TWI590717B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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- TWI590717B TWI590717B TW102122635A TW102122635A TWI590717B TW I590717 B TWI590717 B TW I590717B TW 102122635 A TW102122635 A TW 102122635A TW 102122635 A TW102122635 A TW 102122635A TW I590717 B TWI590717 B TW I590717B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 220
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 156
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年1月11日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2013-0003509之優先權及效益，其全部揭露於此併入做為參考。
本發明之一或多個態樣是關於一種顯示裝置及其製造方法。
近來，使用顯示裝置於多種目的之情況增加。亦即，顯示裝置現在因為其厚度變得更薄且其重量變得更輕而被廣泛地使用。
為了更廣泛地使用顯示裝置，提出使用由可彎曲的有機或無機材料所形成之顯示裝置的基板，以代替使用不可彎曲的玻璃基板。特別是，在使用者有需求時可被彎曲或折疊的可攜式薄平板顯示裝置或可彎曲的顯示裝置的例子中，這樣的可彎曲的基板可能非常有用。
然而，具有這種可彎曲性的基板，相較於由玻璃或不可彎曲的材料形成的基板，可能無法簡單地處理。再者，在製造或使用可彎曲的基板之過程中，衰退或缺陷可能頻繁地發生在可彎曲的基板中。
因此，在改善顯示裝置的耐久性上有其限制。
本發明實施例之一或多個態樣是針對具有更好耐久性的顯示裝置及其製造方法。
根據本發明實施例，提供一種顯示裝置，包含含有複數個有機層及複數個無機層的基板；形成在基板上的顯示單元；以及形成在顯示單元上的封裝單元，其中複數個有機層及複數個無機層至少包含依序地堆疊的第一有機層、第一無機層、第二有機層及第二無機層，其中第二有機層的介面黏合強度比第一有機層的介面黏合強度高。
第二有機層可包含第一元件及第二元件。
第一元件可包含聚合物材料。
第一元件可包含聚醯亞胺(PI)。
第二元件可包含含有環氧樹脂類群中的材料及矽的反應性矽材料。
第一及第二元件在包含第二有機層面向顯示單元的表面的區域彼此混合。
第一及第二元件可由相同材料形成且具有彼此不同的高度。
第一及第二元件可不形成為一體而形成為互相分離。
第一及第二元件的上表面可接觸第二無機層。
包含第一及第二元件之第二有機層的上表面，可被形成以具
有壓紋表面。
封裝單元包含一或多層有機或無機層。
顯示裝置可更包含使基板及封裝單元互相結合的密封元件。
顯示單元可包含第一電極、第二電極及設置於第一電極及第二電極之間且包含發射層的中間層。
顯示裝置可更包含薄膜電晶體(TFT)，其電性連接到第一電極，且包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極。
根據本發明的另一實施例，提供製造顯示裝置的方法，該方法包含準備包含複數個有機層及複數個無機層的基板；在基板上形成顯示單元；以及在顯示單元上形成封裝單元，其中複數個有機層及複數個無機層至少包含依序地堆疊的第一有機層、第一無機層、第二有機層及第二無機層，其中第二有機層的介面黏合強度比第一有機層的介面黏合強度高。
第二有機層可形成以包含第一元件及第二元件。
第二有機層的形成可包含添加含有環氧樹脂類群中的材料及矽以形成第二元件的反應性矽到用以形成第一元件之聚合物材料，並在該第一無機層上施加，接著固化聚合物材料及添加到聚合物材料的反應性矽。
第一元件及第二元件可藉由使用相同材料形成以具有不同的高度。
第一元件及第二元件可藉由使用噴墨印刷方法或網版印刷方法形成。
基板的準備可包含設置基板在比基板大或至少與基板相同尺寸的基底元件上，且基底元件可被移除以完成顯示裝置的製造。
10‧‧‧承載元件
100、200、300‧‧‧顯示裝置
110、210、310‧‧‧基板
111、211‧‧‧第一有機層
112、212‧‧‧第一無機層
113、213‧‧‧第二有機層
113A、213A‧‧‧第一元件
113B、213B‧‧‧第二元件
114、214‧‧‧第二無機層
115、125、425‧‧‧像素定義層
121、402‧‧‧緩衝層
122、404‧‧‧閘極絕緣層
123、427‧‧‧層間絕緣層
124‧‧‧保護層
131、131'、131"、431‧‧‧第一電極
132、132'、132"、432‧‧‧第二電極
133、133'、133"、433‧‧‧中間層
141、403‧‧‧主動層
142、442‧‧‧閘極電極
143、443‧‧‧源極電極
144、444‧‧‧汲極電極
190、290、390‧‧‧封裝單元
380‧‧‧密封元件
410a‧‧‧導電單元
421‧‧‧第一電容電極
423‧‧‧第二電容電極
423a‧‧‧第一層
423b‧‧‧第二層
428‧‧‧電容
442a‧‧‧第一導電層
442b‧‧‧第二導電層
A、X‧‧‧區域
D‧‧‧顯示單元
