CN103384838A - 放射线图像检测装置和放射线摄影装置 - Google Patents

放射线图像检测装置和放射线摄影装置 Download PDF

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Abstract

公开了一种放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置配置为当使得放射线图像检测装置的传感器面板弯曲以提高图像的锐度时，抑制对荧光体的破坏。所述放射线图像检测装置(3)包括：荧光体(60)，所述荧光体含有通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料；和传感器面板(61)，所述传感器面板设置为与所述荧光体紧密接触，并且检测从所述荧光体发射的荧光。所述荧光体包括柱状部，所述柱状部由一组柱状晶体(82)形成，所述柱状晶体通过以柱的形状生长所述荧光材料的晶体而形成，放射线入射面在所述荧光体的相反侧设置在所述传感器面板中，并且所述传感器面板具有柔韧性并且是弯曲的，以使曲率中心位于所述放射线入射面的那一侧。

Description

放射线图像检测装置和放射线摄影装置
技术领域
本发明涉及放射线图像检测装置和放射线摄影装置。
背景技术
近年来，使用FPD(平板检测器)用于检测放射线图像以产生数字图像数据的放射线图像检测装置进入实际使用中，并且归因于与传统的成像板比较图像可以实时确认的益处而被迅速地广泛使用。存在多种类型的这种放射线图像检测装置。作为一个实例，已知间接转换型。
间接转换型放射线图像检测装置包括由通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料，如CsI或NaI形成的闪烁体，以及具有二维排列的光电转换元件的传感器面板。透射穿过对象的放射线首先由闪烁体转换为光，并且闪烁体的荧光由传感器面板的一组光电转换元件光电转换，从而产生电信号(数字图像数据)。
在放射线图像检测装置中，还已知这样的技术，其为了提高灵敏度的目的而用于通过荧光材料如CsI的一组柱状晶体形成闪烁体(例如，参见专利文献2)。柱状晶体典型地通过将荧光材料的晶体通过气相沉积法在支持体上生长为柱状的形状而形成。作为支持体，使用传感器面板或合适的基板。当使用传感器面板作为支持体时，将一组柱状晶体直接形成在传感器面板上。而且，当使用合适的基板作为支持体时，将形成在基板上的一组柱状晶体结合至传感器面板。通过气相沉积法形成的柱状晶体不包括杂质如粘合剂，并且还具有在晶体生长方向上引导在柱状晶体中产生的荧光的光导效果，从而抑制荧光扩散。这提高了放射线图像检测装置的灵敏度，并且也提高了图像的锐度。
柱状晶体基本上垂直于支持体的表面生长。因此，在将在基板上形成的一组柱状晶体结合至传感器面板的情况下以及在使用传感器面板作为支持体的情况下，各自的柱状晶体基本上垂直于传感器面板的表面设置。当传感器面板是平的时，放射线关于垂直于传感器面板的表面设置的柱状晶体具有大入射角，以使得它可能偏离照射场的中心。因此，放射线行进穿过多个柱状晶体，从而降低图像的锐度。
因此，在专利文献2中公开的放射线图像检测装置中，使用柔性传感器面板，其中传感器面板是弯曲的以使得各自的柱状晶体可以平行于放射状加宽的放射线。在照射场的每个部分中，每个柱状晶体平行于放射线，从而抑制图像的锐度降低。
引用列举
专利文献
专利文献1：JP-A-2010-025620
专利文献2：JP-A-2011-017683
专利文献3：JP-A-2004-064087
发明概述
