CN113437117B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 445
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003232 aliphatic polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括基板、薄膜晶体管层、第一电极层、像素定义层、发光层、第二电极、封装结构层、遮光层和彩膜层。其中，封装结构层上设置有与像素定义层对应设置的凹槽，且使遮光层设置在凹槽内，从而可以减少遮光层与发光层的间隔距离。这样发光层的大视角的出射光会被遮光层遮挡，从而可以避免色偏现象的出现，提高显示面板的显示品质。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前，随着科学技术水平的进步，柔性有机发光半导体(Organic Light EmittingDiode，OLED)显示屏幕被应用到越来越多的消费电子领域，如手机、平板、车载中控、电子标签、智能音响等科技产品，其应用边界不断扩展，应用潜力不断被挖掘。但是，伴随着消费者对显示品质的追求不断提升，也反映和暴露出一些问题。
其中，OLED显示面板为了防止其内部元件对于环境光反射而影响显示品质，一般需要在OLED显示面板上贴有抗反射功能偏光片。但是，其一，偏光片的厚度较厚，不利于柔性OLED显示面板的弯折；其二，偏光片会对OLED显示面板的出射光造成一定的损失，降低OLED显示面板的亮度。因此，现有面板厂家开始采用彩膜基板代替偏光片，在降低环境反射光反射的同时补偿色域。但当采用彩膜基板代替偏光片时，柔性显示面板在弯折时容易产生混色，视角大时容易色偏，影响OLED显示面板的显示品质。
因此，怎么解决现有的显示面板在采用彩膜基板代替偏光片时，会出现色偏现象的技术问题是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，可以解决现有的显示面板在采用彩膜基板代替偏光片时，会出现色偏现象的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述基板上；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述薄膜晶体管层上；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一电极层上，且所述像素定义层上设置有第一开口；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极层上，且所述发光层设在所述第一开口内；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述发光层上，且所述第二电极层覆盖所述发光层和所述像素定义层；
封装结构层，所述封装结构层设置在所述第二电极层上，所述封装结构层上远离所述基板的一面上设置有多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置；
遮光层，所述遮光层设置在封装结构层上且位于所述凹槽中，所述遮光层上设置有第二开口；以及
彩膜层，所述彩膜层设置在封装结构层上且位于所述第二开口中，所述彩膜层对应于所述发光层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层设置在所述第二电极层远离所述基板的一面上，且所述凹槽设置在所述第三封装层上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽的深度大于或等于所述第三封装层的厚度的四分之一。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括缓冲层、第一平坦层和保护层；所述缓冲层设置在所述基板和所述薄膜晶体管层之间，所述第一平坦层设置在所述薄膜晶体管层和所述第一电极层之间，所述保护层设置在所述遮光层上，且覆盖所述彩膜层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二开口的深度大于所述彩膜层的厚度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括第二平坦层，所述第二平坦层设置在所述彩膜层与所述保护层之间，且所述第二平坦层与所述彩膜层对应设置，所述第二平坦层远离所述基板的一面和所述遮光层远离所述基板的一面平齐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素定义层的厚度大于所述发光层的厚度。
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、第一电极层和像素定义层，且所述像素定义层上设置有第一开口；
在所述第一电极层上形成发光层，且所述发光层设在所述第一开口内；
在所述发光层上形成第二电极层，第二电极层覆盖所述像素定义层和所述发光层；
在所述第二电极层上形成封装结构层，并在所述封装结构层远离所述基板的一面上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置；
在所述封装结构层上形成遮光层，且所述遮光层位于所述凹槽中，所述遮光层上设置有第二开口；
在所述封装结构层上形成彩膜层，且所述彩膜层位于所述第二开口中，所述彩膜层对应于所述发光层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽通过镭射工艺或刻蚀工艺形成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述第二电极层上形成封装结构层，并在所述封装结构层远离所述基板的一面上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层相对设置的具体步骤，包括：
