JP2003308031A - アクティブマトリクス有機電界発光素子 - Google Patents

アクティブマトリクス有機電界発光素子

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JP2003308031A JP2003067918A JP2003067918A JP2003308031A JP 2003308031 A JP2003308031 A JP 2003308031A JP 2003067918 A JP2003067918 A JP 2003067918A JP 2003067918 A JP2003067918 A JP 2003067918A JP 2003308031 A JP2003308031 A JP 2003308031A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率を向上させて輝度を高めることができ
るアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 本発明はアクティブマトリクス有機電界
発光素子に関する。一般的なアクティブマトリクス有機
電界発光素子ではパワーラインがデータ配線と平行な方
向を有するように形成されていて、画素電極の面積が小
さくなるので開口率が低くなり、これにより輝度が低下
する。このような問題を解決するために、本発明による
アクティブマトリクス有機電界発光素子ではパワーライ
ンをゲート配線と平行に横方向に形成することによっ
て、画素電極の面積を増やして開口率を高めて、輝度を
向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
係り、さらに詳細には薄膜トランジスタを利用したアク
ティブマトリクス有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在テレビジョンやモニターのようなデ
ィスプレー装置には陰極線管（ＣＲＴ）が主装置として
利用されているが、これは重量と体積が大きくて駆動電
圧が高い問題がある。このため、薄形化、軽量化、低消
費電力化などの優秀な特性を有する平板表示装置の必要
性が高まっており、液晶表示装置（ＬＣＤ）とプラズマ
表示装置（ＰＤＰ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、そ
して電界発光表示装置（または電界発光素子ともいう）
（ＥＬＤ）のような多様な平板表示装置が研究及び開発
されている。
【０００３】これらのうち、電界発光素子は、蛍光体に
一定以上の電界が掛かれば光が発生する電界発光（Ｅ
Ｌ）現象を利用した表示素子であって、キャリアの励起
を起こすソースによって無機電界発光素子と有機電界発
光素子に分けることができる。
【０００４】このうち、有機電界発光素子が青色をはじ
めとする可視光線の全領域の光が出るので天然色表示素
子として注目されており、高輝度と低動作電圧特性を有
する。また自己発光型であるのでコントラスト比が大き
くて、超薄型ディスプレーの具現が可能であり、工程が
簡単で環境汚染が比較的少ない。一方、応答時間が数マ
イクロ秒程度で動画像具現がやさしくて、視野角の制限
がなくて低温でも安定的であって、直流５Ｖないし１５
Ｖの低い電圧で駆動するので駆動回路の製作及び設計が
容易である。
【０００５】このような有機電界発光素子は、構造が無
機電気発光素子と同様であるが、発光原理は電子と正孔
の再結合による発光でなされるので有機ＬＥＤと指称す
ることもある。
【０００６】複数の画素をマトリックス状に配列して各
画素に薄膜トランジスタを連結したアクティブマトリク
ス形態が平板表示装置に広く利用されるので、これを有
機電界発光素子に適用したアクティブマトリクス有機電
界発光素子について添付した図面を参照しながら説明す
る。
【０００７】図１は、アクティブマトリクス有機電界発
光素子の一画素に対する回路構造を示したものであっ
て、図示したようにアクティブマトリクス有機電界発光
素子の一画素はスイッチング薄膜トランジスタ４とドラ
イビング薄膜トランジスタ５、ストレージキャパシタ
６、そして発光ダイオード７からなる。
【０００８】ここで、スイッチング薄膜トランジスタ４
のゲート電極は、ゲート配線１と連結されており、ソー
ス電極はデータ配線２と連結されている。スイッチング
薄膜トランジスタ４のドレイン電極はドライビング薄膜
トランジスタ５のゲート電極と連結されていて、ドライ
ビング薄膜トランジスタ５のドレイン電極は発光ダイオ
ード７のアノード電極と連結されている。ドライビング
薄膜トランジスタ５のソース電極はパワーライン３と連
結されていて、発光ダイオード７のカソード電極は接地
されている。次に、ストレージキャパシタ６がドライビ
ング薄膜トランジスタ５のゲート電極及びソース電極と
連結されている。
【０００９】したがって、ゲート配線１を通して信号が
印加されればスイッチング薄膜トランジスタ４がオンさ
れて、データ配線２からの画像信号がスイッチング薄膜
トランジスタ４を通してストレージキャパシタ６に貯蔵
される。この画像信号はドライビング薄膜トランジスタ
５のゲート電極に伝えられてドライビング薄膜トランジ
スタ５を作動させて発光ダイオード７を通して光が出力
されるので、このとき発光ダイオード７に流れる電流を
