CN102969452A - 有机电致发光显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种可防止显示面板劣化的有机电致发光显示面板及其制造方法。所述有机电致发光显示面板包括形成在基板上的驱动薄膜晶体管、与所述驱动薄膜晶体管连接的第一电极、其中形成有用于暴露所述第一电极的堤岸孔的堤岸绝缘膜、具有堆叠在所述堤岸孔中的多个公共层的有机公共层、以及形成在所述有机公共层上的第二电极，其中所述多个有机公共层具有彼此不同的堆叠位置，从而它们的侧边缘在两侧上形成阶梯形。

Description

有机电致发光显示面板及其制造方法

本申请要求2011年8月29日提交的韩国专利申请No.10-2011-0086753以及2012年2月17日提交的韩国专利申请No.10-2012-0016418的优先权，在此援引所述专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示面板，尤其涉及一种可防止显示面板劣化的有机电致发光显示面板及其制造方法。

背景技术

显示各种信息的显示器正朝着提供更薄、更轻、便携和高性能的方向发展。由此，可降低重量和体积(阴极射线管(CRT)的缺点)的有机电致发光显示器等引起人们的注意。有机发光器件(OLED)，即在电极之间具有薄发光层的自发光器件，具有能将显示器制作成纸张一样薄的优点。在OLED中，存在有源矩阵OLED(AMOLED)和无源矩阵OLED(PMOLED)。

在这种情况下，有源矩阵OLED(AMOLED)具有像素矩阵，每个像素都具有用于显示图像的R，G，B三色子像素。每个子像素都具有有机电致发光器件以及用于驱动有机电致发光器件的单元驱动器。单元驱动器具有用于供给扫描信号的栅极线、用于供给视频数据信号的数据线、用于供给公共电源信号的公共电源线、至少两个薄膜晶体管、以及存储电容器。

有机电致发光器件具有阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的公共层。公共层包括空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、发光层、电子注入层EIL以及电子传输层ETL。如图1中所示，公共层依次堆叠在同一位置。

如果在包括公共层的基板上沉积阴极10，则阴极10在公共层的前表面B处具有平坦均匀的厚度，但是由于公共层的台阶覆盖，阴极10在公共层的侧表面A处具有非均匀的厚度。因而，尽管前表面B上沉积的阴极10具有均匀厚度，但因为侧面A上沉积的阴极10具有非均匀厚度，所以阴极10的电阻随其位置而变化，发生显示器的劣化。

发明内容

提供了一种可防止显示面板劣化的有机电致发光显示面板及其制造方法。为了获得该优点和其它优点，根据本发明的目的，如这里具体表示和广义描述的，一种有机电致发光显示面板包括：形成在基板上的驱动薄膜晶体管、与所述驱动薄膜晶体管连接的第一电极、其中形成有用于暴露所述第一电极的堤岸孔的堤岸绝缘膜、具有堆叠在所述堤岸孔中的多个公共层的有机公共层、以及形成在所述有机公共层上的第二电极，其中所述多个有机公共层以交错方式形成，从而所述有机公共层的侧边缘一同形成阶梯形。在一个实施方式中，使用遮蔽掩模形成所述多个有机公共层。

在一个实施方式中，所述多个有机公共层包括第一到第五公共层，其中所述第一公共层为空穴注入层(HIL)，所述第二公共层为空穴传输层(HTL)，所述第三公共层为红色、绿色或蓝色发光层(EML)，所述第四公共层为电子传输层(ETL)，所述第五公共层为电子注入层(EIL)。所述有机电致发光显示面板可进一步包括形成在所述第一电极与所述有机公共层之间的缓冲膜。

所述有机公共层形成阶梯形。在一个实施方式中，所述有机公共层包含在子像素区域内，从而每个子像素区域都具有以阶梯形堆叠的有机公共层。在其他实施方式中，第一、第二、第四和第五公共层形成阶梯形并延伸横跨多个子像素区域。根据所述实施方式，所述第三公共层也可延伸横跨多个子像素区域，或者可包含在子像素区域内，从而每个子像素区域都具有其自己的第三公共层。

在一个实施方式中，所述第一公共层堆叠在所述第一电极上。所述第二公共层的一个侧边缘位于距所述第一公共层的左侧边缘向左一定距离处，从而所述第二公共层在所述左侧上包覆所述第一公共层。所述第三公共层位于距所述第一和第二公共层的右侧边缘向右一定距离处，从而所述第三公共层在第一和第二公共层的右侧上包覆所述第一和第二公共层。所述第四公共层位于距所述第二和第三公共层的左侧边缘向左一定距离处，从而所述第四公共层在第二和第三公共层的左侧上包覆所述第二和第三公共层。所述第五公共层位于距所述第三和第四公共层的右侧边缘向右一定距离处，从而所述第五公共层在第三和第四公共层的右侧上包覆所述第三和第四公共层。在一个实施方式中，所述第二和第四公共层的所述左侧边缘从所述第一公共层的左边缘向左延伸10～50μm。所述第三和第五公共层的所述右侧边缘从所述第一公共层的右边缘向右延伸10～50μm。

