JP2004103502A

JP2004103502A - 有機ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JP2004103502A
Application number: JP2002266902A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Iwasaki; 岩▲崎▲　剛; Reiko Yamashita; 山下　礼子
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2002-09-12
Filing date: 2002-09-12
Publication date: 2004-04-02
Anticipated expiration: 2022-09-12
Also published as: JP4373653B2

Abstract

【課題】発光層の一部に対する局所的な電流集中を抑制可能な有機ＥＬ表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１は、基板１１と、基板１１上で互いに離間して配列した複数の第１電極２５と、基板１１の主面のうち第１電極２５間で露出した部分と第１電極２５のそれぞれの周縁部とを被覆するとともに第１電極２５の中央部に対応した位置に第１貫通孔を有する第１絶縁層２６ａと、第１絶縁層２６ａ上に設けられるとともに第１電極２５に対応した位置に第２貫通孔を有する第２絶縁層２６ｂと、第１電極２５上に設けられるとともに発光層２８を含んだ有機物層と、その有機物層上に設けられた第２電極２９とを具備し、第２貫通孔の径は第１電極２５の径よりも大きく且つ第２貫通孔は第１電極２５を取り囲むように設けられていることを特徴とする。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に係り、特には有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスでは、発光層を形成する際、その材料として低分子有機材料を使用する場合には真空蒸着法を利用している。また、発光層の材料として高分子有機材料を使用する場合には、高分子有機材料を含有した溶液を塗布してなる塗膜を乾燥するという方法を採用している。
【０００４】
後者の方法では、具体的には、まず、各画素に対応して貫通孔を有する親水性絶縁層と疎水性絶縁層との積層体を基板上に形成する。次に、これら貫通孔を液溜めとして利用して、ディッピング、インクジェット、或いは、スピンコート法などの溶液塗布法により、高分子有機材料を含有した溶液でそれら貫通孔を満たす。その後、貫通孔内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去する。以上のようにして発光層を得る。
【０００５】
図３は、このような方法により得られる有機ＥＬ表示装置の一例を概略的に示す断面図である。上記の方法では、発光層２８の膜厚均一性は、液溜めに利用する親水性絶縁層２６ａ，疎水性絶縁層２６ｂに対する溶液の濡れ性、溶液自体の表面張力や粘性、さらには、溶媒の乾燥特性などの影響を受ける。そのため、図３に示すように、発光層２８は、周縁部に比べて中央部が薄くなり易い。
【０００６】
発光層２８の膜厚が不均一である場合、それらの膜厚が薄い部分に電流が集中することとなる。このような電流集中は、画素内での均一な発光を妨げるだけでなく、膜厚が薄い部分における発光層２８の早期劣化をもたらして表示装置の発光寿命を低下させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、発光層の一部に対する局所的な電流集中を抑制可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。また、膜厚がより均一化された有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記基板の前記主面のうち前記複数の第１電極間で露出した部分と前記複数の第１電極のそれぞれの周縁部とを被覆するとともに前記複数の第１電極の中央部に対応した位置に複数の第１貫通孔をそれぞれ有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の第２貫通孔をそれぞれ有する第２絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層上に設けられた第２電極とを具備し、前記第２貫通孔の径は前記第１電極の径よりも大きく且つ前記第２貫通孔は前記第１電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【０００９】
本発明において、第１絶縁層と第２絶縁層との積層体は、例えば、複数の第１電極をそれぞれ取り囲む複数の溝を形成することができる。
本発明において、複数の第１電極のそれぞれは陽極であり且つ第２電極は陰極であってもよい。この場合、複数の有機物層のそれぞれは、発光層と陽極との間に介在して陽極から発光層への正孔の注入を媒介するバッファ層をさらに含んでいてもよい。
本発明において、第１絶縁層は無機絶縁層であってもよい。また、第２絶縁層は有機絶縁層であってもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板２と封止基板３とをシール層４を介して対向させた構造を有している。シール層４は封止基板３の周縁に沿って設けられており、それにより、アレイ基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、Ａｒガスなどの希ガスやＮ_２ガスのような不活性ガスで満たされている。
