TWI565049B - 在絕緣層上形成傾斜結構之方法、具傾斜結構之有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

在絕緣層上形成傾斜結構之方法、具傾斜結構之有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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Description

在絕緣層上形成傾斜結構之方法、具傾斜結構之有機發 光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年6月29日提出之韓國專利申請號10-2011-0063558、以及於2012年6月1日提出之韓國專利申請號10-2012-0059068之優先權及效益，其揭露於此完全納入以作為參考。
本發明之範例實施例係關於一種在絕緣層上形成傾斜結構之方法、有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置之方法。更具體來說，本發明之範例實施例係關於一種在絕緣層上形成具所期望之傾斜角度之傾斜結構之方法、包含具傾斜結構之絕緣層的有機發光顯示裝置、以及製造包含具傾斜結構之絕緣層的有機發光顯示裝置的方法。
在平板顯示裝置中，有機發光顯示(OLED)裝置可在即使有機發光顯示裝置具有相對較小之尺寸下具有各種不同期望之特性，如高反應速度、低功率消耗以及廣視角。另外，有機發光顯示裝置可在相 對較低之溫度以簡單配置所製成，故有機發光顯示裝置可認定為下一代的顯示裝置。
傳統有機發光顯示裝置可具有其中陽極及陰極可依序設置於覆蓋在基板上之薄膜電晶體(TFT)之傾斜結構上之配置，且有機發光層可設置於陽極及陰極之間。然而，在傳統有機發光顯示裝置中，由有機發光層產生之光可能會在兩個電極之間全反射，使得傳統有機發光顯示裝置之發光效率可能會顯著地降低。舉例來說，傳統有機發光顯示裝置可能因為在陽極、有機發光層及陰極中光的反射而具有約30百分比的光學損失。考量光的光學損失，係提出紅像素、綠像素及藍像素中所包含具不同厚度之有機發光層之有機發光顯示裝置，以產生紅色光、綠色光及藍色光之相長干涉。包含光學共振結構之有機發光顯示裝置可具有增強之發光效率，然而，這樣的有機發光顯示裝置會因為由光的光學共振所產生的顏色偏移現象而可能具有較差的側面可見度。
實施例之態樣係針對於在絕緣層上形成具所期望之傾斜角度之傾斜結構的方法。
實施例之態樣係針對於一種包含具有所期望之傾斜角度之傾斜結構之絕緣層以改善其發光效率的有機發光顯示裝置。
實施例之態樣係針對於製造具改善發光效率之有機發光顯示裝置之方法，其使用在絕緣層上形成具所期望之傾斜角度之傾斜結構之方法。
根據範例實施例，其係提供一種形成絕緣層之傾斜結構之方法。在絕緣層上形成傾斜結構之方法中，第一凹槽可形成於第一絕緣膜上。第二絕緣膜可形成在具第一凹槽之第一絕緣膜上，且第二凹槽可形成在第二絕緣膜上。傾斜結構可由第一凹槽及第二凹槽藉由在第一絕緣膜及第二絕緣膜上執行重熔流佈製程而形成。
在例示性實施例中，各第一絕緣膜及第二絕緣膜可包含有機材料、矽化合物、金屬及/或金屬氧化物。舉例來說，各第一絕緣膜及第二絕緣膜可包含光阻(photoresist)、丙烯醯基聚合物(acryl-based polymer)、聚亞醯胺基聚合物(polyimide-based polymer)、聚醯胺基聚合物(polyamide-based polymer)、矽氧烷基聚合物(siloxane-based polymer)、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物(polymer containing photosensitive acryl carboxyl group)、酚醛樹脂(novolak resin)、鹼可溶樹脂(alkali-soluble resin)、氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、碳氧化矽(silicon oxycarbide)、碳氮化矽(silicon carbon nitride)、鋁(aluminum)、鎂(magnesium)、鋅(zinc)、鉿(hafnium)、鋯(zirconium)、鈦(titanium)、鉭(tantalum)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化鉭(tantalum oxide)、氧化鎂(magnesium oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鉿(hafnium oxide)、氧化鋯(zirconium oxide)等。這些可被單獨使用或以其組合而使用。
在範例實施例中，各第一凹槽及第二凹槽可使用包含光阻擋區域及半透射區域之遮罩而形成。
在範例實施例中，第一凹槽可具有深度係實質上大於第二凹槽的深度，而第二凹槽可具有寬度係實質上大於第一凹槽的寬度。
在範例實施例中，在形成第一凹槽後可另外於第一凹槽之側壁及底部執行表面處理製程。
在範例實施例中，重熔流佈製程可於第一絕緣膜及第二絕緣膜之熔點約50%至約80%的範圍內之溫度下執行。
在範例實施例中，傾斜結構可具有實質上凹陷形狀或實質上突出形狀。舉例來說，介於傾斜結構的側壁之傾斜角度與第一凹槽及第二凹槽的側壁之傾斜角度之間的比例可於約1.0：0.2至約1.0：1.8的範圍內。
根據範例實施例，係提供一種有機發光顯示裝置，其包含第一基板、絕緣層、第一電極、像素定義層、有機發光結構、第二電極及第二基板。絕緣層可設置於第一基板上。絕緣層可包含傾斜結構。第一電極可設置於絕緣層上。像素定義層可設置於絕緣層及第一電極上。 像素定義層可定義出發光區域及非發光區域。有機發光結構可設置在發光區域中之第一電極上。第二電極可設置在像素定義層及有機發光結構上。第二基板可設置在第二電極上。
在範例實施例中，像素定義層可延伸於位在傾斜結構側壁上之第一電極上。
在一些範例實施例中，像素定義層可延伸於位於傾斜結構上表面上之第一電極上，且像素定義層在發光區域可具有暴露第一電極之開口。有機發光結構可埋於像素定義層的開口內。有機發光結構的側 壁相對於實質上平行第一基板之方向可具有約110°至約160°的傾斜角度。
在範例實施例中，傾斜結構之側壁相對於實質上平行第一基板之方向可具有約20°至約70°的傾斜角度。各第一電極及第二電極在傾斜結構上之側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同於傾斜結構之側壁的傾斜角度。
在範例實施例中，絕緣層可具有複數個突起形成於傾斜結構上。第一電極可具有複數個突出部分別形成於複數個突起上。有機發光結構可具有由第一電極之突出部所分割之複數個部分。
在範例實施例中，傾斜結構可具有實質上凹陷之形狀，且傾斜結構之側壁可具有傾斜角度係實質上相同於有機發光結構之側壁的傾斜角度。
在範例實施例中，傾斜結構可具有實質上突出之形狀，且傾斜結構之側壁之傾斜角度與有機發光結構之側壁之傾斜角度之間的比率可於約1.0：0.2至約1.0：1.8或約1.0：1.6至約1.0：8.0之範圍內。
根據範例實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。在製造有機發光顯示裝置之方法中，絕緣層可形成於第一基板上。 傾斜結構可形成於絕緣層上。第一電極可形成於絕緣層上。像素定義層可形成於絕緣層及第一電極上。暴露位於傾斜結構上之第一電極之開口可藉由部分地蝕刻像素定義層而形成。有機發光結構可形成於暴露之第一電極上。第二電極可形成於像素定義層及有機發光結構上。第二基板可形成於第二電極上。
在根據範例實施例而形成絕緣層及傾斜結構中，第一絕緣膜可形成於第一基板上。第一凹槽可形成於第一絕緣膜上。第二絕緣膜可形成於具第一凹槽之第一絕緣膜上。第二凹槽可形成於第二絕緣膜上。傾斜結構可藉著重熔流佈第一絕緣膜及第二絕緣膜由第一凹槽及第二凹槽所形成。
在根據範例實施例形成絕緣層及傾斜結構中，第一絕緣膜可形成於第一基板上。第一凹槽可形成於第一絕緣膜上。第一凹槽可彼此分隔。第二絕緣膜可形成於具第一凹槽之第一絕緣膜上。第二凹槽可在部分第二絕緣膜上形成於第一凹槽上。具有介於相鄰凹槽之間之突出形狀的傾斜結構可藉著重熔流佈第一絕緣膜及第二絕緣膜而形成。
複數個突起可形成於傾斜結構之底部。第一電極之複數個突出部可藉由複數個突起而形成。有機發光結構之部分可藉由第一電極之複數個突出部而分割。
根據範例實施例，具突出形狀或凹陷形狀之傾斜結構可提供具有所期望之傾斜角度之第一電極、像素定義層及第二電極之側邊部分，以防止從有機發光結構所產生之光的全反射。因此，包含傾斜結構之有機發光顯示裝置可具有發光效率係實質上大於傳統有機發光顯示裝置之發光效率約30百分比以上。另外，有機發光顯示裝置並不需要任何用於自有機發光結構所產生之光的光學共振之額外的結構，使得有機發光顯示裝置可在顯示具有改善亮度、加強對比度、增加視角等之影像下具有簡化配置。
10‧‧‧第一凹槽
5‧‧‧第一絕緣膜
15‧‧‧第二絕緣膜
20‧‧‧第二凹槽
25、120、255、405‧‧‧傾斜結構
30、110、245、400‧‧‧絕緣層
θ 1‧‧‧第三傾斜角度
θ 2‧‧‧第四傾斜角度
θ 3‧‧‧第五傾斜角度
θ 4‧‧‧第六傾斜角度
50、200、350‧‧‧第一基板
55、205、355‧‧‧緩衝層
60‧‧‧半導體圖樣
65、215、360‧‧‧閘極絕緣層
70、210、363‧‧‧閘極電極
75、365‧‧‧源極區域
80、370‧‧‧汲極區域
85、375‧‧‧通道區域
90、380‧‧‧絕緣中間層
95、220、385‧‧‧源極電極
100、225、390‧‧‧汲極電極
105、235、395‧‧‧第一保護層
115、250‧‧‧通孔
125、133、260、300、410‧‧‧第一電極
130、265、415‧‧‧像素定義層
135、155、270、315、420‧‧‧有機發光結構
140、275、425‧‧‧第二電極
145、280、430‧‧‧第二保護層
150、290、450‧‧‧第二基板
148、285、435‧‧‧空間
128、258‧‧‧突起
134、303‧‧‧突出部
230‧‧‧主動圖樣
範例實施例可在結合附圖之下列敘述中進一步詳細地說明，其中：第1圖至第4圖係根據範例實施例繪示形成傾斜結構於絕緣層上之方法的剖面圖。
第5圖至第11圖係依據範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