TFT‧‧‧薄膜電晶體
本發明之上述或其他特徵或優點將藉由參考附圖詳細描述其例示性實施例而變得更顯而易見。
第1圖係為描繪根據本發明實施例之顯示裝置之剖面示意圖；第2圖係為第1圖中所示之區域A的放大圖；第3圖係為第1圖中所示之區域X的放大圖；第4圖係為描述第1圖之顯示裝置之修改實施例之剖面示意圖；第5圖係為描繪第1圖之顯示裝置之另一修改實施例之剖面示意圖；第6圖係為描繪第1圖之顯示裝置之另一修改實施例之剖面示意圖；第7圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置之剖面示意圖；第8圖係為第7圖中所示之區域A的放大圖；第9圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置之剖面示意圖；以及第10A圖到第10E圖係為依序描繪根據本發明實施例之顯
示裝置之製造方法的圖。
本發明可以許多不同的形式實施而不該被理解為限制於此處提出的實施例。於圖中，組成元件的尺寸及厚度為了方便敘述而被任意地描述，而本發明不須受限於此處提出的說明。
在圖式中，許多層及區域的厚度為了清楚說明而被放大，且有些層及區域的厚度為了解釋方便的目的而被誇大。可以被理解的是，當一個元件，當一元件，如層、膜、區域或基板，被指在另一元件「上」時，其可以是直接在另一元件上或其間可存在中介元件。
將進一步理解的是，除非有另外說明，詞彙「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」及/或「包含(including)」當用於整份說明書中時，特指元件的存在，但不排除存在或外加一或多個元件。此外，當一元件被指在另一元件「上」時，其可被放置在另一元件上或下，其並不一定表示該元件位於另一元件重力方向的上方。
本發明將參考其中呈現發明的例示性實施例之附圖而更完整地描述。
第1圖係為描繪根據本發明實施例之顯示裝置之剖面示意圖。第2圖為第1圖中所示之區域A的放大圖，而第3圖為第1圖中所示之區域X的放大圖。
請參閱第1圖到第3圖，顯示裝置100包含基板110、顯示單元D及封裝單元190。
顯示單元D可包含各種合適的顯示元件，如液晶元件或有機發光元件，這將稍後說明。
基板110包含複數個有機層及複數個無機層。複數個有機層包含第一有機層111及第二有機層113。複數個無機層包含第一無機層112及第二無機層114。
特別是，第一無機層112形成在第一有機層111上，而第二有機層113被設置於第一無機層112上。第二無機層114被設置於第二有機層113上。
第一有機層111可包含各種合適的有機材料，例如聚合物材料。舉例來說，較佳地，第一有機層111可包含聚醯亞胺(PI)。
第一無機層112形成在第一有機層111上。第一無機層112可以各種合適的無機材料形成。舉例來說，第一無機層112可包含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰及/或氮氧化矽(SiON)。此外，第一無機層112可藉由使用各種合適的方法而形成，例如真空薄膜形成方法如濺鍍、化學氣相沉積(CVD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍或熱離子束輔助沉積(IBAD)。
第一無機層112被形成以與易受濕氣影響(易損壞)的第一有機層111相鄰，用以作為屏障層之用。
第二有機層113形成在第一無機層112上。第二有機層113包含第一元件113A及第二元件113B。第一及第二元件113A及113B具有彼此不同的特性。亦即，第一及第二元件113A及113B包含彼此不同的材料。
在第二有機層113中的第一元件113A可包含有機材料，特別是聚合物材料。舉例來說，較佳地，第一元件113A可具有聚醯亞胺(PI)。
在第二有機層113中的第二元件113B包含至少一反應性矽材料(reactive silicone material)。特別是，第二元件113B包含含有矽及環氧樹脂類群的材料的反應性矽材料。
第一元件113A相當於第二有機層113的基底材料。亦即，相較於第二元件113B，第一元件113A佔據第二有機層113較大部分。此外，至少在第二有機層113的一個區域中，第一元件113A及第二元件113B可互相混合。特別是，第二有機層113的表面可包含其中第一及第二元件113A及113B彼此混合的區域，以增加第二有機層113的介面黏合強度。亦即，第二有機層113的介面黏合強度比第一有機層111的介面黏合強度具有更高的值。
因此，第二有機層113及第二無機層114之間的介面黏合強度比第一有機層111及第一無機層112的介面黏合強度高。
承上所述，因為在第二有機層113中的第一元件113A包含聚合物材料如聚醯亞胺，第一元件及其相鄰層之間的黏合強度可減少。反之，因為第二元件113B具有反應性矽材料，第二有機層113的黏合強度，亦即，第二有機層113及其相鄰層之間的黏合強度可增加。亦即，第二有機層113穩定地黏合到其下方的第一無機層112。
第二有機層113可藉由使用各種合適的方法形成。第二有機層113可藉由添加用以形成第二元件113B的材料，亦即，包含環氧樹脂類群之材料及矽以形成第二元件113B的反應性矽材料，到包含用於形成第一元件113A的聚醯亞胺的液態材料，並在第一無機層112上施加及固化聚合物材料與添加至聚合物材料的反應性矽。