【００１２】
アレイ基板２は、基板１１を有している。基板１１上には、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮ_ｘ層１２とＳｉＯ_２層１３とが順次積層されている。アンダーコート層１３上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、及びゲート電極１６が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）２０を構成している。
【００１３】
ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１６上には、ＳｉＯ_２などからなる層間絶縁膜２１が設けられている。層間絶縁膜２１上には電極配線（図示せず）及びソース・ドレイン電極２３が設けられており、それらは、ＳｉＮ_ｘなどからなるパッシベーション膜２４で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２３は、層間絶縁膜２１に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ２０のソース・ドレインに電気的に接続されている。
【００１４】
パッシベーション膜２４上には、透明電極（陽極）２５が互いに離間して並置されている。陽極２５は、パッシベーション膜２４に設けられたビアホールを介してドレイン電極２３に電気的に接続されている。
【００１５】
パッシベーション膜２４上には、さらに、絶縁層２６ａが設けられている。絶縁層２６ａは、陽極２５の中央部に対応した位置に貫通孔を有しており、パッシベーション膜２４の陽極２５から露出した部分と陽極２５の周縁部とを被覆している。絶縁層２６ａは、例えば、親水性の無機絶縁層である。隣接する陽極２５間は、この絶縁層２６ａにより電気的に絶縁される。
【００１６】
絶縁層２６ａ上には、絶縁層２６ｂが設けられている。絶縁層２６ｂは、陽極２５に対応した位置に陽極２５よりも大きな径の貫通孔を有している。これら貫通孔は陽極２５を取り囲むように設けられている。絶縁層２６ｂは、例えば、撥水性の有機絶縁層である。なお、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとの積層体は、陽極２５に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２６を構成している。
【００１７】
隔壁絶縁層２６の貫通孔内で露出した陽極２５上には、バッファ層２７及び発光層２８が順次積層されている。バッファ層２７は、陽極２５から発光層２８への正孔の注入を媒介する役割を果たす。また、発光層２８は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。
【００１８】
隔壁絶縁層２６及び発光層２８上には共通電極（陰極）２９が設けられている。陰極２９は、パッシベーション膜２４及び隔壁絶縁層２６に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子３０は、これら陽極２５、バッファ層２７、発光層２８、及び陰極２９で構成されている。
【００１９】
さて、有機ＥＬ表示装置１のバッファ層２７や発光層２８は、有機溶媒と有機化合物とを含有した溶液を用いた溶液塗布法により形成することができる。このような溶液は、極性が低い溶液であるため、撥水性の絶縁層２６ｂに対する濡れ性が高い。そのため、バッファ層２７や発光層２８は、絶縁層２６ｂの側面との接触面積を広くとろうとする。
【００２０】
図３に示す従来の構造では、陽極２５の端部が疎水性絶縁層２６ｂと重複するよう配置され、親水性絶縁層２６ａは液溜内でほぼ平坦に形成される。このためバッファ層２７が疎水性絶縁層２６ｂとの接合面でせり上がり接合面付近で膜厚が厚くなる。その結果、バッファ層２７や発光層２８の膜厚は、絶縁層２６ａ上だけでなく、絶縁層２６ａの貫通孔に対応した位置でも、周縁から中心に向けて大きく減少することとなる。
【００２１】
有機ＥＬ素子３０では、バッファ層２７や発光層２８の絶縁層２６ａ上に位置した部分は殆ど発光に寄与せず、絶縁層２６ａの貫通孔に対応して位置した部分が主として発光に寄与する。そのため、図３に示すように、絶縁層２６ａの貫通孔に対応した位置でバッファ層２７や発光層２８の膜厚ムラが大きいと、電流集中による発光ムラや早期劣化を生じ易い。
【００２２】
図２（ａ）は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１のアレイ基板の一部を拡大して示す断面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す構造の一部を概略的に示す平面図である。なお、図２（ｂ）では、バッファ層２７、発光層２８、及び陰極２９は省略している。また、図２（ａ）に示す断面は、図２（ｂ）に示す構造のＡ−Ａ線に沿った断面に相当している。
【００２３】
図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態では、陽極２５の中央部に対応した位置に貫通孔を有する絶縁層２６ａを、パッシベーション膜２４の陽極２５から露出した部分と陽極２５の周縁部とを被覆するように設ける。このような配置を採用すると、絶縁層２６ａの表面には、パッシベーション膜２４と陽極２５とが形成する表面凹凸構造に起因して、陽極２５の周縁部に対応した環状の凸部４１と、陽極２５間の間隙部に対応した格子状の凹部とが生じる。加えて、本実施形態では、絶縁層２６ａの表面に設けられた格子状の凹部を絶縁層２６ｂで完全に埋め込まず、その凹部よりも狭い幅で及びその凹部の側壁から離間して絶縁層２６ｂを設ける。いいかえると、隣接する陽極２５間であって、陽極２５と重複しない位置に絶縁層２６ｂを設ける。そのため、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとの積層体の表面には、絶縁層２６ａの表面に生じた環状の凸部４１を取り囲む溝４２が生じる。
【００２４】
このような構造では、バッファ層２７の下地表面の高さは、絶縁層２６ｂの下端から陽極２５の中心に向けて増加したのちに減少している。そのため、バッファ層２７や発光層２８と絶縁層２６ｂの側面との接触面積が大きくても、バッファ層２７や発光層２８の上面周縁部の高さとそれらの上面中心の高さとの差が大きくなることはない。しかも、凸部４１は、バッファ層２７や発光層２８を形成する過程で、塗膜の周縁部が中央部に及ぼす影響を低減する役割を果たす。したがって、本実施形態によると、絶縁層２６ａの貫通孔に対応した位置におけるバッファ層２７や発光層２８の膜厚ムラを低減することができ、電流集中による発光ムラや早期劣化を抑制可能となる。また、これについて別の表現をすると、溝４２があることによりバッファ層２７の絶縁層２６ｂの側面との接触面積を変えることなく、さらに溝４２にバッファ層の周縁部を落とし込む形となるため膜周辺部のせり上がりを防止すると共にバッファ層中心部に張力が働く事によりバッファ層２７の膜厚が均一となり、さらに、その上に塗膜される発光層２８も均一膜厚となる。
【００２５】
本実施形態において、溝４２の幅は１．０μｍ以上であることが好ましい。通常、溝４２の幅が狭すぎると、上記の効果が顕著には現われない。また、溝４２の幅は４．０μｍ以下であることが好ましい。溝４２の幅が広いと、有機ＥＬ素子３０の発光に寄与しない部分の面積比が高くなる。
【００２６】
本実施形態において、溝４２の深さは５０ｎｍ以上であることが好ましい。通常、溝４２が浅すぎると、上記の効果が顕著には現われない。なお、溝４２の深さに特に上限値はないが、本実施形態では、上述のように陽極２５の厚さを利用して溝４２を形成するので、通常は１５０ｎｍ以下である。
【００２７】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板１１としては、その上に形成される構造を保持可能なできるものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板１１としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００２８】
有機ＥＬ表示装置１が基板１１側から光を発する下面発光型の場合、陽極２５としては光透過性を有する透明電極を使用する。透明電極の材料としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電材料を使用することができる。透明電極の膜厚は、通常、１０ｎｍ乃至１５０ｎｍ程度である。透明電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料を蒸着法やスパッタリング等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。
【００２９】
絶縁層２６ａの材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層２６ａは比較的高い親水性を示す。
【００３０】
絶縁層２６ｂの材料としては、例えば、有機絶縁材料を使用することができる。絶縁層２６ｂに使用可能な有機絶縁材料に特に制限はないが、感光性樹脂を使用した場合、貫通孔が設けられた絶縁層２６ｂを容易に形成可能である。絶縁層２６ｂを形成するのに使用可能な感光性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリアクリル、ポリアミド樹脂、ポリアミック酸などのアルカリ可溶性の高分子誘導体にナフトキノンジアジドなどの感光性化合物を添加してなり、露光及びアルカリ現像によりポジパターンを与える材料を挙げることができる。また、ネガパターンを与える感光性樹脂としては、化学線の照射により現像液への溶解速度が遅くなる感光性組成物，例えばエポキシ基のように化学線照射により架橋する官能基を有する感光性組成物を挙げることができる。絶縁層２６ｂは、例えば、これら感光性樹脂を基板１１の陽極２５などが形成された面にスピンコート法などにより塗布し、それにより得られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得られる。
【００３１】
隔壁絶縁層２６の膜厚は、バッファ層２７の膜厚と発光層２８の膜厚との和以上であることが望ましく、通常、０．０９μｍ乃至０．１３μｍ程度である。また、また、絶縁層２６ａの膜厚は、通常、０．０５乃至０．１μｍ程度である。なお、バッファ層２７や発光層２８を形成する際には、インクジェット法による溶液塗布時の位置精度向上のため、絶縁層２６ｂの表面を予めＣＦ_４・Ｏ_２などのプラズマガスで撥水処理しておくことが望ましい。
【００３２】
バッファ層２７の材料としては、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴという）のようなポリチオフェン誘導体及び／またはポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを使用することができる。また、アクセプタ性の有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳという）などを使用することができる。
【００３３】
バッファ層２７は、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。バッファ層２７を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００３４】
発光層２８の材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色のルミネセンスを発するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。また、発光層２８には、これらの高分子のルミネセンス性有機化合物に低分子のルミネセンス性有機化合物などをさらに添加してもよい。
【００３５】
発光層２８は、上記の通り、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ルミネセンス性有機化合物を溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。発光層２８を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００３６】
発光層２８の膜厚は、使用する材料に応じて適宜設定する。通常、発光層２８全体の膜厚は５０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内である。
【００３７】
陰極２９は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。陰極２９を多層構造とする場合、例えば、発光層２８上にバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。また、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層と銀やアルミニウムなどを含有した導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。さらに、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層とバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる三層構造としてもよい。
【００３８】
上記実施形態では、陽極２５をパッシベーション膜２４上に設けたが、陽極２５は層間絶縁膜２１上に、つまり信号線と陽極２５とを同一平面上に設けてもよい。また、上記実施形態では有機ＥＬ表示装置１を下面発光型としたが、上面発光型とすることもできる。さらに、アレイ基板２を対向基板３によりシーリングする場合、基板間の空間に乾燥剤を封入することで、素子の長寿命化を図ることも可能であり、また、対向基板３とアレイ基板２との間に樹脂を充填して放熱特性を向上させることも出来る。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
本実施例では、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を以下の方法により作製した。
【００４０】
すなわち、まず、ガラス基板１１のアンダーコート層１１，１２が形成された面に対し、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰り返し、ＴＦＴ２０、層間絶縁膜２１、電極配線（図示せず）、ソース・ドレイン電極２３、及びパッシベーション膜２４を形成した。
【００４１】
次に、パッシベーション膜２４上に、スパッタリング法を用いて厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。続いて、このＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより陽極２５を得た。ここでは、陽極２５は直径５５μｍの略円形形状とした。なお、陽極２５は、マスクスパッタリング法により形成してもよい。
【００４２】
次いで、基板１１の陽極２５を形成した面に、各画素の発光部に対応して開口を有する親水性の無機絶縁層２６ａを形成した。ここでは、絶縁層２６ａの厚さは０．１μｍとした。また、親水層２６ａの開口は、図２（ｂ）に示すように直径５０μｍの略円形形状とした。続いて、基板１１の陽極２５を形成した面に、感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素の発光部に対応して開口を有する撥水性の有機絶縁層２６ｂを形成した。ここでは、絶縁層２６ｂの厚さは３μｍとし、絶縁層２６ｂの開口は図２（ｂ）に示すように直径５８μｍの略円形形状とした。
【００４３】
以上のようにして、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとを積層してなる隔壁絶縁層２６を得た。なお、隔壁絶縁層２６を形成した基板１１にはＣＦ_４／Ｏ_２プラズマガスを用いた表面処理を施し、絶縁層２６ｂの表面をフッ素化した。
【００４４】
次に、隔壁絶縁層２６が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を１２０℃の温度に３分間加熱することによりバッファ層２７を得た。
