CN107154464A - 制造显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种制造显示装置的方法，所述方法包括在基底上形成显示部分，以及形成用于密封显示部分的包封部分。形成包封部分的步骤包括形成覆盖显示部分的第一层、在第一层上形成第二层以及在第二层上形成第三层。通过以第一间隔维持显示部分的上表面和掩模之间的距离来形成第一层。通过以不同于第一间隔的第二间隔维持第一层的上表面和掩模之间的距离来形成第二层。通过以不同于第二间隔的第三间隔维持第二层的上表面和掩模之间的距离来形成第三层。
Description
本申请要求于2016年3月2日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0025032号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例的一个或更多个方面涉及制造显示装置的方法。
背景技术
随着信息技术的发展，作为用户和信息之间的连接媒介的显示装置的市场已经增长。因此，已经增加了诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和等离子体显示面板(PDP)的平板显示器(FPD)的使用。
为了用户方便，需要提高显示装置图像质量，为了减少成本，需要简化工艺(例如，显示器制造工艺)。
保护显示装置免受外部的湿气和/或氧可以提高显示装置的可靠性。然而，在形成用于密封显示装置的包封部分之前和/或当形成用于密封显示装置的包封部分时，外部的湿气和/或氧会通过显示装置的侧表面侵入。
发明内容
本公开的示例实施例的一个或更多个方面针对制造显示装置的方法，其中，改善了显示装置的密封功能并且减少了工艺数。
额外的方面将被部分地阐述于后面的描述中，并部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获悉。
本公开的一个或更多个示例实施例提供了制造显示装置的方法，包括以下步骤：在基底上形成显示部分，以及形成用于密封显示部分的包封部分，其中，形成包封部分的步骤包括形成覆盖显示部分的第一层、在第一层上形成第二层以及在第二层上形成第三层，其中，通过在显示部分的上表面和掩模之间维持第一间隔的距离来形成第一层，通过在第一层的上表面和掩模之间维持不同于第一间隔的第二间隔的距离来形成第二层，通过在第二层的上表面和掩模之间维持不同于第二间隔的第三间隔的距离来形成第三层。
第一层和第三层可以均包括无机材料，第二层可以包括不同于第一层和第三层中每个的材料的有机和/或无机复合材料。
第二层可以包括从六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、正硅酸乙酯(TEOS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)和四氧甲基环四硅氧烷(TOMCTS)中选择的至少一种。
无机材料可以是从SiNx、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种。
第一层、第二层和第三层可以均形成在同一室中。
第一间隔和第三间隔中的每个可以是大约1μm至300μm。
第三间隔可以大于第二间隔。
第三间隔可以大于第一间隔，第一间隔可以大于第二间隔。
可以形成第三层和第一层使得第三层的边缘和第一层的边缘彼此接触，第三层和第一层可以包围(例如，包封或围绕)第二层。
第三层的宽度可以大于第一层的宽度，第三层可以在第一层的边缘处接触基底。
可以在掩模接触第一层的上表面时形成第二层。
第三间隔可以与第一间隔相同。
可以形成第三层和第一层使得第三层的边缘和第一层的边缘彼此接触，第三层和第一层可以包围(例如，包封或围绕)第二层。
可以在掩模接触第一层的上表面时形成第二层。
第二间隔可以大于第一间隔。
第一层、第二层和第三层中的每个可以具有接触基底的外部区域的边缘。
基底、第一层和第三层可以包围(例如，包封或围绕)第二层。
第二间隔和第一间隔之间的差以及第三间隔和第二间隔之间的差可以均小于或等于1mm。
显示部分可以包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的显示元件，显示元件可以包括有机发光装置，有机发光装置包括电连接到薄膜晶体管的第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的中间层。
显示部分还可以包括在第二电极上的保护层，保护层可以包括覆盖层和阻挡层。
可以通过在阻挡层的上表面和掩模之间维持第一间隔来形成第一层。
本公开的一个或更多个实施例提供了制造显示装置的方法，包括以下步骤：在基底上形成显示部分以及形成用于密封显示部分的包封部分，其中，形成包封部分的步骤包括形成覆盖显示部分的第一层、在第一层上形成第二层以及在第二层上形成第三层，其中，通过在显示部分的上表面和掩模之间维持第一间隔的距离来形成第一层，当掩模接触第一层的上表面时形成第二层，通过在第二层的上表面和掩模之间维持第三间隔的距离来形成第三层。
第一层和第三层可以均包括无机材料，第二层可以包括与第一层和第三层的材料不同的有机和/或无机复合材料。
第二层可以包括从六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、正硅酸乙酯(TEOS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)和四氧甲基环四硅氧烷(TOMCTS)中选择的至少一种。