第二無機層114形成於第二有機層113上。如同第一無機層112，第二無機層114可以各種適合的無機材料形成。舉例來說，第一無機層114可包含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰及/或氮氧化矽(SiON)。第二無機層114可由與第一無機層112相同的材料形成，或由與第一無機層112不同的材料形成。
此外，第二無機層114可藉由使用各種適合的方法形成，例如真空薄膜形成方法如濺鍍、化學氣相沉積(CVD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍或熱離子束輔助沉積。
第二無機層114被形成以與易受濕氣影響(易損壞)的第二有機層113相鄰，用以作為屏障層之用。
第二無機層114接觸第二有機層113。承上所述，由於第二有機層113包含第二元件113B，提升第二有機層113及其鄰近層的黏合力。因此，提升第二無機層114及第二有機層113之間的黏合力。
因此，第二無機層114不會從第二有機層113被剝離(脫落)，而被穩固地維持。
雖然未繪示於圖中，有機或無機層可額外地堆疊在第二無機層114上。
顯示單元D及封裝單元190形成在基板110上。於下文中，這將被更詳細地描述。
顯示單元D包含第一電極131，中間層133及第二電極132，用以發射至少一可見光線。
第一電極131可用作為陽極，而第二電極132可用作為陰極，反之亦然。若第一電極131用作為陽極，則第一電極131可包含具有高功函數的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及/或氧化銦(In2O3)。此外，第一電極131可更包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)及/或鈣(Ca)形成的反射層。
中間層133包含發射層(EML)。此外，中間層可包含從電洞注入層(HIL)、電洞傳送層(HTL)、電子傳送層(ETL)及電子注入層(EIL)之間選出的至少一或多層。
若第二電極132用作為陰極，則第二電極可由例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)或鈣(Ca)的金屬形成。此外，第二電極132可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及/或氧化銦(In2O3)以允許光透射。
當電壓經由第一及第二電極131及132施加至中間層133時，可見光可從中間層133中的發射層發出，用以顯示影像。
在目前實施例中，描述使用包含發射層的有機發光元件的顯示單元D的結構。然而，本發明並不以此為限。亦即，顯示單元D可包含各種顯示元件如液晶元件。
封裝單元190被形成以封裝顯示單元D。較佳地，封裝單元190可形成以接觸基板110的上表面。
特別是，封裝單元190係形成在第二電極132上。雖然未繪示於圖中，一或多層絕緣或功能層可更被設置在封裝單元190及第二電極132之間。
封裝單元190可由有機或無機層形成。此外，封裝單元190可藉由交替一或多層有機層及一或多層無機層而形成。
本發明的顯示裝置100包含基板110，基板110包含第一有機層111、第一無機層112、第二有機層113及第二無機層114。第二有機層113包含第一元件113A及第二元件113B。第一元件113A包含有機材料，特別是聚合物材料。舉例來說，較佳地，第一元件113A可包含聚醯亞胺(PI)。第二有機層113中的第二元件113B包含至少一反應性矽材料。特別是，第二元件113B包含含有矽及環氧樹脂類群中的材料的反應性矽材料。由於第二有機層113包含第二元件113B，第二有機層113的黏合強度可增加。因此，提升第二有機層113及第一無機層112之間的黏合強度，及第二有機層113及第二無機層114之間的黏合強度。因此提升第二有機層113、第一無機層112及第二無機層114的耐久性。
此外，第二元件113B釋放第二有機層113中的內部壓力，因此有效地防止第二有機層113表面上的破裂或剝離。
此外，目前實施例的顯示裝置100包含藉由堆疊第一有機層111、第二有機層113、第一無機層112及第一無機層114而形成的結構。因此，顯示裝置100可被提供作為可被彎曲活折疊的可彎曲性顯示裝置。特別是，由於顯示裝置的耐久性經由第二有機層113而提升，顯示裝置100可被有效地(輕易地)使用作為可彎曲的顯示裝置。
此外，目前實施例的顯示裝置100使用包含有機層或無機層的封裝單元190，因此增加顯示裝置100的可彎曲性。
上述顯示單元D，可包含各種修改實施例。這將在下文中被描述。
第4圖係為描繪第1圖之顯示裝置之修改實施例之剖面示意圖。
請參閱第4圖，顯示單元D可包含第一電極131'、中間層133'及第二電極132'，用以發射至少一可見光線。
特別是，第一電極131'形成在基板110上。像素定義層115形成在第一電極131'上以暴露第一電極131'的設定或預定區域。
中間層133'形成在第一電極131'上以接觸第一電極131'。
第二電極132'形成在中間層133'上。
第一電極131'可用作為陽極，而第二電極可用作為陰極，反之亦然。中間層133'包含發射可見光發射層。此外，中間層133'可包含從電洞注入層、電洞傳送層、電子傳送層及電子注入層之間選出的至少一或多層。
形成第一電極131'、第二電極132'及中間層133'的材料與上述實施例中相同。因此將不再提供其詳細描述。
如同上述的封裝單元190形成以封裝顯示單元D。較佳地，封裝單元190可被形成以接觸基板110的上表面。封裝單元190也形成在第二電極132'
