JPH05315578A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05315578A JPH05315578A JP4113332A JP11333292A JPH05315578A JP H05315578 A JPH05315578 A JP H05315578A JP 4113332 A JP4113332 A JP 4113332A JP 11333292 A JP11333292 A JP 11333292A JP H05315578 A JPH05315578 A JP H05315578A
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- polyimide
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像装置に関し、熱膨張率の異なる二種
類の半導体基板に形成した素子間を接続する金属バンプ
に位置ずれを生じないようにした固体撮像装置の提供を
目的とする。 【構成】 互いに熱膨張率が異なる半導体基板1,5 に光
検知素子３と、該光検知素子３の信号を処理する信号処
理素子４を設けて両者の素子を金属バンプ6A,6Bを用い
て接続して成る装置において、前記両者の半導体基板1,
5 間に熱膨張率が順次変化する複数の層状の有機化合物
膜11A,11B,11C を順次配置して充填したことで構成す
る。
類の半導体基板に形成した素子間を接続する金属バンプ
に位置ずれを生じないようにした固体撮像装置の提供を
目的とする。 【構成】 互いに熱膨張率が異なる半導体基板1,5 に光
検知素子３と、該光検知素子３の信号を処理する信号処
理素子４を設けて両者の素子を金属バンプ6A,6Bを用い
て接続して成る装置において、前記両者の半導体基板1,
5 間に熱膨張率が順次変化する複数の層状の有機化合物
膜11A,11B,11C を順次配置して充填したことで構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に係り、特
に熱膨張率の異なる二種類の半導体基板に形成した半導
体素子間を金属バンプで接続した装置で、両者の基板の
熱膨張率の差によって金属バンプの位置ずれ等を防止し
た固体撮像装置に関する。
に熱膨張率の異なる二種類の半導体基板に形成した半導
体素子間を金属バンプで接続した装置で、両者の基板の
熱膨張率の差によって金属バンプの位置ずれ等を防止し
た固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線を検知する固体撮像装置として従
来より図3(a)の斜視図、および図3(b)断面図に示すよう
に、赤外線に高感度を有するp 型の水銀・カドミウム・
テルル（HgCdTe）のような化合物半導体基板１に、In等
のn 型不純物原子を所定のパターンにイオン注入してｎ
+ 型層２を形成し、フォトダイオードのような光検知素
子３を形成する。
来より図3(a)の斜視図、および図3(b)断面図に示すよう
に、赤外線に高感度を有するp 型の水銀・カドミウム・
テルル（HgCdTe）のような化合物半導体基板１に、In等
のn 型不純物原子を所定のパターンにイオン注入してｎ
+ 型層２を形成し、フォトダイオードのような光検知素
子３を形成する。
【０００３】一方、該光検知素子３で得られた検知信号
を信号処理する電荷結合素子等の入力ダイオードのよう
な信号処理素子４を、前記化合物半導体基板１に対して
熱膨張率の小さいｐ型のシリコン（Si）基板５に燐等の
ｎ型の不純物原子を導入して形成し、これら光検知素子
３と信号処理素子４とを、インジウム（In）等の金属バ
ンプ6A,6B を用いて接続している。尚、７は硫化亜鉛(Z
nS) より成る絶縁膜で８はSiO2膜よりなる絶縁膜であ
る。
を信号処理する電荷結合素子等の入力ダイオードのよう
な信号処理素子４を、前記化合物半導体基板１に対して
熱膨張率の小さいｐ型のシリコン（Si）基板５に燐等の
ｎ型の不純物原子を導入して形成し、これら光検知素子
３と信号処理素子４とを、インジウム（In）等の金属バ
ンプ6A,6B を用いて接続している。尚、７は硫化亜鉛(Z
nS) より成る絶縁膜で８はSiO2膜よりなる絶縁膜であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近来、益々
この固体撮像装置の高感度化、高解像度化が要求される