在一个实施方式中，所述第二公共层的右(或“内”)边缘位于距所述第一公共层的右边缘向左一定距离处。所述第三公共层的左(或“内”)边缘位于距所述第一公共层的左侧边缘向右一定距离处。所述第四公共层的右边缘位于距所述第一公共层的右边缘向左一定距离处。所述第五公共层的左边缘位于距所述第一公共层的左边缘向右一定距离处。

在另一个实施方式中，所述有机公共层的左侧上的侧边缘的每个都包覆下方层的左侧边缘，且所述有机公共层的右侧上的右侧边缘的每个都延伸越过上方层的右侧边缘。在其他实施方式中，可以预见到侧边缘延伸越过或包覆其他有机公共层的其他侧边缘的其他形式。

所述有机公共层的左右定位的选择是任意的，在另一实施方式中可以颠倒。

在下面的描述中将列出本发明的其它优点、目的和特征，这些优点、目的和特征的一部分从下面的描述对于本领域普通技术人员来说是显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的内容提供进一步的解释。

附图说明

给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1图解了常规有机电致发光器件的剖面图；

图2图解了根据一个实施方式的R，G，B子像素区域的等效电路图；

图3图解了具有图2中R，G，B子像素区域的有机电致发光显示面板的剖面图；

图4图解了图3的有机电致发光显示面板中的有机电致发光器件的放大图；

图5图解了比较现有技术有机公共层的劣化不良率和阶梯形有机公共层的劣化不良率的图表；

图6A到6H图解了显示根据一个实施方式制造有机电致发光显示面板的方法步骤的剖面图；

图7A到7E图解了用于描述根据一个实施方式形成有机公共层的方法的透视图；

图8是根据第二个实施方式的有机电致发光显示面板的剖面图；

图9是根据第三个实施方式的有机电致发光显示面板的剖面图；

图10是根据第四个实施方式的有机电致发光显示面板的剖面图；

图11是根据一个实施方式的有机电致发光显示面板的剖面图。

具体实施方式

现在详细描述本发明的具体实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。在任何时候，在整个附图中将使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。需要引起注意的是，如果确定公知的技术会导致误解本发明，则将省略对公知技术的详细描述。

第一个实施方式

将参照图2到7E描述本发明的优选实施方式。

图2图解了根据本发明优选实施方式的R，G，B子像素区域的等效电路图，图3图解了具有图2中R，G，B子像素区域的有机电致发光显示面板的剖面图，图4图解了图3的有机电致发光显示面板中的有机电致发光器件的放大图。

参照图2，有机电致发光显示面板包括由彼此交叉的栅极线GL、数据线DL和电源线PL限定的多个像素区域。每个像素区域都具有有机电致发光器件和用于驱动有机电致发光器件的单元驱动器200。

所述多个像素区域具有红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域以矩阵形式布置，用于显示图像。

单元驱动器200包括与栅极线GL和数据线DL连接的开关薄膜晶体管TS、连接在开关薄膜晶体管TS、电源线PL和有机电致发光器件的第一电极222之间的驱动薄膜晶体管TD、以及连接在电源线PL与开关薄膜晶体管TS的漏极电极110之间的存储电容器C。

开关薄膜晶体管TS具有与栅极线GL连接的栅极电极、与数据线DL连接的源极电极、和与驱动薄膜晶体管TD的栅极电极和存储电容器C连接的漏极电极。驱动薄膜晶体管TD具有与电源线PL连接的源极电极、与有机电致发光器件的第一电极222连接的漏极电极。存储电容器C连接在电源线PL与驱动薄膜晶体管TD的栅极电极之间。

当给栅极线GL施加扫描脉冲时，开关薄膜晶体管TS导通，以将数据信号从数据线DL供给到存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极电极。驱动薄膜晶体管TD响应于供给到栅极电极的数据信号，控制从电源线PL供给到有机电致发光器件的电流I，从而控制有机电致发光器件的发光。在供给下一帧的数据信号之前，即使开关薄膜晶体管TS关断，通过从存储电容器C供给恒定电流I，驱动薄膜晶体管TD也可保持有机电致发光器件的发光。

