JP4489750B2 - シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び光電変換装置の作製方法 - Google Patents
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Description
微結晶シリコン膜をプラズマCVD法で堆積する時、反応ガス中にシリコンの微結晶化を促進する金属元素を同時に添加することにより、当該金属元素が結晶成長の核となり、当該金属元素が添加されない場合に比べ微結晶化が容易に進行する。さらに微結晶化は堆積された膜の初期の極めて薄い段階から起こる。そして金属元素が結晶成長の核となることにより、微結晶シリコン膜の成膜速度を速くすることが容易となる。
102、202・・・排気手段
103、203・・・ガス供給手段
104、204・・・放電発生手段
105、205・・・基板加熱手段
106、206・・・基板
108・・・・・・・触媒元素供給源
207・・・・・・・ニッケルフィラメント及び加熱手段
301・・・・・・・基板
302・・・・・・・非晶質シリコン層
303・・・・・・・ソース領域
304・・・・・・・ドレイン領域
305・・・・・・・ゲート絶縁膜
306・・・・・・・ゲート電極
307・・・・・・・ソース電極
308・・・・・・・ドレイン電極
401・・・・・・・基板
402・・・・・・・金属電極
403・・・・・・・N型半導体層
404・・・・・・・真性半導体層
405・・・・・・・P型半導体層
406・・・・・・・透明電極
Claims (3)
- 反応室にシリコンを含む反応ガスと、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれた気体を、水素をキャリアガスとして導入し、プラズマCVD法により、微結晶シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の作製方法。
- 反応室にシリコンを含む反応ガスと、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれた気体を、水素をキャリアガスとして導入し、プラズマCVD法により、微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜を用いてトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 反応室にシリコンを含む反応ガスと、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれた気体を、水素をキャリアガスとして導入し、プラズマCVD法により、微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜を用いてPIN層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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