JP2007264445A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画素回路上に形成される平坦化膜表面の平坦性を向上させて、当該平坦化膜上に形成される発光素子の素子特性を改善することができる表示装置、及び、該表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素駆動回路と発光素子からなる複数の表示画素が２次元配列された表示パネルにおいて、絶縁性基板１１の一面側に画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ等の機能素子、選択ラインＬｓや供給電圧ラインＬａ等の配線層が形成され、その上層に感光性有機膜１４ａと有機膜１４ｂを積層した平坦化膜を形成し、当該平坦化膜１４に開口されたコンタクトホールＨＬｄに充填されたコンタクトメタルＭＴＬを介して、平坦化膜１４上に形成される有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５と上記トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓとが電気的に接続される。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子を有する複数の表示画素を２次元配列した表示パネルを備えたアクティブマトリクス駆動方式の表示装置、及び、該表示装置の製造方法に関する。

近年、パーソナルコンピュータや映像機器、携帯情報機器等のモニタ、ディスプレイとして多用されている液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた表示装置の本格的な実用化、普及に向けた研究開発が盛んに行われている。

特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型の表示装置においては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性もなく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化や低消費電力化が可能であるという極めて優位な特徴を有している。

そして、このようなアクティブマトリクス駆動方式を適用した表示パネルにあっては、例えば各表示画素ごとに発光素子（有機ＥＬ素子等）を所望の輝度階調で発光させるための画素回路（画素駆動回路）を設けたものが知られている。この画素回路としては、例えば１又は複数の薄膜トランジスタ等の機能素子や配線層を備えたものが知られている。なお、画素回路の具体例については、後述する発明の実施の形態において詳しく説明する。

ここで、薄膜トランジスタ等からなる画素回路と、有機ＥＬ素子等の発光素子を同一の基板上に形成する場合、一般に、画素回路を構成する薄膜トランジスタの形成工程で施される熱処理温度が、有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層の特性を維持することができる温度範囲（すなわち、耐熱温度）よりも高いため、画素回路は有機ＥＬ素子よりも前の工程で形成されることになる。すなわち、例えば図１５に示すように、画素回路が有機ＥＬ素子よりも基板側に形成される。

図１５は、画素回路を備えた表示パネル（有機ＥＬパネル）の断面構造の一例を示す要部構成図である。図１５において、１１１はガラス基板等の絶縁性基板、１１２はアノード電極（画素電極）、１１３は有機ＥＬ層（正孔輸送層１１３ａ、電子輸送性発光層１１３ｂ）、１１４はカソード電極（対向電極）、１２１はゲート絶縁膜、１２２は平坦化膜を含む保護絶縁膜、１３１は薄膜トランジスタ、１３２は選択ライン（ゲートライン）、１３３は給電ライン（アノードライン）である。

すなわち、画素回路を備えた有機ＥＬパネルにおいては、絶縁性基板１１１上（すなわち下層）に形成される薄膜トランジスタ１３１や選択ライン１３２、給電ライン１３３等からなる画素回路と、その上層に形成され、アノード電極１１２、有機ＥＬ層１１３及びカソード電極１１４からなる周知の素子構造を有する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬとが、保護絶縁膜１２２に設けられたコンタクトホールＨＬｐを介して電気的に接続された構成が採用されている。このような断面構造を有する機ＥＬパネルについては、例えば特許文献１等に詳しく記載されている。

なお、図１５に示したような断面構造を有する表示パネルにおいては、カソード電極１１４を光透過性を有する電極材料を用いて形成し、アノード電極１１２を反射特性を有する電極材料を用いて形成することにより、有機ＥＬ層１１３で発光された光を絶縁性基板１１１の一面側（図面上方）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示パネルを実現することができる。

特開２００５−２２２７５９号公報 （第８頁〜第１０頁、図３）

しかしながら、上述したような表示パネル（有機ＥＬパネル）においては、次に示すような問題を有していた。
すなわち、図１５に示したような断面構造を有する表示パネルにおいて、下層（絶縁性基板１１１側）の画素回路と、上層の有機ＥＬ素子ＯＥＬとを絶縁する保護絶縁膜１２２として、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の一般的に多用されている絶縁層を用いた場合、その上面の平坦性が低い（表面段差が生じる）ため、上層に形成される有機ＥＬ素子ＯＥＬの各層（アノード電極１１２、正孔輸送層１１３ａ及び電子輸送性発光層１１３ｂからなる有機ＥＬ層１１３、カソード電極１１４）を平坦性良く形成することができないという問題を有していた。

特に、下層の画素回路に接続される選択ライン１３２や給電ライン１３３等の配線層を低抵抗化するために、厚膜配線構造を適用した場合にあっては、配線層によって生じる段差のために保護絶縁膜（絶縁層）表面の平坦性の低下が顕著になり、有機ＥＬ素子の素子特性（発光特性）に影響を与えて開口率の低下や省電力化の妨げとなるという問題を有していた。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、画素回路上に形成される平坦化膜表面の平坦性を向上させて、当該平坦化膜上に形成される発光素子の素子特性を改善することができる表示装置、及び、該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置において、少なくとも、基板上に形成された前記画素回路と、前記画素回路の導電層及び配線層を被覆する、複数の絶縁膜を積層してなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に延在し、当該平坦化膜に形成された開口部を介して、前記導電層に電気的に接続された画素電極を有する前記表示素子と、を具備することを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記平坦化膜は、少なくとも、下層側の第１の有機膜と、上層側の第２の有機膜と、を含み、前記画素電極は、前記導電層上の前記第１の有機膜及び前記第２の有機膜を貫通して設けられた前記開口部に埋め込み形成された金属層に、当該開口部の内部で電気的に接続され、前記配線層は、前記第１の有機膜に埋め込み形成され、前記第２の有機膜により被覆されていることを特徴とする。

請求項３記載の発明は、請求項２記載の表示装置において、前記平坦化膜は、前記第１の有機膜の下層に保護絶縁膜を有し、少なくとも前記第１の有機膜が感光性有機材料からなり、前記配線層は、前記保護絶縁膜及び前記第１の有機膜を貫通して設けられた溝部に埋め込み形成され、前記配線層は、前記導電層と同一層に設けられた下層配線層と、前記保護絶縁膜及び前記第１の有機膜を貫通して設けられた溝部に埋め込み形成される上層配線層と、を有し、前記導電層と前記金属層との間、及び、前記下層配線層と前記上層配線層との間に、各々、前記金属層及び前記上層配線層の金属材料の拡散を防止するとともに、前記金属層及び前記上層配線層の形成の核となる金属材料からなる中間金属層が設けられていることを特徴とする。

前記画素回路は、発光駆動用のスイッチング素子を有し、前記導電層は、前記発光駆動用のスイッチング素子に接続されていてもよい。
また、前記表示素子は、前記画素電極と、有機材料からなる発光機能層と、対向電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。