将参照图3描述驱动薄膜晶体管TD。参照图3，在基板101上形成第一缓冲膜116，在每个子像素区域处的第一缓冲膜116上形成有源层114。有源层114具有注入n⁺掺杂的源极和漏极区域114S和114D、以及在源极和漏极区域114S和114D之间的沟道区域114C。在包括有源层114的基板的整个表面上形成栅极绝缘膜112。在有源层114的沟道区域114C上方的栅极绝缘膜112上形成栅极电极106。在包括栅极电极的基板上形成层间绝缘膜126，层间绝缘膜126具有源极接触孔124S和漏极接触孔124D，源极接触孔124S和漏极接触孔124D穿过层间绝缘膜126和栅极绝缘膜112以暴露源极和漏极区域114S和114D。在层间绝缘膜上形成源极电极108和漏极电极110。源极电极108和漏极电极110分别通过源极接触孔124S和漏极接触孔124D与有源层114的源极区域114S和漏极区域114D连接。有源层114可在沟道区域114C与源极和漏极区域114S和114D之间进一步设置注入有n^-掺杂的轻掺杂的漏极LLD区域(未示出)，以减小关断电流。尽管针对一种类型进行了描述，但在其他实施方式中驱动薄膜晶体管TD可以是p型或n型的。

在包括驱动薄膜晶体管TD的基板上形成有机绝缘材料的有机保护膜119。或者，该保护膜可具有无机材料的无机保护膜和有机绝缘材料的有机保护膜的两层。

将参照图3和4描述有机电致发光器件。参照图3和4，在有机保护膜119上形成第一电极132，第一电极132与驱动薄膜晶体管TD的漏极电极110连接。在包括第一电极132的基板上形成具有暴露第一电极132的堤岸孔135的堤岸绝缘膜130。在第一电极132上形成第二缓冲膜136。在一个实施方式中，第二缓冲膜136由有机材料形成。在第二缓冲膜136上形成由多个公共层150a到150e构成的有机公共层150。在有机公共层150上形成第二电极152，使第二电极在至少三侧上包覆有机公共层。

当在第一电极132与第二电极152之间施加电压时，第二电极152产生电子，第一电极132产生空穴，于是产生了激子。电子和空穴均注入到第三公共层150c(发光层)中并在此处复合。结果，当激子下降到基态时，有机电致发光器件发光。

第一电极132，即阳极，例如由诸如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)的透明导电材料形成。因为第一电极132由透明导电材料形成，所以来自第三公共层150c(发光层)的光通过第一电极132发射到底表面。第二电极152，即阴极，由诸如铝Al的反射金属形成。如图3中所示，尽管本发明提出底部发光，但根据第一和第二电极132和152的材料，底部发光、正面发光或两侧发光都是可以的。

有机公共层150包括第一到第五公共层150a到150e，它们在两侧边缘上具有阶梯形。第一公共层150a形成为空穴注入层HIL，第二公共层150b形成为空穴传输层HTL，第三公共层150c形成为R，G，B发光层EML，第四公共层150d形成为电子传输层ETL，第五公共层150e形成为电子注入层EIL。第三公共层150c可在R子像素区域形成为发射红光的红色发光层，在G子像素区域形成为发射绿光的绿色发光层，或者在B子像素区域形成为发射蓝光的蓝色发光层。其他颜色的发光层也是可以预见到的。

参照图4，第一公共层150a形成在第二缓冲膜136上，第二公共层的右(或“内”)边缘150b-1位于距第一公共层的右边缘150a-1向左一定距离处。第三公共层的左(或“内”)边缘150c-2位于距第一公共层的左边缘150a-2向右一定距离处。第四公共层的右边缘150d-1位于距第一公共层的右边缘150a-1向左一定距离处。第五公共层的左边缘150e-2位于距第一公共层的左边缘150a-2向右一定距离处。

在该实施方式中，第二和第四公共层的右边缘150b-1和150d-1位于距第一公共层的右边缘150a-1向左10～50μm处，优选在30μm处。第三和第五公共层的左边缘150c-2和150e-2位于距第一公共层的左边缘150a-2向右10～50μm处，优选在30μm处。因为这些边缘没有延伸越过第一公共层的上述边缘(150a-1或150a-2，随有机公共层而定)，所以这些边缘称为内边缘。

