TWI630083B - 聚醯亞胺膜的製造方法、電子機器的製造方法以及塗膜的剝離方法 - Google Patents

聚醯亞胺膜的製造方法、電子機器的製造方法以及塗膜的剝離方法 Download PDF

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Abstract

本發明的電子機器的製造方法是一種於基底膜上形成元件83的電子機器的製造方法，且作為基底膜至少具有聚醯亞胺膜，所述電子機器的製造方法包括：步驟(a)，將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體81上，並於超過聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜；步驟(c)，於藉由步驟(a)而得的聚醯亞胺膜82上形成元件83；以及步驟(b)，將經由步驟(c)而得的聚醯亞胺膜82於促進所述交聯材的交聯反應後自支撐體81剝離。

Description

聚醯亞胺膜的製造方法、電子機器的製造方法 以及塗膜的剝離方法
本發明是有關於一種聚醯亞胺膜的製造方法以及塗膜的剝離方法。而且，本發明是有關於一種使用所述聚醯亞胺膜的製造方法、以及塗膜的剝離方法形成的電子機器的製造方法。
近年來，液晶顯示器或有機電致發光(electroluminescence，EL)顯示器等平板顯示器的薄型化得到推進，正在開發可自由地彎折的可撓性平板顯示器等可撓性顯示器(flexible display)。於目前主流的平板顯示器中，因使用玻璃作為基板，故重量重且容易破損，但可撓性顯示器使用基底膜，因此具有非常薄而重量輕、且不易破損的優點。而且，因可賦予可撓性，故亦可實現曲面下的顯示器顯示。作為可撓性顯示器，亦正在推進電子紙的開發。
可撓性顯示器一般於作為支撐體的玻璃基板形成成為基底膜的樹脂膜，並將元件安裝(形成)於基底膜上。並且，最終 經由將基底膜自玻璃基板剝離的步驟而得以製造。於專利文獻1中提出了如下方法：於基板上依序積層第1材料層、第2材料層、被剝離層而形成積層體，於剝離前進行使第1材料層與第2材料層的密接性局部降低的處理(雷射光、加壓等)，然後藉由物理手段進行剝離，藉此於第2材料層的層內或界面進行分離。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2003-163338號公報
根據將元件安裝於基底膜上的方法，就可簡便地製造可撓性顯示器等電子機器的方面而言優異。然而，於安裝元件時需以支撐體的玻璃基板與基底膜樹脂不會剝離的方式使兩者間具有接著性。因此，為了於安裝後自玻璃基板剝離基底膜，需要進行技術上的鑽研。作為剝離方法，包括利用雷射光燒切基底膜表面的方法、利用強力撕下的方法，但有時會因雷射光的能量而元件被破壞或基底膜受損，於製品的良率方面存在課題。
於可撓性顯示器等電子機器的製造中，於市場上強烈要求一種直至形成元件之前玻璃基板與基底膜強有力地接著、於形成元件後可容易地自玻璃基板剝離基底膜的技術。再者，雖針對可撓性基板中的課題進行了敍述，但在欲於基底膜上形成元件的各種電子機器中亦存在同樣的課題。
本發明是鑒於所述背景而成，其目的在於提供一種於剝離處理前支撐體與基底膜良好地接著、於剝離處理後支撐體與基底膜可容易地剝離，且良率高的電子機器的製造方法以及塗膜的剝離方法，以及提供一種於所述基底膜的至少一層中使用的聚醯亞胺膜的製造方法。
本發明者等人反復努力研究，結果發現於以下態樣中可解決本發明的課題，從而完成了本發明。
[1]一種聚醯亞胺膜的製造方法，包括：步驟(a)，將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度(glass transition point)且未滿熱硬化性的所述交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜；以及步驟(b)，將經由步驟(a)而得的聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
[2]如[1]所述的聚醯亞胺膜的製造方法，其中於步驟(b)中，自所述支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
[3]一種電子機器的製造方法，其於基底膜上形成元件，且作為所述基底膜，至少具有聚醯亞胺膜，所述電子機器的製造方法包括：步驟(a)，將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的所述交聯材的交 聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜；步驟(c)，於藉由步驟(a)而得的聚醯亞胺膜上形成所述元件；以及步驟(b)，將經由步驟(c)而得的所述聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
[4]如[3]所述的電子機器的製造方法，其中步驟(c)包括利用氣相成長法的薄膜形成製程。
[5]如[3]所述的電子機器的製造方法，其中步驟(b)自所述支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
[6]如[5]所述的電子機器的製造方法，其中將所述閃光集中性地照射至形成於所述支撐體上的所述聚醯亞胺膜的端緣部。
[7]如[5]所述的電子機器的製造方法，其中於俯視時，在與所述聚醯亞胺膜的端緣部對向的所述支撐體上設置吸收所述閃光的光吸收層。
[8]如[5]所述的電子機器的製造方法，其選擇性地照射所述閃光的出射光中所述聚醯亞胺膜的光吸收率高的區域。
[9]如[8]所述的電子機器的製造方法，其利用濾光器截止所述閃光的出射光中的所述聚醯亞胺膜的光吸收率低的區域。
[10]如[8]所述的電子機器的製造方法，其中所述聚醯亞胺膜的光吸收率高的區域為紫外區域。
[11]如[9]所述的電子機器的製造方法，其中所述濾光器截止400nm以上的波長。
[12]如[5]所述的電子機器的製造方法，其於步驟(c)之前更具備將形成有所述聚醯亞胺膜的所述支撐體的周圍的環境減壓的步驟(d)，於照射所述閃光時，使存在於所述聚醯亞胺膜與所述支撐體的界面的氣泡膨脹。
[13]如[3]至[12]中任一項所述的電子機器的製造方法，其中所述元件為選自可撓性顯示器、可撓性元件、半導體元件、太陽電池及燃料電池所組成的組群中的至少一個。
[14]一種塗膜的剝離方法，包括：步驟(a)，將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的所述交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成聚醯亞胺膜；以及步驟(b)，將經由步驟(a)而得的所述聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
[15]如[14]所述的塗膜的剝離方法，其中於步驟(b)中，自所述支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
根據本發明，起到如下優異的效果：可提供一種於剝離處理前與支撐體良好地接著、於剝離處理後可容易地與支撐體剝離且良率高的電子機器的製造方法及塗膜的剝離方法，以及可提供一種於所述基底膜的至少一層中使用的聚醯亞胺膜的製造方法。
1、1a、1b‧‧‧閃光燈退火裝置
3‧‧‧控制部
8‧‧‧被處理體
10‧‧‧腔室
11‧‧‧腔室側壁
12‧‧‧腔室底部
15‧‧‧處理空間
18‧‧‧腔室窗
20‧‧‧保持板
21‧‧‧加熱器
22‧‧‧支撐銷
40‧‧‧供氣機構
41‧‧‧處理氣體供給源
42‧‧‧供給配管
43‧‧‧供給閥
50‧‧‧排氣機構
51‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣配管
53‧‧‧排氣閥
60‧‧‧遮光板
70‧‧‧閃光光源
72‧‧‧反射器
74‧‧‧光學濾光器
81‧‧‧玻璃基板
82‧‧‧聚醯亞胺膜
83‧‧‧元件
85‧‧‧光吸收層
AR4‧‧‧箭頭
FL‧‧‧閃光燈
圖1為表示第1實施形態的閃光燈退火裝置的主要部分構成的圖。
圖2為表示閃光燈退火裝置的處理順序的流程圖。
圖3為表示被處理體的結構的剖面圖。
圖4為表示對被處理體照射了閃光的狀態的圖。
圖5為表示自玻璃基板剝離作為被剝離層的聚醯亞胺膜的情況的一例的圖。
圖6為表示第2實施形態的閃光燈退火裝置的主要部分構成的圖。
圖7為自上方觀察遮光板而得的平面圖。
圖8為形成了光吸收層的被處理體的平面圖。
圖9為表示對第3實施形態的被處理體照射了閃光的狀態的圖。