第12圖至第13圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
第14圖至第19圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
第20圖至第21圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
第22圖至第24圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
範例實施例係參考附圖而於下文中更完整地說明。然而，此發明概念可以許多不同形式實施且不應詮釋為受此處所提出之範例實施例限制。在圖中，層及區域的尺寸及相對大小可為了清晰而誇大。
其將了解的是當元件或層係稱為在另一元件或層之“上(on)”、“連接至(connected to)”或“耦接至(coupled to)”，其可為直接在其他元件或層上、連接至其他元件或層上、或耦接至其他元件或層上，或中介元件或層可存在。相對的，當元件係稱為在另一元件或層之“直接 地於其上(directly on)”、“直接地連接至(directly connected to)”或“直接地耦接至(directly coupled to)”，則並無中介元件或層存在。全文中相同或相似的參考符號表示相同或相似元件。如此處所使用，字詞“及/或(and/or)”包含任何或所有一或多個相關條列項目之組合。
其將理解的是，雖然可於此處使用第一、第二、第三等字詞來敘述各種不同元件、構件、區域、層、圖樣及/或區段，此些元件、構件、區域、層、圖樣及/或區段應不為此些字詞所限制。此些字詞僅用於區分一元件、構件、區域、層、圖樣及/或區段於另一元件、構件、區域、層、圖樣及/或區段。因此，於下討論之第一元件、構件、區域、層、或區段可闡釋為第二元件、構件、區域、層、或區段，而不脫離範例實施例之教示。
空間相關字詞，如“下面(beneath)”、“下面(below)”、“之下(lower)”、“上面(above)”、“之上(upper)”等可為了易於說明而使用，以說明圖中所繪示之一元件或特徵對其他元件或特徵之關係。其將理解的是空間相關字詞係旨在涵蓋裝置在圖中所示之定向以外於使用或操作時之不同定向。舉例來說，如果在圖中之裝置翻轉，以於其他元件或特徵之“下面(below)”或“下面(beneath)”所述之元件則將定向為於其他元件或特徵之“上面(above)”。因此，此些例示性字詞“下面(beneath)”可涵蓋之上及之下兩個定向。裝置可為其他定向(旋轉90度或於其他定向)，且於此處所使用之空間相關用詞係作相應地解釋。
用於此處之詞彙係僅用於說明特定範例實施例之目的，且並非旨在限制此發明概念。如此處所使用，除非內文係另行清楚地表示， 單數形式“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”係旨在包含複數形式。其他進一步了解的是當字詞“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”使用於本說明書中時，係指明所述之特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或構件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在或增加。
範例實施例係於此處參照為繪示本發明概念之理想範例實施例(及其中間結構)之示意圖的剖面圖而說明。因此，作為例如製造技術及/或允差(tolerances)的結果與所繪示之形狀的差異係預期得到。故範例實施例不應詮釋為限於此處所述之區域的特定形狀，而應包含例如因製造而導致的形狀上之差異。於圖中所繪示之區域係為自然示意且其形狀並非旨在敘述裝置之區域的確切形狀，且非旨在限制本發明概念之範疇。
除非另行定義，所有用於此處之字詞(包含技術性及科學性字詞)係具有如本發明概念所屬之技術領域中具相當知識者所共同理解的相同意義。將進一步了解的是如共同使用之字典所定義之字詞應解釋為具有與相關領域之內容的意義之一致的意義，且將不予理想化或過度正式地解釋，除非於此處表達如此定義。
第1圖至第4圖係根據範例實施例繪示形成傾斜結構於絕緣層上之方法的剖面圖。
參照第1圖，第一絕緣膜5可形成於一物體(圖未示)上。該物體可包含基板、絕緣層、傳導層等。此外，該物體可包含具有切換元件、接點、墊片、插頭、電極、導電圖樣、絕緣圖樣等之底層結構。第一絕緣膜5可具有足夠覆蓋底層結構之厚度。
在一些範例實施例中，平坦化製程可執行於具有第一絕緣膜5的物體上，以改善第一絕緣膜5的平坦性。舉例來說，化學機械性磨光(chemical mechanical polishing,CMP)製程及/或反蝕(etch back)製程可執行於第一絕緣膜5上，使得第一絕緣膜5可具有實質上平整的表面。
在範例實施例中，第一絕緣膜5可包含有機材料。舉例來說，第一絕緣膜5可使用光阻、丙烯醯基聚合物、聚亞醯胺基聚合物、聚醯胺基聚合物、矽氧烷基聚合物、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂等而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。 在一些範例實施例中，第一絕緣膜5可使用無機材料而形成，如矽化合物、金屬、金屬氧化物等。舉例來說，第一絕緣膜5可包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化鎂(MgOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鋯(ZrOx)等。這些可被單獨使用或以其組合而使用。第一絕緣膜5可藉由旋轉塗佈(spin coating)製程、印刷(printing)製程、濺鍍(sputtering)製程、化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)製程、原子層沈積(atomic layer deposition)製程、電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)製程、高密度電漿-化學氣相沉積(high density plasma-chemical vapor deposition,HDP-CVD)製程、真空蒸鍍(vacuum evaporation)製程而形成。用於形成第一絕緣膜5的製程可根據包含於第一絕緣膜5的材料而選擇。
繼續參考第1圖，第一遮罩(圖未示)可放置於第一絕緣膜5上。第一遮罩可包含光阻擋區域及半透射區域。第一暴露製程可使用第一遮罩執行於第一絕緣膜5上。舉例來說，第一絕緣膜5可在第一暴露製程中暴露於紫外光或雷射。另外，第一蝕刻製程可使用額外的蝕刻遮罩而執行於第一絕緣膜5上。第一暴露製程及第一蝕刻製程可根據包含於第一絕緣膜5的材料而選擇性的實施。在範例實施例中，第一遮罩可包含半色調遮罩(half tone mask)與半色調狹縫遮罩(half tone silk mask)等。 第一遮罩可額外包含相鄰於光阻擋區域及/或半透射區域之透射區域。
在第一絕緣膜5經歷第一暴露製程時，第一顯影製程或第一蝕刻製程可執行於第一絕緣膜5上，以部分地移除暴露的第一絕緣膜5。 因此，第一凹槽10可形成於第一絕緣膜5上。在一些範例實施例中，第一凹槽10可具有從第一絕緣膜5之上表面起所量測的相對較大之第一深度。此外，第一凹槽10可具有相對較小之第一寬度。第一凹槽10的側壁相對於實質上平行於物體的方向(或例如相對於第一絕緣膜5的上表面)，可具有相對較大之第一傾斜角度。舉例來說，第一凹槽10的側壁的第一角度在相對於實質上平行於物體的上表面的軸線可約在40°至約90°的範圍內。
參照第2圖，第二絕緣膜15可形成於具第一凹槽於其上之第一絕緣膜5上。第二絕緣膜15可使用有機材料或無機材料而形成。舉例來說，第二絕緣膜15可包含光阻、丙烯醯基聚合物、聚亞醯胺基聚合物、聚醯胺基聚合物、矽氧烷基聚合物、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化 矽、碳氮化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯等。這些可被單獨使用或以其組合而使用。第二絕緣膜15可藉著旋轉塗佈製程、印刷製程、濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沈積製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、真空蒸鍍製程等而形成。用於形成第二絕緣膜15的製程亦可根據包含於第二絕緣膜15的材料而選擇。在範例實施例中，第二絕緣膜15可包含實質上相同或實質上相似於第一絕緣膜5之材料的材料。或者是，第一絕緣膜5及第二絕緣膜15可分別使用不同材料而形成。
在範例實施例中，第二絕緣膜15可在不填充第一凹槽10下提供於第一絕緣膜5上。亦即，由於第一凹槽10可不以第二絕緣膜15所填充，第一凹槽10可插設於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之間。為了達成包含第一絕緣膜5及第二絕緣膜15這樣的配置，表面處理製程可執行於第一凹槽10上。舉例來說，表面處理製程可選擇性地執行於第一凹槽10的底部及側壁上。表面處理製程可包含電漿處理製程(plasma treatment process)、疏水性處理製程(hydrophobic treatment process)等。
參照第3圖，第二暴露製程可在放置第二遮罩(圖未示)於第二絕緣膜15上後執行於第二絕緣膜15上。第二遮罩可包含光阻擋區域及半透射區域。第二暴露製程亦可使用紫外線或雷射而實施。第二遮罩亦可包含半色調光罩或半色調狹縫遮罩。此外，第二遮罩可包含相鄰於光阻擋區域及/或半透射區域之透射區域。
第二顯影製程或第二蝕刻製程可執行於暴露之第二絕緣膜15上，使得第二凹槽20可形成於第二絕緣膜15上。第二顯影製程及第二蝕刻製程可依據包含於第二絕緣膜15的材料而選擇性地執行於第二絕緣膜15上。
在範例實施例中，第二凹槽20可與第一凹槽10連通。第二凹槽20可具有相對較大的第二寬度及相對較小的第二深度。亦即，第二凹槽20的第二寬度可實質上大於第一凹槽10的第一寬度，而第二凹槽20的第二深度可實質上小於第一凹槽10的第一深度。此外，第二凹槽20可包含相對於實質上平行於物體的軸線具相對較大的第二傾斜角度之側壁。舉例來說，第二凹槽20的側壁之第二傾斜角度可相對於實質上平行於該物體之上表面的方向(或如相對於第二絕緣膜15之上表面)為約40°至約90°的範圍內。亦即，第二凹槽20的第二傾斜角度可實質上相同或實質上相似於第一凹槽10的第一傾斜角度。在第一凹槽10及第二凹槽形成於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15上時，台階部分可提供於第一絕緣膜5與第二絕緣膜15之間