制御することによって輝度を調節する。ここで、スイッ
チング薄膜トランジスタ４がオフされてもストレージキ
ャパシタ６に貯蔵された電圧値によりドライビング薄膜
トランジスタ５を駆動するために、次の画面の画像信号
が入る時まで継続的に電流が発光ダイオード７に流れて
光を発する。
【００１０】このようなアクティブマトリクス有機電界
発光素子において一画素に対する平面図を図２に示し
た。
【００１１】図２に示したように、ゲート配線２１とデ
ータ配線２２が交差して一つの画素領域Ｐを定義して、
ゲート配線２１とデータ配線２２が交差する部分にはス
イッチング薄膜トランジスタＴＳが形成されてゲート配
線２１及びデータ配線２２と連結されている。
【００１２】続いて、画素領域Ｐ内にはスイッチング薄
膜トランジスタＴＳと連結されたドライビング薄膜トラ
ンジスタＴＤが形成されていて、ドライビング薄膜トラ
ンジスタＴＤのゲート電極４１はスイッチング薄膜トラ
ンジスタＴＳのドレイン電極３１と連結されており、ド
ライビング薄膜トランジスタＴＤのソース電極４２はデ
ータ配線２２と平行な方向を有するパワーライン５１と
連結されていて、ドレイン電極４３は透明導電物質から
なる画素電極６１と連結されている。
【００１３】一方、パワーライン５１と連結された第１
キャパシタ電極５２が画素領域Ｐに形成されており、多
結晶シリコンからなるドライビング薄膜トランジスタＴ
Ｄのゲート電極４１と連結された第２キャパシタ電極７
１、７２がパワーライン５１及び第１キャパシタ電極５
１と重畳してストレージキャパシタを形成する。
【００１４】このようなアクティブマトリクス有機電界
発光素子では画素領域内に複数の薄膜トランジスタを含
み、パワーラインが縦方向に延びていて画素領域内で占
める面積が大きい。したがって、画素電極の面積が小さ
くなるので開口率が低くなって、これにより輝度が低下
する問題がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した関連
技術の問題点を解決するために案出されたものであり、
本発明の目的は開口率を向上させて輝度を高めることが
できるアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供す
ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ための本発明は、基板と；前記基板上部に形成されるゲ
ートラインと；前記基板上部に形成されて前記ゲートラ
インと交差して画素領域を定義するデータラインと；前
記ゲートライン及びデータラインと連結される第１スイ
ッチング薄膜トランジスタと；前記第１スイッチング薄
膜トランジスタと連結される第１ドライビング薄膜トラ
ンジスタと；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと
連結されて前記ゲートラインと平行に形成されるパワー
ラインと；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連
結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極
と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結され
て、前記画素領域に形成される画素電極とを含むアクテ
ィブマトリクス有機電界発光素子を提供する。
【００１７】前記ゲートラインとパワーラインは、横方
向に形成され、前記データラインは縦方向に形成され
る。前記パワーラインは隣接する画素領域のパワーライ
ンと連結されて、前記パワーラインは前記ゲートライン
と同一な物質からなる。
【００１８】前記第１ドライビング薄膜トランジスタ
は、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含んでお
り、前記キャパシタ電極は前記第１ドライビング薄膜ト
ランジスタのゲート電極と連結される。
【００１９】前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結
晶シリコンからなり、前記画素電極は透明導電性物質を
含む。
【００２０】前記第１スイッチング薄膜トランジスタと
連結される第２スイッチング薄膜トランジスタをさらに
含んでおり、前記第１ドライビング薄膜トランジスタ及
び第２スイッチング薄膜トランジスタと連結される第２
ドライビング薄膜トランジスタをさらに含む。
【００２１】さらに、本発明は、基板と；前記基板上部
に形成されるゲートラインと；前記基板上部に形成さ
れ、前記ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短
辺からなる矩形状の画素領域を定義するデータライン
と；前記ゲートライン及びデータラインと連結される第
１スイッチング薄膜トランジスタと；前記第１スイッチ
ング薄膜トランジスタと連結される第１ドライビング薄
膜トランジスタと；前記第１ドライビング薄膜トランジ
スタと連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行に形
成されるパワーラインと；前記第１ドライビング薄膜ト
ランジスタと連結され、前記パワーラインと重畳される
キャパシタ電極と；前記第１ドライビング薄膜トランジ
スタと連結されて、前記画素領域に形成される画素電極