圖10為表示第4實施形態的閃光燈退火裝置的主要部分構成的圖。
圖11為表示氙閃光燈的放射分光分佈的圖。
[聚醯亞胺膜的製造方法]
本發明的聚醯亞胺膜的製造方法至少具有以下的步驟(a)~步驟(b)。
步驟(a)是將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜的步驟。步驟(b)是將經由步驟(a)而得的所述聚醯亞胺膜於促進交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離的步驟。
步驟(a)中使用的聚醯亞胺清漆至少含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑。
可溶性聚醯亞胺樹脂通常藉由使四甲酸二酐與二胺單體縮聚並進行醯亞胺化而獲得。只要具有溶劑可溶性，則聚醯亞胺樹脂的種類並無特別限定，自使對支撐體的接合性良好的觀點而言，較佳為熱塑性聚醯亞胺樹脂。
若考慮膜化後的機械物性，則理想的是所使用的四甲酸二酐與二胺具有芳香族基。作為芳香族四甲酸二酐的例子，可列舉均苯四甲酸酐(1,2,4,5-苯四甲酸二酐)、3,3',4,4'-二苯基酮四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四甲酸二酐及3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐等。而且，作為芳香族二胺的例子，可列舉4,4'-氧二胺基苯(4,4'-二胺基二苯醚)、1,3-雙-(3-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙-(3-胺基苯氧基)聯苯、1,4-二胺基苯及1,3-二胺基苯。
藉由使用可溶性聚醯亞胺樹脂，不需要用以進行醯亞胺化的加熱步驟。即，將於溶劑中含有可溶的聚醯亞胺的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上後進行乾燥便可形成聚醯亞胺膜。因此，不 需要利用高溫使塗膜醯亞胺化的階段(step)，於後述的步驟(b)的剝離處理前加溫至未滿交聯材的交聯起始溫度的情況於製程上變得容易，能夠增加可適用的交聯材的選擇項。再者，於本發明的聚醯亞胺膜的製造方法中，亦可代替聚醯亞胺清漆而使用作為聚醯亞胺前驅物的聚醯胺酸清漆，或者於聚醯亞胺清漆中摻合聚醯胺酸，但為了將聚醯胺酸塗膜醯亞胺化，通常需要進行300℃~350℃的加熱，因此幾乎均為一般的交聯材的交聯起始溫度以上的情況。而且，亦可為了於低溫下實施醯亞胺化而添加觸媒，但有促進交聯材的硬化、或觸媒使作為聚醯亞胺膜的物性劣化之虞。因此，於本發明的製造方法中，理想的是使用溶解於溶劑中的聚醯亞胺清漆。
交聯材使用在規定的溫度下開始進行交聯反應的熱硬化性的交聯材。關於交聯材的交聯起始溫度，使用該溫度高於所使用的聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度、且低於所使用的支撐體的耐熱性溫度者。
交聯材只要為可藉由交聯反應促使支撐體與聚醯亞胺膜的剝離者即可，對化合物或添加量並無限定。交聯材的添加量例如為5質量%~25質量%，且交聯材的較佳交聯起始溫度為150℃~400℃，更佳為200℃以上、350℃以下。藉由設為200℃以上，可提高製程穩定性，從而可提高製造良率。而且，藉由設為350℃以下，可防止聚醯亞胺膜或形成於聚醯亞胺膜上的其他構件因加熱而劣化。
交聯材的種類在與本發明的主旨一致的限度內並無限定，可例示雙馬來亞醯胺化合物、雙納迪克醯亞胺化合物、末端雙乙炔化合物等。
關於溶劑，只要為製成清漆時可溶性聚醯亞胺樹脂可溶解的溶劑即可，並無特別限定。例如，即便為單獨使用時不溶解聚醯亞胺樹脂的溶劑，但若與其他溶劑併用時聚醯亞胺樹脂可溶解則亦可使用。溶劑可單獨使用或併用。
支撐體於不脫離本發明的主旨的限度內並無限定，作為較佳例，可例示玻璃基板(石英基板等)、藍寶石基板、矽基板、碳化矽基板等。於支撐體的正上方形成聚醯亞胺膜。
塗敷聚醯亞胺清漆的步驟例如可例示噴霧塗佈、刷塗、浸漬塗佈、模塗、簾幕塗佈、流塗、旋轉塗佈、網版印刷等溶液製膜法。塗佈後，藉由進行乾燥而獲得聚醯亞胺膜。膜厚可根據用途適宜設計，例如為5μm~100μm左右。塗佈後的乾燥溫度需設為超過可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿交聯材的交聯起始溫度。自製程穩定性的觀點而言，塗佈後的乾燥溫度較佳為較交聯起始溫度低20℃以上。
聚醯亞胺膜可為單層，亦可由多層形成。而且，亦可為於聚醯亞胺膜層的上層積層包含其他樹脂的層、金屬層、金屬氧化物層等而成的積層體。
步驟(b)藉由促進交聯材的交聯反應而減弱支撐體與聚醯亞胺膜的接著力。交聯材的交聯反應可藉由成為交聯材的交聯 起始溫度以上來實現。接著力變弱的聚醯亞胺膜與支撐體可藉由公知的方法容易地剝離。步驟(b)的手段於不脫離本發明的主旨的範圍內並無限定，作為促進交聯材的交聯反應的方法，較佳為自支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光的方法。閃光的照射方法並未特別限定，例如可使用閃光燈來形成。另外，於照射閃光時進行加熱亦有效。關於步驟(b)的詳細製程將於之後敍述。
[電子機器的製造方法]
接著，對使用本發明的聚醯亞胺膜的製造方法的電子機器的製造方法的實施形態的一例加以說明。
本發明的電子機器的製造方法包括於作為基底膜的聚醯亞胺膜上形成元件的步驟，且除所述步驟(a)、步驟(b)以外，亦至少具有步驟(c)。步驟(c)於步驟(b)之前進行，且為於聚醯亞胺膜上形成元件的步驟。元件的種類並無特別限定，可例示可撓性顯示器、可撓性元件、半導體元件、太陽電池及燃料電池等。
聚醯亞胺膜作為用以供元件形成的基底膜發揮功能。聚醯亞胺膜可使用僅包含藉由步驟(a)形成的聚醯亞胺膜的層，或者包含在藉由步驟(a)形成的聚醯亞胺膜上積層其他的層而成的積層膜的層。聚醯亞胺膜必需可耐受形成元件時的製程溫度的耐熱性。通常，將元件安裝於基底膜時，製程溫度大多為300℃以上，因此，所使用的聚醯亞胺樹脂較佳為耐熱性優異者。就所述觀點而言，較佳為使用自芳香族二胺與芳香族四甲酸二酐中衍生出的聚醯亞胺樹脂。
步驟(c)為藉由公知的方法將元件安裝於支撐體上所形成的聚醯亞胺膜的步驟。例如，可包括薄膜形成製程，所述薄膜形成製程使用氣相成長法或溶液塗佈法等，於基底膜上以所需的順序積層半導體層、金屬層、絕緣層等而形成元件。而且，亦可直接安裝已作成的元件。
步驟(b)可為如上所述的各種方法，此處，對藉由自玻璃基板側對聚醯亞胺膜照射閃光來進行的方法加以說明(照射步驟)。若照射閃光，則因玻璃基板與聚醯亞胺膜的光吸收率或線膨脹係數的不同，昇溫的程度或加熱所引起的伸長率會產生差異，而於玻璃基板與聚醯亞胺膜的界面產生與該界面平行的方向上的剪切應力。而且，於聚醯亞胺膜中含有未反應的交聯材，藉由照射閃光，該些交聯材迅速昇溫至高出交聯起始溫度的溫度而急遽進行交聯反應。藉由該些剪切應力，界面的接著力(結合力)降低。其結果，於閃光的照射後，聚醯亞胺膜可容易地自玻璃基板剝離。
於照射步驟後，將與玻璃基板的接著力已降低的聚醯亞胺膜自玻璃基板剝離(剝離步驟)。作為自玻璃基板剝離聚醯亞胺膜的方法，可採用各種公知技術。以下，對關於步驟(b)的更具體的實施形態的一例加以說明。
[第1實施形態]
(閃光燈退火裝置的構成)
於圖1示出第1實施形態中使用的閃光燈退火裝置的示意構 成圖。閃光燈退火裝置1是藉由對在玻璃基板上形成了聚醯亞胺膜的被處理體8照射閃光而輔助聚醯亞胺膜的剝離的裝置。作為主要要素，閃光燈退火裝置1具備收容被處理體8的腔室10、保持被處理體8的保持板20、以及對被處理體8照射閃光的閃光光源70。而且，閃光燈退火裝置1具備控制部3，所述控制部3控制設置於裝置中的各種運作機構來進行處理。再者，於圖1及以後的各圖中，為了容易理解，視需要誇大或簡化各部的尺寸或者數量來描繪。
腔室10設置於閃光光源70的下方，包括腔室側壁11及腔室底部12。腔室底部12覆蓋腔室側壁11的下部。將由腔室側壁11及腔室底部12圍成的空間定義為處理空間15。而且，於腔室10的上部開口裝設腔室窗18來將其封堵。
構成腔室10的頂部的腔室窗18為包含石英的板狀構件，且作為使自閃光光源70照射的光透過至處理空間15的石英窗發揮功能。構成腔室10的本體的腔室側壁11及腔室底部12包含例如不鏽鋼等強度與耐熱性優異的金屬材料。
為了維持處理空間15的氣密性，腔室窗18與腔室側壁11經省略圖示的O形環密封。即，於腔室窗18的下表面周緣部與腔室側壁11之間夾入O形環，以防止氣體自該些間隙流出、流入。
