JP2000236482A - 二次元画像検出器およびその製造方法 - Google Patents
二次元画像検出器およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 二次元画像検出器の応答性を改善し、動画像
にも対応可能とする。あわせて、基板間隔を面内で均一
にするとともに、両基板間の接続不良やリーク不良の発
生を抑制する。 【解決手段】 二次元画像検出器は、画素電極１４が形
成されたアクティブマトリクス基板１と、電荷収集電極
６が形成された対向基板２とが、画素電極１４と電荷収
集電極６とが対向して接続されるように、各画素ごとに
独立して設けられた導電接続材３および間隔保持材４５
を介して貼り合わされている。さらに、間隔保持材４５
の樹脂材料４５ａが軟質である場合には、樹脂材料４５
ａ中に電気絶縁性を有し、熱圧着による変形量の小さい
補助材４５ｂを分散させておくことで、十分な間隔保持
力を発揮することができる。
にも対応可能とする。あわせて、基板間隔を面内で均一
にするとともに、両基板間の接続不良やリーク不良の発
生を抑制する。 【解決手段】 二次元画像検出器は、画素電極１４が形
成されたアクティブマトリクス基板１と、電荷収集電極
６が形成された対向基板２とが、画素電極１４と電荷収
集電極６とが対向して接続されるように、各画素ごとに
独立して設けられた導電接続材３および間隔保持材４５
を介して貼り合わされている。さらに、間隔保持材４５
の樹脂材料４５ａが軟質である場合には、樹脂材料４５
ａ中に電気絶縁性を有し、熱圧着による変形量の小さい
補助材４５ｂを分散させておくことで、十分な間隔保持
力を発揮することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出
器、およびその製造方法に関するものである。
可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出
器、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、放射線の二次元画像検出器と
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサを二次元状に配置し、これらのセンサにそれ
ぞれ電気スイッチを設けて、各行ごとに電気スイッチを
順次オンにして各列ごとにセンサの電荷を読み出すもの
が知られている。
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサを二次元状に配置し、これらのセンサにそれ
ぞれ電気スイッチを設けて、各行ごとに電気スイッチを
順次オンにして各列ごとにセンサの電荷を読み出すもの
が知られている。
【０００３】このような放射線二次元画像検出器につい
ては、「D.L.Lee,et al.，“A NewDigital Detector fo
r Projection Radiography",Proc.SPIE,Vol.2432,Physi
csof Medical Imaging,pp.237-249,1995」、「L.S.Jero
min,et al.，“Application of a-Si Active-Matrix Te
chnology in a X-Ray Detector Panel",SID(Society fo
r Information Display) International Symposium,Dig
est of Technical Papers,pp.91-94,1997」、および特
開平６−３４２０９８号公報等の文献に、具体的な構造
や原理が記載されている。
ては、「D.L.Lee,et al.，“A NewDigital Detector fo
r Projection Radiography",Proc.SPIE,Vol.2432,Physi
csof Medical Imaging,pp.237-249,1995」、「L.S.Jero
min,et al.，“Application of a-Si Active-Matrix Te
chnology in a X-Ray Detector Panel",SID(Society fo
r Information Display) International Symposium,Dig
est of Technical Papers,pp.91-94,1997」、および特
開平６−３４２０９８号公報等の文献に、具体的な構造
や原理が記載されている。
【０００４】以下、図１０および図１１を用いて、上記
従来の放射線二次元画像検出器の構成および原理につい
て説明する。図１０は、上記放射線二次元画像検出器の
構造を模式的に示した斜視図である。図１１は、１画素
当たりの構成を模式的に示した断面図である。
従来の放射線二次元画像検出器の構成および原理につい
て説明する。図１０は、上記放射線二次元画像検出器の
構造を模式的に示した斜視図である。図１１は、１画素
当たりの構成を模式的に示した断面図である。
【０００５】図１０および図１１に示すように、上記放
射線二次元画像検出器は、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２およびソース電極
５３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５等が形成されたアクティブマトリクス基
板５０を備えている。また、上記アクティブマトリクス
基板５０上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電
体層５７および上部電極５８が形成されている。
射線二次元画像検出器は、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２およびソース電極
５３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５等が形成されたアクティブマトリクス基
板５０を備えている。また、上記アクティブマトリクス
基板５０上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電
体層５７および上部電極５８が形成されている。
【０００６】上記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対向している構成であ
る。
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対向している構成であ
る。
【０００７】上記光導電膜５６は、Ｘ線等の放射線が照
射されることで電荷が発生する半導体材料が用いられ
る。上記の文献では、光導電膜５６として、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレン（ａ−Ｓｅ）が用いられている。そして、上
記光導電膜５６は、真空蒸着法によって３００〜６００
μｍの厚みで形成されている。
射されることで電荷が発生する半導体材料が用いられ
る。上記の文献では、光導電膜５６として、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレン（ａ−Ｓｅ）が用いられている。そして、上
記光導電膜５６は、真空蒸着法によって３００〜６００
μｍの厚みで形成されている。
【０００８】また、上記アクティブマトリクス基板５０
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能である。例え
ば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣ
Ｄ）に用いられるアクティブマトリクス基板は、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）によって形成されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電
極、電荷蓄積容量を備えた構造になっている。したがっ
て、若干の設計変更を行うだけで、放射線二次元画像検
出器用のアクティブマトリクス基板５０として容易に利
用することができる。
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能である。例え
ば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣ
Ｄ）に用いられるアクティブマトリクス基板は、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）によって形成されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電
極、電荷蓄積容量を備えた構造になっている。したがっ
て、若干の設計変更を行うだけで、放射線二次元画像検
出器用のアクティブマトリクス基板５０として容易に利
用することができる。
【０００９】つぎに、図１０および図１１を用いて、上
記構造の放射線二次元画像検出器の動作原理について説
明する。まず、上記光導電膜５６に放射線が照射される
と、光導電膜５６内に電荷が発生する。光導電膜５６と
電荷蓄積容量５５とは電気的に直列に接続された構造に
なっているので、上部電極５８とＣｓ電極５９との間に
電圧を印加しておくと、光導電膜５６で発生した電荷が
それぞれ＋電極側と−電極側とに移動し、その結果、電
荷蓄積容量５５に電荷が蓄積される。なお、光導電膜５
６と電荷蓄積容量５５との間には、薄い絶縁層からなる
電子阻止層６２が形成されており、これが一方側からの
電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を
果たしている。
記構造の放射線二次元画像検出器の動作原理について説
明する。まず、上記光導電膜５６に放射線が照射される
と、光導電膜５６内に電荷が発生する。光導電膜５６と
電荷蓄積容量５５とは電気的に直列に接続された構造に
なっているので、上部電極５８とＣｓ電極５９との間に
電圧を印加しておくと、光導電膜５６で発生した電荷が
それぞれ＋電極側と−電極側とに移動し、その結果、電
荷蓄積容量５５に電荷が蓄積される。なお、光導電膜５
６と電荷蓄積容量５５との間には、薄い絶縁層からなる
電子阻止層６２が形成されており、これが一方側からの
電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を
果たしている。
【００１０】上記の作用で、電荷蓄積容量５５に蓄積さ
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎの入力信
号によりＴＦＴ５４をオン状態にすることによって、ソ
ース電極Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎから外部に取り出すこと
ができる。よって、ゲート電極５２およびソース電極５
３、ＴＦＴ５４、および電荷蓄積容量５５等は、すべて
ＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査する
ことで、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能と
なる。
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎの入力信
号によりＴＦＴ５４をオン状態にすることによって、ソ
ース電極Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎから外部に取り出すこと
ができる。よって、ゲート電極５２およびソース電極５
３、ＴＦＴ５４、および電荷蓄積容量５５等は、すべて
ＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査する
ことで、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能と
なる。
【００１１】なお、上記放射線二次元画像検出器は、使
用する光導電膜５６がＸ線等の放射線に対する光導電性
だけでなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す
場合は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作
用する。
用する光導電膜５６がＸ線等の放射線に対する光導電性
だけでなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す
場合は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作
用する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構造の放射
線二次元画像検出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅ
を用いている。しかしながら、ａ−ＳｅはＸ線に対する
応答性が十分でないことから、Ｘ線を長時間照射して電
荷蓄積容量５５を十分に充電してからでないと情報を読
み出すことができず、また、Ｘ線照射を遮断後、光導電
膜５６が初期状態に戻るのに時間を要する、という欠点
がある。
線二次元画像検出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅ
を用いている。しかしながら、ａ−ＳｅはＸ線に対する
応答性が十分でないことから、Ｘ線を長時間照射して電
荷蓄積容量５５を十分に充電してからでないと情報を読
み出すことができず、また、Ｘ線照射を遮断後、光導電
膜５６が初期状態に戻るのに時間を要する、という欠点
がある。
【００１３】また、上記放射線二次元画像検出器では、
高電圧保護やリーク電流（暗電流）の低減を目的とし
て、ａ−Ｓｅの光導電膜５６と上部電極５８との間に誘
電体層５７が設けられている。しかしながら、誘電体層
５７に残留する電荷を１フレームごとに除去する工程
（シーケンス）を付加する必要があるため、上記放射線
二次元画像検出器は、静止画の撮影にしか利用すること
ができないという問題を有していた。
高電圧保護やリーク電流（暗電流）の低減を目的とし
て、ａ−Ｓｅの光導電膜５６と上部電極５８との間に誘
電体層５７が設けられている。しかしながら、誘電体層
５７に残留する電荷を１フレームごとに除去する工程
（シーケンス）を付加する必要があるため、上記放射線
二次元画像検出器は、静止画の撮影にしか利用すること
ができないという問題を有していた。
【００１４】これに対し、動画に対応した画像データを
得るためには、Ｘ線に対する応答性、感度の優れた光導
電膜５６を利用する必要がある。このような光導電材料
としては、Ｓｅに比べて実効原子番号が大きいＣｄＴｅ
やＣｄＺｎＴｅ等が知られている。ところが、上記放射
線二次元画像検出器の光導電膜５６として、ａ−Ｓｅの
代わりにＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとする
と、以下のような問題が生じる。
得るためには、Ｘ線に対する応答性、感度の優れた光導
電膜５６を利用する必要がある。このような光導電材料
としては、Ｓｅに比べて実効原子番号が大きいＣｄＴｅ
やＣｄＺｎＴｅ等が知られている。ところが、上記放射
線二次元画像検出器の光導電膜５６として、ａ−Ｓｅの
代わりにＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとする
と、以下のような問題が生じる。
【００１５】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法として真
空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常温
で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板５０上
への成膜が容易であった。これに対し、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）
法やＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor depos
ition ）法による成膜法が知られており、特に大面積基
板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤ法が適した方法と考
えられる。しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅやＣ
ｄＺｎＴｅを成膜する場合、約４００℃の高温が要求さ
れる。
空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常温
で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板５０上
への成膜が容易であった。これに対し、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）
法やＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor depos
ition ）法による成膜法が知られており、特に大面積基
板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤ法が適した方法と考
えられる。しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅやＣ
ｄＺｎＴｅを成膜する場合、約４００℃の高温が要求さ
れる。
【００１６】一般に、アクティブマトリクス基板５０に
形成されている前述のＴＦＴ５４は、半導体層としてａ
−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半導体特性を向
上させるために３００〜３５０℃程度の成膜温度で水素
（Ｈ2 ）を付加しながら成膜されている。このようにし
て形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００℃であ
り、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜や
ｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化する。
形成されている前述のＴＦＴ５４は、半導体層としてａ
−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半導体特性を向
上させるために３００〜３５０℃程度の成膜温度で水素
（Ｈ2 ）を付加しながら成膜されている。このようにし
て形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００℃であ
り、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜や
ｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化する。
【００１７】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板５０上にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎ
Ｔｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難
であった。
基板５０上にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎ
Ｔｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難
であった。
【００１８】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、応答性が良く、さらに動
画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方
法を提供することにある。
なされたもので、その目的は、応答性が良く、さらに動
画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方
法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる第一の二
次元画像検出器は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板と、該画素配列層の
ほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素配列層
および該電極部の間に形成される光導電性を有する半導
体層とを含む対向基板とを備えており、これら両基板
が、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように配置されるととも
に、該画素電極に対応してパターン形成された導電性お
よび接着性を有する導電接続材によって接続されてお
り、さらに、これら両基板の間隙に、両基板の間隔を保
持する間隔保持材がパターン形成されていることを特徴
としている。
次元画像検出器は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板と、該画素配列層の
ほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素配列層
および該電極部の間に形成される光導電性を有する半導
体層とを含む対向基板とを備えており、これら両基板
が、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように配置されるととも
に、該画素電極に対応してパターン形成された導電性お
よび接着性を有する導電接続材によって接続されてお
り、さらに、これら両基板の間隙に、両基板の間隔を保
持する間隔保持材がパターン形成されていることを特徴
としている。
【００２０】上記の構成により、画素配列層を含むアク
ティブマトリクス基板と電極部および半導体層を含む対
向基板とを、画素電極に対応してパターニングされた導
電性および接着性を有する導電接続材によって接続する
ことで、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを
別々に作成することが可能となる。
ティブマトリクス基板と電極部および半導体層を含む対
向基板とを、画素電極に対応してパターニングされた導
電性および接着性を有する導電接続材によって接続する
ことで、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを
別々に作成することが可能となる。
【００２１】よって、従来では、既に画素配列層が形成
されている基板上に、半導体層を形成していたため、半
導体層の形成時に、該画素配列層のスイッチング素子に
対して悪影響を与えるような熱処理を必要とする半導体
材料を使用することはできなかったが、上記の構成によ
ってアクティブマトリクス基板と対向基板とを別々に作
成することが可能となり、従来では使用できなかった材
料を上記半導体層に使用することができる。
されている基板上に、半導体層を形成していたため、半
導体層の形成時に、該画素配列層のスイッチング素子に
対して悪影響を与えるような熱処理を必要とする半導体
材料を使用することはできなかったが、上記の構成によ
ってアクティブマトリクス基板と対向基板とを別々に作
成することが可能となり、従来では使用できなかった材
料を上記半導体層に使用することができる。
【００２２】そして、上記の構成により使用可能となる
半導体材料としては、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎ
Ｔｅ化合物半導体があるが、これらの半導体材料は、従
来用いられていたａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対す
る感度（Ｓ／Ｎ比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴ
ｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用いることによ
って、二次元画像検出器の応答性が改善される。
半導体材料としては、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎ
Ｔｅ化合物半導体があるが、これらの半導体材料は、従
来用いられていたａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対す
る感度（Ｓ／Ｎ比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴ
ｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用いることによ
って、二次元画像検出器の応答性が改善される。
【００２３】また、この場合、電極部に印加される電圧
を従来よりも低く設定することができるので、従来では
半導体層と電極部との間において高電圧保護のために設
けられていた誘電体層を省略することができる。ゆえ
に、上記従来の構成、すなわち、半導体層と電極部との
間に誘電体層を設ける構成においては、該誘電体層に残
留する電荷を１フレームごとに除去する工程（シーケン
ス）が必要となるため、従来の二次元画像検出器では、
静止画像の検出しか行えなかったが、上記誘電体層を省
略することで、動画像の検出も可能となる。
を従来よりも低く設定することができるので、従来では
半導体層と電極部との間において高電圧保護のために設
けられていた誘電体層を省略することができる。ゆえ
に、上記従来の構成、すなわち、半導体層と電極部との
間に誘電体層を設ける構成においては、該誘電体層に残
留する電荷を１フレームごとに除去する工程（シーケン
ス）が必要となるため、従来の二次元画像検出器では、
静止画像の検出しか行えなかったが、上記誘電体層を省
略することで、動画像の検出も可能となる。
【００２４】さらに、上記アクティブマトリクス基板お
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた導電接続材で接続されるので、アクティブマ
トリクス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣
り合う画素同士のクロストークを発生させることなく、
アクティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の
半導体層とを電気的および物理的に接続することが可能
となる。
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた導電接続材で接続されるので、アクティブマ
トリクス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣
り合う画素同士のクロストークを発生させることなく、
アクティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の
半導体層とを電気的および物理的に接続することが可能
となる。
【００２５】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
【００２６】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
【００２７】また、上記した間隔保持材は、上記導電接
続材を囲むように格子状に形成されていることが好まし
い。これにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精
度が悪い場合、あるいは導電接続材が押しつぶされて形
状が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になっ
たとしても、隣接して設けられている導電接続材同士は
間隔保持材によって隔てられているため、導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
続材を囲むように格子状に形成されていることが好まし
い。これにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精
度が悪い場合、あるいは導電接続材が押しつぶされて形
状が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になっ
たとしても、隣接して設けられている導電接続材同士は
間隔保持材によって隔てられているため、導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
【００２８】また、この間隔保持材は、電気絶縁性を有
する材料によって形成されていることが好ましい。上記
の構成により、導電接続材や間隔保持材のパターン精度
が悪い場合、あるいは導電接続材が多少押しつぶされて
形状が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態にな
ったとしても、隣接して設けられている導電接続材同士
の間には絶縁性の間隔保持材が配設されているため、電
気的にリークすることをより確実に防ぐことができる。
する材料によって形成されていることが好ましい。上記
の構成により、導電接続材や間隔保持材のパターン精度
が悪い場合、あるいは導電接続材が多少押しつぶされて
形状が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態にな
ったとしても、隣接して設けられている導電接続材同士
の間には絶縁性の間隔保持材が配設されているため、電
気的にリークすることをより確実に防ぐことができる。
【００２９】また、この間隔保持材は、上記導電接続材
の接続工程の熱圧着環境下において、導電接続材より高
い硬度を有するように設定されていることが好ましいと
いえる。上記の構成により、熱圧着によりアクティブマ
トリクス基板と対向基板の貼り合わせ接続を行う場合、
導電接続材がわずかに軟化する温度環境下であっても、
間隔保持材は十分な間隔保持力を発揮することが可能と
なる。
の接続工程の熱圧着環境下において、導電接続材より高
い硬度を有するように設定されていることが好ましいと
いえる。上記の構成により、熱圧着によりアクティブマ
トリクス基板と対向基板の貼り合わせ接続を行う場合、
導電接続材がわずかに軟化する温度環境下であっても、
間隔保持材は十分な間隔保持力を発揮することが可能と
なる。
【００３０】また、間隔保持材は、感光性を有する樹脂
材料よりなっていることが好ましい。これにより、間隔
保持材のパターン精度を高く設定できる。また、間隔保
持材を構成する樹脂材料としては、ポリイミド高分子材
料を用いることが好ましい。このようにすれば、電気絶
縁性に優れており、軟化点も３００℃以上であり、さら
に放射線に対しても安定であるという優れた特性を有す
る間隔保持材を実現することができる。
材料よりなっていることが好ましい。これにより、間隔
保持材のパターン精度を高く設定できる。また、間隔保
持材を構成する樹脂材料としては、ポリイミド高分子材
料を用いることが好ましい。このようにすれば、電気絶
縁性に優れており、軟化点も３００℃以上であり、さら
に放射線に対しても安定であるという優れた特性を有す
る間隔保持材を実現することができる。
【００３１】また、間隔保持材は、電気絶縁性を有する
樹脂材料中に、電気絶縁性を有する補助材またはフィラ
ーを混入したものによって構成してもよい。上記の構成
により、間隔保持材の樹脂材料が軟質のものである場合
でも、その内部に電気絶縁性を有する補助材やフィラー
を分散させておくことで、十分な間隔保持力を発揮する
ことが可能となる。
樹脂材料中に、電気絶縁性を有する補助材またはフィラ
ーを混入したものによって構成してもよい。上記の構成
により、間隔保持材の樹脂材料が軟質のものである場合
でも、その内部に電気絶縁性を有する補助材やフィラー
を分散させておくことで、十分な間隔保持力を発揮する
ことが可能となる。
【００３２】また、間隔保持材として、電気絶縁性を有
する液状の樹脂材料中に、導電接続材の接続工程の熱圧
着環境下での変形量が小さく、電気絶縁性を有する補助
材を混入したものを用いてもよい。このようにしても、
間隔保持材の間隔保持力を十分に高めることが可能とな
る。
する液状の樹脂材料中に、導電接続材の接続工程の熱圧
着環境下での変形量が小さく、電気絶縁性を有する補助
材を混入したものを用いてもよい。このようにしても、
間隔保持材の間隔保持力を十分に高めることが可能とな
る。
【００３３】また、本発明にかかる第一の二次元画像検
出器の製造方法は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板、および、該画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素
配列層および該電極部の間に形成される光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板のうち、どちらか一方の基
板上に、該画素電極に対応して導電性および接着性を有
する導電接続材をパターン形成する第一の工程と、他方
の基板上に、電気絶縁性を有し、両基板の間隔（間隙）
を保持する間隔保持材を該導電接続材を囲むように格子
状にパターン形成する第二の工程と、両基板を、該アク
ティブマトリクス基板の画素配列層と、該対向基板の半
導体層とが対向するように配置する第三の工程と、両基
板を、該導電接続材を介して接続して貼り合わせる第四
の工程とを含んでいることを特徴としている。
出器の製造方法は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板、および、該画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素
配列層および該電極部の間に形成される光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板のうち、どちらか一方の基
板上に、該画素電極に対応して導電性および接着性を有
する導電接続材をパターン形成する第一の工程と、他方
の基板上に、電気絶縁性を有し、両基板の間隔（間隙）
を保持する間隔保持材を該導電接続材を囲むように格子
状にパターン形成する第二の工程と、両基板を、該アク
ティブマトリクス基板の画素配列層と、該対向基板の半
導体層とが対向するように配置する第三の工程と、両基
板を、該導電接続材を介して接続して貼り合わせる第四
の工程とを含んでいることを特徴としている。
【００３４】上記の方法によれば、従来のように、既に
画素配列層が形成されている基板上に新たに半導体層を
形成する必要がない。このため、従来では半導体層の形
成時に該画素配列層のスイッチング素子に対して悪影響
を与える熱処理を必要とするような半導体材料を使用す
ることはできなかったが、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを別々に作成することで、従来では使用でき
なかった材料、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体を上記半導体層に使用することが可能とな
る。
画素配列層が形成されている基板上に新たに半導体層を
形成する必要がない。このため、従来では半導体層の形
成時に該画素配列層のスイッチング素子に対して悪影響
を与える熱処理を必要とするような半導体材料を使用す
ることはできなかったが、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを別々に作成することで、従来では使用でき
なかった材料、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体を上記半導体層に使用することが可能とな
る。
【００３５】これらの半導体材料は、従来用いられてい
たａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅ化合物半導体を用いることにより、二次元画像
検出器の応答性が良くなり、動画像の検出も可能とな
る。
たａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅ化合物半導体を用いることにより、二次元画像
検出器の応答性が良くなり、動画像の検出も可能とな
る。
【００３６】さらに、上記アクティブマトリクス基板お
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた接続材で接続されるので、アクティブマトリ
クス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣り合
う画素同士のクロストークを発生させることなく、アク
ティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の半導
体層とを電気的及び物理的に接続することが可能とな
る。
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた接続材で接続されるので、アクティブマトリ
クス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣り合
う画素同士のクロストークを発生させることなく、アク
ティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の半導
体層とを電気的及び物理的に接続することが可能とな
る。
【００３７】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
【００３８】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
【００３９】さらに、導電接続材と間隔保持材とをそれ
それ別々の基板上に形成しているので、個々の材料のパ
ターン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基
板上に、導電接続材および間隔保持材をパターン形成す
ることも可能であるが、先に形成したパターンが、後の
パターン形成の障害となるので、その場合は使用する材
料やプロセスに工夫が要求される。
それ別々の基板上に形成しているので、個々の材料のパ
ターン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基
板上に、導電接続材および間隔保持材をパターン形成す
ることも可能であるが、先に形成したパターンが、後の
パターン形成の障害となるので、その場合は使用する材
料やプロセスに工夫が要求される。
【００４０】また、本発明にかかる第二の二次元画像検
出器の製造方法は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板、および、該画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素
配列層および該電極部の間に形成される光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板のうち、どちらか一方の基
板上に、電気絶縁性を有し、両基板の間隔（間隙）を保
持する間隔保持材と、該画素電極に対応して導電性およ
び接着性を有する導電接続材との両者をパターン形成す
る第一の工程と、両基板を、該アクティブマトリクス基
板の画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向する
ように配置する第二の工程と、両基板を、該導電接続材
を介して接続して貼り合わせる第三の工程とを含んでい
ることを特徴としている。
出器の製造方法は、上記の課題を解決するために、格子
状に配列された電極配線と、各格子点ごとに設けられた
複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介し
て該電極配線に接続される画素電極とからなる画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板、および、該画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、該画素
配列層および該電極部の間に形成される光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板のうち、どちらか一方の基
板上に、電気絶縁性を有し、両基板の間隔（間隙）を保
持する間隔保持材と、該画素電極に対応して導電性およ
び接着性を有する導電接続材との両者をパターン形成す
る第一の工程と、両基板を、該アクティブマトリクス基
板の画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向する
ように配置する第二の工程と、両基板を、該導電接続材
を介して接続して貼り合わせる第三の工程とを含んでい
ることを特徴としている。
【００４１】上記の方法によれば、従来のように、既に
画素配列層が形成されている基板上に新たに半導体層を
形成する必要がない。このため、従来では半導体層の形
成時に該画素配列層のスイッチング素子に対して悪影響
を与える熱処理を必要とするような半導体材料を使用す
ることはできなかったが、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを別々に作成することで、従来では使用でき
なかった材料、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体を上記半導体層に使用することが可能とな
る。
画素配列層が形成されている基板上に新たに半導体層を
形成する必要がない。このため、従来では半導体層の形
成時に該画素配列層のスイッチング素子に対して悪影響
を与える熱処理を必要とするような半導体材料を使用す
ることはできなかったが、アクティブマトリクス基板と
対向基板とを別々に作成することで、従来では使用でき
なかった材料、例えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体を上記半導体層に使用することが可能とな
る。
【００４２】これらの半導体材料は、従来用いられてい
たａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅ化合物半導体を用いることにより、二次元画像
検出器の応答性が良くなり、動画像の検出も可能とな
る。
たａ−Ｓｅに比べＸ線等の放射線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が高いため、上記半導体層にＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅ化合物半導体を用いることにより、二次元画像
検出器の応答性が良くなり、動画像の検出も可能とな
る。
【００４３】さらに、上記アクティブマトリクス基板お
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた接続材で接続されるので、アクティブマトリ
クス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣り合
う画素同士のクロストークを発生させることなく、アク
ティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の半導
体層とを電気的及び物理的に接続することが可能とな
る。
よび対向基板の両基板は、画素電極に対応してパターニ
ングされた接続材で接続されるので、アクティブマトリ
クス基板の画素ごとに電気的絶縁性が確保され、隣り合
う画素同士のクロストークを発生させることなく、アク
ティブマトリクス基板上の画素電極と、対向基板の半導
体層とを電気的及び物理的に接続することが可能とな
る。
【００４４】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
【００４５】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
【００４６】さらに、導電接続材と間隔保持材とをとも
に同一の基板上に形成しているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とのうち、導電接続材や間隔保持材
のパターン形成プロセスによって悪影響を受け難い方の
基板上に両者を形成することができる。具体的には、対
向基板上に形成されている半導体層が、導電接続材や間
隔保持材のパターン形成プロセスに必要な薬液（現像液
なと）に曝されることで特性が変化してしまうような場
合は、アクティブマトリクス基板上に導電接続材と間隔
保持材の両者をパターン形成することができる。
に同一の基板上に形成しているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とのうち、導電接続材や間隔保持材
のパターン形成プロセスによって悪影響を受け難い方の
基板上に両者を形成することができる。具体的には、対
向基板上に形成されている半導体層が、導電接続材や間
隔保持材のパターン形成プロセスに必要な薬液（現像液
なと）に曝されることで特性が変化してしまうような場
合は、アクティブマトリクス基板上に導電接続材と間隔