とを含むアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供
する。
【００２２】さらに他の本発明は、基板上部にゲートラ
インを形成する段階と；前記ゲートラインと交差して画
素領域を定義するデータラインを前記基板上部に形成す
る段階と；前記ゲートライン及びデータラインと連結さ
れる第１スイッチング薄膜トランジスタを形成する段階
と；前記第１スイッチング薄膜トランジスタと連結され
る第１ドライビング薄膜トランジスタを形成する段階
と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結され
て前記ゲートラインと平行したパワーラインを形成する
段階と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結
され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を
形成する段階と；前記第１ドライビング薄膜トランジス
タと連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成す
る段階とを含むアクティブマトリクス有機電界発光素子
の製造方法を提供する。
【００２３】また、さらに他の本発明は、基板上部にゲ
ートラインを形成する段階と；ゲートラインと交差して
二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状の画素領域を定
義するデータラインを前記基板上部に形成する段階と；
前記ゲートライン及びデータラインと連結される第１ス
イッチング薄膜トランジスタを形成する段階と；前記第
１スイッチング薄膜トランジスタと連結される第１ドラ
イビング薄膜トランジスタを形成する段階と；前記第１
ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前記画素領
域の二つの短辺と平行したパワーラインを形成する段階
と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結さ
れ、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を形
成する段階と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタ
と連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成する
段階を含むアクティブマトリクス有機電界発光素子の製
造方法を提供する。
【００２４】このように、本発明によるアクティブマト
リクス有機電界発光素子ではパワーラインをゲート配線
と平行な方向に形成することによって、画素電極の面積
を増やして開口率を高めることができて、また輝度を向
上させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照しなが
ら本発明の実施例によるアクティブマトリクス有機電界
発光素子について詳細に説明する。
【００２６】まず、図３は本発明の実施例によるアクテ
ィブマトリクス有機電界発光素子の平面図である。
【００２７】図示したように、横方向のゲート配線１２
１と縦方向のデータ配線１２２が交差して一つの画素領
域Ｐ１を定義していて、ゲート配線１２１とデータ配線
１２２が交差する部分にはスイッチング薄膜トランジス
タＴＳ１が形成されてゲート配線１２１及びデータ配線
１２２と連結されている。ここで、ゲート配線１２１の
一部がスイッチング薄膜トランジスタＴＳ１のゲート電
極になる。
【００２８】続いて、画素領域Ｐ１内にはスイッチング
薄膜トランジスタＴＳ１と連結されたドライビング薄膜
トランジスタＴＤ１が形成されているのに、ドライビン
グ薄膜トランジスタＴＤ１のゲート電極１４１はスイッ
チング薄膜トランジスタＴＳ １のドレイン電極１３１と
連結されている。
【００２９】また、画素領域Ｐ１内には横方向に延びて
隣接する画素領域Ｐ１と連結されていてゲート配線１２
１と平行なパワーライン１５１が形成されていて、この
パワーライン１５１はドライビング薄膜トランジスタＴ
Ｄ１のソース電極１４２と連結されている。このとき、
パワーライン１５１はゲート配線１２１と平行に形成さ
れているので、ゲート配線１２１の形成工程でゲート配
線１２１と同一物質で形成することができ、別途の伝導
性物質を利用して形成することもできる。
【００３０】次に、ドライビング薄膜トランジスタＴ
Ｄ１のドレイン電極１４３は、透明導電物質でなされた
画素電極１６１と連結されている。ここで、画素電極１
６１はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）やイン
ジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ）で構成することが
できる。
【００３１】次に、ドライビング薄膜トランジスタＴ
Ｄ１のゲート電極１４１と連結され、パワーライン１５
１と重畳してストレージキャパシタをなすキャパシタ電
極１７１が形成されている。ここで、キャパシタ電極１
７１は不純物がドーピングされた多結晶シリコンで構成
することができる。
【００３２】このように、本発明による実施例ではパワ
ーライン１５１がゲート配線１２１と平行な横方向に延
