CN107527939A - 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板,属于显示技术领域。像素界定层包括:依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层;其中,每两个相互接触的子界定层中,远离所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第一正投影位于靠近所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第二正投影内,且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。本发明使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,进而有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性。本发明用于制造OLED显示面板。

Description

像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板。
背景技术
有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板包括阳极、有机发光层和阴极等。其中,有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层等,有机发光层可以使用喷墨打印技术制造而成。在使用喷墨打印技术制造有机发光层时,需要先在玻璃基板上形成像素界定层,然后将溶解有机发光层的材料的溶液喷到形成有像素界定层的玻璃基板上,以形成有机发光层。
相关技术中像素界定层包括:层叠设置在衬底基板上的亲液层和疏液层。喷墨打印时,亲液层对溶解有机发光层的材料的溶液有吸引作用,使溶液流入像素界定层定义的像素区域内,疏液层对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,进而保证溶液在像素区域内的成膜均一性。
但是,有机发光层包括多个膜层,该像素界定层只能在一定程度上对靠近疏液层的膜层的攀爬进行抑制,因此,溶液在像素区域内的成膜均一性还是会受到影响。
发明内容
为了解决现有技术中像素界定层只能在一定程度上对靠近疏液层的膜层的攀爬进行抑制,溶液在像素区域内的成膜均一性还是会受到影响的问题,本发明实施例提供了一种像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种像素界定层,包括:
依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层;
其中,每两个相互接触的子界定层中,远离所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第一正投影位于靠近所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第二正投影内,且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。
可选地,所述第一正投影与所述第二正投影的中心重合。
可选地,所述衬底基板与所述至少两个子界定层之间还设置有亲液子界定层,所述亲液子界定层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述至少两个子界定层在所述衬底基板上的正投影,所述亲液子界定层表现为亲液性。
可选地,所述至少两个子界定层由同一种材料制成。
可选地,所述至少两个子界定层均由含氟感光材料制成。
可选地,所述至少两个子界定层均由旭硝子AGC胶制成。
可选地,所述至少两个子界定层为一体结构。
第二方面,提供了一种像素界定层的制造方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成至少两个子界定层;
其中,每两个相互接触的子界定层中,远离所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第一正投影位于靠近所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第二正投影内,且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。
可选地,所述第一正投影与所述第二正投影的中心重合。
可选地,在所述衬底基板上形成至少两个子界定层之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上形成亲液子界定层,所述亲液子界定层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述至少两个子界定层在所述衬底基板上的正投影,所述亲液子界定层表现为亲液性。
可选地,所述在所述衬底基板上形成至少两个子界定层,包括:
在所述衬底基板上形成子界定薄膜层;
从所述子界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述子界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述子界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述子界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述至少两个子界定层。
可选地,所述子界定薄膜层由由含氟感光材料制成。
可选地,所述半色调掩膜版包括至少两个透光区域,所述至少两个透光区域的透光程度不同,所述采用半色调掩膜版对所述子界定薄膜层进行曝光,包括:
透过所述至少两个透光区域对所述子界定薄膜层进行曝光,使曝光后的子界定薄膜层形成至少两个曝光区域,其中,所述曝光后的子界定薄膜层的各个曝光区域在显影后的厚度不同。
第三方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层为第一方面任一所述的像素界定层。
可选地,所述显示基板还包括:设置在所述衬底基板和所述像素界定层之间的阳极,以及设置在所述阳极远离所述衬底基板一侧的有机发光层。
