CN111710709A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括阵列基板和依次设置在所述阵列基板上的阳极层和像素限定层；所述显示面板还包括贯穿所述阳极层和所述像素限定层的多个隔槽；所述阳极层包括被所述多个隔槽划分成的呈阵列分布的多个阳极单元；所述像素限定层包括被所述多个隔槽划分成的多个像素限定单元；所述多个像素限定单元与所述多个阳极单元一一对应设置。本申请在形成阳极单元和像素限定单元的过程中至少可以节省一张掩模版，有利于节省时间成本和物料成本，同时有利于提高显示面板的制作良率。

Description

一种显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

目前主要通过喷墨打印(Ink jet printing，IJP)技术制备有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting，AMOLED)显示屏。在IJP-OLED制程中，针对喷墨打印的需求，除阳极单元和像素限定单元(Bank)制程外，还需要增加一层Double-Bank(双像素限定单元)制程，目的是为了解决墨水的精确定位和器件寿命等问题。

图1为示例性的具有Double-Bank结构的显示面板1’的部分截面结构示意图，显示面板1’包括阵列基板2’、设置在阵列基板2’上的阳极层3’、以及位于阳极层远离阵列基板2’一侧的像素限定层4’；阳极层3’包括多个间隔设置的阳极单元6’，像素限定层4’包括堆叠设置的第一像素限定层401和第二像素限定层402以及贯穿第一像素限定层401和第二像素限定层402的像素开口13’；其中，第一像素限定层401设置在任意相邻的两个阳极单元6’之间且覆盖在部分阳极单元6’上，第二像素限定层402设置在第一像素限定层401上，且第一像素限定层401在阵列基板2’上的正投影完全覆盖第二像素限定层402在阵列基板2’上的正投影，使得像素开口13’的边缘呈阶梯状，具体的像素开口13’贯穿第一像素限定层401的部分为发光区。图1中的Double-Bank结构的像素限定层4’可以改善在像素开口13’中喷墨打印形成的有机发光功能层的厚度不均的问题，有利于提高显示质量以及器件寿命。

现有技术中，制作图1中显示面板1’的阳极层3’、第一像素限定层401和第二像素限定层402一共需要使用三张掩模版(mask，也称光罩)；由于每增加一张掩模版，不仅会增加时间成本和物料成本，同时也会伴随着制程良率带来的损失。因此，急需提供一种新的显示面板结构以及制作方法来减少掩模版使用数量。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制作方法，采用一张半色调掩模版来制作阳极单元和像素限定单元，减少了掩模版的使用量，从而节省了时间成本和物料成本，同时有利于提高显示面板的制作良率。

本申请提供一种显示面板，包括阵列基板和依次设置在所述阵列基板上的阳极层和像素限定层；所述显示面板还包括贯穿所述阳极层和所述像素限定层的多个隔槽；

所述阳极层包括被所述多个隔槽划分成的呈阵列分布的多个阳极单元；

所述像素限定层包括被所述多个隔槽划分成的多个像素限定单元；所述多个像素限定单元与所述多个阳极单元一一对应设置。

可选的，每个所述像素限定单元包括发光区、围绕所述发光区设置的第一限定区以及围绕所述第一限定区设置的第二限定区；

所述发光区设置有像素开口；位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第二限定区的所述像素限定单元的高度。

可选的，所述显示面板还包括第一发光功能层、第二发光功能层和阴极层；

所述第一发光功能层设置在每个所述像素开口中的所述阳极单元上；所述第二发光功能层覆盖在所述多个像素限定单元和所述第一发光功能层上，且覆盖在每个所述隔槽中；所述阴极层覆盖在所述第二发光功能层上。

可选的，所述第一发光功能层包括依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述第二发光功能层包括依次设置的发光层、电子传输层和电子注入层。

本申请还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上依次形成阳极膜和光阻膜；

形成贯穿所述阳极膜和所述光阻膜的多个隔槽，以形成具有呈阵列分布的多个阳极单元的阳极层，和具有与所述多个阳极单元一一对应设置的多个像素限定单元的像素限定层。

可选的，每个所述隔槽包括相连通的第一子隔槽和第二子隔槽；

所述形成贯穿所述阳极膜和所述光阻膜的多个隔槽，包括以下步骤：

提供掩模版；所述掩模版包括全透光区；

采用所述掩模版对所述光阻膜进行图案化处理，以形成与所述全透光区对应设置的多个第一子隔槽；其中，所述第一子隔槽裸露出部分所述阳极膜；

对每个所述第一子隔槽中裸露的所述阳极层进行蚀刻，形成第二子隔槽。

可选的，所述掩模版还包括第一半透光区、围绕所述第一半透光区设置的第二半透光区、以及围绕所述第二半透光区设置的不透光区；其中，所述全透光区位于所述不透光区的外围，且所述第一半透光区的透光率大于所述第二半透光区的透光率；