技术问题
专利文献2中公开的放射线图像检测装置是通常所说的背侧读出(PSS：穿透侧取样)型放射线图像检测装置，其中放射线从闪烁体侧入射。在PSS型放射线图像检测装置中，当将传感器面板弯曲以使得闪烁体的各自的柱状晶体可以平行于放射线时，一组柱状晶体的前端部分之间的空隙可能变得更窄，并且相邻的柱状晶体的前端部分可能通过彼此产生接触而破坏。因此，将传感器面板弯曲时的曲率半径受限。因此，当成像距离(SID：源-图像距离)相对短时，不可以将各自的柱状晶体安置为平行于放射线，这使得难以充分地获得图像的锐度。
考虑到前面的问题做出了本发明，并且其目标是当将放射线图像检测装置的传感器面板弯曲以提高图像的锐度时抑制荧光体受破坏。
解决问题的方式
(1)一种放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置包括：荧光体，所述荧光体含有通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料，和传感器面板，所述传感器面板设置为与所述荧光体紧密接触，并且检测从所述荧光体发射的荧光，其中所述荧光体包括柱状部，所述柱状部由一组柱状晶体形成，所述柱状晶体通过以柱的形状生长所述荧光材料的晶体而形成，放射线入射面在所述荧光体的相反侧设置在所述传感器面板中，并且所述传感器面板具有柔韧性并且是弯曲的，以使曲率中心位于所述放射线入射面的那一侧。
(2)一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：(1)的放射线图像检测装置；和放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线，其中所述传感器面板的所述曲率中心对应于所述放射线源的焦点。
发明的有益效果
根据本发明，关于弯曲以使得曲率中心位于放射线入射面侧的传感器面板，将荧光体安置在外直径侧，并且加宽构成荧光体的一组柱状晶体的前端部分之间的空隙。因此，避免相邻的柱状晶体的前端部分彼此进行接触，从而抑制柱状晶体被破坏。因此，即使成像距离相对短，也可以根据成像距离将每个柱状晶体安置为平行于放射线，从而提高图像的锐度。
附图简述
图1是示例用于描述本发明的示例实施方案的放射线图像检测装置和放射线摄影装置的实例的构造的视图。
图2是示例图1中的放射线摄影装置的控制区的视图。
图3是示例用于描述本发明的示例实施方案的放射线图像检测装置的检测单元的构造的视图。
图4是示例图3中的检测单元的传感器面板的构造的视图。
图5是示例图3中的检测单元的荧光体的构造的视图。
图6是示例沿图5中荧光体的线VI-VI所取的截面的视图。
图7是示例沿图5中的荧光体的线VII-VII所取的截面的视图。
图8是示例制造图3中的检测单元的方法的实例的视图。
图9是示例制造图3中的检测单元的方法的另一个实例的视图。
图10是示例图1中的放射线图像检测装置的弯曲单元的构造的视图。
图11是示例图10中的弯曲单元的构造的视图。
图12是示例其中图1中的放射线图像检测装置的检测单元是弯曲的状态的视图。
图13是示例图1中的放射线图像检测装置的修改的实例的视图。
图14是示例图1中的放射线图像检测装置的另一个修改的实例的视图。
图15是示例图1中的放射线图像检测装置的再另一个修改的实例的视图。
图16是示例其中图15中的放射线图像检测装置的检测单元是弯曲的状态的视图。
图17是示例图1中的放射线图像检测装置和放射线摄影装置的修改的实例的视图。
图18是示例图17中的放射线图像检测装置的弯曲单元的构造的视图。