第二公共层150b的左边缘150b-2定位成包覆第一公共层150a的左边缘150a-2。左边缘150b-2延伸越过第一公共层150a的左边缘150a-2达10～50μm，优选30μm。第三公共层150c的右边缘150c-1定位成包覆第一和第二公共层150a和150b的右边缘150a-1和150b-1。右边缘150c-1延伸越过第一公共层150a的右边缘150a-1达10～50μm，优选30μm。第四公共层150d的左边缘150d-2定位成包覆第二和第三公共层150b和150c的左边缘150b-2和150c-2。左边缘150d-2延伸越过第二公共层150b的左边缘150b-2达10～50μm，优选30μm。第五公共层150e的右边缘150e-1定位成包覆第三和第四公共层150c和150d的右边缘150c-1和150d-1。右边缘150e-1延伸越过第三公共层150c的右边缘150c-1达10～50μm，优选30μm。

有机公共层的边缘的左右定位的指定是任意的，在其他实施方式中可以颠倒。

因而，有机公共层150彼此相对形成在不同位置中，从而在侧边缘处形成阶梯形。当沉积第二电极152时，在有机公共层150的边缘处形成阶梯形使在有机公共层150上堆叠均匀厚度的第二电极152成为可能。均匀厚度堆叠使第二电极152在第一与第五公共层之间具有基本一致(或恒定)的厚度。例如，第二电极152在第三公共层的侧面上的厚度基本与其在第一、第二、第四和第五公共层的侧面上的厚度相同。均匀厚度堆叠防止在有机公共层150与第二电极152之间发生劣化。

图5图解了比较现有技术的有机公共层150的劣化不良率和本发明的阶梯形有机公共层的劣化不良率的图表。尽管现有技术的依次堆叠在同一位置的公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL具有平均3.9％的劣化故障率，但本发明的以阶梯形堆叠在不同位置的第一到第五公共层150a到150e具有0％的劣化故障率，即不存在。

这在下面进行解释。现有技术的依次堆叠在同一位置的公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL具有不均匀沉积的阴极10。就是说，如图1中所示，尽管沉积在公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL叠层正面上的阴极10具有均匀厚度，但沉积在公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL叠层侧面上的阴极10较薄，不能适当地沉积。据此，尽管沉积在公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL正面上的阴极10具有均匀厚度，沉积在公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL侧面上的阴极10较薄，厚度随位置而变化。因为阴极的厚度随位置而变化，所以发生劣化。就是说，因为沉积在现有技术的公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL侧面上的阴极的厚度比沉积在公共层HIL，HTL，EML，ETL和EIL正面上的阴极的厚度薄，使得侧面的电阻较高，因此发生劣化。

然而，本发明的有机公共层150具有以不同堆叠位置的阶梯形堆叠的多个公共层150a到150e，使得阴极(或第二电极)152均匀沉积在侧面上。据此，因为沉积在有机公共层150正面上的阴极152的厚度和沉积在有机公共层150侧面上的阴极152的厚度是均匀的，所以不会发生劣化。

覆盖层154具有防止湿气和氧气渗透的至少两层，如图3中所示，覆盖层154可由无机膜154a和有机膜154b、或者多个无机膜154a和有机膜154b形成。

图6A到6H图解了显示制造图3中所示的根据本发明实施方式的有机电致发光显示面板的方法步骤的剖面图。

参照图6A，在基板101的整个表面上形成第一缓冲膜116，并在每个子像素区域上方的缓冲膜116上形成多个有源层114。

详细地说，通过诸如CVD和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的沉积方法，在基板101的整个表面上由诸如SiO₂的无机绝缘材料形成第一缓冲膜116。在第一缓冲膜116上形成非晶硅层，由激光束将非晶硅层结晶，从而将非晶硅层变为多晶硅层。使用第一掩模通过光刻选择性蚀刻多晶硅层，以在第一缓冲膜116上形成有源层114。可在激光束结晶之前额外进行脱氢步骤，以从非晶硅膜移除氢原子。

参照图6B，通过PECVD或CVD，在具有有源层114的第一缓冲膜116的整个表面上由诸如SiO₂的无机绝缘材料形成栅极绝缘膜112。然后，通过诸如溅射的沉积方法在栅极绝缘膜112上形成栅金属层。栅金属层为钼Mo、铝Al或铬Cr、或它们的合金的单层或者双层。然后，通过光刻和蚀刻将栅金属层构图，从而形成栅极电极106。

通过使用栅极电极106作为掩模将n⁺掺杂注入有源层114中，从而在有源层中形成n⁺掺杂的源极和漏极区域114S和114D以及沟道区域114C。

参照图6C，通过PECVD或CVD，在其上形成有栅极电极106的栅极绝缘膜112的整个表面上由诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料形成层间绝缘膜126。然后，使用第三掩模通过光刻和蚀刻形成穿过栅极绝缘膜112和层间绝缘膜126的源极和漏极接触孔124S和124D。源极和漏极接触孔124S和124D分别暴露源极和漏极区域114S和114D或214S和214D。