びて隣接する画素領域Ｐ１と連結されているので、画素
電極１６１の面積をさらに大きくすることができる。し
たがって、有機電界発光素子の開口率を高めることがで
きる。
【００３３】一方、前述した実施例では一つの画素に薄
膜トランジスタが二個である場合について説明したが、
画質の均一度を高めるために一画素に薄膜トランジスタ
を四個含むようにした場合についても適用することがで
きる。このような場合の画素構造を図４に示した。
【００３４】図示したように、本発明によるさらに他の
アクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素Ｐ２
は、ゲート配線２１１とデータ配線２１２が交差する部
分に形成されており、画素Ｐ２は第１及び第２スイッチ
ング薄膜トランジスタ２１４、２１５と第１及び第２ド
ライビング薄膜トランジスタ２１６、２１７、そしてス
トレージキャパシタ２１８及び発光ダイオード２１９を
含む。
【００３５】ここで、第１及び第２スイッチング薄膜ト
ランジスタ２１４、２１５のゲート電極は、ゲート配線
２１１と連結されており、第１スイッチング薄膜トラン
ジスタ２１４のソース電極はデータ配線２１２と連結さ
れており、第１スイッチング薄膜トランジスタ２１４の
ドレイン電極は第２スイッチング薄膜トランジスタ２１
５のソース電極と連結されている。
【００３６】次に、第１ドライビング薄膜トランジスタ
２１６のソース電極は、第１スイッチング薄膜トランジ
スタ２１４のドレイン電極及び第２スイッチング薄膜ト
ランジスタ２１５のソース電極と連結されていて、第１
ドライビング薄膜トランジスタ２１６のゲート電極は第
２スイッチング薄膜トランジスタ２１５のドレイン電極
及び第２ドライビング薄膜トランジスタ２１７のゲート
電極と連結されている。
【００３７】次に、第２ドライビング薄膜トランジスタ
２１７のソース電極は、第１ドライビング薄膜トランジ
スタ２１６のドレイン電極及びパワーライン２１３と連
結されており、第２ドライビング薄膜トランジスタ２１
７のドレイン電極は発光ダイオード２１９のアノード電
極と連結されている。
【００３８】一方、発光ダイオード２１９のカソード電
極は接地されており、第１及び第２ドライビング薄膜ト
ランジスタ２１６、２１７にはストレージキャパシタ２
１８が連結されている。ストレージキャパシタ２１８の
一電極は第１ドライビング薄膜トランジスタ２１６のド
レイン電極及び第２ドライビング薄膜トランジスタ２１
７のソース電極と連結されていて、他電極は第１及び第
２ドライビング薄膜トランジスタ２１６、２１７のゲー
ト電極と連結されている。
【００３９】したがって、ゲート配線２１１の信号によ
り第１及び第２スイッチング薄膜トランジスタ２１４、
２１５が作動してデータ配線２１２の信号が第１及び第
２ドライビング薄膜トランジスタ２１６、２１７に伝え
られて、この信号により第２ドライビング薄膜トランジ
スタ２１７が作動することによって、パワーライン２１
３の画像信号Ｖｄｄが発光ダイオード２１９に伝えられ
て発光ダイオード２１９から光が出るようになる。
【００４０】前述したように、図４のゲート配線２１１
とパワーライン２１３は平行な方向を有し、横方向に形
成することができるので、パワーライン２１３は隣接画
素領域まで延びることができる。その結果として、画素
電極の面積が拡張されて開口率が改善される。したがっ
てアクティブマトリクス有機電界発光素子の輝度が改善
される。
【００４１】本発明は前記した実施例に限らず、本発明
の精神を外れない限り多様な変化と変形が可能である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によるアクティブマトリクス有機
電界発光素子ではパワーラインを横方向に形成すること
によって、画素電極の面積を大きくして開口率を高める
ことができる。これにより有機電界発光素子の輝度を向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス有機電界発光素子の一画
素についての回路図。
【図２】関連技術におけるアクティブマトリクス有機電
界発光素子の平面図。
【図３】本発明によるアクティブマトリクス有機電界発
光素子の平面図。
【図４】本発明の他の実施例によるアクティブマトリク
ス有機電界発光素子の一画素構造についての回路図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 コ ドー−ヒュン 大韓民国 463−909，ギョンギ−ド，ソン ナム−シ，ブンダン−グ，ジョンジャ−ド ン，エルジー アパートメント 208− 1301 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 DB03 GA00 5C094 AA10 BA03 BA29 CA19 DB01 EA04 EA07 FA01 FB01 FB12 FB14 GB10 HA08 5F110 AA30 HM19 NN71 NN73

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と；前記基板上部に形成されるゲー
    トラインと；前記基板上部に形成されて前記ゲートライ
    ンと交差して画素領域を定義するデータラインと；前記
    ゲートライン及びデータラインと連結される第１スイッ