於腔室10的內部設置有保持板20。保持板20為金屬製(例如為鋁製)的平坦的板狀構件。於保持板20的上表面設置有 多個支撐銷22。保持板20於腔室10內利用多個支撐銷22支撐被處理體8，且將被處理體8保持為大致水平姿勢。支撐銷22亦可設為能夠藉由省略圖示的昇降驅動機構(例如氣缸等)進行昇降。
而且，保持板20中內置加熱器21。加熱器21包括鎳鉻合金線(nichrome wire)等電阻加熱線，受到來自圖示外部的供電源的供電而發熱，並對保持板20進行加熱。再者，於保持板20中，除了加熱器21以外，亦可設置水冷管等冷卻機構。
於保持板20中設置有使用熱電耦而構成的且省略圖示的溫度感測器。溫度感測器對保持板20的上表面附近的溫度進行測定，並將其測定結果傳達至控制部3。控制部3基於溫度感測器的測定結果控制加熱器21的輸出，以使保持板20成為規定的溫度。保持板20所保持的被處理體8利用保持板20的加熱器21被加熱至規定的溫度。
而且，閃光燈退火裝置1具備對腔室10內的處理空間15供給處理氣體的供氣機構40、及自處理空間15進行環境氣體的排出的排氣機構50。供氣機構40具備處理氣體供給源41、供給配管42及供給閥43。供給配管42的前端側連通至腔室10內的處理空間15而連接，基端側連接至處理氣體供給源41。於供給配管42的路徑中途設置供給閥43。藉由打開供給閥43而自處理氣體供給源41對處理空間15供給處理氣體。處理氣體供給源41可供給與被處理體8的種類或處理目的相對應的適宜的處理氣體，於第1實施形態中供給氮氣(N2)。
排氣機構50具備排氣裝置51、排氣配管52及排氣閥53。排氣配管52的前端側連通至腔室10內的處理空間15而連接，基端側連接至排氣裝置51。於排氣配管52的路徑中途設置排氣閥53。排氣裝置51例如具備乾式泵(dry pump)與節流閥(throttle valve)。藉由使排氣裝置51工作，同時打開排氣閥53，可將處理空間15的環境氣體排出至裝置外。利用該些供氣機構40及排氣機構50，可調整處理空間15的環境。而且，因處理空間15為密閉空間，故若不自供氣機構40進行處理氣體的供給而利用排氣機構50進行環境氣體排出，則可將處理空間15內的環境減壓至未滿大氣壓為止。
閃光光源70設置於腔室10的上方。閃光光源70具備多根(圖1中為了便於圖示而設為11根，但並不限定於此)閃光燈FL、以及以覆蓋所述閃光燈FL全體的上方的方式設置的反射器72。閃光光源70自閃光燈FL，經由石英的腔室窗18對腔室10內保持板20所保持的被處理體8照射閃光。
多個閃光燈FL分別為具有長條的圓筒形狀的棒狀燈，且以各個的長度方向沿水平方向彼此平行的方式排列為平面狀。於第1實施形態中，作為閃光燈FL而使用氙閃光燈。氙閃光燈FL具備棒狀的玻璃管(放電管)與觸發電極，所述棒狀的玻璃管(放電管)於其內部封入有氙氣，其兩端部配設有連接至電容器的陽極及陰極，所述觸發電極附設於所述玻璃管的外周面上。氙氣為電性絕緣體，因此即便於電容器中蓄積有電荷，於通常的狀態下 電亦不會流至玻璃管內。然而，當對觸發電極施加高電壓而將絕緣擊穿時，儲存於電容器中的電藉由兩端電極間的放電而瞬間流至玻璃管內，藉由此時的氙的原子或分子的激勵而放出光。於此種氙閃光燈FL中，預先儲存於電容器中的靜電能量轉換為例如為0.05毫秒~100毫秒的極短的光脈衝，因此與連續點燈的燈相比，具有可照射極強的光的特徵。
而且，反射器72以於多個閃光燈FL的上方覆蓋該等的全體的方式設置。反射器72的基本功能為將自多個閃光燈FL出射的閃光反射至處理空間15側。
控制部3對設置於閃光燈退火裝置1的所述各種運作機構進行控制。控制部3的硬體的構成與一般的電腦相同。即，控制部3包括進行各種演算處理的中央處理單元(central processing unit，CPU)，作為記憶基本程式的讀出專用記憶體的唯讀記憶體(read only memory，ROM)，作為記憶各種資訊的讀寫自如的記憶體的隨機存取記憶體(random access memory，RAM)，以及記憶有控制用軟體或資料等的磁碟。藉由控制部3的CPU執行規定的處理程式來進行閃光燈退火裝置1的處理。
除所述構成以外，亦於閃光燈退火裝置1中適當設置各種構成要素。例如，於腔室側壁11，以相應的形狀設置有用以搬入、搬出被處理體8的搬送開口部。而且，為了防止來自閃光燈FL的光照射所引起的過剩的溫度上昇，亦可於腔室側壁11設置水冷管。另外，於閃光燈退火裝置1中設置有測定腔室10內的氣 壓的壓力計。
(使用閃光燈退火裝置的聚醯亞胺膜的處理方法)
接著，對具有所述構成的閃光燈退火裝置1的處理順序加以說明。圖2為表示閃光燈退火裝置1的處理順序的流程圖。以下所說明的閃光燈退火裝置1的各處理步驟是藉由控制部3控制閃光燈退火裝置1的各運作機構來進行。
首先，進行將被處理體8搬入腔室10內的搬入步驟(階段S1)。被處理體8的搬入可藉由閃光燈退火裝置1外部的搬送機器人進行，亦可藉由手動進行。圖3為表示被處理體8的結構的剖面圖。第1實施形態的被處理體8是於玻璃基板81的上表面貼附聚醯亞胺膜82而構成。作為玻璃基板81的材質，例如使用石英玻璃。作為石英玻璃的玻璃基板81遍及大致全波長區域而透過自閃光燈FL射出的閃光。對於被處理體8，可根據欲照射的波長區域來選擇恰當的支撐體。聚醯亞胺膜82藉由上文所述的作為基底樹脂膜發揮功能的聚醯亞胺膜的形成方法而形成為塗膜狀。而且，於聚醯亞胺膜82的上表面藉由公知的方法安裝有元件83。
聚醯亞胺膜82的塗佈形成及元件83的安裝是利用與閃光燈退火裝置1不同的設備進行。於作為剛性基板(亦稱為載體基板、或虛設基板(dummy substrate))的玻璃基板81上貼附聚醯亞胺膜82，進而於其上安裝元件83，因此可沿用大部分現有的設備進行元件的安裝。然後，於安裝元件83後，如圖3般的被處理體8被搬入腔室10內。
接著，進行將搬入腔室10內的被處理體8經由支撐銷22而載置於保持板20並加以保持的保持步驟(階段S2)。此處，被處理體8使形成有元件83之側的面朝向下側，即，使玻璃基板81朝向上側而被保持於保持板20。而且，被處理體8利用多個支撐銷22以點接觸受到支撐，並被保持於保持板20。多個支撐銷22較佳為支撐玻璃基板81的未安裝元件83的端緣部。
保持板20藉由內置的加熱器21被加熱至預先規定的溫度。保持板20的溫度由控制部3控制。被處理體8利用多個支撐銷22近接支撐於保持板20，藉此，包含安裝有元件83的聚醯亞胺膜82的被處理體8整體受到加熱。對被處理體8進行加熱的溫度可於不對元件83造成熱損傷的範圍、即超過可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿交聯材的交聯溫度的範圍內適宜地設定。為了提高此時的加熱效率，較佳為由多個支撐銷22支撐的被處理體8的高度位置靠近保持板20的上表面。
而且，於將被處理體8搬入腔室10內且將處理空間15設為密閉空間後，進行將腔室10內減壓的減壓步驟(階段S3)。即，藉由不進行自供氣機構40的供氣而利用排氣機構50進行排氣，腔室10內的處理空間15的環境被減壓至未滿大氣壓。此時，若需要使腔室10內的氧分壓進一步降低，則亦可自供氣機構40供給氮氣而將處理空間15置換為氮環境，然後將腔室10內減壓。
於保持板20所保持的被處理體8被加熱而達到規定的溫度且腔室10內被減壓至未滿大氣壓為止後，藉由控制部3的控制 進行使閃光光源70的多個閃光燈FL同時點燈的照射步驟(階段S4)。自閃光燈FL出射的閃光(包括被反射器72反射的閃光)透過腔室窗18並朝向處理空間15中保持板20所保持的被處理體8。自閃光燈FL出射的閃光較佳為預先儲存的靜電能量轉換為極短的光脈衝的、照射時間(脈寬)為0.05毫秒以上、100毫秒以下程度的極短的強閃光(照射能量為10J/cm2以上、20J/cm2以下的程度)。然而，關於本發明的實施並不限定於此，只要為於玻璃基板與聚醯亞胺膜的界面，界面的接著力足以充分降低的條件，則並不限定於所述範圍。而且，閃光的照射次數亦可僅為一次，亦可多次照射。
作為較佳的照射光能量存在下限的理由，可列舉無法對聚醯亞胺膜中的與玻璃基板的界面充分進行昇溫的方面。因此，只要於玻璃基板與聚醯亞胺膜的界面，界面的接著力足以充分降低，則亦可採用照射光能量低於10J/cm2的照射條件。
作為較佳的照射光能量存在上限的理由，可列舉以下方面：若賦予該上限程度的能量，則於玻璃基板與聚醯亞胺膜的界面，界面的接著力足以充分降低，從而無須賦予該上限以上的能量；而且，藉由不賦予多餘的能量來抑制閃光燈的電力消耗的增加；並且，藉由不賦予多餘的能量來抑制對安裝於聚醯亞胺膜的元件的損傷等。因此，根據聚醯亞胺膜的膜厚或組成、形成基板的玻璃基板的特性等各種條件，當滿足所述方面的照射光能量高於20J/cm2時，亦可採用20J/cm2以上的照射光能量作為較佳的 條件。
作為多次照射的優點，可列舉防止安裝於聚醯亞胺膜的元件、或聚醯亞胺膜自身的過熱所引起的損傷。若長時間照射閃光，則熱會到達深部，因此有元件或膜內部過熱之虞。於本發明中，為了使閃光的能量只到達聚醯亞胺膜與玻璃基板的界面即可，較佳為縮短脈寬。然而，於能量一定的狀態下，若縮短脈寬，則所賦予的能量減少，有無法使界面的接著力充分降低之虞。因此，藉由縮短脈寬且多次照射閃光，可充分保持所賦予的能量，使界面的接著力充分降低，且抑制熱到達元件等，從而可防止元件等的損傷。
圖4為表示對被處理體8照射了閃光的狀態的圖。於腔室10內，被處理體8使玻璃基板81朝向上側而被保持於保持板20。自被處理體8的上側、即玻璃基板81之側照射自設置於腔室10的上方的閃光燈FL出射的閃光。玻璃基板81透過自閃光燈FL出射的閃光。其結果，閃光透過上側的玻璃基板81並照射至玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面。而且，於第1實施形態中，對被處理體8的整個面一體地照射閃光。
玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面吸收閃光而急遽昇溫，其後迅速降溫。此時，玻璃基板81及聚醯亞胺膜82兩者的界面附近的區域昇溫。若為照射時間為0.05毫秒以上、100毫秒以下程度的極短的閃光照射，則可選擇性地僅使玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面附近昇溫。因此，藉由閃光照射，可防止對形 成於聚醯亞胺膜82上的元件83進行必要程度以上的加熱而造成熱損傷的情況。
當藉由閃光照射，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面附近迅速昇溫時，玻璃基板81及聚醯亞胺膜82各自的界面附近區域昇溫而進行熱膨脹。此時，因玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的線膨脹係數不同，故即便昇溫至相同的溫度，膨脹的程度亦不同。雖然亦依存於玻璃基板81及聚醯亞胺膜82的種類，但一般為聚醯亞胺膜82的線膨脹係數顯著大於玻璃基板81的線膨脹係數(數倍程度以上)。
而且，藉由閃光照射直接受到加熱的是界面附近的聚醯亞胺膜82(玻璃基板81透過閃光)，玻璃基板81是藉由來自昇溫後的聚醯亞胺膜82的熱傳導受到加熱。因此，關於閃光照射時的終點溫度本身，通常亦為聚醯亞胺膜82高於玻璃基板81。因此，當藉由閃光照射，玻璃基板81及聚醯亞胺膜82各自的界面附近區域昇溫時，聚醯亞胺膜82較玻璃基板81更大幅度地進行熱膨脹。其結果，如圖4的箭頭AR4所示，於玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面，沿與該界面平行的方向欲使聚醯亞胺膜82較玻璃基板81更大幅度地伸長的剪切應力發揮作用。藉由此種沿著玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的剪切應力發揮作用，該界面的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的接著力降低。
另外，於本發明中，對聚醯亞胺膜82添加有交聯材。直至即將於照射步驟(階段S4)中照射閃光之前，聚醯亞胺膜82 中含有的大部分交聯材為交聯反應未反應的狀態。
於照射步驟(階段S4)中，藉由對含有未反應的交聯材的聚醯亞胺膜82照射閃光而迅速昇溫至高出交聯材的交聯起始溫度的溫度為止，聚醯亞胺膜82中含有的交聯材迅速產生交聯反應。藉此，除如上所述的聚醯亞胺膜82自身的熱膨脹以外，亦藉由聚醯亞胺膜82中含有的交聯材的迅速的交聯反應，欲使聚醯亞胺膜82向與該界面方向平行的方向伸長的剪切應力發揮作用。因此，沿著玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的剪切應力更強有力地發揮作用，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的接著力確實地降低。
藉由如上所述的閃光的照射所引起的接著力降低，後述的階段S7的剝離步驟中的聚醯亞胺膜82的剝離變得極為容易。即，本發明的閃光燈退火裝置1的處理為輔助玻璃基板81上所形成的聚醯亞胺膜82的剝離的處理。
於對被處理體8的閃光照射結束後，停止排氣機構50的排氣，並且自供氣機構40對處理空間15供給氮氣，以進行將腔室10內恢復至大氣壓的氣壓恢複步驟(階段S5)。其後，進行自腔室10搬出處理後的被處理體8的搬出步驟(階段S6)。藉此，閃光燈退火裝置1的一系列的剝離輔助處理完成。
接著，於自腔室10搬出的被處理體8中，進行剝離玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的剝離步驟(階段S7)。圖5為表示自玻璃基板81剝離作為被剝離層的聚醯亞胺膜82的情況的一例的 圖。將聚醯亞胺膜82的端部剝下並利用握持構件(省略圖示)機械性地握持，該握持構件如圖5中的箭頭所示般進行移動，藉此將聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
藉由照射步驟(階段S4)中的閃光的照射，剪切應力作用於玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面，因此，所述界面的接著力降低，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的密接變得脆弱。因此，於剝離步驟(階段S7)中自玻璃基板81剝離聚醯亞胺膜82時，可利用小的應力簡單地將聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
再者，亦可代替握持構件而將聚醯亞胺膜82的端部捲繞於滾筒，藉由使該滾筒旋轉而將聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。或者，亦可利用白努利吸盤(Bernoulli chuck)等公知的吸引構件，一邊吸引聚醯亞胺膜82一邊自玻璃基板81進行剝離。
於第1實施形態中，對線膨脹係數不同的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面照射閃光而加熱，並利用其等的線膨脹程度不同的情況，沿與該界面平行的方向生成剪切應力。而且，聚醯亞胺膜82中含有交聯材，藉由閃光的照射產生交聯材的迅速的交聯反應，藉此使聚醯亞胺膜82中的沿著與該界面平行的方向的剪切應力成為更強的力。
藉由該剪切應力發揮作用，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的接著力降低，其等的密接性變弱。因此，於剝離步驟(階段S7)中，可利用小的應力容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。因此，可將對聚醯亞胺膜82及安裝於該 聚醯亞胺膜82的元件83造成的物理性損傷抑制為最小限度，同時剝離聚醯亞胺膜82。
而且，於第1實施形態中，對玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的整個面一體地照射閃光，因此，可使界面整個面的接著力均一地降低而減弱密接性。若一體照射照射時間為0.05毫秒以上、100毫秒以下程度的閃光，則與現有的掃描照射雷射光的情況相比，亦可顯著縮短處理時間。
而且，於第1實施形態中，利用閃光照射引起的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的熱膨脹差異、或聚醯亞胺膜82中含有的交聯材的交聯反應引起的聚醯亞胺膜82的伸縮(彈性的變化)來使界面的接著力降低，因此，與現有的利用雷射光照射進行的剝蝕等相比，可將灰塵的產生抑制地較少。即，藉由對玻璃基板81與添加了交聯材的聚醯亞胺膜82的界面照射閃光，可抑制對作為被剝離層的聚醯亞胺膜82造成的損傷，同時均一且潔淨地輔助被剝離層的剝離。另外，藉由添加交聯材，相較於不添加交聯材的情況，於玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面生成的剪切應力增強，因此，可更確實地使該界面的接著力降低。
而且，於第1實施形態中，藉由閃光照射的剝離輔助是於未滿大氣壓的環境下進行。若對玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面照射閃光而加熱，則自該界面會產生微量的氣體。若於將貼附有作為被剝離層的聚醯亞胺膜82的玻璃基板81的周圍的環境減壓的狀態下，對界面照射閃光而使微量的氣體產生，則因周 圍為減壓狀態，故該氣體的氣泡膨脹。其結果，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的密接性進一步變弱，可更簡單地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