可以形成第三层和第一层使得第三层的边缘和第一层的边缘彼此接触，第三层和第一层包围(例如，包封或围绕)第二层。
附图说明
通过下面结合附图对示例实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是通过根据本公开的实施例的方法制造的显示装置的平面图；
图2A至图2F是顺序地示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图3是示意性地示出包括在通过根据本公开的实施例的方法制造的显示装置中的显示部分的剖视图；
图4A至图4C是顺序地示出根据本公开的另一个实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中示出其示例的示例实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件，并不会提供其重复描述。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应解释为局限于在此所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅对示例实施例进行描述，以解释本描述的方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”、“……中的一个(种)”和“从……中选择的”的表述在一列元件/元素之后时，修饰整列元件/元素而不是修饰该列的个别元件/元素。
提供示例实施例以向本公开所属领域的普通技术人员进一步解释本公开。然而，本公开的实施例不限于此，将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可以对其做出形式上和细节上的各种改变。例如，可以仅仅呈现具体结构或功能的描述以解释本公开的示例实施例。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应限于这些术语。这些术语仅用来将一个组件与另一个组件区分开。
如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
另外，诸如“包括”或“包含”的术语可以被解释为表示存在或添加具体的特性、数字、工艺、操作、构成元件或它们的结合，但是不可以解释为排除存在或可能添加一个或更多个其它特性、数字、工艺、操作、构成元件或它们的组合。
在以下描述中，当一个层被描述为存在于另一个层“上”或“上方”时，该层可以直接存在于所述另一层上，或者可以在它们之间插入诸如膜、区域或构成元件的第三层。
另外，在附图中，为了清楚和便于解释，可以夸大在图中示出的每层的厚度或尺寸。换句话说，由于在附图中的组件的尺寸和厚度为了解释的方便而任意地示出，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实施实施例时，可以以不同于当前所描述的顺序来执行工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或可以以相反的顺序执行两个相继描述的工艺。
图1是通过根据本公开的实施例的方法制造的显示装置1000的平面图。
在一个实施例中，基底100可以由一种或更多种合适的柔性材料(例如，具有优越的耐热性和/或耐久性的塑料材料)来形成。
基底100可以包括为用户产生图像的显示区DA和在显示区DA外侧的非显示区NDA。
显示区DA可以包括用来产生光的一个或更多个装置(诸如有机发光装置和/或液晶显示装置)。用来给显示区DA提供电力的电压线可以在非显示区NDA中。
非显示区NDA可以包括用来将电信号从供电单元或信号产生单元传送到显示区DA的焊盘部PAD。
焊盘部PAD可以包括驱动IC、用来将驱动IC连接到像素电路的焊盘和/或扇出布线。
图2A至图2F是顺序地示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图3是示意性地示出通过根据本公开的实施例的方法制造的显示装置中的显示部分的剖视图。
参照图2A，缓冲层110可以在基底100上，显示部分200可以在缓冲层110上。虽然图2A示出显示部分200在缓冲层110上的实施例，但是本公开的实施例不限于此，显示部分200可以直接在基底100上。
基底100可以包括一种或更多种合适的材料。在一个实施例中，基底100可以由包括(例如，包含)SiO2作为主要成分的透明玻璃材料形成。然而，基底100的实施例不必限制于此，基底可以由透明塑料材料形成。塑料材料可以是从均作为绝缘有机材料的聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)中选择的至少一种有机材料。
另外，由于基底100由柔性材料形成，因此基底100可以二维延伸。在一个实施例中，基底100可以由具有大约0.4或更大的泊松比的材料形成。泊松比表示在拉力方向上横向收缩应变与纵向延伸应变的比(例如，横向压缩与轴向扩展的比)。
当形成基底100的材料具有大约0.4或更大的泊松比时，基底100可以具有合适的拉伸特性，可以改善基底100的柔性，并且可以容易地改变显示装置1000的形状。
缓冲层110可以防止或减少杂质离子扩散到显示部分200中和/或防止或减少外部的湿气和/或空气(例如，氧)侵入到显示部分200中，并可以用作用来使基底100平坦化的屏蔽层和/或阻挡层。缓冲层110可以包括例如无机材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和/或氮化钛)或有机材料(诸如聚酰亚胺、聚酯和/或丙烯酸)，并且可以具有包括多种以上材料的多层结构。
