JP4220277B2 - アクティブマトリクス有機電界発光素子 - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 141
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子に係り、さらに詳細には薄膜トランジスタを利用したアクティブマトリクス有機電界発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在テレビジョンやモニターのようなディスプレー装置には陰極線管(CRT)が主装置として利用されているが、これは重量と体積が大きくて駆動電圧が高い問題がある。このため、薄形化、軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板表示装置の必要性が高まっており、液晶表示装置(LCD)とプラズマ表示装置(PDP)、電界放出表示装置(FED)、そして電界発光表示装置(または電界発光素子ともいう)(ELD)のような多様な平板表示装置が研究及び開発されている。
【0003】
これらのうち、電界発光素子は、蛍光体に一定以上の電界が掛かれば光が発生する電界発光(EL)現象を利用した表示素子であって、キャリアの励起を起こすソースによって無機電界発光素子と有機電界発光素子に分けることができる。
【0004】
このうち、有機電界発光素子が青色をはじめとする可視光線の全領域の光が出るので天然色表示素子として注目されており、高輝度と低動作電圧特性を有する。また自己発光型であるのでコントラスト比が大きくて、超薄型ディスプレーの具現が可能であり、工程が簡単で環境汚染が比較的少ない。一方、応答時間が数マイクロ秒程度で動画像具現がやさしくて、視野角の制限がなくて低温でも安定的であって、直流5Vないし15Vの低い電圧で駆動するので駆動回路の製作及び設計が容易である。
【0005】
このような有機電界発光素子は、構造が無機電気発光素子と同様であるが、発光原理は電子と正孔の再結合による発光でなされるので有機LEDと指称することもある。
【0006】
複数の画素をマトリックス状に配列して各画素に薄膜トランジスタを連結したアクティブマトリクス形態が平板表示装置に広く利用されるので、これを有機電界発光素子に適用したアクティブマトリクス有機電界発光素子について添付した図面を参照しながら説明する。
【0007】
図1は、アクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素に対する回路構造を示したものであって、図示したようにアクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素はスイッチング薄膜トランジスタ4とドライビング薄膜トランジスタ5、ストレージキャパシタ6、そして発光ダイオード7からなる。
【0008】
ここで、スイッチング薄膜トランジスタ4のゲート電極は、ゲート配線1と連結されており、ソース電極はデータ配線2と連結されている。スイッチング薄膜トランジスタ4のドレイン電極はドライビング薄膜トランジスタ5のゲート電極と連結されていて、ドライビング薄膜トランジスタ5のドレイン電極は発光ダイオード7のアノード電極と連結されている。ドライビング薄膜トランジスタ5のソース電極はパワーライン3と連結されていて、発光ダイオード7のカソード電極は接地されている。次に、ストレージキャパシタ6がドライビング薄膜トランジスタ5のゲート電極及びソース電極と連結されている。
【0009】
したがって、ゲート配線1を通して信号が印加されればスイッチング薄膜トランジスタ4がオンされて、データ配線2からの画像信号がスイッチング薄膜トランジスタ4を通してストレージキャパシタ6に貯蔵される。この画像信号はドライビング薄膜トランジスタ5のゲート電極に伝えられてドライビング薄膜トランジスタ5を作動させて発光ダイオード7を通して光が出力されるので、このとき発光ダイオード7に流れる電流を制御することによって輝度を調節する。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ4がオフされてもストレージキャパシタ6に貯蔵された電圧値によりドライビング薄膜トランジスタ5を駆動するために、次の画面の画像信号が入る時まで継続的に電流が発光ダイオード7に流れて光を発する。
【0010】
このようなアクティブマトリクス有機電界発光素子において一画素に対する平面図を図2に示した。
【0011】
図2に示したように、ゲート配線21とデータ配線22が交差して一つの画素領域Pを定義して、ゲート配線21とデータ配線22が交差する部分にはスイッチング薄膜トランジスタTSが形成されてゲート配線21及びデータ配線22と連結されている。
【0012】
続いて、画素領域P内にはスイッチング薄膜トランジスタTSと連結されたドライビング薄膜トランジスタTDが形成されていて、ドライビング薄膜トランジスタTDのゲート電極41はスイッチング薄膜トランジスタTSのドレイン電極31と連結されており、ドライビング薄膜トランジスタTDのソース電極42はデータ配線22と平行な方向を有するパワーライン51と連結されていて、ドレイン電極43は透明導電物質からなる画素電極61と連結されている。
【0013】
一方、パワーライン51と連結された第1キャパシタ電極52が画素領域Pに形成されており、多結晶シリコンからなるドライビング薄膜トランジスタTDのゲート電極41と連結された第2キャパシタ電極71、72がパワーライン51及び第1キャパシタ電極51と重畳してストレージキャパシタを形成する。
【0014】
このようなアクティブマトリクス有機電界発光素子では画素領域内に複数の薄膜トランジスタを含み、パワーラインが縦方向に延びていて画素領域内で占める面積が大きい。したがって、画素電極の面積が小さくなるので開口率が低くなって、これにより輝度が低下する問題がある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記した関連技術の問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は開口率を向上させて輝度を高めることができるアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するための本発明は、基板と;前記基板上部に形成されるゲートラインと;前記基板上部に形成されて前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと;前記ゲートライン及びデータラインと連結される第1スイッチング薄膜トランジスタと;前記第1スイッチング薄膜トランジスタと連結される第1ドライビング薄膜トランジスタと;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前記ゲートラインと平行に形成されるパワーラインと;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、前記画素領域に形成される画素電極とを含むアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供する。
【0017】
前記ゲートラインとパワーラインは、横方向に形成され、前記データラインは縦方向に形成される。前記パワーラインは隣接する画素領域のパワーラインと連結されて、前記パワーラインは前記ゲートラインと同一な物質からなる。
【0018】
前記第1ドライビング薄膜トランジスタは、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含んでおり、前記キャパシタ電極は前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結される。
【0019】
前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結晶シリコンからなり、前記画素電極は透明導電性物質を含む。
【0020】
前記第1スイッチング薄膜トランジスタと連結される第2スイッチング薄膜トランジスタをさらに含んでおり、前記第1ドライビング薄膜トランジスタ及び第2スイッチング薄膜トランジスタと連結される第2ドライビング薄膜トランジスタをさらに含む。
【0021】