上。雖然未繪示於圖中，一或多層絕緣或功能層可更被設置於封裝單元190及第二電極132'之間。
第5圖係為描繪第1圖之顯示裝置之另一修改實施例之剖面示意圖。
請參閱第5圖，顯示單元D包含第一電極131"、中間層133"及第二電極132"，用以發射至少一可見光。顯示單元D也包含薄膜電晶體(TFT)。
薄膜電晶體包含主動層141、閘極電極142、源極電極143及汲極電極144。
下文中，將提供詳細的描述。
緩衝層121形成於基板110上。具有設定或預定圖樣的主動層141形成在緩衝層121上。主動層141可由矽系無機半導體、有機半導體或氧化半導體形成。主動層141包含源極區域、汲極區域及通道區域。
閘極絕緣層122形成在主動層141上，且閘極電極142形成在閘極絕緣層122的設定或預定區域上。閘極絕緣層122用以絕緣主動層141與閘極電極142。閘極絕緣層122可由例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)的無機材料形成。
閘極電極142可包含金、銀、銅、鎳、鉑、鈀、鋁、鉬、或金屬合金如鋁釹(Al：Nd)合金或鉬鎢(Mo：W)合金。然而，閘極電極142並不以此為限，並可考量對相鄰層的黏合、平坦性、電阻及可製造性，而由各種適合的材料形成。
層間絕緣層123形成在閘極電極142上。層間絕緣層123及閘極絕緣層122被形成以暴露主動層141的源極及汲極區域。源極電極143及汲極電極144被形成以接觸主動層上暴露的源極及汲極區域。
源極電極143及汲極電極144可由各種導電材料形成，並可具有單層或多層結構。
保護層124形成在薄膜電晶體上。特別是，保護層124形成在源極電極143及汲極電極144上。
保護層124形成以暴露源極電極144的設定或預定的區域，而不覆蓋源極電極144的全部表面。第一電極131"形成以連接到暴露的源極電極144。
像素定義層125形成在第一電極131"上作為絕緣材料。像素定義層125形成以暴露第一電極131"的設定或預定區域。
中間層133"形成以接觸暴露的第一電極131"。第二電極132"形成以連接到中間層133"。
封裝單元190形成在第二電極132"上。
第6圖係為描繪第1圖之顯示裝置之另一修改實施例之剖面示意圖。
請參閱第6圖，顯示裝置D包含第一電極431、中間層433及第二電極432，用以發射至少一可見光線。顯示單元D也包含薄膜電晶體(TFT)。
薄膜電晶體包含主動層403、閘極電極442、源極電極443及汲極電極444。
於下文中，將提供詳細的描述。
緩衝層402形成在基板110上。具有設定或預定圖樣的主動層403形成在緩衝層402上。第一電容電極421形成在緩衝層402上。較佳地，第一電容電極421可由與主動層403相同的材料形成。
閘極絕緣層404形成在緩衝層402上，用以覆蓋主動層403及第一電容電極421。
閘極電極442、第一電極431及第二電容電極423形成在閘極絕緣層404上。
閘極電極442包含第一導電層442a及第二導電層442b。
第一電極431可由與第一導電層442a相同的材料形成。導電單元410a被設置在第一電極431的設定或預定區域上。導電單元410a由與第二導電層442b相同的材料形成。
第二電容電極423包含第一層423a及第二層423b。第一層423a由與第一導電層442a相同的材料形成，而第二層423b由與第二導電層442b相同的材料形成。第二層423b形成於第一層423a上以具有比第一層423a小的尺寸。此外，第二電容電極423被形成以與第一電容電極421重疊且具有比第一電容電極421小的尺寸。
層間絕緣層427形成在第一電極431、閘極電極442及第二電容電極423上。源極電極443及汲極電極444形成在層間絕緣層427上。源極電極443及汲極電極444形成以連接主動層403。
此外，源極電極443及汲極電極444中任一個電性連接到第一電極431。在第6圖中，說明電性連接到第一電極431的汲極電極444。特別是，汲極電極444接觸導電單元410a。
像素定義層425形成在層間絕緣層427上以覆蓋源極電極443、汲極電極444及電容428。
像素定義層425被形成以不覆蓋於第一電極431上的設定或預定區域，且中間層433被形成以接觸第一電極431表面上的暴露區域。
第二電極432形成在中間層433上。
封裝層190形成在第二電極432上。
第7圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置之剖面示意圖，而第8圖係為第7圖中所示之區域A的放大圖。
請參閱第7圖及第8圖，顯示裝置200包含基板210、顯示單元D及封裝單元290。
上述在第3圖到第6圖中描述的其中一個結構可被用於顯示單元D。顯示單元D也可包含各種適合的顯示元件如液晶元件。
基板210包含複數個有機層及複數個無機層。複數個有機層包含第一有機層211及第二有機層213。複數個無機層包含第一無機層212及第二無機層214。
特別是，第一無機層212形成在第一有機層211上，而第二有機層213設置於第一無機層212上。第二無機層214設置於第二有機層213上。
第一有機層211可包含各種適合的有機材料，特別是聚合物材料。舉例來說，較佳地，第一有機層211可包含聚醯亞胺(PI)。