图19是示例图18中的放射线图像检测装置的检测单元是弯曲的状态的视图。
图20是示例图1中的放射线图像检测装置的再另一个修改的实例的视图。
实施方案详述
图1示例用于描述本发明的示例性实施方案的放射线图像检测装置和放射线摄影装置的实例的构造，并且图2示例图1中的放射线摄影装置的控制区。
X射线成像装置1是用于将对象(患者)H在垂直位置成像的X射线诊断装置，并且大致分为发射锥形束X射线至对象H的X射线源2、安置在X射线源2对面并且检测从X射线源2透射穿过对象H的X射线以产生图像数据的X射线图像检测装置3，以及基于操作者的操作在处理由X射线图像检测装置3获得的图像数据的同时控制X射线源2的曝光操作或X射线图像检测装置3的成像操作的控制台4。X射线源2通过从天花板悬下的X射线源保持装置5保持。X射线图像检测装置3由放置在地板上的架台6保持。
X射线源2包括构造为根据由高电压生成器11施加的高电压基于X射线源控制单元10的控制产生X射线的X射线管12，以及具有可移动的准直管13的准直管单元14，其限制照射场以沿由X射线管12产生的X射线遮挡对于对象H的检测区域不具有贡献的部分。X射线管12是旋转阳极型的，其由作为电子发射源(阴极)的灯丝(未示出)发射电子束，并且使电子束与以预定速度旋转的旋转阳极15碰撞以产生X射线。与电子束碰撞的旋转阳极15的一部分成为X射线焦点16。
X射线源保持装置5包括：构造为可在水平方向(z方向)沿天花板上设置的顶板轨道20移动的运输单元21，彼此连接并且从运输单元21向下伸展和收缩的多个支柱22，构造为沿顶板轨道移动运输单元21的驱动机构，以及构造为伸展/收缩支柱22的驱动机构。X射线源2连接至支柱22的引导端。在X射线源保持装置5沿顶板轨道20移动的同时，X射线源2与X射线图像检测装置3之间关于水平方向的距离SID改变。而且，当支柱22伸展/收缩时，X射线源2关于垂直方向的位置改变。两个驱动机构都由控制台4基于操作者的设定指令控制。
X射线源保持装置5设置有位置传感器(未示出)如电势计，其测量运输单元21沿顶板轨道的移动量，从而检测X射线源2关于水平方向的位置。将位置传感器的检测值经由有线或无线通讯提供至控制台4。
架台6包括设置在地板上的主体30，可垂直移动连接至主体30的保持部31，以及构造为垂直移动保持部31的驱动机构。X射线图像检测装置3连接至保持部31。通过后面将要描述的控制台4的控制装置40基于操作者的安置操作控制驱动机构。
架台6设置有位置传感器(未示出)如电势计，其测量保持部31的移动量，从而检测X射线图像检测装置3关于垂直方向的位置。将位置传感器的检测值经由有线或无线通讯提供至控制台4。
在控制台4中，设置包括，例如，CPU、ROM和RAM的控制装置40。控制装置40包括：操作者向其输入成像命令或命令的内容的输入装置41，构造为处理由X射线图像检测装置3获得的图像数据以产生X射线图像的图像处理单元42，构造为储存X射线图像的图像储存单元43，构造为显示例如X射线图像的监控器44，以及连接至X射线成像装置1的每个单元的接口(I/F)45。控制装置40、输入装置41、图像处理单元42、储存单元43、监控器44和I/F45经由总线46连接。
通过输入装置41的操作，例如，输入X射线成像条件如X射线源2与X射线图像检测装置3之间的距离(成像距离)SID，或管电压，以及成像定时。控制装置40驱动X射线源保持装置5以将X射线源2基于由X射线源保持装置5提供的X射线源2的水平位置移动至对应于输入成像距离SID的位置。而且，控制装置40驱动X射线源保持装置5以将X射线源2基于由架台6提供的X射线图像检测装置3的垂直位置移动至与X射线图像检测装置3相对的垂直位置。