参照图6D，在层间绝缘膜126上形成源极电极和漏极电极108和110。

详细地说，例如通过溅射在层间绝缘膜126上沉积源极和漏极金属层，并使用第四掩模通过光刻和蚀刻使源极和漏极金属层构图，从而形成源极电极108和漏极电极110。源极电极108和漏极电极110分别通过源极和漏极接触孔124S和124D与有源层114中的源极区域114S和漏极区域114D接触。

参照图6E，在其上形成有源极和漏极电极108和110的基板101上形成具有像素接触孔120的保护膜119。

详细地说，通过PECVD或CVD，在其上形成有源极和漏极电极108和110的基板101上形成保护膜119。保护膜119可由无机绝缘材料、或有机绝缘材料、或无机绝缘材料和有机绝缘材料的两层形成。使用第五掩模通过光刻和蚀刻将保护膜119构图，从而形成穿过保护膜119的像素接触孔120。像素接触孔120暴露漏极电极110。

参照图6F，形成与驱动薄膜晶体管TD的漏极电极110直接接触的有机电致发光器件的第一电极132。

详细地说，通过诸如溅射的沉积方法，在保护膜119上由诸如TCO(透明导电氧化物)、ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)的透明导电材料形成透明导电电极层，并使用第六掩模通过光刻和蚀刻将透明导电电极层构图，从而形成第一电极132。

参照图6G，在其上形成有第一电极132的基板101上形成具有堤岸孔135的堤岸绝缘膜130。

详细地说，通过非旋涂或旋涂，在其上形成有第一电极132的基板101的整个表面上涂布诸如丙烯基树脂的有机绝缘材料，并使用第七掩模通过光刻和蚀刻将该有机绝缘材料构图，从而形成穿过堤岸绝缘膜130而暴露第一电极132的堤岸孔135。

参照图6H，在第一电极132上形成第二缓冲膜136、具有多个公共层150a到150e的有机公共层150、以及第二电极152。

详细地说，在堤岸孔135中形成第二缓冲膜136，使用遮蔽掩模(shadowmask)在第二缓冲膜136上依次堆叠第一到第五公共层150a到150e，从而形成有机公共层150。如图7A中所示，遮蔽掩模180包括多个开口184和阻挡区域182，多个开口184与像素区域的各个尺寸(例如，将要形成的有机公共层的尺寸)匹配，用于使沉积材料在沉积时穿过，阻挡区域182用于在沉积时阻挡沉积材料。将参照图7A到7E描述形成第一到第五公共层150a到150e的方法。

图7A到7E图解了用于描述根据一个实施方式形成有机公共层的方法的透视图。

参照图7A，通过遮蔽掩模180的开口184，在第一电极132上形成第一公共层150a。使用遮蔽掩模180在第一公共层150a上形成第二公共层150b。如图7B中所示，将遮蔽掩模180相对于第一公共层150a的位置向左(例如，第一方向)移动10～50μm。例如，可自遮蔽掩模180中开口184的侧边缘测量该距离。通过遮蔽掩模180中的开口184，在第一公共层150a上形成第二公共层150b。第一公共层150a上形成的第二公共层150b相对于第一公共层150a向左移位。

使用同一遮蔽掩模180在第二公共层150b上形成第三公共层150c。如图7C中所示，将遮蔽掩模180相对于第一公共层150a的位置向右(例如，第二方向)移动10～50μm。通过遮蔽掩模180中的开口184，在第一和第二公共层上形成第三公共层150c。第一和第二公共层上形成的第三公共层150c相对于第一公共层150a向右移位。

使用同一遮蔽掩模180在第三公共层150c上形成第四公共层150d。如图7D中所示，将遮蔽掩模180相对于第一公共层150a的位置向左移动10～50μm。通过遮蔽掩模180中的开口184，在第二和第三公共层150c上形成第四公共层150d。第二和第三公共层150c上形成的第四公共层150d相对于第一公共层150a向左移位。

使用同一遮蔽掩模180在第四公共层150d上形成第五公共层150e。如图7E中所示，将遮蔽掩模180相对于第一公共层150a的位置向右移动10～50μm。通过遮蔽掩模180中的开口184，在第三和第四公共层上形成第五公共层150e。第三和第四公共层150d上形成的第五公共层150e相对于第一公共层150a向右移位。