    チング薄膜トランジスタと；前記第１スイッチング薄膜
    トランジスタと連結される第１ドライビング薄膜トラン
    ジスタと；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連
    結されて前記ゲートラインと平行に形成されるパワーラ
    インと；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結
    され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極
    と；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結され
    て、前記画素領域に形成される画素電極とを含むことを
    特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子。
  2. 【請求項２】 前記ゲートラインとパワーラインは、横
    方向に形成され、前記データラインは縦方向に形成され
    ることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリ
    クス有機電界発光素子。
  3. 【請求項３】 前記パワーラインは、隣接する画素領域
    のパワーラインと連結されることを特徴とする請求項１
    に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
  4. 【請求項４】 前記パワーラインは、前記ゲートライン
    と同一な物質でなされたことを特徴とする請求項１に記
    載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
  5. 【請求項５】 前記第１ドライビング薄膜トランジスタ
    は、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含むことを
    特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス有機
    電界発光素子。
  6. 【請求項６】 前記キャパシタ電極は、前記第１ドライ
    ビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結されること
    を特徴とする請求項５に記載のアクティブマトリクス有
    機電界発光素子。
  7. 【請求項７】 前記キャパシタ電極は、不純物を含む多
    結晶シリコンでなされたことを特徴とする請求項１に記
    載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
  8. 【請求項８】 前記画素電極は、透明導電性物質を含む
    ことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリク
    ス有機電界発光素子。
  9. 【請求項９】 前記第１スイッチング薄膜トランジスタ
    と連結される第２スイッチング薄膜トランジスタをさら
    に含むことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマ
    トリクス有機電界発光素子。
  10. 【請求項１０】 前記第１ドライビング薄膜トランジス
    タ及び第２スイッチング薄膜トランジスタと連結される
    第２ドライビング薄膜トランジスタをさらに含むことを
    特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス有機
    電界発光素子。
  11. 【請求項１１】 基板と；前記基板上部に形成されるゲ
    ートラインと；前記基板上部に形成され、前記ゲートラ
    インと交差して二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状
    の画素領域を定義するデータラインと；前記ゲートライ
    ン及びデータラインと連結される第１スイッチング薄膜
    トランジスタと；前記第１スイッチング薄膜トランジス
    タと連結される第１ドライビング薄膜トランジスタと；
    前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前
    記画素領域の二つの短辺と平行に形成されるパワーライ
    ンと；前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結さ
    れ、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極と；
    前記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、
    前記画素領域に形成される画素電極とを含むことを特徴
    とするアクティブマトリクス有機電界発光素子。
  12. 【請求項１２】 基板上部にゲートラインを形成する段
    階と；前記ゲートラインと交差して画素領域を定義する
    データラインを前記基板上部に形成する段階と；前記ゲ
    ートライン及びデータラインと連結される第１スイッチ