ようになり、そのため、光検知素子３を益々高密度に多
数個配設することが要求され、そのため、金属バンプ6
A,6B で接続する素子数が増大するため、金属バンプの
数6A,6B も増加し、また両者の基板1,5 の面積も大きく
なる傾向にある。
この固体撮像装置の高感度化、高解像度化が要求される
ようになり、そのため、光検知素子３を益々高密度に多
数個配設することが要求され、そのため、金属バンプ6
A,6B で接続する素子数が増大するため、金属バンプの
数6A,6B も増加し、また両者の基板1,5 の面積も大きく
なる傾向にある。
【０００５】上記した固体撮像装置は熱雑音の影響を避
けるために、動作時は液体窒素の低温で動作させてお
り、非動作時は室温で保管しており、そのため、該固体
撮像装置は液体窒素温度より室温に到る迄の大きい温度
変動に曝されることになる。
けるために、動作時は液体窒素の低温で動作させてお
り、非動作時は室温で保管しており、そのため、該固体
撮像装置は液体窒素温度より室温に到る迄の大きい温度
変動に曝されることになる。
【０００６】前記したHgCdTe基板の熱膨張率はSi基板の
熱膨張率より大であるので、上記した温度変動によっ
て、HgCdTe基板がSi基板より温度変動による収縮膨張に
よる応力の発生によって歪みやすく成り、そのため、両
者の素子3,4 を接続している金属バンプ6A,6B に位置ず
れや亀裂を生じたり、或いは甚だしい場合は金属バンプ
6A,6B が両者の基板1,5 より剥離するような現象を生ず
る。
熱膨張率より大であるので、上記した温度変動によっ
て、HgCdTe基板がSi基板より温度変動による収縮膨張に
よる応力の発生によって歪みやすく成り、そのため、両
者の素子3,4 を接続している金属バンプ6A,6B に位置ず
れや亀裂を生じたり、或いは甚だしい場合は金属バンプ
6A,6B が両者の基板1,5 より剥離するような現象を生ず
る。
【０００７】このような問題は固体撮像装置の高感度
化、高解像度化を図るために素子の面積を大きくした
り、高密度に配置するために両者の基板の面積を増大さ
せる程、益々顕著になる。
化、高解像度化を図るために素子の面積を大きくした
り、高密度に配置するために両者の基板の面積を増大さ
せる程、益々顕著になる。
【０００８】従来より両者の基板間の熱膨張率差に起因
して、金属バンプが位置ずれするのを防止するために、
両者の基板間をエポキシ樹脂のような接着剤で埋めて、
両者の基板の熱膨張率差を防止する方法を採っていた
が、この方法は両者の基板間の熱膨張率差が小さい場合
には有効であるが、Si基板とHgCdTe基板のように熱膨張
率差が隔たっている場合は不適当である。
して、金属バンプが位置ずれするのを防止するために、
両者の基板間をエポキシ樹脂のような接着剤で埋めて、
両者の基板の熱膨張率差を防止する方法を採っていた
が、この方法は両者の基板間の熱膨張率差が小さい場合
には有効であるが、Si基板とHgCdTe基板のように熱膨張
率差が隔たっている場合は不適当である。
【０００９】本発明は上記した従来技術の問題点を解決
するもので、両者の基板の熱膨張率差によっても金属バ
ンプが、なお、一層位置ずれしないような固体撮像装置
の提供を目的とする。
するもので、両者の基板の熱膨張率差によっても金属バ
ンプが、なお、一層位置ずれしないような固体撮像装置
の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、請求項１に示すように互いに熱膨張率が異なる半導
体基板に光検知素子と、該光検知素子の信号を処理する
信号処理素子を設けて両者の素子を金属バンプを用いて
接続して成る装置において、前記両者の半導体基板間に
熱膨張率が順次変化する複数の層状の有機化合物膜を順
次配置して充填したことを特徴とする。
は、請求項１に示すように互いに熱膨張率が異なる半導
体基板に光検知素子と、該光検知素子の信号を処理する
信号処理素子を設けて両者の素子を金属バンプを用いて
接続して成る装置において、前記両者の半導体基板間に
熱膨張率が順次変化する複数の層状の有機化合物膜を順
次配置して充填したことを特徴とする。
【００１１】また請求項２に示すように、前記複数の層
状の有機化合物膜の間に導電体層を埋設したことを特徴
とするのである。
状の有機化合物膜の間に導電体層を埋設したことを特徴
とするのである。
【００１２】
【作用】本発明の固体撮像装置は、熱膨張率の大きいHg
CdTe基板（熱膨張係数＝5.09×10-6K -1) より、熱膨張