将参照图3更详细地描述在基底100上方的显示部分200。
显示部分200可以包括例如薄膜晶体管(TFT)和显示元件(诸如有机发光装置(OLED))。然而，本公开的实施例不限于此，显示部分200可以包括一种或更多种合适的类型或种类的显示装置(诸如液晶显示装置)。然而，为了解释的方便，在以下描述中，根据本实施例的显示部分200包括OLED。
TFT可以在基底100上。TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。图3示出顺序地包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D的顶栅型TFT(例如，顶栅TFT)。然而，本公开的实施例不限于此，可以使用一种或更多种合适类型或种类的TFT(诸如底栅型TFT或底栅TFT)。
半导体层A可以由无机半导体材料(诸如硅)或有机半导体材料形成。半导体层A可以具有源区、漏区以及在源区和漏区之间的沟道区。例如，当使用非晶硅形成半导体层A时，非晶硅层可以在基底100的整个表面上，然后可以使非晶硅层结晶化以形成多晶硅层。将多晶硅层图案化之后，可以使用杂质掺杂多晶硅层的边缘处的源区和漏区，从而形成包括源区、漏区以及在源区和漏区之间的沟道区的半导体层A。
形成半导体层A之后，栅极绝缘膜210可以位于半导体层A上并位于基底100的整个表面上和上方。可以由无机材料(诸如氧化硅和/或氮化硅)以单层或多层结构形成栅极绝缘膜210。栅极绝缘膜210使半导体层A与在半导体层A上方的栅电极G绝缘。
栅电极G可以在栅极绝缘膜210上方的特定区域中。为了将导通/截止信号施加到TFT，可以将栅电极G连接到栅极线。栅电极G可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种金属。然而，本公开的实施例不限于此，根据设计条件，栅电极G可以由一种或更多种合适的材料来形成。
形成栅电极G之后，用来将栅电极G与源电极S和漏电极D绝缘的层间绝缘膜230可以在基底100的整个表面上方。
层间绝缘膜230可以由无机材料形成。例如，层间绝缘膜230可以包括金属氧化物和/或金属氮化物。更详细地，无机材料可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锆(ZrO2)。
可以由无机材料(诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx))以多层或单层结构来形成层间绝缘膜230。在一些实施例中，层间绝缘膜230可以具有SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的二元结构。
源电极S和漏电极D可以在层间绝缘膜230上。更详细地，层间绝缘膜230和栅极绝缘膜210暴露半导体层A的源区和漏区(例如，层间绝缘膜230和栅极绝缘膜210包括与半导体层A的源区和漏区对应的开口)。源电极S接触半导体层A的暴露的源区，漏电极D接触半导体层A的暴露的漏区。
可以由从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中选择的至少一种元素以单层或多层结构来形成源电极S和漏电极D。
TFT可以电连接到OLED并且可以将信号施加到OLED以驱动OLED。可以通过覆盖有平坦化膜250来保护TFT。
平坦化膜250可以包括无机绝缘膜和/或有机绝缘膜。无机绝缘膜可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST或PZT。有机绝缘膜可以包括通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。平坦化膜250可以包括无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合层压件。
OLED可以在平坦化膜250上方。
OLED可以包括第一电极281、包含有机发光层的中间层283以及第二电极285。从OLED的第一电极281注入的空穴和从OLED的第二电极285注入的电子可以在中间层283的有机发光层中结合以产生光。
第一电极281可以在平坦化膜250上，并且可以经由平坦化膜250中的接触孔电连接到漏电极D。然而，第一电极281不限于电连接到漏电极D。第一电极281可以电连接到源电极S并且可以接收信号以驱动OLED。
第一电极281可以是反射电极，并且可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的化合物形成的反射膜和/或在反射膜上的透明电极层或透反射电极层。透明电极层或透反射电极层可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中选择的至少一种。
中间层283可以包括有机发光层。在一个实施例中，中间层283可以包括有机发光层(发射层)并且还可以包括从空穴注入层(HIL)、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一个。然而，本公开的实施例不限于此，中间层283可以包括有机发光层和一个或更多个其它功能层。
第二电极285可以在中间层283上。第二电极285可以与第一电极281形成电场，使得中间层283可以发射光。第一电极281可以针对每个像素进行图案化，第二电极285可以形成为使得电压被施加到每一个像素。