保持材の両者をパターン形成することができる。
【００４７】なお、一方の基板上に、導電接続材および
間隔保持材をパターン形成する場合、先に形成したパタ
ーンの凹凸が、後のパターン形成の障害となるので、導
電接続材と間隔保持材とのうち、パターン形成後の高さ
の低い方を先にパターン形成し、その後他方をパターン
形成することが望ましい。この時、後でパターン形成す
る材料は、下地の凹凸に邪魔されることなくパターン形
成できるように、材料やプロセスに特殊な工夫を施して
おくことが好ましい。
間隔保持材をパターン形成する場合、先に形成したパタ
ーンの凹凸が、後のパターン形成の障害となるので、導
電接続材と間隔保持材とのうち、パターン形成後の高さ
の低い方を先にパターン形成し、その後他方をパターン
形成することが望ましい。この時、後でパターン形成す
る材料は、下地の凹凸に邪魔されることなくパターン形
成できるように、材料やプロセスに特殊な工夫を施して
おくことが好ましい。
【００４８】また、上記した第一および第二の二次元画
像検出器の製造方法では、前記導電接続材および前記導
電接続材における少なくとも一方のパターン形成を、感
光性樹脂シートに対する貼付工程とフォトリソグラフィ
工程とによって行うことが好ましい。
像検出器の製造方法では、前記導電接続材および前記導
電接続材における少なくとも一方のパターン形成を、感
光性樹脂シートに対する貼付工程とフォトリソグラフィ
工程とによって行うことが好ましい。
【００４９】上記の構成によれば、二次元画像検出器の
面積が大きくても、感光性樹脂シートの貼付工程を用い
ているので、導電接続材や間隔保持材を均一な厚みで容
易に形成できる。また、感光性樹脂シートとして、特開
平５−１７３３２０号公報に記載されているように、熱
可塑性樹脂層（クッション層）を具備させた樹脂シート
を用いることで、貼付を行おうとする下地に凹凸が存在
していたとしても、気泡の巻き込みなどを最小限に抑え
ながら感光性樹脂シートを貼付することができる。
面積が大きくても、感光性樹脂シートの貼付工程を用い
ているので、導電接続材や間隔保持材を均一な厚みで容
易に形成できる。また、感光性樹脂シートとして、特開
平５−１７３３２０号公報に記載されているように、熱
可塑性樹脂層（クッション層）を具備させた樹脂シート
を用いることで、貼付を行おうとする下地に凹凸が存在
していたとしても、気泡の巻き込みなどを最小限に抑え
ながら感光性樹脂シートを貼付することができる。
【００５０】特に、第二の二次元画像検出器の製造方法
を採用する場合、導電接続材および間隔保持材を同一の
基板上にパターン形成するので、先に形成したパターン
の凹凸が、後のパターン形成の障害となる場合がある。
このような場合、後のパターンとして形成される材料
に、熱可塑性樹脂層（クッション層）を具備させた感光
性樹脂シートを用い、貼付工程とフォトリソグラフィ工
程とによってパターン形成することで、例え貼付を行お
うとする下地に凹凸が存在していたとしても、気泡の巻
き込みなどを最小限に抑えながら感光性樹脂シートを貼
付することができる。
を採用する場合、導電接続材および間隔保持材を同一の
基板上にパターン形成するので、先に形成したパターン
の凹凸が、後のパターン形成の障害となる場合がある。
このような場合、後のパターンとして形成される材料
に、熱可塑性樹脂層（クッション層）を具備させた感光
性樹脂シートを用い、貼付工程とフォトリソグラフィ工
程とによってパターン形成することで、例え貼付を行お
うとする下地に凹凸が存在していたとしても、気泡の巻
き込みなどを最小限に抑えながら感光性樹脂シートを貼
付することができる。
【００５１】また、上記した第一および第二の二次元画
像検出器の製造方法では、前記アクティブマトリクス基
板と対向基板とを貼り合せる前においては、導電接続材
が間隔保持材よりも高くなるように、これら導電接続材
および間隔保持材をパターン形成するように設定されて
いることが好ましい。
像検出器の製造方法では、前記アクティブマトリクス基
板と対向基板とを貼り合せる前においては、導電接続材
が間隔保持材よりも高くなるように、これら導電接続材
および間隔保持材をパターン形成するように設定されて
いることが好ましい。
【００５２】上記の構成により、アクティブマトリクス
基板と対向基板との貼り合わせにおいて、両基板の間隙
が間隔保持材の高さに達するまでプレスを行うことがで
きる。よって、導電接続材が間隔保持材との高さの差だ
けつぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させる
ことができる。したがって、確実な導電接続を得ること
が可能となる。
基板と対向基板との貼り合わせにおいて、両基板の間隙
が間隔保持材の高さに達するまでプレスを行うことがで
きる。よって、導電接続材が間隔保持材との高さの差だ
けつぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させる
ことができる。したがって、確実な導電接続を得ること
が可能となる。
【００５３】また、本発明にかかる第二の二次元画像検
出器は、上記の課題を解決するために、複数の画素を有
する画素配列層を備えた画素基板と、入射光に応じて電
荷を発生する光導電層を備えた対向基板とが対向して設
けられた二次元画像検出器において、画素配列層におけ
る各画素に対応して設けられ、画素配列層と光導電膜と
を電気的に接続する導電接続材と、上記両基板の間隔を
保持する間隔保持材とを備えていることを特徴としてい
る。
出器は、上記の課題を解決するために、複数の画素を有
する画素配列層を備えた画素基板と、入射光に応じて電
荷を発生する光導電層を備えた対向基板とが対向して設
けられた二次元画像検出器において、画素配列層におけ
る各画素に対応して設けられ、画素配列層と光導電膜と
を電気的に接続する導電接続材と、上記両基板の間隔を
保持する間隔保持材とを備えていることを特徴としてい
る。
【００５４】上記の構成では、画素基板と対向基板とが
互いに対向するように配されており、これら各基板に、
画素配列層と光導電膜とがそれぞれ設けられている。対
向基板に設けられた光導電膜は、光（放射線等）の入射
によって電荷を発生する薄膜であり、例えば半導体膜か
ら構成されるものである。また、この光導電膜は、画素
基板の画素配列層に対向して設けられている。
互いに対向するように配されており、これら各基板に、
画素配列層と光導電膜とがそれぞれ設けられている。対
向基板に設けられた光導電膜は、光（放射線等）の入射
によって電荷を発生する薄膜であり、例えば半導体膜か
ら構成されるものである。また、この光導電膜は、画素
基板の画素配列層に対向して設けられている。
【００５５】画素配列層は、外部から伝達される電荷を
蓄積するための複数の画素を有するものであり、例え
ば、画素電極を有するスイッチング素子を格子状に配列
してなるアクティブマトリクスから構成できる。また、
画素配列層の各画素は、導電接続材を介して光導電膜に
接続されている。さらに、第二の二次元画像検出器で
は、これら画素配列層および光導電膜を挟むように電極
が設けられており、電極間に所定の電圧が印加されるよ
うになっている。
蓄積するための複数の画素を有するものであり、例え
ば、画素電極を有するスイッチング素子を格子状に配列
してなるアクティブマトリクスから構成できる。また、
画素配列層の各画素は、導電接続材を介して光導電膜に
接続されている。さらに、第二の二次元画像検出器で
は、これら画素配列層および光導電膜を挟むように電極
が設けられており、電極間に所定の電圧が印加されるよ
うになっている。
【００５６】すなわち、第二の二次元画像検出器では、
入射光に応じて光導電膜から発生する電荷を、印加電圧
によって画素配列層の各画素に伝達・蓄積させるように
なっている。そして、電荷の蓄積された画素を特定する
ことで、光導電膜に入射された画像を検出するできるよ
うに設定されている。
入射光に応じて光導電膜から発生する電荷を、印加電圧
によって画素配列層の各画素に伝達・蓄積させるように
なっている。そして、電荷の蓄積された画素を特定する
ことで、光導電膜に入射された画像を検出するできるよ
うに設定されている。
【００５７】また、特に、第二の二次元画像検出器で
は、画素配列層と光導電膜とを、それぞれ異なる基板上
に形成するようになっており、画素配列層上に光導電膜
を形成することを回避している。これにより、光導電膜
に施される熱処理が、画素配列層に影響することを防止
できる。したがって、第二の二次元画像検出器では、光
導電膜の材料として、入射光に対する応答性および感度
の高い、高い温度での熱処理を要する材料を採用するこ
とが可能となる。これにより、二次元画像検出の応答性
を改善できるようになっている。
は、画素配列層と光導電膜とを、それぞれ異なる基板上
に形成するようになっており、画素配列層上に光導電膜
を形成することを回避している。これにより、光導電膜
に施される熱処理が、画素配列層に影響することを防止
できる。したがって、第二の二次元画像検出器では、光
導電膜の材料として、入射光に対する応答性および感度
の高い、高い温度での熱処理を要する材料を採用するこ
とが可能となる。これにより、二次元画像検出の応答性
を改善できるようになっている。
【００５８】また、上記のような材料（例えばＣｄＴ
ｅ，ＣｄＺｎＴｅ化合物半導体）を用いれば、光導電膜
に対する印加電圧を低くできるので、この膜を高電圧か
ら保護するための誘電体層を設ける必要がない。このた
め、誘電体層に残留する電荷を除去する工程が不要とな
るので、連続的な画像検出、すなわち動画像検出も可能
となる。
ｅ，ＣｄＺｎＴｅ化合物半導体）を用いれば、光導電膜
に対する印加電圧を低くできるので、この膜を高電圧か
ら保護するための誘電体層を設ける必要がない。このた
め、誘電体層に残留する電荷を除去する工程が不要とな
るので、連続的な画像検出、すなわち動画像検出も可能
となる。
【００５９】さらに、第二の二次元画像検出器は、上記
両基板の間隔を保持するための間隔保持材を備えてい
る。これにより、両基板に対する貼り合わせ接続の際、
基板間隔（ギャップ）が狭くなり過ぎることを防止でき
る。これにより、導電接続材の破損や、隣接配置されて
いる導電接続材どうしの接触（リーク不良）を抑制でき
る。
両基板の間隔を保持するための間隔保持材を備えてい
る。これにより、両基板に対する貼り合わせ接続の際、
基板間隔（ギャップ）が狭くなり過ぎることを防止でき
る。これにより、導電接続材の破損や、隣接配置されて
いる導電接続材どうしの接触（リーク不良）を抑制でき
る。
【００６０】また、本発明の第三の二次元画像検出器の
製造方法は、上記の課題を解決するために、複数の画素
を有する画素配列層を備えた画素基板と、入射光に応じ
て電荷を発生する光導電層を備えた対向基板とを有する
二次元画像検出器の製造方法において、上記両基板のい
ずれか一方に、画素配列層の画素に対応させて導電接続
材を形成する接続材形成工程と、上記両基板のいずれか
一方に、両基板の間隔を保持する間隔保持材を形成する
保持材形成工程と、上記両基板を、画素配列層と半導体
層とを対向させるように貼り合わせる貼り合わせ工程と
を含むことを特徴としている。
製造方法は、上記の課題を解決するために、複数の画素
を有する画素配列層を備えた画素基板と、入射光に応じ
て電荷を発生する光導電層を備えた対向基板とを有する
二次元画像検出器の製造方法において、上記両基板のい
ずれか一方に、画素配列層の画素に対応させて導電接続
材を形成する接続材形成工程と、上記両基板のいずれか
一方に、両基板の間隔を保持する間隔保持材を形成する
保持材形成工程と、上記両基板を、画素配列層と半導体
層とを対向させるように貼り合わせる貼り合わせ工程と
を含むことを特徴としている。
【００６１】この製造方法は、第二の二次元画像検出器
のような、光導電膜と画素配列層とが異なる基板に形成
されているタイプの二次元画像検出器を製造するための
方法である。すなわち、この方法では、画素配列層の上
に半導体層を形成することを回避しているため、光導電
膜の材料として、入射光に対する応答性および感度の高
い、高温の熱処理を要する材料を採用できる。これによ
り、応答性が高く、動画検出の可能な二次元画像検出を
製造できるようになっている。
のような、光導電膜と画素配列層とが異なる基板に形成
されているタイプの二次元画像検出器を製造するための
方法である。すなわち、この方法では、画素配列層の上
に半導体層を形成することを回避しているため、光導電
膜の材料として、入射光に対する応答性および感度の高
い、高温の熱処理を要する材料を採用できる。これによ
り、応答性が高く、動画検出の可能な二次元画像検出を
製造できるようになっている。
【００６２】また、この製造方法では、画素基板と対向
基板とを、画素配列層における各画素に対応して設けら
れた導電接続材によって接続するようになっている。こ
れにより、各画素間における電気的絶縁性を確保しなが
ら、各画素と光導電膜とを電気的に接続できる。したが
って、クロストークのない二次元画像検出器を製造する
ことが可能となる。
基板とを、画素配列層における各画素に対応して設けら
れた導電接続材によって接続するようになっている。こ
れにより、各画素間における電気的絶縁性を確保しなが
ら、各画素と光導電膜とを電気的に接続できる。したが
って、クロストークのない二次元画像検出器を製造する
ことが可能となる。
【００６３】また、この製造方法では、両基板を貼り合
わせる前に、いずれか一方の基板上に、間隔保持材を形
成するように設定されている。これにより、貼り合わせ
工程において、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。したがって、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしが接触してしまうことを抑制す
ることが可能となる。
わせる前に、いずれか一方の基板上に、間隔保持材を形
成するように設定されている。これにより、貼り合わせ
工程において、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。したがって、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしが接触してしまうことを抑制す
ることが可能となる。
【００６４】なお、間隔保持材や導電接続材は、感光性
樹脂等をパターニングすることによって形成することが
好ましい。これにより、これら間隔保持材・導電接続材
の形態を、所望の形態に容易に形成できる。また、導電
接続材をパターニングによって形成すれば、画素配列層
の画素間における電気的絶縁性を容易に確保できるの
で、隣接画素間のクロストークを抑制できる。また、間
隔保持材をパターニングによって形成することで、間隔
保持材と導電接続材との形成位置を容易に分離できるた
め、貼り合わせによる導電接続材の変形・特性劣化を防
止できる。
樹脂等をパターニングすることによって形成することが
好ましい。これにより、これら間隔保持材・導電接続材
の形態を、所望の形態に容易に形成できる。また、導電
接続材をパターニングによって形成すれば、画素配列層
の画素間における電気的絶縁性を容易に確保できるの
で、隣接画素間のクロストークを抑制できる。また、間
隔保持材をパターニングによって形成することで、間隔
保持材と導電接続材との形成位置を容易に分離できるた
め、貼り合わせによる導電接続材の変形・特性劣化を防
止できる。
【００６５】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施の形態の前
提となる技術について、図８および図９を参照しながら
説明する。
提となる技術について、図８および図９を参照しながら
説明する。
【００６６】前述した従来の放射線二次元画像検出器が
有する問題点を解決する方法として、ＣｄＴｅやＣｄＺ
ｎＴｅなどの光導電膜を、一旦別の支持基板上に３００
℃以上の高温で成膜し、その後、支持基板とアクティブ
マトリクス基板とを３００℃以下の低温で貼り合わせ接
続する方法がある。
有する問題点を解決する方法として、ＣｄＴｅやＣｄＺ
ｎＴｅなどの光導電膜を、一旦別の支持基板上に３００
℃以上の高温で成膜し、その後、支持基板とアクティブ
マトリクス基板とを３００℃以下の低温で貼り合わせ接
続する方法がある。
【００６７】図８および図９は、ＸＹマトリクス電極、
ＴＦＴ、画素電極、電荷蓄積容量などを備えているアク
ティブマトリクス基板と、支持基板上に上部電極、半導
体層（光導電膜）、接続電極（電荷収集電極）などが具
備されている対向基板とが、画素ごとに設けられた導電
接続材で互いに接続された構造の二次元画像検出器の断
面構成図であり、図８が全体断面図、図９が１画素当た
りの詳細断面図（図８の領域Ｂ）である。
ＴＦＴ、画素電極、電荷蓄積容量などを備えているアク
ティブマトリクス基板と、支持基板上に上部電極、半導
体層（光導電膜）、接続電極（電荷収集電極）などが具
備されている対向基板とが、画素ごとに設けられた導電
接続材で互いに接続された構造の二次元画像検出器の断
面構成図であり、図８が全体断面図、図９が１画素当た
りの詳細断面図（図８の領域Ｂ）である。
【００６８】上記の構造を採用することにより、二次元
画像検出器に、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの光導電膜
を使用することが可能となり、その結果、リアルタイム
での動画撮影が可能となる。
画像検出器に、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの光導電膜
を使用することが可能となり、その結果、リアルタイム
での動画撮影が可能となる。
【００６９】しかしながら、上記二次元画像検出器は、
以下のような構造上の問題を有している。
以下のような構造上の問題を有している。
【００７０】図８および図９に示した二次元画像検出器
では、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを対
向させた状態で貼り合わせる工程が必要になる。このと
き、二次元画像検出器自身が大面積の形態を有する場
合、両基板を全面にわたって均一な間隙（ギャップ）で
貼り合わせることが困難となる。
では、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを対
向させた状態で貼り合わせる工程が必要になる。このと
き、二次元画像検出器自身が大面積の形態を有する場
合、両基板を全面にわたって均一な間隙（ギャップ）で
貼り合わせることが困難となる。
【００７１】このため、例えば、面積が４００ｍｍ×５
００ｍｍ程度の基板同士を貼り合わせると、部分的に基
板間隙の広い場所が発生し、導電接続材の接続不良が発
生することがあった。また、それを防ぐために、強いプ
レス力で両基板を貼り合わせようとすると、部分的に基
板間隙の狭い場所が発生して、その場所の導電接続材が
押しつぶされてしまい、隣接する導電接続材同士の接触
（リーク不良）が発生することがあった。
００ｍｍ程度の基板同士を貼り合わせると、部分的に基
板間隙の広い場所が発生し、導電接続材の接続不良が発
生することがあった。また、それを防ぐために、強いプ
レス力で両基板を貼り合わせようとすると、部分的に基
板間隙の狭い場所が発生して、その場所の導電接続材が
押しつぶされてしまい、隣接する導電接続材同士の接触
（リーク不良）が発生することがあった。
【００７２】以下、本発明の一実施の形態について、図
１〜図７および図１２〜図１６を参照しながら説明す
る。なお、本実施の形態に係る二次元画像検出器は、前
述した従来の放射線二次元画像検出器が有する問題点を
解決するとともに、大面積を有するアクティブマトリク
ス基板と対向基板とを貼り合わせて接続する際にも、両
基板間の間隙（ギャップ）を面内で均一にするととも
に、両基板間の接続不良やリーク不良の発生を抑制する
ことができるものである。
１〜図７および図１２〜図１６を参照しながら説明す
る。なお、本実施の形態に係る二次元画像検出器は、前
述した従来の放射線二次元画像検出器が有する問題点を
解決するとともに、大面積を有するアクティブマトリク
ス基板と対向基板とを貼り合わせて接続する際にも、両
基板間の間隙（ギャップ）を面内で均一にするととも
に、両基板間の接続不良やリーク不良の発生を抑制する
ことができるものである。
【００７３】まず、図１および図２を用いて、本実施の
形態に係る二次元画像検出器の基本構成を説明する。図
１は上記二次元画像検出器の全体断面図であり、図２は
図１の領域Ａの詳細断面図である。
形態に係る二次元画像検出器の基本構成を説明する。図
１は上記二次元画像検出器の全体断面図であり、図２は
図１の領域Ａの詳細断面図である。
【００７４】図１に示すように、本実施の形態に係る二
次元画像検出器は、画素電極１４が形成されたアクティ
ブマトリクス基板１と、電荷収集電極６が形成された対
向基板２とが、画素電極１４と電荷収集電極６とが対向
して接続されるように、各画素ごとに独立して設けられ
た導電接続材３および間隔保持材４５を介して貼り合わ
された構造である。
次元画像検出器は、画素電極１４が形成されたアクティ
ブマトリクス基板１と、電荷収集電極６が形成された対
向基板２とが、画素電極１４と電荷収集電極６とが対向
して接続されるように、各画素ごとに独立して設けられ
た導電接続材３および間隔保持材４５を介して貼り合わ
された構造である。
【００７５】図２に示すように、上記アクティブマトリ
クス基板１には、ガラス基板７上にＸＹマトリクス状の
電極配線（ゲート電極８およびソース電極９）、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ（スイッチング素子））５、電荷蓄
積容量４、蓄積容量（Ｃｓ）電極１０などからなる画素
配列層４０が形成されている。上記アクティブマトリク
ス基板１は、液晶表示装置を製造する過程で形成される
アクティブマトリクス基板と同じプロセスによって形成
することができる。図２を参照しながら、具体的に説明
する。
クス基板１には、ガラス基板７上にＸＹマトリクス状の
電極配線（ゲート電極８およびソース電極９）、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ（スイッチング素子））５、電荷蓄
積容量４、蓄積容量（Ｃｓ）電極１０などからなる画素
配列層４０が形成されている。上記アクティブマトリク
ス基板１は、液晶表示装置を製造する過程で形成される
アクティブマトリクス基板と同じプロセスによって形成
することができる。図２を参照しながら、具体的に説明
する。
【００７６】上記ガラス基板７は、無アルカリガラス基
板である。ガラス基板７としては、例えば、コーニング
社製＃７０５９や＃１７３７を使用することができる。
板である。ガラス基板７としては、例えば、コーニング
社製＃７０５９や＃１７３７を使用することができる。
【００７７】上記ゲート電極８およびＣｓ電極１０は、
ガラス基板７の上にＴａ，Ａｌなどの金属膜をスパッタ
蒸着により約３０００Å成膜後、所望の形状にパターニ
ングして形成される。
ガラス基板７の上にＴａ，Ａｌなどの金属膜をスパッタ
蒸着により約３０００Å成膜後、所望の形状にパターニ
ングして形成される。
【００７８】上記のゲート電極８およびＣｓ電極１０の
上に、絶縁膜１１がＳｉＮｘやＳｉＯｘによりＣＶＤ法
で約３５００Å成膜して形成される。絶縁膜１１は、ゲ
ート絶縁膜あるいは蓄積容量（Ｃｓ）として作用する。
なお、絶縁膜１１としては、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけで
なく、ゲート電極８およびＣｓ電極１０を陽極酸化した
陽極酸化膜を併用することもできる。
上に、絶縁膜１１がＳｉＮｘやＳｉＯｘによりＣＶＤ法
で約３５００Å成膜して形成される。絶縁膜１１は、ゲ
ート絶縁膜あるいは蓄積容量（Ｃｓ）として作用する。
なお、絶縁膜１１としては、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけで
なく、ゲート電極８およびＣｓ電極１０を陽極酸化した
陽極酸化膜を併用することもできる。
【００７９】上記ＴＦＴ５のチャネル部となるｉ型のａ
−Ｓｉ膜１２と、ソース電極９およびドレイン電極との
コンタクトを図るｎ+ 型のａ−Ｓｉ膜１３とが、ＣＶＤ
法でそれぞれ約１０００Å、約４００Å成膜後、所望の
形状にパターニングして形成される。
−Ｓｉ膜１２と、ソース電極９およびドレイン電極との
コンタクトを図るｎ+ 型のａ−Ｓｉ膜１３とが、ＣＶＤ
法でそれぞれ約１０００Å、約４００Å成膜後、所望の
形状にパターニングして形成される。
【００８０】上記のソース電極９および画素電極１４
は、ＴａやＡｌなどの金属膜であり、スパッタ蒸着で約
３０００Å成膜後、所望の形状にパターニングして形成
される。なお、本実施の形態では、画素電極１４とドレ
イン電極とを兼用しているが、画素電極１４とドレイン
電極を別々に形成してもよく、また、画素電極１４にＩ
ＴＯ (indium tin oxide) などの透明電極を使用するこ
とも可能である。
は、ＴａやＡｌなどの金属膜であり、スパッタ蒸着で約
３０００Å成膜後、所望の形状にパターニングして形成
される。なお、本実施の形態では、画素電極１４とドレ
イン電極とを兼用しているが、画素電極１４とドレイン
電極を別々に形成してもよく、また、画素電極１４にＩ
ＴＯ (indium tin oxide) などの透明電極を使用するこ
とも可能である。
【００８１】その後、画素電極１４の開口部以外の領域
を絶縁保護するために、絶縁保護膜１５が、ＳｉＮｘや
ＳｉＯｘの絶縁膜をＣＶＤ法で約６０００Å成膜後、所
望の形状にパターニングして形成される。なお、絶縁保
護膜１５には、無機の絶縁膜の他に、アクリルやポリイ
ミド等の有機膜を使用することも可能である。
を絶縁保護するために、絶縁保護膜１５が、ＳｉＮｘや
ＳｉＯｘの絶縁膜をＣＶＤ法で約６０００Å成膜後、所
望の形状にパターニングして形成される。なお、絶縁保
護膜１５には、無機の絶縁膜の他に、アクリルやポリイ
ミド等の有機膜を使用することも可能である。
【００８２】以上の工程により、アクティブマトリクス
基板１を形成することができる。なお、ここでは、ＴＦ
Ｔ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタガ構造のＴＦＴ
５を用いたが、これに限定されるものではなく、ｐ−Ｓ
ｉを用いてもよいし、スタガ構造にしてもよい。
基板１を形成することができる。なお、ここでは、ＴＦ
Ｔ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタガ構造のＴＦＴ
５を用いたが、これに限定されるものではなく、ｐ−Ｓ
ｉを用いてもよいし、スタガ構造にしてもよい。
【００８３】また、上記対向基板２は、以下のプロセス
により形成することができる。
により形成することができる。
【００８４】ガラス基板３１は、対向基板２の支持基板
であり、Ｘ線や可視光に対して透過性を有する。ガラス
基板３１としては、厚さ約０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガ
ラス基板（例えば、コーニング社製＃７０５９や＃１７
３７）を用いることができる。
であり、Ｘ線や可視光に対して透過性を有する。ガラス
基板３１としては、厚さ約０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガ
ラス基板（例えば、コーニング社製＃７０５９や＃１７
３７）を用いることができる。
【００８５】上部電極（電極部）１７は、ＩＴＯ，Ａｕ
などの導電膜であり、ガラス基板３１の片面のほぼ全面
に形成される。なお、上部電極１７として可視光に対し
て透明なＩＴＯ電極を用いることにより、二次元画像検
出器を可視光に対応させることが可能である。
などの導電膜であり、ガラス基板３１の片面のほぼ全面
に形成される。なお、上部電極１７として可視光に対し
て透明なＩＴＯ電極を用いることにより、二次元画像検
出器を可視光に対応させることが可能である。
【００８６】半導体層３２は、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
の多結晶膜であり、上部電極１７上にＭＯＣＶＤ法を用
いて約０．５ｍｍの厚みで形成される。なお、ＭＯＣＶ
Ｄ法は大面積基板への成膜に適しており、原料である有
機カドミウム（ジメチルカドミウム［ＤＭＣｄ］）、有
機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴｅ］やジイソプロピ
ルテルル［ＤｉＰＴｅ］）、有機亜鉛（ジエチル亜鉛
［ＤＥＺｎ］やジイソプロピル亜鉛［ＤｉＰＺｎ］やジ
メチル亜鉛［ＤＭＺｎ］）を用いて４００〜５００℃の
成膜温度で成膜が可能である。さらに、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの成膜方法としては、上記ＭＯＣＶＤ法の他に
スクリーン印刷・焼成法、スプレー法、電析法、近接昇
華法等を用いることも可能である。
の多結晶膜であり、上部電極１７上にＭＯＣＶＤ法を用
いて約０．５ｍｍの厚みで形成される。なお、ＭＯＣＶ
Ｄ法は大面積基板への成膜に適しており、原料である有
機カドミウム（ジメチルカドミウム［ＤＭＣｄ］）、有
機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴｅ］やジイソプロピ
ルテルル［ＤｉＰＴｅ］）、有機亜鉛（ジエチル亜鉛
［ＤＥＺｎ］やジイソプロピル亜鉛［ＤｉＰＺｎ］やジ
メチル亜鉛［ＤＭＺｎ］）を用いて４００〜５００℃の
成膜温度で成膜が可能である。さらに、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの成膜方法としては、上記ＭＯＣＶＤ法の他に
スクリーン印刷・焼成法、スプレー法、電析法、近接昇
華法等を用いることも可能である。
【００８７】キャリア阻止層１８は、ＡｌＯｘの薄い絶
縁層であり、半導体層３２のほぼ全面に形成される。な
お、キャリア阻止層１８の構造としては、上記ＭＩＳ
（metal-insulator-semiconductor）接合構造の他に、
ＰＩＮ（positive-intrinsic-negative diode）接合構
造、ショットキー接合構造を用いることも、もちろん可
能である。また、キャリア阻止層１８は必要に応じて画
素ごとにパターニングすることもできる。
縁層であり、半導体層３２のほぼ全面に形成される。な
お、キャリア阻止層１８の構造としては、上記ＭＩＳ
（metal-insulator-semiconductor）接合構造の他に、
ＰＩＮ（positive-intrinsic-negative diode）接合構
造、ショットキー接合構造を用いることも、もちろん可
能である。また、キャリア阻止層１８は必要に応じて画
素ごとにパターニングすることもできる。
【００８８】上記電荷収集電極（接続電極）６は、Ａ
ｕ、ＩＴＯなどの導電膜であり、キャリア阻止層１８の
上に約２０００Å成膜後、所望の形状にパターニングし
て形成される。電荷収集電極６は、アクティブマトリク
ス基板１に形成された画素電極１４と対向する位置に形
成することができる。
ｕ、ＩＴＯなどの導電膜であり、キャリア阻止層１８の
上に約２０００Å成膜後、所望の形状にパターニングし
て形成される。電荷収集電極６は、アクティブマトリク
ス基板１に形成された画素電極１４と対向する位置に形
成することができる。
【００８９】そして、図１に示すように、本実施の形態
に係る二次元画像検出器は、以上のプロセスにより形成
されたアクティブマトリクス基板１と対向基板２とが、
画素電極１４と電荷収集電極６とが対向して接続するよ
うに、各画素ごとに独立して設けられた導電接続材３に
より貼り合わせて形成されている。このとき、アクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との間には、導電接続
材３が存在しない場所に、間隔保持材４５が設けられて
いる。
に係る二次元画像検出器は、以上のプロセスにより形成
されたアクティブマトリクス基板１と対向基板２とが、
画素電極１４と電荷収集電極６とが対向して接続するよ
うに、各画素ごとに独立して設けられた導電接続材３に
より貼り合わせて形成されている。このとき、アクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との間には、導電接続
材３が存在しない場所に、間隔保持材４５が設けられて
いる。
【００９０】ここで、図２および図１６を参照して、上
記二次元画像検出器の動作原理について説明する。な
お、図１６は、上記二次元画像検出器における１画素当
たりの等価回路図である。
記二次元画像検出器の動作原理について説明する。な
お、図１６は、上記二次元画像検出器における１画素当
たりの等価回路図である。
【００９１】ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅからなる半導体層
３２にＸ線が入射すると、光導電効果により該半導体層
３２に電荷（電子−正孔）が発生する。このとき、図２
に示すように、電荷蓄積容量４と半導体層３２とは、画
素電極１４／導電接続材３／電荷収集電極６を介して直
列に接続された構造になっているので、上部電極１７と
Ｃｓ電極１０との間に電圧を印加しておくと、半導体層
３２内で発生した電荷がそれぞれ＋電極側と−電極側に
移動し、その結果、電荷蓄積容量４に電荷が蓄積され
る。
３２にＸ線が入射すると、光導電効果により該半導体層
３２に電荷（電子−正孔）が発生する。このとき、図２
に示すように、電荷蓄積容量４と半導体層３２とは、画
素電極１４／導電接続材３／電荷収集電極６を介して直
列に接続された構造になっているので、上部電極１７と
Ｃｓ電極１０との間に電圧を印加しておくと、半導体層
３２内で発生した電荷がそれぞれ＋電極側と−電極側に
移動し、その結果、電荷蓄積容量４に電荷が蓄積され
る。
【００９２】なお、半導体層３２と電荷収集電極６との
間には、薄い絶縁層からなるキャリア阻止層１８が形成
されており、これが一方側からの電荷の注入を阻止する
ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor)構造の阻止型
フォトダイオードの役割を果たす。これにより、Ｘ線が
入射しないときの暗電流の低減に寄与している。また、
半導体層３２と上部電極１７との間にも絶縁層を設け、
上部電極１７から半導体層３２への電荷の注入も阻止
し、更なる暗電流低減を図る場合もある。
間には、薄い絶縁層からなるキャリア阻止層１８が形成
されており、これが一方側からの電荷の注入を阻止する
ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor)構造の阻止型
フォトダイオードの役割を果たす。これにより、Ｘ線が
入射しないときの暗電流の低減に寄与している。また、
半導体層３２と上部電極１７との間にも絶縁層を設け、
上部電極１７から半導体層３２への電荷の注入も阻止
し、更なる暗電流低減を図る場合もある。
【００９３】上記の作用により、電荷蓄積容量４に蓄積
された電荷は、ゲート電極８の入力信号によってＴＦＴ
５をオン状態にすることでソース電極９より外部に取り
出すことが可能である。ここで、電極配線（ゲート電極
８およびソース電極９）、ＴＦＴ５、電荷蓄積容量４等
は、従来例の図１０にも示すように、すべてＸＹマトリ
クス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査すること
で、二次元的にＸ線の画像情報を得ることができる。こ
のように、基本的な動作原理は、従来例に示した画像検
出器と同様である。
された電荷は、ゲート電極８の入力信号によってＴＦＴ
５をオン状態にすることでソース電極９より外部に取り
出すことが可能である。ここで、電極配線（ゲート電極
８およびソース電極９）、ＴＦＴ５、電荷蓄積容量４等
は、従来例の図１０にも示すように、すべてＸＹマトリ
クス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走査すること
で、二次元的にＸ線の画像情報を得ることができる。こ
のように、基本的な動作原理は、従来例に示した画像検
出器と同様である。
【００９４】つづいて、図３から図６を参照しながら、
上記の導電接続材３および間隔保持材４５の具体的な形
成方法について説明する。
上記の導電接続材３および間隔保持材４５の具体的な形
成方法について説明する。
【００９５】まず、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
アクティブマトリクス基板１および対向基板２のそれぞ
れの貼り合わせ面に、導電接続材３および間隔保持材４
５をそれぞれパターン形成する。なお、このとき導電接
続材３および間隔保持材４５の両者をどちらか一方の基
板に形成することも可能である。しかし、導電接続材３
および間隔保持材４５をそれぞれ別個の基板上に形成す
ると、パターニング処理を独立して行える点でより望ま
しい。そこで、本実施の形態では、アクティブマトリク
ス基板１上に導電接続材３を（図３（ａ）：請求項７に
おける第一の工程）、対向基板２上に間隔保持材４５を
（図３（ｂ）：請求項７における第二の工程）それぞれ
パターン形成する。
アクティブマトリクス基板１および対向基板２のそれぞ
れの貼り合わせ面に、導電接続材３および間隔保持材４
５をそれぞれパターン形成する。なお、このとき導電接
続材３および間隔保持材４５の両者をどちらか一方の基
板に形成することも可能である。しかし、導電接続材３
および間隔保持材４５をそれぞれ別個の基板上に形成す
ると、パターニング処理を独立して行える点でより望ま
しい。そこで、本実施の形態では、アクティブマトリク
ス基板１上に導電接続材３を（図３（ａ）：請求項７に
おける第一の工程）、対向基板２上に間隔保持材４５を
（図３（ｂ）：請求項７における第二の工程）それぞれ
パターン形成する。
【００９６】アクティブマトリクス基板１上に導電接続
材３をパターン形成する方法としては、以下の方法が可
能である。 （Ａ１） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
のほぼ全面に導電性を有する感光性樹脂層を形成した
後、フォトリソグラフィ技術により導電接続材３をパタ
ーン形成する。 （Ａ２） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
に、スクリーン印刷やインクジェット法などの印刷手段
により、導電接着剤を印刷することによって導電接続材
３をパターン形成する。 （Ａ３） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
に導電性樹脂を電着させることにより導電接続材３をパ
ターン形成する。
材３をパターン形成する方法としては、以下の方法が可
能である。 （Ａ１） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
のほぼ全面に導電性を有する感光性樹脂層を形成した
後、フォトリソグラフィ技術により導電接続材３をパタ
ーン形成する。 （Ａ２） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
に、スクリーン印刷やインクジェット法などの印刷手段
により、導電接着剤を印刷することによって導電接続材
３をパターン形成する。 （Ａ３） アクティブマトリクス基板１の貼り合わせ面
に導電性樹脂を電着させることにより導電接続材３をパ
ターン形成する。
【００９７】特に、（Ａ１）の方法は、導電接続材３を
精度良くパターン形成できるとともに、画素電極１４に
対して任意の形状に設計できる点で優れている。したが
って、本実施の形態では、ドライフィルム状の導電性を
有する感光性樹脂をアクティブマトリクス基板１上のほ
ぼ全面に貼付（転写）した後、該感光性樹脂に露光・現
像処理を施すことにより、導電接続材３を画素電極１４
上にパターン形成する。なお、この時の感光性樹脂、す
なわち導電接続材３の高さ（アクティブマトリクス基板
１の表面からの高さ）Ｈ２は、約１０μｍとなるよう設
計した。
精度良くパターン形成できるとともに、画素電極１４に
対して任意の形状に設計できる点で優れている。したが
って、本実施の形態では、ドライフィルム状の導電性を
有する感光性樹脂をアクティブマトリクス基板１上のほ
ぼ全面に貼付（転写）した後、該感光性樹脂に露光・現
像処理を施すことにより、導電接続材３を画素電極１４
上にパターン形成する。なお、この時の感光性樹脂、す
なわち導電接続材３の高さ（アクティブマトリクス基板
１の表面からの高さ）Ｈ２は、約１０μｍとなるよう設
計した。
【００９８】一方、対向基板２上に間隔保持材４５をパ
ターン形成する方法としては、以下の方法が可能であ
る。 （Ｂ１） 対向基板２の貼り合わせ面のほぼ全面に絶縁
性の感光性樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィ技
術により間隔保持材４５をパターン形成する。 （Ｂ２） 対向基板２上の貼り合わせ面のほぼ全面に有
機または無機の絶縁性材料からなる層を形成した後、そ
の上に感光性フォトレジスト層を形成し、フォトリソグ
ラフィ技術とエッチング技術とを用いて間隔保持材４５
を該絶縁材料によってパターン形成する。 （Ｂ３） 対向基板２上の貼り合わせ面に、スクリーン
印刷やインクジェット法などの印刷手段により、絶縁性
ペーストを印刷することによって間隔保持材４５をパタ
ーン形成する。 特に、（Ｂ１）の方法は、間隔保持材４５を精度良くパ
ターン形成できるとともに、画素電極１４に対して任意
の形状に設計できる点で優れている。したがって、本実
施の形態では、絶縁性の感光性樹脂を対向基板２の貼り
合わせ面のほぼ全面に塗布し、プレ焼成を施した後、該
感光性樹脂の露光・現像、およびポスト焼成処理を施す
ことにより、対向基板２上に電荷収集電極６を囲む形状
にパターン形成する。なお、この時の感光性樹脂、すな
わち間隔保持材４５の高さＨ１は、約８μｍとなるよう
設計した。
ターン形成する方法としては、以下の方法が可能であ
る。 （Ｂ１） 対向基板２の貼り合わせ面のほぼ全面に絶縁
性の感光性樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィ技
術により間隔保持材４５をパターン形成する。 （Ｂ２） 対向基板２上の貼り合わせ面のほぼ全面に有
機または無機の絶縁性材料からなる層を形成した後、そ
の上に感光性フォトレジスト層を形成し、フォトリソグ
ラフィ技術とエッチング技術とを用いて間隔保持材４５
を該絶縁材料によってパターン形成する。 （Ｂ３） 対向基板２上の貼り合わせ面に、スクリーン
印刷やインクジェット法などの印刷手段により、絶縁性
ペーストを印刷することによって間隔保持材４５をパタ
ーン形成する。 特に、（Ｂ１）の方法は、間隔保持材４５を精度良くパ
ターン形成できるとともに、画素電極１４に対して任意
の形状に設計できる点で優れている。したがって、本実
施の形態では、絶縁性の感光性樹脂を対向基板２の貼り
合わせ面のほぼ全面に塗布し、プレ焼成を施した後、該
感光性樹脂の露光・現像、およびポスト焼成処理を施す
ことにより、対向基板２上に電荷収集電極６を囲む形状
にパターン形成する。なお、この時の感光性樹脂、すな
わち間隔保持材４５の高さＨ１は、約８μｍとなるよう
設計した。
【００９９】ここで、上記の導電接続材３の高さＨ２お
よび間隔保持材４５の高さＨ１は、５μｍ以上かつ３０
μｍ以下の範囲内であることが望ましい。その理由は、
高さＨ１および高さＨ２が５μｍより低いと、後述する
アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを接続する
工程において、両基板の間隙が小さくなり過ぎ、ゴミや
埃による接続不良が生じやすくなり、反対に高さＨ１お
よび高さＨ２が３０μｍより高いと、導電接続材３およ
び間隔保持材４５のパターニングが困難になるという問
題が生じるためである。なお、導電接続材３の高さＨ２
および間隔保持材４５の高さＨ１の望ましい相対関係に
ついては、後で詳細に説明する。
よび間隔保持材４５の高さＨ１は、５μｍ以上かつ３０
μｍ以下の範囲内であることが望ましい。その理由は、
高さＨ１および高さＨ２が５μｍより低いと、後述する
アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを接続する
工程において、両基板の間隙が小さくなり過ぎ、ゴミや
埃による接続不良が生じやすくなり、反対に高さＨ１お
よび高さＨ２が３０μｍより高いと、導電接続材３およ
び間隔保持材４５のパターニングが困難になるという問
題が生じるためである。なお、導電接続材３の高さＨ２
および間隔保持材４５の高さＨ１の望ましい相対関係に
ついては、後で詳細に説明する。
【０１００】つぎに、図３（ｃ）に示すように、導電接
続材３がパターン形成されたアクティブマトリクス基板
１と、間隔保持材４５がパターン形成された対向基板２
とを、互いの画素が一致するように両基板の貼り合わせ
面を対向配置して位置合わせを行う（請求項７における
第三の工程）。このとき、導電接続材３と間隔保持材４
５とが重ならないように、両基板の位置ずれを解消す
る。
続材３がパターン形成されたアクティブマトリクス基板
１と、間隔保持材４５がパターン形成された対向基板２
とを、互いの画素が一致するように両基板の貼り合わせ
面を対向配置して位置合わせを行う（請求項７における
第三の工程）。このとき、導電接続材３と間隔保持材４
５とが重ならないように、両基板の位置ずれを解消す
る。