率の小さいSi基板（熱膨張係数＝2.6 ×10-6K -1) 間
に、順次熱膨張率が大から小へ僅かづつ変化するような
ポリイミド膜を層状にして複数層配置する。
CdTe基板（熱膨張係数＝5.09×10-6K -1) より、熱膨張
率の小さいSi基板（熱膨張係数＝2.6 ×10-6K -1) 間
に、順次熱膨張率が大から小へ僅かづつ変化するような
ポリイミド膜を層状にして複数層配置する。
【００１３】このようなポリイミド膜を用いた固体撮像
装置の例は、本発明者が以前に特願平3-292846号に於い
て提案しているが、この従来の場合は光検知素子を形成
したHgCdTe基板と信号処理素子を形成したSi基板とをコ
バール板の上に両方並べて配置し、この基板間を熱膨張
率の異なるポリイミド膜で埋めた構造で複雑な構造とな
っている。
装置の例は、本発明者が以前に特願平3-292846号に於い
て提案しているが、この従来の場合は光検知素子を形成
したHgCdTe基板と信号処理素子を形成したSi基板とをコ
バール板の上に両方並べて配置し、この基板間を熱膨張
率の異なるポリイミド膜で埋めた構造で複雑な構造とな
っている。
【００１４】ポリイミド膜は、文献〔雑誌、化学と工業
（1990年、第43巻、第６号、社団法人：日本化学会発
行、Page.964〜966 、題名：フッソ化ポリイミドの合成
と性質、著者: 西 史郎、他２名) 〕に記載されている
ように、例えば弗素化ピロメリット酸二無水物と、2,2
´−ビス( トリフルオロメチル)-4-4 ´−ジアミンビフ
ェニルとを反応させて剛直ポリアミック酸が得られ、こ
の剛直ポリアミック酸を加熱してイミド化することで、
化学式(1) の如く、剛直ポリイミドが得られる。
（1990年、第43巻、第６号、社団法人：日本化学会発
行、Page.964〜966 、題名：フッソ化ポリイミドの合成
と性質、著者: 西 史郎、他２名) 〕に記載されている
ように、例えば弗素化ピロメリット酸二無水物と、2,2
´−ビス( トリフルオロメチル)-4-4 ´−ジアミンビフ
ェニルとを反応させて剛直ポリアミック酸が得られ、こ
の剛直ポリアミック酸を加熱してイミド化することで、
化学式(1) の如く、剛直ポリイミドが得られる。
【００１５】
【化１】
【００１６】また一方、2,2-ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)-ヘキサフルオロプロパン二無水物と、2,2 ´−
ビス( トリフルオロメチル)-4-4 ´−ジアミンビフェニ
ルとを反応させて得られた透明ポリアミック酸を加熱し
てイミド化することで、化学式(2) に示すような透明ポ
リイミドが得られる。
ェニル)-ヘキサフルオロプロパン二無水物と、2,2 ´−
ビス( トリフルオロメチル)-4-4 ´−ジアミンビフェニ
ルとを反応させて得られた透明ポリアミック酸を加熱し
てイミド化することで、化学式(2) に示すような透明ポ
リイミドが得られる。
【００１７】
【化２】
【００１８】そして、上記透明ポリイミド( 線膨張係数
＝10-4K -1程度) の方が剛直ポリイミド( 線膨張係数＝
10-6K -1程度) に比較して熱膨張率が大で、また剛直ポ
リイミドは不透明で遮光性を有する。
＝10-4K -1程度) の方が剛直ポリイミド( 線膨張係数＝
10-6K -1程度) に比較して熱膨張率が大で、また剛直ポ
リイミドは不透明で遮光性を有する。
【００１９】上記した性質を利用して、透明ポリイミド
の形成材料である透明ポリアミック酸と剛直ポリアミッ
ク酸の配合割合を異ならせ、この透明ポリアミック酸と
剛直ポリアミック酸を加熱することで熱膨張率の異なる
ポリイミド膜が得られる。
の形成材料である透明ポリアミック酸と剛直ポリアミッ
ク酸の配合割合を異ならせ、この透明ポリアミック酸と
剛直ポリアミック酸を加熱することで熱膨張率の異なる
ポリイミド膜が得られる。
【００２０】つまり透明ポリアミック酸の混合割合を、
剛直ポリアミック酸より大にする程、熱処理して形成さ
れるポリイミド膜の熱膨張率が大となる。そして図1(a)
に示すように、剛直ポリアミック酸と透明ポリアミック
酸をモル比で５：１に混合した有機材料を形成し、光検
知素子３を形成した熱膨張率の大きいHgCdTe基板１に上
記有機材料を接着し、更に100 ℃で加熱してイミド化
し、熱膨張率の大きいポリイミド膜11A とする。
剛直ポリアミック酸より大にする程、熱処理して形成さ
れるポリイミド膜の熱膨張率が大となる。そして図1(a)