可选地,所述有机发光层包括:层叠设置的至少两个子层,所述至少两个子层包括:第一子层和第二子层,所述像素界定层包括:至少两个子界定层,所述像素界定层包括的子界定层的个数与所述有机发光层包括的子层的个数相同,所述至少两个子界定层包括:层叠设置在所述衬底基板上的第一子界定层和第二子界定层,所述第一子界定层的厚度与所述第一子层的厚度相同,所述第二子界定层的厚度与所述第二子层的厚度相同。
第四方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:第三方面任一所述的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明实施例提供的像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板,像素界定层包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,进而有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-1是相关技术中膜层形成咖啡环的示意图;
图1-2是相关技术中一种像素界定层的结构示意图;
图1-3是相关技术中另一种像素界定层的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种像素界定层的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种像素界定层的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种像素界定层的制造方法的流程图;
图5-1是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成亲液子界定层后的结构示意图;
图5-2是本发明实施例提供的一种在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成至少两个子界定层的方法流程图;
图5-3是本发明实施例提供的一种在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成子界定薄膜层后的结构示意图;
图5-4是本发明实施例提供的一种使用半色调掩膜版对子界定薄膜层进行曝光的示意图;
图5-5是本发明实施例提供的又一种像素界定层的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
OLED显示器相对于液晶显示器具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳和轻薄等优点,制造有机电致发光器件中的膜层的方法主要有真空蒸镀和溶液制程两种。真空蒸镀适用于有机小分子材料的成膜,具有成膜均匀性好和技术相对成熟的优点,已应用于量产中。溶液制程包括旋涂、喷墨打印和喷嘴涂覆法等方法,其中,喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。喷墨打印技术需要预先在形成有阳极的衬底基板上形成像素界定层,以限定喷墨打印的溶液能够精确地流入指定的R/G/B亚像素区。
相关技术中,像素界定层在厚度方向上的截面呈“正置”的梯形,且像素界定层由疏液材料制成,由于喷墨打印的溶液与像素界定层接触处存在表面能差异、以及像素界定层的侧面具有一定的倾斜角度且溶液具有一定的干燥特性,溶液在像素界定层上会有一定程度的攀爬,导致溶液干燥后形成的有机发光层容易出现边缘厚中间薄(即图1-1虚线方框中所示的咖啡环效应)的现象,其一方面会导致像素边缘因出现小孔而漏电,另一方面,由于有机发光层的膜厚不均,像素内亮度的均匀性也会受到影响。相对于该像素界定层,图1-2和图1-3所示的像素界定层能够在一定程度上抑制溶液在像素界定层上的攀爬。
具体地,图1-2所示的像素界定层00包括依次层叠设置在衬底基板001上的亲液层002(通常由氧化硅或氮化硅制成)和疏液层003,亲液层002对溶液的吸引作用能够保证溶液流入像素区域内,且其能够减小其与阳极的材料性质差异和膜层之间的高度段差,疏液层003对溶液的排斥作用能够抑制溶液在像素界定层上的攀爬,以避免像素边缘出现小孔和提高像素内亮度的均匀性。图1-3所示的像素界定层01由含氟材料制成,对该材料加热后材料中的含氟成分会上移至像素界定层的表面(图1-3中点填充的部分),使得像素界定层的侧面表现为亲液性,像素界定层的表面表现为疏液性,因此,该像素界定层能够在一定程度抑制溶液在像素界定层上的攀爬。但是,当有机发光层包括多个膜层时,图1-2和图1-3所示的像素界定层只能在一定程度上对靠近疏液层的膜层的攀爬进行抑制,因此,在喷墨打印有机发光层中的其他膜层的溶液时,该溶液在像素界定层上还是会有一定程度的攀爬,即溶液在像素区域内的成膜均一性还是会受到影响。
针对相关技术存在的以上问题,本发明实施例提供了一种像素界定层02,如图2所示,该像素界定层02可以包括:依次层叠设置在衬底基板021上的至少两个子界定层022(本发明实施例以像素界定层包括四个子界定层0221、0222、0223和0224为例进行说明)。
其中,每两个相互接触的子界定层中,远离衬底基板021的子界定层在衬底基板021上的第一正投影位于靠近衬底基板021的子界定层在衬底基板021上的第二正投影内,且第一正投影的边缘与第二正投影的边缘不重合(如图2所示,四个子界定层0221、0222、0223和0224在衬底基板上的正投影A1、A2、A3和A4依次减小,且A1、A2、A3和A4的边缘互不重合),且每个子界定层平行于衬底基板021的表面(理想状态下,每个子界定层在水平方向上的表面与衬底基板是平行的,但是实际应用中,由于工艺误差等因素的存在,子界定层在水平方向上的表面与衬底基板可能存在微小的夹角,此时,也可以将该子界定层的表面与衬底基板视为平行)表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。
需要说明的是,上述第一正投影的边缘与第二正投影的边缘不重合是指两者的边缘错开一定的距离,且通过调节两者错开的距离,以及调节子界定层的厚度,并结合每个子界定层表面的亲液性和每个子界定层侧面疏液性,能够相应地调节溶液在像素界定层上的攀爬程度,进而提高溶液在像素区域内的成膜均一性。
还需要说明的是,图2中仅示出了一个像素区域两侧的两个像素界定层,其中,示出了左侧的像素界定层的完整的结构,仅示出了右侧的像素界定层左侧的结构,该右侧的像素界定层右侧的结构请参考左侧的像素界定层的结构,且其他像素区域两侧的两个像素界定层的结构也请参考左侧的像素界定层的结构(即像素界定层的侧面具有类似于台阶的结构)。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层,包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性。