所述采用所述掩模版对所述光阻膜进行图案化处理，还包括：

形成多个像素限定单元；其中，每个所述像素限定单元包括与所述第一半透光区对应设置的发光区、与所述第二半透光区对应设置的第一限定区、以及与所述不透光区对应设置的第二限定区；位于所述发光区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度，且位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第二限定区的所述像素限定单元的高度。

可选的，形成所述第二子隔槽之后，所述制作方法还包括以下步骤：

对所述像素限定层进行灰化处理，以在每个所述像素限定单元的所述发光区形成像素开口。

可选的，所述制作方法还包括以下步骤：

在每个所述像素开口中的所述阳极单元上形成第一发光功能层；

在所述多个像素限定单元和所述第一发光功能层上、以及所述隔槽内依次形成第二发光功能层和阴极层。

可选的，所述第一发光功能层包括依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述第二发光功能层包括依次设置的发光层、电子传输层和电子注入层。

本申请提供的显示面板及其制作方法中，显示面板包括贯穿阳极层和像素限定层的多个隔槽，且多个隔槽将阳极层划分为多个阳极单元，同时将像素限定层划分为多个像素限定单元；在制作阳极单元和像素限定单元时，可以采用一张半色调掩模版通过曝光显影技术先形成多个隔槽的上部分，也就是贯穿像素限定层的部分，然后，在不需要掩模版的前提下直接通过刻蚀工艺形成多个隔槽的下部分，也就是贯穿阳极层的部分，可以节省一张用于形成多个阳极单元的掩模版；当像素限定单元为Double-Bank结构时，由于形成多个隔槽的上部分时采用的掩模版为半色调掩模版，可以在一次曝光显影制程中形成高度不同的像素限定单元，避免采用两张掩模版分别形成两层像素限定单元，从而进一步节省了一张掩模版；因此，本申请在形成阳极单元和像素限定单元的过程中至少可以节省一张掩模版，有利于节省时间成本和物料成本，同时有利于提高显示面板的制作良率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为示例性的具有Double-Bank结构的显示面板的部分截面结构示意图。

图2为本申请实施例提供的一种显示面板的部分截面结构示意图。

图3为本申请实施例提供的第一发光功能层的部分截面结构示意图。

图4为本申请实施例提供的第二发光功能层的部分截面结构示意图。

图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图。

图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法中对光阻膜曝光的示意图。

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法中对光阻膜显影后的显示面板的截面结构示意图。

图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法中对阳极膜刻蚀后的显示面板的截面结构示意图。

图9为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法中对像素限定单元灰化处理后的显示面板的截面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图2所示，本申请实施例提供了一种显示面板1，显示面板1包括阵列基板2和依次设置在阵列基板2上的阳极层3和像素限定层4；显示面板1还包括贯穿阳极层3和像素限定层4的多个隔槽5；阳极层3包括被多个隔槽5划分成的呈阵列分布的多个阳极单元6，也就是说，任意相邻的两个阳极单元6被多个隔槽5中的其中一个间隔开；像素限定层4包括被多个隔槽5划分成的多个像素限定单元7，也就是说，任意相邻的两个像素限定单元7被多个隔槽5中的其中一个间隔开；且多个像素限定单元7与多个阳极单元6一一对应设置。

具体的，多个隔槽5呈多行多列交叉设置，例如多行隔槽5与多列隔槽5垂直交叉设置；每个隔槽5包括贯穿像素限定层4的第一子隔槽8，以及贯穿像素限定层4的第二子隔槽9，且第一子隔槽8与第二子隔槽9对应连通设置。其中，像素限定层4的材料包括有机光阻材料，第一子隔槽8可以采用曝光显影技术形成，在形成第一子隔槽8过程中需要使用一张掩模版；阳极层3的材料包括氧化铟锡(ITO)，第二子隔槽9可以采用刻蚀技术形成，由于第二子隔槽9位于第一子隔槽8的下方，形成第二子隔槽9的过程中可以使用未形成像素开口13时的像素限定层4作为掩模，以节省一个掩模版；通常，一道掩模版制程(光罩制程)包括涂光刻胶、曝光、显影和刻蚀四个步骤，由于像素限定层4的材料为光阻材料，形成第一子隔槽8和第二子隔槽9的过程相当于一道掩模版制程。