在所述第二电极层上形成第一封装层；
在所述第一封装层上形成第二封装层；
在所述第二封装层上形成第三封装层；
在所述第三封装层上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述凹槽的深度大于或等于所述第三封装子层的厚度的四分之一。
在本申请实施例提供的显示面板及其制备方法中，封装结构层上设置有与像素定义层对应设置的凹槽，且使遮光层设置在凹槽内，从而可以减少遮光层与发光层的间隔距离。这样发光层的大视角的出射光会被遮光层遮挡，从而可以避免色偏现象的出现，提高显示面板的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的第二结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的第三结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的第四结构示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第一流程示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的子流程示意图。
图7为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第二流程示意图。
图8为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤302中显示面板的结构示意图。
图9为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤305中显示面板的第一结构示意图。
图10为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤305中显示面板的第二结构示意图。
图11为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤307中显示面板的结构示意图。
图12为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤309中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
具体的，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的显示面板的第一结构示意图，本申请实施例提供的显示面板10包括基板101、薄膜晶体管层102、第一电极层103、像素定义层104、发光层105、第二电极层106、封装结构层107、遮光层108和彩膜层109。薄膜晶体管层102设置在基板101上。第一电极层103设置在薄膜晶体管层102上。像素定义层104设置在第一电极层103上，且像素定义层104上设置有第一开口104a。发光层105设置在第一电极层103上，且发光层105设在第一开口104a内。第二电极层106设置在发光层105上，且第二电极层106覆盖发光层105和像素定义层104。封装结构层107设置在第二电极层106上，封装结构层107上远离基板101的一面上设置有多个凹槽107a，凹槽107a与像素定义层104对应设置。遮光层108设置在封装结构层107上且位于凹槽107a中，遮光层108上设置有第二开口108a。彩膜层109设置在封装结构层107上且位于第二开口108a，彩膜层109对应于发光层105设置。
其中，需要说明的，遮光层108位于凹槽107a中，因此，遮光层108与发光层105的间隔距离为凹槽107a的底面至发光层105靠近封装结构层107的一面的距离。另外，彩膜层109与发光层105的间隔距离为封装结构层107靠近发光层105的一面至发光层105靠近封装结构层107的一面的距离。因此，遮光层108与发光层105的间隔距离与彩膜层109与发光层105的间隔距离相比，少了凹槽107a的深度这一距离。因此，遮光层108和彩膜层109相比，更靠近发光层105。
在现有技术中，发光层的大视角的出射光会射入到与之相邻的发光层中，从而与相邻的发光层的出射光混合，产生混色以及色偏现象。本申请实施例的遮光层108和彩膜层109相比，更靠近发光层105。遮光层108可以遮挡发光层105的大视角的出射光，防止其射入与之相邻的发光层105中。从而可以避免混色现象和色偏现象的出现，进而提高显示面板10的显示品质。
其中，需要说明的，像素定义层104的厚度大于发光层105的厚度。发光层105是采用喷墨打印的工艺形成的。因此使像素定义层104的厚度大于发光层105的厚度，这样在形成发光层105时，发光材料都会位于像素定义层104内，不会产生溢流现象。
其中，需要说明的，像素定义层104的厚度为1微米至3微米。具体地，像素定义层104的厚度为1微米、1.2微米、1.4微米、1.8微米、2.4微米或3微米。像素定义层104的具体厚度由显示面板10的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，发光层105的厚度为0.1微米至0.9微米。具体地，发光层105的厚度为0.1微米、0.2微米、0.3微米、0.5微米、0.7微米或0.9微米。发光层105的具体厚度由显示面板10的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，发光层105包括红色发光子层、绿色发光子层和蓝色发光子层。红色发光子层、绿色发光子层和蓝色发光子层沿横向依次间隔设置。红色发光子层、发光彩膜子层和蓝色发光子层均设置在第一开口104a中。