X射线图像检测装置3包括含有通过X射线曝光而发射荧光的荧光材料的闪烁体(荧光体)60，以及具有将由闪烁体60发射的荧光光电转换的二维排列的光电转换元件70的传感器面板61。闪烁体60经由任选地将闪烁体60与一组光电转换元件70连接的树脂层粘合至传感器面板61。包括粘合至传感器面板61的闪烁体60的检测单元62由支持体63支持并且容纳在箱体64内。
在下文中，将描述检测单元62。
图3示意性地示例检测单元62的构造，并且图4示意性地示例检测单元62的传感器面板61的构造。
检测单元62是通常所说的ISS-型检测单元。在连接至闪烁体60的传感器面板61中，传感器面板61安置在X射线源2侧。X射线透射穿过传感器面板61并且入射在闪烁体60上。X射线在其上入射的闪烁体60发射荧光，并且所发射的荧光由传感器面板61的一组光电转换元件70光电转换。在如上构造的X射线图像检测装置3中，将发射大量荧光的闪烁体60的放射线入射侧与传感器面板61相邻设置，从而提高灵敏度。
传感器面板61具有其中将由TFT(薄膜晶体管)构成的开关装置71形成在绝缘柔性基板上的柔性TFT基板72。一组光电转换元件70形成在柔性TFT基板72上。在柔性TFT基板72上，形成平坦化层75以覆盖一组光电转换元件70，以及平坦化柔性TFT基板72的表面。平坦化层75包括在上面描述的树脂层中，其任选地将闪烁体60与一组光电转换元件70连接。对于用于平坦化层75的树脂，例如，可以使用聚酰亚胺或聚对二甲苯，并且优选的是使用具有良好的成膜性的聚酰亚胺。而且，从灵敏度和图像锐度的角度，树脂层的厚度优选为50μm以下，并且更优选5μm至30μm。
光电转换元件70的每一个包括闪烁体60的荧光在其上入射以产生电荷的光导电层73，以及设置在光导电层73的前和后表面上的一对电极。设置在光导电层73的闪烁体60侧表面的电极74a是构造为将偏压施加至光导电层73的偏压电极，而设置在相对表面的电极74b是构造为收集由光导电层73产生的电荷的电荷收集电极。
在柔性TFT基板72上，将开关装置71二维排列以对应于二维排列的光电转换元件70。每个光电转换元件70的电荷收集电极74b连接至相应的开关装置71。由电荷收集电极74b收集的电荷通过开关装置71读出。
将多个栅极线76和多个信号线77设置在柔性TFT基板72中。栅极线76在一个方向(行方向)延伸以将每个开关装置在打开/关闭切换，并且信号线77在垂直于栅极线76的方向(列方向)延伸以通过切换为打开态的开关装置71读出电荷。连接至各个栅极线76和各个信号线77的连接端子78安置在柔性TFT基板72的外围边缘。连接端子78经由连接电路79连接至电路板(未示出)。电路板具有作为外部电路的栅极驱动器，以及信号处理单元。
开关装置71通过经由栅极线76从栅极驱动器提供的信号逐线相继地切换为打开态。由切换为打开态的开关装置71读出的电荷经由信号线77传输，并且输入至信号处理单元。因此，将电荷相继地逐线读出，并且在信号处理单元中转化为电信号以产生数字图像数据。
在下文中，将描述闪烁体60。
图5示意性地示例闪烁体60的构造。
对于形成闪烁体60的荧光材料，例如，可以使用CsI:Tl(铊活化的碘化铯)，NaI:Tl(铊活化的碘化钠)，或CsI:Na(钠活化的碘化铯)。其中，考虑到光发射光谱适合于α-Si光电二极管的光谱灵敏度的最大值(约550nm)的事实，CsI:Tl是优选的。
闪烁体60包括柱状部80和设置在柱状部80的传感器面板侧的非柱状部81。柱状部80和非柱状部81连续地堆叠在层中，并且可以通过后面将描述的气相沉积法形成。在闪烁体60中，非柱状部81粘合至传感器面板61。