面对第一电极281的第二电极285可以是透明电极或透反射电极，并可以包括具有低逸出功的金属薄膜(诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的化合物)。额外的辅助电极层或总线电极可以在透明电极的金属薄膜上并且可以由诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的材料形成。
因此，第二电极285可以透射从中间层283中的有机发光层发射的光。换句话说，从有机发光层发射的光可以直接朝第二电极285发射，或者可以由第一电极281(可以是反射电极)反射以朝第二电极285行进。
然而，根据本实施例的显示部分200不限于顶发射型(例如，顶发射显示器)，并可以是从有机发光层发射的光朝基底100行进的底发射型(例如，底发射显示器)。在这种情况下，第一电极281可以是透明电极或透反射电极，第二电极285可以是反射电极。在一些实施例中，显示部分200可以是从显示装置的顶部和底部两处(例如，同时地)发射光的双发射型(例如，双发射显示器)。
在一个实施例中，例如，可以图案化第一电极281以对应于每个像素。显示部分200还可以包括在第一电极281上的像素限定膜270。像素限定膜270可以包括暴露第一电极281的开口270a。中间层283在开口270a内并且可以电连接到第一电极281。像素限定膜270可以使用诸如旋涂的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中选择的一种或更多种有机绝缘材料形成。
如图2A中所示，保护层300可以在显示部分200上方。在一个实施例中，保护层300可以包括覆盖第二电极285的覆盖层310和在覆盖层310上的阻挡层330。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，首先可以形成第二电极285，然后覆盖层310可以覆盖第二电极285。
覆盖层310可以保护OLED并且促进来自OLED的有效光发射。
在一个实施例中，可以由有机材料(诸如α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3和/或CuPc)形成覆盖层310。
然后，阻挡层330可以在覆盖层310上。
在一个实施例中，可以由无机材料(诸如LiF、MgF2和/或CaF2)形成阻挡层330。阻挡层330可以阻挡在形成第一层410(稍后描述)的工艺中使用的等离子体被引入到OLED中，从而防止或减少对中间层283和第二电极285的损害。
在一个实施例中，可以由具有销孔结构的氟化锂(LiF)形成阻挡层330。
然而，本公开的实施例不限于该示例。虽然图2A示出在显示部分200上方形成包括覆盖层310和阻挡层330的保护层300的实施例，但是本公开的实施例不限于此，可以仅形成覆盖层310和阻挡层330中的一个，或者覆盖层310和阻挡层330中没有一个可以形成。
然后，为了保护显示部分200免受外部的氧和/或湿气影响，可以形成完全密封显示部分200的包封部分400(见图2F)。
在一个实施例中，包封部分400可以在显示部分200上方，包封部分400的相对的端部可以紧密地接触基底100，从而完全地或基本上密封显示部分200。
在一个实施例中，包封部分400可以具有堆叠的多个薄膜层的结构，在所述堆叠的多个薄膜层的结构中，交替地堆叠有至少一个无机膜和至少一个有机膜。
包封部分400的无机膜可以防止或减少氧和/或湿气的侵入，然而包封部分400的有机膜可以吸收来自无机膜的应力并且提供柔性。
首先，如图2A和图2B中所示，可以形成第一层410(步骤一)。
当掩模M和将沉积第一层410的表面以第一间隔H1彼此分隔开时，可以形成第一层410。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，由于覆盖层310和阻挡层330顺序地沉积在显示部分200上，所以第一间隔H1可以在阻挡层330的上表面和掩模M之间。然而，这仅仅是示例，当不形成保护层300时，第一间隔H1可以在显示部分200的上表面到掩模M之间。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，在形成第一层410的步骤中，掩模M以第一间隔H1与待形成第一层410的表面分隔开。因此，第一层410可以不局限于与掩模M的开口O对应的位置，而可以是在掩模M下方的大的或宽的区域中。
换句话说，第一层410可以具有比掩模M的开口O的宽度大的宽度。
在一个实施例中，第一层410可以具有宽的区域使得第一层410的边缘可以紧密地接触基底100。换句话说，第一层410的相对的端部可以接触基底100，从而完全地密封显示部分200。
第一层410可以是包括氧化物和/或金属氮化物的单层或多层结构。
在一个实施例中，可以由无机材料形成第一层410。例如，第一层410可以由从SiNx、Al2O3、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种形成。
在一个实施例中，在掩模M和待沉积第一层410的表面之间的第一间隔H1可以是大约1μm至300μm。当在显示部分200上顺序地沉积覆盖层310和阻挡层330时，从阻挡层330的上表面到掩模M的距离可以是大约1μm至300μm。当保护层300不在显示部分200上时，从显示部分200的上表面到掩模M的距离可以是大约1μm至300μm。
在一个实施例中，可以通过化学气相沉积(CVD)法将第一层410沉积为具有固定的或确定的厚度。
然后，参照图2C和图2D，第二层430可以在第一层410上(步骤二)。