其中，需要说明的，遮光层108的厚度为1微米至3微米。具体地，遮光层108的厚度为1微米、1.2微米、1.4微米、1.8微米、2.4微米或3微米。遮光层108的具体厚度由显示面板10的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，彩膜层109的厚度为1.5微米至3微米。具体地，彩膜层109的厚度为1.5微米、1.6微米、1.8微米、2.2微米、2.6微米或3微米。彩膜层109的具体厚度由显示面板10的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，彩膜层109包括红色彩膜子层、绿色彩膜子层和蓝色彩膜子层。红色彩膜子层、绿色彩膜子层和蓝色彩膜子层沿横向依次间隔设置。红色彩膜子层、绿色彩膜子层和蓝色彩膜子层均设置在第二开口108a中。
具体的，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的显示面板10的第二结构示意图。图2提供的显示面板10与图1提供的显示面板10的区别在于：封装结构层107包括依次层叠设置的第一封装层1071、第二封装层1072和第三封装层1073，第一封装层1071设置在第二电极层106远离基板101的一面上，且凹槽107a设置在所述第三封装层1073上。
其中，第一封装层1071为无机膜层，第一封装层1071的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅和氧化铝中的一种或多种的组合。第二封装层1072为有机膜层，第二封装层1072的材料为脂肪族聚酯、脂肪族聚氨酯、芳香族聚氨酯、环氧树脂和丙烯酸类树酯中的一种或多种的组合。第三封装层1073为无机膜层，第三封装层1073的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅和氧化铝中的一种或多种的组合。
其中，需要说明的，封装结构层107采用第一封装层1071、第二封装层1072和第三封装层1073依次层叠设置的结构。其一，位于封装结构层107两侧的第一封装层1071和第三封装层1073为无机膜层，可以有效的隔绝水氧，防止外界水氧入侵。其二，位于封装结构层107中间的第二封装层1072为有机膜层，一方面可以起到防止水氧入侵的作用，另一方面还可以缓释第一封装层1071和第三封装层1073的应力，从而可以增加显示面板10的柔性。因此，封装结构层107采用第一封装层1071、第二封装层1072和第三封装层1073依次层叠设置的结构。从而使显示面板10弯折时，封装结构层107的封装稳定性不会发生改变，依旧能够防止外界水氧入侵显示面板10，有助于提高显示面板10的良率。
其中，需要说明的，凹槽107a的深度大于或等于所述第三封装层1073的厚度的四分之一。具体的，凹槽107a的深度可以为第三封装层1073的厚度的四分之一、第三封装层1073的厚度的三分之一、第三封装层1073的厚度的二分之一或第三封装层1073的厚度的三分之二。凹槽107a的具体深度由显示面板10的工艺需求确定。
其中，需要说明的，凹槽107a的深度为10纳米至1000纳米。具体地，凹槽107a的深度为10纳米、100纳米、200纳米、400纳米、700纳米或1000纳米。凹槽107a的具体深度由显示面板10的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，在第三封装层1073开设凹槽107a，是为了降低遮光层108和发光层105的间隔距离，从而达到遮挡发光层105的大视角的出射光的作用。因此，凹槽107a需要具备一定的深度，才能够使遮光层108和发光层105的间隔距离达到要求，使遮光层108能够起到遮挡发光层105的大视角的出射光的作用。
其中，需要说明的，凹槽107a的深度越大，遮光层108和发光层105的间隔距离越小。遮光层108能够遮挡发光层105的大视角的出射光也就越多，从而可以更有效地防止混色现象和色偏现象的发生。
其中，需要说明的，第三封装层1073主要起到防止外界水氧从封装结构层107上方侵入显示面板10的作用，而第二封装层1072只能够起到轻微地防止外界水氧侵入显示面板10的作用。因此，凹槽107a不能够贯穿第三封装层1073，从而达到防止外界水氧经由凹槽107a侵入显示面板的作用。
具体的，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的显示面板10的第三结构示意图。图3提供的显示面板10与图2提供的显示面板10的区别在于：显示面板10还包括缓冲层110、第一平坦层111和保护层112；缓冲层110设置在基板101和薄膜晶体管层102之间，第一平坦层111设置在薄膜晶体管层102和第一电极层103之间，保护层112设置在遮光层108上，且覆盖彩膜层109。
其中，需要说明的，薄膜晶体管层102的表面不平整。因此，在薄膜晶体管层102上设置第一平坦层111，有助于形成第一电极层103。
具体的，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的显示面板10的第四结构示意图。图4提供的显示面板10与图3提供的显示面板10的区别在于：显示面板10还包括第二平坦层113，第二平坦层113设置在彩膜层109与保护层112之间，且第二平坦层113与彩膜层109对应设置，第二平坦层113远离基板101的一面和遮光层108远离基板101的一面平齐。
其中，需要说明的，第二开口108a的深度大于彩膜层109的厚度。从而使遮光层108远离基板101的一面高于彩膜层109远离基板101的一面。
在现有技术中，从彩膜层射出的大视角的出射光会射到与之相邻的彩膜层上方，从而与从相邻的彩膜层射出的出射光混合，产生混色以及色偏现象。本申请实施例的遮光层108远离基板101的一面高于彩膜层109远离基板101的一面。遮光层108可以遮挡从彩膜层109射出的大视角的出射光，防止其射到与之相邻的彩膜层109上方。从而可以避免混色现象和色偏现象的出现，进而提高显示面板10的显示品质。
其中，需要说明的，第二平坦层113采用透光材料构成，不影响显示面板10的显示。且第二平坦层113远离基板101的一面和遮光层108远离基板101的一面平齐，便于形成保护层112。