    ング薄膜トランジスタを形成する段階と；前記第１スイ
    ッチング薄膜トランジスタと連結される第１ドライビン
    グ薄膜トランジスタを形成する段階と；前記第１ドライ
    ビング薄膜トランジスタと連結されて前記ゲートライン
    と平行したパワーラインを形成する段階と；前記第１ド
    ライビング薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラ
    インと重畳されるキャパシタ電極を形成する段階と；前
    記第１ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、前
    記画素領域を覆う画素電極を形成する段階とを含むこと
    を特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子の
    製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記ゲートラインとパワーラインは、
    横方向に形成され、前記データラインは縦方向に形成さ
    れることを特徴とする請求項１２に記載のアクティブマ
    トリクス有機電界発光素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記パワーラインは、隣接する画素領
    域のパワーラインと連結されることを特徴とする請求項
    １２に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記パワーラインは、前記ゲートライ
    ンと同一な物質でなされたことを特徴とする請求項１２
    に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１ドライビング薄膜トランジス
    タは、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含むこと
    を特徴とする請求項１２に記載のアクティブマトリクス
    有機電界発光素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記キャパシタ電極は、前記第１ドラ
    イビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結されるこ
    とを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリク
    ス有機電界発光素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記キャパシタ電極は、不純物を含む
    多結晶シリコンでなされたことを特徴とする請求項１２
    に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造
    方法。
  19. 【請求項１９】 前記画素電極は、透明導電性物質を含
    むことを特徴とする請求項１２に記載のアクティブマト
    リクス有機電界発光素子の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１スイッチング薄膜トランジス
    タと連結される第２スイッチング薄膜トランジスタをさ
    らに含むことを特徴とする請求項１２に記載のアクティ
    ブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記第１ドライビング薄膜トランジス
    タ及び第２スイッチング薄膜トランジスタと連結される
    第２ドライビング薄膜トランジスタをさらに含むことを
    特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス有
    機電界発光素子の製造方法。
  22. 【請求項２２】 基板上部にゲートラインを形成する段
    階と；ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短辺
    からなる矩形状の画素領域を定義するデータラインを前
    記基板上部に形成する段階と；前記ゲートライン及びデ
    ータラインと連結される第１スイッチング薄膜トランジ
    スタを形成する段階と；前記第１スイッチング薄膜トラ
    ンジスタと連結される第１ドライビング薄膜トランジス
    タを形成する段階と；前記第１ドライビング薄膜トラン
    ジスタと連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行し
    たパワーラインを形成する段階と；前記第１ドライビン
    グ薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラインと重
    畳されるキャパシタ電極を形成する段階と；前記第１ド
    ライビング薄膜トランジスタと連結されて、前記画素領
    域を覆う画素電極を形成する段階とを含むことを特徴と
    するアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方
    法。
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