柱状部80由通过以柱状的形状生长上面描述的荧光材料的晶体所形成的一组柱状晶体82形成。每个柱状晶体82基本上垂直于传感器面板61的表面设置。在相邻的柱状晶体82之间插入空隙，并且每个柱状晶体82彼此独立地存在。
非柱状部81由一组荧光材料的相对小的晶体形成。在通过一组各自具有相对小的直径的晶体形成的非柱状部81中，晶体不规则地彼此结合或彼此重叠，并且因此晶体之间的清晰空隙几乎不出现。而且，在非柱状部81中，可以包含荧光材料的无定形形式。
抑制在每个柱状晶体82中产生的荧光不扩散，因为柱状晶体82内的全反射归因于柱状晶体82与绕晶体的空隙(空气)之间的折射率上的差别而重复。之后，荧光被引导至与柱状晶体82相对的光电转换元件70。因此，图像的锐度提高。
由各自具有相对小直径的晶体或其聚集体形成的非柱状部81是致密的并且与柱状部80比较具有低孔隙率。因为在闪烁体60中，非柱状部81粘合至传感器面板61，闪烁体60与传感器面板61之间的粘合改善。这抑制了闪烁体60从传感器面板61剥离。
图6是示例沿图5中的闪烁体60的VI-VI所取的截面的电子显微照片。
如从图6看到的，在柱状部80中，柱状晶体82在晶体生长方向上显示基本上均匀的横截面直径，而且，柱状晶体82具有环绕柱状晶体82的间隔、彼此独立地存在。从光导效果、机械强度以及像素缺陷预防的角度，柱状晶体82的晶体直径(柱直径)优选在2μm至8μm的范围内。当晶体直径太小时，柱状晶体82可能缺乏机械强度，并且因此可能由于例如振动而损坏。当晶体直径太大时，每个光电转换元件70中柱状晶体82的数目可能减少。因此，如果在晶体中出现裂纹，在相应的元件中形成缺陷的可能性可能增加。
这里，柱直径是指当在柱状晶体82的生长方向上从顶部平面观察时晶体的最大直径。在具体的测量方法中，柱直径通过在柱状晶体82的生长方向上用SEM(扫描电子显微镜)从顶部面观察测量。观察用允许观察100至200个柱状晶体82的放大倍数(约2,000x)进行，并且之后采用通过测量并且对于包括在一个点(shot)内的所有晶体获得的柱直径的值的最大值取平均所获得的值。将柱直径(μm)读出至两位小数，并且通过根据JISZ8401四舍五入至一位小数确定平均值。
柱状部80的厚度依赖于放射线的能量，但从柱状部80中足够的放射线吸收和图像锐度的角度，优选在200μm至700μm的范围内。当柱状部80的厚度太小时，不可以充分地吸收放射线，并且因此灵敏度可能劣化。当厚度太大时，可能出现光扩散，并且因此即使通过柱状晶体的光导作用图像锐度也可能劣化。
图7是示例沿图5中闪烁体60的VII-VII截面所取的电子显微照片。
如从图7显见的，在非柱状部81中，因为晶体不规则地彼此连接或彼此重叠，晶体之间的清楚间隔不像柱状部80中那么固定。从粘合性的角度，构成非柱状部81的晶体的直径优选为7.0μm以下。当晶体直径太大时，平面性可能劣化并且因此，与传感器面板61的粘合可能劣化。
这里，在其中晶体彼此连接的情况下，如下测量晶体直径。连接在相邻的晶体之间出现的凹部(凹处)的线被认为是晶体之间的边界，并且将所连接的晶体分离为最小的多边形以使得测量柱直径和对应于柱直径的晶体的直径。之后，确定其平均值并且以与柱状部80的晶体直径相同的方式采用。
从与传感器面板61的粘合性与图像品质的角度，非柱状部81的厚度优选在5μm至50μm的范围内。当非柱状部81的厚度太小时，不可以获得与传感器面板61的足够粘合。当厚度太大时，荧光对非柱状部81的贡献，以及非柱状部81中荧光的扩散可能增加，并且因此，图像锐度可能劣化。
在下文中，将描述制造以上闪烁体60的方法。
