JPS6343366A - 赤外検知装置 - Google Patents
赤外検知装置Info
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- JPS6343366A JPS6343366A JP61187508A JP18750886A JPS6343366A JP S6343366 A JPS6343366 A JP S6343366A JP 61187508 A JP61187508 A JP 61187508A JP 18750886 A JP18750886 A JP 18750886A JP S6343366 A JPS6343366 A JP S6343366A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、背面入射型赤外検知装置の各画素間に生ず
るクロストークを防止するために、カドミウム・テルル
基板（以後ＣｄＴｅ基板と記す）と水銀・カドミウム・
テルル結晶（以後ＨｇＣｄＴｅ結晶と記す）間に赤外吸
収領域を設けである。
るクロストークを防止するために、カドミウム・テルル
基板（以後ＣｄＴｅ基板と記す）と水銀・カドミウム・
テルル結晶（以後ＨｇＣｄＴｅ結晶と記す）間に赤外吸
収領域を設けである。
この発明は、赤外検知装置に係り、特に水銀・カドミウ
ム・テルル結晶を用いた背面入射型の赤外検知装置に関
するものである。
ム・テルル結晶を用いた背面入射型の赤外検知装置に関
するものである。
物体の温度を測定するのに赤外検知装置が広く用いられ
ている。特に、物体の温度分布を測定する赤外検知装置
は、多素子化されたものを使用している。この多素子化
された各画素の密度は益々高密度化が図られている。
ている。特に、物体の温度分布を測定する赤外検知装置
は、多素子化されたものを使用している。この多素子化
された各画素の密度は益々高密度化が図られている。
従来の背面入射型赤外検知装置は、第２図及び第２図の
面線に沿った断面を示す第３図のように構成されている
。即ち、第２図に示すように、ＣｄＴｅ基板１の上に第
１の導電型例えば、Ｐ−ＨｇＣｄＴｅ結晶２を形成し、
このＰ−ＨｇＣｄＴｅ結晶２の表面に所要間隔を隔てて
画素３−１〜３−ｎの第１の導電型の逆の導電型、Ｎ型
領域を形成しである。
面線に沿った断面を示す第３図のように構成されている
。即ち、第２図に示すように、ＣｄＴｅ基板１の上に第
１の導電型例えば、Ｐ−ＨｇＣｄＴｅ結晶２を形成し、
このＰ−ＨｇＣｄＴｅ結晶２の表面に所要間隔を隔てて
画素３−１〜３−ｎの第１の導電型の逆の導電型、Ｎ型
領域を形成しである。
この背面入射型赤外検知装置は、第３図の矢印方向から
赤外光を受光する。この赤外光をＣｄＴｅ基板１を介し
て受光したＰ−ｔ１ｇｃｄＴｅ結晶２は、光電変換を行
い、キャリアが発生する。このキャリアは・ＰＮ接合部
に集められ、光電流となることで赤外光検知を行う。
赤外光を受光する。この赤外光をＣｄＴｅ基板１を介し
て受光したＰ−ｔ１ｇｃｄＴｅ結晶２は、光電変換を行
い、キャリアが発生する。このキャリアは・ＰＮ接合部
に集められ、光電流となることで赤外光検知を行う。
上記した従来の赤外検知装置は、隣接した画素間に入射
された赤外光によって発生するキャリアは、画素を高密
度に構成すればする程、キャリアの拡散長さが画素ピッ
チに比して長くなり、複数のＰＮ接合部即ち、複数の画
素にキャリアが流れ込み、クコストークを生ずると云う
問題があり、高密度化を阻害することになる。
された赤外光によって発生するキャリアは、画素を高密
度に構成すればする程、キャリアの拡散長さが画素ピッ
チに比して長くなり、複数のＰＮ接合部即ち、複数の画
素にキャリアが流れ込み、クコストークを生ずると云う
問題があり、高密度化を阻害することになる。
この発明は、以上のような従来の状況から、クロストー
クが少なく、高密度化の行える赤外検知装置の提供を目
的とするものである。
クが少なく、高密度化の行える赤外検知装置の提供を目
的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明では、ＣｄＴｅ基板とＨｇＣｄＴｅ結晶の間で
、画素の所要間隔の領域に赤外光吸収層を設けて、赤外
検知装置を構成しである。
、画素の所要間隔の領域に赤外光吸収層を設けて、赤外
検知装置を構成しである。
〔作用］
各画素間に入射される赤外光は、赤外吸収領域に吸収さ
れて、キャリアを発生せず、従ってクコストークを生じ
ない。又キャリア拡散長に匹敵する程度にまで所要間隔
を狭めて、画素の高密度化を可能とする。
れて、キャリアを発生せず、従ってクコストークを生じ
ない。又キャリア拡散長に匹敵する程度にまで所要間隔
を狭めて、画素の高密度化を可能とする。
第１図は本発明の赤外検知装置の要部断面図であり、第
２図と同一符号を用いる。ＣｄＴｅ基板１とエピタキシ
アル成長厚さ１０μｍをもつＰ−ｔ１ｇｃｄＴｅ結晶２
との間に赤外光吸収層４として、厚さ１μｍのＩＩｇ＋
−ｘＣｄｘ Ｔ＋３ （但しＸ＝０．１５）を形成しで
ある。
２図と同一符号を用いる。ＣｄＴｅ基板１とエピタキシ
アル成長厚さ１０μｍをもつＰ−ｔ１ｇｃｄＴｅ結晶２
との間に赤外光吸収層４として、厚さ１μｍのＩＩｇ＋
−ｘＣｄｘ Ｔ＋３ （但しＸ＝０．１５）を形成しで
ある。
なお、この赤外光吸収層４は、図に示すように画素３−
１ と３−２との所要間隔２０μｍに対応する位置に設
ける。この赤外光吸収層４は、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ
（但しＸ＝０．１５）にかえてＰｏＬｙ−３ｉ等の赤外
層吸収層であっても同等支障されない。
１ と３−２との所要間隔２０μｍに対応する位置に設
ける。この赤外光吸収層４は、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘ Ｔｅ
（但しＸ＝０．１５）にかえてＰｏＬｙ−３ｉ等の赤外
層吸収層であっても同等支障されない。
赤外光を受光したＰ−ｔ１ｇｃｄＴｅ結品２のキャリア
拡散長は、１５μｍであるので、赤外光吸収層４以外か
ら入射される赤外光によるキャリアは、隣接画素に到達
することなく、再結合をしてしまい、クロストークを生
ずることもない。
拡散長は、１５μｍであるので、赤外光吸収層４以外か
ら入射される赤外光によるキャリアは、隣接画素に到達
することなく、再結合をしてしまい、クロストークを生
ずることもない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ク
ロストークが防止されるとともに、赤外検知装置を多素
子化する上できわめて有効な効果を奏する。
ロストークが防止されるとともに、赤外検知装置を多素
子化する上できわめて有効な効果を奏する。
第１図は本発明の赤外検知装置の要部断面図、第２図は
従来の背面入射型赤外検知装置の斜視図、 第３図は第２図のＡＡ線に沿った断面を示す断面図であ
る。 図において、１はＣｄＴｅ基板、２はＰ−１）ｇｃｄＴ
ｅ結晶、第１図 冨２図ｆ）ＡＡ’纜１；沿、ｒ；断面と示可断面図第３
図
従来の背面入射型赤外検知装置の斜視図、 第３図は第２図のＡＡ線に沿った断面を示す断面図であ
る。 図において、１はＣｄＴｅ基板、２はＰ−１）ｇｃｄＴ
ｅ結晶、第１図 冨２図ｆ）ＡＡ’纜１；沿、ｒ；断面と示可断面図第３
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 カドミウム・テルル基板（１）の表面に第１の導電型の