請求項４記載の発明は、表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、基板上に、前記画素回路の導電層、及び、前記画素回路に接続される配線層となる下層配線層を形成する工程と、前記導電層及び前記下層配線層を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、前記保護絶縁層上に感光性材料からなる第１の平坦化膜を形成し、露光、現像処理によりパターニングした該第１の平坦化膜をマスクとして前記保護絶縁層をエッチングして、前記第１の平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記導電層及び前記下層配線層が露出する第１の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部内で、前記導電層に電気的に接続する金属層、及び、前記下層配線層に電気的に接続する上層配線層を埋め込み形成する工程と、前記金属層及び前記上層配線層の上面が露出する前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、前記金属層上の前記第２の平坦化膜をエッチングして、前記金属層が露出する第２の開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項５記載の発明は、表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、基板上に、前記画素回路の導電層、及び、前記画素回路に接続される配線層となる下層配線層を形成する工程と、前記導電層及び前記下層配線層を被覆する保護絶縁層を形成し、該保護絶縁膜をエッチングして、前記導電層及び前記下層配線層が露出する第１の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部内で、前記導電層及び前記下層配線層に電気的に接続する中間金属層を形成する工程と、前記保護絶縁層上に感光性材料からなる第１の平坦化膜を形成し、該第１の平坦化膜をエッチングして、前記中間金属層が露出する第２の開口部を形成する工程と、前記第２の開口部内で、前記中間金属層を介して前記導電層に電気的に接続する金属層、及び、前記中間金属層を介して前記下層配線層に電気的に接続する上層配線層を埋め込み形成する工程と、前記金属層及び前記上層配線層の上面が露出する前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、前記金属層上の前記第２の平坦化膜をエッチングして、前記金属層が露出する第３の開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の表示装置の製造方法において、前記中間金属層は、前記金属層及び前記上層配線層の金属材料の拡散を防止するとともに、前記金属層及び前記上層配線層を埋め込み形成する際の核となる金属材料からなることを特徴とする。

本発明によれば、画素回路（画素駆動回路）上に平坦化膜を介して表示素子（発光素子）が設けられた表示画素を備えた表示装置において、画素回路の配線層として厚膜配線構造を適用した場合であっても、上記平坦化膜表面の平坦性を向上させて、当該平坦化膜上に形成される発光素子の素子特性を改善することができる。

以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。

図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（又は絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（表示素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路（画素回路）内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。

本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが図面左右方向に繰り返し複数（３の倍数）配列されるとともに、図面上下方向に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。

表示パネル１０は、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して配設されたバンク（隔壁）形状を有する共通電圧ライン（例えばカソードライン）Ｌｃにより、図面上下方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、又は、ＰＸｇ、ＰＸｂの画素形成領域からなる各色画素領域が画定される。また、各色画素領域に含まれる複数の色画素ＰＸｒ、又は、ＰＸｇ、ＰＸｂが形成される各画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、上記共通電圧ラインＬｃの配設方向に並行して図面上下方向（すなわち列方向）にデータラインＬｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交して図面左右方向（すなわち行方向）に選択ラインＬｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが配設されている。選択ラインＬｓは一方の端部で端子ＴＬｓとなっており、供給電圧ラインＬａは一方の端部で端子ＴＬａとなっている。

表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）からなる画素駆動回路（画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬと、を備えている。

供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５（例えばアノード電極）に表示データに応じた階調電流Ｉdataが流れるための所定の電圧（供給電圧Ｖsc）を印加し、共通電圧ラインＬｃは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（例えばカソード電極）に所定の電圧（共通電圧Ｖcom；例えば接地電位Ｖgnd）を印加するように設定されている。

画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が表示パネル１０（絶縁性基板１１）の行方向に配設された選択ラインＬｓに、ドレイン端子が上記供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタＴｒ１１と、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ソース端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ドレイン端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１２と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタＴｒ１３（発光駆動用のスイッチング素子）と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。ここでは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。

有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極）が表示パネル１０の列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに接続されている。また、図２において、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量（保持容量）、又は、該ゲート−ソース間に付加的に形成される補助容量である。

なお、図２に示した画素駆動回路ＤＣにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、供給電圧ラインＬａは、図示を省略した電源ドライバに接続され、上記選択信号Ｓselと同期したタイミングで同じ行に配列された表示画素ＰＩＸに所定の供給電圧Ｖscが印加される。データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調電流Ｉdataが供給される。

そして、このような回路構成を有する画素駆動回路ＤＣを備えた表示画素ＰＩＸ（表示パネル１０）における駆動制御動作は、まず、書込動作期間において、図示を省略した選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、該選択信号Ｓselに同期して図示を省略した電源ドライバからローレベルの供給電圧Ｖscを供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａに対して印加する。

このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電流値を有する階調電流ＩdataをデータラインＬｄに流すように制御する。つまり、データドライバは、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流値を制御するドライバであり、本実施形態においては、固定電圧である供給電圧Ｖscに対してデータラインＬｄの電位を低くして、表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）側からデータラインＬｄ方向に階調電流Ｉdataを引き抜くように流すものとする。

これにより、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの供給電圧Ｖscが接点Ｎ１１（トランジスタＴｒ１３のゲート端子；キャパシタＣｓの一端側）に印加されるとともに、階調電流Ｉdataの引き込み動作によりトランジスタＴｒ１２を介してローレベルの供給電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが接点Ｎ１２（トランジスタＴｒ１３のソース端子；キャパシタＣｓの他端側）に印加され、トランジスタＴｒ１３にはデータドライバで設定された階調電流Ｉdataが強制的に流されることになる。ｎチャネル型トランジスタでは一般にドレイン−ソース間を流れる電流の電流値は、ゲート−ソース間の電位に依存する。このとき、トランジスタＴｒ１３では、階調電流Ｉdataの電流値に応じた電位差が接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に自動的に設定されることになる。

このとき、キャパシタＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（充電される）。この蓄積された電荷の量は、書込動作時にトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間を流れる階調電流Ｉdataの電流値によって自動的に設定される。また、このとき、ローレベルの供給電圧Ｖscは、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃを介してカソード端子に印加される共通電位Ｖcom（接地電位Ｖgnd）以下なので、階調電流Ｉdataは、供給電圧ラインＬａから、トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間を経由して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れることなくデータラインＬｄに流れるため、書込動作時にトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間を流れる階調電流Ｉdataの電流値は、書込動作時にデータラインＬｄに流れる階調電流Ｉdataの電流値と一致する。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬには、順バイアス電圧が印加されないため、書込動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流が流れず、発光動作は行われない。

次いで、発光動作期間においては、選択ドライバから選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択信号Ｓselを印加するとともに、電源ドライバから供給電圧ラインＬａに対して、ハイレベルの供給電圧Ｖscを印加する。また、このタイミングに同期して、データドライバによる階調電流Ｉdataの引き抜き動作を停止する。

これにより、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、接点Ｎ１１への供給電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、接点Ｎ１２への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、キャパシタＣｓは、上述した書込動作において蓄積された電荷を保持する。