參照第4圖，重熔流佈製程可執行於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15上，以由第一凹槽10及第二凹槽20形成傾斜結構25。在範例實施例中，重熔流佈製程可實施於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之熔點(Tm)之約50%至約80%的溫度。舉例來說，傾斜結構25可藉由依據包含於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之成分於約100℃至約300℃的溫度下執行重熔流佈約30分鐘至約2小時而獲得。傾斜結構25可藉由考量第一絕緣膜5 及第二絕緣膜15之成分而調整製程時間及製程溫度而包含具所期望之傾斜角度之側壁。
依據範例實施例之重熔流佈中，第一絕緣膜5及第二絕緣膜15可整體地結合以提供具有傾斜結構25之絕緣層30。亦即，第一凹槽10及第二凹槽20可在重熔流佈製程中變為傾斜結構25，使得具有傾斜結構25之絕緣層30可形成於該物體上。
傾斜結構25可具有相對較大之第三深度，且傾斜結構25的側壁可具有相對較小的的第三傾斜角度θ1。亦即，傾斜結構25的第三深度可實質上大於第一凹槽10的第一深度。舉例來說，傾斜結構25的第三深度可實質上相同或實質上相似於第一凹槽10的第一深度及第二凹槽20的第二深度的總合。此外，傾斜結構25的第三傾斜角度θ1可實質上小於第一凹槽10的第一傾斜角度或第二凹槽20的第二傾斜角度。
在傾斜結構25包含具第三傾斜角度θ1之側壁時，傾斜結構25可具有上寬度係實質上大於其下寬度。舉例來說，傾斜結構25之第三傾斜角度θ1可為相對於實質上平行於該物體之上表面(或如相對於第二絕緣膜15及第一絕緣膜5的上表面)的方向之約20°至約70°之範圍中。因此，介於第一凹槽10的第一傾斜角度與傾斜結構25之第三傾斜角度θ1之間之比率可為約1.0：0.2至約1.0：1.8的範圍內。此外，介於第二凹槽20的第二傾斜角度與傾斜結構25之第三傾斜角度θ1之間之比率亦可為約1.0：0.2至約1.0：1.8的範圍內。傾斜結構25之第三傾斜角度θ1可依據重熔流佈製程的製程條件，如製程時間、製程溫度等而變動。亦即，重 熔流佈的製程條件可考量有機發光顯示裝置之結構(如發射方向)而調整，以提供包含具所期望之第三傾斜角度θ1之側壁的傾斜結構25。
在光可入射至具有傾斜結構25之絕緣層30上時，入射光可在傾斜結構25之側壁上反射。在此情況下，由具有位於傾斜結構25中之複數層的發光結構(圖未示)產生之光可不會於發光結構之複數層及/或上反射層或下反射層中全反射。亦即，具第三傾斜角度θ1之傾斜結構25可防止由發光結構產生之光的全反射。因此，由有機發光結構產生之光的效率可因為發光結構位處於具有第三傾斜角度θ1之傾斜結構25而改善。
如上所述，絕緣層30可包含具凹陷形狀之傾斜結構25。在一些範例實施例中，具突出形狀之傾斜結構可形成於絕緣層30上。換句話說，具突出形狀之傾斜結構可藉由實質上相似於參照第1圖至第4圖所述之製程的製程而獲得。在二或多個具凹陷形狀之傾斜結構25係藉由設定或預定距離分隔而形成於絕緣層30上時，具突出形狀之傾斜結構可提供於相鄰之凹陷傾斜結構25之間。因此，絕緣層30可具有突出傾斜結構及凹陷傾斜結構25或藉著移除凹陷傾斜結構而可僅具有突出傾斜結構。 根據一些範例實施例，第一絕緣膜5可形成於該物體上，且接著第一凹槽10可藉由設定或預定距離而形成於第一絕緣膜5上。第二絕緣膜15可藉著插設第一凹槽於其間而形成於第一絕緣膜5上，且接著第二凹槽20可形成於覆蓋第一凹槽10之第二絕緣膜15之部分上。在第一絕緣膜5及第二絕緣膜15係重熔流佈時，具突出形狀之傾斜結構可提供於藉著第一凹槽10及第二凹槽20之結合所提供之相鄰的凹槽之間。此處，突出傾斜結構之側壁可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於凹陷傾斜結構25之側壁 的傾斜角度。亦即，相鄰之突出傾斜結構及凹陷傾斜結構25可具有共同的單一側壁。
第5圖至第11圖係依據範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
參照第5圖，緩衝層55可提供於第一基板50上。第一基板50可包含透明絕緣基板。舉例來說，第一基板50可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於第一基板50之透明樹脂基板之示例可包含聚亞醯胺樹脂(polyimide resin)、丙烯酸酯樹脂(acrylic resin)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、聚醚樹脂(polyether resin)、聚乙烯對苯二甲酯樹脂(polyethyleneterephthalate resin)、磺酸樹脂(sulfonic acid resin)等。
在一些範例實施例中，平坦化製程可在形成緩衝層55於第一基板50前執行於第一基板50上。舉例來說，化學機械性磨光製程及/或反蝕製程可執行於第一基板50上，使得第一基板50可具有實質上平整的表面。在一些範例實施例中，緩衝層55可能根據第一基板50的平坦性、包含於第一基板50的成分等而不會形成於第一基板50上。
緩衝層55可在接續製程中防止金屬原子、金屬離子及/或雜質擴散進第一基板50。緩衝層55亦可控制在用於半導體圖樣60之接續結晶製程中的熱傳遞速率，使得半導體圖樣60可均勻地形成於緩衝層55上。另外，緩衝層55可在第一基板50具有實質上不規則地表面時改善第一基板50的平坦性。緩衝層55可使用矽化合物而形成。舉例來說，緩衝層可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽等。這些可 被單獨使用或以其組合而使用。在一些範例實施例中，緩衝層55可具有單層結構或多層結構。舉例來說，緩衝層55可包含氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、碳氧化矽膜、及/或碳氮化矽膜。
半導體圖樣60可形成於緩衝層55上。在一些範例實施例中，半導體層(圖未示)可形成於緩衝層55上，且接著半導體層可圖樣化以於緩衝層55之部分上形成初步半導體圖樣(圖未示)。初步半導體圖樣可結晶以提供半導體圖樣60於緩衝層55之部分上。半導體層可藉著化學氣相沉積製程、低壓化學氣相沉積製程(low pressure chemical vapor deposition)、濺鍍製程等而形成。當半導體層包含非晶矽(amorphous silicon)，半導體圖樣60可包含多晶矽(polysilicon)。此處，用於形成半導體圖樣60之結晶製程可包含雷射照射製程、熱處理製程；使用觸媒之熱製程等。
在一些範例實施例中，脫氫製程(dehydrogenation process)可在形成半導體層及/或初步半導體層後執行於半導體層及/或初步半導體層。脫氫製程可降低在半導體層及/或初步半導體層中之氫濃度，使得半導體圖樣60可確保加強之電性特性。
參照第6圖，閘極絕緣層65可形成於緩衝層55上以覆蓋半導體圖樣60。閘極絕緣層65可藉著化學氣相沉積製程、旋轉塗佈製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、印刷製程等而獲得。閘極絕緣層65可包含氧化矽、金屬氧化物等。用於閘極絕緣層65之金屬氧化物之示例可包含氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭等。這些可被單獨使用或以其組合而使用。
閘極絕緣層65可實質上沿著半導體圖樣60的輪廓均勻地形成於緩衝層55上。閘極絕緣層65可具有相對較小的厚度，且閘極絕緣層65可具有相鄰於半導體圖樣60之台階部分。在一些範例實施例中，閘極絕緣層65可在充分地覆蓋半導體圖樣60下具有實質上平整的表面。在此情況下，閘極絕緣層65可具有相對較大之厚度。
閘極電極70可形成於閘極絕緣層65上。閘極電極70可設置於半導體圖樣60之部分座落於其下之閘極絕緣層65上。在一些範例實施例中，第一傳導層(圖未示)可形成於閘極絕緣層65上，第一傳導層可使用額外蝕刻遮罩藉著微影製程(photolithography process)或刻蝕製程(etching process)而圖樣化。因此，閘極電極70可提供於閘極絕緣層65上。第一傳導層可使用濺鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積(pulsed laser deposition)製程、真空蒸鍍製程、原子層沈積製程、印刷製程等而形成。
閘極電極70可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性材料等。舉例來說，閘極電極70可使用鋁、含鋁合金、氮化鋁(aluminum nitride,AlNx)、銀(silver,Ag)、含銀合金、鎢(tungsten,W)、氮化鎢(tungsten nitride,WNx)、銅(copper,Cu)、含銅合金(nickel,Ni)、鎳(nickel)、鉻(chrome,Cr)、氮化鉻(chrome nitride,CrNx)、鉬(molybdenum,Mo)、含鉬合金、鈦(titanium,Ti)、氮化鈦(titanium nitride,TiNx)、鉑(platinum,Pt)、鉭(tantalum,Ta)、氧化鋅(zinc oxide,ZnOx)、氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化錫(tin oxide,SnOx)、氧化銦(indium oxide,InOx)、氧化鎵(gallium oxide, GaOx)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。在範例實施例中，閘極電極70可具有包含上述金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物或透明導電性材料之單層結構。 在一些範例實施例中，閘極電極70可具有包含上述金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物及/或透明導電性材料之多層結構。