在一实施例中，形成第一子隔槽8过程中使用的掩模版为半色调掩模版(Halftonemask)，每个像素限定单元7包括发光区10、围绕发光区10设置的第一限定区11以及围绕第一限定区11设置的第二限定区12；其中，发光区10设置有像素开口13；位于第一限定区11的像素限定单元7的高度小于位于第二限定区12的像素限定单元7的高度，也就是说，每个像素限定单元7靠近像素开口13的一侧为台阶状，可以理解的是，每个像素限定层4为Double-Bank结构。当然，在另一实施例中，每个像素限定单元7只有一个限定区，且限定区中的像素限定单元7的高度相同。

在一实施例中，显示面板1还包括第一发光功能层14、第二发光功能层15、阴极层16和封装层17；第一发光功能层14设置在每个像素开口13中的阳极单元6上；第二发光功能层15覆盖在多个像素限定单元7和第一发光功能层14上，且覆盖在每个隔槽5中；阴极层16覆盖在第二发光功能层15上；封装层17覆盖在阴极层16上。具体的，第一发光功能层14采用喷墨打印技术形成，第二发光功能层15和阴极层16采用蒸镀技术形成。

在一实施例中，结合图2和图3所示，第一发光功能层14包括依次设置在像素开口13中的阳极单元6上的空穴注入层18和空穴传输层19；结合图2和图4所示，第二发光功能层15包括覆盖在多个像素限定单元7和第一发光功能层14上以及覆盖在多个隔槽5中的发光层20以及依次设置在发光层20上的电子传输层21和电子注入层22。

在一实施例中，阵列基板2包括衬底基板23和依次设置在衬底基板23上的薄膜晶体管阵列层24、钝化层25和平坦层26；阳极层3中的每个阳极单元6通过贯穿钝化层25和平坦层26的通孔28与薄膜晶体管阵列层24中的漏极27电连接。具体的，薄膜晶体管阵列层24中的薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，且薄膜晶体管中的有源层的材料包括α-si(amorphous silicon，非晶硅)、LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)和Oxide(氧化物)中的任意一种。

本实施例中，显示面板1包括贯穿阳极层3和像素限定层4的多个隔槽5，且多个隔槽5将阳极层3划分为多个阳极单元6，同时将像素限定层4划分为多个像素限定单元7；在制作阳极单元6和像素限定单元7时，可以采用一张半色调掩模版通过曝光显影技术先形成多个隔槽5的上部分(第一子隔槽8)，也就是贯穿像素限定层4的部分，然后，在不需要额外设置掩模版的前提下直接通过刻蚀工艺形成多个隔槽5的下部分(第二子隔槽9)，也就是贯穿阳极层3的部分，可以节省一张用于形成多个阳极单元6的掩模版；当像素限定单元7为Double-Bank结构时，由于形成多个隔槽5的上部分时采用的掩模版为半色调掩模版，可以在一次曝光显影制程中形成高度不同的像素限定单元7，避免采用两张掩模版分别形成两层像素限定单元，从而进一步节省了一张掩模版；因此，本申请实施例在形成阳极单元和像素限定单元的过程中，至少可以节省一张掩模版，有利于节省时间成本和物料成本，同时有利于提高显示面板1的制作良率。

如图5所示，本申请还提供了一种显示面板的制作方法，用于制作上述实施例中的显示面板1；显示面板1的制作方法具体包括以下步骤：

步骤S501：提供阵列基板。

具体的，如图6所示，阵列基板2包括衬底基板23和依次设置在衬底基板23上的薄膜晶体管阵列层24、钝化层25和平坦层26；钝化层25和平坦层26上设有贯穿钝化层25和平坦层26以裸露出薄膜晶体管阵列层24中的漏极27的通孔28。具体的，薄膜晶体管阵列层24中的薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，且薄膜晶体管中的有源层的材料包括α-si(amorphous silicon，非晶硅)、LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)和Oxide(氧化物)中的任意一种。