如上所述，相对于有机公共层的叠层的左右选择是任意的，在其他实施方式中可以颠倒。

在第二缓冲膜136上形成第一公共层150a。在形成有机公共层之后，在其上形成有有机公共层150的基板101上沉积具有高反射率的诸如铝Al的材料的第二电极152以及覆盖层154，由此包覆有机公共层。在一个实施方式中，这通过在具有有机公共层150的基板的整个表面上进行沉积来实现。通过诸如CVD和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的沉积方法，在第二电极152的整个表面上由诸如氮化硅膜、氧化硅膜、金属或金属氧化物膜的无机膜154a和丙烯酸脂等的有机膜154b形成覆盖层154。

第二个实施方式

第一个实施方式图解了其中有机公共层对每个子像素区域而言形成为分离且不同的实施方式。然而，本发明并不限于该特定构造。在其他实施方式中，一个或多个有机公共层可形成为延伸横跨不只一个子像素区域。

图8是根据第二个实施方式的有机电致发光显示面板的剖面图。在第二个实施方式中，总共五个有机公共层150中的四个是不只一个子像素区域共用的，且中间的有机公共层，即EML或第三有机公共层150c对每个子像素而言形成为分离且不同的。结果，可设计每个子像素的EML为不同，以发射不同颜色的光(例如，红色、绿色和蓝色)。

在该实施方式中，在每个像素中，第一电极132与驱动薄膜晶体管TD的漏极电极110连接。第一电极132形成在保护膜119上。如图3和4中所示，在每个像素的前表面上形成具有暴露第一电极132的堤岸孔135的堤岸绝缘膜130。如上所述，所述面板包括形成在各个像素的第一电极132上的有机公共层150a-e。在顶部有机公共层150上形成多个像素共用的第二电极152。

有机公共层150包括以阶梯形形成的第一到第五公共层150a到150e。如上所述，空穴注入层(HIL)形成为第一公共层150a，空穴传输层(HTL)形成为第二公共层150b，R，G和B发光层(EML)形成为第三公共层150c，电子传输层(ETL)形成为第四公共层150d，电子注入层(EIL)形成为第五公共层150e。

第一、第二、第四和第五公共层150a，150b，150d和150e形成为横跨面板前表面上的多个像素(和/或子像素)区域而被共用。与第一个实施方式形成对比，在各个像素区域的每一个处单独形成第三公共层150c。结果，第三公共层150c可用作发射红光的R子像素区域的红光发射层、用作发射绿光的G子像素区域的绿光发射层、或用作发射蓝光的B子像素区域的蓝光发射层。

第二公共层150b的左侧边缘形成在从第一公共层150a的左侧边缘向右移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。第三公共层150c形成在每个子像素区域中的第二公共层150b上。第四公共层150d的右侧边缘形成在从第一公共层150a的右侧边缘向左移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。第五公共层150e的左侧边缘形成在从第二公共层150b的左侧边缘向右移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。

如上所述，由于第一、第二、第四和第五公共层150a，150b，150d和150e的左右侧边缘的不同位置，有机公共层150的两个侧表面均为阶梯形。有机公共层150形成阶梯形侧边缘使得第二电极152以均匀厚度沉积在有机公共层150上。具有更加均匀厚度的第二电极152降低了有机公共层150与第二电极152之间劣化的发生。

除了可使用两个不同遮蔽掩模形成有机公共层之外，形成第二个实施方式中的有机公共层150的方法与参照图6A到6H以及图7A到7E描述的方法类似。可使用第一遮蔽掩模(未示出)形成第一、第二、第四和第五有机公共层。可使用在与子像素区域对应的位置处形成有开口184的第二遮蔽掩模180(例如，与图7中所述相同的遮蔽掩模)形成第三有机公共层。

第三个实施方式

与第二个实施方式类似，第三个实施方式是其中一个或多个有机公共层可形成为延伸横跨不只一个子像素区域的另一种情形。

图9是根据第三个实施方式的单色有机电致发光显示面板的剖面图。在第三个实施方式中，每个像素中第一电极132也与驱动薄膜晶体管TD的漏极电极110连接。第一电极132形成在保护膜119上。如图3和4中所示，在每个像素的前表面上形成具有暴露第一电极132的堤岸孔135的堤岸绝缘膜130。如上所述，所述面板包括形成在各个像素的第一电极132上的有机公共层150a-e。在顶部有机公共层150上形成多个像素共用的第二电极152。

有机公共层150包括以阶梯形形成的第一到第五公共层150a到150e。如上所述，空穴注入层(HIL)形成为第一公共层150a，空穴传输层(HTL)形成为第二公共层150b，单色发光层(EML)形成为第三公共层150c，电子传输层(ETL)形成为第四公共层150d，电子注入层(EIL)形成为第五公共层150e。