可选地,第一正投影与第二正投影的中心可以重合,如图2所示,正投影A1、A2、A3和A4的中心重合。这样可以使每个像素界定层的左侧与右侧对称,使得两者对像素界定层左侧和右侧的像素区域内的膜层的攀爬程度几乎相同,进一步提高了溶液在像素区域内的成膜均一性。
进一步地,如图3所示,衬底基板021与至少两个子界定层022之间还可以设置有亲液子界定层023,亲液子界定层023在衬底基板021上的正投影覆盖至少两个子界定层022在衬底基板021上的正投影。该亲液子界定层023表现为亲液性,能够进一步地保证喷墨打印时的溶液进入像素区域内。
可选地,像素界定层中的至少两个子界定层可以由同一种材料制成。当其由同一种材料制成,该至少两个子界定层能够通过一次构图工艺形成,进而简化像素界定层的制造工艺。示例地,至少两个子界定层可以均由含氟感光材料制成,例如:该至少两个子界定层可以均由旭硝子AGC胶制成。子界定层的材料含氟,使得在对形成子界定层的子界定薄膜层进行烘烤时,材料中的含氟成分能够上移至子界定层的表面,使得烘烤后形成的子界定层的表面表现为疏液性,子界定层的侧面表现为亲液性。
并且,至少两个子界定层可以为一体结构。该至少两个子界定层为一体结构时,该至少两个子界定层能够由一个子界定薄膜层经过多次构图工艺后形成,或者,该至少两个子界定层能够由一个子界定薄膜层通过透光率不同的掩膜版、经过一次构图工艺后形成,且当至少两个子界定层由一个子界定薄膜层经过一次构图工艺后形成时,能够简化制造像素界定层的制造工艺。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层,包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性。并且,相对于相关技术中的像素界定层,本发明实施例提供的像素界定层还能够简化像素界定层的制造工艺,进而降低出现像素界定层制作不良的几率,且降低像素界定层的制造成本。
本发明实施例提供了一种像素界定层的制造方法,如图4所示,该方法可以包括:
步骤401、提供衬底基板。
衬底基板可以为透明基板,其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且非金属材料制成的基板。
步骤402、在衬底基板上形成亲液子界定层。
其中,亲液子界定层表现为亲液性。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition;简称:PECVD)等方法在衬底基板上沉积一层具有一定厚度的亲液材料,得到亲液材料膜层,然后通过构图工艺对亲液材料膜层进行处理得到具有一定图形的亲液子界定层。其中,构图工艺包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。可选地,亲液材料可以为二氧化硅和氮化硅等亲液材料中的任意一种。示例地,请参考图5-1,其示出了本发明实施例提供的一种在衬底基板021上形成亲液子界定层023后的结构示意图。
需要说明的是,在基板上形成亲液子界定层之前,该基板上还可以形成有薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)阵列、平坦层以及阳极等结构。
步骤403、在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成至少两个子界定层。
其中,亲液子界定层在衬底基板上的正投影覆盖至少两个子界定层在衬底基板上的正投影,每两个相互接触的子界定层中,远离衬底基板的子界定层在衬底基板上的第一正投影位于靠近衬底基板的子界定层在衬底基板上的第二正投影内,且第一正投影的边缘与第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。可选地,该第一正投影与第二正投影的中心可以重合。示例地,在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成至少两个子界定层022后的结构示意图请参考图3。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层的制造方法,通过该方法制造的像素界定层包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性。
在一种可实现方式中,步骤403中在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成至少两个子界定层的过程,如图5-2所示,可以包括:
步骤4031、在形成有亲液子界定层的衬底基板上形成子界定薄膜层。
可选地,可以在形成有亲液子界定层的衬底基板上涂覆一层具有一定厚度的含氟感光材料,得到子界定薄膜层。可选地,含氟感光材料可以为旭硝子AGC胶。子界定薄膜层的材料含氟,能够使根据该子界定薄膜层形成的至少两个子界定层的表面表现为疏液性,子界定层的侧面表现为亲液性。
示例地,请参考图5-3,其示出了本发明实施例提供的一种在形成有亲液子界定层023的衬底基板021上形成子界定薄膜层Z后的结构示意图。
步骤4032、从子界定薄膜层远离衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对子界定薄膜层进行曝光。
该半色调掩膜版包括至少两个透光区域,该至少两个透光区域的透光程度不同,例如:请参考图5-4中所示的半色调掩膜版Y,该半色调掩膜版Y包括5个透光区域(灰度相同的部分为一个透光区域)。当半色调掩膜版中透光区域的透光程度不同时,透过该至少两个透光区域对子界定薄膜层进行曝光后就能够形成至少两个曝光程度不同的曝光区域,且曝光后的子界定薄膜层的各个曝光区域在显影后的厚度不同。示例地,透过半色调掩膜版Y对子界定薄膜层进行曝光后得到5个曝光程度不同的曝光区域,对该5个曝光区域进行显影后得到图5-5所示的5个区域,其分别为区域B1、B2、B3、B4和B5,该5个区域在垂直于衬底基板方向上的厚度不同(其中,区域B5的厚度为0),各个区域的厚度请参考图5-5中所示厚度。需要说明的是,在理想状态下,该5个区域在平行于衬底基板的表面应为平面,但是,在实际曝光和显影过程中,由于材料等因素的影响,该5个区域的连接处会产生如图5-5所示的倾角。
下面分别以子界定薄膜层由正性光刻胶和负性光刻胶制成为例,对该曝光过程进行说明。