步骤S502：在阵列基板上依次形成阳极膜和光阻膜；

具体的，如图6所示，阳极膜29和光阻膜30依次整铺在阵列基板2上；其中，阳极膜29通过通孔28与漏极27电连接；阳极膜29的材料包括氧化铟锡(ITO)。

步骤S503：形成贯穿阳极膜和光阻膜的多个隔槽，以形成具有呈阵列分布的多个阳极单元的阳极层，和具有与多个阳极单元一一对应设置的多个像素限定单元的像素限定层。

具体的，每个隔槽包括相连通的第一子隔槽和第二子隔槽；结合图6至图8所示，步骤S503中形成贯穿阳极膜和光阻膜的多个隔槽包括以下步骤：

提供掩模版31；掩模版31包括全透光区32；

采用掩模版31对光阻膜30进行图案化处理，以形成与全透光区32对应设置的多个第一子隔槽8；其中，第一子隔槽8裸露出部分阳极膜29；

对每个第一子隔槽8中裸露的阳极层3进行蚀刻，形成第二子隔槽9。

具体的，如图6所示，掩模版31设置在光阻膜30远离阳极膜29的一侧；如图7所示，采用曝光显影技术对光阻膜30进行图案化处理，形成第一子隔槽8以及像素限定单元7’，此时，像素限定单元7’上还未形成像素开口13；对每个第一子隔槽8中裸露的阳极层3进行蚀刻不需要额外设置掩模版，直接以未形成像素开口13的像素限定单元7作为掩模，采用蚀刻液对每个第一子隔槽8中裸露的阳极层3进行蚀刻，以除去每个第一子隔槽8下方的阳极膜29，形成第二子隔槽9，如图8所示。

需要注意的是，第一子隔槽8形成后，像素限定单元7’上的像素开口13还未形成，以利于像素限定单元7’在制作第二子隔槽9时起到掩模作用；待第二子隔槽9形成之后再在像素限定单元7’上形成像素开口13。

在一实施例中，如图7所示，步骤S503中的掩模版31为半色调掩模版，掩模版31还包括第一半透光区33、围绕第一半透光区33设置的第二半透光区34、以及围绕第二半透光区34设置的不透光区35；其中全透光区32位于不透光区35的外围，且第一半透光区33的透光率大于第二半透光区34的透光率；采用掩模版31对光阻膜30进行图案化处理还包括形成多个像素限定单元7’，其中，每个像素限定单元7’包括与第一半透光区33对应设置的发光区10、与第二半透光区34对应设置的第一限定区11、以及与不透光区35对应设置的第二限定区12；像素开口13形成之前，位于发光区10的像素限定单元7’的高度小于位于第一限定区11的像素限定单元7’的高度，且位于第一限定区11的像素限定单元7’的高度小于位于第二限定区12的像素限定单元7’的高度；

形成第二子隔槽9之后，显示面板1的制作方法还包括以下步骤：

对像素限定层4进行灰化处理，以在每个像素限定单元7’的发光区10形成像素开口13，如图9所示。

具体的，如图9所示，灰化处理使得位于发光区10的像素限定单元7’被移除以形成像素开口13，且位于第一限定区11和第二限定区12的像素限定单元7’的厚度同时减薄，减薄的厚度与发光区10中被移除的像素限定单元7’的厚度相同，从而形成设有像素开口13的像素限定单元7；可以理解的是，灰化处理后的像素界定单元7具有像素开口13，且位于第一限定区11的像素限定单元7的高度小于位于第二限定区12的像素限定单元7的高度，即形成Double-Bank结构的像素限定单元7。

在另一实施例，步骤S503中的掩模版为半色调掩模版，具体的，掩模版还包括半透光区和围绕半透光区设置的不透光区；其中，全透光区位于不透光区的外围；采用掩模版对光阻膜进行图案化处理还形成有多个像素限定单元，其中，每个像素限定单元包括与半透光区对应设置的发光区以及与不透光区对应设置的限定区；像素开口形成之前，位于发光区的像素限定单元的高度小于位于限定区的像素限定单元的高度；

形成第二子隔槽之后，显示面板的制作方法还包括以下步骤：

对像素限定层进行灰化处理，以在每个像素限定单元的发光区形成像素开口。

在一实施例中，形成像素开口之后，显示面板1的制作方法还包括以下步骤：

采用喷墨打印技术在每个像素开口中的阳极单元上形成第一发光功能层；

采用蒸镀技术在多个像素限定单元和第一发光功能层上、以及隔槽内依次形成第二发光功能层和阴极层；

在阴极层上形成封装层。

具体的，制作得到的显示面板的结构如图2所示，第一发光功能层14设置在每个像素开口13中的阳极单元6上；第二发光功能层15覆盖在多个像素限定单元7和第一发光功能层14上，且覆盖在每个隔槽5中；阴极层16覆盖在第二发光功能层15上；封装层17覆盖在阴极层16上。在一实施例中，如图3所示，第一发光功能层14包括依次设置的空穴注入层18和空穴传输层19；如图4所示，第二发光功能层15包括依次设置的发光层20、电子传输层21和电子注入层22。