另外，於第1實施形態中，於閃光照射前，保持板20利用內置的加熱器21，將被處理體8加熱至不會對元件83造成熱損傷且聚醯亞胺膜82中含有的交聯材不會引起交聯反應的程度的溫度。藉此，於閃光照射時玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面受到熱能的輔助，使閃光照射前後的該界面的熱膨脹差異、或藉由閃光照射的交聯反應所引起的聚醯亞胺膜82的伸縮變化更為急遽，並生成更大的剪切應力，藉此使該界面的接著力進一步下降，從而可進一步減弱玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的密接性。
根據第1實施形態的電子機器的製造方法，與現有的利用雷射光燒切基底膜表面、或利用強力撕下的製造方法相比，不易破壞元件，可自玻璃基板容易地剝離帶有基底膜的元件且不會損傷基底膜。因此，第1實施形態的電子機器的製造方法能夠以更高的良率進行生產。
[第2實施形態]
接著，對與所述第1實施形態不同的電子機器的製造方法的一例加以說明。第2實施形態的電子機器的製造方法除以下方面外，基本構成與第1實施形態相同。即，第2實施形態的電子機器的製造方法於閃光燈退火裝置的構成、及照射方法的方面與第1實施形態不同。
作為對一部分區域的照射，例如可例示對玻璃基板與聚醯亞胺膜的界面中的端緣部進行照射的方法。玻璃基板與聚醯亞胺膜的接著力具有於端緣部增大的傾向。對端緣部集中性地照射閃光的方法於如下般的情況下有效：端緣部若不進行閃光的照射則無法容易地剝離，且端緣部以外的其他區域不進行閃光的照射而可藉由機械性的剝離方法剝離。藉由該方法，可使端緣部的接著力降低而容易地剝離端緣部，藉此可自玻璃基板容易地剝離聚醯亞胺膜。如此般，藉由設為對接著力局部性地高的區域等一部分區域集中性地照射閃光的構成，可抑制閃光的照射對元件的損傷。而且，與整個面照射的情況相比，閃光的照射區域變窄，因此具有可削減閃光燈的電力消耗的效果。
圖6為表示第2實施形態的閃光燈退火裝置1a的主要部分構成的圖。於以後的圖中，對與第1實施形態相同的要素附上相同的符號。
第2實施形態的閃光燈退火裝置1a於腔室10內具備遮光板60。圖7為自上方觀察遮光板60而得的平面圖。遮光板60為俯視時矩形的板狀構件，且利用省略圖示的支撐構件固定設置於腔室10內。遮光板60由不透過閃光燈FL的閃光的材質(例如，對閃光的耐性優異的鋁等金屬材料)形成。遮光板60於腔室10內設置於較保持板20靠上方處，從而以覆蓋保持板20所保持的被處理體8的大部分的方式設置。
第2實施形態如圖7所示，以保持板20所保持的矩形的 被處理體8的端緣部中的僅一邊暴露於上方的閃光光源70的方式設置遮光板60。此處，所謂被處理體8的端緣部是指較形成有元件83的區域靠外側的區域。即，元件83並非遍及玻璃基板81上所形成的聚醯亞胺膜82的整個面而安裝，於自聚醯亞胺膜82的端部向內側具有規定寬度的區域中並未安裝元件83。如此般，於聚醯亞胺膜82的端緣未安裝元件83而相對不必要的區域為「聚醯亞胺膜82的端緣部」，於第2實施形態中，其寬度例如為5mm~10mm的範圍。再者，將與未安裝元件83的聚醯亞胺膜82的端緣部對應的玻璃基板81的區域稱為「玻璃基板81的端緣部」，且將包含聚醯亞胺膜82及玻璃基板81的被處理體8的區域稱為「被處理體8的端緣部」。
而且，於第2實施形態中，如圖6所示，閃光光源70具備一根閃光燈FL。於閃光燈FL的上方設置有反射器72。第2實施形態的閃光燈FL設置於未由遮光板60覆蓋的被處理體8的端緣部的正上方。即，閃光燈FL僅配置在與自遮光板60暴露出的被處理體8的端緣部對向的位置。因此，對未由遮光板60覆蓋的被處理體8的端緣部集中性地照射自閃光燈FL出射的閃光。
除遮光板60及閃光光源70之外的閃光燈退火裝置1a的剩餘的構成與第1實施形態的閃光燈退火裝置1相同。而且，第2實施形態的閃光燈退火裝置1a的處理順序亦與第1實施形態大致相同(參照圖2)。
於第2實施形態中，於照射步驟(階段S4)的閃光照射 時，自閃光燈FL出射的閃光的一部分被遮光板60遮斷，對保持板20所保持的被處理體8中未由遮光板60覆蓋的端緣部選擇性地照射閃光。因此，對玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面中的端緣部選擇性地照射閃光，從而集中性地使該端緣部昇溫。因於端緣部未安裝元件83，故第2實施形態中，亦可以聚醯亞胺膜82的端緣部表面被加熱至足夠高的溫度(例如加熱至高於第1實施形態的溫度)的程度照射強閃光。
因玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的線膨脹係數不同，故若對玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部照射閃光而加熱，則因其等的熱膨脹差異而剪切應力作用於該界面。
另外，於本發明中，對聚醯亞胺膜82添加有交聯材。此處，照射閃光之前的步驟為與第1實施形態相同的步驟，因此，始終於低於該交聯材的交聯起始溫度的溫度下進行處理，從而直至即將於照射步驟(階段S4)中照射閃光之前，聚醯亞胺膜82中含有的交聯材為交聯反應未反應的狀態。
於照射步驟(階段S4)中，藉由對含有未反應的交聯材的聚醯亞胺膜82的端緣部照射閃光，聚醯亞胺膜82的端緣部中含有的交聯材迅速昇溫至高出交聯材的交聯起始溫度的溫度為止，並迅速產生交聯反應。藉此，除如上所述的聚醯亞胺膜82自身的熱膨脹以外，亦藉由聚醯亞胺膜82中含有的交聯材的迅速的交聯反應，欲使聚醯亞胺膜82向與該界面方向平行的方向伸長的剪切應力發揮作用。因此，於被處理體8的端緣部，沿著玻璃基 板81與聚醯亞胺膜82的界面的剪切應力更強有力地發揮作用，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的接著力確實地降低。因此，聚醯亞胺膜82的端緣部變得容易自玻璃基板81剝離。
而且，於第2實施形態中，亦於未滿大氣壓的減壓環境下進行閃光照射，因此，於被處理體8的端緣部中的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面，微量的氣體的氣泡因加熱而膨脹，藉此玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的密接性進一步變弱，聚醯亞胺膜82的端緣部更確實地變得容易剝離。
此處，若照射更強的閃光，除可更確實地執行聚醯亞胺膜82的剝離以外，亦具有之後的剝離步驟(階段S7)變得容易的效果。若照射更強的閃光，則更強有力的剪切應力作用於聚醯亞胺膜82的端緣部中的與玻璃基板81的界面。藉此，於閃光照射後，聚醯亞胺膜82的端緣部的一部分以上翻的方式剝離，於之後的剝離步驟(階段S7)中對聚醯亞胺膜82的機械性的握持變得容易。於第2實施形態中，以後以藉由更強的閃光的照射而聚醯亞胺膜82的端緣部為已剝離的狀態為前提加以說明。
其後，於剝離步驟(階段S7)中，利用握持構件機械性地握持藉由照射步驟(階段S4)中的閃光照射而剝離的聚醯亞胺膜82的端緣部，並與第1實施形態同樣地將聚醯亞胺膜82整體自玻璃基板81剝離。
於第2實施形態中，利用遮光板60遮斷閃光的一部分，藉此僅對被處理體8的端緣部照射閃光而僅將玻璃基板81與聚醯 亞胺膜82的界面的端緣部加熱。關於利用一般的塗佈法形成的聚醯亞胺膜82與玻璃基板81的密接性，確認到具有相較於中央部附近而於端緣部增強的傾向。因此，如第2實施形態般，若藉由閃光照射而僅將玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部加熱並使結合力降低，以將聚醯亞胺膜82的端緣部自玻璃基板81剝下，則於階段S7的剝離步驟中，可容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
而且，與第1實施形態同樣地，利用閃光照射引起的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的熱膨脹差異來使界面的結合力降低，因此，與現有的利用雷射光照射進行的剝蝕等相比，可將灰塵的產生抑制地較少。因此，如第2實施形態般，亦可抑制對作為被剝離層的聚醯亞胺膜82造成的損傷，同時潔淨地輔助被剝離層的剝離。
尤其，於第2實施形態中，僅對未安裝元件83的不必要區域即被處理體8的端緣部照射閃光而加熱，因此可確實地防止對元件83造成熱損傷。而且，因無須考慮對元件83造成的熱損傷，故可使閃光燈FL的發光強度足夠強，可藉由閃光照射確實地將聚醯亞胺膜82的端緣部自玻璃基板81剝離。