示例地,当子界定薄膜层Z由正性光刻胶(例如:旭硝子AGC胶)制成时,使用半色调掩膜版Y对子界定薄膜层Z进行曝光的示意图请参考图5-4,其中,半色调掩膜版灰度的深浅表示透光率的大小,且灰度越深表明透光率越大,也即是,半色调掩膜版灰度的深浅对应其在子界定薄膜层上正投影所覆盖的子界定薄膜层部分需要被曝光的强弱程度,其灰度越深表明子界定薄膜层部分需要被曝光的程度越强,经过该曝光后就能够得到包括有5个曝光程度不同的区域的子界定薄膜层,该5个曝光程度不同的区域包括:与图5-5所示的区域B5对应的完全曝光区域、与图5-5所示的区域B4对应的一个部分曝光区域、与图5-5所示的区域B3对应的另一个部分曝光区域、与图5-5所示的区域B2对应的再一个部分曝光区域,以及与图5-5所示的区域B1对应的非曝光区域。
示例地,当子界定薄膜层Z由负性光刻胶制成时,使用半色调掩膜版Y对子界定薄膜层Z进行曝光的示意图请继续参考图5-4,其中,半色调掩膜版灰度的深浅表示透光率的大小,且灰度越深表明透光率越小,也即是,半色调掩膜版灰度的深浅对应其在子界定薄膜层上正投影所覆盖的子界定薄膜层部分需要被曝光的强弱程度,其灰度越深表明子界定薄膜层部分需要被曝光的程度越弱,经过该曝光后就能够得到包括有5个曝光程度不同的区域的子界定薄膜层,该5个曝光程度不同的区域包括:与图5-5所示的区域B5对应的完全曝光区域、与图5-5所示的区域B4对应的一个部分曝光区域、与图5-5所示的区域B3对应的另一个部分曝光区域、与图5-5所示的区域B2对应的再一个部分曝光区域,以及与图5-5所示的区域B1对应的非曝光区域。
步骤4033、对曝光后的子界定薄膜层进行显影。
对包括有多个不同曝光程度的区域的子界定薄膜层进行显影,能够去除完全曝光区域的含氟感光材料,保留部分曝光区域和非曝光区域的含氟感光材料,经过显影处理后能够得到具有预设形状的子界定薄膜层,该显影后得到的子界定薄膜层的形状请参考图2中至少两个子界定层022的整体呈现的形状,且该至少两个子界定层022分别为层叠设置在衬底基板021上的子界定层0221、0222、0223和0224。显影后得到的子界定薄膜层之所以能够呈现为该形状,是因为子界定薄膜层在曝光时各部分的曝光程度不同,相应的,各部分在显影过程中与显影液的反应程度不同,因此显影后各部分被去除的部分不同。
步骤4034、对显影后的子界定薄膜层进行烘烤处理,以得到至少两个子界定层。
在烘烤过程中,子界定薄膜层中的含氟成分会上移至子界定薄膜层的表面,使得烘烤后形成的子界定层的表面表现为疏液性,子界定层的侧面表现为亲液性。烘烤后形成的至少两个子界定层022的结构请参考图2或图3。
在该实现方式中,至少两个子界定层是形成在衬底基板上的一个子界定薄膜层经过一次构图工艺后形成的,简化了像素界定层的制造工艺。
实际应用中,还可以通过其他可实现方式形成至少两个子界定层,例如:在衬底基板上依次形成每个子界定层,形成每个子界定层的过程均可以包括:涂覆材料、曝光、显影和烘烤;或者,也可以在衬底基板上依次涂覆至少两个材料层,然后采用半色调掩膜版对该至少两个材料层进行曝光、显影和烘烤,以得到至少两个子界定层;或者,还可以在衬底基板上形成一个子界定薄膜层,然后采用多个开口区域不同的掩膜版对子界定薄膜层进行多次曝光,然后对曝光后的子界定薄膜层进行显影和烘烤,以得到至少两个子界定层,本发明实施例对此不做限定。
综上所述,本发明实施例提供的像素界定层的制造方法,通过该方法制造的像素界定层包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性。并且,相对于相关技术中的像素界定层,本发明实施例提供的像素界定层还能够简化像素界定层的制造工艺,进而降低出现像素界定层制作不良的几率,且降低像素界定层的制造成本。
需要说明的是,本发明实施例提供的像素界定层的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整,步骤也可以根据情况进行相应增减,例如:当像素界定层中不包括亲液子界定层时,可以不执行步骤402。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化的方法,都应涵盖在本发明的保护范围之内,因此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示基板,该显示基板可以包括:衬底基板以及设置在衬底基板上的像素界定层,像素界定层为图2或图3所示的像素界定层。
可选地,如图6所示,显示基板还可以包括:设置在衬底基板021和像素界定层02之间的阳极03,以及设置在阳极03远离衬底基板021一侧的有机发光层04。其中,阳极可以由氧化铟锡(英文:Indium tin oxide;简称:ITO)制成。
其中,有机发光层可以包括:层叠设置的至少两个子层,且有机发光层包括的子层的个数与像素界定层包括的子界定层的个数可以相等,该有机发光层中包括的层叠设置的各个子层与像素界定层中包括的层叠设置在衬底基板上的各个子像素层的厚度对应相等,例如:各个子层和各个子像素层的厚度可以均为约几十纳米量级的厚度,例如,当至少两个子层包括第一子层和第二子层,至少两个子界定层包括层叠设置在衬底基板上的第一子界定层和第二子界定层时,第一子界定层的厚度与第一子层的厚度相同,第二子界定层的厚度与第二子层的厚度相同。
实际应用中,制造出的显示基板的结构示意图请参考图6,如图6所示,有机发光层04可以包括:空穴注入层041、空穴传输层042和有机发光材料层043,像素界定层可以包括四个子界定层,其中,第一子界定层的厚度与空穴注入层041的厚度基本相同,第二子界定层的厚度与空穴传输层042的厚度基本相同,第三子界定层的厚度与有机发光材料层043的厚度基本相同。该第一子界定层的厚度与空穴注入层的厚度相同,使得第一子界定层能够抑制用于形成空穴注入层的溶液在第一子界定层上的攀爬,该第二子界定层的厚度与空穴传输层的厚度相同,使得第二子界定层能够抑制用于形成空穴传输层的溶液在第二子界定层上的攀爬,该第三子界定层的厚度与有机发光材料层的厚度相同,使得第三界定层能够抑制用于形成有机发光材料层的溶液在第三子界定层上的攀爬。
需要说明的是,有机发光层远离衬底基板一侧还可以设置有阴极。有机发光层还可以包括:空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层等膜层,本发明实施例对其不做具体限定。