【０１０１】つづいて、図３（ｄ）に示すように、位置
合わせされたアクティブマトリクス基板１および対向基
板２に加熱圧着処理を施して、両基板を接続する（請求
項７における第四の工程）。
合わせされたアクティブマトリクス基板１および対向基
板２に加熱圧着処理を施して、両基板を接続する（請求
項７における第四の工程）。
【０１０２】ここで、加熱圧着処理の際（図３
（ｄ））、間隔保持材４５は導電接続材３よりも変形し
にくいことが望ましい。なぜならば、導電接続材３は、
ある程度軟化した方が両基板との接着性が向上するのに
対して、間隔保持材４５は、形状が変化し難いことで間
隔保持力が向上するためである。
（ｄ））、間隔保持材４５は導電接続材３よりも変形し
にくいことが望ましい。なぜならば、導電接続材３は、
ある程度軟化した方が両基板との接着性が向上するのに
対して、間隔保持材４５は、形状が変化し難いことで間
隔保持力が向上するためである。
【０１０３】例えば、導電接続材３に１３０℃前後で軟
化して接着性（粘着性）が発現する材料を、間隔保持材
４５に１５０℃以上で軟化する材料をそれぞれ用いる場
合を考える。このとき、加熱圧着処理を１３０〜１５０
℃の温度で行うと、導電接続材３は軟化して両基板に接
着し易くなる。これに対して、間隔保持材４５は、１３
０〜１５０℃では軟化しないため、間隔保持力を保った
まま貼り合わすことができる。
化して接着性（粘着性）が発現する材料を、間隔保持材
４５に１５０℃以上で軟化する材料をそれぞれ用いる場
合を考える。このとき、加熱圧着処理を１３０〜１５０
℃の温度で行うと、導電接続材３は軟化して両基板に接
着し易くなる。これに対して、間隔保持材４５は、１３
０〜１５０℃では軟化しないため、間隔保持力を保った
まま貼り合わすことができる。
【０１０４】すなわち、導電接続材３が軟化することで
接着性を生じる材料の場合には、その軟化温度が間隔保
持材４５の軟化温度より低いことが望ましい。なお、導
電接続材３として熱硬化性あるいは光硬化性の接着剤を
用いることもできるが、この場合は接着剤が最初から粘
性を有しており十分に変形し易いものが多い。よって、
そのような接着剤を導電接続材３に用いる場合には、間
隔保持材４５が変形し難ければよい。
接着性を生じる材料の場合には、その軟化温度が間隔保
持材４５の軟化温度より低いことが望ましい。なお、導
電接続材３として熱硬化性あるいは光硬化性の接着剤を
用いることもできるが、この場合は接着剤が最初から粘
性を有しており十分に変形し易いものが多い。よって、
そのような接着剤を導電接続材３に用いる場合には、間
隔保持材４５が変形し難ければよい。
【０１０５】具体的には、間隔保持材４５には、軟化温
度が比較的高い材料である、感光性のポリイミド高分子
材料を採用することができる。すなわち、ポリイミド高
分子材料は電気絶縁性に優れており、軟化点も３００℃
以上であり、さらに放射線に対しても安定な材料である
ため、本実施の形態の間隔保持材４５の材料として最適
である。
度が比較的高い材料である、感光性のポリイミド高分子
材料を採用することができる。すなわち、ポリイミド高
分子材料は電気絶縁性に優れており、軟化点も３００℃
以上であり、さらに放射線に対しても安定な材料である
ため、本実施の形態の間隔保持材４５の材料として最適
である。
【０１０６】また、上記間隔保持材４５は、ポリイミド
高分子材料の他に、エポキシ系、アクリル系、ウレタン
系等の高分子材料、あるいはゾルゲル成膜法や塗布法、
ペースト印刷法等によって得られるＳｉＯ2 等の無機系
絶縁膜などを、上記の（Ｂ１）〜（Ｂ３）の方法を用い
て形成することも可能である。
高分子材料の他に、エポキシ系、アクリル系、ウレタン
系等の高分子材料、あるいはゾルゲル成膜法や塗布法、
ペースト印刷法等によって得られるＳｉＯ2 等の無機系
絶縁膜などを、上記の（Ｂ１）〜（Ｂ３）の方法を用い
て形成することも可能である。
【０１０７】図４（ａ），（ｂ）は、それぞれアクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせの前後
における、導電接続材３および間隔保持材４５の断面図
である。
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせの前後
における、導電接続材３および間隔保持材４５の断面図
である。
【０１０８】上述のように、本実施の形態では、貼り合
わせ前の間隔保持材４５の高さＨ１を８μｍ、導電接続
材３の高さＨ２を１０μｍとなるように設定している
（図４（ａ））。このため、アクティブマトリクス基板
１と対向基板２とを貼り合わせると、両基板の基板間隙
は、間隔保持材４５の高さＨ１で決定されるため、加熱
により軟化した導電接続材３がわずかに押しつぶされる
ことになる（図４（ｂ））。これにより、導電接続材３
を確実に両基板に接触させることができる。ゆえに、間
隔保持材４５の高さＨ１、および導電接続材３の高さＨ
２を、Ｈ２≧Ｈ１となるように設計するとよい。
わせ前の間隔保持材４５の高さＨ１を８μｍ、導電接続
材３の高さＨ２を１０μｍとなるように設定している
（図４（ａ））。このため、アクティブマトリクス基板
１と対向基板２とを貼り合わせると、両基板の基板間隙
は、間隔保持材４５の高さＨ１で決定されるため、加熱
により軟化した導電接続材３がわずかに押しつぶされる
ことになる（図４（ｂ））。これにより、導電接続材３
を確実に両基板に接触させることができる。ゆえに、間
隔保持材４５の高さＨ１、および導電接続材３の高さＨ
２を、Ｈ２≧Ｈ１となるように設計するとよい。
【０１０９】そして、図４（ｂ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせによ
って、両基板の基板間隙が導電接続材３の高さＨ２より
も小さくなるため、導電接続材３のパターン面積が貼り
合わせ前後でＷ１からＷ２へ、Ｗ２−Ｗ１だけ広がるこ
とになる。よって、導電接続材３の貼り合わせ前のパタ
ーン面積Ｗ１を、貼り合わせ後のパターン面積Ｗ２が画
素電極１４の面内に収まるように設計するとよい。現実
的には、貼り合わせ前後での導電接続材３のパターン面
積の変化を２倍以内に抑えておくことが、隣接画素への
リークを防ぐ点で有効である。ゆえに、間隔保持材４５
の高さＨ１、および導電接続材３の高さＨ２を、２×Ｈ
ｌ≧Ｈ２となるように設計するとよい。
ィブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせによ
って、両基板の基板間隙が導電接続材３の高さＨ２より
も小さくなるため、導電接続材３のパターン面積が貼り
合わせ前後でＷ１からＷ２へ、Ｗ２−Ｗ１だけ広がるこ
とになる。よって、導電接続材３の貼り合わせ前のパタ
ーン面積Ｗ１を、貼り合わせ後のパターン面積Ｗ２が画
素電極１４の面内に収まるように設計するとよい。現実
的には、貼り合わせ前後での導電接続材３のパターン面
積の変化を２倍以内に抑えておくことが、隣接画素への
リークを防ぐ点で有効である。ゆえに、間隔保持材４５
の高さＨ１、および導電接続材３の高さＨ２を、２×Ｈ
ｌ≧Ｈ２となるように設計するとよい。
【０１１０】以上より、導電接続材３の高さＨ２の最適
設計条件は、間隔保持材４５の高さＨ１に対して、２×
Ｈ１≧Ｈ２≧Ｈ１となる。なお、この条件によって設計
しておくことで、基板が大面積化した場合でも、導電接
続材３および間隔保持材４５の厚みのバラツキをある程
度吸収することができるため、電荷収集電極６と画素電
極１４との確実な接続を得ることができる。
設計条件は、間隔保持材４５の高さＨ１に対して、２×
Ｈ１≧Ｈ２≧Ｈ１となる。なお、この条件によって設計
しておくことで、基板が大面積化した場合でも、導電接
続材３および間隔保持材４５の厚みのバラツキをある程
度吸収することができるため、電荷収集電極６と画素電
極１４との確実な接続を得ることができる。
【０１１１】つぎに、典型的なパターン形状を、図５お
よび図６を参照して説明する。図５は、アクティブマト
リクス基板１上の各部材の配置を示す平面図である。図
６は、アクティブマトリクス基板１に対する導電接続材
３および間隔保持材４５の配置関係を示す平面図であ
る。
よび図６を参照して説明する。図５は、アクティブマト
リクス基板１上の各部材の配置を示す平面図である。図
６は、アクティブマトリクス基板１に対する導電接続材
３および間隔保持材４５の配置関係を示す平面図であ
る。
【０１１２】図５および図６に示すように、導電接続材
３は画素電極１４上に独立した島状に設けられ、間隔保
持材４５は画素電極１４を囲むようにマトリクス状に設
けられている。よって、隣接する導電接続材３同士の間
には必ず間隔保持材４５が配設されているため、導電接
続材３や間隔保持材４５のパターン精度が悪い場合、あ
るいは導電接続材３が押しつぶされて形状が変化した場
合に、導電接続材３と間隔保持材４５とが接触すること
はあっても、隣接する導電接続材３間に電気的にリーク
が生じることは確実に防ぐことができる。
３は画素電極１４上に独立した島状に設けられ、間隔保
持材４５は画素電極１４を囲むようにマトリクス状に設
けられている。よって、隣接する導電接続材３同士の間
には必ず間隔保持材４５が配設されているため、導電接
続材３や間隔保持材４５のパターン精度が悪い場合、あ
るいは導電接続材３が押しつぶされて形状が変化した場
合に、導電接続材３と間隔保持材４５とが接触すること
はあっても、隣接する導電接続材３間に電気的にリーク
が生じることは確実に防ぐことができる。
【０１１３】ここで、上記のように、間隔保持材４５の
パターンが画素を囲む格子状の場合、両基板の貼り合わ
せ時に、格子に囲まれた空間に空気が閉じ込められやす
く、導電接続材３の接着面に気泡を巻き込む等のプレス
不良が発生する可能性がある。このような場合は、減圧
環境下でプレス貼り合わせを行うとよい。
パターンが画素を囲む格子状の場合、両基板の貼り合わ
せ時に、格子に囲まれた空間に空気が閉じ込められやす
く、導電接続材３の接着面に気泡を巻き込む等のプレス
不良が発生する可能性がある。このような場合は、減圧
環境下でプレス貼り合わせを行うとよい。
【０１１４】なお、間隔保持材４５のパターンは、図５
および図６に示すパターンに限定されるものではなく、
ストライプ形状やドット形状など必要に応じてパターン
形成することができる。
および図６に示すパターンに限定されるものではなく、
ストライプ形状やドット形状など必要に応じてパターン
形成することができる。
【０１１５】また、間隔保持材４５のパターンは、マト
リクス状の画素が存在する撮像有効領域のみならず、撮
像有効領域の周辺部にも余分にダミーパターンとして設
けることが望ましい。これより、両基板を貼り合わせる
際、基板周辺部においても基板の間隔（ギャップ）を均
一に保持することが可能となる。
リクス状の画素が存在する撮像有効領域のみならず、撮
像有効領域の周辺部にも余分にダミーパターンとして設
けることが望ましい。これより、両基板を貼り合わせる
際、基板周辺部においても基板の間隔（ギャップ）を均
一に保持することが可能となる。
【０１１６】以上のように製造された本実施の形態に係
る二次元画像検出器は、両基板の貼り合わせ時に、強く
プレスして貼り合わせ接続を行っても、間隔保持材４５
が両基板の間隔を一定に保持するため、両基板の間隙
（ギャップ）が所定の値より狭くなることがない。
る二次元画像検出器は、両基板の貼り合わせ時に、強く
プレスして貼り合わせ接続を行っても、間隔保持材４５
が両基板の間隔を一定に保持するため、両基板の間隙
（ギャップ）が所定の値より狭くなることがない。
【０１１７】よって、上記二次元画像検出器は、大面積
の基板（例えば、基板サイズが４００ｍｍ×５００ｍｍ
程度以上）を有するものであっても、基板間隙を均一に
保った状態で貼り合わせることができる。その結果、歩
留まり良く、確実な接続を得ることが可能となる。ま
た、間隔保持材４５を設けることにより、導電接続材３
が押しつぶされすぎることがなく、隣接する導電接続材
３同士の接触（リーク不良）の発生を防ぐことが可能と
なる。
の基板（例えば、基板サイズが４００ｍｍ×５００ｍｍ
程度以上）を有するものであっても、基板間隙を均一に
保った状態で貼り合わせることができる。その結果、歩
留まり良く、確実な接続を得ることが可能となる。ま
た、間隔保持材４５を設けることにより、導電接続材３
が押しつぶされすぎることがなく、隣接する導電接続材
３同士の接触（リーク不良）の発生を防ぐことが可能と
なる。
【０１１８】つづいて、図７を用いて、間隔保持材４５
の硬さが充分でなく、間隔保持力が充分に発揮できない
場合について説明する。
の硬さが充分でなく、間隔保持力が充分に発揮できない
場合について説明する。
【０１１９】図７に示すように、間隔保持材４５とし
て、樹脂材料４５ａの中に電気絶縁性を有する球状の補
助材４５ｂを混入させたものを使用することができる。
このように、樹脂材料４５ａ中に補助材４５ｂが混入さ
れた間隔保持材４５を使用することにより、間隔保持材
４５の樹脂材料４５ａの硬さが導電接続材３より弱い場
合でも、樹脂材料４５ａに混入された球状の補助材４５
ｂで両基板の間隔を保持することが可能となる。
て、樹脂材料４５ａの中に電気絶縁性を有する球状の補
助材４５ｂを混入させたものを使用することができる。
このように、樹脂材料４５ａ中に補助材４５ｂが混入さ
れた間隔保持材４５を使用することにより、間隔保持材
４５の樹脂材料４５ａの硬さが導電接続材３より弱い場
合でも、樹脂材料４５ａに混入された球状の補助材４５
ｂで両基板の間隔を保持することが可能となる。
【０１２０】上記補助材４５ｂとしては、ガラス、セラ
ミック、プラスチック製のものを利用することができ
る。特に、ガラスやセラミック製の補助材４５ｂは、電
気絶縁性を有するとともに、加熱および加圧に対する変
形量が小さく、間隔保持材４５の樹脂材料４５ａに混入
する強度補助材料として最適である。
ミック、プラスチック製のものを利用することができ
る。特に、ガラスやセラミック製の補助材４５ｂは、電
気絶縁性を有するとともに、加熱および加圧に対する変
形量が小さく、間隔保持材４５の樹脂材料４５ａに混入
する強度補助材料として最適である。
【０１２１】そして、上記補助材４５ｂを樹脂材料４５
ａに混入してパターニングすることにより、補助材４５
ｂがパターニングされた樹脂材料４５ａ中にのみ存在す
るので、補助材４５ｂが導電接続材３の接着面に介在し
て導電接続材３の接着を妨げることはない。
ａに混入してパターニングすることにより、補助材４５
ｂがパターニングされた樹脂材料４５ａ中にのみ存在す
るので、補助材４５ｂが導電接続材３の接着面に介在し
て導電接続材３の接着を妨げることはない。
【０１２２】なお、上記補助材４５ｂは、樹脂材料４５
ａに混入されて両基板間の間隔を保持できるものであれ
ばよく、その形状は球状に限定されず、粒状や繊維（フ
ァイバ状）などであってもよい。ただ、球状の補助材４
５ｂを用いると、樹脂材料４５ａを均一に塗布でき、パ
ターン形成がし易いという利点がある。なお、補助材４
５ｂの対向基板２の基板面からの高さは、上述した間隔
保持材４５の高さＨ１とほぼ等しいことが望ましい。
ａに混入されて両基板間の間隔を保持できるものであれ
ばよく、その形状は球状に限定されず、粒状や繊維（フ
ァイバ状）などであってもよい。ただ、球状の補助材４
５ｂを用いると、樹脂材料４５ａを均一に塗布でき、パ
ターン形成がし易いという利点がある。なお、補助材４
５ｂの対向基板２の基板面からの高さは、上述した間隔
保持材４５の高さＨ１とほぼ等しいことが望ましい。
【０１２３】また、間隔保持材４５の硬さを向上させる
方法として、図１２に示すように、上記補助材４５ｂの
代わりに、電気絶縁性を有する微粒子４５ｃを樹脂材料
４５ａに混入する方法も有効である。この微粒子４５ｃ
は、一般にフィラーと呼ばれるものであり、接着樹脂の
粘度や硬度を調整するために接着樹脂に混入されるもの
である。したがって、この微粒子４５ｃを樹脂材料４５
ａに混入すれば、間隔保持材４５の硬さを確実に向上で
きる。
方法として、図１２に示すように、上記補助材４５ｂの
代わりに、電気絶縁性を有する微粒子４５ｃを樹脂材料
４５ａに混入する方法も有効である。この微粒子４５ｃ
は、一般にフィラーと呼ばれるものであり、接着樹脂の
粘度や硬度を調整するために接着樹脂に混入されるもの
である。したがって、この微粒子４５ｃを樹脂材料４５
ａに混入すれば、間隔保持材４５の硬さを確実に向上で
きる。
【０１２４】なお、この微粒子４５ａにおける具体的な
材料としては、例えば、ガラス，セラミック，プラスチ
ックなどの微粒子を挙げることができる。また、補助材
４５ｂと微粒子４５ｃとの両者を樹脂材料４５ａに混入
することで、樹脂材料４５ａの硬さを向上させることも
可能である。
材料としては、例えば、ガラス，セラミック，プラスチ
ックなどの微粒子を挙げることができる。また、補助材
４５ｂと微粒子４５ｃとの両者を樹脂材料４５ａに混入
することで、樹脂材料４５ａの硬さを向上させることも
可能である。
【０１２５】つづいて、導電接続材３および間隔保持材
４５のパターン形成をスクリーン印刷を用いて行う場合
について説明する。
４５のパターン形成をスクリーン印刷を用いて行う場合
について説明する。
【０１２６】上述したように、導電接続材３および間隔
保持材４５は、それ自身が感光性を有する材料を用い
て、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成を行う
ことができる。
保持材４５は、それ自身が感光性を有する材料を用い
て、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成を行う
ことができる。
【０１２７】しかし、導電接続材３および間隔保持材４
５は、スクリーン印刷を用いてパターン形成することも
可能である。この場合、導電接続材３のスクリーン印刷
にはＮｉ系のメタルマスクを、間隔保持材４５のスクリ
ーン印刷には通常のメッシュスクリーン版を用いること
ができる。
５は、スクリーン印刷を用いてパターン形成することも
可能である。この場合、導電接続材３のスクリーン印刷
にはＮｉ系のメタルマスクを、間隔保持材４５のスクリ
ーン印刷には通常のメッシュスクリーン版を用いること
ができる。
【０１２８】導電接続材３のパターンは直径がΦ５０μ
ｍ程度と細かいため、通常のメッシュスクリーン版では
きれいな印刷穴が形成できない。そこで、導電接続材３
のスクリーン印刷にはＮｉ系のメタルマスクが適してい
る。なお、導電接続材３には、Ａｇ系の導電粒子が含ま
れるエポキシ系接着ペーストを用いるとよい。
ｍ程度と細かいため、通常のメッシュスクリーン版では
きれいな印刷穴が形成できない。そこで、導電接続材３
のスクリーン印刷にはＮｉ系のメタルマスクが適してい
る。なお、導電接続材３には、Ａｇ系の導電粒子が含ま
れるエポキシ系接着ペーストを用いるとよい。
【０１２９】これに対して、間隔保持材４５のスクリー
ン印刷には、通常のメッシュスクリーン版を用いること
ができる。なお、間隔保持材４５には、ポリイミド高分
子材料等からなる各種絶縁性印刷材料を使用することが
可能である。
ン印刷には、通常のメッシュスクリーン版を用いること
ができる。なお、間隔保持材４５には、ポリイミド高分
子材料等からなる各種絶縁性印刷材料を使用することが
可能である。
【０１３０】このように、導電接続材３および間隔保持
材４５のパターン形成にスクリーン印刷を用いると、フ
ォトリソグラフィに比べてパターン精度が劣るものの、
製造装置が安価となる。よって、画素ピッチが荒い二次
元画像検出器に対しては非常に有効である。
材４５のパターン形成にスクリーン印刷を用いると、フ
ォトリソグラフィに比べてパターン精度が劣るものの、
製造装置が安価となる。よって、画素ピッチが荒い二次
元画像検出器に対しては非常に有効である。
【０１３１】つづいて、図１３および図１４を参照しな
がら、導電接続材３と間隔保持材４５との両者を同一の
基板に対してパターン形成する場合における、二次元画
像検出器の貼り合わせプロセスについて説明する。な
お、以下では、導電接続材３・間隔保持材４５を、アク
ティブマトリクス基板１に対してパターン形成する場合
について説明する。
がら、導電接続材３と間隔保持材４５との両者を同一の
基板に対してパターン形成する場合における、二次元画
像検出器の貼り合わせプロセスについて説明する。な
お、以下では、導電接続材３・間隔保持材４５を、アク
ティブマトリクス基板１に対してパターン形成する場合
について説明する。
【０１３２】まず、図１３（ａ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板１の貼り合せ面に、間隔保持材４５
をパターン形成する。なお、間隔保持材４５のパターン
形成方法としては、前述した（Ｂ１）〜（Ｂ３）の方法
を用いることが可能である。そして、この中でも特に、
（Ｂ１）の方法は、間隔保持材４５を精度良くパターン
形成できるとともに、画素電極１４に対して任意の形状
に間隔保持材４５を設計できる点で優れている。
ィブマトリクス基板１の貼り合せ面に、間隔保持材４５
をパターン形成する。なお、間隔保持材４５のパターン
形成方法としては、前述した（Ｂ１）〜（Ｂ３）の方法
を用いることが可能である。そして、この中でも特に、
（Ｂ１）の方法は、間隔保持材４５を精度良くパターン
形成できるとともに、画素電極１４に対して任意の形状
に間隔保持材４５を設計できる点で優れている。
【０１３３】したがって、ここでは、この（Ｂ１）の方
法による間隔保持材４５のパターン形成について説明す
る。すなわち、この方法を用いる場合、まず、フィラー
を含有し、適当な硬度を有する絶縁性の感光性樹脂シー
トを、アクティブマトリクス基板１における貼り合せ面
のほぼ全面に貼付する。その後、この感光性樹脂シート
に対して、露光・現像、およびポスト焼成処理を施す。
これにより、アクティブマトリクス基板１上に、間隔保
持材４５となる感光性樹脂をアイランド状にパターン形
成できる（請求項８における第一の工程) 。なお、パタ
ーン形成後の感光性樹脂、すなわち間隔保持材４５の高
さＨ１は、約８μｍとなるように設計されている。
法による間隔保持材４５のパターン形成について説明す
る。すなわち、この方法を用いる場合、まず、フィラー
を含有し、適当な硬度を有する絶縁性の感光性樹脂シー
トを、アクティブマトリクス基板１における貼り合せ面
のほぼ全面に貼付する。その後、この感光性樹脂シート
に対して、露光・現像、およびポスト焼成処理を施す。
これにより、アクティブマトリクス基板１上に、間隔保
持材４５となる感光性樹脂をアイランド状にパターン形
成できる（請求項８における第一の工程) 。なお、パタ
ーン形成後の感光性樹脂、すなわち間隔保持材４５の高
さＨ１は、約８μｍとなるように設計されている。
【０１３４】次に、図１３（ｂ）に示すように、間隔保
持材４５がパターン形成されたアクティブマトリクス基
板１における画素電極１４上に対して、さらに、導電接