在该实施方式中，所有五个公共层150a，150b，150c，150d和150e在面板前表面上横跨子像素区域共用地形成。

第二公共层150b的左侧边缘位于从第一公共层150a的左侧边缘向右移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。第三公共层150c位于第一公共层150a的左侧边缘与第二公共层150b的右侧边缘之间。在该实施例中，第三有机公共层150c的左侧边缘包覆第二有机公共层150b的左侧边缘，但并不包覆第一有机公共层150a的左侧边缘。第三有机公共层150c的右侧边缘没有延伸越过第二有机公共层150b的右侧边缘。第四公共层150d的右侧边缘位于从第一公共层150a的右侧边缘向左移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。第五公共层150e的左侧边缘位于从第二公共层150b的左侧边缘向右移动距离10～50μm(优选30μm)的位置处。

因为第三有机公共层150c为多个子像素区域共用，所以使用该公共层不会实现颜色区分。反之，使用该实施方式形成的显示器为黑白显示器。或者，可通过在第三有机公共层与显示面板的前表面之间给每个子像素增加滤色器来形成单个的绿色、蓝色和红色子像素。在一个实施方式中，在基板101与显示面板的前表面之间增加滤色器。

如上所述，由于第一、第二、第四和第五公共层150a，150b，150d和150e的左右侧边缘的不同位置，有机公共层150的两个侧表面均为阶梯形。有机公共层150形成阶梯形侧边缘使得第二电极152以均匀厚度沉积在有机公共层150上。具有更加均匀厚度的第二电极152降低了有机公共层150与第二电极152之间劣化的发生。

除了用于形成有机公共层的遮蔽掩模具有延伸横跨多个像素和/或子像素区域的开口184之外，形成第三个实施方式中的有机公共层150的方法与参照图6A到6H以及图7A到7E描述的方法类似。在一个实施方式中，遮蔽掩模开口184足够大以对显示面板的所有像素同时形成有机公共层。

第四个实施方式

第三个实施方式描述了第三公共层150c，即发光层的侧边缘没有延伸越过其下方的有机公共层的侧边缘。除了第三有机公共层150c的至少一个侧边缘延伸越过其下方的有机公共层的侧边缘之外，第四个实施方式与第三个实施方式相同。图10是根据第四个实施方式的单色有机电致发光显示面板的剖面图。

第五个实施方式

第一到第四个实施方式解释了有机公共层形成为使每层的侧边缘与前一层的侧边缘以交替方式交叠，从而一个侧边缘与前一层交叠，另一侧边缘不与前一层交叠。相反，在第五个实施方式，在一侧(例如，左侧)上的所有侧边缘都不与前一层的侧边缘交叠，在另一侧(例如，右侧)上的所有侧边缘都与前一层的侧边缘交叠。具有不同交叠形式的其他实施方式也是可以预见到的。不管侧边缘的交叠形式如何，都保持有机公共层的阶梯形，从而第二电极152在所有层处都具有相对均匀的厚度。

图11是根据第五个实施方式的单色有机电致发光显示面板的剖面图。尽管图11图解了第一到第五公共层150a～150e向右顺序移位，但反过来也是可以的。就是说，第一到第五公共层150a～150e可改为向左顺序移位。

额外考虑事项

如上所述，有机电致发光显示面板使多个有机公共层在不同堆叠位置处堆叠以具有阶梯形两侧，从而适度地形成两侧。结果，有机公共层上沉积的阴极在其正面和两侧上都具有均匀的厚度。阴极在其正面和两侧上的均匀厚度使阴极电阻相同，由此防止发生劣化。没有劣化的有机电致发光器件能提高器件的寿命和亮度。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可进行各种修改和变化，这对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (20)

1.一种有机电致发光器件(OLED)，包括：

形成在基板上的第一电极；

形成在所述基板上方的多个有机公共层，所述有机公共层具有多个侧边缘，所述有机公共层的所述侧边缘一同形成阶梯形；和

形成在所述有机公共层上的第二电极，所述第二电极包覆所述有机公共层的所述侧边缘，所述第二电极在每个有机公共层的所述侧边缘上包括基本恒定的厚度。

2.根据权利要求1所述的OLED，其中在第一有机公共层之后的每个有机公共层都包覆形成在所述每个有机公共层下方的前一有机公共层的至少一个侧边缘。

3.根据权利要求1所述的OLED，其中在所述第一基板上形成有缓冲膜，所述多个有机公共层形成在所述缓冲膜上。

4.根据权利要求1所述的OLED，其中在第一有机公共层上方的有机公共层的侧边缘延伸越过形成在所述有机公共层下方但在所述第一有机公共层上方的前一有机公共层的侧边缘一定距离。