图8示意性地示例制造闪烁体60的方法的实例。
在制造闪烁体60的方法中，如图8中所示，将闪烁体60通过气相沉积法直接形成在传感器面板61的表面上。通过气相沉积法，可以连续地并且整体地形成柱状部80和非柱状部81。在下文中，将通过实例的方式描述其中使用CsI:Tl作为荧光材料的情况。
在通过气相沉积法形成闪烁体60中，在具有，例如，0.01至10Pa的真空度的环境下，将CsI:Tl加热并蒸发，例如，通过将电流施加至电阻加热的坩埚的方式，并且之后将传感器面板61的温度调节至室温(20℃)至300℃，以便将CsI:Tl沉积在传感器面板61上。
当将CsI:Tl的晶体相形成在传感器面板61上时，在初始阶段，沉积各自具有相对小直径的晶体以形成非柱状部81(图8B)。之后，通过改变真空度，以及传感器面板61的温度中的至少一个条件，在形成非柱状部81之后连续形成柱状部80。具体地，柱状晶体82通过增加真空度，和/或增加传感器面板61的温度而生长(图8C)。
将检测单元62以下列方式构造：其中将包括粘合至传感器面板61的非柱状部81的闪烁体60形成在传感器面板61上。
图9示意性地示例制造闪烁体60的方法的另一个实例。
在制造闪烁体60的方法中，如图9中所示，使用基板83，其中将闪烁体60形成在基板83的表面上，并且之后将形成在基板83上的闪烁体60连接至传感器面板61。
可以使用的基板83的实例可以包括碳板、CFRP(碳纤维加强的塑料)、玻璃板、石英基板、蓝宝石基板，以及由，例如，铁、锡、铬或铝制成的金属片，但是不限定于其中，条件是可以将闪烁体60形成在基板上。
在本实例中，闪烁体60也通过气相沉积法形成。在具有0.01至10Pa的真空度的环境下，将CsI:Tl加热并蒸发，例如，通过将电流施加至电阻加热的坩埚的方式，并且之后将支持体11的温度调节至室温(20℃)至300℃以便在基板83上沉积CsI:Tl。
当将CsI:Tl的晶体相形成在基板83上，在初始阶段，生长柱状晶体82以形成柱状部80(图9B)。之后，通过降低真空度和/或降低基板83的温度，在形成柱状部80之后连续形成非柱状部81(图9C)。
在将闪烁体60形成在基板83上之后，插入粘合层以将闪烁体60的非柱状部81粘合至传感器面板61(图9D)。之后，通过剥离基板83构造检测单元62(图9E)。对粘合层没有特别的限制，条件是它允许荧光从闪烁体60到达传感器面板61而不削弱。例如，粘合层可以由粘合剂如UV可固化粘合剂、热固化粘合剂、室温固化粘合剂或热熔粘合剂、粘结剂如橡胶系粘结剂、硅系粘结剂或丙烯酸类粘结剂，或在其两个表面设置有粘合剂或粘结剂的双面粘合剂/粘合片形成。而且，对于粘合剂，从抑制图像的锐度劣化的角度，优选的是使用由低-粘度环氧树脂制成的粘合剂，因为它可以形成相对于元件尺寸足够薄的粘合层。而且，对于粘结剂，具有较少的由光或氧化所致的劣化的丙烯酸类粘结剂是优选的。当闪烁体60和传感器面板61通过粘合层彼此粘合时，在上面描述的将闪烁体60与传感器面板61的一组光电转换元件70光学连接的树脂层中包含粘合层。
X射线图像检测装置3还包括构造为将如上构造的检测单元62弯曲的弯曲单元65。在下文中，将描述弯曲单元65。
图10和11示例弯曲单元65的构造。
弯曲单元65包括构造为支持检测单元62的支持体63、安置在支持体63中并且通过物理刺激所致而弯曲的驱动部件90，以及构造为将物理刺激施加至驱动部件90的驱动单元91。
支持体63包括覆盖部92和接合部93，所述覆盖部92具有遮光性，并且覆盖检测单元62的闪烁体60侧，换言之，与X射线入射侧相反的侧面，所述接合部93构造为接合检测单元62的一对边缘(在所示实例中在y方向上的一对边缘)。支持体63由具有允许材料自支持的柔韧性的材料制成，例如，可以适宜地使用橡胶系或沥青系碳纤维。