このように、キャパシタＣｓが書込動作時に蓄積された電荷（充電電圧）を保持することにより、接点Ｎ１１及びＮ１２間（トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）の電位差が保持されることになり、トランジスタＴｒ１３が階調電流Ｉdataの電流値に応じた電流値の電流を流すことができるような状態を維持する。また、供給電圧ラインＬａには、共通電圧Ｖcom（接地電位Ｖgnd）よりも高い電圧レベルで、且つ、発光動作期間にトランジスタＴｒ１３を流れる電流が飽和電流となるようにドレイン−ソース間電位差が十分高くなるような所定の電圧値の供給電圧Ｖscが印加されると、トランジスタＴｒ１３は、書込動作時に蓄積された電荷によるゲート−ソース間電位差によって、書込動作時に流れる階調電流Ｉdataの電流値に応じた発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に流し、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電流Ｉdataひいては表示データにしたがった輝度で発光動作する。

すなわち、キャパシタＣｓが、書込動作時に蓄積された充電電圧を発光動作時まで保持しているので、トランジスタＴｒ１３は、上記書込動作時においてデータドライバによって制御されていた階調電流Ｉdataを流す状態を、発光動作時にトランジスタＴｒ１２がオフ状態となってデータドライバと電気的な接続を絶たれても、保持し続けることになるため、発光動作時に有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流の電流値は、上記階調電流Ｉdataの電流値にしたがうこととなり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは次の書込動作時まで表示データに応じた所望の輝度階調で発光する動作を継続する。

そして、このような一連の駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次繰り返し実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。

（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図であり、図４は、本実施形態に係る表示画素の平面レイアウト（図３）の要部詳細図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線層等が形成された層を中心に示し、図４においては、図３に示した平面レイアウトのうち、共通電圧ラインＬｃの下層に形成される各トランジスタ及び配線層等を具体的に示す。また、図４において、括弧数字は、各導電層（配線層を含む）の上下の順を表し、数字が小さいほど下層側（絶縁性基板１１側）に形成され、大きいほど上層側（視野側）に形成されていることを示す。また、図５、図６は、各々、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。

図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）Ｒpxにおいて、図３に示した平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ライン（配線層）Ｌｓ及び供給電圧ライン（配線層）Ｌａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方及び右方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び共通電圧ラインＬｃが各々配設されている。

ここで、図３〜図６に示すように、供給電圧ラインＬａは、共通電圧ラインＬｃよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａは、同層に設けられ、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース、ドレインを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース、ドレインと同じ工程で形成される。また、データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲートを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによってゲートと同じ工程で形成される。

すなわち、表示画素ＰＩＸは、図５、図６に示すように、絶縁性基板１１上に表示画素ＰＩＸ内に設けられる画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、及び、選択ラインＬｓやデータラインＬｄを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及び配線層を被覆するように順次形成された保護絶縁膜１３、及び、感光性の有機膜（第１の有機膜、第１の平坦化膜）１４ａと非感光性の有機膜（第２の有機膜、第２の平坦化膜）１４ｂからなる平坦化膜１４を介して、その上層に、上記画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａ（電荷輸送層）と電子輸送性発光層１６ｂ（電荷輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６、及び、共通電圧Ｖcomが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７からなる有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されている。

画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、図３、図４に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された選択ラインＬｓに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が列方向に配設されたデータラインＬｄに沿って延在するように配置され、トランジスタＴｒ１３が列方向に配設された共通電圧ラインＬｃに沿って延在するように配置されている。

ここで、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、周知の電界効果型トランジスタ構造を有し、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄと、を有している。

なお、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のブロック層ＢＬが形成され、また、ソース電極とドレイン電極が接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇはいずれも同一のゲートメタル層をパターニングすることによって形成されている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄはいずれも同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されている。

そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１１ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｂを介してキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが供給電圧ラインＬａの配線層（下層配線層）Ｌa1と一体的に形成されている。

また、トランジスタＴｒ１２は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬａを介して選択ラインＬｓに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＨＬｃを介してデータラインＬｄに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成されている。

トランジスタＴｒ１３は、図３〜図５に示すように、ゲート電極Ｔｒ１３ｇがキャパシタＣｓの一端側（接点Ｎ１１側）の電極Ｅcaと一体的に形成され、同ソース電極（導電層）Ｔｒ１３ｓがキャパシタＣｓの他端側（接点Ｎ１２側）の電極Ｅcbと一体的に形成され、同ドレイン電極Ｔｒ１３ｄが供給電圧ラインＬａの配線層（下層配線層）Ｌa1と一体的に形成されている。

また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成された一端側の電極Ｅcaと、ソース電極Ｔｒ１３ｓと一体的に形成された他端側の電極Ｅcbと、がゲート絶縁膜１２を介して対向して延在するように形成されている。
さらに、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（キャパシタＣｓの電極Ｅcb）上の保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４（感光性有機膜１４ａ、有機膜１４ｂ）には、図５に示すように、コンタクトホールＨＬｄ（後述するＨＬda、ＨＬdbからなる）が形成され、当該ソース電極Ｔｒ１３ｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５とが感光性有機膜１４ａと有機膜１４ｂの境界面近傍で電気的に接続されるように、金属材料（コンタクトメタルＭＴＬ）が埋め込まれている。つまり、コンタクトメタル（金属層）ＭＴＬはコンタクトホールＨＬｄのうち、保護絶縁膜１３と感光性有機膜１４ａに形成された開口部にのみ埋め込み形成されている。

選択ラインＬｓは、図３、図４、図６に示すように、低抵抗化を図るために、例えば下層側の配線層（下層配線層）Ｌs1及び上層側の配線層（上層配線層）Ｌs2の２層からなる積層かつ厚膜の配線構造を有し、下層側の配線層Ｌs1は、ゲート絶縁膜１２上に延在して、後述する供給電圧ラインの下層側の配線層Ｌa1と同一層に形成されている。また、上層側の配線層Ｌs2は、保護絶縁膜１３及び感光性有機膜１４ａに形成された配線用溝部に埋め込まれて、上記下層側の配線層Ｌs1と電気的に接合されるとともに、その上層が有機膜１４ｂにより被覆されて、図１、図３の左右方向（行方向）に配設されている。

また、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａも上記選択ラインＬｓと同様に、例えば下層側の配線層（下層配線層）Ｌa1及び上層側の配線層（上層配線層）Ｌa2の２層からなる積層かつ厚膜の配線構造を有し、下層側の配線層Ｌa1は、ゲート絶縁膜１２上に延在して、上記トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、及び、トランジスタＴｒ１３のドレイン電極Ｔｒ１３ｄと一体的に形成されている。また、上層側の配線層Ｌa2も上記選択ラインＬｓと同様に、保護絶縁膜１３及び感光性有機膜１４ａに形成された配線用溝部に埋め込まれて、上記下層側の配線層Ｌa1と電気的に接合されるとともに、その上層が有機膜１４ｂにより被覆されて、図１、図３の左右方向（行方向）に配設されている。

そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４（有機膜１４ｂ）上には、図５、図６に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５、正孔輸送層１６ａ（電荷輸送層）及び電子輸送性発光層１６ｂ（電荷輸送層）からなる有機ＥＬ層１６、及び、例えばカソード電極となる対向電極１７を順次積層した有機ＥＬ素子が設けられている。ここで、本実施形態においては、有機ＥＬ層１６において発光した光を、絶縁性基板１１と反対側に（後述する封止樹脂層１９及び封止基板２０を介して）出射するトップエミッション型の発光構造を有している表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。そのため、画素電極１５が少なくとも光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有することになり、画素電極１５は、後述する製造方法（図７〜図１０参照）において説明するように、下層側の反射金属層１５ａと上層側の透明な導電性酸化金属層１５ｂからなる積層構造を有している。

また、列方向の各画素形成領域Ｒpx間（各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域相互の境界領域）には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（厳密には、有機ＥＬ層１６の形成領域）を画定するためのバンク（隔壁）１８が平坦化膜１４（有機膜１４ｂ）上面から突出するように設けられている。ここで、本実施形態においては、当該バンク１８は、例えば図５に示すように、各画素形成領域Ｒpx間の層間絶縁膜としての機能も果たす下層側の下地層１８ｘと、導電性材料からなり、共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとしての機能も果たす上層側のバンクメタル部１８ａからなる積層構造を有している。また、行方向の各画素形成領域Ｒpx間には、図６に示すように、平坦化膜１４（有機膜１４ｂ）上に下地層１８ｘと一体的に形成される層間絶縁膜１８ｙが設けられている。

バンク１８は、より具体的には、隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域付近に露出する平坦化膜１４（有機膜１４ｂ）上から、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５上に一部が延在するようにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなる下地層１８ｘが設けられ、当該下地層１８ｘ上に、導電性材料（例えば、金属材料）からなるバンクメタル部１８ａが厚さ方向に突出するように積層形成されている。

特に、図１に示したように、上記積層構造を有するバンク１８を表示パネル１０（絶縁性基板１１）上に柵状又は格子状の平面パターンを有するように配設することにより、列方向（図面上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層１６の形成領域）が画定されるとともに、バンク１８のバンクメタル部１８ａにより、表示パネル１０の全域に配列された表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の各々に所定の電圧（共通電圧Ｖcom）を共通に印加することができる配線層（共通電圧ラインＬｃ）として機能させることができる。

すなわち、図５、図６に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極（カソード電極）１７を、バンクメタル部１８ａを備えたバンク１８上に延在するように形成するとともに、バンクメタル部１８ａに電気的に接続されるように接合することにより、バンク１８（バンクメタル部１８ａ）を共通電圧ラインＬｃとして兼用することができる。
なお、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及びバンク１８が形成された絶縁性基板１１上には、図５、図６に示すように、透明な封止樹脂層１９を介して、絶縁性基板１１に対向するようにガラス基板等からなる封止基板２０が接合されている。

そして、このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層（有機ＥＬ素子ＯＥＬの絶縁性基板１１側の層）に設けられたトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ等の機能素子、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調電流Ｉdataに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１３（ソース電極Ｔｒ１３ｓ）からコンタクトホールＨＬｄ（コンタクトメタルＭＴＬ）を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＥＬが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。

このとき、本実施形態に示した表示パネル１０、つまり、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過性を有する場合（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型である場合）においては、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）の一面側（図５、図６の図面上方）に出射される。

なお、本実施形態においては、有機ＥＬ層１６において発光した光が絶縁性基板１１（表示パネル）の一面側（図５、図６の図面上方）に出射されるトップエミッション型の発光構造を有する表示素子（有機ＥＬ素子）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ層１６において発光した光が、光透過性を有する画素電極１５を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１７で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）の背面側（図５、図６の図面下方）に出射されるボトムエミッション型の発光構造を有する表示素子を適用するものであってもよい。

（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図７乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の例を示す工程断面図である。ここでは、本発明に係る表示装置の製造方法の特徴を明確にするために、図５、図６に示したＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面のパネル構造のうち、各々一部分（トランジスタＴｒ１３、キャパシタＣｓ、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａ）並びに図１に示した選択ラインＬｓの端部に設けられる端子ＴＬｓ、供給電圧ラインＬａの端部に設けられる端子ＴＬａを便宜的に抜き出した構造を示して説明する。また、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａは、低抵抗化を図るため、上述したように積層かつ厚膜の配線構造を有し、さらに、当該配線が保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に完全に被覆された埋込配線構造を有する場合について説明する。また、上述した図５、図６に示した断面構造を適宜参照しつつ説明する。

上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxに、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、データラインＬｄや選択ラインＬｓ等の配線層を形成する（図５、図６参照）。具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇ、及び、ゲート電極Ｔｒ１３ｇと一体的に形成されるキャパシタＣｓの一方側の電極Ｅca、データラインＬｄ（図５参照）を同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に、例えば、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層ＳＭＣを形成し、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介してソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによってソース電極Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと接続されたキャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ及びＴｒ１３ｄと接続された供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1（図６参照）を同時に形成する。選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1は選択ラインＬｓの端子ＴＬｓ（下層配線層ＴＬs1）まで延在しており、供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1は供給電圧ラインＬａの端子ＴＬａ（下層配線層ＴＬa1）まで延在している。

なお、上述したトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄ、キャパシタＣｓの他端側の電極Ｅcb、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1（端子ＴＬｓの下層配線層ＴＬs1を含む）、供給電圧ラインＬａの下層側の配線層Ｌa1（端子ＴＬａの下層配線層ＴＬa1を含む）は、図７（ａ）に示すように、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層からなる積層配線構造を有しているものであってもよい。

次いで、図７（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、キャパシタＣｓ、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1及び供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、５０〜２００ｎｍ程度の窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３及び平坦化膜１４となる下層側の感光性有機膜（第１の平坦化膜）１４ａを順次形成する。ここで、上記感光性有機膜１４ａは、後述するように、除去することなく平坦化膜１４の一部として残しておくため、熱硬化により高い耐熱性と、有機溶媒をはじめとする処理液等（薬品）に対する高い耐薬品性を有していることを必要とし、具体的には、例えばＪＳＲ（株）製のポジ型アクリル系樹脂ＰＣ−４０３をスピンコート法等を用いて塗布し、２μｍ〜４μｍ程度の膜厚で薄膜形成したものを適用することができる。

その後、感光性有機膜１４ａに対して露光、現像処理を行い、感光性有機膜１４ａにコンタクトホール（第１の開口部）ＨＬda、配線用溝部（第１の開口部；端子ＴＬＳ、ＴＬａの開口部を含む。以下同じ）ＨＬｅ、ＨＬｆを同時に形成する。このコンタクトホールＨＬda、配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆは、感光性樹脂自体への入射光の有無によって形成されるため、感光性有機膜１４ａが厚くても比較的垂直に切り立った形状になっている。パターニングされた感光性有機膜１４ａをマスクとして用いて、コンタクトホールＨＬda、配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆの下層の窒化シリコン等からなる保護絶縁膜１３をエッチングすることにより、図７（ｃ）に示すように、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（又は、キャパシタＣｓの他方側の電極Ｅcb）の上面が露出するまでコンタクトホール（第１の開口部）ＨＬdaを掘り下げるとともに、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1（端子ＴＬｓの下層配線層ＴＬs1を含む）及び供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1（端子ＴＬａの下層配線層ＴＬa1を含む）の上面が露出する配線用溝部（第１の開口部）ＨＬｅ、ＨＬｆを掘り下げる。このとき、保護絶縁膜１３をウェットエッチングによって等方性にエッチングされても、保護絶縁膜１３自体の厚さが感光性有機膜１４ａに比べてはるかに薄いので速やかにエッチングされるため、コンタクトホールＨＬda、配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆは著しく拡張されることはない。