第一無機層212形成在第一有機層211上。第一無機層212可由各種適合的無機材料形成。舉例來說，第一無機層212可包含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰及/或氮氧化矽(SiON)。此外，第一無機層212可藉由使用各種合適的方法形成，例如真空薄膜形成方法如濺鍍、化學氣相沉積(CVD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍或熱離子束輔助沉積(IBAD)。
第一無機層212被形成以與易受濕氣影響(易損壞)的第一有機層211相鄰，用以作為屏障層之用。
第二有機層213形成在第一無機層212上。第二有機層213包含第一元件213A及第二元件213B。第一及第二元件213A及213B具有彼此不同的特性。亦即，第一及第二元件213A及213B具有彼此不同的構造。
較佳地，第二有機層213中的第一元件213A及第二元件213B可具有彼此不同的高度。也較佳地，第二有機層213可具有複數個第一元件213A及複數個第二元件213B。
第二有機層213形成以包含彼此分離且不形成為一體之複數個第一元件213A及複數個第二元件213B。因此第二有機層213上的壓力被有效地分散，因此第二有機層213的變形可被避免。
特別是，第二有機層213包含有機材料，特別是聚合物材料。舉例來說，較佳地，第二有機層213可包含聚醯亞胺(PI)。第二有機層可藉由施加並固化聚醯亞胺系液體材料而形成。在固化的過程中，第二有機層213上的壓力被有效地分散，因此，第二有機層213可被形成以具有要求的形式。此外，當第二有機層213被形成時，第二有機層可在施加及固化液體材料的過程中縮小，因此可能從相鄰的第一無機層212上被剝離。因此，在目前實施例中，第二有機層213被分離成第一元件213A及第二元件213B而形成。因此，當第二有機層213縮小時，壓力被分散並增加第二有機層213及第一無機層212之間的黏合度。據此，第二有機層213從第一無機層212剝離的情況可被有效地避免。亦即，第二有機層213的介面黏合強度比第一有機層211的介面黏合強度高。
此外，第一元件213A及第二元件213B被形成以具有彼此不同的高度，使得第二有機層213的上表面可被形成以具有壓紋表面。因此，第二有機層213及第二無機層214之間的黏合區域增加，從而改善其間的黏合度。
第8圖呈現第一元件213A及第二元件213B之相互交替。然而，本發明並不以此為限。亦即，第一元件213A及第二元件213B可以各種適合的形式被設置使得第二有機層213的上方表面可為壓紋。特別是，第二有機層213可包含複數個第一元件213A中相鄰設置的至少兩個第一元件213A。第二有機層213可亦包含複數個第二元件213B中相鄰設置的至少兩個第二元件213B。
形成第二有機層213的方法可有所變化。舉例來說，包含複數個第一元件213A及第二元件213B的第二有機層213可藉由使用噴墨印刷方法或膠版印刷方法形成。
第二無機層214形成於第二有機層213上。如同第一無機層212，第二無機層214可以各種適合的無機材料形成。舉例來說，第一無機層214可包含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰及/或氮氧化矽(SiON)。第二無機層214可由與第一無機層212相同的材料形成，或可由與第一無機層212不同的材料形成。
此外，第二無機層214可藉由使用各種方法形成，例如真空薄膜形成方法如濺鍍、化學氣相沉積(CVD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍或熱離子束輔助沉積。
第二無機層214被形成以與易受濕氣影響(易損壞)的第二有機層213相鄰，用以作為屏障層之用。
第二無機層214接觸第二有機層213。承上所述，由於第二有機層213藉由使用第一元件213A及第二元件213B被形成以具有壓紋上表面，提升第二有機層213及其鄰近層間的黏合強度。因此，提升第二無機層214及第二有機層213之間的黏合強度。
因此，第二無機層214不會從第二有機層213被剝離，而被穩固地維持。
顯示單元D及封裝單元290形成在基板210上。顯示單元D及封裝單元290的描述與上述描述的實施例相同。因此細節描述將不再提供。
目前實施例中的顯示裝置200包含基板210。基板210包含第一有機層211、第一無機層212、第二有機層213及第二無機層214。第二有機層213包含第一元件213A及第二元件213B。第一元件213A及第二元件213B具有彼此不同的高度。
第二有機層213被形成以包含彼此分離且不形成為一體之複數個第一元件213A及複數個第二元件213B。因此，第二有機層213上的壓力被有效地分散，從而可增加第二有機層213的耐久性。
此外，第二有機層213被形成以具有壓紋上表面，因此，第二有機層213及第二無機層214之間的黏合強度可提升。
此外，目前實施例的顯示裝置200包含藉由堆疊第一有機層211、第二有機層213、第一無機層212及第一無機層214而形成的基板210。因此，可被彎曲或折疊的顯示裝置200可被提供為可彎曲的顯示裝置。特別是，由於顯示裝置的耐久性經由第二有機層213而增加，顯示裝置200可被有效地(輕易地)用作為可彎曲的顯示裝置。
第9圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置之剖面示意圖。
顯示裝置300包含基板310、顯示單元D、封裝單元390及密封元件380。
基板310，雖未繪示，至少包含第一有機層、第一無機層、第二有機層及第二無機層。
此外，第二有機層(未繪示)包含第一元件(未繪示)及第二元件(未繪示)。基板310的詳細結構可與上述第2圖的基板110或第8圖的基板210之結構相同。