在本申请提供的显示面板中，封装结构层上设置有与像素定义层对应设置的凹槽，且使遮光层设置在凹槽内，从而可以减少遮光层与发光层的间隔距离。这样发光层的大视角的出射光会被遮光层遮挡，从而可以避免色偏现象的出现，提高显示面板的显示品质。
具体的，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第一流程示意图。本申请实施例提供的显示面板的制备方法包括：
步骤201、提供一基板。
步骤202、在基板上依次形成薄膜晶体管层、第一电极层和像素定义层，且像素定义层上设置有第一开口。
步骤203、在第一电极层上形成发光层，且发光层设在第一开口内。
其中，需要说明的，采用喷墨打印的工艺形成发光层。
步骤204、在发光层上形成第二电极层，第二电极层覆盖像素定义层和发光层。
步骤205、在第二电极层上形成封装结构层，并在封装结构层远离基板的一面上开设多个凹槽，凹槽与像素定义层对应设置。
步骤206、在封装结构层上形成遮光层，且遮光层位于凹槽中，遮光层上设置有第二开口。
步骤207、在封装结构层上形成彩膜层，且彩膜层位于第二开口中，彩膜层对应于发光层设置。
具体的，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的子流程示意图。步骤205具体包括：
步骤2051、在所述第二电极层上形成第一封装层。
步骤2052、在所述第一封装层上形成第二封装层。
步骤2053、在所述第二封装层上形成第三封装层。
步骤2054、在所述第三封装层上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置。
其中，需要说明的，第三封装层能够起到防止外界水氧从封装结构层上方侵入显示面板的主要作用，而第二封装层只能够起到轻微地防止外界水氧侵入显示面板的作用。因此，凹槽需要设置在第三封装层，且不能够贯穿第三封装层。从而在防止外界水氧经由凹槽侵入显示面板的前提下，达到防止显示面板出现混色现象和色偏现象的效果。
具体的，请参阅图7-图12，图7为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的第二流程示意图。图8为本申请实施例提供的步骤302中显示面板的结构示意图。图9为本申请实施例提供的步骤305中显示面板的第一结构示意图。图10为本申请实施例提供的步骤305中显示面板的第二结构示意图。图11为本申请实施例提供的步骤307中显示面板的结构示意图。图12为本申请实施例提供的步骤309中显示面板的结构示意图。显示面板10的制备方法包括：
步骤301、提供一基板101。
步骤302、在基板101上依次形成缓冲层110、薄膜晶体管层102、第一平坦层111、第一电极层103和像素定义层104，且像素定义层104上设置有第一开口104a。
步骤303、在第一电极层103上形成发光层105，且发光层105设在第一开口104a内。
步骤304、在发光层105上形成第二电极层106，第二电极层106覆盖像素定义层104和发光层105。
步骤305、在第二电极层106上形成封装结构层107，并在封装结构层107远离基板101的一面上开设多个凹槽107a，凹槽107a与像素定义层104对应设置。
如图9和图10所示，在封装结构层107远离基板101的一面上与像素定义层104对应的位置挖空，形成多个凹槽107a。
其中，需要说明的，凹槽107a可通过镭射工艺形成。镭射工艺技术成熟，校准较准。从而使形成的凹槽107a的位置与像素定义层104对应的更为准确，有助于使提高遮光层108和像素定义层104的对应精确度。从而能够更好地达到防止显示面板10出现混色现象和色偏现象的效果。
其中，需要说明的，凹槽107a通过可刻蚀工艺形成。采用刻蚀工艺形成凹槽107a，不会对设置在封装结构层107下方的膜层造成影响。有助于提高显示面板的良率。
步骤306、在封装结构层107上形成遮光层108，且遮光层108位于凹槽107a中，遮光层108上设置有第二开口108a。
步骤307、在封装结构层107上形成彩膜层109，且彩膜层109位于第二开口108a中，彩膜层109对应于发光层105设置。
步骤308、在彩膜层109上形成第二平坦层113，第二平坦层113与彩膜层109对应设置，第二平坦层113远离基板101的一面和遮光层108远离基板101的一面平齐。
步骤309、在遮光层108上形成保护层112，保护层112设置在遮光层108上，且覆盖第二平坦层113。
在本申请提供的显示面板的制备方法中，封装结构层上设置有与像素定义层对应设置的凹槽，且使遮光层设置在凹槽内，从而可以减少遮光层与发光层的间隔距离。这样发光层的大视角的出射光会被遮光层遮挡，从而可以避免色偏现象的出现，提高显示面板的显示品质。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述基板上；
第一电极层，所述第一电极层设置在所述薄膜晶体管层上；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一电极层上，且所述像素定义层上设置有第一开口；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极层上，且所述发光层设在所述第一开口内；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述发光层上，且所述第二电极层覆盖所述发光层和所述像素定义层；
封装结构层，所述封装结构层设置在所述第二电极层上，所述封装结构层上远离所述基板的一面上设置有多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置；
遮光层，所述遮光层设置在封装结构层上且位于所述凹槽中，所述遮光层上设置有第二开口；以及