本实施例中，显示面板1包括贯穿阳极层3和像素限定层4的多个隔槽5，且多个隔槽5将阳极层3划分为多个阳极单元6，同时将像素限定层4划分为多个像素限定单元7；在制作阳极单元6和像素限定单元7时，可以采用一张掩模版31通过曝光显影技术先形成多个隔槽5的上部分(第一子隔槽8)，也就是贯穿像素限定层4的部分，然后，在不需要额外设置掩模版的前提下直接通过刻蚀工艺形成多个隔槽5的下部分(第二子隔槽9)，也就是贯穿阳极层3的部分，可以节省一张用于形成多个阳极单元6的掩模版；当像素限定单元7为Double-Bank结构时，由于形成多个隔槽5的上部分时采用的掩模版31为半色调掩模版，可以在一次曝光显影制程中形成高度不同的像素限定单元，避免采用两张掩模版分别形成两层像素限定单元，从而进一步节省了一张掩模版；因此，本申请实施例在形成阳极单元和像素限定单元的过程中，至少可以节省一道掩模版制程，有利于节省时间成本和物料成本，同时有利于提高显示面板1的制作良率。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板和依次设置在所述阵列基板上的阳极层和像素限定层；所述显示面板还包括贯穿所述阳极层和所述像素限定层的多个隔槽；

所述阳极层包括被所述多个隔槽划分成的呈阵列分布的多个阳极单元；

所述像素限定层包括被所述多个隔槽划分成的多个像素限定单元；所述多个像素限定单元与所述多个阳极单元一一对应设置。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述像素限定单元包括发光区、围绕所述发光区设置的第一限定区以及围绕所述第一限定区设置的第二限定区；

所述发光区设置有像素开口；位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第二限定区的所述像素限定单元的高度。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一发光功能层、第二发光功能层和阴极层；

所述第一发光功能层设置在每个所述像素开口中的所述阳极单元上；所述第二发光功能层覆盖在所述多个像素限定单元和所述第一发光功能层上，且覆盖在每个所述隔槽中；所述阴极层覆盖在所述第二发光功能层上。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光功能层包括依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述第二发光功能层包括依次设置的发光层、电子传输层和电子注入层。

5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上依次形成阳极膜和光阻膜；

形成贯穿所述阳极膜和所述光阻膜的多个隔槽，以形成具有呈阵列分布的多个阳极单元的阳极层，和具有与所述多个阳极单元一一对应设置的多个像素限定单元的像素限定层。

6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，每个所述隔槽包括相连通的第一子隔槽和第二子隔槽；

所述形成贯穿所述阳极膜和所述光阻膜的多个隔槽，包括以下步骤：

提供掩模版；所述掩模版包括全透光区；

采用所述掩模版对所述光阻膜进行图案化处理，以形成与所述全透光区对应设置的多个第一子隔槽；其中，所述第一子隔槽裸露出部分所述阳极膜；

对每个所述第一子隔槽中裸露的所述阳极层进行蚀刻，形成第二子隔槽。

7.如权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述掩模版还包括第一半透光区、围绕所述第一半透光区设置的第二半透光区、以及围绕所述第二半透光区设置的不透光区；其中，所述全透光区位于所述不透光区的外围，且所述第一半透光区的透光率大于所述第二半透光区的透光率；

所述采用所述掩模版对所述光阻膜进行图案化处理，还包括：

形成多个像素限定单元；其中，每个所述像素限定单元包括与所述第一半透光区对应设置的发光区、与所述第二半透光区对应设置的第一限定区、以及与所述不透光区对应设置的第二限定区；位于所述发光区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度，且位于所述第一限定区的所述像素限定单元的高度小于位于所述第二限定区的所述像素限定单元的高度。

8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述第二子隔槽之后，所述制作方法还包括以下步骤：

对所述像素限定层进行灰化处理，以在每个所述像素限定单元的所述发光区形成像素开口。

9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

在每个所述像素开口中的所述阳极单元上形成第一发光功能层；

在所述多个像素限定单元和所述第一发光功能层上、以及所述隔槽内依次形成第二发光功能层和阴极层。

10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一发光功能层包括依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述第二发光功能层包括依次设置的发光层、电子传输层和电子注入层。

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