综上所述,本发明实施例提供的显示基板,像素界定层包括依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性,亲液性的侧面对溶液有吸引作用,以保证溶液流入像素区域内,疏液性的表面对溶液有排斥作用,以抑制溶液在像素界定层上的攀爬,该像素界定层通过每个子界定层抑制有机发光层中对应的一个膜层在像素界定层上的攀爬,使得有机发光层包括的多个膜层在像素界定层上的攀爬均被抑制,有效地提高了溶液在像素区域内的成膜均一性,进而提高了像素内亮度的均匀性,使得显示基板的显示品质得到提高。
本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板可以包括:本发明实施例提供的显示基板。
该显示面板可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。示例地,该显示面板可以为OLED显示面板。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种像素界定层,其特征在于,包括:
依次层叠设置在衬底基板上的至少两个子界定层;
其中,每两个相互接触的子界定层中,远离所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第一正投影位于靠近所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第二正投影内,且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。
2.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,所述第一正投影与所述第二正投影的中心重合。
3.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,所述衬底基板与所述至少两个子界定层之间还设置有亲液子界定层,所述亲液子界定层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述至少两个子界定层在所述衬底基板上的正投影,所述亲液子界定层表现为亲液性。
4.根据权利要求1至3任一所述的像素界定层,其特征在于,所述至少两个子界定层由同一种材料制成。
5.根据权利要求1至3任一所述的像素界定层,其特征在于,所述至少两个子界定层均由含氟感光材料制成。
6.根据权利要求1至3任一所述的像素界定层,其特征在于,所述至少两个子界定层均由旭硝子AGC胶制成。
7.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,所述至少两个子界定层为一体结构。
8.一种像素界定层的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成至少两个子界定层;
其中,每两个相互接触的子界定层中,远离所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第一正投影位于靠近所述衬底基板的子界定层在所述衬底基板上的第二正投影内,且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘不重合,且每个子界定层平行于衬底基板的表面表现为疏液性,每个子界定层的侧面表现为亲液性。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述第一正投影与所述第二正投影的中心重合。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成至少两个子界定层之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上形成亲液子界定层,所述亲液子界定层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述至少两个子界定层在所述衬底基板上的正投影,所述亲液子界定层表现为亲液性。
11.根据权利要求8至10任一所述的制造方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成至少两个子界定层,包括:
在所述衬底基板上形成子界定薄膜层;
从所述子界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述子界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述子界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述子界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述至少两个子界定层。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,
所述子界定薄膜层由含氟感光材料制成。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述半色调掩膜版包括至少两个透光区域,所述至少两个透光区域的透光程度不同,所述采用半色调掩膜版对所述子界定薄膜层进行曝光,包括:
透过所述至少两个透光区域对所述子界定薄膜层进行曝光,使曝光后的子界定薄膜层形成至少两个曝光区域,其中,所述曝光后的子界定薄膜层的各个曝光区域在显影后的厚度不同。
14.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层为所述权利要求1至6任一所述的像素界定层。
15.根据权利要求14所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述衬底基板和所述像素界定层之间的阳极,以及设置在所述阳极远离所述衬底基板一侧的有机发光层。
16.根据权利要求15所述的显示基板,其特征在于,所述有机发光层包括:层叠设置的至少两个子层,所述至少两个子层包括:第一子层和第二子层,所述像素界定层包括:至少两个子界定层,所述像素界定层包括的子界定层的个数与所述有机发光层包括的子层的个数相同,所述至少两个子界定层包括:层叠设置在所述衬底基板上的第一子界定层和第二子界定层,所述第一子界定层的厚度与所述第一子层的厚度相同,所述第二子界定层的厚度与所述第二子层的厚度相同。
17.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:权利要求14至16任一所述的显示基板。