儘管未繪示於第6圖中，閘極線可在形成閘極電極70時形成於部分閘極絕緣層65上。閘極電極70可與閘極線進行電性聯繫，且閘極線可沿著第一方向延伸於閘極絕緣層65上。
使用閘極電極70作為佈植遮罩(implantation mask)，雜質可佈植入半導體圖樣60，使得源極區域75及汲極區域80可創建於半導體圖樣60中。通過閘極電極70的雜質可藉由控制離子佈植製程的離子佈植能量而注射至半導體圖樣60的側邊部分。此處，半導體圖樣60在閘極電極70之下的中央部分不具佈植之雜質，使得半導體圖樣60之中央部分可作為介於源極區域75及汲極區域80之間的通道區域85。換句話說，通道區域85可依據源極區域75及汲極區域80之形成而定義。在一些範例實施例中，遮罩(圖未示)可提供於相鄰於閘極電極70之部分閘極絕緣層65，且接著源極區域75及汲極區域80可使用遮罩及閘極電極作為佈植遮罩而同時形成。
在範例實施例中，閘極電極70可具有寬度係實質上小於半導體圖樣60之寬度。舉例來說，閘極電極70可具有寬度係實質上相同或實質上相似於通道區域85之寬度。然而，閘極電極70的尺寸及/或通道區域85的尺寸可依據需要的切換元件之電性特性而變動。
參照第7圖，絕緣中間層90可形成於閘極絕緣層65上以覆蓋閘極電極70。絕緣中間層90可實質上均勻地沿著閘極電極70的輪廓而形成在閘極絕緣層65上。因此，絕緣中間層90可具有相鄰於閘極電極70之台階部分。絕緣中間層90可包含矽化合物。舉例來說，絕緣中間層90可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽等而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。絕緣中間層90可具有單層結構或多層結構，其包含氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、碳氧化矽膜、及/或碳氮化矽膜等。此處，絕緣中間層90可藉著旋轉塗佈製程、化學氣相沉積製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程等而獲得。絕緣中間層90可將閘極電極70與依序形成的源極電極95及汲極電極100電性絕緣。
源極電極95及汲極電極100可形成於絕緣中間層90上。源極電極95及汲極電極100可以閘極電極70作為中心以設定或預定距離分隔而設置。源極電極95及汲極電極100各可相鄰於閘極電極70。舉例來說，源極電極95及汲極電極100可分別從在源極區域75及汲極區域80上之絕緣中間層90的部分延伸至在閘極電極70上之絕緣中間層90上。進一步地，源極電極95及汲極電極100可通過絕緣中間層90以分別與源極區域75及汲極區域80進行電性聯繫。
在範例實施例中，絕緣中間層90可部分地蝕刻以分別形成用於暴露源極區域75及汲極區域80之通孔(圖未示)。第二傳導層(圖未示)可形成於絕緣中間層90上以填充通孔。藉著圖樣化第二傳導層，源極電極95及汲極電極100可形成於第7圖所繪示之源極區域75及汲極區域80 上。第二傳導層可藉著濺鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、真空蒸鍍製程、原子層沉積製程、印刷製程等而形成。源極電極95及汲極電極100各可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性金屬等。舉例來說，源極電極95及汲極電極100各可使用鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、鉻、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹(neodymium,Nd)、鈧(scandium,Sc)、鍶釕氧化物(strontium ruthenium oxide)、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。進一步地，源極電極95及汲極電極100各可具有單層結構或多層結構，其可包含金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電性金屬氧化物膜及/或透明導電性材料膜。
儘管未予圖示，沿著第二方向延伸的資料線可在形成源極電極95及汲極電極100時形成於絕緣中間層90上。此處，當閘極線延伸，第二方向可實質上垂直於閘極線延伸之第一方向。源極電極95可電性連接至資料線。
在源極電極95及汲極電極100形成於絕緣中間層90時，有機發光顯示裝置之切換元件可提供於第一基板50上。切換元件可為包含半導體圖樣60、閘極絕緣層65、閘極電極70、源極電極95及汲極電極100之薄膜電晶體。
參照第8圖，第一保護層105可形成於絕緣中間層90上以覆蓋源極電極95及汲極電極100。第一保護層105可具有完全地覆蓋源極電極95及汲極電極100之足夠厚度。第一保護層105可包含有機材料或無機 材料。舉例來說，第一保護層105可使用光阻、丙烯醯基聚合物、聚亞醯胺基聚合物、聚醯胺基聚合物、矽氧烷基聚合物、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯等而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。根據第一保護層105的成分，第一保護層105可藉著旋轉塗佈(spin coating)製程、印刷(printing)製程、濺鍍(sputtering)製程、化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)製程、原子層沈積(atomic layer deposition)製程、電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)製程、高密度電漿-化學氣相沉積(high density plasma-chemical vapor deposition,HDP-CVD)製程、真空蒸鍍(vacuum evaporation)製程、印刷製程等而獲得。在一些範例實施例中，覆蓋切換元件之第一保護層105依據依序形成的絕緣層110之成分及/或大小可能不用形成。
參照第8圖至第9圖，具傾斜結構120之絕緣層110可形成於第一保護層105上。絕緣層110可具有單層結構，或可具有包含多於二個絕緣膜之多層結構。在範例實施例中，絕緣層110可包含依序地形成於第一保護層105上之第一絕緣膜及第二絕緣膜。用於形成具有第一絕緣膜及第二絕緣膜之絕緣層110的製程可實質上相同或實質上相似於參照第1圖及第2圖所述之用於形成第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之製程。此外，絕緣層110之第一絕緣膜及第二絕緣膜可分別包含材料係實質上相同或實質上相似於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之材料。
如第8圖及第9圖所述，具第四傾斜角度θ2之傾斜結構120可提供於絕緣層110上。亦即，傾斜結構120的側壁可具有第四傾斜角度θ2。此外，通孔115可形成而通過絕緣層110及第一保護層105，以部分地暴露汲極電極100。在範例實施中，通孔115可在形成傾斜結構120於絕緣層110上時形成。在範例實施例中，暴露部分汲極電極100之通孔115可在形成傾斜結構於絕緣層110上時形成而通過絕緣層110及第一保護層105。
絕緣層110之傾斜結構120可藉著實質上相同或實質上相似於參照第1圖至第4圖所述之用於形成絕緣層30之傾斜結構25的製程之製程而形成。此外，傾斜結構120之側壁的第四傾斜角度θ2可實質上相同或實質上相似於上述傾斜結構25之側壁的第三傾斜角度θ1。舉例來說，傾斜結構120之側壁的第四傾斜角度θ2可於相對於實質上平行於第一基板50之方向約20°至約70°之範圍內。
如第9圖所述，具有凹陷形狀之傾斜結構120可提供於絕緣層110上。在傾斜結構120具有這樣的凹陷形狀時，包含絕緣層110之有機發光顯示裝置可具有頂部發射結構(或頂部發射方向)。換句話說，如果絕緣層110包含凹陷之傾斜結構120，有機發光顯示裝置可具有頂部發射結構。
現亦參照第10圖，填充通孔115之第一電極125可形成於具傾斜結構120之絕緣層110上。第一電極125可與汲極電極100接觸，且可延伸於傾斜結構120之側壁及底部上。因此，位於傾斜結構120之第一電極125之側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結 構120之第四傾斜角度θ2。舉例來說，在傾斜結構120中的第一電極125之側邊部分可具有相對於實質上平行於第一基板50之軸線(或例如相對於第一基板50的上表面)於約20°至約70°範圍內之傾斜角度。
當有機發光顯示裝置具有頂部發射結構時，第一電極125可包含反射材料。舉例來說，第一電極125可使用鋁、銀、金(gold,Au)、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀(palladium,Pa)、銥(iridium,Ir)、及其合金而形成。 這些可被單獨使用或以其組合而使用。進一步地，第一電極125可具有單層結構或多層結構，其包含上述金屬及/或合金。
在範例實施例中，第一電極層(圖未示)可形成於絕緣層110上以填充暴露之汲極電極100之通孔115，且接著第一電極層可圖樣化以提供第一電極125於具傾斜結構120之絕緣層110上。此處，根據在第一電極125中之成分，第一電極層可藉由濺鍍製程、真空蒸鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、印刷製程、原子層沈積製程等而形成。 如下所述，第一電極125可自有機發光顯示裝置之發光區域延伸至有機發光顯示裝置之非發光區域之部分。
在一些範例實施例中，接點結構(圖未示)或墊片結構(圖未示)可形成於位在通過第一保護層105及絕緣層110而形成之通孔所暴露之第一電極125上，且接著接觸接點結構或墊片結構之第一電極125可形成於絕緣層110上。在此情況下，第一電極125可透過接點結構或墊片結構電性連接至之汲極電極100。
再參照第10圖，像素定義層130可形成於絕緣層110及第一電極125上。像素定義層130可使用有機材料或無機材料而形成。舉例來 說，像素定義層130可使用光阻、聚丙烯醯基樹脂(polyacryl-based resin)、聚亞醯胺基樹脂、丙烯醯基樹脂、矽化合物等而形成。這些可被單獨使用或以其組合而使用。