次いで、図８（ａ）に示すように、上記コンタクトホールＨＬｄにコンタクトメタル（金属層）ＭＴＬを埋め込むと同時に、配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆに選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2及び供給電圧ラインＬａの上層配線層Ｌa2、さらに選択ラインＬｓの端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2及び供給電圧ラインＬａの端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2を埋め込む。ここで、コンタクトメタルＭＴＬや選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2、供給電圧ラインＬａの上層配線層Ｌa2、端子ＴＬｓ、ＴＬａの上層配線層ＴＬs2、ＴＬa2は、例えば無電解めっき法等を用いて、銅（Ｃｕ）等の金属材料を堆積して形成される厚膜を適用することができる。なお、無電解めっき法により銅の厚膜を形成する際には、前処理として、例えばセンシタイザー−アクチベータ法等を用いて触媒となるパラジウム（Ｐｄ）核をコンタクトホールＨＬｄや配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆの内部に吸着させ、その後、めっき液への浸漬処理を行う。これにより、上層配線層Ｌs2及び下層配線層Ｌs1からなる積層かつ厚膜の配線構造を有する選択ラインＬｓ、及び、上層配線層Ｌa2及び下層配線層Ｌa1からなる積層かつ厚膜の配線構造を有する供給電圧ラインＬａが各々形成される。

次いで、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホールＨＬｄ及び配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆを形成するために用いた感光性有機膜１４ａを除去することなく、コンタクトメタルＭＴＬ、選択ラインＬｓ及び端子ＴＬｓの上層配線層Ｌs2、ＴＬs2、並びに、供給電圧ラインＬａ及び端子ＴＬａの上層配線層Ｌa2、ＴＬa2を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、平坦化膜１４となる上層側の感光性有機膜または非感光性有機膜（第２の平坦化膜）１４ｂを形成する。ここで、平坦化膜１４の上層側の有機膜１４ｂは、上記感光性有機膜１４ａと同様に、平坦化膜１４の一部として残しておくため、熱硬化により高い耐熱性と、有機溶媒をはじめとする処理液等（薬品）に対する高い耐薬品性を有していることを必要とし、具体的には、例えばＪＳＲ（株）製の有機材料ＰＣ−４０３、又は、長瀬産業（株）製のＳＲＫ−７６２をスピンコート法等を用いて塗布し、１μｍ程度の膜厚で薄膜形成したものを適用することができる。このように、平坦化膜を複数回に分けて成膜したので、一度にまとめて平坦化膜を形成するよりも平坦度を増すことができる。

次いで、有機膜１４ｂが感光性有機膜の場合、感光性有機膜１４ａと同様に露光、現像処理を行い、有機膜１４ｂが非感光性有機膜の場合、有機膜１４ｂの上にフォトレジストマスクをパターニングして、有機膜１４ｂにエッチングを行い、図８（ｃ）に示すように、コンタクトメタルＭＴＬの上面が露出するコンタクトホール（第２の開口部）ＨＬdb、選択ラインＬｓの端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2の上面が露出するコンタクトホールＨＬｇ、及び供給電圧ラインＬａの端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2の上面が露出するコンタクトホールＨＬｈを形成する。

次いで、図９（ａ）に示すように、有機膜１４ｂを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、スパッタリング法等を用いて、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等の合金材料からなる光反射特性を有する金属薄膜を形成する。その後、金属薄膜上に形成されたフォトレジストに対して露光、現像処理を行い、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、下層の金属薄膜をウェットエッチングすることにより、その一部が上記コンタクトホールＨＬdb内部においてコンタクトメタルＭＴＬと接続するように有機膜１４ｂ上にパターニングされた反射金属層１５ａ、各コンタクトホールＨＬｇにおいて露出された各端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2とそれぞれ接続する各反射金属層１５ｃ、及び各コンタクトホールＨＬｈにおいて露出された各端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2とそれぞれ接続する各反射金属層１５ｅを形成する。

次いで、上記反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明な（光透過特性を有する）導電性酸化金属層を薄膜形成した後、当該導電性酸化金属層をパターニングして、図９（ｂ）に示すように、反射金属層１５ａの上面及び端面が露出しないように被覆するとともに、コンタクトホールＨＬdb内部において上記反射金属層１５ａを介してコンタクトメタルＭＴＬと電気的に接続するように、画素電極（例えばアノード電極）１５の上層側の導電性酸化金属層１５ｂを形成し、さらに、コンタクトホールＨＬｇ内において反射金属層１５ｃの上面及び端面が露出しないように被覆して接続する導電性酸化金属層１５ｄ、また、コンタクトホールＨＬｈ内において反射金属層１５ｅの上面及び端面が露出しないように被覆して続する導電性酸化金属層１５ｆを形成する。このように、上層の導電性酸化金属層をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａ、１５ｃ、１５ｅが露出しないようにすることにより、導電性酸化金属層と反射金属層１５ａ、１５ｃ、１５ｅとの間で電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａ、１５ｃ、１５ｅがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。

次いで、反射金属層１５ａ及び導電性酸化金属層１５ｂからなる上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料からなる絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図５、図６及び図９（ｃ）に示すように、隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５との間の領域（すなわち、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）の列方向に下地層１８ｘを形成するとともに、下地層１８ｘに交差するように行方向に層間絶縁膜１８ｙを形成する。

さらに、下地層１８ｘ上に、少なくとも表面が、例えば銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、又は、これらを主成分とした金属単体又は合金等の低抵抗の金属材料からなるバンクメタル部１８ａ（共通電圧ラインＬｃ）を形成する。これにより、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxごとに、画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）の上面が露出した状態となる。ここで、バンクメタル部１８ａは、後述する有機ＥＬ層１６となる溶液や分散液の着滴や迫り上がりを防止するためにその表面に撥水処理を施してもよく、また、酸化を防止するためにその表面に金メッキ等の酸化防止膜を形成してもよい。

また、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxが、バンクメタル部１８ａと下地層１８ｘからなるバンク１８により、隣接する他の色の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxと隔離されるので、後述する有機ＥＬ層１６となる発光層（電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際に、当該発光材料の溶液又は分散液（液状材料）を塗布する場合であっても、隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間で発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。

次いで、上記バンク１８により囲まれた（画定された）各色の画素形成領域（有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域）に対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、連続した溶液を吐出するノズルコート法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層１６ａを形成する。続いて、当該正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層１６ｂを形成する。これにより、図１０（ａ）に示すように、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。