彩膜层，所述彩膜层设置在封装结构层上且位于所述第二开口中，所述彩膜层对应于所述发光层设置，所述第二开口的深度大于所述彩膜层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构层包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层，所述第一封装层设置在所述第二电极层远离所述基板的一面上，且所述凹槽设置在所述第三封装层上。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于所述第三封装层的厚度的四分之一。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括缓冲层、第一平坦层和保护层；所述缓冲层设置在所述基板和所述薄膜晶体管层之间，所述第一平坦层设置在所述薄膜晶体管层和所述第一电极层之间，所述保护层设置在所述遮光层上，且覆盖所述彩膜层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二平坦层，所述第二平坦层设置在所述彩膜层与所述保护层之间，且所述第二平坦层与所述彩膜层对应设置，所述第二平坦层远离所述基板的一面和所述遮光层远离所述基板的一面平齐。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层的厚度大于所述发光层的厚度。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、第一电极层和像素定义层，且所述像素定义层上设置有第一开口；
在所述第一电极层上形成发光层，且所述发光层设在所述第一开口内；
在所述发光层上形成第二电极层，第二电极层覆盖所述像素定义层和所述发光层；
在所述第二电极层上形成封装结构层，并在所述封装结构层远离所述基板的一面上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置；
在所述封装结构层上形成遮光层，且所述遮光层位于所述凹槽中，所述遮光层上设置有第二开口；
在所述封装结构层上形成彩膜层，且所述彩膜层位于所述第二开口中，所述彩膜层对应于所述发光层设置，所述第二开口的深度大于所述彩膜层的厚度。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述凹槽通过镭射工艺或刻蚀工艺形成。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二电极层上形成封装结构层，并在所述封装结构层远离所述基板的一面上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层相对设置的具体步骤，包括：
在所述第二电极层上形成第一封装层；
在所述第一封装层上形成第二封装层；
在所述第二封装层上形成第三封装层；
在所述第三封装层上开设多个凹槽，所述凹槽与所述像素定义层对应设置。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于所述第三封装层的厚度的四分之一。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110640859.9A CN113437117B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110640859.9A CN113437117B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113437117A CN113437117A (zh) | 2021-09-24 |
| CN113437117B true CN113437117B (zh) | 2022-12-06 |
Family
ID=77755490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110640859.9A Active CN113437117B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113437117B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335117A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114420874A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4978138B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| CN108336115A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示器件以及显示装置 |
| CN109148724A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示装置和有机发光显示面板 |
| CN109904341B (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN110085762B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-08-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-06-09 CN CN202110640859.9A patent/CN113437117B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113437117A (zh) | 2021-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |