JP3193803B2 - 半導体素子の作製方法 - Google Patents
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Description
FT)、薄膜ダイオード等の薄膜状態の半導体素子の作
製方法に関するものである。特に本発明は、結晶性の半
導体材料を使用する半導体素子に関する。本発明によっ
て作製される半導体素子は、ガラス等の絶縁基板上、単
結晶シリコン等の半導体基板上、いずれにも形成され
る。
薄膜半導体素子は、使用されるシリコンの種類によっ
て、アモルファス系素子と結晶系素子に分かれている。
アモルファスシリコンは電界効果移動度や導電率等の物
性で結晶性シリコンに劣るので、高い動作特性を得るに
は結晶系の半導体素子が求められている。
膜の結晶化をおこなうには600℃以上の温度が必要で
あり、かつ、その結晶化に長い時間が必要であったの
で、実際に量産する場合には、結晶化装置の設備がいく
つも必要とされ、巨額の設備投資がコストに跳ね返って
くるという問題を抱えていた。本発明は、600℃以下
の温度で、かつ、実質的に問題にならない程度の短時間
でシリコン膜の結晶化をおこない、これを半導体素子に
利用する技術を提供する。
モルファス状態のシリコン被膜に微量の触媒材料を添加
することによって結晶化を促進させ、結晶化温度を低下
させ、結晶化時間を短縮する。触媒材料としては、ニッ
ケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、白金の
単体、もしくは珪化物等の化合物が適している。具体的
には、これらの元素を有する膜、粒子、クラスター等を
アモルファスシリコン膜の下、もしくは上に密着して形
成し、あるいはイオン注入法等の方法によってアモルフ
ァスシリコン膜中にこれらの元素を導入し、その後、こ
れを適当な温度で熱アニールすることによって結晶化さ
せる。
モルファスシリコン膜を形成する際には原料ガス中に、
また、スパッタリング等の物理的気相法でアモルファス
シリコン膜を形成する際には、ターゲットや蒸着源等の
成膜材料中に、これらの触媒材料を添加しておいてもよ
い。当然のことであるが、アニール温度が高いほど結晶
化時間は短いという関係がある。また、ニッケル、鉄、
コバルト、白金の濃度が大きいほど結晶化温度が低く、
結晶化時間が短いという関係がある。本発明人の研究で
は、これらのうちの少なくとも1つの元素の濃度が1×
1017cm-3以上存在することが望ましいことがわかっ
た。なお、これらの元素の濃度は、2次イオン質量分析
(SIMS)法によって測定した膜中の最小値を用いて
判断すると良い。
とっては好ましくない材料であるので、できるだけその
濃度が低いことが望まれる。本発明人の研究では、これ
らの触媒材料の濃度は合計して1×1020cm-3を越え
ないことが望まれる。さらに良い特性を得るには熱アニ
ールによって結晶化させたシリコン膜の表面を20〜2
00Å、あるいはシリコン膜の厚さの1/100以上、
1/5以下をエッチングすればよい。これは表面にこれ
らの触媒材料元素の過剰なものが析出しやすいためであ
る。そして、このように清浄にした表面をプラズマCV
D法、光CVD法、減圧CVD法等の化学的気相法、あ
るいはスパッタリング法等の物理的気相法によって酸化
珪素を主成分とする絶縁被膜で被覆することによって、
清浄な界面が保存される。絶縁被膜には必要によって、
燐等の元素を添加してもよい。このような半導体−絶縁
被膜構造は、そのまま、MOS構造等に用いることがで
きる。上記の方法によって、TFTを作製した場合に
は、リーク電流(OFF電流)が低下し、サブスレシュ
ホールド特性(S値)が改善するという効果が認められ
た。以下に実施例を示し、より詳細に本発明を説明す
る。
す。本実施例はTFTを作製する方法を示すものであ
る。本実施例では2種類のTFTを作製した。まず、基
板(コーニング7059)10上にスパッタリング法に
よって厚さ2000Åの酸化珪素の下地膜11を形成し
た。さらに、プラズマCVD法によって、厚さ500〜
1500Å、例えば800Åのアモルファスシリコン膜
12を堆積した。連続して、スパッタリング法によっ
て、厚さ5〜200Å、例えば20Åの珪化ニッケル膜
(化学式NiSix 、0.4≦x≦2.5、例えば、x
=2.0)13を堆積した。(図1(A))
4時間アニールして結晶化させた。この結果、アモルフ
ァスシリコン膜は結晶化した。ここまでは2つのTFT
とも同じ工程でおこなった。そして、一方のTFTはそ
の表面をフッ化水素酸を含有するエッチング液によって
20〜200Å、例えば100Åエッチングして、清浄