[第3實施形態]
第3實施形態的電子機器的製造方法除以下方面外，基本構成及製造方法與第1實施形態的電子機器的製造方法相同。即，第3實施形態於在玻璃基板形成光吸收層的方面與不使用光吸收 層的第1實施形態不同。
閃光燈退火裝置的構成與第1實施形態的閃光燈退火裝置1完全相同。而且，第3實施形態中的處理順序亦與第1實施形態大致相同(參照圖2)。因此，對與第1實施形態相同的處理順序省略說明。
於第3實施形態中，於將被處理體8搬入腔室10內之前，於玻璃基板81的端緣部形成黑色的光吸收層85。圖8為自玻璃基板81側觀察形成了光吸收層85的被處理體8而得的平面圖。於矩形的被處理體8的端緣部，黑色的光吸收層85形成於玻璃基板81的表面。具體而言，例如於玻璃基板81的表面端緣部塗佈黑色的塗料來形成光吸收層85即可。再者，所謂被處理體8的端緣部，與第2實施形態相同地為較安裝有元件83的區域靠外側的區域。於第3實施形態中，於矩形的被處理體8的全部四邊的端緣部形成有光吸收層85。
將此種於端緣部形成了光吸收層85的被處理體8搬入腔室10內(階段S1)，並保持於保持板20(階段S2)。被處理體8使玻璃基板81朝向上側而被保持於保持板20。因此，形成於被處理體8的端緣部的光吸收層85亦朝向上側。
於第3實施形態中，於照射步驟(階段S4)的閃光照射時，與第1實施形態同樣地對被處理體8的整個面照射閃光。圖9為表示對第3實施形態中的被處理體8照射了閃光的狀態的圖。自被處理體8的上側、即玻璃基板81之側照射自設置於腔室10 的上方的閃光燈FL出射的閃光。因光吸收層85為黑色，故遍及全波長區域吸收所接受的閃光。因此，於被處理體8的端緣部，藉由閃光照射而光吸收層85顯著昇溫，且藉由自該光吸收層85的熱傳導，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部被集中性地加熱。於較被處理體8的端緣部靠內側的區域，與第1實施形態同樣地利用透過玻璃基板81的閃光而玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面被加熱，但相較於內側區域，設置了黑色的光吸收層85的界面端緣部受到更強的加熱。
玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的線膨脹係數不同，因此，若對玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面照射閃光而加熱，則因其等的熱膨脹差異而剪切應力作用於該界面。於第3實施形態中，尤其玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部被集中性地加熱，因此，強切斷應力作用於該界面的端緣部。藉由該強切斷應力發揮作用，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面端緣部的結合力降低，從而聚醯亞胺膜82的端緣部自玻璃基板81剝落。
另外，於本發明中，對聚醯亞胺膜82添加有交聯材。此處，於照射閃光之前的步驟中，始終於低於該交聯材的交聯起始溫度的溫度下進行處理，從而直至即將於照射步驟(階段S4)中照射閃光之前，聚醯亞胺膜82中含有的交聯材為交聯反應未反應的狀態。
於照射步驟(階段S4)中，藉由對含有未反應的交聯材的聚醯亞胺膜82照射閃光，聚醯亞胺膜82中含有的交聯材迅速 昇溫至高出交聯材的交聯起始溫度的溫度為止，並迅速產生交聯反應。藉此，除如上所述的聚醯亞胺膜82自身的熱膨脹以外，亦藉由聚醯亞胺膜82中含有的交聯材的迅速的交聯反應，欲使聚醯亞胺膜82向與該界面方向平行的方向伸長的剪切應力發揮作用。因此，沿著玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的剪切應力更強有力地發揮作用，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的接著力確實地降低。
而且，於第3實施形態中，亦藉由減壓步驟(階段S3)將腔室10內減壓，從而於照射步驟(階段S4)中，於未滿大氣壓的減壓環境下進行閃光照射，因此，藉由加熱，於界面端緣部產生的微量的氣體的氣泡膨脹，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的密接性進一步變弱，聚醯亞胺膜82的端緣部更確實地剝落。
其後，於剝離步驟(階段S7)中，利用握持構件機械性地握持藉由閃光照射而剝落的聚醯亞胺膜82的端緣部，並與第1實施形態同樣地將聚醯亞胺膜82整體自玻璃基板81剝離。
於第3實施形態中，於被處理體8的玻璃基板81的端緣部形成黑色的光吸收層85，並對該被處理體8自閃光燈FL照射閃光。光吸收率高的黑色的光吸收層85藉由閃光照射而顯著昇溫，且藉由自該光吸收層85的熱傳導，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部被集中性地加熱。如所述般，關於利用塗佈法形成的聚醯亞胺膜82與玻璃基板81的密接性，確認到具有相較於中央部附近而於端緣部增強的傾向。因此，如第3實施形態 般，若藉由閃光照射而僅將玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部集中性地加熱並使結合力降低，以將聚醯亞胺膜82的端緣部自玻璃基板81剝下，則於階段S7的剝離步驟中，可容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
而且，與第1實施形態同樣地，利用閃光照射引起的玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的熱膨脹差異來使界面的結合力降低，因此，與現有的利用雷射光照射進行的剝蝕等相比，可將灰塵的產生抑制地較少。因此，如第3實施形態般，亦可抑制對作為被剝離層的聚醯亞胺膜82造成的損傷，同時潔淨地輔助被剝離層的剝離。
[第4實施形態]
接著，對本發明的第4實施形態加以說明。第4實施形態的電子機器的製造方法除以下方面外，基本構成及製造方法與第1實施形態的電子機器的製造方法相同。即，第4實施形態於使用光學濾光器的方面與不使用光學濾光器的第1實施形態不同。
聚醯亞胺膜一般具有容易吸收短波長的光(400nm~500nm以下)且容易透過長波長(400nm~500nm以上)的光的光學特性。因此，當來自閃光燈的閃光中包含長波長區域的光時，有閃光透過聚醯亞胺膜且使元件過熱之虞。因使用使聚醯亞胺膜效率良好地昇溫的波長帶的光，故使用將長波長區域的光截止的光學濾光器。藉此，藉由設置光學濾光器這一簡單的構成追加，具有可抑制對元件等的損傷的效果。可根據聚醯亞胺膜的光吸收光 譜，將對特定的波長帶進行截止的光學濾光器設置於玻璃基板與閃光燈之間，亦可設為使玻璃基板自身為該光學濾光器的構成。圖10為表示第4實施形態的閃光退火裝置1b的主要部分構成的圖。於圖10中，對與第1實施形態相同的要素附上相同的符號。
於圖10的閃光退火裝置1b中，在腔室10的腔室窗18與閃光光源70之間配設有光學濾光器74。第4實施形態的光學濾光器是使鋇(Ba)、砷(As)、銻(Sb)、鎘(Cd)等金屬熔解於石英玻璃中而形成的板狀的光學構件。更詳細而言，於石英玻璃中熔解而含有選自由鋇、砷、銻、鎘所組成的組群中的至少一種以上的金屬。藉由於石英玻璃中含有金屬成分，可將透過光學濾光器74的光中規定波長區域的光反射或吸收而截止(遮光)。所截止的波長區域依存於石英玻璃中所熔解的金屬的種類。本實施形態的光學濾光器74截止波長400nm以上的長波長側的成分，且透過較波長400nm短的紫外光。
另外，為了防止因吸收閃光引起的光學濾光器74的加熱，亦可設置對光學濾光器74吹附冷卻空氣的公知的吹附機構。
藉由在腔室10與閃光光源70之間設置光學濾光器74，當自閃光燈FL出射的閃光透過光學濾光器74時，波長400nm以上的成分被截止。並且，具有剩餘的未滿波長400nm的紫外區域的成分的閃光透過光學濾光器74而照射至保持板20所保持的被處理體8。
圖11為表示氙的閃光燈FL的放射分光分佈的圖。如該 圖所示，氙的閃光燈FL的放射分光分佈自紫外區域到達近紅外區域，包含較波長400nm為短波長側的紫外光與為長波長側的可見光及紅外光。於本實施形態中，利用光學濾光器74將波長400nm以上的成分截止，藉此對被處理體8照射較波長400nm短的紫外區域的閃光。
於第4實施形態中，玻璃基板81由石英玻璃構成，且透過比波長400nm短的紫外區域的閃光。其結果，紫外區域的閃光透過玻璃基板81而照射至玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面。而且，於第4實施形態中，對被處理體8的整個面一體地照射紫外區域的閃光。