に示すように、剛直ポリアミック酸と透明ポリアミック
酸をモル比で５：１に混合した有機材料を形成し、光検
知素子３を形成した熱膨張率の大きいHgCdTe基板１に上
記有機材料を接着し、更に100 ℃で加熱してイミド化
し、熱膨張率の大きいポリイミド膜11A とする。
【００２１】次いで剛直ポリアミック酸と透明ポリアミ
ック酸をモル比で10:1に混合した材料を信号処理素子４
を形成したSi基板５に接着し、この材料を100 ℃に加熱
してイミド化して熱膨張率の小さいポリイミド膜11C と
する。
ック酸をモル比で10:1に混合した材料を信号処理素子４
を形成したSi基板５に接着し、この材料を100 ℃に加熱
してイミド化して熱膨張率の小さいポリイミド膜11C と
する。
【００２２】次いで上記したポリイミド膜11A を有する
HgCdTe基板１とポリイミド膜11C を有するSi基板５を対
向し、両者のポリイミド膜11A,11C の間に剛直ポリアミ
ック酸と透明ポリアミック酸をモル比で15:2に混合した
材料を充填し、更にこの材料を100 ℃に加熱してイミド
化して前記したポリイミド膜11A,11C の中間の熱膨張率
を有するポリイミド膜11B とする。
HgCdTe基板１とポリイミド膜11C を有するSi基板５を対
向し、両者のポリイミド膜11A,11C の間に剛直ポリアミ
ック酸と透明ポリアミック酸をモル比で15:2に混合した
材料を充填し、更にこの材料を100 ℃に加熱してイミド
化して前記したポリイミド膜11A,11C の中間の熱膨張率
を有するポリイミド膜11B とする。
【００２３】このようにすると熱膨張率の大きいHgCdTe
基板１とSi基板５の間に熱膨張率が大より小に順次変化
した層状のポリイミド膜11A,11B,11C が順次積層されて
形成されることに成り、急激な熱膨張率の変動が無いの
で、HgCdTe基板１とSi基板５の熱膨張率の差が平均化さ
れるので、両者の素子3,4 を接続する金属バンプ6A,6B
に位置ずれを発生し難くなる。
基板１とSi基板５の間に熱膨張率が大より小に順次変化
した層状のポリイミド膜11A,11B,11C が順次積層されて
形成されることに成り、急激な熱膨張率の変動が無いの
で、HgCdTe基板１とSi基板５の熱膨張率の差が平均化さ
れるので、両者の素子3,4 を接続する金属バンプ6A,6B
に位置ずれを発生し難くなる。
【００２４】また図1(b)に示すように、これらのポリイ
ミド膜の間にアルミニウム、或いは金の導電体層12を蒸
着等で形成し、この導電体層12をアース接続すると、ポ
リイミド膜11A,11B,11C を伝達するようなリーク電流も
除去される。
ミド膜の間にアルミニウム、或いは金の導電体層12を蒸
着等で形成し、この導電体層12をアース接続すると、ポ
リイミド膜11A,11B,11C を伝達するようなリーク電流も
除去される。
【００２５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図1(a)は本発明の装置の第１実施例で、
ｐ型のHgCdTe基板１には、紙面の垂直方向に沿って所定
のピッチでInのようなＮ型の伝導型を付与する不純物原
子がイオン注入されたｎ+ 型層２が形成されて光起電力
型の光検知素子３が形成されている。そして光検知素子
３上にはInの金属バンプ6Aが蒸着等により形成され、ま
た表面を保護するためのZnS より成る絶縁膜７も形成さ
れている。
細に説明する。図1(a)は本発明の装置の第１実施例で、
ｐ型のHgCdTe基板１には、紙面の垂直方向に沿って所定
のピッチでInのようなＮ型の伝導型を付与する不純物原
子がイオン注入されたｎ+ 型層２が形成されて光起電力
型の光検知素子３が形成されている。そして光検知素子
３上にはInの金属バンプ6Aが蒸着等により形成され、ま
た表面を保護するためのZnS より成る絶縁膜７も形成さ
れている。
【００２６】このInの金属バンプ6Aを有するHgCdTe基板
１上には、モル比で剛直ポリイミド：透明ポリイミド＝
５：１のポリイミド膜11A が被着されている。一方、電
荷転送素子を形成したｐ型のSi基板５にも燐等のｎ型の
不純物原子が所定のパターンに導入されて入力ダイオー
ドよりなる信号処理素子４が形成され、この信号処理素
子４上にInの金属バンプ6Bが蒸着等で形成され、その基
板5 の表面にはSiO2膜よりなる絶縁膜８が形成されてい
る。
１上には、モル比で剛直ポリイミド：透明ポリイミド＝