さらに、本発明は、基板と;前記基板上部に形成されるゲートラインと;前記基板上部に形成され、前記ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状の画素領域を定義するデータラインと;前記ゲートライン及びデータラインと連結される第1スイッチング薄膜トランジスタと;前記第1スイッチング薄膜トランジスタと連結される第1ドライビング薄膜トランジスタと;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行に形成されるパワーラインと;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、前記画素領域に形成される画素電極とを含むアクティブマトリクス有機電界発光素子を提供する。
【0022】
さらに他の本発明は、基板上部にゲートラインを形成する段階と;前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを前記基板上部に形成する段階と;前記ゲートライン及びデータラインと連結される第1スイッチング薄膜トランジスタを形成する段階と;前記第1スイッチング薄膜トランジスタと連結される第1ドライビング薄膜トランジスタを形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前記ゲートラインと平行したパワーラインを形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成する段階とを含むアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【0023】
また、さらに他の本発明は、基板上部にゲートラインを形成する段階と;ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状の画素領域を定義するデータラインを前記基板上部に形成する段階と;前記ゲートライン及びデータラインと連結される第1スイッチング薄膜トランジスタを形成する段階と;前記第1スイッチング薄膜トランジスタと連結される第1ドライビング薄膜トランジスタを形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行したパワーラインを形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を形成する段階と;前記第1ドライビング薄膜トランジスタと連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成する段階を含むアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【0024】
このように、本発明によるアクティブマトリクス有機電界発光素子ではパワーラインをゲート配線と平行な方向に形成することによって、画素電極の面積を増やして開口率を高めることができて、また輝度を向上させることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照しながら本発明の実施例によるアクティブマトリクス有機電界発光素子について詳細に説明する。
【0026】
まず、図3は本発明の実施例によるアクティブマトリクス有機電界発光素子の平面図である。
【0027】
図示したように、横方向のゲート配線121と縦方向のデータ配線122が交差して一つの画素領域P1を定義していて、ゲート配線121とデータ配線122が交差する部分にはスイッチング薄膜トランジスタTS1が形成されてゲート配線121及びデータ配線122と連結されている。ここで、ゲート配線121の一部がスイッチング薄膜トランジスタTS1のゲート電極になる。
【0028】
続いて、画素領域P1内にはスイッチング薄膜トランジスタTS1と連結されたドライビング薄膜トランジスタTD1が形成されているのに、ドライビング薄膜トランジスタTD1のゲート電極141はスイッチング薄膜トランジスタTS1のドレイン電極131と連結されている。
【0029】
また、画素領域P1内には横方向に延びて隣接する画素領域P1と連結されていてゲート配線121と平行なパワーライン151が形成されていて、このパワーライン151はドライビング薄膜トランジスタTD1のソース電極142と連結されている。このとき、パワーライン151はゲート配線121と平行に形成されているので、ゲート配線121の形成工程でゲート配線121と同一物質で形成することができ、別途の伝導性物質を利用して形成することもできる。
【0030】
次に、ドライビング薄膜トランジスタTD1のドレイン電極143は、透明導電物質でなされた画素電極161と連結されている。ここで、画素電極161はインジウム−スズ−オキサイド(ITO)やインジウム−亜鉛−オキサイド(IZO)で構成することができる。
【0031】
次に、ドライビング薄膜トランジスタTD1のゲート電極141と連結され、パワーライン151と重畳してストレージキャパシタをなすキャパシタ電極171が形成されている。ここで、キャパシタ電極171は不純物がドーピングされた多結晶シリコンで構成することができる。
【0032】
このように、本発明による実施例ではパワーライン151がゲート配線121と平行な横方向に延びて隣接する画素領域P1と連結されているので、画素電極161の面積をさらに大きくすることができる。したがって、有機電界発光素子の開口率を高めることができる。
【0033】
一方、前述した実施例では一つの画素に薄膜トランジスタが二個である場合について説明したが、画質の均一度を高めるために一画素に薄膜トランジスタを四個含むようにした場合についても適用することができる。このような場合の画素構造を図4に示した。
【0034】
図示したように、本発明によるさらに他のアクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素P2は、ゲート配線211とデータ配線212が交差する部分に形成されており、画素P2は第1及び第2スイッチング薄膜トランジスタ214、215と第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタ216、217、そしてストレージキャパシタ218及び発光ダイオード219を含む。
【0035】
ここで、第1及び第2スイッチング薄膜トランジスタ214、215のゲート電極は、ゲート配線211と連結されており、第1スイッチング薄膜トランジスタ214のソース電極はデータ配線212と連結されており、第1スイッチング薄膜トランジスタ214のドレイン電極は第2スイッチング薄膜トランジスタ215のソース電極と連結されている。
【0036】
次に、第1ドライビング薄膜トランジスタ216のソース電極は、第1スイッチング薄膜トランジスタ214のドレイン電極及び第2スイッチング薄膜トランジスタ215のソース電極と連結されていて、第1ドライビング薄膜トランジスタ216のゲート電極は第2スイッチング薄膜トランジスタ215のドレイン電極及び第2ドライビング薄膜トランジスタ217のゲート電極と連結されている。
【0037】
次に、第2ドライビング薄膜トランジスタ217のソース電極は、第1ドライビング薄膜トランジスタ216のドレイン電極及びパワーライン213と連結されており、第2ドライビング薄膜トランジスタ217のドレイン電極は発光ダイオード219のアノード電極と連結されている。
【0038】
一方、発光ダイオード219のカソード電極は接地されており、第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタ216、217にはストレージキャパシタ218が連結されている。ストレージキャパシタ218の一電極は第1ドライビング薄膜トランジスタ216のドレイン電極及び第2ドライビング薄膜トランジスタ217のソース電極と連結されていて、他電極は第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタ216、217のゲート電極と連結されている。
【0039】
したがって、ゲート配線211の信号により第1及び第2スイッチング薄膜トランジスタ214、215が作動してデータ配線212の信号が第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタ216、217に伝えられて、この信号により第2ドライビング薄膜トランジスタ217が作動することによって、パワーライン213の画像信号Vddが発光ダイオード219に伝えられて発光ダイオード219から光が出るようになる。