一般的聚醯亞胺膜對紫外區域的光的光吸收率高，且對較紫外區域為長波長側的可見光及紅外區域的光的光吸收率低。因此，若直接對被處理體8自玻璃基板81側照射具有如圖11所示的波長的閃光，則紫外區域的閃光被聚醯亞胺膜82吸收，較紫外區域為長波長側的可見光區域及紅外區域的閃光的一部分未被聚醯亞胺膜82完全吸收而透過，並到達安裝於聚醯亞胺膜82的元件83。藉此，若元件83過熱，則有於元件83產生損傷之虞。
因此，於第4實施形態中進一步設置光學濾光器74，藉此，利用光學濾光器74截止在聚醯亞胺膜82中光吸收率低的波長區域的閃光，且對被處理體8選擇性地照射聚醯亞胺膜82容易吸收的波長區域的閃光。照射至聚醯亞胺膜82的紫外區域的閃光被聚醯亞胺膜82效率良好地吸收，幾乎未照射至安裝於聚醯亞胺 膜82的元件83。因此，可抑制元件83因閃光而過熱且於元件83產生損傷。
<變形例>
以上，對本發明的實施形態進行了說明，但該發明於不脫離其主旨的限度內，可於所述內容以外進行各種變更。例如，於上述各實施形態中，將在貼附於玻璃基板81上的聚醯亞胺膜82安裝元件83而成者設為被處理體8，但被處理體8並不限定於此，可進行各種變化。
於第1實施形態中，作為玻璃基板81的材質而使用了石英玻璃，但關於本發明的實施並不限定於此，亦可使用其他公知的玻璃材料構成玻璃基板81，亦可使用對石英玻璃添加了各種公知的添加物的玻璃。
而且，於第1實施形態中，閃光燈退火裝置1是使被處理體8中的玻璃基板81朝向上側而保持，但關於本發明的實施並不限定於此，亦可使被處理體8中的玻璃基板81朝向下側而保持。此時，閃光光源70亦設置於被處理體8的下側，從而成為與第1實施形態相同的自玻璃基板81側照射閃光的構成。
於第2實施形態中，使矩形的被處理體8的端緣部中僅一邊暴露至上方的閃光光源70，但亦可以端緣部的兩邊以上暴露至閃光光源70的方式設置遮光板60。如此般，藉由閃光照射僅將玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部加熱並使結合力降低，從而亦可容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板 81剝離。
而且，於第2實施形態中，亦可代替所使用的遮光板60而使用不將閃光完全遮斷而使閃光的量減少的濾光器(中性密度(neutral density，ND)濾光器等)。藉由將遮光板60設為ND濾光器，可將被處理體8的端緣部集中性地加熱，並且亦可藉由閃光將端緣部以外的區域加熱，從而於剝離步驟(階段S7)中可實現更容易的剝離。
當以被處理體8的端緣部的兩邊以上暴露出的方式設置遮光板60時，只要根據該暴露出的端緣部的形狀配置閃光燈FL即可。例如，當以矩形的被處理體8的全部四邊的端緣部暴露出的方式設置遮光板60時，於閃光光源70以四邊形配置四根閃光燈FL。即，將閃光燈FL配置於與自遮光板60暴露出的被處理體8的端緣部對向的位置。
而且，於第2實施形態中，亦可以被處理體8的端緣部暴露出的方式設置遮光板60，並設置與第1實施形態相同的將多根閃光燈FL平行配置而成的閃光光源70。或者，亦可不設置遮光板60且僅將閃光燈FL配置於與被處理體8的端緣部對向的位置。
於第3實施形態中，於矩形的被處理體8的全部四邊的端緣部形成了光吸收層85，但關於本發明的實施並不限定於此，只要於端緣部的一邊以上形成光吸收層85即可。如此般，光吸收層85藉由閃光照射而顯著昇溫，且藉由自該光吸收層85的熱傳 導，玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部被集中性地加熱而結合力降低，從而亦可容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。
而且，於第3實施形態中，於玻璃基板81的端緣部形成光吸收層85，但亦可代替此而於聚醯亞胺膜82的端緣部形成黑色的光吸收層85。或者，亦可於玻璃基板81及聚醯亞胺膜82兩者的端緣部形成黑色的光吸收層85。
而且，於第3實施形態中，光吸收層85並不限定於黑色，只要被著色為對閃光的吸收率成為規定值以上的顏色即可。
而且，亦可藉由將設置於閃光光源70的多個閃光燈FL的配置面積設為充分大於被處理體8者，而使被處理體8的端緣部的閃光的照度大於端緣部以外的區域(較端緣部靠內側的區域)。即，若使多個閃光燈FL的配置面積充分大於被處理體8，則對被處理體8的端緣部造成影響的閃光燈FL的根數增加，從而端緣部的閃光的照度相對增加。若如此，則與第3實施形態同樣地，藉由閃光照射而玻璃基板81與聚醯亞胺膜82的界面的端緣部被集中性地加熱，並使該界面的結合力降低，從而可容易地將作為被剝離層的聚醯亞胺膜82自玻璃基板81剝離。為了獲得此種被處理體8的端緣部的照度增加效果，需要將多個閃光燈FL的配置面積設為被處理體8的面積的1.2倍以上。
而且，亦可將第2實施形態與第3實施形態組合。即，亦可於自第2實施形態的遮光板60暴露出的被處理體8的端緣部 形成第3實施形態的黑色的光吸收層85。
而且，於所述實施形態中，利用保持板20中內置的加熱器21，於閃光照射前將被處理體8加熱，但亦可代替加熱器21而利用鹵素燈將被處理體8加熱，亦可除加熱器21以外亦設置利用鹵素燈的加熱機構。當由多個支撐銷22支撐的被處理體8與保持板20的上表面的間隔大時，較佳為利用鹵素燈進行加熱，當樹脂層透明時，較佳為利用加熱器21進行加熱。而且，當僅藉由閃光照射便可使界面的結合力充分降低時，並非必須進行閃光照射前的利用加熱器21或鹵素燈進行的加熱。
而且，於所述實施形態中，於閃光光源70具備氙的閃光燈FL，但亦可代替其而使用氪等其他稀有氣體的閃光燈等使用了公知技術的各種光源。
《實施例》
以下，參照實施例對本發明加以詳細說明，但本發明並不限定於該些實施例。
(第1實施例)
[聚醯亞胺膜的形成]
準備下述表1所示的聚醯亞胺清漆A及聚醯亞胺清漆B。
利用以下所述的方法製備聚醯亞胺清漆B。即，於300mL的可分離式燒瓶中加入聚醯亞胺清漆MP20A(三井化學股份有限公司製造)150.0g，於室溫下向其中添加交聯起始溫度為200℃的交聯材11.8g，不進行加熱.冷卻而使連接於三一電機(three-one motor)的攪拌翼以180rpm旋轉來進行12小時攪拌，使交聯材溶解，藉此獲得清漆B。再者，Tg為於由塗膜所得的聚醯亞胺膜中使用動態黏彈性測定裝置進行測定而得的值。
[玻璃基板與聚醯亞胺膜間的接著性的評價]
利用寬度為11.0mm的塗敷器，以乾燥後的厚度成為20μm的方式將各聚醯亞胺清漆塗敷於12.5mm見方的玻璃基板，並使用烘箱以超過聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的交聯材的交聯起始溫度的溫度加熱規定時間而進行乾燥，從而獲得試驗片。對該試驗片的一部分利用閃光燈退火(flash lamp annealing，FLA)裝置照射閃光。分別測定照射、非照射下的各試驗片的黏著強度(peel strength)並進行評價。照射能量設為5J/cm2~15J/cm2。將結果示於下述表2。
實施例1、實施例2及比較例1為添加了交聯材的例子。藉由對清漆A添加交聯材，如表1所示，因塑化效果而Tg自200℃下降至156℃。於以超過玻璃轉移溫度(glass transition temperature)的溫度、且以未滿交聯材的交聯起始溫度的條件進行乾燥的實施例1、實施例2中，照射閃光前的黏著強度為0.7kN/m、0.6kN/m，獲得了充分的接著強度。另外，可藉由閃光照射使接著力充分降低，可自玻璃基板良好地剝離聚醯亞胺膜。另一方面，於以超過玻璃轉移溫度、且為交聯材的交聯起始溫度以上的溫度進行乾燥的比較例1中，照射閃光前的黏著強度為0.3kN/m，為實施例1、實施例2的一半以下的強度。藉由對該樣品實施閃光照射，接著力降低了1/3，但與實施例1、實施例2相比，接著力降低幅度小，接著力降低的效果低。
比較例2~比較例4為不添加交聯材的例子。比較例2、比較例3於玻璃轉移溫度以下進行乾燥，因此，於照射閃光之前的階段未獲得黏著強度而未接著。另一方面，以大於玻璃轉移溫度的溫度進行乾燥的比較例4中，照射閃光前的黏著強度為0.9kN/m，獲得了充分的接著強度。然而，於閃光的照射前後，接著強度未變化，無法將聚醯亞胺膜自支撐體剝離。
[產業上之可利用性]
本發明的聚醯亞胺膜的製造方法及電子機器的製造方法可適用於將被剝離層貼附於基板上而成的各種被處理體。尤其因 可對基底膜安裝元件、容易賦予可撓性，故可較佳地用於平板顯示器(flat panel display，FPD)或電子紙等中使用的可撓性顯示器、可撓性元件、電子機器、太陽電池、燃料電池及半導體元件等電子機器中。

Claims (15)