５：１のポリイミド膜11A が被着されている。一方、電
荷転送素子を形成したｐ型のSi基板５にも燐等のｎ型の
不純物原子が所定のパターンに導入されて入力ダイオー
ドよりなる信号処理素子４が形成され、この信号処理素
子４上にInの金属バンプ6Bが蒸着等で形成され、その基
板5 の表面にはSiO2膜よりなる絶縁膜８が形成されてい
る。
【００２７】そしてこのSi基板５上にも、モル比で剛直
ポリイミド：透明ポリイミド＝10：1 のポリイミド膜11
C が被着され、これらHgCdTe基板１とSi基板５のそれぞ
れのポリイミド膜11A,11C を形成した側を対向させ、そ
のポリイミド膜11A,11B の間に、モル比で剛直ポリイミ
ド：透明ポリイミド＝15：2 のポリイミド膜11B が被着
されて固体撮像装置が形成されている。
ポリイミド：透明ポリイミド＝10：1 のポリイミド膜11
C が被着され、これらHgCdTe基板１とSi基板５のそれぞ
れのポリイミド膜11A,11C を形成した側を対向させ、そ
のポリイミド膜11A,11B の間に、モル比で剛直ポリイミ
ド：透明ポリイミド＝15：2 のポリイミド膜11B が被着
されて固体撮像装置が形成されている。
【００２８】このような固体撮像装置の製造方法に付い
て述べると、図2(a)に示すように、Inの金属バンプ6Aを
有するHgCdTe基板１上に、モル比で剛直ポリアミック
酸：透明ポリアミック酸＝５：１に混合した材料を金属
バンプ6Aの間に充填する。次いでこの基板１を100 ℃の
温度に加熱することでモル比で剛直ポリイミド：透明ポ
リイミド＝５：１の熱膨張率の大きいポリイミド膜11A
が形成される。図で７はZnS 膜よりなる絶縁膜である。
て述べると、図2(a)に示すように、Inの金属バンプ6Aを
有するHgCdTe基板１上に、モル比で剛直ポリアミック
酸：透明ポリアミック酸＝５：１に混合した材料を金属
バンプ6Aの間に充填する。次いでこの基板１を100 ℃の
温度に加熱することでモル比で剛直ポリイミド：透明ポ
リイミド＝５：１の熱膨張率の大きいポリイミド膜11A
が形成される。図で７はZnS 膜よりなる絶縁膜である。
【００２９】一方、図2(b)に示すように、信号処理素子
４を形成し、Inの金属バンプ6Bを有するSi基板５上にモ
ル比で剛直ポリアミック酸：透明ポリアミック酸＝10：
１に混合した材料を充填する。次いでこの基板５を100
℃の温度に加熱することで、モル比で剛直ポリイミド：
透明ポリイミド＝10：１の熱膨張率の小さいポリイミド
膜11C が形成される。図で８はSiO2膜よりなる絶縁膜で
ある。
４を形成し、Inの金属バンプ6Bを有するSi基板５上にモ
ル比で剛直ポリアミック酸：透明ポリアミック酸＝10：
１に混合した材料を充填する。次いでこの基板５を100
℃の温度に加熱することで、モル比で剛直ポリイミド：
透明ポリイミド＝10：１の熱膨張率の小さいポリイミド
膜11C が形成される。図で８はSiO2膜よりなる絶縁膜で
ある。
【００３０】次いで図2(c)に示すように、上記形成した
両方の基板1,5 同士を前記ポリイミド膜11A,11C が対向
するように配置し、該ポリイミド膜11A,11C の間にモル
比で剛直ポリアミック酸：透明ポリアミック酸＝15：１
に混合した材料を充填する。次いでこの基板を100 ℃の
温度に加熱することで、モル比で剛直ポリイミド：透明
ポリイミド＝15：2 で、前記したポリイミド膜11A とポ
リイミド膜11C の中間の熱膨張率を有するポリイミド膜
11B が形成される。
両方の基板1,5 同士を前記ポリイミド膜11A,11C が対向
するように配置し、該ポリイミド膜11A,11C の間にモル
比で剛直ポリアミック酸：透明ポリアミック酸＝15：１
に混合した材料を充填する。次いでこの基板を100 ℃の
温度に加熱することで、モル比で剛直ポリイミド：透明
ポリイミド＝15：2 で、前記したポリイミド膜11A とポ
リイミド膜11C の中間の熱膨張率を有するポリイミド膜
11B が形成される。
【００３１】また、本発明の他の実施例として図1(b)に
示すように、ポリイミド膜11A を形成した後、該ポリイ
ミド膜11A 上に金属バンプ6Aに接触しない状態でアルミ
ニウム、或いは金の導電体層12を蒸着等の方法を用いて
形成する。またポリイミド膜11B を形成したのち、金属
バンプ6Bに接触しない状態で該ポリイミド膜11B 上にア
ルミニウム、或いは金の導電体層12を蒸着等の方法を用
いて形成する。そしてこれ等のポリイミド膜11A,11C を