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EP18836593.6A EP3671845A4 (en) 2017-08-17 2018-04-25 PIXEL DEFINING LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY BOARD
US16/322,927 US10957751B2 (en) 2017-08-17 2018-04-25 Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display substrate, display panel

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108538886A (zh) * 2018-03-28 2018-09-14 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置
CN108598110A (zh) * 2018-04-23 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件
US10153333B1 (en) 2017-07-24 2018-12-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing an OLED backplate and method for manufacturing an OLED panel
WO2019019236A1 (zh) * 2017-07-24 2019-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法
WO2019033781A1 (zh) * 2017-08-17 2019-02-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
CN109411411A (zh) * 2018-12-07 2019-03-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa阵列基板的制作方法及液晶显示器
CN110416279A (zh) * 2019-08-07 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN110534552A (zh) * 2019-09-09 2019-12-03 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板及掩模板
CN110828521A (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN111710709A (zh) * 2020-07-02 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112420795A (zh) * 2020-11-18 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN112885885A (zh) * 2021-02-01 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN113437125A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 合肥京东方卓印科技有限公司 一种像素界定层、显示基板及显示装置
EP3846212A4 (en) * 2018-08-31 2022-06-15 Boe Technology Group Co., Ltd. PIXEL DEFINING STRUCTURE, DISPLAY PANEL AND METHOD OF PREPARING IT, AND DISPLAY APPARATUS
WO2024021072A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192875B (zh) * 2018-09-04 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 背板及制造方法、显示基板及制造方法和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7763314B2 (en) * 2008-01-29 2010-07-27 Motorola, Inc. Forming an electrowetting module having a hydrophilic grid
CN102623399A (zh) * 2012-03-25 2012-08-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
CN104538351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104733505A (zh) * 2015-03-19 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 发光显示器的像素界定层及其制作方法
CN105774279A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015197956A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR102365911B1 (ko) * 2014-10-17 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107527939B (zh) 2017-08-17 2020-07-07 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
CN107591432B (zh) * 2017-09-27 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及制造方法、显示装置
CN107887423B (zh) * 2017-11-14 2019-08-13 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN108470752A (zh) * 2018-03-27 2018-08-31 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法和显示基板