【0040】
前述したように、図4のゲート配線211とパワーライン213は平行な方向を有し、横方向に形成することができるので、パワーライン213は隣接画素領域まで延びることができる。その結果として、画素電極の面積が拡張されて開口率が改善される。したがってアクティブマトリクス有機電界発光素子の輝度が改善される。
【0041】
本発明は前記した実施例に限らず、本発明の精神を外れない限り多様な変化と変形が可能である。
【0042】
【発明の効果】
本発明によるアクティブマトリクス有機電界発光素子ではパワーラインを横方向に形成することによって、画素電極の面積を大きくして開口率を高めることができる。これにより有機電界発光素子の輝度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】アクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素についての回路図。
【図2】関連技術におけるアクティブマトリクス有機電界発光素子の平面図。
【図3】本発明によるアクティブマトリクス有機電界発光素子の平面図。
【図4】本発明の他の実施例によるアクティブマトリクス有機電界発光素子の一画素構造についての回路図。
Claims (22)
- 基板と、
前記基板上部に形成されるゲートラインと、
前記基板上部に形成されて前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートラインがゲート電極に連結され、データラインがソース電極に連結される第1スイッチング薄膜トランジスタと、
前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極に連結される第1ドライビング薄膜トランジスタと、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのソース電極と連結されて前記ゲートラインと平行に形成されるパワーラインと、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて、前記画素領域に形成される画素電極とを含み、
前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結晶シリコンから成り、前記パワーラインと重畳してストレージキャパシタを形成し、
該パワーラインは、該キャパシタ電極よりも狭い幅を有すると共に該画素電極と重畳し、それにより、該画素領域を、該ゲートラインに垂直な方向に沿って互いに隣接する第1の領域と第2の領域とに分割し、該第1の領域は該第2の領域よりも小さく、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ドレイン電極と該第1ドライビング薄膜トランジスタの該ドレイン電極は、該第1の領域に位置することを特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子。 - 前記ゲートラインとパワーラインは、前記画素領域の短辺方向に形成され、前記データラインは前記画素領域の長辺方向に形成されることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記パワーラインは、隣接する画素領域のパワーラインと連結されることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記パワーラインは、前記ゲートラインと同一な物質でなされたことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記第1ドライビング薄膜トランジスタは、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記キャパシタ電極は、前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結されることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記画素電極は、透明導電性物質を含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極と連結される第2スイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極及び第2スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がゲート電極と連結される第2ドライビング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 請求項9に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子において、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ゲート電極と該第2スイッチング薄膜トランジスタの該ゲート電極は、同じゲートラインに接続されており、該第1及び第2スイッチング薄膜トランジスタと該第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタは、同じタイプのチャネルを持つアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 基板と、
前記基板上部に形成されるゲートラインと、
前記基板上部に形成され、前記ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状の画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートラインがゲート電極に連結され、データラインがソース電極に連結される第1スイッチング薄膜トランジスタと、
前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極に連結される第1ドライビング薄膜トランジスタと、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのソース電極と連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行に形成されるパワーラインと、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて、前記画素領域に形成される画素電極とを含み、
前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結晶シリコンから成り、前記パワーラインと重畳してストレージキャパシタを形成し、
該パワーラインは、該キャパシタ電極よりも狭い幅を有すると共に該画素電極と重畳し、それにより、該画素領域を、該ゲートラインに垂直な方向に沿って互いに隣接する第1の領域と第2の領域とに分割し、該第1の領域は該第2の領域よりも小さく、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ドレイン電極と該第1ドライビング薄膜トランジスタの該ドレイン電極は、該第1の領域に位置することを特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子。 - 基板上部にゲートラインを形成する段階と、
前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを前記基板上部に形成する段階と、
前記ゲートラインがゲート電極に連結され、データラインがソース電極に連結される第1スイッチング薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極に連結される第1ドライビング薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのソース電極と連結されて前記ゲートラインと平行したパワーラインを形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成する段階とを含み、
前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結晶シリコンから成り、前記パワーラインと重畳してストレージキャパシタを形成し、