対向した間にポリイミド膜11C を形成する。そしてこの
導電体層12をアースに接続すると、このポリイミド膜11
A,11B,11C を伝達して流れるリーク電流の発生を防止す
ることができる。
示すように、ポリイミド膜11A を形成した後、該ポリイ
ミド膜11A 上に金属バンプ6Aに接触しない状態でアルミ
ニウム、或いは金の導電体層12を蒸着等の方法を用いて
形成する。またポリイミド膜11B を形成したのち、金属
バンプ6Bに接触しない状態で該ポリイミド膜11B 上にア
ルミニウム、或いは金の導電体層12を蒸着等の方法を用
いて形成する。そしてこれ等のポリイミド膜11A,11C を
対向した間にポリイミド膜11C を形成する。そしてこの
導電体層12をアースに接続すると、このポリイミド膜11
A,11B,11C を伝達して流れるリーク電流の発生を防止す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、熱膨
張率の異なるHg1-x Cdx Te基板とSi基板の間に熱膨張率
値が順次異なる有機化合物膜を層状に形成しているの
で、温度変動のある環境に、この固体撮像装置を曝した
場合、両者の基板の熱膨張率差が有っても、その熱膨張
率差が緩和されるので、両者の素子を接続する金属バン
プに位置ずれを生じるような事故が発生し難くなり、高
信頼度の固体撮像装置が得られる。
張率の異なるHg1-x Cdx Te基板とSi基板の間に熱膨張率
値が順次異なる有機化合物膜を層状に形成しているの
で、温度変動のある環境に、この固体撮像装置を曝した
場合、両者の基板の熱膨張率差が有っても、その熱膨張
率差が緩和されるので、両者の素子を接続する金属バン
プに位置ずれを生じるような事故が発生し難くなり、高
信頼度の固体撮像装置が得られる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の断面図である。
【図２】 本発明の装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 従来の装置の斜視図および断面図である。
1 HgCdTe基板( 化合物半導体基板) 2 ｎ+ 型層 3 光検知素子 4 信号処理素子 5 Si基板 6A,6B 金属バンプ 7,8 絶縁膜 11A,11B,11C ポリイミド膜 12 導電体層
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに熱膨張率が異なる半導体基板(1,
5) に光検知素子(3)と、該光検知素子の信号を処理する
信号処理素子(4) を設けて両者の素子を金属バンプ(6A,
6B) を用いて接続して成る装置において、 前記両者の半導体基板(1,5) 間に熱膨張率が順次変化す
る複数の層状の有機化合物膜(11A,11B,11C) を順次配置
して充填したことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の層状の有機化合物膜(11
A,11B,11C) の間に導電体層(12)を埋設したことを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113332A JPH05315578A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113332A JPH05315578A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315578A true JPH05315578A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14609564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4113332A Withdrawn JPH05315578A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315578A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113332A patent/JPH05315578A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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