な表面14を露出させた。他のTFTでは、シリコン膜
を純水で洗浄しただけで、エッチング処理はおこなわな
かった。(図1(B))
した。得られたシリコン膜をフォトリソグラフィー法に
よってパターニングし、島状シリコン領域15を形成し
た。さらに、スパッタリング法によって厚さ1000Å
の酸化珪素膜16をゲイト絶縁膜として堆積した。スパ
ッタリングには、ターゲットとして酸化珪素を用い、ス
パッタリング時の基板温度は200〜400℃、例えば
350℃、スパッタリング雰囲気は酸素とアルゴンで、
アルゴン/酸素=0〜0.5、例えば0.1以下とし
た。(図1(C))
6000〜8000Å、例えば6000Åのシリコン膜
(0.1〜2%の燐を含む)を堆積した。なお、この酸
化珪素とシリコン膜の成膜工程は連続的におこなうこと
が望ましい。そして、シリコン膜をパターニングして、
ゲイト電極17を形成した。
リコン領域にゲイト電極17をマスクとして不純物
(燐)を注入した。ドーピングガスとして、フォスフィ
ン(PH3 )を用い、加速電圧を60〜90kV、例え
ば80kVとした。ドース量は1×1015〜8×1015
cm-2、例えば、5×1015cm-2とした。この結果、
N型の不純物領域18a、18bが形成された。(図1
(D))
アニールすることによって、不純物を活性化させた。こ
のとき、シリコン膜中にはニッケルが拡散しているの
で、このアニールによって再結晶化が容易に進行し、不
純物領域18a、18bが活性化した。続いて、厚さ6
000Åの酸化珪素膜19を層間絶縁物としてプラズマ
CVD法によって形成し、これにコンタクトホールを形
成して、金属材料、例えば、窒化チタンとアルミニウム
の多層膜によって配線20a、20bを形成した。最後
に、1気圧の水素雰囲気で350℃、30分のアニール
をおこなった。以上の工程によって半導体回路が完成し
た。(図1(E))
FTの特性(VG −ID 特性)を示す。測定時のソース
−ドレイン電圧は1Vである。aは結晶化後に、シリコ
ン表面を100Åエッチングして、酸化珪素膜を形成し
たTFTであり、bは結晶化後に、そのまま酸化珪素膜
を形成したものである。前者(a)は、ゲイトに負の電
圧が印加された際のリーク電流(IOFF a )が小さく、
また、正の電圧が印加された際の立ち上がり(Sa )が
急峻であり、ON/OFF比も9桁で理想的な電界効果
トランジスタであることがわかる。一方、後者(b)も
電界効果トランジスタとして機能することは示されてい
るが、リーク電流(IOFF b )が前者に比べ大きく、正
の電圧が印加された際の立ち上がり(Sb )が緩やか
で、ON/OFF比も6桁程度である。しきい値電圧も
前者の方が小さい。これは前者の半導体膜中に存在する
トラップ準位の密度が小さいことを示唆している。この
ように、本発明の有無によって、TFTに差が生じるこ
とが明らかになった。
の断面図を示す。基板(コーニング7059)30上に
スパッタリングによって厚さ2000Åの酸化珪素の下
地膜31を形成した。さらに、電子ビーム蒸着法によっ
て、厚さ5〜200Å、例えば10Åのニッケル膜33
を堆積し、さらに、プラズマCVD法によって、厚さ5
00〜1500Å、例えば500Åのアモルファスシリ
コン膜32を堆積した。(図3(A))
8時間アニールして結晶化させた。この結晶化工程後、
四塩化炭素(CCl4 )もしくは四フッ化炭素(C
F4 )のプラズマによって、シリコン膜表面を軽くエッ
チングした。エッチングされた深さは20〜200Åで
あった。エッチング後、今度は塩化水素(HCl)を1
〜10%含む350〜480℃の雰囲気で30分処理し
た。こうして、清浄な表面34を形成した。(図3
(B))
て、島状シリコン領域35を形成した。さらに、テトラ
・エトキシ・シラン(Si(OC2 H5 )4 、TEO
S)と酸素を原料として、プラズマCVD法によってゲ
イト絶縁膜として、厚さ1000Åの酸化珪素36を形
成した。原料には、上記ガスに加えて、トリクロロエチ
レン(C2 HCl3 )を用いた。成膜前にチャンバーに
酸素を400SCCM流し、基板温度300℃、全圧5
Pa、RFパワー150Wでプラズマを発生させ、この
状態を10分保った。その後、チャンバーに酸素300
SCCM、TEOS15SCCM、トリクロロエチレン
2SCCMを導入して、酸化珪素膜の成膜をおこなっ
た。基板温度、RFパワー、全圧は、それぞれ300
℃、75W、5Paであった。成膜完了後、チャンバー
に100Torrの水素を導入し、350℃で35分の
水素アニールをおこなった。
厚さ6000〜8000Å、例えば6000Åのアルミ
ニウム膜(2%のシリコンを含む)を堆積した。なお、
この酸化珪素36とアルミニウム膜の成膜工程は連続的