該パワーラインは、該キャパシタ電極よりも狭い幅を有すると共に該画素電極と重畳し、それにより、該画素領域を、該ゲートラインに垂直な方向に沿って互いに隣接する第1の領域と第2の領域とに分割し、該第1の領域は該第2の領域よりも小さく、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ドレイン電極と該第1ドライビング薄膜トランジスタの該ドレイン電極は、該第1の領域に位置することを特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲートラインとパワーラインは、前記画素領域の短辺方向に形成され、前記データラインは前記画素領域の長辺方向に形成されることを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記パワーラインは、隣接する画素領域のパワーラインと連結されることを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記パワーラインは、前記ゲートラインと同一な物質でなされたことを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1ドライビング薄膜トランジスタは、ゲート電極とソース及びドレイン電極を含むことを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記キャパシタ電極は、前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結されることを特徴とする請求項16に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記画素電極は、透明導電性物質を含むことを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極と連結される第2スイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極及び第2スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がゲート電極と連結される第2ドライビング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
- 請求項20に記載のアクティブマトリクス有機電界発光素子において、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ゲート電極と該第2スイッチング薄膜トランジスタの該ゲート電極は、同じゲートラインに接続されており、該第1及び第2スイッチング薄膜トランジスタと該第1及び第2ドライビング薄膜トランジスタは、同じタイプのチャネルを持つアクティブマトリクス有機電界発光素子。
- 基板上部にゲートラインを形成する段階と、
ゲートラインと交差して二つの長辺と二つの短辺からなる矩形状の画素領域を定義するデータラインを前記基板上部に形成する段階と、
前記ゲートラインがゲート電極に連結され、データラインがソース電極に連結される第1スイッチング薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記第1スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極がソース電極に連結される第1ドライビング薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのソース電極と連結されて前記画素領域の二つの短辺と平行したパワーラインを形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのゲート電極と連結され、前記パワーラインと重畳されるキャパシタ電極を形成する段階と、
前記第1ドライビング薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて、前記画素領域を覆う画素電極を形成する段階とを含み、
前記キャパシタ電極は、不純物を含む多結晶シリコンから成り、前記パワーラインと重畳してストレージキャパシタを形成し、
該パワーラインは、該キャパシタ電極よりも狭い幅を有すると共に該画素電極と重畳し、それにより、該画素領域を、該ゲートラインに垂直な方向に沿って互いに隣接する第1の領域と第2の領域とに分割し、該第1の領域は該第2の領域よりも小さく、該第1スイッチング薄膜トランジスタの該ドレイン電極と該第1ドライビング薄膜トランジスタの該ドレイン電極は、該第1の領域に位置することを特徴とするアクティブマトリクス有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2002-013445 | 2002-03-13 | ||
KR10-2002-0013445A KR100461467B1 (ko) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003308031A JP2003308031A (ja) | 2003-10-31 |
JP4220277B2 true JP4220277B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=28036048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003067918A Expired - Lifetime JP4220277B2 (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | アクティブマトリクス有機電界発光素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6781321B2 (ja) |
JP (1) | JP4220277B2 (ja) |
KR (1) | KR100461467B1 (ja) |
CN (1) | CN100401356C (ja) |
TW (1) | TWI223218B (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100453634B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
JPWO2004049286A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-30 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 有機el表示パネル |
TW587236B (en) * | 2003-05-12 | 2004-05-11 | Au Optronics Corp | Active organic electroluminescent device structure |
KR100689312B1 (ko) | 2003-11-11 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
US20060139342A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Electronic devices and processes for forming electronic devices |
KR100579750B1 (ko) | 2003-12-26 | 2006-05-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101019967B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2011-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 구동방법 |
KR100554494B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
US20050231447A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-20 | Shuo-Hsiu Hu | Pixel arrangement in a display system |