水銀・カドミウム・テルル結晶（２）を形成してなり、
該水銀・カドミウム・テルル結晶（２）の表面上に所要
間隔を隔てて複数の第１の導電型と逆の導電型の領域（
３−１〜３−ｎ）を形成してなる背面入射型赤外検知装
置において、 前記カドミウム・テルル基板（１）と水銀・カドミウム
・テルル結晶（２）の間で前記所要間隔の領域に赤外光
吸収層（４）を選択的に設けたことを特徴とする赤外検
知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187508A JPS6343366A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 赤外検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187508A JPS6343366A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 赤外検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343366A true JPS6343366A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16207288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187508A Pending JPS6343366A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 赤外検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343366A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467962A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared solid-state image sensing device |
| JPH02213174A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検知装置 |
| FR2644293A1 (fr) * | 1989-03-10 | 1990-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif photodetecteur recevant la lumiere sur sa surface arriere et procede de fabrication |
| JPH02248077A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| EP0437102A2 (en) * | 1990-01-11 | 1991-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared image sensor and image pick-up apparatus using the same |
| US5156980A (en) * | 1989-03-10 | 1992-10-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a rear surface incident type photodetector |
| US5198370A (en) * | 1991-04-17 | 1993-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing an infrared detector |
| US5602414A (en) * | 1993-06-18 | 1997-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared detector having active regions and isolating regions formed of CdHgTe |
| JP2007250476A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Espec Corp | Ｉｃソケット |
| JP2009206171A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61187508A patent/JPS6343366A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467962A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared solid-state image sensing device |
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| US5075748A (en) * | 1989-03-10 | 1991-12-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photodetector device |
| US5156980A (en) * | 1989-03-10 | 1992-10-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a rear surface incident type photodetector |
| JPH02248077A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-03 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| EP0437102A2 (en) * | 1990-01-11 | 1991-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared image sensor and image pick-up apparatus using the same |
| US5095211A (en) * | 1990-01-11 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared image sensor and image pick-up apparatus using the same |
| US5198370A (en) * | 1991-04-17 | 1993-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing an infrared detector |
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| JP2007250476A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Espec Corp | Ｉｃソケット |
| JP2009206171A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ |
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