像素定義層130可部分地蝕刻以於部分第一電極125中形成開口。舉例來說，像素定義層130的開口可使用額外蝕刻遮罩藉由微影製程或蝕刻製程而形成。在範例實施例中，像素定義層130的開口的側壁可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120之第四傾斜角度θ2。舉例來說，像素定義層130的開口的側壁相對於實質上平行於第一基板50之方向可具有約20°至約70°之範圍內的傾斜角度。
當開口係提供於像素定義層130上時，可定義有機發光顯示裝置之發光區域及非發光區域。亦即，包含像素定義層130之開口的區域可對應至發光區域，而相鄰於像素定義層130之開口的區域可對應至非發光區域。絕緣層110之傾斜結構120可位於發光區域中。在發光區域中，第一電極125可實質上均勻地形成於傾斜結構120之底部及側壁上。像素定義層130可延伸至發光區域的部分，使得像素定義層130可位於傾斜結構120之側壁及傾斜結構120之底部的部分上。換句話說，像素定義層130可覆蓋在發光區域中第一電極125的側邊部分。因此，像素定義層130的一部分(及開口的側壁)在發光區域中可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120之第四傾斜角度θ2。舉例來說，像素定義層130在發光區域中相對於實質上平行於第一基板50之軸線可具有約20°至約70°之範圍內的傾斜角度。
有機發光結構135可形成於在發光區域中的像素定義層130及第一電極125上。在範例實施例中，有機發光結構135可具有包含有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等的多層結構。根據有機發光顯示裝置之像素，有機發光結構135可包含用於產生各種不同光之顏色的各種不同發光材料，如紅色光、綠色光、藍色光等。在一些範例實施例中，有機發光結構135可具有包含用於產生其中紅色光、綠色光及藍色光混合之白色光的堆疊地發光材料膜之多層結構。在其他範例實施例中，有機發光結構135可額外包含具有主體材料能之帶間隙實質上大於發光材料之能帶間隙的。
在範例實施例中，有機發光結構135可設置於發光區域中傾斜結構120上。進一步地，有機發光結構135可與在發光區域中之第一電極125及像素定義層130接觸。亦即，有機發光結構135之底部可位於第一電極125且有機發光結構135之側邊部分可與像素定義層130接觸。 因此，有機發光結構135之側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120之側壁之第四傾斜角度θ2。舉例來說，有機發光結構135之側邊部分相對於實質上平行於第一基板50之軸線可具有約20°至約70°之傾斜角度。
第二電極140可形成於有機發光結構135及像素定義層130上。第二電極140可均勻地形成於像素定義層130及有機發光結構135上。在有機發光裝置具有頂部發射結構時，第二電極140可包含透明導電 性材料。舉例來說，第二電極140可使用氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵等而形成。這些可被單獨使用或以其混合而使用。
在範例實施例中，第二電極140可由發光區域延伸至非發光區域。在一些範例實施例中，第二電極140可僅設置於發光區域中。舉例來說，第二電極140可形成於有機發光結構135及像素定義層130之一部分(如開口的側壁)上。此處，第二傳導層(圖未示)可形成於有機發光結構135及像素定義層130上，且接著第二傳導層可圖樣化以於發光區域中提供第二電極140。
根據傾斜結構120之側壁之第四傾斜角度θ2，第二電極140可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於第四傾斜角度θ2。舉例來說，在發光區域中像素定義層130上之第二電極140之側邊部分相對於實質上平行於第一基板50之軸線可具有約20°至約70°之範圍內之傾斜角度。
至於具有下電極、有機發光層及上電極之傳統有機發光顯示裝置，由有機發光層所產生之光可能在下電極與上電極之間全反射。 因此，傳統有機發光顯示裝置可能因為光的全反射而具有約30百分比之光損失。然而，根據範例實施例之有機發光顯示裝置可包含具有凹陷形狀之傾斜結構120，使得第一電極125、有機發光結構135及第二電極140之側邊結構可具有用於防止由有機發光結構135所產生之光之全反射的傾斜角度。因此，根據範例實施例之有機發光顯示裝置可確保大幅改善的發光效率係實質上而大於傳統有機發光顯示裝置之發光效率約至少30百分比。此外，根據範例實施例之有機發光顯示裝置可不需用於從有機 發光結構135所產生之光的光學共振之相對複雜之配置，使得有機發光顯示裝置可具有實質上較傳統有機發光顯示裝置簡單的配置。另外，根據範例實施例之有機發光顯示裝置可因為簡化之配置而確保加強的視角。
參照第11圖，第二保護層145可形成於第二電極140上。第二保護層145可自發光區域延伸至非發光區域。第二保護層145可包含有機材料或無機材料。舉例來說，第二保護層145可使用光阻、丙烯醯基聚合物、聚亞醯胺基聚合物、聚醯胺基聚合物、矽氧烷基聚合物、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物、酚醛樹脂、鹼可溶樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯等而形成。 這些可被單獨使用或以其組合而使用。考量包含於第二保護層145的成分，第二保護層145可藉著旋轉塗佈製程、印刷製程、濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沈積製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、真空蒸鍍製程等而獲得。
第二基板150可設置於第二保護層145上。第二基板150可包含透明絕緣基板，如玻璃基板、透明玻璃基板、透明陶瓷基板等。在範例實施例中，發光區域中介於第二保護層145與第二基板150之間的空間148可以空氣或惰性氣體如氮氣所填充。在一些範例實施例中，在發光區域中的空間148可以具有光透射性及吸濕性(hygroscopicity)的樹脂所填充。
第12圖至第13圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。除了絕緣層110、第一電極及有機發光結構 外，繪示於第12圖及第13圖之方法可提供具有實質上相同於或實質上相似於參照第5圖至第11圖之有機發光顯示裝置之配置的有機發光顯示裝置。然而，為所屬技術領域具有通常知識者所了解的是該方法可提供其他具有切換元件、保護層、電極、絕緣層、有機發光結構等之各種不同配置之有機發光顯示裝置。
參照第12圖，緩衝層55、切換元件及第一保護層105可藉著實質上相同或實質上相似於參照第7圖及第8圖所述之製程的製程而提供於第一基板50上。
絕緣層110可形成於第一保護層105上。絕緣層110可包含傾斜結構120及暴露部分汲極電極100的通孔。複數個突起128可形成在絕緣層110的傾斜結構120的底部。亦即，突起128可形成於絕緣層110對應傾斜結構120的底部之表面。絕緣層110的傾斜結構120可藉著實質上相同或實質上相似於參照第1圖至第4圖所述之製程的製程而獲得。在範例實施例中，絕緣層110的突起128可藉著在絕緣層110的表面(即傾斜結構120的底部)執行暴露製程、顯影製程及/或部分地蝕刻製程而形成。此處，突起128可使用半色調光罩或半色調狹縫遮罩而獲得。舉例來說，絕緣層110的各突起128可具有各種不同的平面形狀，像是實質上圓形、實質上橢圓形、實質上錐形、實質上菱形、實質上三角形等。進一步地，各突起128可具有各種不同的三維形狀，像是實質上島形、實質上桿形、實質上六面體形等。
填充通孔之第一電極133可形成於具傾斜結構120及突起128之絕緣層110上。在對應至有機發光顯示裝置之發光區域的傾斜結構 120的底部上，第一電極133可具有分別接觸突起之複數個突出部134。 此外，位於傾斜結構120之側壁的第一電極133之側邊部分可具有所期望之傾斜角度。此處，因為突出部134可由突起128導致所形成，第一電極133之突出部134可具有實質上相同或實質上相似於絕緣層110之突起128的形狀。在範例實施例中，由有機發光結構155所產生之光(見第13圖)可有效地藉由第一電極133之突出部134而反射，使得有機發光顯示裝置可具有更加強的發光效率。
參照第13圖，像素定義層130可形成於絕緣層110及第一電極133上。像素定義層130可使用有機材料或無機材料而形成。像素定義層130可部分地蝕刻以形成暴露第一電極100之突出部134的開口。在此情況下，像素定義層130的開口的側壁可具有實質上相同或實質上相似於傾斜結構120的側壁的傾斜角度之傾斜角度。
如同像素定義層130的開口之形成可定義有機發光顯示裝置之發光區域及非發光區域。此處，其中像素定義層130之開口所位處之第一區域可為發光區域，而相鄰於第一區域之第二區域可為非發光區域。絕緣層110之傾斜結構120可位於發光區域，而具突出部134之第一電極133可實質上均勻地設置於發光區域中傾斜結構120之側壁及底部上。此外，像素定義層130可延伸至發光區域，使得像素定義層130可位於傾斜結構120之側壁及傾斜結構120之底部的部分。因此，發光區域中像素定義層130的一部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120之傾斜角度。
有機發光結構155可形成於發光區域中像素定義層130及第一電極133上。有機發光結構155可具有包含有機發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等之多層結構。有機發光結構155可與發光區域中之第一電極133及像素定義層130接觸。此處，有機發光結構155之側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120之側壁之傾斜角度。
在範例實施例中，第一電極133可包含在發光區域中之突出部134，使得有機發光結構155可具有實質上分別對應至突出部134之複數個凹陷、溝槽或凹痕。亦即，有機發光結構155的下部分可包含具有實質上由第一電極133之突出部134所導致之形狀的凹陷、溝槽或凹痕。 作為結果，有機發光結構155可具有藉由第一電極133之突出部134所分割的複數個部分。亦即，有機發光結構155可藉著由於第一電極133之突出部134所形成之凹陷、溝槽或凹痕而分割為複數個部分。