続材３のパターン形成を行う。この時、先に形成した間
隔保持材４５のパターンにおける凹凸の影響で、アクテ
ィブマトリクス基板１上に、導電接続樹脂を均一に塗布
成膜することが困難となっている。
持材４５がパターン形成されたアクティブマトリクス基
板１における画素電極１４上に対して、さらに、導電接
続材３のパターン形成を行う。この時、先に形成した間
隔保持材４５のパターンにおける凹凸の影響で、アクテ
ィブマトリクス基板１上に、導電接続樹脂を均一に塗布
成膜することが困難となっている。
【０１３５】したがって、この下地の凹凸の影響を避け
るため、導電接続材３のパターン形成では、熱可塑性樹
脂層（クッション層）を具備させた特殊な感光性樹脂シ
ートを用いる。そして、このシートに対して貼付工程お
よびフォトリソグラフィ工程を施すことによって、導電
接続材３のパターン形成を行うように設定されている
（請求項８における第一の工程) 。
るため、導電接続材３のパターン形成では、熱可塑性樹
脂層（クッション層）を具備させた特殊な感光性樹脂シ
ートを用いる。そして、このシートに対して貼付工程お
よびフォトリソグラフィ工程を施すことによって、導電
接続材３のパターン形成を行うように設定されている
（請求項８における第一の工程) 。
【０１３６】なお、この導電接続材３のパターン形成に
ついては後述する。また、パターン形成後の感光性樹
脂、すなわち導電接続材３の高さＨ２は、約１０μｍと
なるように設計されている。
ついては後述する。また、パターン形成後の感光性樹
脂、すなわち導電接続材３の高さＨ２は、約１０μｍと
なるように設計されている。
【０１３７】次に、図１３（ｃ）に示すように、対向基
板２と、間隔保持材４５および導電接続材３のパターン
形成されたアクティブマトリクス基板１との位置合わせ
を行う（請求項８における第二の工程) 。この位置合わ
せは、両基板１・２における画素を互いに一致させるよ
うに、両基板１・２の貼り合せ面を対向配置することに
よって行われる。
板２と、間隔保持材４５および導電接続材３のパターン
形成されたアクティブマトリクス基板１との位置合わせ
を行う（請求項８における第二の工程) 。この位置合わ
せは、両基板１・２における画素を互いに一致させるよ
うに、両基板１・２の貼り合せ面を対向配置することに
よって行われる。
【０１３８】つづいて、図１３（ｄ）に示すように、位
置合わせされたアクティブマトリクス基板１および対向
基板２に加熱圧着処理を施して両基板１・２を接続し
（請求項８における第三の工程) 、これにより、二次元
画像検出器の貼り合わせプロセスが終了する。
置合わせされたアクティブマトリクス基板１および対向
基板２に加熱圧着処理を施して両基板１・２を接続し
（請求項８における第三の工程) 、これにより、二次元
画像検出器の貼り合わせプロセスが終了する。
【０１３９】ここで、熱可塑性樹脂層を有する感光性樹
脂シートを用いた導電接続材３のパターン形成手順を、
図１４（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１４（ａ）
に示すように、感光性樹脂シート（貼付シート）１０１
は、感光性樹脂層（導電接続層）１０２，熱可塑性樹脂
層（クッション層）１０３および支持フィルム１０４が
互いに積層された構成を有している。
脂シートを用いた導電接続材３のパターン形成手順を、
図１４（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１４（ａ）
に示すように、感光性樹脂シート（貼付シート）１０１
は、感光性樹脂層（導電接続層）１０２，熱可塑性樹脂
層（クッション層）１０３および支持フィルム１０４が
互いに積層された構成を有している。
【０１４０】そして、貼付工程では、この図に示すよう
に、ヒートローラー１１１によって、この感光性樹脂シ
ート１０１を、間隔保持材４５のパターン形成されたア
クティブマトリクス基板１上に貼付するようになってい
る（貼付工程）。さらに、この貼付工程の後、図１４
（ｂ）（ｃ）に示すように、支持フィルム１０４を除去
して露光・現像処理（フォトリソグラフィ工程）を施す
ことにより、導電接続材３をパターン形成するように設
定されている。
に、ヒートローラー１１１によって、この感光性樹脂シ
ート１０１を、間隔保持材４５のパターン形成されたア
クティブマトリクス基板１上に貼付するようになってい
る（貼付工程）。さらに、この貼付工程の後、図１４
（ｂ）（ｃ）に示すように、支持フィルム１０４を除去
して露光・現像処理（フォトリソグラフィ工程）を施す
ことにより、導電接続材３をパターン形成するように設
定されている。
【０１４１】このように、熱可塑性樹脂層１０３を具備
した感光性樹脂シート１０１を用いることで、間隔保持
材４５のパターンにおける凹凸の近傍であっても、気泡
を巻き込むこともなく、感光性樹脂層１０２をアクティ
ブマトリクス基板１に貼付できる。これにより、導電接
続材３のパターン形成を簡便に行うことが可能となって
いる。
した感光性樹脂シート１０１を用いることで、間隔保持
材４５のパターンにおける凹凸の近傍であっても、気泡
を巻き込むこともなく、感光性樹脂層１０２をアクティ
ブマトリクス基板１に貼付できる。これにより、導電接
続材３のパターン形成を簡便に行うことが可能となって
いる。
【０１４２】以上のように、この貼り合わせプロセスで
は、導電接続材３と間隔保持材４５とを、ともに同一の
基板上に形成するようになっている。これにより、アク
ティブマトリクス基板１と対向基板２とのうち、導電接
続材３および間隔保持材４５のパターン形成プロセスに
よって悪影響を受け易い方の基板に対する、パターン形
成を回避することができる。
は、導電接続材３と間隔保持材４５とを、ともに同一の
基板上に形成するようになっている。これにより、アク
ティブマトリクス基板１と対向基板２とのうち、導電接
続材３および間隔保持材４５のパターン形成プロセスに
よって悪影響を受け易い方の基板に対する、パターン形
成を回避することができる。
【０１４３】例えば、導電接続材３や間隔保持材４５の
パターン形成プロセスに必要な薬液（現像液など）に曝
されることで、対向基板２に形成されている半導体層３
２の特性が変化してしまうような場合もある。このよう
な場合には、導電接続材３と間隔保持材４５との両者を
アクティブマトリクス基板１上にパターン形成すること
で、半導体層３２の劣化を防止することが可能となる。
パターン形成プロセスに必要な薬液（現像液など）に曝
されることで、対向基板２に形成されている半導体層３
２の特性が変化してしまうような場合もある。このよう
な場合には、導電接続材３と間隔保持材４５との両者を
アクティブマトリクス基板１上にパターン形成すること
で、半導体層３２の劣化を防止することが可能となる。
【０１４４】なお、導電接続材３および間隔保持材４５
を一方の基板上にパターン形成する場合、先に形成した
パターンの凹凸が、後のパターン形成の障害となる可能
性を少しでも減らすことが好ましい。したがって、導電
接続材３と間隔保持材４５とのうち、パターン形成後の
高さの低い方を先にパターン形成し、その後、他方をパ
ターン形成することが望ましい。
を一方の基板上にパターン形成する場合、先に形成した
パターンの凹凸が、後のパターン形成の障害となる可能
性を少しでも減らすことが好ましい。したがって、導電
接続材３と間隔保持材４５とのうち、パターン形成後の
高さの低い方を先にパターン形成し、その後、他方をパ
ターン形成することが望ましい。
【０１４５】例えば、上記したように、間隔保持材４５
および導電接続材３の高さＨ１・Ｈ２（図１３（ａ）
（ｂ）参照）が、それぞれ約８μｍ，約１０μｍに設定
されている場合、間隔保持材４５をパターン形成した後
に、導電接続材３のパターン形成を行うようにすること
が望ましい。
および導電接続材３の高さＨ１・Ｈ２（図１３（ａ）
（ｂ）参照）が、それぞれ約８μｍ，約１０μｍに設定
されている場合、間隔保持材４５をパターン形成した後
に、導電接続材３のパターン形成を行うようにすること
が望ましい。
【０１４６】また、熱可塑性樹脂層を具備した貼付シー
トの製造技術については、特開平５−１７３３２０号公
報等において詳細に説明されている。また、図１３
（ａ）を用いて示した間隔保持材４５のパターン形成で
は、感光性樹脂のパターンが、間隔保持材４５として作
用することになる。また、図１４（ａ）に示したような
感光性樹脂シート１０１は、支持フィルム１０４上に、
少なくとも熱可塑性樹脂層１０３と感光性樹脂層１０２
とを具備していることが好ましい。また、図１４（ａ）
に示した感光性樹脂シート１０１の貼付工程は、感光性
樹脂シート１０１をアクティブマトリクス基板１上に貼
付する貼付工程である、と表現することもできる。ま
た、本実施の形態に示したアクティブマトリクス基板１
は、請求項１１および１２における画素基板に相当する
部材である。
トの製造技術については、特開平５−１７３３２０号公
報等において詳細に説明されている。また、図１３
（ａ）を用いて示した間隔保持材４５のパターン形成で
は、感光性樹脂のパターンが、間隔保持材４５として作
用することになる。また、図１４（ａ）に示したような
感光性樹脂シート１０１は、支持フィルム１０４上に、
少なくとも熱可塑性樹脂層１０３と感光性樹脂層１０２
とを具備していることが好ましい。また、図１４（ａ）
に示した感光性樹脂シート１０１の貼付工程は、感光性
樹脂シート１０１をアクティブマトリクス基板１上に貼
付する貼付工程である、と表現することもできる。ま
た、本実施の形態に示したアクティブマトリクス基板１
は、請求項１１および１２における画素基板に相当する
部材である。
【０１４７】なお、本実施の形態は本発明の範囲を限定
するものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能
である。例えば、以下のように構成することもできる。
するものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能
である。例えば、以下のように構成することもできる。
【０１４８】上記二次元画像検出器は、Ｘ線等の放射線
に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光に対して
も光導電性を示す半導体（光導電体）を使用することに
より、Ｘ線（放射線）に加えて可視光や赤外光にも対応
した二次元画像検出器としても使用することができる。
に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光に対して
も光導電性を示す半導体（光導電体）を使用することに
より、Ｘ線（放射線）に加えて可視光や赤外光にも対応
した二次元画像検出器としても使用することができる。
【０１４９】ただし、この場合には、半導体（光導電
体）の入射側に配設される上部電極１７（図２）に、Ｉ
ＴＯ，ＳｎＯ2 等からなる可視光や赤外光を透過する透
明電極を用いる必要がある。また、半導体（光導電体）
の厚みも、可視光、赤外光の吸収効率に応じて最適化す
る必要がある。
体）の入射側に配設される上部電極１７（図２）に、Ｉ
ＴＯ，ＳｎＯ2 等からなる可視光や赤外光を透過する透
明電極を用いる必要がある。また、半導体（光導電体）
の厚みも、可視光、赤外光の吸収効率に応じて最適化す
る必要がある。
【０１５０】さらに、導電接続材３および間隔保持材４
５のパターン形成については、上述してきた光導電膜
（半導体層）やセンサ構造によって限定されるものでは
なく、他の光導電材料やセンサ構造を用いた二次元画像
検出器にも適用することができる。例えば、ａ−Ｓｅや
ａ−Ｓｉ等の半導体材料を光導電膜として使用すること
も可能である。
５のパターン形成については、上述してきた光導電膜
（半導体層）やセンサ構造によって限定されるものでは
なく、他の光導電材料やセンサ構造を用いた二次元画像
検出器にも適用することができる。例えば、ａ−Ｓｅや
ａ−Ｓｉ等の半導体材料を光導電膜として使用すること
も可能である。
【０１５１】また、対向基板（センサ基板）側の構造
は、ガラス基板等の支持基板を持たずに半導体基板自身
が支持基板の役割を果たす構造でもよいし、Ｘ線を可視
光に変換する変換層（例えばＣｓｌ）と可視光センサを
組み合わせた構造であってもよい。
は、ガラス基板等の支持基板を持たずに半導体基板自身
が支持基板の役割を果たす構造でもよいし、Ｘ線を可視
光に変換する変換層（例えばＣｓｌ）と可視光センサを
組み合わせた構造であってもよい。
【０１５２】さらに、間隔保持材４５は、アクティブマ
トリクス基板１および対向基板２の両者に対して接着性
あるいは粘着性を有する材料であってもよく、この場
合、両基板の接続強度が向上する。また、間隔保持材４
５を構成する樹脂材料４５ａに、補助材４５ｂ（図７参
照）と微粒子４５ｃ（図１２参照）との両者を混入して
用いることも可能である。
トリクス基板１および対向基板２の両者に対して接着性
あるいは粘着性を有する材料であってもよく、この場
合、両基板の接続強度が向上する。また、間隔保持材４
５を構成する樹脂材料４５ａに、補助材４５ｂ（図７参
照）と微粒子４５ｃ（図１２参照）との両者を混入して
用いることも可能である。
【０１５３】また、本実施の形態では、図６および図７
において、導電接続材３の形状を円柱形状として示して
いる。しかしながら、これに限らず、導電接続材３の形
状を、図１５に示すように、四角柱形状としてもよい。
また、電極１７（図２参照）を、Ｔａの導電膜から構成
してもよい。
において、導電接続材３の形状を円柱形状として示して
いる。しかしながら、これに限らず、導電接続材３の形
状を、図１５に示すように、四角柱形状としてもよい。
また、電極１７（図２参照）を、Ｔａの導電膜から構成
してもよい。
【０１５４】以上のように、本実施の形態に係る二次元
画像検出器は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子を介して該電極配線に接続される画素電極
とからなる画素配列層と、該画素配列層のほぼ全面に対
向して形成される電極部と、該画素配列層および該電極
部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを備え
ているのに加えて、上記画素配列層を含むアクティブマ
トリクス基板と、上記の電極部および半導体層を含む対
向基板とを備えており、該アクティブマトリクス基板の
画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよう
に両基板が配置されており、これら両基板が上記画素電
極に対応してパターニングされた導電性および接着性を
有する導電接続材によって接続されているものであっ
て、さらに、上記アクティブマトリクス基板と対向基板
との間隙に、パターン形成された間隔保持材が配設され
ている。
画像検出器は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子を介して該電極配線に接続される画素電極
とからなる画素配列層と、該画素配列層のほぼ全面に対
向して形成される電極部と、該画素配列層および該電極
部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを備え
ているのに加えて、上記画素配列層を含むアクティブマ
トリクス基板と、上記の電極部および半導体層を含む対
向基板とを備えており、該アクティブマトリクス基板の
画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよう
に両基板が配置されており、これら両基板が上記画素電
極に対応してパターニングされた導電性および接着性を
有する導電接続材によって接続されているものであっ
て、さらに、上記アクティブマトリクス基板と対向基板
との間隙に、パターン形成された間隔保持材が配設され
ている。
【０１５５】このように、間隔保持材を配設することに
より、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレス
して貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材
が両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持すること
ができる。よって、両基板の間隔が所定の値より狭くな
ることがなく、隣接して設けられている導電接続材同士
が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
より、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレス
して貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材
が両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持すること
ができる。よって、両基板の間隔が所定の値より狭くな
ることがなく、隣接して設けられている導電接続材同士
が接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能とな
る。
【０１５６】なお、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
【０１５７】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記間隔保持材が、絶縁性材料によって形成され
ている。
器は、上記間隔保持材が、絶縁性材料によって形成され
ている。
【０１５８】このように、絶縁性材料からなる間隔保持
材を使用することにより、導電接続材や間隔保持材のパ
ターン精度が悪い場合、あるいは導電接続材が多少押し
つぶされて形状が変化した場合に、たとえ両者が接触す
る状態になったとしても、隣接して設けられている導電
接続材同士の間には絶縁性の間隔保持材が配設されてい
るため、電気的にリークすることを防ぐことができる。
材を使用することにより、導電接続材や間隔保持材のパ
ターン精度が悪い場合、あるいは導電接続材が多少押し
つぶされて形状が変化した場合に、たとえ両者が接触す
る状態になったとしても、隣接して設けられている導電
接続材同士の間には絶縁性の間隔保持材が配設されてい
るため、電気的にリークすることを防ぐことができる。
【０１５９】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記のアクティブマトリクス基板と対向基板との
貼り合わせ前における上記間隔保持材の高さＨ１と上記
導電接続材の高さＨ２との関係が、２×Ｈ１≧Ｈ２≧Ｈ
１の条件を満たすように設定されている。
器は、上記のアクティブマトリクス基板と対向基板との
貼り合わせ前における上記間隔保持材の高さＨ１と上記
導電接続材の高さＨ２との関係が、２×Ｈ１≧Ｈ２≧Ｈ
１の条件を満たすように設定されている。
【０１６０】このように、導電接続材および間隔保持材
の高さをＨ２≧Ｈ１の条件を満たすように設定すること
により、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り
合わせにおいて、両基板の間隔が間隔保持材の高さに達
するまでプレスを行うことができる。よって、導電接続
材が間隔保持材との高さの差ΔＨ（＝Ｈ２−Ｈ１）だけ
押しつぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させ
ることができる。したがって、確実な導電接続を得るこ
とが可能となる。
の高さをＨ２≧Ｈ１の条件を満たすように設定すること
により、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り
合わせにおいて、両基板の間隔が間隔保持材の高さに達
するまでプレスを行うことができる。よって、導電接続
材が間隔保持材との高さの差ΔＨ（＝Ｈ２−Ｈ１）だけ
押しつぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させ
ることができる。したがって、確実な導電接続を得るこ
とが可能となる。
【０１６１】また、導電接続材および間隔保持材の高さ
を２×Ｈ１≧Ｈ２の条件を満たすように設定することに
より、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合
わせ前後での導電接続材の面積変化を２倍以内に抑える
ことができる。よって、隣接して設けられている導電接
続材同士の接触による隣接画素へのリークをより確実に
防止することができる。
を２×Ｈ１≧Ｈ２の条件を満たすように設定することに
より、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合
わせ前後での導電接続材の面積変化を２倍以内に抑える
ことができる。よって、隣接して設けられている導電接
続材同士の接触による隣接画素へのリークをより確実に
防止することができる。
【０１６２】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記間隔保持材が、上記画素電極に対応してパタ
ーン形成された導電接続材を囲むように格子状に形成さ
れている。
器は、上記間隔保持材が、上記画素電極に対応してパタ
ーン形成された導電接続材を囲むように格子状に形成さ
れている。
【０１６３】このように、導電接続材を囲むように間隔
保持材を配設することにより、導電接続材や間隔保持材
のパターン精度が悪い場合、あるいは導電接続材が押し
つぶされて形状が変化した場合に、たとえ両者が接触す
る状態になったとしても、隣接して設けられている導電
接続材同士は間隔保持材によって隔てられているため、
電気的にリークすることは防ぐことができる。
保持材を配設することにより、導電接続材や間隔保持材
のパターン精度が悪い場合、あるいは導電接続材が押し
つぶされて形状が変化した場合に、たとえ両者が接触す
る状態になったとしても、隣接して設けられている導電
接続材同士は間隔保持材によって隔てられているため、
電気的にリークすることは防ぐことができる。
【０１６４】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記間隔保持材が、絶縁性の粒子状あるいはファ
イバ状（繊維状・繊維片）の補助材を液状の樹脂材料中
に混入させたものである。
器は、上記間隔保持材が、絶縁性の粒子状あるいはファ
イバ状（繊維状・繊維片）の補助材を液状の樹脂材料中
に混入させたものである。
【０１６５】このように、間隔保持材の樹脂中に補助材
を混入させることにより、間隔保持材の樹脂が軟質な樹
脂材料からなる場合でも、その中に絶縁性の粒子あるい
はファイバ片を分散させておくことで、十分な間隔保持
力を発揮することが可能となる。
を混入させることにより、間隔保持材の樹脂が軟質な樹