におこなうことが望ましい。そして、アルミニウム膜を
パターニングして、配線37a、37b、37cを形成
した。配線37a、37bは、いずれもゲイト電極とし
て機能する。さらに、このアルミニウム配線の表面を陽
極酸化して、表面に酸化物層39a、39b、39cを
形成した。陽極酸化の前に感光性ポリイミド(フォトニ
ース)によって後でコンタクトを形成する部分にポリイ
ミドマスク38を選択的に形成した。陽極酸化の際に
は、このマスクのために、この部分には陽極酸化物が形
成されなかった。
リコール溶液中でおこなった。得られた酸化物層の厚さ
は2000Åであった。次に、プラズマドーピング法に
よって、シリコン領域に不純物(燐)を注入した。ドー
ピングガスとして、フォスフィン(PH3 )を用い、加
速電圧を60〜90kV、例えば80kVとした。ドー
ス量は1×1015〜8×1015cm-2、例えば、2×1
015cm-2とした。このようにしてN型の不純物領域4
0aを形成した。さらに、今度は左側のTFT(Nチャ
ネル型TFT)のみをフォトレジストでマスクして、再
び、プラズマドーピング法で右側のTFT(Pチャネル
TFT)のシリコン領域に不純物(ホウ素)を注入し
た。ドーピングガスとして、ジボラン(B2 H6 )を用
い、加速電圧を50〜80kV、例えば65kVとし
た。ドース量は1×1015〜8×1015cm-2、例え
ば、先に注入された燐より多い5×1015cm-2とし
た。このようにしてP型の不純物領域40bを形成し
た。
物の活性化をおこなった。レーザーとしてはKrFエキ
シマーレーザー(波長248nm、パルス幅20nse
c)を用いたが、その他のレーザー、例えば、XeFエ
キシマーレーザー(波長353nm)、XeClエキシ
マーレーザー(波長308nm)、ArFエキシマーレ
ーザー(波長193nm)等を用いてもよい。レーザー
のエネルギー密度は、200〜400mJ/cm2 、例
えば250mJ/cm2 とし、1か所につき2〜10シ
ョット、例えば2ショット照射した。レーザー照射時
に、基板を200〜450℃程度に加熱してもよい。基
板を加熱した場合には最適なレーザーエネルギー密度が
変わることに注意しなければならない。なお、レーザー
照射時にはポリイミドのマスク38を残しておいた。こ
れは露出したアルミニウムがレーザー照射によってダメ
ージを受けるからである。このポリイミドのマスク38
は酸素プラズマ中にさらすことによって簡単に除去でき
る。この結果、不純物領域40a、40bが活性化され
た。(図3(D))
を層間絶縁物としてTEOSを原料とするプラズマCV
D法によって形成し、これにコンタクトホールを形成し
て、金属材料、例えば、窒化チタンとアルミニウムの多
層膜によって配線42a、42b、42cを形成した。
配線42cは配線37cと右側のTFT(PチャネルT
FT)の不純物領域の40bの一方41を接続する。以
上の工程によって半導体回路が完成した。(図3
(E))
た。作製されたTFTの特性は従来の600℃のアニー
ルによって結晶化する工程によって作製されたものとは
何ら劣るところはなかった。例えば、本実施例によって
作成したシフトレジスタは、ドレイン電圧15Vで11
MHz、17Vで16MHzの動作を確認できた。ま
た、信頼性の試験においても従来のものとの差を見出せ
なかった。
リコン膜を加熱して、金属元素を前記シリコン膜内で拡
散させることにより、前記シリコン膜を結晶化させてい
るため、これによって薄膜トランジスタを作製すると、
その特性を向上させ、また、その信頼性を高めることが
可能となった。本発明によれば、実施例2に示したよう
に、従来より低温、かつ、短時間でシリコンの結晶化が
行われた。しかも、本発明は、スループットの向上に伴
うコスト低下の効果がある。加えて、従来、600℃の
プロセスを採用した場合にはガラス基板の縮みやソリが
歩留り低下の原因として問題となっていたが、本発明を
利用することによって、例えば、550℃以下の結晶化
プロセスを採用することによって、そのような問題点は
一気に解消した。
理できるようになった。すなわち、大面積基板を処理す
ることによって、1枚の基板から多くの集積回路等を切
りだすことによって、集積回路の単価を大幅に低下させ
ることができる。このように本発明は、工業上有益な発
明である。本発明によれば、アモルファス状態のシリコ
ン膜を加熱して、金属元素を前記シリコン膜内で拡散さ
せても、エッチング処理によって簡単に除去できるた
め、安価な半導体を得ることができる。
す。
ム)
Claims (11)
- 【請求項1】基板の絶縁表面上に実質的にアモルファス
状態のシリコン膜を形成し、 前記シリコン膜の表面に接して、ニッケル、鉄、コバル