KR100592273B1 (ko) | 2004-05-20 | 2006-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
US7612368B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-11-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic bottom emission electronic device |
US20060138403A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Organic electronic devices including pixels |
JP4661557B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
EP1793366A3 (en) | 2005-12-02 | 2009-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
KR101269227B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR101295192B1 (ko) | 2006-06-29 | 2013-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR101254560B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR101254589B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR101276662B1 (ko) | 2006-06-30 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
US7507998B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-24 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images and method for fabricating the same |
CN100448020C (zh) * | 2007-04-06 | 2008-12-31 | 友达光电股份有限公司 | 电致发光显示器 |
US8264157B2 (en) * | 2008-03-26 | 2012-09-11 | Dmitry Kolosov | Electronic device including an organic diode and a shunt and a process of forming the same |
CN102569348A (zh) * | 2012-02-15 | 2012-07-11 | 福州华映视讯有限公司 | 主动式发光元件 |
KR101924996B1 (ko) | 2012-03-29 | 2018-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102271115B1 (ko) | 2015-02-13 | 2021-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104916660B (zh) * | 2015-04-20 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
JP2019032447A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 株式会社Joled | アクティブマトリクス表示装置 |
TWI662348B (zh) * | 2018-01-05 | 2019-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 像素電路及顯示裝置 |
KR102063314B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2020-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102601866B1 (ko) * | 2019-01-16 | 2023-11-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0144233B1 (ko) * | 1995-06-29 | 1998-07-15 | 김주용 | 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2001296559A (ja) * | 1995-08-11 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板 |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP4334045B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2009-09-16 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001147659A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
JP4416901B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レベルシフタ |
TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
KR100560777B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부 |
JP3883817B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2007-02-21 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
KR100453634B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
-
2002
- 2002-03-13 KR KR10-2002-0013445A patent/KR100461467B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-31 US US10/331,304 patent/US6781321B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-18 TW TW092103275A patent/TWI223218B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-12 CN CNB031200729A patent/CN100401356C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-13 JP JP2003067918A patent/JP4220277B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100461467B1 (ko) | 2004-12-13 |
JP2003308031A (ja) | 2003-10-31 |
TWI223218B (en) | 2004-11-01 |
US6781321B2 (en) | 2004-08-24 |
CN100401356C (zh) | 2008-07-09 |
CN1444200A (zh) | 2003-09-24 |
US20030173564A1 (en) | 2003-09-18 |
KR20030073738A (ko) | 2003-09-19 |
TW200304101A (en) | 2003-09-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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