具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料を含む有機化合物含有液（化合物含有液）として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（導電性酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料（電荷輸送性材料）を定着させて、電荷輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。

また、有機高分子系の電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液（化合物含有液）として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料（電荷輸送性材料）を定着させて、電荷輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。

その後、図１０（ｂ）に示すように、少なくとも各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有する導電層（透明電極層）を形成し、上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば蒸着法等により電子注入層となるバリウム、マグネシウム、フッ化リチウム等の金属材料からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。対向電極１７とともに、選択ラインＬｓの各端子ＴＬｓの導電性酸化金属層１５ｄ上、供給電圧ラインＬａの各端子ＴＬａの導電性酸化金属層１５ｆ上にそれぞれ端子金属膜１７ｘ、１７ｙが形成される。

また、対向電極１７は、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域を画定するバンク１８及び層間絶縁膜１８ｙ上にまで延在する単一の導電層として形成されるとともに、バンク１８を形成するバンクメタル部１８ａと電気的に接続されるように接合される。これにより、バンク１８を形成するバンクメタル部１８ａを各表示画素ＰＩＸに共通に接続された共通電圧ライン（カソードライン）Ｌｃとして適用することができる。このように、有機ＥＬ素子ＯＥＬ間に対向電極１７と等電位のバンクメタル部１８ａを網羅することによってカソード全体のシート抵抗を下げ、表示パネル１０全体で均一な表示特性にすることができる。

次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に保護絶縁膜（パッシベーション膜）としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層１９をＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、封止蓋や封止基板２０を接合することにより、図５、図６に示したような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、画素駆動回路（画素回路）と表示素子（発光素子）からなる複数の表示画素が２次元配列された表示パネルを備えた表示装置において、絶縁性基板上に形成された画素駆動回路（トランジスタやキャパシタ等の機能素子や配線層）上に、複数の有機膜（絶縁層）を積層した平坦化膜を形成することにより、画素駆動回路の機能素子や厚膜配線構造を有する配線層による表面段差を緩和して、当該平坦膜上面の平坦性を向上させることができる。また、平坦化膜を比較的厚く形成することができるので、下層の画素駆動回路と上層の有機ＥＬ素子との間の絶縁性を向上させることができるとともに、静電容量を抑制することができる。

特に、本実施形態においては、下層側の平坦化膜となる絶縁層として感光性有機膜を適用し、下層の保護絶縁膜にコンタクトホールや配線用溝部を形成する際のエッチングマスクとして用いた後にそのまま絶縁性基板上に残留させ、さらに、上層側の平坦化膜となる絶縁層（感光性有機膜または非感光性有機膜）を積層する製造方法を用いることにより、最上面の平坦化膜の上面の平坦性をより向上させることができる。

ここで、発明者等の検証によれば、０．４μｍの表面段差を有する絶縁性基板上に、本実施形態と同様に感光性有機膜と非感光性有機膜からなる平坦化膜を形成した場合（有機材料は、上述した製造方法で開示したものを使用）、平坦化膜として単層の感光性有機膜のみを形成した場合に比較して、平坦化膜表面の段差が数％改善することが判明した。また、絶縁性基板上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる保護絶縁膜のみを形成した場合にあっては、コンタクトホールや配線用溝部を形成する際の異方性エッチング処理において、開口部や溝部の平面パターンのエッチング精度を充分高くすることができないことが判明した。

このように、本発明においては、画素駆動回路の上層に良好な平坦性を有する平坦化膜を形成することができるので、平坦化膜上に形成される画素電極（アノード電極）や有機ＥＬ層の平坦性を向上させて良好な素子特性（発光特性）を有する有機ＥＬ素子（発光素子）を実現することができるとともに、有機ＥＬ素子の形成領域を画素駆動回路の機能素子や配線層上にまで拡大して開口率を向上させることができ、表示装置の表示画質の向上や省電力化を図ることができる。

次に、上述した表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例について説明する。
図１１乃至図１４は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例を示す工程断面図である。ここで、上述した第１の例に係る製造方法と同等の工程については、その説明を簡略化して説明する。

第２の例に係る製造方法は、上述した第１の例に係る製造方法において図７（ａ）に示したように、まず、絶縁性基板１１の一面側に画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３やキャパシタＣｓ、データラインＬｄ、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1及び端子ＴＬｓの下層配線層ＴＬs1、供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1及び端子ＴＬａの下層配線層ＴＬa1等の配線層を形成した後、保護絶縁膜１３を被覆形成し、次いで、該保護絶縁膜１３上に形成されたフォトレジストに対して露光、現像処理を行い、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、下層の保護絶縁膜１３をエッチングすることにより、図１１（ａ）に示すように、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ（キャパシタＣｓの電極Ｅcb）が露出するコンタクトホール（第１の開口部）ＨＬdx、選択ラインＬｓの下層配線層Ｌs1（端子ＴＬｓの下層配線層ＴＬs1を含む）及び供給電圧ラインＬａの下層配線層Ｌa1（端子ＴＬａの下層配線層ＴＬa1を含む）が露出する配線用溝部（第１の開口部）ＨＬex、ＨＬfxを同時に形成する。

次いで、図１１（ｂ）に示すように、上記コンタクトホールＨＬdx及び配線用溝部ＨＬex、ＨＬfxの内部（少なくとも底面及び内壁面）に、スパッタ法等を用いて、銅（Ｃｕ）等の薄膜からなるシード層と、チタン（Ｔｉ）等の薄膜からなるバリア層を順次積層形成して下地コンタクト層（中間金属層）ＳＤＣｄ、ＳＤＣｓ、ＳＤＣａ、ＳＤＴｓ、ＳＤＴａを形成する。ここで、シード層は、後述する無電解めっき法による導電層（コンタクトメタルＭＴＬ、選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2、供給電圧ラインＬａの上層配線層Ｌa2等）の厚膜形成を良好に行うためのものであって、例えば３００ｎｍ程度の膜厚で形成され、また、バリア層は、シード層となる金属（ここでは銅）の拡散を防止するためのものであって、例えば２０ｎｍ程度の膜厚で形成される。

次いで、上記下地コンタクト層ＳＤＣｄ、ＳＤＣｓ、ＳＤＣａ、ＳＤＴｓ、ＳＤＴａが形成されたコンタクトホールＨＬdx及び配線用溝部ＨＬex、ＨＬfx、並びに、保護絶縁膜１３を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、下層側の平坦化膜１４となる感光性有機膜（第１の平坦化膜）１４ａを形成し、当該感光性有機膜１４ａに対して露光、現像処理を行い、パターニングすることにより、図１１（ｃ）に示すように、コンタクトホールＨＬdx及び配線用溝部ＨＬex、ＨＬfxに形成された下地コンタクト層ＳＤＣｄ、ＳＤＣｓ、ＳＤＣａ、ＳＤＴｓ、ＳＤＴａが露出するコンタクトホール（第２の開口部）ＨＬdy及び配線用溝部（第２の開口部）ＨＬｅ、ＨＬｆを同時に形成する。