脂材料からなる場合でも、その中に絶縁性の粒子あるい
はファイバ片を分散させておくことで、十分な間隔保持
力を発揮することが可能となる。
【０１６６】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記間隔保持材が、上記導電接続材の熱圧着によ
る接続プロセス環境下において、上記導電接続材より高
い硬度を有するように設定されている。
器は、上記間隔保持材が、上記導電接続材の熱圧着によ
る接続プロセス環境下において、上記導電接続材より高
い硬度を有するように設定されている。
【０１６７】このように、導電接続材の熱圧着状態にお
ける導電接続材および間隔保持材の硬度を設定すること
により、熱圧着によりアクティブマトリクス基板と対向
基板との貼り合わせ接続を行う場合、導電接続材がわず
かに軟化する温度環境下であっても、間隔保持材は十分
な間隔保持力を発揮することが可能となる。
ける導電接続材および間隔保持材の硬度を設定すること
により、熱圧着によりアクティブマトリクス基板と対向
基板との貼り合わせ接続を行う場合、導電接続材がわず
かに軟化する温度環境下であっても、間隔保持材は十分
な間隔保持力を発揮することが可能となる。
【０１６８】また、本実施の形態に係る二次元画像検出
器は、上記間隔保持材がポリイミド高分子材料から形成
されている。
器は、上記間隔保持材がポリイミド高分子材料から形成
されている。
【０１６９】ポリイミド高分子材料は、電気絶縁性に優
れており、軟化点も３００℃以上であり、さらに放射線
に対しても安定な材料である。よって、ポリイミド高分
子材料を間隔保持材として好適に使用することができ
る。
れており、軟化点も３００℃以上であり、さらに放射線
に対しても安定な材料である。よって、ポリイミド高分
子材料を間隔保持材として好適に使用することができ
る。
【０１７０】さらに、本実施の形態に係る二次元画像検
出器の製造方法は、上記のアクティブマトリクス基板お
よび対向基板のうち、どちらか一方の基板上に上記導電
接続材をパターン形成するとともに、他方の基板上に上
記間隔保持材をパターン配置した後、両基板を貼り合わ
せて接続する。
出器の製造方法は、上記のアクティブマトリクス基板お
よび対向基板のうち、どちらか一方の基板上に上記導電
接続材をパターン形成するとともに、他方の基板上に上
記間隔保持材をパターン配置した後、両基板を貼り合わ
せて接続する。
【０１７１】このように、導電接続材と間隔保持材とを
別々の基板上に形成することにより、個々の材料のパタ
ーン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基板
上に導電接続材および間隔保持材をパターン形成するこ
とも可能ではあるが、先に形成したパターンが、後のパ
ターン形成の障害となるので、その場合は使用する材料
やプロセスに工夫が要求される。
別々の基板上に形成することにより、個々の材料のパタ
ーン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基板
上に導電接続材および間隔保持材をパターン形成するこ
とも可能ではあるが、先に形成したパターンが、後のパ
ターン形成の障害となるので、その場合は使用する材料
やプロセスに工夫が要求される。
【０１７２】
【発明の効果】本発明にかかる第一の二次元画像検出器
は、以上のように、格子状に配列された電極配線と、各
格子点ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該
スイッチング素子を介して該電極配線に接続される画素
電極とからなる画素配列層を含むアクティブマトリクス
基板と、該画素配列層のほぼ全面に対向して形成される
電極部と、該画素配列層および該電極部の間に形成され
る光導電性を有する半導体層とを含む対向基板とを備え
ており、これら両基板が、該アクティブマトリクス基板
の画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよ
うに配置されるとともに、該画素電極に対応してパター
ン形成された導電性および接着性を有する導電接続材に
よって接続されており、さらに、これら両基板の間隙
に、両基板の間隔を保持する間隔保持材がパターン形成
されている構成である。
は、以上のように、格子状に配列された電極配線と、各
格子点ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該
スイッチング素子を介して該電極配線に接続される画素
電極とからなる画素配列層を含むアクティブマトリクス
基板と、該画素配列層のほぼ全面に対向して形成される
電極部と、該画素配列層および該電極部の間に形成され
る光導電性を有する半導体層とを含む対向基板とを備え
ており、これら両基板が、該アクティブマトリクス基板
の画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよ
うに配置されるとともに、該画素電極に対応してパター
ン形成された導電性および接着性を有する導電接続材に
よって接続されており、さらに、これら両基板の間隙
に、両基板の間隔を保持する間隔保持材がパターン形成
されている構成である。
【０１７３】それゆえ、画素配列層を含むアクティブマ
トリクス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板
とを画素電極に対応してパターニングされた導電接続材
によって接続することで、上記アクティブマトリクス基
板と対向基板とを別々に作成することが可能となる。
トリクス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板
とを画素電極に対応してパターニングされた導電接続材
によって接続することで、上記アクティブマトリクス基
板と対向基板とを別々に作成することが可能となる。
【０１７４】よって、半導体層の成膜温度と、アクティ
ブマトリクス基板上のスイッチング素子の耐熱性との関
係により、従来では使用できなかった材料を上記半導体
層に使用することができるという効果を奏する。特に、
上記半導体層に、従来より感度（Ｓ／Ｎ比）が高い、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体等を用
いることで、従来よりも、二次元画像検出器の応答性を
向上させることができると共に、動画像の検出も可能と
なるという効果を奏する。
ブマトリクス基板上のスイッチング素子の耐熱性との関
係により、従来では使用できなかった材料を上記半導体
層に使用することができるという効果を奏する。特に、
上記半導体層に、従来より感度（Ｓ／Ｎ比）が高い、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体等を用
いることで、従来よりも、二次元画像検出器の応答性を
向上させることができると共に、動画像の検出も可能と
なるという効果を奏する。
【０１７５】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、間隔保持材が両基
板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することができ
る。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭くなる
ことがなく、隣接して設けられている導電接続材同士が
接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能となると
いう効果を奏する。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、間隔保持材が両基
板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することができ
る。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭くなる
ことがなく、隣接して設けられている導電接続材同士が
接触する（リーク不良）ことを防ぐことが可能となると
いう効果を奏する。
【０１７６】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。よって、導電接続材に要
求される導電性や接着剤に悪影響を与えることなく、上
記の効果を得ることが可能となる。
【０１７７】また、上記間隔保持材は、上記導電接続材
を囲むように格子状に形成されていることが好ましい。
これにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精度が
悪い場合、あるいは導電接続材が押しつぶされて形状が
変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になったと
しても、隣接して設けられている導電接続材同士は間隔
保持材によって隔てられているため、導電接続材同士が
接触する（リーク不良）ことを防ぐことができるという
効果を奏する。
を囲むように格子状に形成されていることが好ましい。
これにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精度が
悪い場合、あるいは導電接続材が押しつぶされて形状が
変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になったと
しても、隣接して設けられている導電接続材同士は間隔
保持材によって隔てられているため、導電接続材同士が
接触する（リーク不良）ことを防ぐことができるという
効果を奏する。
【０１７８】さらに、上記間隔保持材は、電気絶縁性を
有する材料によって形成されていることが好ましい。こ
れにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精度が悪
い場合、あるいは導電接続材が多少押しつぶされて形状
が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になった
としても、隣接して設けられている導電接続材同士の間
には絶縁性の間隔保持材が配設されているため、電気的
にリークすることをより確実に防ぐことができるという
効果を奏する。
有する材料によって形成されていることが好ましい。こ
れにより、導電接続材や間隔保持材のパターン精度が悪
い場合、あるいは導電接続材が多少押しつぶされて形状
が変化した場合に、たとえ両者が接触する状態になった
としても、隣接して設けられている導電接続材同士の間
には絶縁性の間隔保持材が配設されているため、電気的
にリークすることをより確実に防ぐことができるという
効果を奏する。
【０１７９】また、上記間隔保持材は、上記導電接続材
の接続工程の熱圧着環境下において、該導電接続材より
高い硬度を有するように設定されていることも好ましい
といえる。このように設定すれば、熱圧着によりアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の貼り合わせ接続を行う
場合、導電接続材がわずかに軟化する温度環境下であっ
ても、間隔保持材は十分な間隔保持力を発揮することが
できるという効果を奏する。
の接続工程の熱圧着環境下において、該導電接続材より
高い硬度を有するように設定されていることも好ましい
といえる。このように設定すれば、熱圧着によりアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の貼り合わせ接続を行う
場合、導電接続材がわずかに軟化する温度環境下であっ
ても、間隔保持材は十分な間隔保持力を発揮することが
できるという効果を奏する。
【０１８０】また、上記間隔保持材は、感光性を有する
樹脂材料よりなっていることが好ましい。これにより、
間隔保持材のパターン精度を高く設定することができる
という効果を奏する。
樹脂材料よりなっていることが好ましい。これにより、
間隔保持材のパターン精度を高く設定することができる
という効果を奏する。
【０１８１】また、間隔保持材を構成する樹脂材料とし
ては、ポリイミド高分子材料を用いることが好ましい。
このようにすれば、電気絶縁性に優れており、軟化点も
３００℃以上であり、さらに放射線に対しても安定であ
るという優れた特性を有する間隔保持材を作成できる。
ては、ポリイミド高分子材料を用いることが好ましい。
このようにすれば、電気絶縁性に優れており、軟化点も
３００℃以上であり、さらに放射線に対しても安定であ
るという優れた特性を有する間隔保持材を作成できる。
【０１８２】また、この間隔保持材は、電気絶縁性を有
する樹脂材料中に、電気絶縁性を有する補助材またはフ
ィラーを混入したものによって構成してもよい。これに
より、間隔保持材の樹脂材料が軟質のものである場合で
も、その内部に電気絶縁性を有する補助材やフィラーを
分散させておくことで、十分な間隔保持力を発揮するこ
とが可能となるという効果を奏する。
する樹脂材料中に、電気絶縁性を有する補助材またはフ
ィラーを混入したものによって構成してもよい。これに
より、間隔保持材の樹脂材料が軟質のものである場合で
も、その内部に電気絶縁性を有する補助材やフィラーを
分散させておくことで、十分な間隔保持力を発揮するこ
とが可能となるという効果を奏する。
【０１８３】また、間隔保持材として、電気絶縁性を有
する液状の樹脂材料中に、導電接続材の接続工程の熱圧
着環境下での変形量が小さく、電気絶縁性を有する補助
材を混入したものを用いてもよい。このようにしても、
間隔保持材の間隔保持力を十分に高めることが可能とな
る。
する液状の樹脂材料中に、導電接続材の接続工程の熱圧
着環境下での変形量が小さく、電気絶縁性を有する補助
材を混入したものを用いてもよい。このようにしても、
間隔保持材の間隔保持力を十分に高めることが可能とな
る。
【０１８４】また、本発明にかかる第一の二次元画像検
出器の製造方法は、以上のように、格子状に配列された
電極配線と、各格子点ごとに設けられた複数のスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子を介して該電極配線に
接続される画素電極とからなる画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板、および、該画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、該画素配列層および該
電極部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板のうち、どちらか一方の基板上に、該画素
電極に対応して導電性および接着性を有する導電接続材
をパターン形成する第一の工程と、他方の基板上に、電
気絶縁性を有し、両基板の間隔を保持する間隔保持材を
該導電接続材を囲むように格子状にパターン形成する第
二の工程と、両基板を、該アクティブマトリクス基板の
画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよう
に配置する第三の工程と、両基板を、該導電接続材を介
して接続して貼り合わせる第四の工程とを含んでいる方
法である。
出器の製造方法は、以上のように、格子状に配列された
電極配線と、各格子点ごとに設けられた複数のスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子を介して該電極配線に
接続される画素電極とからなる画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板、および、該画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、該画素配列層および該
電極部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板のうち、どちらか一方の基板上に、該画素
電極に対応して導電性および接着性を有する導電接続材
をパターン形成する第一の工程と、他方の基板上に、電
気絶縁性を有し、両基板の間隔を保持する間隔保持材を
該導電接続材を囲むように格子状にパターン形成する第
二の工程と、両基板を、該アクティブマトリクス基板の
画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するよう
に配置する第三の工程と、両基板を、該導電接続材を介
して接続して貼り合わせる第四の工程とを含んでいる方
法である。
【０１８５】それゆえ、従来のように、既に画素配列層
が形成されている基板上に新たに半導体層を形成する必
要がない。よって、従来では使用できなかった材料、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を上記
半導体層に使用することができるという効果を奏する。
そして、これらの半導体材料を用いることにより、二次
元画像検出器の応答性が改善され、動画像の検出も可能
となるという効果を奏する。
が形成されている基板上に新たに半導体層を形成する必
要がない。よって、従来では使用できなかった材料、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を上記
半導体層に使用することができるという効果を奏する。
そして、これらの半導体材料を用いることにより、二次
元画像検出器の応答性が改善され、動画像の検出も可能
となるという効果を奏する。
【０１８６】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことができると
いう効果を奏する。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことができると
いう効果を奏する。
【０１８７】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。したがって、導電接続材
に要求される導電性や接着剤に悪影響を与えることな
く、上記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。したがって、導電接続材
に要求される導電性や接着剤に悪影響を与えることな
く、上記の効果を得ることが可能となる。
【０１８８】さらに、導電接続材と間隔保持材とをそれ
それ別々の基板上に形成しているので、個々の材料のパ
ターン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基
板上に、導電接続材および間隔保持材をパターン形成す
ることも可能であるが、先に形成したパターンが、後の
パターン形成の障害となるので、その場合は使用する材
料やプロセスに工夫が要求される。
それ別々の基板上に形成しているので、個々の材料のパ
ターン形成を容易に行うことができる。なお、一方の基
板上に、導電接続材および間隔保持材をパターン形成す
ることも可能であるが、先に形成したパターンが、後の
パターン形成の障害となるので、その場合は使用する材
料やプロセスに工夫が要求される。
【０１８９】また、本発明にかかる第二の二次元画像検
出器の製造方法は、以上のように、格子状に配列された
電極配線と、各格子点ごとに設けられた複数のスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子を介して該電極配線に
接続される画素電極とからなる画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板、および、該画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、該画素配列層および該
電極部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板のうち、どちらか一方の基板上に、電気絶
縁性を有し、両基板の間隔を保持する間隔保持材と、該
画素電極に対応して導電性および接着性を有する導電接
続材との両者をパターン形成する第一の工程と、両基板
を、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように配置する第二の工
程と、両基板を、該導電接続材を介して接続して貼り合
わせる第三の工程とを含んでいる方法である。
出器の製造方法は、以上のように、格子状に配列された
電極配線と、各格子点ごとに設けられた複数のスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子を介して該電極配線に
接続される画素電極とからなる画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板、および、該画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、該画素配列層および該
電極部の間に形成される光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板のうち、どちらか一方の基板上に、電気絶
縁性を有し、両基板の間隔を保持する間隔保持材と、該
画素電極に対応して導電性および接着性を有する導電接
続材との両者をパターン形成する第一の工程と、両基板
を、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように配置する第二の工
程と、両基板を、該導電接続材を介して接続して貼り合
わせる第三の工程とを含んでいる方法である。
【０１９０】それゆえ、従来のように、既に画素配列層
が形成されている基板上に新たに半導体層を形成する必
要がない。よって、従来では使用できなかった材料、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を上記
半導体層に使用することができるという効果を奏する。
そして、これらの半導体材料を用いることにより、二次
元画像検出器の応答性が改善され、動画像の検出も可能
となるという効果を奏する。
が形成されている基板上に新たに半導体層を形成する必
要がない。よって、従来では使用できなかった材料、例
えばＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を上記
半導体層に使用することができるという効果を奏する。
そして、これらの半導体材料を用いることにより、二次
元画像検出器の応答性が改善され、動画像の検出も可能
となるという効果を奏する。
【０１９１】加えて、間隔保持材を配設することによ
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことができると
いう効果を奏する。
り、両基板の接続不良が発生しない程度に強くプレスし
て貼り合わせ接続を行ったとしても、上記間隔保持材が
両基板の間隔（ギャップ）を一定以上に保持することが
できる。したがって、両基板の間隔が所定の値より狭く