可以使用用于形成第一层410的同一掩模M来形成第二层430。换句话说，第一层410和第二层430均可以通过调节在掩模M和受到沉积的表面之间的间隔(例如，为第一层410和第二层430中的每个选择合适的间隔)来形成。
可以通过维持掩模M和第一层410的上表面之间的不同于第一间隔H1的第二间隔的距离来形成第二层430。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，第二间隔可以是大约0μm。换句话说，如图2C和图2D中所示，可以在掩模M接触第一层410的上表面时形成第二层430。
当在掩模M接触第一层410的上表面的同时形成第二层430时，第二层430可以具有与掩模M的开口O的宽度基本上相同或小于掩模M的开口O的宽度的宽度。
在一个实施例中，第二层430的中心部分的厚度可以大于第二层430的边缘部分的厚度。
可以由与第一层410的材料不同的材料形成第二层430。
可以由有机和/或无机复合材料形成第二层430。当由有机和/或无机复合材料形成第二层430时，可以防止或减少氧和/或湿气的侵入，并且可以提供柔性。
在一个实施例中，可以由从六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、正硅酸乙酯(TEOS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)和四氧甲基环四硅氧烷(TOMCTS)中选择的至少一种材料来形成第二层430。
然而，形成第二层430的材料不限于上述材料，只要材料是柔性的并且可以使用掩模M形成，就可以使用任何材料。
在一个实施例中，第二层430可以通过CVD方法来形成以具有固定的或确定的厚度。
然后，参照图2E和图2F，第三层450可以在第二层430上(步骤三)。
可以使用用于形成第二层430的同一掩模M来形成第三层450。换句话说，可以使用同一掩模M来形成第一层410、第二层430和第三层450。
可以使用用于形成第二层430的同一掩模M并且通过调节在掩模M和受到沉积的表面之间的间隔(例如，选择合适的间隔)来形成第三层450。
可以通过维持掩模M和第二层430的上表面之间的不同于第二间隔的第三间隔H3的距离来形成第三层450。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，当形成第三层450时，掩模M以第三间隔H3与第二层430的上表面分隔开。因此，第三层450可以不局限于与掩模M的开口O对应的位置，而是可以在掩模M下方的大的或宽的区域中。
换句话说，第三层450可以具有比掩模M的开口O的宽度大的宽度。
在一个实施例中，第三间隔H3可以是大约1μm至300μm。换句话说，当将第二层430的上表面和掩模M之间的距离维持为大约1μm至300μm时可以形成第三层450。
在一个实施例中，第三间隔H3可以与第一间隔H1相同。
在一个实施例中，第三间隔H3可以大于第一间隔H1。
如图2E和图2F中所示，第三层450的宽度可以大于第一层410的宽度。
第三层450可以具有大的或宽的区域使得第三层450的边缘可以紧密地接触基底100。换句话说，第三层450的相对的端部可以接触基底100，从而完全地密封显示部分200。
在一个实施例中，第三层450可以形成为在第一层410的边缘处接触第一层410。换句话说，如图2F中所示，第一层410和第三层450可以包围(例如，包封或围绕)第二层430。
第三层450可以是包括氧化物和/或金属氮化物的单层或多层结构。
在一个实施例中，可以由无机材料形成第三层450。例如，可以由从SiNx、Al2O3、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种形成第三层450。
在此状态下，可以由与第一层410的材料相同的材料形成第三层450。然而，本公开的实施例不限于此，可以由与第一层410的材料不同的材料形成第三层450。
在一个实施例中，第三层450可以使用CVD方法来形成以具有固定的或确定的厚度。
在通过根据本实施例的方法制造的显示装置中，如图2F中所示，虽然包封部分400包括第一层410、第二层430和第三层450，但是形成包封部分400的层数不限于此，包封部分400可以额外地包括多个层。然而，可以使用同一掩模M并通过调节掩模M和目标表面之间的间隔来形成额外的层。另外，可以形成在第三层450的顶部上形成的额外的层，使得通过维持掩模M和待形成的目标表面之间的宽的间隔来使层的边缘可以紧密地接触基底100。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，如图2A至图2F中所示，当可以使用单一的掩模M形成由无机材料或有机和/或无机复合材料形成的多个层(例如，第一层410、第二层430和第三层450)时，可以减少掩模的个数并且因此可以简化制造工艺。
另外，由于可以通过简单地调节掩模M的位置(例如，掩模M和目标表面之间的间隔)来形成具有优越的密封功能和优越的柔性的包封部分400，所以可以形成具有改善的可靠性的显示装置。
换句话说，在通过根据本实施例的方法制造的显示装置中，包封部分400包括第一层410、第二层430和第三层450，其中，第一层410和第三层450的边缘接触基底100，第三层450完全包围(例如，围封或围绕)第二层430。因此，可以防止或减少外部湿气和/或氧穿过由有机和/或无机复合材料形成的第二层430的侧表面的侵入，并且可以改善显示装置的可靠性。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，由于通过CVD方法形成第一层410、第二层430和第三层450的全部，所以可以在同一室中形成第一层410、第二层430和第三层450。因此，显著地减小了在制造工艺期间基底100移动的距离，并且可以简化制造工艺。
图4A至图4C是顺序地示出通过根据另一个实施例的方法制造的显示装置的剖视图。在图4A至图4C中，与图1至图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，不会提供对相同附图标记的重复描述。
首先，参照图4A，显示部分200可以在基底100上方，保护层300可以在显示部分200上。
然后，第一层410可以在保护层300上。
可以通过维持掩模M和待形成第一层410的表面之间的第一间隔H1的距离来形成第一层410(步骤一)。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，由于当掩模M以第一间隔H1与受到沉积的表面分隔开时形成第一层410，所以第一层410可以不局限于与掩模M的开口O对应的位置，而可以是在掩模M下方的大的或宽的区域中。
换句话说，第一层410可以具有比掩模M的开口O的宽度大的宽度。
在一个实施例中，第一层410可以具有大的或宽的区域使得第一层410的边缘可以紧密地接触基底100。换句话说，第一层410的相对的端部可以接触基底100，因此第一层410可以在基底100上以完全地密封显示部分200。
第一层410可以是包括氧化物和/或金属氮化物的单层或多层结构。
在一个实施例中，可以由无机材料形成第一层410。例如，可以由从SiNx、Al2O3、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种形成第一层410。
在一个实施例中，第一间隔H1可以是大约1μm至300μm。换句话说，当覆盖层310和阻挡层330顺序地堆叠在显示部分200上或上方时，从阻挡层330的上表面到掩模M的距离可以是大约1μm至300μm。当保护层300不在显示部分200上时，从显示部分200的上表面到掩模M的距离可以是大约1μm至300μm。
在一个实施例中，第一层410可以通过CVD方法来形成以具有固定的或确定的厚度。
然后，参照图4B，第二层430可以在第一层410上。
可以使用用于形成第一层410的同一掩模M来形成第二层430。换句话说，第一层410和第二层430均可以使用同一掩模M并且通过调节在掩模M和受到沉积的表面之间的间隔来形成(步骤二)。
可以通过维持掩模M和第一层410的上表面之间的不同于第一间隔H1的第二间隔H2的距离来形成第二层430。
在一个实施例中，第二间隔H2可以大于第一间隔H1。换句话说，可以使用掩模M以距离第一层410的上表面的大于第一间隔H1的第二间隔H2来形成第二层430。
因此，如图4B中所示，第二层430的宽度可以大于第一层410的宽度。
在一个实施例中，第二间隔H2和第一间隔H1之间的差可以大于0mm并且小于或等于1mm。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，由于当掩模M以第二间隔H2与第一层410的上表面分隔开时形成第二层430，所以第二层430可以不局限于与掩模M的开口O对应的区域，而是还可以在掩模M下方的宽的区域中。
换句话说，第二层430可以具有比掩模M的开口O的宽度大的宽度。
在一个实施例中，第二层430可以形成为具有大的或宽的区域使得第二层430的边缘可以紧密地接触基底100。换句话说，第二层430可以在基底100上使得第二层430的相对的端部可以接触基底100。
可以由与第一层410的材料不同的材料形成第二层430。
可以由有机和/或无机复合材料形成第二层430。
在一个实施例中，可以由从六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、正硅酸乙酯(TEOS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)和四氧甲基环四硅氧烷(TOMCTS)中选择的至少一种材料来形成第二层430。
然而，形成第二层430的材料不限于以上材料，可以采用可使用掩模M形成的任何柔性材料。
在一个实施例中，第二层430可以通过CVD方法来形成以具有固定的或确定的厚度。
然后，参照图4C，第三层450可以在第二层430上。
可以使用用于形成第二层430的同一掩模M来形成第三层450。换句话说，可以使用同一掩模M并且调节掩模M和受到沉积的表面之间的间隔来形成第二层430和第三层450。
可以通过维持掩模M和第二层430的上表面之间的不同于第二间隔H2的第三间隔H3的距离形成第三层450(步骤三)。
在一个实施例中，第三间隔H3可以大于第二间隔H2。换句话说，可以使用掩模M和第二层430的上表面之间的大于第二间隔H2的第三间隔H3的距离来形成第三层450。
因此，如图4C中所示，第三层450的宽度可以大于第二层430的宽度。
第三间隔H3可以大于第二间隔H2，第二间隔H2可以大于第一间隔H1。因此，如图4C中所示，第三层450的宽度可以大于第二层430的宽度和第一层410的宽度。
在一个实施例中，第三间隔H3和第二间隔H2之间的差可以大于0mm并且小于或等于1mm。
第三层450可以是包括氧化物和/或金属氮化物的单层或多层结构。
在一个实施例中，可以由无机材料形成第三层450。例如，可以由从SiNx、Al2O3、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种形成第三层450。
在此状态下，可以由与第一层410的材料相同的材料形成第三层450。然而，本公开的实施例不限于此，可以由与第一层410的材料不同的材料形成第三层450。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，由于当掩模M与第二层430的上表面分隔开第三间隔H3时形成第三层450，所以第三层450可以不局限于与掩模M的开口O对应的区域，而是还可以在掩模M下方的宽的区域中。
换句话说，第三层450可以形成为具有比掩模M的开口O的宽度大的宽度。
在一个实施例中，第三层450可以形成为具有大的或宽的区域使得第三层450的边缘紧密地接触基底100。换句话说，第三层450的相对的端部可以在基底100上以接触基底100。
在通过根据本实施例的方法制造的显示装置中，第一层410、第二层430和第三层450中每个的相对的端部可以形成为紧密地接触基底100。
另外，第一层410的边缘接触第二层430的边缘，第二层430的边缘接触第三层450的边缘。
换句话说，由于第三层450形成为围绕(例如，包封)基底100、第一层410和第二层430，所以可以防止或减少湿气和/或氧穿过第二层430的侧表面的侵入，因此可以改善显示装置的可靠性。
在一个实施例中，第三层450可以通过CVD方法来形成以具有固定的或确定的厚度。
在通过根据本实施例的方法制造的显示装置中，如图4C中所示，虽然包封部分400包括第一层410、第二层430和第三层450，但是形成包封部分400的层数不限于此，包封部分400可以额外地包括多个层。可以使用同一掩模M并通过调节掩模M和目标表面之间的间隔来形成额外的层。另外，可以形成在第三层450的顶部上形成的额外的单层或多层，使得所述额外的单层或多层的边缘紧密地接触基底100(例如，通过维持掩模M和待形成的目标表面之间的宽的或非零间隔)。
在根据本实施例的制造显示装置的方法中，如图4A至图4C中所示，由于可以仅使用一个掩模M来形成由无机材料或有机和/或无机复合材料形成的多个层(例如，第一层410、第二层430和第三层450)，所以可以减少掩模的个数并且因此可以简化制造工艺。
另外，可以仅使用一个掩模M并通过调节掩模M的位置来形成具有优越的密封功能和优越的柔性的包封部分400。因此，可以形成具有改善的可靠性的显示装置。
换句话说，在通过根据本实施例的方法制造的显示装置中，由于第一层410、第二层430和第三层450(包括在包封部分400中)中的每个的边缘接触基底100，并且基底100、第一层410和第三层450完全地围绕(例如，围封)第二层430，所以可以防止或减少外部湿气和/或氧穿过由有机和/或无机复合材料形成的第二层430的侧表面的侵入，并且可以改善显示装置的可靠性。
在制造显示装置的方法中，根据本实施例，由于可以通过CVD方法在同一室中形成第一层410、第二层430和第三层450中的全部，所以可以显著地减小在制造工艺期间基底100移动的距离，因此可以简化制造工艺。
根据本公开，有益的是，可以减少在薄膜包封部分的形成期间的掩模的个数。
另外，有益的是，可以形成具有优越的密封性和柔性的薄膜包封部分。
应当理解的是，这里所描述的实施例应当仅以描述的意义来考虑而不出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应当被考虑为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。
另外，如在此使用的，术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。
如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和相似的术语被用作近似的术语而不是用作程度的术语，并且旨在解释将被本领域普通技术人员理解的测量或计算值中的固有偏差。
另外，在此叙述的任何数值范围旨在包括所叙述范围内所包含的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”旨在包括在叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0之间(并且包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。在此所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低数值限度，在该说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改该说明书(包括权利要求)以明确地叙述包含于在此明确地叙述的范围中的任何子范围的权利。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是将被本领域普通技术人员理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。
Claims (25)
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成显示部分；以及
形成用于密封所述显示部分的包封部分，
其中，形成所述包封部分的步骤包括形成覆盖所述显示部分的第一层、在所述第一层上形成第二层以及在所述第二层上形成第三层，
其中，通过以第一间隔维持所述显示部分的上表面和掩模之间的距离来形成所述第一层，
通过在所述第一层的上表面和所述掩模之间维持不同于所述第一间隔的第二间隔的距离来形成所述第二层，
通过在所述第二层的上表面和所述掩模之间维持不同于所述第二间隔的第三间隔的距离来形成所述第三层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层和所述第三层均包括无机材料，所述第二层包括不同于所述第一层和所述第三层中每个的所述材料的有机和/或无机复合材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二层包括从六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氧烷、正硅酸乙酯、八甲基环四硅氧烷和四氧甲基环四硅氧烷中选择的至少一种。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述无机材料是从SiNx、SiOx、SiON、SiCN、TiOx、WOx、SiOxCy和SiOxCyHz中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层均形成在同一室中。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一间隔和所述第三间隔中的每个是1μm至300μm。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第三间隔大于所述第二间隔。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三间隔大于所述第一间隔，所述第一间隔大于所述第二间隔。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第三层和所述第一层使得所述第三层的边缘和所述第一层的边缘彼此接触，所述第三层和所述第一层包围所述第二层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三层的宽度大于所述第一层的宽度，所述第三层在所述第一层的边缘处接触所述基底。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，当所述掩模接触所述第一层的所述上表面时形成所述第二层。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三间隔与所述第一间隔相同。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第三层和所述第一层使得所述第三层的边缘和所述第一层的边缘彼此接触，所述第三层和所述第一层包围所述第二层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，当所述掩模接触所述第一层的所述上表面时形成所述第二层。
15.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二间隔大于所述第一间隔。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层中的每个具有接触所述基底的外部区域的边缘。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述基底、所述第一层和所述第三层包围所述第二层。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二间隔和所述第一间隔之间的差以及所述第三间隔和所述第二间隔之间的差均小于或等于1mm。
19.根据权利要求4所述的方法，其中，所述显示部分包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的显示元件，
所述显示元件包括有机发光装置，所述有机发光装置包括电连接到所述薄膜晶体管的第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述显示部分还包括在所述第二电极上的保护层，所述保护层包括覆盖层和阻挡层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，通过在所述阻挡层的上表面和所述掩模之间维持所述第一间隔来形成所述第一层。
22.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成显示部分；以及
形成用于密封所述显示部分的包封部分，
其中，形成所述包封部分的步骤包括形成覆盖所述显示部分的第一层、在所述第一层上形成第二层以及在所述第二层上形成第三层，
其中，通过在所述显示部分的上表面和掩模之间维持第一间隔的距离来形成所述第一层，
当所述掩模接触所述第一层的上表面时形成所述第二层，
通过在所述第二层的上表面和所述掩模之间维持第三间隔的距离来形成所述第三层。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一层和所述第三层均包括无机材料，所述第二层包括与所述第一层和所述第三层的所述材料不同的有机和/或无机复合材料。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第二层包括从六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氧烷、正硅酸乙酯、八甲基环四硅氧烷和四氧甲基环四硅氧烷中选择的至少一种。
25.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述第三层和所述第一层使得所述第三层的边缘和所述第一层的边缘彼此接触，所述第三层和所述第一层包围所述第二层。
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