顯示單元D可包含各種適合的顯示元件。舉例來說，第3圖到第6圖中所示的其中一個結構可被使用作為顯示單元D。
封裝單元390設置在顯示單元D上以面向基板310。封裝單元390可包含玻璃或其他適合的材料。此外，封裝單元390可由金屬或塑膠材料或有機或無機材料形成。
封裝單元390及基板310藉由使用密封元件380結合在一起。
如上述實施例，目前實施例中的顯示裝置300形成使得基板310上的第二有機層(未繪示)包含第一元件(未繪示)及第二元件(未繪示)，因此基板310的耐久性可提升。
第10A圖到第10E圖係為依序描繪根據本發明實施例之顯示裝置之製造方法的示意圖。
特別是，第10A圖到第10E圖描繪第1圖的顯示裝置100的製造方法。然而，這只是一個例子，而本發明之製造方法也可應用於上述其他實施例中之顯示裝置200或300。
首先，請參閱第10A圖，準備承載元件10。承載元件10可藉由使用各種適合的材料形成，例如玻璃或矽材料。較佳地，承載元件10可由不可彎曲的材料形成。
接著請參閱第10B圖，基板110黏合到承載元件10上。如圖所示，較佳地，承載元件10可具有比基板110更大或至少相同的尺寸。雖然未繪示，承載元件10及基板110可藉由使用黏合劑或雙面黏合帶互相結合。在這種例子中，可使用高溫或壓力使承載元件10及基板110可互相黏合而不產生氣泡。
承上所述，基板110係藉由依序地堆疊第一有機層(未繪示)、第一無機層(未繪示)、第二有機層(未繪示)及第二無機層(未繪示)而形成。至少第二有機層(未繪示)形成以包含第一元件(未繪示)及第二元件(未繪示)。
接著，請參閱第10C圖，顯示單元D形成在基板110上。在第3圖到第6圖中所示的其中一個結構可使用作為顯示單元D。
接著，請參閱第10D圖，封裝層190形成在顯示單元D上。接著，如第10E圖所示，承載元件10被移除，因此最終(終於)完成顯示裝置100。
在目前實施例中，顯示裝置100被製造使得第二有機層(未繪示)包含第一元件(未繪示)及第二元件(未繪示)。因此，包含第二有機層(未繪示)的整個基板110的耐久性有效地(輕易地)被提升。
根據本發明實施例之顯示裝置及其製造方法，可有效地(輕易地)提升耐久性。
雖然本發明參考其例示性實施例被具體地顯示及描述，其可為所屬技術領域具有通常知識者理解的是，在不脫離由以下申請專利範圍及其等效物所定義的本發明的精神及範疇內，可對其進行形式及細節上的各種變更。
210‧‧‧基板
211‧‧‧第一有機層
212‧‧‧第一無機層
213‧‧‧第二有機層
213A‧‧‧第一元件
213B‧‧‧第二元件
214‧‧‧第二無機層
A‧‧‧區域
Claims (20)
- 一種顯示裝置，其包含：一基板，包含複數個有機層及複數個無機層；一顯示單元，位於該基板上；以及一封裝單元，位於該顯示單元上；其中該複數個有機層及該複數個無機層包含依序地堆疊的一第一有機層、一第一無機層、一第二有機層及一第二無機層；以及其中該第二有機層及該第二無機層之間的介面黏合強度比該第一有機層及該第一無機層之間的介面黏合強度高。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二有機層包含一第一元件及一第二元件。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第一元件包含一聚合物材料。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第一元件包含聚醯亞胺(PI)。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第二元件包含含有環氧樹脂類群中之材料及矽的反應性矽材料。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該第一元件及該第二元件在包含該第二有機層面向該顯示單元的一表面的一區域彼此混合。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第一元件及該第二元件由相同材料形成且具有彼此不同的高度。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該第一元件及該第二元件不形成為一體而形成為互相分離。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該第二有機層包含該第一元件及該第二元件的上表面，被形成以具有一壓紋表面。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第一元件及該第二元件的上表面接觸該第二無機層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該封裝單元包含一或多層有機或無機層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含使該基板及該封裝單元互相結合的一密封元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示單元包含一第一電極、一第二電極及設置於該第一電極及該第二電極之間且包含一發射層的一中間層。
- 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，更包含一薄膜電晶體(TFT)，其電性連接到該第一電極且包含一主動層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極。