次いで、図１２（ａ）に示すように、上記感光性有機膜１４ａに形成されたコンタクトホールＨＬdy及び配線用溝部ＨＬｅ、ＨＬｆに、コンタクトメタル（金属層）ＭＴＬ及び選択ラインＬｓの上層配線層Ｌs2、供給電圧ラインＬａの上層配線層Ｌa2、選択ラインＬｓの端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2及び供給電圧ラインＬａの端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2を無電解めっき法等により埋め込み形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように非感光性有機膜（第２の平坦化膜）１４ｂを形成し、例えば当該有機膜１４ｂ上に形成されたメタルマスクを用いて下層の有機膜１４ｂをエッチングすることにより、図１２（ｂ）に示すように、コンタクトメタルＭＴＬの上面が露出するコンタクトホール（第３の開口部）ＨＬdz、選択ラインＬｓの端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2の上面が露出するコンタクトホールＨＬｇ、及び供給電圧ラインＬａの端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2の上面が露出するコンタクトホールＨＬｈを形成する。一方、上層配線層Ｌs2、Ｌa2は、有機膜１４ｂにより被覆されて、下層配線層Ｌs1、下地コンタクト層ＳＤＣｓ及び上層配線層Ｌs2からなる選択ラインＬｓ、並びに、下層配線層Ｌa1、下地コンタクト層ＳＤＣａ及び上層配線層Ｌa2からなる供給電圧ラインＬａが、積層かつ厚膜の配線構造を有する埋め込み配線として形成される。

その後、上述した第１の例に係る製造方法において図９（ａ）〜図１０（ａ）に示した工程と同様に、図１３（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに画素電極（例えばアノード電極）１５の下層側の反射金属層１５ａをパターニング形成するとともに、各コンタクトホールＨＬｇにおいて露出された各端子ＴＬｓの上層配線層ＴＬs2とそれぞれ接続する各反射金属層１５ｃ、及び各コンタクトホールＨＬｈにおいて露出された各端子ＴＬａの上層配線層ＴＬa2とそれぞれ接続する各反射金属層１５ｅをパターニング形成する。

さらに、該反射金属層１５ａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、透明な導電性酸化金属層を薄膜形成し、画素電極１５の形状に対応するとともに、その一部が上記コンタクトホールＨＬdzにおいてコンタクトメタルＭＴＬと電気的に接続するように導電性酸化金属層をパターニングして画素電極１５の上層側の導電性酸化金属層１５ｂを形成するとともにコンタクトホールＨＬｇ内において反射金属層１５ｃの上面及び端面が露出しないように被覆して接続する導電性酸化金属層１５ｄ、さらに、コンタクトホールＨＬｈ内において反射金属層１５ｅの上面及び端面が露出しないように被覆して接続する導電性酸化金属層１５ｆを形成する。

次いで、図１３（ｂ）に示すように、隣接する表示画素ＰＩＸに形成された画素電極１５間の領域（隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）に下地層１８ｘ及び層間絶縁膜１８ｙを形成し、さらに下地層１８ｘ上にメタルバンク部１８ａを形成して、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定する。

次いで、図１４（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpxに有機高分子系の正孔輸送材料からなる正孔輸送層１６ａ、及び、有機高分子系の電子輸送性発光材料からなる電子輸送性発光層１６ｂを順次塗布形成して有機ＥＬ層１６を形成した後、当該有機ＥＬ層１６を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極１７を形成するとともに、選択ラインＬｓの各端子ＴＬｓの導電性酸化金属層１５ｄ上、供給電圧ラインＬａの各端子ＴＬａの導電性酸化金属層１５ｆ上にそれぞれ端子金属膜１７ｘ、１７ｙを形成する。そして、対向電極１７を含む絶縁性基板１１の一面側全域に封止層１９を形成し、さらに、封止蓋や封止基板２０を接合することにより、図１４（ｂ）に示すような断面構造を有する表示パネル１０が完成する。

すなわち、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）においては、少なくとも、コンタクトホールに埋め込むコンタクトメタルと下層の導電層（トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓ又はキャパシタＣｓの電極Ｅcb）との間、並びに、配線用溝部に埋め込み形成される選択ラインや供給電圧ラインとなる上層配線層と下層配線層との間に、各々シード層及びバリア層からなる下地コンタクト層を介在させたパネル構造を有している。

これによれば、無電解めっき法により銅（Ｃｕ）等からなるコンタクトメタルや上層配線層を形成する際に、コンタクトホールや配線用溝部を形成するエッチングによる下層の導電層へのダメージを防止することができるとともに、コンタクトホールや配線用溝部の内部にめっき前処理として形成するパラジウム（Ｐｄ）核の吸着性を向上させることができ、さらに、コンタクトメタルや上層配線層となる金属材料（銅）の拡散を抑制することができる。

なお、上述した各実施形態においては、平坦化膜１４上に形成される画素電極１５の反射金属層１５ａとして、上層側の平坦化膜１４となる有機膜１４ｂにコンタクトホールＨＬdb、ＨＬdzを開口するためのメタルマスク１５ｘをパターニングしたものを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、メタルマスク１５ｘを除去した後、反射金属層１５ａとなる金属層を新たにパターニング形成するものであってもよい。

また、上述した各実施形態においては、バンクメタル部１８ａとして、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）又はその合金を適用する場合について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、例えばアルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）等の金属、又は、これらを主成分とする合金等の、低抵抗の金属材料を適用し、これらの金属層の単層あるいは複数層の積層からなる構造を適用するものであってもよい。

また、上述した各実施形態において、表示パネル１０の表示動作（有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光動作）に伴って流れる電流量が小さい場合には、バンク１８として図５に示したような共通電圧ラインＬｃとして機能するバンクメタル部１８ａを設けた構造に替えて、下地層１８ｘとポリイミド等の感光性樹脂材料からなるバンク樹脂部により形成される構造を適用することにより、表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の画素形成領域Ｒpxを画定するとともに、各表示画素ＰＩＸに共通に延在して形成された対向電極１７を共通電圧ライン（例えばカソード）として用いるものであってもよい。

また、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層１６として、有機高分子系の正孔輸送材料及び電子輸送性発光材料を用いる場合について説明するため、各色画素間での混色を防止する目的で上記バンク１８を設けたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、低分子系の有機材料を用いて有機ＥＬ層を形成するものであってもよい。この場合、上記高分子系の有機材料の場合とは異なり、マスクを用いた蒸着法等を適用することができるので、図５に示したような絶縁性基板（平坦化膜）表面から突出するバンク（特に、バンクメタル部やバンク樹脂部）を設ける必要はなく、下地層１８ｘや層間絶縁膜１８ｙにより各表示画素ＰＩＸの画素形成量域Ｒpxを画定することができる。

さらに、上述した各実施形態においては、表示パネル１０の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる画素駆動回路ＤＣとして、図２に示したように、ｎチャネル型のトランジスタ（すなわち、単一のチャネル極性を有する薄膜トランジスタ）Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３を適用した回路構成を示した。このような回路構成によれば、ｎチャネル型の薄膜トランジスタのみを適用することができるので、既に製造技術が確立されたアモルファスシリコン半導体製造技術を用いて、動作特性が安定したトランジスタを簡易に製造することができ、上記表示画素の発光特性のバラツキを抑制した発光駆動回路を実現することができる。

また、図２においては、画素駆動回路ＤＣ内に設けられたトランジスタＴｒ１１〜トランジスタＴｒ１３として全てｎチャネル型を適用したが、ｐチャネルが含まれていてもよい。この場合、ｐチャネル型トランジスタのソース、ドレインはそれぞれ、ｎチャネル型トランジスタのソース、ドレインと逆の関係になる。また、トランジスタＴｒ１１〜トランジスタＴｒ１３として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ以外にポリシリコン薄膜トランジスタを適用するものであってもよい。このように、発光駆動回路は、ｎチャネル型又はｐチャネル型のいずれか一方のチャネル極性を有するトランジスタのみを備えるものであってもよいし、ｎチャネル型及びｐチャネル型の双方のチャネル極性を有するトランジスタを備えるものであってもよい。

また、上述した各実施形態においては、表示パネル１０の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）として、図２に示したように、トランジスタを３個備え、表示データに応じた階調電流Ｉdataを供給することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの輝度階調を設定する電流指定（電流階調制御）型の発光駆動回路を示したが、本発明に係る表示装置はこれに限定されるものではなく、少なくとも各表示画素において、表示データに基づいて発光駆動電流の電流値が設定され、該電流値に応じた輝度階調で有機ＥＬ素子を駆動制御するものであれば、電流指定型の他の回路構成を有するものであってもよいし、表示データに応じた電圧成分（階調電圧）を供給することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの輝度階調を設定する電圧指定（電圧階調制御）型の発光駆動回路を適用するものであってもよい。

さらに、上述した各実施形態においては、電荷輸送層である有機ＥＬ層１６として、正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有している場合について説明したが、これに限らず、正孔輸送性発光層及び電子輸送層を有していてもよく、正孔輸送性兼電荷輸送性発光層の単層のみでもよく、正孔輸送層、発光層、電荷輸送層の三層構造でもよく、その他の積層構造であってもよい。

本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。 本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（表示素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。 本実施形態に係る表示画素の平面レイアウトの要部詳細図である。 本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。 本実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の例を示す工程断面図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の例を示す工程断面図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の例を示す工程断面図（その３）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の例を示す工程断面図（その４）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例を示す工程断面図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例を示す工程断面図（その２）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例を示す工程断面図（その３）である。 本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第２の例を示す工程断面図（その４）である。 画素回路を備えた表示パネル（有機ＥＬパネル）の断面構造の一例を示す要部構成図である。

符号の説明

１１ 絶縁性基板
１３ 保護絶縁膜
１４ 平坦化膜
１４ａ 感光性有機膜
１４ｂ 有機膜
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 導電性酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
ＤＣ 画素駆動回路
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
ＭＴＬ コンタクトメタル
Ｌｓ 選択ライン
Ｌａ 供給電圧ライン
Ｌs1、Ｌa1 下層配線層
Ｌs2、Ｌa2 上層配線層
ＳＤＣｄ、ＳＤＣｓ、ＳＤＣａ 下地コンタクト層

Claims (6)

1. 表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置において、
   少なくとも、
   基板上に形成された前記画素回路と、
   前記画素回路の導電層及び配線層を被覆する、複数の絶縁膜を積層してなる平坦化膜と、
   前記平坦化膜上に延在し、当該平坦化膜に形成された開口部を介して、前記導電層に電気的に接続された画素電極を有する前記表示素子と、
   を具備することを特徴とする表示装置。
2. 前記平坦化膜は、少なくとも、下層側の第１の有機膜と、上層側の第２の有機膜と、を含み、
   前記画素電極は、前記導電層上の前記第１の有機膜及び前記第２の有機膜を貫通して設けられた前記開口部に埋め込み形成された金属層に、当該開口部の内部で電気的に接続され、
   前記配線層は、前記第１の有機膜に埋め込み形成され、前記第２の有機膜により被覆されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記平坦化膜は、前記第１の有機膜の下層に保護絶縁膜を有し、
   少なくとも前記第１の有機膜が感光性有機材料からなり、
   前記配線層は、前記保護絶縁膜及び前記第１の有機膜を貫通して設けられた溝部に埋め込み形成され、
   前記配線層は、前記導電層と同一層に設けられた下層配線層と、前記保護絶縁膜及び前記第１の有機膜を貫通して設けられた溝部に埋め込み形成される上層配線層と、を有し、
   前記導電層と前記金属層との間、及び、前記下層配線層と前記上層配線層との間に、各々、前記金属層及び前記上層配線層の金属材料の拡散を防止するとともに、前記金属層及び前記上層配線層の形成の核となる金属材料からなる中間金属層が設けられていることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
4. 表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
   基板上に、前記画素回路の導電層、及び、前記画素回路に接続される配線層となる下層配線層を形成する工程と、
   前記導電層及び前記下層配線層を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
   前記保護絶縁層上に感光性材料からなる第１の平坦化膜を形成し、露光、現像処理によりパターニングした該第１の平坦化膜をマスクとして前記保護絶縁層をエッチングして、前記第１の平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記導電層及び前記下層配線層が露出する第１の開口部を形成する工程と、
   前記第１の開口部内で、前記導電層に電気的に接続する金属層、及び、前記下層配線層に電気的に接続する上層配線層を埋め込み形成する工程と、
   前記金属層及び前記上層配線層の上面が露出する前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、前記金属層上の前記第２の平坦化膜をエッチングして、前記金属層が露出する第２の開口部を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
5. 表示素子と画素回路からなる複数の表示画素が二次元配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
   基板上に、前記画素回路の導電層、及び、前記画素回路に接続される配線層となる下層配線層を形成する工程と、
   前記導電層及び前記下層配線層を被覆する保護絶縁層を形成し、該保護絶縁膜をエッチングして、前記導電層及び前記下層配線層が露出する第１の開口部を形成する工程と、
   前記第１の開口部内で、前記導電層及び前記下層配線層に電気的に接続する中間金属層を形成する工程と、
   前記保護絶縁層上に感光性材料からなる第１の平坦化膜を形成し、該第１の平坦化膜をエッチングして、前記中間金属層が露出する第２の開口部を形成する工程と、
   前記第２の開口部内で、前記中間金属層を介して前記導電層に電気的に接続する金属層、及び、前記中間金属層を介して前記下層配線層に電気的に接続する上層配線層を埋め込み形成する工程と、
   前記金属層及び前記上層配線層の上面が露出する前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、前記金属層上の前記第２の平坦化膜をエッチングして、前記金属層が露出する第３の開口部を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 前記中間金属層は、前記金属層及び前記上層配線層の金属材料の拡散を防止するとともに、前記金属層及び前記上層配線層を埋め込み形成する際の核となる金属材料からなることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
   

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