ト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材料を
形成し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化されたシリコン膜の表面を20Å〜200Åの厚
さエッチングし、 前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項2】基板の絶縁表面に接してニッケル、鉄、コ
バルト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材
料を形成し、 前記材料に接して実質的にアモルファス状態のシリコン
膜を形成し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化されたシリコン膜の表面を20Å〜200Åの厚
さエッチングし、前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項3】基板の絶縁表面上に実質的にアモルファス
状態のシリコン膜を形成し、 前記シリコン膜の表面に接して、ニッケル、鉄、コバル
ト、白金の少なくとも1つの 金属元素を含有する材料を
形成し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化された シリコン膜表面を膜厚の1/100以上
1/5以下の厚さエッチングし、 前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項4】基板の絶縁表面に接してニッケル、鉄、コ
バルト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材
料を形成し、 前記材料に接して実質的にアモルファス状態のシリコン
膜を形成し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化されたシリコン膜を膜厚の1/100以上1/
5以下の厚さエッチングし、 前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項5】基板の絶縁表面上に実質的にアモルファス
状態のシリコン膜を形成し、 前記シリコン膜にニッケル、鉄、コバルト、白金の少な
くとも1つの金属元素を添加し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化されたシリコン膜の表面を20Å〜200Åの厚
さエッチングし、 前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項6】基板の絶縁表面上に実質的にアモルファス
状態のシリコン膜を形成し、 前記シリコン膜の表面にニッケル、鉄、コバルト、白金
の少なくとも1つの金属元素を添加し、 前記シリコン膜を加熱して前記金属元素を前記シリコン
膜内で拡散させることにより、前記シリコン膜を結晶化
し、 前記結晶化されたシリコン膜表面を膜厚の1/100以上
1/5以下の厚さエッチングし、 前記シリコン膜をエッチングした後、シリコン膜をパタ
ーニングし、 前記パターニングされたシリコン膜に接して絶縁膜を形
成し、 前記パターニングされたシリコン膜に、チャネル形成領
域、ソース領域、ドレイン領域を形成する ことを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項7】請求項1〜4のいずれか1項において、前
記金属元素を含む材料はNiSi x (0.4≦X≦2.
5)で示される珪化ニッケルを含有することを特徴とす
る半導体素子の作製方法。 - 【請求項8】請求項1〜4のいずれか1項において、 前記金属元素を含む材料の状態は膜、粒子、クラスタで
あることを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 【請求項9】 請求項8において、 前記金属元素を含む材料は、化学的気相成長法または物
理的気相成長法で形成されたことを特徴とする半導体素
子の作製方法。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれか1項において、 前記絶縁膜に接してゲイト電極を形成することを特徴と
する半導体素子の作製方法。 - 【請求項11】 請求項1〜10のいずれか1項におい
て、 前記半導体素子のチャネル形成領域は前記金属元素の濃
度が1×10 20 cm -3 未満であることを特徴とする半導
体素子の作製方法。
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