- 一種製造顯示裝置的方法，該方法包含：準備包含複數個有機層及複數個無機層的一基板；在該基板上形成一顯示單元；以及在該顯示單元上形成一封裝單元， 其中該複數個有機層及該複數個無機層包含依序地堆疊的一第一有機層、一第一無機層、一第二有機層及一第二無機層，以及其中該第二有機層及該第二無機層之間的介面黏合強度比該第一有機層及該第一無機層之間的介面黏合強度高。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二有機層被形成以包含一第一元件及一第二元件。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第二有機層的形成包含添加含有環氧樹脂類群中之材料及矽以形成該第二元件的一反應性矽到用以形成該第一元件之一聚合物材料，並在該第一無機層上施加，接著固化該聚合物材料與添加到該聚合物材料的該反應性矽。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一元件及該第二元件藉由使用相同材料形成以具有不同的高度。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第一元件及該第二元件係藉由使用噴墨印刷方法或網版印刷方法形成。
- 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該基板的準備包含設置該基板在比該基板大或至少與該基板相同尺寸的一基底元件上，以及其中該基底元件被移除以完成該顯示裝置的製造。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130003509A KR20140091346A (ko) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201429330A TW201429330A (zh) | 2014-07-16 |
| TWI590717B true TWI590717B (zh) | 2017-07-01 |
Family
ID=49028975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102122635A TWI590717B (zh) | 2013-01-11 | 2013-06-26 | 顯示裝置及其製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8933470B2 (zh) |
| EP (1) | EP2755250A2 (zh) |
| KR (1) | KR20140091346A (zh) |
| CN (1) | CN103928490A (zh) |
| TW (1) | TWI590717B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102479019B1 (ko) | 2015-03-05 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN106784398B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-12-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled封装方法与oled封装结构 |
| CN107180903A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-09-19 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | 一种chip‑led产品及制作方法 |
| KR102417112B1 (ko) | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN107680994A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 |
| US10490758B2 (en) | 2017-10-30 | 2019-11-26 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible OLED display panel and manufacturing method thereof |
| CN109727530A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示模组及柔性显示模组制备方法 |
| KR102536672B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2023-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 구조체 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070196682A1 (en) * | 1999-10-25 | 2007-08-23 | Visser Robert J | Three dimensional multilayer barrier and method of making |