現參照第13圖，第二電極140可形成於有機發光結構155及像素定義層130上。第二電極140可根據有機發光顯示裝置之發射結構(或發射方向)而包含透明導電性材料。進一步地，在發光區域的第二電極140可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構120的傾斜角度。
第二保護層145可形成於第二電極140上。第二保護層145可自發光區域延伸至非發光區域。第二保護層145亦可使用有機材料或無機材料而形成。
第二基板150可提供於第二保護層145上。第二基板150可包含透明絕緣基板，例如玻璃基板、透明陶瓷基板、透明塑膠基板等。 介於第二保護層145與第二基板150之間的空間148可以空氣、如氮氣之惰性氣體、具有光透射性及吸濕性的樹脂等所填充。在一些範例實施例中，根據在空間148的額外填充材料，第二保護層145可能不會形成於第二電極140及第二基板150之間。
第14圖至第19圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。除了切換元件及具有傾斜結構之絕緣層以外，第14圖至第19圖中所繪示的方法可提供具有實質上相同或實質上相似於參照第5圖至第11圖所述之有機發光顯示裝置之配置的有機發光顯示裝置。然而，為所屬技術領域具有通常知識者了解的是該方法可提供具有切換元件、保護層、電極、絕緣層、有機發光結構等之各種不同配置的其他有機發光顯示裝置。
參照第14圖，緩衝層205可形成於第一基板200上，且接著閘極電極210可形成於緩衝層205上。緩衝層205可使用矽化合物藉著化學氣相沉積製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、旋轉塗佈製程或高密度電漿-化學氣相沉積製程而形成於第一基板200上。
閘極電極210可使用金屬、合金、金屬化合物及/或透明導電性材料而形成，而閘極線(圖未示)可提供於緩衝層205的部分上。閘極電極210及閘極線可藉由在形成第一傳導層於緩衝層205後部分地蝕刻第一傳導層(圖未示)而獲得。在一些範例實施例中，閘極電極210及閘極線可在緩衝層205未提供於第一基板200上時直接地位於第一基板200上。
參照第15圖，閘極絕緣層215可形成於緩衝層205上以覆蓋閘極電極210。閘極絕緣層215可使用矽氧化物及/或金屬氧化物藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、印刷製程、電漿輔助化學氣相沈積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、真空蒸鍍製程或旋轉塗佈製程而形成於緩衝層205上。
閘極絕緣層215可實質上沿著閘極電極210的輪廓均勻地形成於緩衝層205上。此處，閘極絕緣層215可具有相鄰於閘極電極210的台階部分。在一些範例實施中，閘極絕緣層215可在當充分地覆蓋閘極電極210下具有實質上平整的表面。為了確保具有實質的平整表面的閘極絕緣層215，包含化學機械性磨光製程及/或反蝕製程的平坦化製程可執行於閘極絕緣層215上。
參照第16圖，源極電極220及汲極電極225可形成於閘極絕緣層215上。源極電極220及汲極電極225各可使用金屬、合金、金屬化合物、透明導電性材料等而形成。資料線(圖未示)可形成在部分閘極絕緣層215上，使得資料線可連接至源極電極220。資料線可沿著實質上垂直於閘極線之方向的方向而延伸。在一些範例實施例中，第二傳導層(圖未示)可形成於閘極絕緣層215上，且接著第二傳導層可部分地蝕刻以提供在閘極絕緣層215上之資料線及源極電極220及汲極電極225。此處，第二傳導層可藉著濺鍍製程、真空蒸鍍製程、印刷製程、化學氣相沉積製程、原子層沈積製程等而形成。
源極電極220及汲極電極225可以閘極電極210為中心以設定或預定距離而彼此分隔。當閘極絕緣層215具有台階部分時，源極電極 220及汲極電極225亦各可具有閘極絕緣層215的台階部分所導致之台階部分。在形成源極電極220及汲極電極225之後，在閘極電極210上方可暴露部分閘極絕緣層215。
主動圖樣230可形成於暴露之閘極絕緣層215、源極電極220及汲極電極225上。主動圖樣230可使用半導體氧化物而形成。舉例來說，主動圖樣230可包含氧化銦鎵鋅(indium-gallium-zinc oxide,IGZO)、氧化鎵鋅(gallium zinc oxide,GaZnxOy)、氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅鎂(zinc magnesium oxide,ZnMgxOy)、氧化鋅錫(zinc tin oxide,ZnSnxOy)、氧化鋅鋯(zinc zirconium oxide,ZnZrxOy)、氧化鋅(zinc oxide,ZnOx)、氧化鎵(gallium oxide,GaOx)、氧化鈦(titanium oxide,TiOx)、氧化錫(tin oxide,SnOx)、氧化銦(indium oxide,InOx)、氧化銦鎵鉿(indium-gallium-hafnium oxide,IGHO)、氧化錫鋁鋅(tin-aluminum-zinc oxide,TAZO)、氧化銦鎵錫(indium-gallium-tin oxide,IGSO)等。這些可被單獨使用或以其組合而使用。
在範例實施例中，主動層(圖未示)可形成於源極電極220、汲極電極225及閘極絕緣層215上，且接著主動層可圖樣化以提供主動圖樣230於源極電極220、汲極電極225及閘極絕緣層215上。主動層可藉著濺鍍製程、化學氣相沉積製程、印刷製程、噴覆(spray)製程、真空蒸鍍製程、原子層沈積製程、溶膠-凝膠(sol-gel)製程、電漿輔助化學氣相沈積製程等而獲得。
由於主動圖樣230的形成，切換元件可提供於第一基板200上。切換元件可包含閘極電極210、閘極絕緣層215、源極電極220、汲極電極225及主動圖樣230。此處，切換元件可為氧化物半導體裝置。
參照第17圖，第一保護層235可形成在閘極絕緣層215上以覆蓋主動圖樣230、汲極電極225及源極電極220。第一保護層235可具有充分地覆蓋主動圖樣之相對較大的厚度。第一保護層235可使用有機材料或無機材料藉著旋轉塗佈製程、濺鍍製程、印刷製程、化學氣相沉積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程或真空蒸鍍製程而形成。在一些範例實施例中，第一保護層235可根據依序地形成的絕緣層245的成分及/或尺寸而不提供。
絕緣層245可形成於第一保護層235上。絕緣層245可具有包含多於兩個的絕緣膜之多層結構。此處，絕緣膜245之絕緣膜可包含材料係實質上相同或實質上相似於第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之材料。此外，絕緣層245的絕緣膜可藉著製程係實質上相同或實質上相似於形成第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之製程而形成於第一保護層235上。
傾斜結構255可形成於絕緣層245上。傾斜結構255之側壁可具有第五傾斜角度θ3。在範例實施例中，第一絕緣膜(圖未示)可形成於第一保護層235上，且接著第一凹槽(圖未示)可形成於第一絕緣膜上。 第一凹槽可藉著設定或預定距離而分隔。此處，介於相鄰之第一凹槽之間的距離可實質上相同或實質上相似於具依序形成之突出形狀的傾斜結構255之寬度。在第二絕緣膜(圖未示)可藉由插設第一凹槽於其間而形成於第一絕緣膜上後，在第一凹槽上之部分第二絕緣膜可被蝕刻。因此， 第二凹槽可形成而穿過第二絕緣膜。第二凹槽可與第一凹槽連通。接著，第一絕緣膜及第二絕緣膜可重熔流佈以提供具突出形狀之傾斜結構255。在此情況下，傾斜結構255可位於藉著結合第一凹槽及第二凹槽而形成之相鄰凹槽之間。舉例來說，傾斜結構255可設置於相鄰兩凹槽之間。傾斜結構255之第五傾斜角度θ3可實質上相同或實質上相似於相鄰凹槽的側壁的傾斜角度。舉例來說，突出之傾斜結構255的第五傾斜角度θ3可為相對於實質上平行第一基板200之方向約20°至約70°。
現參照第17圖，部分地暴露汲極電極225之通孔250可形成而穿過絕緣層245及第一保護層235。故通孔250可在形成突出之傾斜結構255於絕緣層245上時形成。此外，通孔250可在形成傾斜結構255後形成而穿過絕緣層245及第一保護層235。
在範例實施例中，傾斜結構255之側壁之第五傾斜角度θ3可實質上相同或實質上相似於參照第4圖所述之傾斜結構25之側壁之第三傾斜角度θ1。在絕緣層245之傾斜結構255具有如第17圖所示之突出形狀時，有機發光顯示裝置可具有底部發射型結構(或底部發射方向)。
參照第18圖，填充通孔250之第一電極260可形成於具有突出之傾斜結構255的絕緣層245上。第一電極260可與汲極電極225接觸，且可位於傾斜結構255之側壁及上表面兩者上。第一電極260可覆蓋突出之傾斜結構255，使得第一電極260之各側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構255之側壁的第五傾斜角度θ3。舉例來說，第一電極260之側邊部分相對於實質上平行於第一基板200之軸線可具有約20°至約70°的範圍內之傾斜角度。
像素定義層265可形成於絕緣層245及第一電極260上以定義有機發光顯示裝置之發光區域及非發光區域。像素定義層265可使用有機材料或無機材料而形成。像素定義層265可自非發光區域延伸至在發光區域中的傾斜結構255之側壁上。亦即，像素定義層265可非設置於傾斜結構255之上表面上。像素定義層265可位於座落於傾斜結構255之側壁上的第一電極260上，使得像素定義層265的各側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構255之側壁的第五傾斜角度θ3。
有機發光結構270可形成於第一電極260上及像素定義層265的部分上。有機發光結構270可具有包含有機發光層之多層結構。儘管有機發光結構270可根據有機發光顯示裝置之像素而包含各種不同的發光材料，有機發光結構270可包含堆疊之用於產生白光的發光材料。
在範例實施例中，有機發光結構270可僅設置於發光區域。舉例來說，有機發光結構270可形成在發光區域中傾斜結構255的上表面及部分像素定義層265。此處，有機發光結構270之各側邊部分可具有相對較大之傾斜角度。舉例來說，有機發光結構270之側邊部分相對於實質上平行第一基板200之軸線可具有約40°至約90°的範圍內之傾斜角度。作為結果，介於有機發光結構270與傾斜結構255之側壁或像素定義層265之側邊部分之間的比率可於約1.0：0.2至約1.0：1.8之範圍內。
參照第19圖，第二電極275可形成在像素定義層265及有機發光結構270上。當有機發光顯示裝置具有底部發射結構時，第二電極275可包含反射材料。第二電極275可實質上均勻地形成至像素定義層265及有機發光結構270上。此處，相鄰於有機發光結構270之側壁的第二電極 275之部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構255之第五傾斜角度θ3。
第二保護層280可形成在第二電極275上。第二保護層280可包含有機材料或無機材料，且可由發光區域延伸至非發光區域。第二基板290可設置於第二保護層280上。此處，設定或預定空間285可創建於第二保護層280與第二基板290之間。此空間285可以空氣或惰性氣體如氮氣所填充。此外，空間285可以具有光透射性及吸濕性之樹脂所填充。在一些範例實施例中，若額外填充材料可形成於第二電極275上，第二保護層280可能不會提供於第二電極275及第二基板290之間。
根據範例實施例，因為具突出形狀之傾斜結構255，第一電極260、像素定義層265及第二電極275之各側邊部分可具有用於避免由有機發光結構270所產生之光的全反射之所期望的傾斜角度。因此，有機發光顯示裝置可具有大幅地改善的發光效率。
第20圖至第21圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。除了絕緣層、第一電極及有機發光結構以外，第20圖及第21圖所繪示之方法可提供具有實質上相同或實質上相似於參照第5圖至第11圖所述之有機發光顯示裝置之配置的有機發光顯示裝置。然而，為所屬技術領域具有通常知識者所了解的是該方法可提供具有切換元件、保護層、電極、具傾斜結構之絕緣層、有機發光結構等之各種不同配置的其他有機發光顯示裝置。
參照第20圖，切換元件、第一保護層235及具有傾斜結構255之絕緣層245可藉著實質上相同或實質上相似於參照第14圖至第17圖所繪示之製程的製程而形成在第一基板200上。
如第20圖所示，複數個突起258可藉著實行製程係實質上相同或實質上相似於參照第12圖所述之製程而形成於突出之傾斜結構255上。因此，絕緣層245可具有複數個突起258，且突出之傾斜結構255之各側壁可具有第五傾斜角度θ3。
第一電極300可形成在具有傾斜結構255之絕緣層245上，以填充所形成之穿過絕緣層245及第一保護層235之通孔。第一電極300之各側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構255之側壁的第五傾斜角度θ3。進一步地，第一電極300可具有由絕緣層245之突起258所導致之複數個突出部303。
用於定義發光區域及非發光區域之像素定義層265可形成於第一電極300及絕緣層245上。像素定義層265可自非發光區域延伸至位於發光區域之傾斜結構255之側壁上。像素定義層265可位於座落在突出之傾斜結構255之側壁上的第一電極300，使得像素定義層265的側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構255之側壁的第五傾斜角度θ3。
有機發光結構315可形成在第一電極300及像素定義層265上。在範例實施例中，有機發光結構315可僅設置於突出之傾斜結構255之上表面及部分像素定義層265上。因此，有機發光結構315之各側邊部分可具有相對較大之傾斜角度。在有機發光結構315形成在具突出部303 之第一電極300上時，有機發光結構315可包含實質上對應至突出部303之複數個凹陷、溝槽或凹痕。因此，有機發光結構315可藉著凹陷、溝槽或凹痕而分割為複數個部分。
參照第21圖，第二電極275可形成在像素定義層265及有機發光結構315上。若有機發光顯示裝置具有底部發射結構，第二電極275可包含反射材料。第二電極275可均勻地沿著有機發光結構315之輪廓而設置於像素定義層265及有機發光結構315上。此外，相鄰於傾斜結構255之側壁的第二電極275之部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於第五傾斜角度θ3。
第二保護層280可形成於第二電極275上。第二保護層280可設置於發光區域及非發光區域兩者。第二基板290可在預定空間285可插設於第二保護層280與第二基板290之間時提供於第二保護層280上。 然而，當額外填充材料或填充層係插設於第二電極275與第二基板290之間時，第二保護層280可能不會形成於第二電極275上。
第22圖至第24圖係依據部分範例實施例繪示製造有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。除了具有傾斜結構的絕緣層、第一電極、像素定義層及有機發光結構以外，於第22圖至第24圖所述之方法可提供具有有機發光顯示裝置係實質上相同或實質上相似於參照第5圖至第11圖所述之有機發光顯示裝置之配置。然而，為所屬技術領域具有通常知識者所了解的是該方法可提供具有切換元件、保護層、電極、絕緣層、有機發光結構等之各種不同配置的其他有機發光顯示裝置。
參照第22圖，緩衝層355、切換元件及第一保護層395可藉著實質上相同或實質上相似於參照第7圖及第8圖所繪示之製程的製程而形成於第一基板350上。此處，切換元件可包含半導體圖樣、閘極絕緣層360、閘極電極363、絕緣中間層380、源極電極385及汲極電極390。切換元件之半導體圖樣可分割為源極區域365、汲極區域370及通道區域375。
具有突出之傾斜結構405的絕緣層400可形成於第一保護層395上。此外，絕緣層400可包含暴露部分汲極電極390之通孔。絕緣層400可具有包含至少二個絕緣膜之多層結構。這些絕緣層400之絕緣膜可使用材料係實質上相同或實質上相似於參照第1圖及第2圖所述之第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之材料而形成。此外，絕緣層400之絕緣膜可藉由製程係實質上相同或實質上相似於參照第1圖及第2圖所述之用於形成第一絕緣膜5及第二絕緣膜15之製程而獲得。
在範例實施例中，第一絕緣膜(圖未示)及第二絕緣膜(圖未示)可形成於第一保護層395上。第一絕緣膜及第二絕緣膜可分別具有實質上平整的表面。第一凹槽(圖未示)可以預定距離形成於第二絕緣膜上。 此處，介於相鄰第一凹槽之間的距離可實質上相同或實質上相似於依序形成的傾斜結構405的寬度。第三絕緣膜(圖未示)可在第一凹槽插設於第二絕緣膜與第三絕緣膜之間時形成於第二絕緣膜上。接著，在第一凹槽上方之部分第三絕緣膜可移除以形成穿過第三絕緣膜的第二凹槽。各第二凹槽可與相關的第一凹槽連通。在第二絕緣膜及第三絕緣膜重熔流佈後，突出之傾斜結構405可提供於絕緣層400上。突出之傾斜結構405可 設置於相鄰之第一凹槽或相鄰之第二凹槽之間。若絕緣層400的傾斜結構405具有突出形狀，有機發光顯示裝置可具有底部發射結構。傾斜結構405的側壁可具有第五傾斜角度θ3係實質上相同或實質上相似於藉由結合第一凹槽及第二凹槽所形成的相鄰之凹槽的傾斜角度。舉例來說，傾斜結構405之側壁相對於實質上平行第一基板350之方向可具有約20°至約70°的範圍內之第五傾斜角度θ3。
當填充穿過絕緣層400所形成之通孔以部分地暴露汲極電極390時，第一電極410可形成於具有突出之傾斜結構405的絕緣層400上。在範例實施例中，第一電極層(圖未示)可形成於絕緣層400上以填充通孔，且接著蝕刻遮罩(圖未示)可形成於第一電極層上。第一電極層可使用蝕刻遮罩而圖樣化，使得於相鄰像素區域中分隔之第一電極410可形成於絕緣層400上。各第一電極410可與汲極電極390接觸且可位於突出之傾斜結構405之側壁及上表面上。由於第一電極410係設置於突出之傾斜結構405上，第一電極410之側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於傾斜結構405之側壁的第五傾斜角度θ3。舉例來說，第一電極410之各側邊部分相對於實質上平行第一基板之軸線可具有約20°至約70°的範圍內之傾斜角度。
參照第23圖，像素定義層415可形成於第一電極410及絕緣層400上以定義有機發光顯示裝置之發光區域及非發光區域。像素定義層415可使用有機材料或無機材料而形成。像素定義層415可自非發光區域延伸至位於發光區域的傾斜結構405上。
在範例實施例中，像素定義層415可延伸以覆蓋在發光區域中之第一電極410。在此情況下，開口可形成而穿過像素定義層415，以暴露位於傾斜結構405之上表面的第一電極410。像素定義層415之開口可包含具有實質上與傾斜結構405之側壁的第五傾斜角度θ3不同的第六傾斜角度θ4之側壁。舉例來說，像素定義層415之開口的側壁相對於實質上平行第一基板350之方向可具有約110°至約160°的範圍內之第六傾斜角度θ4。具有開口的像素定義層415可定義有機發光顯示裝置之發光區域。此外，設置於傾斜結構405之側壁上的像素定義層415的側邊部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於第五傾斜角度θ3。
有機發光結構420可形成於在像素定義層415的開口中之第一電極410上。在範例實施例中，有機發光結構420可埋於(填充於)像素定義層415之開口中。亦即，有機發光結構420可完全地填充像素定義層415之開口，且可具有實質上平整的表面。因此，有機發光結構420之側壁可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於開口之側壁的第六傾斜角度θ4。舉例來說，有機發光結構420之側壁相對於實質上平行第一基板350之軸線可具有約110°至約160°的範圍內之傾斜角度。因此，有機發光結構420的側壁相對於突出之傾斜結構405之側壁、第一電極410之側邊部分或像素定義層415的側邊部分的比率可為約1.0：1.6至約1.0：8.0的相對較大之範圍內。在有機發光顯示裝置的像素中，有機發光結構420可具有包含有機發光層之多層結構。有機發光結構420可分別包含不同發光材料。此外，所有有機發光結構可包含堆疊之用於產生白光之發光材料。
參照第24圖，第二電極425可形成於像素定義層415及有機發光結構420上。在有機發光顯示裝置具有底部發射結構時，第二電極425可包含反射性材料。第二電極425可實質上均勻地形成於像素定義層415及有機發光結構420上。在此情況下，相鄰於突出之傾斜結構405之側壁的第二電極425之部分可具有傾斜角度係實質上相同或實質上相似於第五傾斜角度θ3。
第二保護層430可形成於第二電極425上。第二保護層430可包含有機材料或無機材料，且可自發光區域延伸至非發光區域。包含透明絕緣基板之第二基板450可設置於第二保護層430上。此處，設定或預定空間435可提供在非發光區域中第二保護層430與第二基板450之間。儘管空氣或惰性氣體如氮氣可填充空間435，具有光透射性及吸濕性之樹脂可依場合需求而填充此空間435。在一些範例實施例中，第二保護層430可依據在空間435的額外填充材料而不會形成於第二電極425與第二基板450之間。
根據範例實施例，突出之傾斜結構405可提供具有用於防止由有機發光結構420所產生之光的全反射的所期望之傾斜角度之第一電極410、像素定義層415及第二電極425的側邊部分。此處，有機發光顯示裝置可確保顯著地加強發光效率。此外，有機發光結構420可埋於像素定義層415之開口內，使得前進至非發光區域的光可藉由設置於具有突出形狀之傾斜結構405上方之第二電極425而反射至發光區域。
根據本發明之範例實施例，在沒有其它用於由有機發光結構所產生之光之光學共振之結構下，有機發光顯示裝置可包含具有凹陷 形狀或突出形狀之傾斜結構之絕緣層。因此，有機發光顯示裝置可具有發光效率係顯著地大於傳統有機發光顯示裝置之發光效率。作為結果，有機發光顯示裝置可顯示具改善之亮度、加強之對比度、增加之視角等的影像。
上述為範例實施例之說明，且並非詮釋為其限制。儘管係說明少數範例實施例，所屬技術領域具有通常知識者將輕易理解，許多範例實施例之修改在不重大脫離範例實施例之新教示及優點下係為可能的。因此，所有這樣的修改係旨在包含於如申請專利範圍所定義之範例實施例之範疇內。在申請專利範圍中，手段附加功能(means-plus-function)句型係用以涵蓋執行所述功能時之本文中所描述的結構，且其不僅涵蓋結構相似物且亦涵蓋等效結構。因此，其將了解的是上述為範例實施例之說明且並非詮釋為所揭露之特定實施例所限制，而對於所揭露之範例實施例之修改及其他範例實施例係旨在包含於申請專利範圍的範疇內。本發明係以下列申請專利範圍以及包含於其間之申請專利範圍的等效物所定義。
θ2‧‧‧第四傾斜角度
50‧‧‧第一基板
55‧‧‧緩衝層
65‧‧‧閘極絕緣層
70‧‧‧閘極電極
75‧‧‧源極區域
80‧‧‧汲極區域
85‧‧‧通道區域
90‧‧‧絕緣中間層
95‧‧‧源極電極
100‧‧‧汲極電極
105‧‧‧第一保護層
110‧‧‧絕緣層
120‧‧‧傾斜結構
125‧‧‧第一電極
130‧‧‧像素定義層
135‧‧‧有機發光結構
140‧‧‧第二電極
145‧‧‧第二保護層
148‧‧‧空間
150‧‧‧第二基板

Claims (24)

  1. 一種在一絕緣層上形成一傾斜結構之方法，該方法包含：形成一第一凹槽於一第一絕緣膜上；形成一第二絕緣膜於具該第一凹槽之該第一絕緣膜上；形成一第二凹槽在該第二絕緣膜上；以及由該第一凹槽及該第二凹槽藉由在該第一絕緣膜及該第二絕緣膜上執行一重熔流佈製程而形成該傾斜結構；其中該重熔流佈製程係於該第一絕緣膜及該第二絕緣膜之熔點約50%至約80%的範圍內之溫度下執行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中各該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含選自由有機材料、矽化合物、金屬及氧化金屬所組成的群組之至少其一。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中各該第一絕緣膜及該第二絕緣膜包含由光阻(photoresist)、丙烯醯基聚合物(acryl-based polymer)、聚亞醯胺基聚合物(polyimide-based polymer)、聚醯胺基聚合物(polyamide-based polymer)、矽氧烷基聚合物(siloxane-based polymer)、包含光敏性丙烯醯基羧基團之聚合物(polymer containing photosensitive acryl carboxyl group)、酚醛樹脂(novolak resin)、鹼可溶樹脂(alkali-soluble resin)、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽(silicon oxynitride)、碳氧化矽(silicon oxycarbide)、碳氮化矽(silicon carbon nitride)、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿及氧化鋯所組成的群組 之至少其一。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中各該第一凹槽及該第二凹槽係使用具有一光阻擋區域及一半透射區域之一遮罩而形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一凹槽具有一深度係大於該第二凹槽的一深度，而該第二凹槽具有一寬度係大於該第一凹槽的一寬度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在形成該第一凹槽後於該第一凹槽之一側壁及一底部執行一表面處理製程。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該傾斜結構具有一凹陷形狀或一突出形狀。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中介於該傾斜結構的該側壁之一傾斜角度與該第一凹槽及該第二凹槽的一側壁之一傾斜角度之間的比例係於約1.0：0.2至約1.0：1.8的範圍內。
  9. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一第一基板；一絕緣層，係位於該第一基板，該絕緣層包含一傾斜結構；一第一電極，係位於該絕緣層上；一像素定義層，係位於該絕緣層及該第一電極上，該像素定義層定義一發光區域及一非發光區域；一有機發光結構，係位於該發光區域中該第一電極上；一第二電極，係位於該像素定義層及該有機發光結構上；以及 一第二基板，係位於該第二電極上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層係延伸於位在該傾斜結構之一側壁上之該第一電極上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層係延伸於位於該傾斜結構之一上表面上之該第一電極上，且該像素定義層在該發光區域具有暴露該第一電極之一開口。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光結構係設置於該像素定義層的該開口。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光結構的一側壁相對於平行該第一基板之一方向具有約110°至約160°的一傾斜角度。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該傾斜結構之一側壁相對於平行該第一基板之一方向具有約20°至約70°的一傾斜角度。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極及該第二電極在該傾斜結構上之各側邊部分具有一傾斜角度係相同於該傾斜結構之該側壁的該傾斜角度。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層於該傾斜結構上具有複數個突起。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極具有複數個突出部分別地形成於該複數個突起上。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該傾斜結構具有一凹陷形狀，且該傾斜結構之一側壁具有一傾斜角度 係相同於該有機發光結構之一側壁的一傾斜角度。
  19. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該傾斜結構具有一突出形狀，且該傾斜結構之一側壁之一傾斜角度與該有機發光結構之一側壁之一傾斜角度之間的比率係於約1.0：0.2至約1.0：1.8或約1.0：1.6至約1.0：8.0之範圍內。
  20. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：形成一絕緣層於一第一基板上；形成該絕緣層具有一傾斜結構；形成一第一電極於該絕緣層上：形成一像素定義層於該絕緣層及該第一電極上；藉由部分地蝕刻該像素定義層而形成暴露位於該傾斜結構上之該第一電極之一開口；形成一有機發光結構於暴露之該第一電極上；形成一第二電極於該像素定義層及該有機發光結構上；以及形成一第二基板於該第二電極上。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中形成該絕緣層及該傾斜結構包含：形成一第一絕緣膜於該第一基板上；形成一第一凹槽於該第一絕緣膜上；形成一第二絕緣膜於具該第一凹槽之該第一絕緣膜上；形成一第二凹槽於該第二絕緣膜上；以及 藉著重熔流佈該第一絕緣膜及該第二絕緣膜而由該第一凹槽及該第二凹槽形成該傾斜結構。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中形成該絕緣層具有該傾斜結構包含：形成一第一絕緣膜於該第一基板上；形成複數個第一凹槽於該第一絕緣膜上，該些第一凹槽係彼此分隔；形成一第二絕緣膜於具該些第一凹槽之該第一絕緣膜上；於該第二絕緣膜之部分上形成複數個第二凹槽於該些第一凹槽上方；以及藉著重熔流佈該第一絕緣膜及該第二絕緣膜而形成具有介於相鄰凹槽之間之一突出形狀的該傾斜結構。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之方法，更包含形成複數個突起於該傾斜結構之一底部。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，更包含形成該第一電極之複數個突出部，其中該複數個突出部係藉由該複數個突起而形成。
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