なることがなく、隣接して設けられている導電接続材同
士が接触する（リーク不良）ことを防ぐことができると
いう効果を奏する。
【０１９２】また、上記間隔保持材をパターン形成する
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。したがって、導電接続材
に要求される導電性や接着剤に悪影響を与えることな
く、上記の効果を得ることが可能となる。
ことにより、導電接続材が存在しない部分にのみ間隔保
持材を配置することができる。したがって、導電接続材
に要求される導電性や接着剤に悪影響を与えることな
く、上記の効果を得ることが可能となる。
【０１９３】さらに、導電接続材と間隔保持材とをとも
に同一の基板上に形成しているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とのうち、導電接続材や間隔保持材
のパターン形成プロセスによって悪影響を受け難い方の
基板上に両者を形成することができる。
に同一の基板上に形成しているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とのうち、導電接続材や間隔保持材
のパターン形成プロセスによって悪影響を受け難い方の
基板上に両者を形成することができる。
【０１９４】また、上記した第一および第二の二次元画
像検出器の製造方法では、前記導電接続材および前記導
電接続材における少なくとも一方のパターン形成を、感
光性樹脂シートに対する貼付工程とフォトリソグラフィ
工程とによって行うことが好ましい。これにより、二次
元画像検出器の面積が大きくても、感光性樹脂シートの
貼付工程を用いているので、導電接続材や間隔保持材を
均一な厚みで容易に形成できるという効果を奏する。
像検出器の製造方法では、前記導電接続材および前記導
電接続材における少なくとも一方のパターン形成を、感
光性樹脂シートに対する貼付工程とフォトリソグラフィ
工程とによって行うことが好ましい。これにより、二次
元画像検出器の面積が大きくても、感光性樹脂シートの
貼付工程を用いているので、導電接続材や間隔保持材を
均一な厚みで容易に形成できるという効果を奏する。
【０１９５】また、感光性樹脂シートとして、特開平５
−１７３３２０号公報に記載されているように、熱可塑
性樹脂層を具備させた樹脂シートを用いることで、貼付
を行おうとする下地に凹凸が存在していたとしても、気
泡の巻き込みなどを最小限に抑えながら感光性樹脂シー
トを貼付することができる。
−１７３３２０号公報に記載されているように、熱可塑
性樹脂層を具備させた樹脂シートを用いることで、貼付
を行おうとする下地に凹凸が存在していたとしても、気
泡の巻き込みなどを最小限に抑えながら感光性樹脂シー
トを貼付することができる。
【０１９６】また、第一および第二の二次元画像検出器
の製造方法では、前記アクティブマトリクス基板と対向
基板とを貼り合せる前においては、導電接続材が間隔保
持材よりも高くなるように、これら導電接続材および間
隔保持材をパターン形成するように設定されていること
が好ましい。
の製造方法では、前記アクティブマトリクス基板と対向
基板とを貼り合せる前においては、導電接続材が間隔保
持材よりも高くなるように、これら導電接続材および間
隔保持材をパターン形成するように設定されていること
が好ましい。
【０１９７】これにより、アクティブマトリクス基板と
対向基板との貼り合わせにおいて、両基板の間隙が間隔
保持材の高さに達するまでプレスを行うことができる。
したがって、導電接続材が間隔保持材との高さの差だけ
つぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させるこ
とができるので、確実な導電接続を得ることが可能とな
るという効果を奏する。
対向基板との貼り合わせにおいて、両基板の間隙が間隔
保持材の高さに達するまでプレスを行うことができる。
したがって、導電接続材が間隔保持材との高さの差だけ
つぶされて、導電接続材を両基板に完全に密着させるこ
とができるので、確実な導電接続を得ることが可能とな
るという効果を奏する。
【０１９８】また、本発明にかかる第二の二次元画像検
出器は、以上のように、複数の画素を有する画素配列層
を備えた画素基板と、入射光に応じて電荷を発生する光
導電層を備えた対向基板とが対向して設けられた二次元
画像検出器において、画素配列層における各画素に対応
して設けられ、画素配列層と光導電膜とを電気的に接続
する導電接続材と、上記両基板の間隔を保持する間隔保
持材とを備えている構成である。
出器は、以上のように、複数の画素を有する画素配列層
を備えた画素基板と、入射光に応じて電荷を発生する光
導電層を備えた対向基板とが対向して設けられた二次元
画像検出器において、画素配列層における各画素に対応
して設けられ、画素配列層と光導電膜とを電気的に接続
する導電接続材と、上記両基板の間隔を保持する間隔保
持材とを備えている構成である。
【０１９９】上記の構成では、画素基板と対向基板とが
互いに対向するように配されており、これら各基板に、
画素配列層と光導電膜とがそれぞれ設けられている。対
向基板に設けられた光導電膜は、光（放射線等）の入射
によって電荷を発生する薄膜であり、例えば半導体膜か
ら構成されるものである。また、この光導電膜は、画素
基板の画素配列層に対向して設けられている。
互いに対向するように配されており、これら各基板に、
画素配列層と光導電膜とがそれぞれ設けられている。対
向基板に設けられた光導電膜は、光（放射線等）の入射
によって電荷を発生する薄膜であり、例えば半導体膜か
ら構成されるものである。また、この光導電膜は、画素
基板の画素配列層に対向して設けられている。
【０２００】この二次元画像検出器では、画素配列層と
光導電膜とを、それぞれ異なる基板上に形成するように
なっており、画素配列層上に光導電膜を形成することを
回避している。これにより、光導電膜に施される熱処理
が、画素配列層に影響することを防止できる。したがっ
て、光導電膜の材料として、入射光に対する応答性およ
び感度の高い、高い温度での熱処理を要する材料を採用
することが可能となる。これにより、二次元画像検出の
応答性を改善できるようになっている。
光導電膜とを、それぞれ異なる基板上に形成するように
なっており、画素配列層上に光導電膜を形成することを
回避している。これにより、光導電膜に施される熱処理
が、画素配列層に影響することを防止できる。したがっ
て、光導電膜の材料として、入射光に対する応答性およ
び感度の高い、高い温度での熱処理を要する材料を採用
することが可能となる。これにより、二次元画像検出の
応答性を改善できるようになっている。
【０２０１】また、上記のような材料を用いれば、光導
電膜に対する印加電圧を低くできるので、この膜を高電
圧から保護するための誘電体層を設ける必要がない。こ
のため、誘電体層に残留する電荷を除去する工程が不要
となるので、連続的な画像検出、すなわち動画像検出も
可能となる。
電膜に対する印加電圧を低くできるので、この膜を高電
圧から保護するための誘電体層を設ける必要がない。こ
のため、誘電体層に残留する電荷を除去する工程が不要
となるので、連続的な画像検出、すなわち動画像検出も
可能となる。
【０２０２】さらに、上記両基板の間隔を保持するため
の間隔保持材を備えているので、両基板に対する貼り合
わせ接続の際、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。これにより、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしの接触（リーク不良）を抑制で
きる。
の間隔保持材を備えているので、両基板に対する貼り合
わせ接続の際、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。これにより、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしの接触（リーク不良）を抑制で
きる。
【０２０３】また、本発明の第三の二次元画像検出器の
製造方法は、以上のように、複数の画素を有する画素配
列層を備えた画素基板と、入射光に応じて電荷を発生す
る光導電層を備えた対向基板とを有する二次元画像検出
器の製造方法において、上記両基板のいずれか一方に、
画素配列層の画素に対応させて導電接続材を形成する接
続材形成工程と、上記両基板のいずれか一方に、両基板
の間隔を保持する間隔保持材を形成する保持材形成工程
と、上記両基板を、画素配列層と半導体層とを対向させ
るように貼り合わせる貼り合わせ工程とを含む方法であ
る。
製造方法は、以上のように、複数の画素を有する画素配
列層を備えた画素基板と、入射光に応じて電荷を発生す
る光導電層を備えた対向基板とを有する二次元画像検出
器の製造方法において、上記両基板のいずれか一方に、
画素配列層の画素に対応させて導電接続材を形成する接
続材形成工程と、上記両基板のいずれか一方に、両基板
の間隔を保持する間隔保持材を形成する保持材形成工程
と、上記両基板を、画素配列層と半導体層とを対向させ
るように貼り合わせる貼り合わせ工程とを含む方法であ
る。
【０２０４】この製造方法では、画素配列層の上に半導
体層を形成することを回避しているため、光導電膜の材
料として、入射光に対する応答性および感度の高い、高
温の熱処理を要する材料を採用できる。これにより、応
答性が高く、動画検出の可能な二次元画像検出を製造で
きるようになっている。
体層を形成することを回避しているため、光導電膜の材
料として、入射光に対する応答性および感度の高い、高
温の熱処理を要する材料を採用できる。これにより、応
答性が高く、動画検出の可能な二次元画像検出を製造で
きるようになっている。
【０２０５】また、この製造方法では、画素基板と対向
基板とを、画素配列層における各画素に対応して設けら
れた導電接続材によって接続するようになっている。こ
れにより、各画素間における電気的絶縁性を確保しなが
ら、各画素と光導電膜とを電気的に接続できる。したが
って、クロストークのない二次元画像検出器を製造する
ことが可能となる。
基板とを、画素配列層における各画素に対応して設けら
れた導電接続材によって接続するようになっている。こ
れにより、各画素間における電気的絶縁性を確保しなが
ら、各画素と光導電膜とを電気的に接続できる。したが
って、クロストークのない二次元画像検出器を製造する
ことが可能となる。
【０２０６】また、この製造方法では、両基板を貼り合
わせる前に、いずれか一方の基板上に、間隔保持材を形
成するように設定されている。これにより、貼り合わせ
工程において、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。したがって、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしの接触を抑制できるようになっ
ている。
わせる前に、いずれか一方の基板上に、間隔保持材を形
成するように設定されている。これにより、貼り合わせ
工程において、基板間隔が狭くなり過ぎることを防止で
きる。したがって、導電接続材の破損や、隣接配置され
ている導電接続材どうしの接触を抑制できるようになっ
ている。
【図１】本発明の一実施の形態に係る二次元画像検出器
の全体構成の概略を示す断面図である。
の全体構成の概略を示す断面図である。
【図２】図１に示した二次元画像検出器の１画素当たり
の構成（図１の領域Ａ）を示す断面図である。
の構成（図１の領域Ａ）を示す断面図である。
【図３】図１に示した二次元画像検出器の貼り合わせプ
ロセスを示す説明図であり、図３（ａ）は導電接続材の
パターン形成の工程、図３（ｂ）は間隔保持材のパター
ン形成の工程、図３（ｃ）はアクティブマトリクス基板
と対向基板との位置合わせの工程、図３（ｄ）はアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせの工程を
示す。
ロセスを示す説明図であり、図３（ａ）は導電接続材の
パターン形成の工程、図３（ｂ）は間隔保持材のパター
ン形成の工程、図３（ｃ）はアクティブマトリクス基板
と対向基板との位置合わせの工程、図３（ｄ）はアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせの工程を
示す。
【図４】図１に示した二次元画像検出器の貼り合わせプ
ロセスを示す説明図であり、図４（ａ）は基板の貼り合
わせ前の導電接続材および間隔保持材、図４（ｂ）は基
板の貼り合わせ後の導電接続材および間隔保持材を示
す。
ロセスを示す説明図であり、図４（ａ）は基板の貼り合
わせ前の導電接続材および間隔保持材、図４（ｂ）は基
板の貼り合わせ後の導電接続材および間隔保持材を示
す。
【図５】図１に示した二次元画像検出器のアクティブマ
トリクス基板に形成されている各電極の配線パターンの
一例を示す平面図である。
トリクス基板に形成されている各電極の配線パターンの
一例を示す平面図である。
【図６】図１に示した二次元画像検出器のアクティブマ
トリクス基板に対する導電接続材および間隔保持材の配
置関係を示す平面図である。
トリクス基板に対する導電接続材および間隔保持材の配
置関係を示す平面図である。
【図７】図１に示した二次元画像検出器の間隔保持材の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図８】本発明の前提となる技術に係る二次元画像検出
器の全体構成の概略を示す断面図である。
器の全体構成の概略を示す断面図である。
【図９】図８に示した二次元画像検出器の１画素当たり
の構成（図８の領域Ｂ）を示す断面図である。
の構成（図８の領域Ｂ）を示す断面図である。
【図１０】従来の放射線二次元画像検出器の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１１】図１０に示した従来の放射線二次元画像検出
器の１画素当たりの構成を示す断面図である。
器の１画素当たりの構成を示す断面図である。
【図１２】図１に示した二次元画像検出器における間隔
保持材に、微粒子を混入した状態を示す断面図である。
保持材に、微粒子を混入した状態を示す断面図である。
【図１３】図１に示した二次元画像検出器における他の
貼り合わせプロセスを示す説明図であり、図１３（ａ）
は、間隔保持材のパターン形成工程、図１３（ｂ）は、
導電接続材のパターン形成工程、図１３（ｃ）は、アク
ティブマトリクス基板と対向基板との位置合わせ工程、
図１３（ｄ）は、アクティブマトリクス基板と対向基板
との貼り合わせ工程を示す説明図である。
貼り合わせプロセスを示す説明図であり、図１３（ａ）
は、間隔保持材のパターン形成工程、図１３（ｂ）は、
導電接続材のパターン形成工程、図１３（ｃ）は、アク
ティブマトリクス基板と対向基板との位置合わせ工程、
図１３（ｄ）は、アクティブマトリクス基板と対向基板
との貼り合わせ工程を示す説明図である。
【図１４】図１３（ｂ）に示した導電接続材のパターン
形成工程を詳細に示す説明図であり、図１４（ａ）は、
感光性樹脂シートをアクティブマトリクス基板に貼付す
る工程、図１４（ｂ）は、感光性樹脂シートから支持フ
ィルムを除去する工程、図１４（ｃ）は、感光性樹脂層
に対するフォトリソグラフィ工程を示す説明図である。
形成工程を詳細に示す説明図であり、図１４（ａ）は、
感光性樹脂シートをアクティブマトリクス基板に貼付す
る工程、図１４（ｂ）は、感光性樹脂シートから支持フ
ィルムを除去する工程、図１４（ｃ）は、感光性樹脂層
に対するフォトリソグラフィ工程を示す説明図である。
【図１５】図１に示した二次元画像検出器における導電
接続材の他の形状を示す平面図である。
接続材の他の形状を示す平面図である。
【図１６】図１に示した二次元画像検出器における１画
素当たりの等価回路図である。
素当たりの等価回路図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 導電接続材 ５ ＴＦＴ（スイッチング素子） ８ ゲート電極（電極配線） ９ ソース電極（電極配線） １４ 画素電極 １７ 上部電極（電極部） ３２ 半導体層 ４０ 画素配列層 ４５ 間隔保持材 ４５ａ 樹脂材料 ４５ｂ 補助材 １０１ 感光性樹脂シート １０２ 感光性樹脂層 １０３ 熱可塑性樹脂層 １０４ 支持フィルム １１１ ヒートローラー Ｈ２ 基板の貼り合わせ前の導電接続材の高さ Ｈ１ 基板の貼り合わせ前の間隔保持材の高さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｎ
Claims (12)
- 【請求項１】格子状に配列された電極配線と、各格子点
ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して該電極配線に接続される画素電極と
からなる画素配列層を含むアクティブマトリクス基板
と、 該画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、該画素配列層および該電極部の間に形成される光導
電性を有する半導体層とを含む対向基板とを備えてお
り、 これら両基板が、該アクティブマトリクス基板の画素配
列層と、該対向基板の半導体層とが対向するように配置
されるとともに、該画素電極に対応してパターン形成さ
れた導電性および接着性を有する導電接続材によって接
続されており、 さらに、これら両基板の間隙に、両基板の間隔を保持す
る間隔保持材がパターン形成されていることを特徴とす
る二次元画像検出器。 - 【請求項２】上記間隔保持材は、上記導電接続材を囲む
ように格子状に形成されていることを特徴とする請求項
１記載の二次元画像検出器。 - 【請求項３】上記間隔保持材は、電気絶縁性を有する材
料によって形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の二次元画像検出器。 - 【請求項４】上記間隔保持材は、上記導電接続材の接続
工程の熱圧着環境下において、該導電接続材より高い硬
度を有するように設定されていることを特徴とする請求
項１から３の何れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項５】上記間隔保持材は、感光性を有する樹脂材
料よりなっていることを特徴とする請求項１から４の何
れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項６】上記間隔保持材は、電気絶縁性を有する樹
脂材料中に、電気絶縁性を有する補助材またはフィラー
の混入されたものであることを特徴とする請求項１から
５の何れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項７】格子状に配列された電極配線と、各格子点
ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して該電極配線に接続される画素電極と
からなる画素配列層を含むアクティブマトリクス基板、
および、該画素配列層のほぼ全面に対向して形成される
電極部と、該画素配列層および該電極部の間に形成され
る光導電性を有する半導体層とを含む対向基板のうち、
どちらか一方の基板上に、該画素電極に対応して導電性
および接着性を有する導電接続材をパターン形成する第
一の工程と、 他方の基板上に、電気絶縁性を有し、両基板の間隔を保
持する間隔保持材を該導電接続材を囲むように格子状に
パターン形成する第二の工程と、 両基板を、該アクティブマトリクス基板の画素配列層
と、該対向基板の半導体層とが対向するように配置する
第三の工程と、 両基板を、該導電接続材を介して接続して貼り合わせる
第四の工程とを含んでいることを特徴とする二次元画像
検出器の製造方法。 - 【請求項８】格子状に配列された電極配線と、各格子点
ごとに設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して該電極配線に接続される画素電極と
からなる画素配列層を含むアクティブマトリクス基板、
および、該画素配列層のほぼ全面に対向して形成される
電極部と、該画素配列層および該電極部の間に形成され
る光導電性を有する半導体層とを含む対向基板のうち、
どちらか一方の基板上に、電気絶縁性を有し、両基板の
間隔を保持する間隔保持材と、該画素電極に対応して導
電性および接着性を有する導電接続材との両者をパター
ン形成する第一の工程と、 両基板を、該アクティブマトリクス基板の画素配列層
と、該対向基板の半導体層とが対向するように配置する
第二の工程と、 両基板を、該導電接続材を介して接続して貼り合わせる
第三の工程とを含んでいることを特徴とする二次元画像
検出器の製造方法。 - 【請求項９】前記導電接続材および前記導電接続材にお
ける少なくとも一方のパターン形成を、感光性樹脂シー
トに対する貼付工程とフォトリソグラフィ工程とによっ
て行うことを特徴とする請求項７または８記載の二次元
画像検出器の製造方法。 - 【請求項１０】前記アクティブマトリクス基板と対向基
板とを貼り合せる前においては、導電接続材が間隔保持
材よりも高くなるように、これら導電接続材および間隔
保持材をパターン形成するように設定されていることを
特徴とする請求項７または８記載の二次元画像検出器の
製造方法。 - 【請求項１１】複数の画素を有する画素配列層を備えた
画素基板と、入射光に応じて電荷を発生する光導電層を
備えた対向基板とを有する二次元画像検出器において、 画素配列層における各画素に対応して設けられ、画素配
列層と光導電膜とを電気的に接続する導電接続材と、 上記両基板の間隔を保持する間隔保持材とを備えている
ことを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項１２】複数の画素を有する画素配列層を備えた
画素基板と、入射光に応じて電荷を発生する光導電層を
備えた対向基板とを有する二次元画像検出器の製造方法
において、 上記両基板のいずれか一方に、画素配列層の画素に対応
させて導電接続材を形成する接続材形成工程と、 上記両基板のいずれか一方に、両基板の間隔を保持する
間隔保持材を形成する保持材形成工程と、 上記両基板を、画素配列層と半導体層とを対向させるよ
うに貼り合わせる貼り合わせ工程とを含むことを特徴と
する二次元画像検出器の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP25222799A JP3847494B2 (ja) | 1998-12-14 | 1999-09-06 | 二次元画像検出器の製造方法 |
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| JP2000236482A true JP2000236482A (ja) | 2000-08-29 |
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