| US6866901B2 (en) * | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| TWI226205B (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6528145B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Polymer and ceramic composite electronic substrates |
| US6867539B1 (en) * | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
| TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US20030203210A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Vitex Systems, Inc. | Barrier coatings and methods of making same |
| WO2004014644A1 (ja) * | 2002-08-07 | 2004-02-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | 密着層を備える積層体及び保護膜を備える積層体 |
| KR101272488B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 가지는 액정표시 패널과 이 액정 표시 패널의 제조방법 |
| KR20070113672A (ko) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기ｅｌ소자 및 유기전자소자 |
| US20080057251A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | General Electric Company | Laminates utilizing pressure sensitive adhesive composition and conventional silicon liners |
| KR100875099B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100926030B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2009-11-11 | 한국과학기술연구원 | 산소와 수분 투과의 차단 및 가스 배리어 특성 향상을 위한유/무기 복합 박막 보호층 및 그의 제조방법 |
| KR101050370B1 (ko) | 2009-08-18 | 2011-07-20 | 한국화학연구원 | 폴리이미드를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물, 및 이를 이용한 유기절연체 및 유기박막트랜지스터 |
| KR101332428B1 (ko) | 2009-12-07 | 2013-11-22 | 제일모직주식회사 | 무기입자 필러가 함유된 디스플레이용 플렉서블 기판 |
| KR101097321B1 (ko) | 2009-12-14 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101783781B1 (ko) | 2010-07-05 | 2017-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-01-11 KR KR1020130003509A patent/KR20140091346A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-06-04 US US13/910,070 patent/US8933470B2/en active Active
- 2013-06-26 TW TW102122635A patent/TWI590717B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-08-12 CN CN201310349276.6A patent/CN103928490A/zh active Pending
- 2013-08-23 EP EP13181491.5A patent/EP2755250A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140091346A (ko) | 2014-07-21 |
| EP2755250A2 (en) | 2014-07-16 |
| US8933470B2 (en) | 2015-01-13 |
| CN103928490A (zh) | 2014-07-16 |
| US20140197427A1 (en) | 2014-07-17 |
| TW201429330A (zh) | 2014-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |