JP2005268046A - 有機el素子及び有機el表示装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Abstract
【解決手段】 有機層16において画素周辺領域から発光される光であっても光反射部14に反射されることにより回折格子の干渉効果を受けることができるので、画素周辺領域から発光される光であっても、画素中心領域から発光される光と同様の干渉効果を回折格子13aから受けることができる。これにより、画素周辺領域から発光される光で、基板面に対する出射角が大きい光であっても効率的に基板面に対する入射角を小さくすることができる。
【選択図】 図3
Description
2:表示領域
3:ロウドライバ
4:カラムドライバ
5:表示画素
6:有機EL素子
7:画素回路
8:配線
9:ガラス基板
10:TFT
11:層間絶縁膜
12:高屈折率層
13:シリコン酸化膜層
13a:回折格子
14:光反射部
15:透明電極層
16:有機層
17:レジスト層
18:陰極
Claims (12)
- 光透明性基板上に形成された高屈折率層と、前記高屈折率層の側面に形成された光反射部と、前記高屈折率層の上方に形成された透明性電極と、前記透明性電極の上方に形成された発光する有機層と、前記有機層の上方に形成された電極とを有し、前記高屈折率層は光の進行方向を変化させる光学要素を有することを特徴とする有機EL素子。
- 前記光反射部は、前記光透明性基板と直交する光反射面を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記光反射部は、少なくとも前記有機層の高さまで形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL素子。
- 前記光反射部は、少なくともその一部に対向するように設けられている面を有することを特徴とする請求項1乃至3に記載の有機EL素子。
- 前記対向するように設けられている面は互いに平行であることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。
- 前記光反射部は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記高屈折率層の領域の面積は、前記有機層が配置されている領域の面積よりも大きく、前記高屈折率層が前記有機層の領域の下部を全て含むように形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記高屈折率層は、窒化シリコンで形成されていることを特徴とする請求項7に記載の有機EL素子。
- 前記光学要素は、前記高屈折率層の最上部に設けられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 前記光学要素は、回折格子であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 光透明性基板上に形成された高屈折率層と、前記高屈折率層の側面に形成された光反射部と、前記高屈折率層の上方に形成された光の進行方向を変化させる光学要素と、前記光学要素の上方に形成された透明性電極と、前記透明性電極の上方に形成された発光する有機層と、前記有機層の上方に形成された電極とを有することを特徴とする有機EL素子。
- 光透明性基板上に形成された高屈折率層と、前記高屈折率層の側面に形成された光反射部と、前記高屈折率層の上方に形成された透明性電極と、前記透明性電極の上方に形成された発光する有機層と、前記有機層の上方に形成された電極とを有し、前記高屈折率層は光の進行方向を変化させる光学要素を有する有機EL素子と、
前記光透明性基板上に形成された互いに直交する方向に延在する複数の配線と、
前記複数の配線の各交点近傍に設けられた薄膜トランジスタとを有し、
前記有機EL素子は前記複数の配線で囲まれた夫々の領域に配置され、前記高屈折率層の上面は前記配線の上面及び前記薄膜トランジスタの上面よりも位置が上であることを特徴とする有機EL表示装置。
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