5.根据权利要求4所述的OLED，其中所述距离为10到50μm。

6.根据权利要求4所述的OLED，其中所述距离为30μm。

7.根据权利要求1所述的OLED，其中第一有机公共层的第一侧边缘延伸越过形成在所述第一有机公共层上方的下一有机公共层的内边缘一定距离。

8.根据权利要求1所述的OLED，其中所述有机公共层至少包括：

第一有机公共层；

形成在所述第一有机公共层上的第二有机公共层；

形成在所述第二有机公共层上的第三有机公共层；

形成在所述第三有机公共层上的第四有机公共层；和

形成在所述第四有机公共层上的第五有机公共层，

其中所述第二和第四有机公共层每一个的第一侧边缘都延伸越过所述第一有机公共层的第一侧边缘。

9.根据权利要求8所述的OLED，其中所述第一有机公共层的第二侧边缘延伸越过所述第二和第四有机公共层每一个的第二侧边缘。

10.根据权利要求8所述的OLED，其中所述第一有机公共层的所述第一侧边缘延伸越过所述第三和第五有机公共层每一个的第一内边缘，且其中所述第三和第五有机公共层每一个的第二侧边缘延伸越过所述第一有机公共层的第二侧边缘。

11.根据权利要求1所述的OLED，其中由所述有机公共层形成的所述阶梯形包含在单个子像素区域中。

12.根据权利要求1所述的OLED，其中由所述有机公共层形成的所述阶梯形延伸横跨多个子像素区域。

13.根据权利要求12所述的OLED，其中所述有机公共层中的一个是发光层，所述发光层包含在每个子像素区域中。

14.根据权利要求12所述的OLED，其中所述有机公共层中的一个是发光层，所述发光层延伸横跨多个子像素区域。

15.根据权利要求14所述的OLED，其中所述发光层的所述第一侧边缘包覆所述第二有机公共层的所述第一侧边缘，且其中所述第一有机公共层的所述第一侧边缘延伸越过所述发光层的所述第一侧边缘。

16.根据权利要求14所述的OLED，其中所述发光层的所述第一侧边缘包覆所述第一和第二有机公共层的所述第一侧边缘。

17.根据权利要求1所述的OLED，其中所述有机公共层的第一侧上的侧边缘的每个都包覆下方层的侧边缘，且其中所述有机公共层的第二侧上的侧边缘的每个都延伸越过上方层的侧边缘。

18.一种制造有机电致发光器件(OLED)的方法，包括：

在基板上形成第一电极；

使用遮蔽掩模在所述基板上方形成多个有机公共层，所述有机公共层具有多个侧边缘，所述有机公共层的所述侧边缘一同形成阶梯形；和

在所述有机公共层上形成第二电极，所述第二电极包覆至少一些所述有机公共层的所述侧边缘，所述第二电极在每个有机公共层的所述侧边缘上包括基本恒定的厚度。

19.根据权利要求18所述的方法，其中形成多个有机公共层包括：

在所述基板上方形成第一有机公共层；

移动所述遮蔽掩模，从而所述遮蔽掩模的第一边缘重新定位到所述第一有机公共层的第一侧边缘的所述第一侧；

形成包覆所述第一有机公共层的所述第一侧边缘的第二有机公共层；

移动所述遮蔽掩模，从而所述遮蔽掩模的第二边缘重新定位到所述第一和第二有机公共层的第二侧边缘的所述第二侧；

形成包覆所述第一和第二有机公共层的所述第二侧边缘的第三有机公共层；

移动所述遮蔽掩模，从而所述遮蔽掩模的所述第一边缘重新定位到所述第二和第三有机公共层的第一侧边缘的所述第一侧；

形成包覆所述第二和第三有机公共层的所述第一侧边缘的第四有机公共层；

移动所述遮蔽掩模，从而所述遮蔽掩模的所述第二边缘重新定位到所述第三和第四有机公共层的第二侧边缘的所述第二侧；以及

形成包覆所述第三和第四有机公共层的所述第二侧边缘的第五有机公共层。

20.一种制造有机电致发光器件(OLED)的方法，包括：

在基板上形成第一电极；

使用第一遮蔽掩模在所述基板上方形成多个有机公共层，所述有机公共层具有多个侧边缘，所述有机公共层的所述侧边缘一同形成阶梯形；以及

使用第二遮蔽掩模在所述基板上方形成发光层，所述发光层形成在所述有机公共层之间；

在所述有机公共层上形成第二电极，所述第二电极包覆至少一些所述有机公共层的所述侧边缘，所述第二电极在每个有机公共层的所述侧边缘上包括基本恒定的厚度。

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