  1. 一種聚醯亞胺膜的製造方法，包括： 步驟（a），將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的所述交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜；以及 步驟（b），將經由步驟（a）而得的聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺膜的製造方法，其中於步驟（b）中，自支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
  3. 一種電子機器的製造方法，其於基底膜上形成元件，且 作為所述基底膜，至少具有聚醯亞胺膜， 所述電子機器的製造方法包括： 步驟（a），將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的所述交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜； 步驟（c），於藉由步驟（a）而得的所述聚醯亞胺膜上形成所述元件；以及 步驟（b），將經由步驟（c）而得的所述聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電子機器的製造方法，其中步驟（c）包括利用氣相成長法的薄膜形成製程。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的電子機器的製造方法，其中步驟（b）自支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的電子機器的製造方法，其中將所述閃光集中性地照射至形成於所述支撐體上的所述聚醯亞胺膜的端緣部。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的電子機器的製造方法，其中於俯視時，在與所述聚醯亞胺膜的端緣部對向的所述支撐體上設置吸收所述閃光的光吸收層。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的電子機器的製造方法，其選擇性地照射所述閃光的出射光中所述聚醯亞胺膜的光吸收率高的區域。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電子機器的製造方法，其利用濾光器截止所述閃光的出射光中的所述聚醯亞胺膜的光吸收率低的區域。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的電子機器的製造方法，其中所述聚醯亞胺膜的光吸收率高的區域為紫外區域。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的電子機器的製造方法，其中所述濾光器截止400 nm以上的波長。
  12. 如申請專利範圍第5項所述的電子機器的製造方法，其於步驟（c）之前更具備將形成有所述聚醯亞胺膜的所述支撐體的周圍的環境減壓的步驟（d）， 於照射所述閃光時，使存在於所述聚醯亞胺膜與所述支撐體的界面的氣泡膨脹。
  13. 如申請專利範圍第3項至第12項中任一項所述的電子機器的製造方法，其中所述元件為選自可撓性顯示器、可撓性元件、半導體元件、太陽電池及燃料電池所組成的組群中的至少一個。
  14. 一種塗膜的剝離方法，包括： 步驟（a），將含有可溶性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性的交聯材及溶劑的聚醯亞胺清漆塗佈於支撐體上，並於超過所述可溶性聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度且未滿熱硬化性的所述交聯材的交聯起始溫度的條件下進行乾燥而形成塗膜；以及 步驟（b），將經由步驟（a）而得的聚醯亞胺膜於促進所述交聯材的交聯反應後自所述支撐體剝離。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的塗膜的剝離方法，其於步驟（b）中，自支撐體側對所述聚醯亞胺膜照射閃光。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7242166B2 (ja) * 2016-09-30 2023-03-20 住友化学株式会社 光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
KR102308533B1 (ko) * 2017-09-22 2021-10-07 주식회사 제우스 디스플레이부 분리방법 및 디스플레이부 분리장치
KR102382356B1 (ko) * 2017-09-22 2022-04-05 주식회사 제우스 디스플레이부의 전처리방법 및 디스플레이부용 전처리장치
CN114256091A (zh) * 2020-09-24 2022-03-29 株式会社斯库林集团 基板处理装置及隔热构件
WO2022118629A1 (ja) * 2020-12-02 2022-06-09 東洋紡株式会社 高分子の生成方法、これを用いる高分子フィルムの製造方法、及び積層体の製造方法
CN112820194A (zh) * 2021-01-05 2021-05-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN117209823B (zh) * 2023-10-12 2024-03-22 太湖聚智新材料科技有限公司 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002283369A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムの製造方法
JP2005041936A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Toray Ind Inc 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品
TWI301133B (zh) * 2001-02-27 2008-09-21 Kaneka Corp
TWI480311B (zh) * 2008-05-20 2015-04-11 Ube Industries 芳香族聚醯亞胺膜、疊層體及太陽電池
TWI481645B (zh) * 2009-04-14 2015-04-21 Ube Industries 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4284922B2 (ja) * 2002-05-13 2009-06-24 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2008177182A (ja) 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの製造方法
JP5408848B2 (ja) * 2007-07-11 2014-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法
JP5985977B2 (ja) * 2012-12-18 2016-09-06 株式会社カネカ ポリイミド樹脂溶液

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI301133B (zh) * 2001-02-27 2008-09-21 Kaneka Corp
JP2002283369A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムの製造方法
JP2005041936A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Toray Ind Inc 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品
TWI480311B (zh) * 2008-05-20 2015-04-11 Ube Industries 芳香族聚醯亞胺膜、疊層體及太陽電池
TWI481645B (zh) * 2009-04-14 2015-04-21 Ube Industries 聚醯亞胺膜及其製造方法與金屬疊層聚醯亞胺膜

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