CN109148727B (zh) * 2018-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及制备方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7763314B2 (en) * 2008-01-29 2010-07-27 Motorola, Inc. Forming an electrowetting module having a hydrophilic grid
CN102623399A (zh) * 2012-03-25 2012-08-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
CN104538351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104733505A (zh) * 2015-03-19 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 发光显示器的像素界定层及其制作方法
CN105774279A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10153333B1 (en) 2017-07-24 2018-12-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing an OLED backplate and method for manufacturing an OLED panel
WO2019019236A1 (zh) * 2017-07-24 2019-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法
WO2019033781A1 (zh) * 2017-08-17 2019-02-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
US10957751B2 (en) 2017-08-17 2021-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display substrate, display panel
CN108538886B (zh) * 2018-03-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置
CN108538886A (zh) * 2018-03-28 2018-09-14 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置
US10811476B2 (en) 2018-03-28 2020-10-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel definition layer, manufacturing method thereof, display substrate and display device
CN108598110B (zh) * 2018-04-23 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件
CN108598110A (zh) * 2018-04-23 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件
EP3846212A4 (en) * 2018-08-31 2022-06-15 Boe Technology Group Co., Ltd. PIXEL DEFINING STRUCTURE, DISPLAY PANEL AND METHOD OF PREPARING IT, AND DISPLAY APPARATUS
CN109411411A (zh) * 2018-12-07 2019-03-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa阵列基板的制作方法及液晶显示器
CN110416279A (zh) * 2019-08-07 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN110534552A (zh) * 2019-09-09 2019-12-03 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板及掩模板
US11165023B2 (en) 2019-09-09 2021-11-02 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing display substrate, display panel, and mask
CN110828521A (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN111710709A (zh) * 2020-07-02 2020-09-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112420795A (zh) * 2020-11-18 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN112885885A (zh) * 2021-02-01 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN113437125A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 合肥京东方卓印科技有限公司 一种像素界定层、显示基板及显示装置
CN113437125B (zh) * 2021-06-24 2023-07-28 合肥京东方卓印科技有限公司 一种像素界定层、显示基板及显示装置
WO2024021072A1 (zh) * 2022-07-29 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

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