【００４５】
その後、赤、緑、青色の画素に対応したバッファ層２７上に、それぞれ、赤、緑、青色の発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を９０℃の温度に１時間加熱することにより発光層２８を得た。
【００４６】
次いで、基板１１の発光層２８を形成した面にバリウムを真空蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着することにより陰極２９を形成した。これにより、ＴＦＴアレイ基板２を完成した。
【００４７】
その後、ガラス基板３の一方の主面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層４を形成した。次いで、ガラス基板３とアレイ基板２とを、ガラス基板３のシール層４を設けた面とアレイ基板２の陰極２９を設けた面とが対向するように不活性ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射によりしてシール層を硬化させることにより、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を完成した。
【００４８】
（比較例）
アレイ基板２に図３の構造を採用したこと以外は上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置を作製した。なお、本例では、陽極２５は直径５８μｍの略円形形状とし、親水層２６ａの開口は直径５０μｍの略円形形状とし、絶縁層２６ｂの開口は直径５５μｍの略円形形状とした。
【００４９】
次に、実施例及び比較例に係る有機ＥＬ表示装置１について、バッファ層２７及び発光層２８を断面ＳＥＭで観察した。
その結果、実施例に係る有機ＥＬ表示装置１では、絶縁層２６ａに設けた貫通孔の位置において、バッファ層２７や発光層２８の膜厚はほぼ均一であった。すなわち、実施例に係る有機ＥＬ表示装置１は、発光層２８の一部に対する局所的な電流集中を抑制可能な構造を有していた。実際、この有機ＥＬ表示装置１で表示を行ったところ、それぞれの画素内で輝度ムラは生じなかった。これに対し、比較例に係る有機ＥＬ表示装置１では、絶縁層２６ａに設けた貫通孔の位置において、バッファ層２７や発光層２８の膜厚ムラが大きく、それぞれの画素内で輝度ムラを生じた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、隔壁絶縁層の下部を構成する第１絶縁層と上部を構成する第２絶縁層とが基板上で配列した複数の電極を取り囲む溝を形成し得る構造を採用する。このような構造によると、第１絶縁層に設けた貫通孔の位置における発光層などの膜厚ムラを低減することができ、発光層の一部に対する局所的な電流集中を抑制可能となる。
すなわち、本発明によると、発光層の一部に対する局所的な電流集中を抑制可能な有機ＥＬ表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図２】（ａ）は図１に示す有機ＥＬ表示装置１のアレイ基板の一部を拡大して示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示す構造の一部を概略的に示す平面図。
【図３】従来の有機ＥＬ表示装置の一例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示装置
２…アレイ基板
３…封止基板
４…シール層
１１…基板
１２…アンダーコート層
１３…アンダーコート層
１４…半導体層
１５…ゲート絶縁膜
１６…ゲート電極
２０…ＴＦＴ
２１…層間絶縁膜
２３…ソース・ドレイン電極
２４…パッシベーション膜
２５…陽極
２６…隔壁絶縁層
２６ａ，２６ｂ…絶縁層
２７…バッファ層
２８…有機発光層
２９…陰極
３０…有機ＥＬ素子
４１…凸部
４２…溝

Claims

基板と、
前記基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、
前記基板の前記主面のうち前記複数の第１電極間で露出した部分と前記複数の第１電極のそれぞれの周縁部とを被覆するとともに前記複数の第１電極の中央部に対応した位置に複数の第１貫通孔をそれぞれ有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の第２貫通孔をそれぞれ有する第２絶縁層と、
前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、
前記複数の有機物層上に設けられた第２電極とを具備し、前記第２貫通孔の径は前記第１電極の径よりも大きく且つ前記第２貫通孔は前記第１電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との積層体は前記複数の第１電極をそれぞれ取り囲む複数の溝を形成していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記複数の第１電極のそれぞれは陽極であり、前記第２電極は陰極であり、前記複数の有機物層のそれぞれは前記発光層と前記陽極との間に介在して前記陽極から前記発光層への正孔の注入を媒介するバッファ層をさらに含んだことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第１絶縁層は無機絶縁層であり、前記第２絶縁層は有機絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。