645 B TW I481645B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polyimine
film
layer
polyimide
self
Prior art date
Application number
TW099111635A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201114806A (en
Inventor
Naoyuki Matsumoto
Hidenori Mii
Takeshi Uekido
Nobu Iizumi
Keiichi Yanagida
Eiji Masui
Toshiyuki Nishino
Takao Miyamoto
Original Assignee
Ube Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries filed Critical Ube Industries
Publication of TW201114806A publication Critical patent/TW201114806A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI481645B publication Critical patent/TWI481645B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
    • B29C55/02—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets
    • B29C55/04—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets uniaxial, e.g. oblique
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/24—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of indefinite length
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/24—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of indefinite length
    • B29C41/28—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of indefinite length by depositing flowable material on an endless belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
    • B29C55/02—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets
    • B29C55/04—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets uniaxial, e.g. oblique
    • B29C55/08—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets uniaxial, e.g. oblique transverse to the direction of feed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/105—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2079/00—Use of polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain, not provided for in groups B29K2061/00 - B29K2077/00, as moulding material
    • B29K2079/08—PI, i.e. polyimides or derivatives thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/085—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/514—Oriented
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546—Flexural strength; Flexion stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2379/00—Other polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain
    • B32B2379/08—Polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜
本發明係關於一種聚醯亞胺膜及其製造方法，該聚醯亞胺膜可設置全方向密接性優異的金屬層，可作為印刷配線板、可撓性印刷基板、TAB用貼布、COF用貼布等電子構件的材料及補強板的材料使用。
聚醯亞胺膜被作為電機‧電子零件之配線的絕緣構件、覆蓋構件使用。
專利文獻1揭示一種尺寸安定的聚醯亞胺膜，係由聯苯四羧酸類與苯二胺類聚合生成之聚合物溶液而來之以芳香族聚醯亞胺製造的膜，其特徵為該聚醯亞胺膜由約50℃至300℃為止之溫度範圍的平均線膨脹係數約為0.1×10－5 ～2.5×10－5 cm/cm‧℃，且膜的長邊方向(MD方向)與橫向(TD方向)之線膨脹係數的比值(MD/TD)約為1/5～4左右，又，由常溫昇溫至400℃為止，於400℃的溫度維持2小時前後，以在常溫時之膜尺寸變化率表示的熱尺寸安定性約0.3%以下。
專利文獻2中揭示一種聚醯亞胺膜，其特徵為膜的機械搬運方向(MD)的熱膨脹係數αMD為10～20ppm/℃，寬度方向(TD)的熱膨脹係數αTD為於3～10ppm/℃的範圍。
專利文獻3中揭示一種聚醯亞胺膜的製造方法，係控制聚醯亞胺膜之線膨脹係數，使其寬度方向的線膨脹係數較長度方向的線膨脹係數小的聚醯亞胺膜的連續製造方法，將聚醯亞胺前趨物的溶媒溶液澆鑄於支撐體上，去除該溶液中的溶媒，由支撐體玻璃做為自撐膜，將自撐膜以初始加熱溫度80～300℃往寬度方向延伸，之後以最終加熱溫度350～580℃進行加熱。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】　日本特開昭61－264028號公報
【專利文獻2】　日本特開2005－314669號公報
【專利文獻3】　日本特開2009－067042號公報
隨著配線的微細化，聚醯亞胺膜的線膨脹係數，被期待與連接配線基板的玻璃基板、環氧基板等的基板構件的線膨脹係數或安裝於配線基板之IC晶片等晶片構件的線膨脹係數近似，又，配線基板的配線方向之線膨脹係數被期待與金屬層之線膨脹係數近似。
又，就聚醯亞胺膜而言，通常設置於膜上之金屬層的配線加工等係以捲軸式(Roll-to-Roll)進行，膜的TD方向主要用於與其他基板或晶片構件等的連接。因此，MD方向與金屬的線膨脹係數近似，而TD方向與其他的基板或晶片構件的線膨脹係數近似者為吾人所期待。
在MD方向與TD方向有不同線膨脹係數的聚醯亞胺膜，一般而言，正嘗試藉由在長度方向或寬度方向延伸的方式製造。
然而，發現延伸後在MD方向與TD方向有不同線膨脹係數之聚醯亞胺膜，在密接性方面發生非等向性。尤其與藉由金屬化設置之金屬層間的密接性上有非等向性。
本發明之目的在於提供一種具有非等向性線膨脹係數、與金屬等的密接性方面方向性少之聚醯亞胺膜及其製造方法。
本發明之第一態樣係關於一種聚醯亞胺膜，其具有非等向性線膨脹係數，於聚醯亞胺層(b)的單面或雙面疊層有聚醯亞胺層(a)，其特徵為該聚醯亞胺層(a)係由包含具有下述化學式(1)之構造的二胺的單體成分而得的聚醯亞胺。
【化1】
(惟，一般式(1)中，R表示選擇自一般式(2)所示之群組中的1價的基。)
【化2】
(惟，一般式(2)中，R1 表示氫原子或甲基，R1 兩者可為相同，也可為不同。)
較佳情況為：本發明之第一態樣的聚醯亞胺膜，係
(i)於可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)的自撐膜上，塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)，接著，為使該膜具有非等向性的線膨脹係數，使該膜至少往1方向延伸或收縮，並加熱而得者，或
(ii)為了使可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)與可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)共擠製而得之自撐膜具有非等向性的線膨脹係數，而使該自撐膜至少往1方向延伸或收縮，並加熱而得者。
本發明之第二態樣係關於一種金屬疊層聚醯亞胺膜，其特徵為於上述之本發明的第一態樣的聚醯亞胺膜的聚醯亞胺層(a)的表面，直接或藉由黏接劑疊層有金屬層。
本發明之第三態樣係關於一種如上述之本發明之第一態樣之聚醯亞胺膜的製造方法，其特徵為將可得該聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)澆鑄‧乾燥於支撐體上以製造自撐膜，於可得該聚醯亞胺層(b)之自撐膜上塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)，之後，為了得到在MD方向與TD方向具有不同線膨脹係數的膜，將塗佈有聚醯亞胺前趨物溶液(a)的自撐膜至少往1方向延伸並加熱。
以下表示本發明之第一態樣之聚醯亞胺膜或本發明之第三態樣之聚醯亞胺膜的製造方法之較佳態樣。此等態樣可任意地多數組合。
1)聚醯亞胺層(a)係更包含酸成分，其係由酸成分之單體成分而來的聚醯亞胺，其中，該單體成分所含100莫耳%之酸成分中，50~100莫耳%選擇自苯均四酸二酐及3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐中至少1種。
2)聚醯亞胺膜係
(i)於可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)的自撐膜上，塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)，接著，為使該膜具有非等向性的線膨脹係數，使該膜至少往1方向延伸或收縮，並加熱而得者；或
(ii)　為了使可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)與可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)共擠製而得之自撐膜具有非等向性的線膨脹係數，而使該自撐膜往至少1方向延伸或收縮，並加熱而得者。
3)聚醯亞胺層(a)，係由含二胺之單體成分而得之聚醯亞胺，其中，該單體成分所含100莫耳%之二胺成分中，具有化學式(1)之構造的二胺佔30~100莫耳%。
4)具有化學式(1)之構造的二胺係二胺基二苯基醚。
5)聚醯亞胺膜，MD方向的線膨脹係數(LMD )與TD方向的線膨脹係數(LTD )之間為∣(LMD －LTD )∣＞5ppm的關係。
6)聚醯亞胺層(a)的厚度為0.05～2μm。
7)聚醯亞胺膜係於聚醯亞胺層(a)的表面，直接或藉由黏接劑層將金屬層進行疊層而使用。
本發明之聚醯亞胺膜係在表面密接性方面非等向性低，且具有非等向性線膨脹係數的聚醯亞胺膜。
根據本發明，可製造於在表面密接性方面非等向性低，具有非等向性線膨脹係數的聚醯亞胺膜。
【最佳實施形態】
本發明之聚醯亞胺膜中，ND方向的線膨脹係數(LMD )與TD方向的線膨脹係數(LTD )較佳為∣(LMD －LTD )∣＞5ppm，更佳為∣(LMD －LTD )∣＞6ppm、又更佳為∣(LMD －LTD )∣＞7ppm，最佳為∣(LMD －LTD )∣＞8ppm。
尤其，使用於主要在MD方向形成金屬配線的IC基板等的情況，本發明之聚醯亞胺膜之MD方向的線膨脹係數(LMD )與TD方向的線膨脹係數(LTD )，在較佳為(LMD －LTD )＞5ppm，更佳為(LMD －LTD )＞6ppm，又更佳為(LMD －LTD )＞7ppm，最佳為(LMD －LTD )＞8ppm的情況，可得優異的效果。
在此，MD方向為澆鑄方向(流延方向、或捲取方向、或長度方向)，TD方向為寬度方向。
本發明之聚醯亞胺膜之聚醯亞胺層(a)係由酸成分與包含下述化學式(1)之二胺的二胺成分而得之聚醯亞胺。
【化3】
(惟，一般式(1)中，R表示選擇自以一般式(2)所示群組中1價的基。)
【化4】
(惟，一般式(2)中，R1 表示氫原子或甲基，R1 二者可為相同，也可為不同。)
化學式(1)之二胺可舉例如：
1)4,4’－二胺基二苯基醚、3,4’－二胺基二苯基醚、3,3’－二胺基二苯基醚等二胺基二苯基醚類；
2)1,3－雙(3－胺基苯氧基)苯、1,4－雙(3－胺基苯氧基)苯、1,3－雙(4－胺基苯氧基)苯、1,4－雙(4－胺基苯氧基)苯等的雙(胺基苯氧基)苯類；
3)4,4’－雙(4－胺基苯氧基)二苯、4,4’－雙(3－胺基苯氧基)二苯等的雙(胺基苯氧基)二苯類；
4)4,4’－雙(4－胺基苯氧基)二苯甲烷、4,4’－雙(3－胺基苯氧基)二苯甲烷等的雙(胺基苯氧基)二苯甲烷類；
5)4,4’－雙(4－胺基苯氧基)二苯丙烷、4,4’－雙(3－胺基苯氧基)二苯丙烷等的雙(胺基苯氧基)二苯丙烷類；此等可單獨使用，也可使用2種以上。
尤其就化學式(1)的二胺而言，較佳為4,4’－二胺基二苯基醚、3,4’－二胺基二苯基醚、3,3’－二胺基二苯基醚等的二胺基二苯基醚類。
聚醯亞胺層(a)，係在不損害本發明特性的範圍由含有具有化學式(1)之構造之二胺的單體成分而得之聚醯亞胺，其含量宜為二胺成分100莫耳%中，較佳為30～100莫耳%，更佳為50～100莫耳%，又更佳為70～100莫耳%，最佳為85～100莫耳%。
本發明中，聚醯亞胺(a)可使用非日本特開2005－272520號公報之申請專利範圍中記載之「耐熱性之非結晶性聚醯亞胺」的聚醯亞胺，又，可使用非日本特開2003－251773號公報之申請專利範圍中記載之「熱可塑性聚醯亞胺」的聚醯亞胺，更可使用非日本特開2005－272520號公報之申請專利範圍中所記載之「耐熱性之非結晶性聚醯亞胺」及非日本特開2003－251773號公報之申請專利範圍中記載之「熱可塑性聚醯亞胺」的聚醯亞胺。
聚醯亞胺(a)在不損害本發明之特性的範圍內，可包含具有化學式(1)之構造的二胺以外的二胺，例如：對苯二胺、間苯二胺、4,4’－二胺基二苯甲烷、鄰甲苯胺、間甲苯胺及4,4’－二胺基苯甲醯苯胺等苯核為1～2個之二胺(2個苯核間，不含伸乙基鏈等C2以上之烷基鏈)等，此等可單獨使用，也可2種以上同時使用。
聚醯亞胺(a)的酸成分，選擇自3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐及苯均四酸二酐中至少1種較佳。聚醯亞胺層(a)較佳為酸成分100莫耳%中包含50~100莫耳%選擇自苯均四酸二酐及3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐中至少1種的酸成分。
構成聚醯亞胺(a)的酸成分與二胺成分的較佳組合，例如：選擇自3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐及苯均四酸二酐中至少1種的酸成分與，選擇自對苯二胺、4,4’－二胺基二苯基醚及3,4’－二胺基二苯基醚中至少1種的二胺成分的組合。
聚醯亞胺層(b)較佳為使用可構成基底膜之具有耐熱性聚醯亞胺，該基底膜可作為印刷電路板、可撓性印刷基板、TAB用貼布等電子零件的材料、補強板等使用。
聚醯亞胺層(b)以耐熱性優異、強度優異、彈性優異者為佳，若有需要，又以抗屈曲性優異者為佳。
聚醯亞胺層(b)的聚醯亞胺，可使用至少具有1種以下特徵的聚醯亞胺。(此等特徵可進行任意的複數組合)例如：
1)單獨的聚醯亞胺膜時，玻璃轉移溫度為200℃以上，又更佳為300℃以上或玻璃轉移溫度無法確認者。
2)尤其線膨脹係數(50～200℃)(MD)為5×10－6 ～20×10－6 cm/cm/℃、
3)拉伸彈性率(MD、ASTM－D882)為300kg/mm2 以上、
4)非熱可塑性聚醯亞胺等特徵。
聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺可使用由下述(1)與(2)所得之聚醯亞胺：
(1)含有選擇自3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐、均苯四酸二酐及1,4－氫醌二苯甲酸酯－3,3’,4,4’－四羧酸二酐中至少1種成分之酸成分，且較佳為至少含有該等酸成分70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，又更佳為90莫耳%以上之酸成分，及
(2)含有選擇自對苯二胺、4,4－二胺基二苯醚、間甲苯胺及4,4’－二胺基苯甲醯苯胺中至少1種成分之二胺成分，且較佳為至少含有該等二胺成分70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，又更佳為90莫耳%以上之二胺成分。
就構成聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺的酸成分與二胺成分的組合的一示例而言，由下述(1)、(2)、(3)、(4)為主成分而得者(合計100莫耳%中50莫耳%以上)：
(1)3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐，與對苯二胺或對苯二胺，以及4,4’－二胺基二苯基醚、
(2)3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐及苯均四酸二酐，與對苯二胺或對苯二胺，以及4,4’－二胺基二苯基醚、
(3)苯均四酸二酐，與對苯二胺，及4,4’－二胺基二苯基醚、
(4)3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐與對苯二胺
因為適合作為印刷電路板、可撓性印刷基板、TAB貼布等電子構件之材料使用，具有在大的溫度範圍中機械特性優異的特點、具有長時間抗熱性、抗水解性優異、熱分解起始溫度高、加熱收縮率及線膨脹係數小、難燃性優異，故較佳。
可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺的酸成分，如上所述之酸成分以外，在不損害本發明特性的範圍下，可使用之酸二酐成分如2,3,3’,4’－聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’－二苯酮四羧酸二酐、雙(3,4－二羧基苯基)酯二酐、雙(3,4－二羧基苯基)硫醚酐、雙(3,4－二羧基苯基)磺酸二酐、雙(3,4－二羧基苯基)甲酸二酐、2,2－雙(3,4－二羧基苯基)丙烷二酐、2,2－雙(3,4－二羧基苯基)－1,1,1,3,3,3－六氟丙烷二酐、2,2－雙[(3,4－二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐等。
可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺的二胺成分，上述所示之二胺成分以外，在不損害本發明之特性的範圍內可使用之二胺成分如：間苯二胺、3,4’－二胺基二苯基醚、3,3’－二胺基二苯基硫醚、3,4’－二胺基二苯基硫醚、4,4’－二胺基二苯基硫醚、3,3’－二胺基二苯基碸、3,4’－二胺基二苯基碸、4,4,－二胺基二苯基碸、3,3’－二胺基苯甲酮(Diaminobenzophenone)、4,4’－二胺基苯甲酮、3,4’－二胺基苯甲酮、3,3’－二胺基二苯甲烷、4,4’－二胺基二苯甲烷、3,4’－二胺基二苯甲烷、2,2－雙(3－胺基苯基)丙烷、2,2－二(4－胺基苯基)丙烷等。
本發明之聚醯亞胺膜，在膜的面方向有不同的線膨脹係數，例如：為使於膜的面方向有不同的線膨脹係數，可使該膜至少往1方向延伸，或至少往1方向收縮、或延伸及收縮等而得。本發明之聚醯亞胺膜中，使膜往哪一個面方向延伸或收縮皆可，但就操作性、生產性而言，以TD方向或MD方向較佳。
本發明之聚醯亞胺膜的線膨脹係數，可根據使用用途加以適當選擇，但使用於配線構件或補強板時，宜為至少1方向的線膨脹係數(50～200℃)，較佳為MD方向或TD方向之線膨脹係數，又更佳為MD方向之線膨脹係數，為1×10－6 ～30×10－6 cm/cm/℃，更佳為5×10－6 ～25×10－6 cm/cm/℃，最佳為10×10－6 ～20×10－6 cm/cm/℃。
本發明之聚醯亞胺膜之製造方法的示例，可舉例如下述(1)與(2)等方法：
(1)包含以下步驟之方法：第一步驟，將可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)澆鑄並乾燥於支撐體而得自撐膜，並於得到之自撐膜塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺溶液(a)或聚醯亞胺前趨物溶液(a)；第二步驟，將該塗佈膜至少往1方向延伸、加熱並進行醯亞胺化，或
(2)包含以下步驟之方法：第一步驟，藉由使用壓鑄模具等，將可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺溶液(b)或聚醯亞胺前趨物溶液(b)，與可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺溶液(a)或聚醯亞胺前趨物溶液(a)藉由共擠製澆鑄並乾燥於支撐體而得自撐膜；第二步驟，將自撐膜至少往1方向進行延伸並加熱，若需要再進行醯亞胺化。
本發明中，長形的聚醯亞胺膜的情況，可將澆鑄時與支撐體接觸側往外側或內側的任一側捲取，但為使步驟簡便，將澆鑄時與支撐體接觸側往外側捲取較佳。
第一步驟中，乾燥宜為以下情況：在澆鑄爐的內部中加熱至聚醯亞胺前趨物的醯亞胺化完全不會再進行的溫度且可去除部分或大部分有機溶媒的溫度即可，更進一步加熱至膜可由支撐體剝離的溫度也可，又在第二步驟中，一邊加熱一邊開始往長度方向或寬度方向延伸而得自撐膜也可。
第一步驟中，獲得將聚醯亞胺前趨物溶液澆鑄、乾燥於支撐體上而得之自撐膜的方法可舉例如：使用設置有單層或多層之擠壓成形用壓鑄模具的製膜裝置，首先，將1種或多種的聚醯亞胺前趨物的溶媒溶液供給至前述壓鑄模具，由壓鑄模具的吐出口(鑄嘴)擠製成單層或多層的薄膜狀體至支撐體(環形帶或滾筒等)上，形成厚度大致均勻的聚醯亞胺前趨物的溶媒溶液薄膜，在澆鑄爐的內部，一邊使支撐體(環形帶或滾筒等)移動，一邊加熱至聚醯亞胺前趨物的醯亞胺化完全不會再進行的溫度，較佳為50～210℃，又更佳為60～200℃，且加熱至可將部分或大部分有機溶媒去除的溫度，徐徐地去除溶媒，進行前乾燥至形成自撐膜為止，將得到之自撐膜由支撐體剝離。
第一步驟中獲得之使用於延伸之自撐膜的溶媒含有量較佳為25～45質量%，更佳為27～43質量%，又更佳為30～41質量%，最佳為31～40質量%的範圍，自撐膜之醯亞胺化率於較佳為5～40%，更佳為5.5～35%，又更佳為6.0～30%，再更佳為10～28%，最佳為15～27%的範圍可得優異的效果，為較佳。
又，上述自撐膜之溶媒含量(加熱減量)，係指將測定對象的膜於400℃乾燥30分鐘，再將乾燥前之重量W1與乾燥後之重量W2依照以下算式求出的值。
加熱減量(質量%)={(W1－W2)/W1}×100
又，上述自撐膜之醯亞胺化率，可以用IR(ATR)測定，並利用膜與完全硬化(full cure)品之振動帶波峰面積之比例，計算醯亞胺化率。振動帶波峰，利用醯亞胺羰基之對稱伸縮振動帶或苯環骨架伸縮振動帶等。又，關於醯亞胺化率測定，尚有使用日本特開平9－316199號公報記載之卡耳費雪(Karl Fisher)水分計的方法。
將聚醯胺酸溶液等聚醯亞胺前趨物溶液鑄塗(coast coating)於不鏽鋼鏡面、帶面等的支撐體面上，並乾燥而得的膜，與支撐體接觸側定為自撐膜的B面，與支撐體相反面而與空氣接觸側定為自撐膜的A面。
第一步驟中，於聚醯亞胺層(b)的自撐膜上形成聚醯亞胺層(a)時，宜為：將自撐膜由支撐體剝離，將聚醯亞胺溶液(a)或聚醯亞胺前趨物溶液(a)以凹版塗佈法、網法、浸漬法等塗佈法，均勻地塗佈至自撐膜的單面(A面或B面)，使均勻地分佈，使聚醯亞胺層(a)的厚度成為較佳為0.1～2μm，將該塗佈膜以較佳為50～180℃，更佳為60～160℃，又更佳為70～150℃的乾燥溫度，以較佳為0.1～20分鐘，更佳為0.2～15分鐘進行乾燥而形成固化膜，接著，在較佳為100gf/mm2 以下，更佳為80gf/mm2 以下之實際上為無張力或低張力狀態下，以較佳為約80～250℃，更佳為100～230℃的乾燥溫度，進行較佳為約1～200分鐘，更佳為2～100分鐘之乾燥，以形成有機溶媒及生成水分約5～25重量%，尤其含有10～23重量%之比例的固化膜。
第一步驟中，澆鑄聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前趨物溶液的支撐體，可使用為公知材料者，然而較佳係表面為由不鏽鋼材料等金屬材料，或聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂材料構成者，例如：不鏽鋼帶面、不鏽鋼之輥、聚對苯二甲酸乙二酯的帶面等。
支撐體的表面，可均勻地形成溶液的薄膜較佳。
支撐體的表面，可為平滑也可為於表面形成凹槽或凸起，尤其以平滑較佳。
第一步驟中，由支撐體剝離之自撐膜以含有溶媒、可輕易地進行延伸者為較佳。
第一步驟中，關於在自撐膜的單面或雙面塗佈提供聚醯亞胺(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)或聚醯亞胺溶液(a)的方法，可使用公知的方法，例如：凹版塗佈法、旋塗法、絹網法、浸泡塗佈法、噴霧塗佈法、棍塗法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、壓鑄模塗佈法等公知的塗佈方法。
第二步驟中，自撐膜的延伸或收縮等的操作或加熱操作等，在部分或全部的處理中，使用針式張拉機(pin tenter)、夾(clip)式張拉機、吸盤式式張拉機等，將自撐膜之寬度方向的兩端固定後實施較佳。
本發明之聚醯亞胺膜，為獲得目標線膨脹係數或目標特性，可使用公知的方法進行延伸，延伸倍率可選自例如0.7～1.9倍，較佳為0.8～1.7倍，更佳為0.9～1.5倍，又更佳為1.01～1.12倍的範圍。
尤其，所塗佈之自撐膜或共擠製之自撐膜之延伸的延伸倍率，例如：較佳為1.01～1.12倍的範圍，更佳為1.04～1.11倍的範圍，再更佳為1.05～1.10倍的範圍，又再更佳為1.06～1.10倍的範圍，最佳為1.07～1.09倍的範圍。
延伸之一示例：膜的兩端拉持於張拉機等而使一端或兩端縮小或擴張，在連續製法時可藉由控制輥的速度或控制輥間的張力來進行，延伸宜於加熱時同時進行。
膜的延伸可於第二步驟進行，也可於第一步驟進行。
第一步驟中以澆鑄爐加熱、第二步驟的加熱中，可以溫度不同之複數區段(區域)進行加熱，可使用具有複數之溫度不同的加熱區段的澆鑄爐或加熱爐等加熱裝置等。
第二步驟中，往自撐膜之MD方向或TD方向的延伸速度，可適當地選擇能獲得目標線膨脹係數等特性之條件，宜以如下條件進行：較佳為1%/分～20%/分，又更佳為2%/分～10%/分。
自撐膜的延伸模式，將自撐膜由延伸倍率1延伸至預定之延伸倍率為止，可舉例如一次延伸的方法、逐次延伸的方法、每次些許之不定倍率延伸的方法、每次些許之定倍率延伸的方法、或將此等多數方法加以組合的方法，尤其以每次些許之定倍率的延伸方法較佳。
第二步驟之自撐膜之延伸的加熱時間，可根據所使用的裝置等進行適當地選擇，較佳為1分鐘～60分鐘。
第二步驟之自撐膜的延伸必須於自撐膜可無障礙地延伸的溫度範圍進行。
第二步驟的加熱，宜於醯亞胺化可完全或可幾乎完全進行的溫度實施，最理想為：最終加溫度熱為而言，為350℃～600℃，較佳為450～590℃，更佳為490～580℃，又更佳為500～580℃，最佳為520～580℃的範圍，加熱1分鐘～30分鐘。
上述之加熱處理可使用熱風爐、紅外線加熱爐等公知的各種加熱裝置進行。
第二步驟的加熱處理較佳為於氮、氬等惰性氣體或空氣等的加熱氣體環境下進行。
就本發明之聚醯亞胺膜而言，以350℃～600℃，較佳為450～590℃，更佳為490～580℃，又更佳為500～580℃，最佳為520～580℃進行加熱處理而得之聚醯亞胺膜，因為可作為可撓性印刷基板、TAB貼布等電子構件之材料、補強板等使用，故較佳。
本發明之聚醯亞胺膜的厚度，可根據目的適當地選擇，並不特別限定，然而厚度可定為約5～154μm，較佳為約5～150μm。
本發明之聚醯亞胺膜中，基體之聚醯亞胺層(b)及表面層之聚醯亞胺層(a)的厚度，可依據使用目的適當選擇。
聚醯亞胺層(b)的厚度較佳為5～150μm，更佳為8～120μm，又更佳為10～100μm，最佳為20～50μm的範圍。
聚醯亞胺層(a)之單面的厚度，以於膜表面的密接性為無非等向性或非等向性低的厚度時為佳，較佳為0.05～2μm，更佳為0.06～1.5μm，又更佳為0.07～1μm，最佳為0.1～0.8μm的範圍。尤其藉由使聚醯亞胺層(a)的厚度較佳為0.05～1μm，更佳為0.06～0.8μm，又更佳為0.07～0.5μm，最佳為0.08～0.2μm的範圍，可獲得耐熱性膜，於聚醯亞胺層(a)的表面形成直接金屬層的金屬疊層聚醯亞胺膜中，即使在金－金連接或金－錫連接等高溫下進行晶片安裝，仍可得不易產生金屬配線埋入聚醯亞胺層之不良現象的聚醯亞胺膜。
本發明中，除熱醯亞胺化以外，可以化學醯亞胺化或熱醯亞胺化與化學醯亞胺化並用的方法製造聚醯亞胺膜。
以得到在延伸上効果優異之溶媒含有率如上述範圍之溶媒含有率及/或如上述範圍之醯亞胺化率的自撐膜為目的，進行熱醯亞胺化較佳。
聚醯亞胺前趨物的合成，可藉由公知的方法進行，例如：藉由在有機溶媒中，使約略等莫耳的芳香族羧酸二酐等酸成分與二胺成分進行隨機聚合或嵌段聚合而達成。又，預先合成任一成分為過剩之2種類以上的聚醯亞胺前趨物，將各聚醯亞胺前趨物溶液一起添加後在反應條件下進行混合。如此而得之聚醯亞胺前趨物溶液可以此狀態或者如需要可去除或添加溶媒，並使用於自撐膜的製造。
尤其聚醯亞胺前趨物溶液(b)，只要係可於支撐體上澆鑄，可將自撐膜從支撐體剝離，之後可形成至少可往一方向延伸之自撐膜者，可適當地選擇：聚合物的種類、聚合度、濃度等，視需要而調製於溶液的各種添加劑的種類、濃度等，溶液黏度等。
聚醯亞胺溶液的製造可以公知的方法進行。
用以製造聚醯亞胺前趨物溶液或聚醯亞胺溶液的有機極性溶媒，可使用公知的聚合溶媒，例如：N－甲基－2－嘧啶酮、N,N－二甲基乙醯胺、N,N－二乙基乙醯胺、N,N－二甲基甲醯胺、N,N－二乙基甲醯胺、己基甲基磺醯胺等醯胺類、二甲亞碸、二乙亞碸等亞碸類、二甲碸、二乙碸等碸類，可將此等溶媒單獨使用，也可混合使用。
也可視需要，於聚醯亞胺前趨物溶液添加醯亞胺化觸媒、含有機磷之化合物、無機微粒或有機微粒等的微粒、脫水劑等。
也可視需要於聚醯亞胺溶液添加含有機磷之化合物、無機微粒或有機微粒等的微粒等。
作為基材使用的聚醯亞胺溶液(b)及聚醯亞胺前趨物溶液(b)，有機極性溶媒中所有單體的濃度宜為：較佳為5～40質量%，更佳為6～35質量%，又更佳為10～30質量%，使用於表層之聚醯亞胺前趨物溶液(a)及聚醯亞胺溶液(a)，有機極性溶媒中所有單體的濃度宜為1～15質量%，尤其為2～8質量%。
聚醯亞胺溶液(a)及聚醯亞胺前趨物溶液(a)，可於事先準備莫耳濃度高的聚合物溶液，將該聚合物溶液以溶媒稀釋後使用。
就聚醯亞胺前趨物之製造例之一而言，前述芳香族四羧酸二酐等酸成分與芳香族二胺成分的聚合反應為例如：藉由使個別成分在實質上為等莫耳或使任一成分(酸成分或二胺成分)為些許過剩並進行混合，反應溫度為100℃以下，較佳為0～80℃，又更佳為10～50℃，使進行反應約0.2～60小時，可得到聚醯胺酸(聚醯亞胺前趨物)溶液。
實施聚醯亞胺(b)及聚醯亞胺前趨物(b)之聚合反應時，溶液黏度可視使用目的(澆鑄、擠製等)或製造目的適當選擇，於30℃測定之旋轉黏度，宜為約100～10000 poise，較佳為400～5000 poise，又更佳為1000～3000 poise程度者。因此，前述的聚合反應最理想為實施至約為所欲使用之溶液黏度。
實施聚醯亞胺(a)及聚醯亞胺前趨物(a)之聚合反應時，溶液黏度可視使用目的(澆鑄、押出等)或製造目的適當選擇，於30℃測定之旋轉黏度，宜為約0.1～5000 poise，更佳為0.5～2000 poise，又更佳為1～2000 poise程度者。因此，前述的聚合反應最理想為實施至約為所欲使用之溶液黏度。
就醯亞胺化觸媒而言，可舉例如：取代或非取代之含氮雜環化合物、該含氮雜環化合物之N-氧化物、取代或非取代之胺基酸化合物、具有羥基之芳香族烴類化合物或芳香族雜環化合物，尤其，可適當使用1,2-二甲咪唑、N-甲咪唑、N-苯甲基-2-甲咪唑、2-甲咪唑、2-乙-4-甲咪唑、5-甲苯并咪唑等之低級烷基咪唑，以及N-苯甲基-2-甲咪唑等之苯并咪唑、異喹啉、3,5-二甲吡啶、3,4-二甲吡啶、2,5-二甲吡啶、2,4-二甲吡啶、4-n-丙吡啶等之取代吡啶等。醯亞胺化觸媒的使用量，相對於聚醯胺酸之醯胺酸單位係為0.01-2倍當量，較佳係0.02-1倍當量左右。藉由使用醯亞胺化觸媒，所得到之聚醯亞胺膜的物性，尤其伸長性及抗撕裂強度將提高，故係屬較佳。
就含有機磷化合物而言，可舉例如單己醯基磷酸酯、單辛基磷酸酯、單月桂基磷酸酯、單肉豆蔻磷酸酯、單鯨蠟磷酸酯、單十八烷基磷酸酯、三乙二醇單十三醚之單磷酸酯、四乙二醇單月桂醚之單磷酸酯、二乙二醇單十八烷基醚之單磷酸酯、二己醯基磷酸酯、二辛基磷酸酯(dioctyl phosphoric acid ester)、二辛基磷酸酯(dicapyl phosphoric acid ester)、二月桂磷酸酯、二肉豆蔻磷酸酯、二鯨蠟磷酸酯、雙十八烷基磷酸酯、四乙二醇單新戊基醚之二磷酸酯、三乙二醇單十三醚之二磷酸酯、四乙二醇單月桂醚之二磷酸酯、二乙二醇單十八烷基醚之二磷酸酯等磷酸酯，或者該等磷酸酯的胺鹽。就胺而言，可舉例如氨、單甲胺、單乙胺、單丙胺、單丁胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等。
微粒，例如：有機微粒與無機微粒等。
有機微粒，例如：不溶於聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前趨物溶液之有機物微粒；聚醯亞胺微粒、醯胺微粒等高分子化合物的微粒；環氧樹脂等架橋樹脂的微粒等。
就無機微粒而言，例如：微粒狀二氧化鈦粉末、二氧化矽(silica)粉末、氧化鎂粉末、氧化鋁(alumina)粉末、氧化鋅粉末等的無機氧化物粉末，微粒狀氮化矽粉末，氮化鈦粉末等的無機氮化物粉末，碳化矽粉末等的無機碳化物粉末，以及微粒狀碳酸鈣粉末、硫酸鈣粉末、硫酸鋇粉末等的無機鹽粉末。又，該等無機微粒可組合2種以上而使用；且為使該等無機微粒均勻分散，可用其本身公知的方法。
本發明之聚醯亞胺膜，可以原狀態使用，或視需要，可將聚醯亞胺層(a)或聚醯亞胺層(b)以電暈放電處理、低溫電漿放電處理或常溫電漿放電處理、化學蝕刻處理進行表面處理後使用。
本發明之聚醯亞胺膜，黏接性良好，可得到附設有黏接劑、感光性素材、熱壓接性素材等之聚醯亞胺膜。
本發明之聚醯亞胺膜，黏接性、濺鍍性或金屬蒸鍍性良好，可藉由黏接劑而與銅箔等金屬箔黏接，或藉由以濺鍍或金屬蒸鍍等金屬化法設置銅層等金屬層，得到密接性優異且具有充分的剝離強度之銅等的金屬疊層聚醯亞胺膜。
又，藉由使用熱壓接性聚醯亞胺等熱壓接性聚合物，於以本發明得到的聚醯亞胺膜進行銅箔等金屬箔的疊層，可得到金屬箔疊層聚醯亞胺膜。金屬層的疊層可依照公知的方法進行。
藉由黏接劑貼合於聚醯亞胺膜的金屬箔，其金屬的種類或厚度可根據使用用途適當地選擇，例如：壓延銅箔、電解銅箔、銅合金箔、鋁箔、不銹鋼箔、鈦箔、鐵箔、鎳箔等，其厚度較佳為約1μm～50μm，更佳為約2～20μm。厚度約5μm以下的箔，宜作為具有載體之箔使用。
本發明之聚醯亞胺膜與其他的樹脂薄膜、銅等金屬、或IC晶片等晶片構件等，可使用黏接劑進行貼合。
就黏接劑而言，可根據用途使用公知的產品，如絕緣性及黏接可靠性優異者，或因ACF等壓著而致之導電性與黏接可靠性優異者等，例如：熱可塑性黏接劑或熱硬化性黏接劑等。
黏接劑，例如：聚醯亞胺系、聚醯胺系、聚醯亞胺聚醯系、丙烯酸系、環氧系、胺酯系等的黏接劑、及包含2種以上上述黏接劑者，尤其使用丙烯酸系、環氧系、胺基甲酸酯系、聚醯亞胺系的黏接劑較佳。
金屬化法，係與鍍金屬或金屬箔的疊層不同之金屬層設置方法，可使用真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍膜、電子束等公知的方法。
用於金屬化法之金屬，可使用銅、鎳、鉻、錳、鋁、鐵、鉬、鈷、鎢、釩、鈦、鉭等金屬，或此等之合金，或此等金屬之氧化物或金屬之碳化物等，但不特別限於此等材料。藉由金屬化法形成之金屬層厚度，可視使用目的適當選擇，在較佳為1～500nm，更佳為5nm～200nm之範圍時適合實用，為較佳。藉由金屬化法形成之金屬層之層數，可視使用目的適當選擇，可為1層、2層、3層以上之多層。
藉由金屬化法得到的金屬疊層聚醯亞胺膜，可藉由電解電鍍或無電解電鍍等公知的濕式電鍍法，於金屬層的表面，設置銅、錫等鍍金屬層。鍍銅等的鍍金屬層的膜厚範圍為1μm～40μm，因為具有實用性為較佳。
根據本發明，製造聚醯亞胺膜時即使不使用偶合劑，也可到例如90度剝離強度為0.3N/mm以上，又0.4N/mm以上，特別是0.5N/mm以上的銅疊層聚醯亞胺膜
本發明之聚醯亞胺膜可作為FPC、TAB、COF或金屬配線基材等的絕緣基板材料、金屬配線、IC晶片等的晶片構件等的覆蓋基材，液晶顯示器、有機電致發光顯示器、電子紙、太陽電池等的基底基材使用。
本發明之聚醯亞胺金屬疊層體可以蝕刻等公知的方法將膜的單面或雙面之部分金屬層去除，以製造於膜上方形成金屬配線的配線構件。
配線構件其與大部分的金屬配線或與IC晶片之連接部或其附近，因為與延伸方向形成垂直方向，而提升對熱膨脹的精準度，為較佳。
配線構件，可搭載或連接至少1個以上的IC晶片等晶片構件而加以使用。
配線構件，可疊層覆蓋其他配線之構件而使用。
IC晶片等晶片構件，可舉例如公知的晶片構件、矽晶片等半導體晶片、液晶顯示驅動用、系統用、記憶體用等各種功能的半導體晶片。
本發明之聚醯亞胺膜，除金屬層以外，可搭載電阻器、電容器等。
利用藉由本發明之製造方法製造而得之寬度方向的線膨脹係數較長度方向的線膨脹係數小的聚醯亞胺膜，而製造的聚醯亞胺金屬疊層體，較佳為使用於至少於長度方向具有金屬配線的配線構件。
利用本發明之製造方法製造之寬度方向的線膨脹係數較長度方向的線膨脹係數小的聚醯亞胺膜，形成金屬層，該金屬層被部分去除，使其主要於長度方向形成金屬配線以製造配線構件，在與IC晶片或玻璃基板的連接用時特別優良。
【實施例】
以下，藉由實施例詳細地說明本發明，但本發明不限於此等實施例。
自撐膜及聚醯亞胺膜之物性評價依照以下的方法進行。
1)自撐膜之溶媒含量測定法：將自撐膜在烘箱以400℃加熱30分鐘。原重量定為W1，加熱後的重量定為W2，根據下述式(1)算出溶媒含量。
【數1】
溶媒含量(%)=(W1-W2)/W1×100　(1)
2)自撐膜之醯亞胺化率測定方法：使用Jasco公司製之FT/IR－4100，利用ZnSe測定IR－ATR，1560.13cm－1 ～1432.85cm－1 之峰面積定為X1，1798.30cm－1 ～1747.19cm－1 之峰面積定為X2。利用自撐膜之面積比(X1/X2)與完全進行醯亞胺化之膜的面積比(X1/X2)，根據下述式(2)，算出自撐膜的醯亞胺化率。測定時，測定膜的雙面，以雙面的平均定為醯亞胺化率。(峰面積係使用組裝於機器的軟體求得。)
完全進行醯亞胺化的膜，係480℃加熱5分鐘者。又，將該膜經澆鑄的支撐體側定為A面，氣體側定為B面。
【數2】
自撐膜的醯亞胺化率(%)=(a1/a2+b1/b2))×50　(2)
惟，式(2)中，1560.13cm－1 ～1432.85cm－1 之峰面積定為X1、1798.30cm－1 ～1747.19cm－1 之峰面積定為X2、自撐膜之A面側之面積比(X1/X2)定為a1、自撐膜之B面側之面積比(X1/X2)定為b1、完全醯亞胺化之膜的A面側的面積比(X1/X2)定為a2、完全醯亞胺化之膜的B面側的面積比(X1/X2)定為b2。
3)線膨脹係數測定法(寬度方向的線膨脹係數)：使用Seiko Instruments股份有限公司製之TMA/SS6100，測定以20℃/分的速度升溫時，50℃～200℃的平均線膨脹係數。
4)剝離強度(90°剝離強度)係依照JIS‧C6471之銅箔之剝離強度中記載的方法A，於溫度23℃之空調環境下，使用寬度2～10mm之試樣片所測定。
(參考例1)
(基體之聚醯亞胺前趨物溶液的合成)
將3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐(s－BPDA)與等莫耳數之對苯二胺(PPD)於N,N－二甲基乙醯胺中，30℃聚合3小時，得到18質量%濃度之聚醯胺酸溶液。於該聚醯胺酸溶液，添加相對於聚醯胺酸100質量份為0.1質量份之單硬脂基磷酸酯三乙醇胺鹽，接著，相對於聚醯胺酸100質量份，添加0.5質量份之氧化矽填充劑(平均粒徑:0.08μm，日產化學公司製ST－ZL)，使混合均勻，得到聚醯亞胺前趨物溶液(X)。
(參考例2)
(表面塗佈用之聚醯亞胺前趨物溶液的合成)
將3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐與等莫耳數之4,4’－二胺基二苯基醚(DADE)於N,N－二甲基乙醯胺中，30℃聚合3小時，得3.0質量%濃度之聚醯胺酸溶液。於該聚醯胺酸溶液，再添加相對於聚醯胺酸100質量份為0.5質量份之氧化矽填充劑(平均粒徑：0.08μm，日產化學公司製ST－ZL)後均勻混合，得到聚醯亞胺前趨物溶液(Y)。
(實施例1)
(延伸聚醯亞胺膜之製造)
將參考例1得到之作為基底膜用塗料的聚醯亞胺前驅物溶液(X)，以使加熱乾燥後膜厚為35μm之方式，連續地流延至不銹鋼基板(支撐體)上，以140℃的熱風進行乾燥，並從支撐體予以剝離得到自撐膜。於此自撐膜接觸於支撐體之面，使用膜具塗佈機塗佈參考例2之聚醯亞胺前驅物溶液(Y)，使乾燥後的厚度成為0.5μm，於塗佈後以加熱爐加熱自撐膜時使其一邊往寬度方向延伸7%一邊以加熱爐緩慢地從200℃升溫至575℃以除去溶媒並進行醯亞胺化得到延伸聚醯亞胺膜。測定延伸聚醯亞胺膜之線膨脹係數，結果如表1所示。連續製造延伸聚醯亞胺膜。
自撐膜包含溶媒32質量%，醯亞胺化率為25%。
(以金屬化法形成金屬層)
於此延伸聚醯亞胺膜之聚醯亞胺前趨物溶液塗佈側，藉由電漿處理將聚醯亞胺膜之表面予以清潔後，藉由濺鍍法，形成膜厚5nm之鉻濃度為15重量%之鎳鉻合金屬層作為金屬層。接著，以濺鍍法形成膜厚300nm之銅層後，以電解鍍銅法形成鍍銅層使厚度為20μm，得到鍍銅疊層聚醯亞胺膜。測定鍍銅疊層聚醯亞胺膜之鍍銅層與聚醯亞胺間的密接強度(90°剝離強度)，結果如表1所示。
(比較例1)
實施例1之延伸聚醯亞胺膜的製造中，除將塗佈參考例2之聚醯亞胺前趨物溶液(Y)，改為塗佈7g/m2 量之不含聚醯亞胺前趨物之含3質量%γ─苯基胺基丙基三甲氧基矽烷的N,N－二甲基乙醯胺，除此以外，以與實施例1同樣的方式進行，以製造延伸聚醯亞胺膜。測定延伸聚醯亞胺膜的線膨脹係數，結果如表1所示。
使用所得之延伸聚醯亞胺膜，與實施例1同樣的方式進行，得到於膜表面形成鍍銅層之鍍銅疊層聚醯亞胺膜。以與實施例1同樣的方式，測定鍍銅疊層疊層聚醯亞胺膜之密接強度(90°剝離強度)，結果如表1所示。
(參考例1)
將參考例1得到之作為基底膜用塗料之聚醯亞胺前驅物溶液(X)，以使加熱乾燥後膜厚為35μm之方式，連續地流延至不銹鋼基板(支撐體)上，以140℃的熱風進行乾燥，從支撐體予以剝離得到自撐膜。於此自撐膜接觸於支撐體之面，使用模具塗佈機塗佈7g/m2 的N,N－二甲基乙醯胺，該N,N－二甲基乙醯胺不含聚醯亞胺前趨物而含3質量%的γ─苯基胺基丙基三甲氧基矽烷，將塗佈後之聚醯亞胺膜以加熱爐緩慢地由200℃升溫至575℃以除去溶媒並進行醯亞胺化，得到未延伸聚醯亞胺膜。測定未延伸聚醯亞胺膜之線膨脹係數，結果如表1所示。連續製造未延伸聚醯亞胺膜。
利用所得之未延伸聚醯亞胺膜，以與實施例1同樣的方式，得到於膜表面形成鍍銅層的鍍銅疊層聚醯亞胺膜。與實施例1同樣的方式，測定鍍銅疊層聚醯亞胺膜的密接強度(90°剝離強度)，結果如表1所示。
根據表1，參考例1之聚醯亞胺膜，MD方向之線膨脹係數(LMD )與TD方向之線膨脹係數(LTD )之間的關係為(LMD －LTD )=0ppm，實施例1及比較例1之膜，MD方向的線膨脹係數(LMD )與TD方向的線膨脹係數(LTD )之間的關係為(LMD －LTD )=10ppm。
鍍銅疊層聚醯亞胺膜中MD方向與TD方向的90°剝離強度的差異，若比較參考例1與比較例1，係以線膨脹係數差較大之比較例1為較大。同樣地，若比較實施例1與比較例1，實施例1相較於比較例1之MD方向與TD方向之90°剝離強度的差異小，密接性的非等向性降低。
又，實施例1中，即使不含表面處理劑，也可以金屬化法而形成密接性優異的金屬層。

Claims (8)

  1. 一種聚醯亞胺膜，係用於金屬化的聚醯亞胺膜，其具有非等向性的線膨脹係數，聚醯亞胺層(b)的單面或雙面疊層有聚醯亞胺層(a)，其特徵為該聚醯亞胺層(a)包含由含有50~100莫耳%之3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐之酸成分、以及含85~100莫耳%之二胺基二苯醚之二胺成分獲得之聚醯亞胺。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，係(i)於可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)的自撐膜上，塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)，接著，為使該膜具有非等向性的線膨脹係數，使該膜至少往1方向延伸或收縮，並加熱而得者；或(ii)為了使可得聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)與可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)共擠製而得之自撐膜具有非等向性的線膨脹係數，而使該自撐膜至少往1方向延伸或收縮，並加熱而得者。
  3. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，MD方向的線膨脹係數(LMD )與TD方向的線膨脹係數(LTD )之間為|(LMD -LTD )|>5ppm的關係。
  4. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺層(a)的厚度為0.05~2μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，係於聚醯亞胺層(a)的表面，利用金屬化法將金屬層進行疊層而使用。
  6. 一種金屬疊層聚醯亞胺膜，係於申請專利範圍第1項之聚醯亞胺 膜之聚醯亞胺層(a)的表面利用金屬化法而疊層有金屬層者。
  7. 一種聚醯亞胺膜的製造方法，係製造如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜的製造方法，其特徵為將可得該聚醯亞胺層(b)之聚醯亞胺前趨物溶液(b)澆鑄並乾燥於支撐體上以製造自撐膜，於可得該聚醯亞胺層(b)之自撐膜上塗佈可得聚醯亞胺層(a)之聚醯亞胺前趨物溶液(a)，之後，為了得到在MD方向與TD方向具有不同線膨脹係數的膜，將塗佈有聚醯亞胺前趨物溶液(a)的自撐膜至少往1方向延伸並加熱。
  8. 一種鍍金屬疊層聚醯亞胺膜，其特徵為：在如申請專利範圍第6項之金屬疊層聚醯亞胺膜的金屬層，利用鍍金屬法設有鍍金屬層。
TW099111635A 2009-04-14 2010-04-14 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜 TWI481645B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009098199 2009-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201114806A TW201114806A (en) 2011-05-01
TWI481645B true TWI481645B (zh) 2015-04-21

Family

ID=42982566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099111635A TWI481645B (zh) 2009-04-14 2010-04-14 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120034455A1 (zh)
JP (1) JP5621767B2 (zh)
KR (1) KR101733254B1 (zh)
CN (1) CN102458849B (zh)
TW (1) TWI481645B (zh)
WO (1) WO2010119907A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI630083B (zh) * 2014-05-12 2018-07-21 斯克林集團公司 聚醯亞胺膜的製造方法、電子機器的製造方法以及塗膜的剝離方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7128843B2 (en) * 2003-04-04 2006-10-31 Hrl Laboratories, Llc Process for fabricating monolithic membrane substrate structures with well-controlled air gaps
JP5928129B2 (ja) * 2012-04-25 2016-06-01 Jnc株式会社 インクジェットインク
CN104151822A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 昆山杉木电子科技有限公司 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN111113754B (zh) * 2019-11-22 2020-12-04 桂林电器科学研究院有限公司 一种提高聚酰胺酸薄膜边部强度的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200613506A (en) * 2004-07-27 2006-05-01 Kaneka Corp Adhesive film and utilization thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4863808A (en) * 1985-09-13 1989-09-05 Gould Inc. Copper-chromium-polyimide composite
JP2002192674A (ja) * 2000-10-20 2002-07-10 Toray Ind Inc 積層フィルム及びその製造方法
CN100562427C (zh) * 2004-07-27 2009-11-25 株式会社钟化 粘接膜及其应用
TWI279008B (en) * 2005-12-26 2007-04-11 Ind Tech Res Inst Thin film transistor, device electrode thereof and method of forming the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200613506A (en) * 2004-07-27 2006-05-01 Kaneka Corp Adhesive film and utilization thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI630083B (zh) * 2014-05-12 2018-07-21 斯克林集團公司 聚醯亞胺膜的製造方法、電子機器的製造方法以及塗膜的剝離方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102458849A (zh) 2012-05-16
US20120034455A1 (en) 2012-02-09
WO2010119907A1 (ja) 2010-10-21
KR101733254B1 (ko) 2017-05-08
KR20120029380A (ko) 2012-03-26
TW201114806A (en) 2011-05-01
JP5621767B2 (ja) 2014-11-12
CN102458849B (zh) 2015-01-21
JPWO2010119907A1 (ja) 2012-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI487730B (zh) 金屬化用聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜
JP5637325B2 (ja) ポリイミド積層体およびその製造方法
TWI437937B (zh) 銅配線聚醯亞胺膜之製造方法及銅配線聚醯亞胺膜
JP5573006B2 (ja) ポリイミドフィルムの製造法
US20100230142A1 (en) Method for manufacturing printed wiring board
US20090117374A1 (en) Polyimide film for metallizing, and metal-laminated polyimide film
US20140023847A1 (en) Polyimide film and metal laminate using same
JP2009067042A (ja) ポリイミドフィルムの製造法
WO2016013627A1 (ja) 多層ポリイミドフィルム、多層ポリイミドフィルムの製造方法、それを用いたポリイミド積層体、及びそれらに用いられる共重合ポリイミド
TWI481645B (zh) 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜
JP3938058B2 (ja) 熱融着性を有するポリイミドフィルム、それを用いた積層板およびそれらの製造法
JPWO2005027597A1 (ja) フレキシブルプリント配線板用基板及びその製造方法
JP2013199087A (ja) ポリイミドフィルム
JP5499555B2 (ja) ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法
JP2004315601A (ja) 接着性の改良されたポリイミドフィルム、その製造法および積層体
JP2001162719A (ja) 補強材を有するポリイミド片面積層体およびその製造法
JP2010125795A (ja) ポリイミドフィルム、ポリイミド積層体