对于驱动部件90，在本实例中，使用构造为通过作为物理刺激所致的热而弯曲的带形双金属90。将多个双金属90固定在覆盖部92的后表面上，并且设置为在y方向上平行彼此延伸，并且以在x方向上合适的间隔彼此分开。
驱动单元91将稳定的电流提供至每个双金属90。施加了来自驱动单元91的电流的双金属90通过归因于其电阻的自加热所致而弯曲以便使得曲率中心位于检测单元62的X射线入射侧。之后，将驱动单元91构造为根据由控制台4设定的成像距离SID将电流施加至双金属90的每一个，并且施加了来自驱动单元91的电流的双金属90被弯曲，以便基本上符合绕中心轴的圆筒形表面，所述中心轴为平行于x方向穿过X射线焦点16的直线。
与双金属90的弯曲同时，支持体63和由支持体63支持的检测单元62也弯曲。因为双金属90弯曲以基本上符合绕中心轴的圆筒形表面，所述中心轴为平行于x方向穿过X射线焦点16的直线，检测单元62也以相同方式弯曲，并且其曲率中心安置在基本上对应于X射线焦点16的位置。
图12示意性地示例弯曲的检测单元62。
闪烁体60的每个柱状晶体82彼此独立地存在，如上所述，具有绕柱状晶体82的间隙。即使当传感器面板61弯曲时，绕各自的柱状晶体82的间隙也伸展和收缩以使得柱状晶体82保持垂直于传感器面板61的表面。传感器面板61是弯曲的以符合绕中心线的基本上圆筒形表面，所述中心线为平行于x方向穿过X射线焦点16的直线。因此，相应的柱状晶体82朝向中心轴并且从平面图看成为基本上平行于入射至柱状晶体82的X射线。这抑制了X射线在闪烁体60内穿过多个柱状晶体82行进，从而提高图像的锐度。
在弯曲以使得曲率中心位于X射线入射平面侧的检测单元62中，将闪烁体60定位在外部直径侧，并且沿检测单元62的弯曲，将一组柱状晶体82的前端部分之间的间隙加宽。因此，避免了相邻的柱状晶体82的前端部分彼此进行接触，从而抑制柱状晶体82被破坏。
与柱状部80比较具有低孔隙率的闪烁体60的非柱状部81粘合至传感器面板61并且粘合性增加。这抑制了闪烁体60归因于传感器面板61的弯曲的剥离。
在上面描述的X射线图像检测装置3中，暴露的检测单元62(闪烁体60和传感器面板61)通过支持体63直接支持并且弯曲，其中支持体63覆盖检测单元62以遮挡光。然而，如图13中所示，当检测单元62容纳在具有遮光性的柔性箱体100中时，支持体63不需要遮光性。
在图13中示例的实例中，将含有具有栅极驱动器作为外部电路的电路板的控制单元101，以及信号处理单元沿检测单元62的一个边缘设置。将栅极线76(参见图4)或信号线77(参见图4)电连接至电路板。在栅极驱动器或信号处理单元中，使用典型地由无机半导体材料如硅制成的刚性IC，并且因此难以弯曲含有它们的整个控制单元。在这种情况下，优选的是，相对于载体63，所述载体63被弯曲以基本上符合绕中心线的基本上圆筒形表面，所述中心线为平行于x方向穿过X射线焦点16的直线，将安装有控制单元101的检测单元62的一个边缘平行于x方向安置，并且仅有检测单元62由支持体63支持以被弯曲。
在栅极驱动器中，栅极驱动器电路可以由柔性有机TFT代替由无机半导体材料制成的刚性IC形成。那么，如图14中所示，由有机TFT制成的栅极驱动器电路102可以设置在传感器面板61的柔性TFT基板72上。在这种情况下，因为栅极驱动器电路102是柔性的，不抑制检测单元62的弯曲。
在上面描述的X射线图像检测装置3中，作为实例，对双金属90施加电流，并且其通过自加热弯曲。然而，双金属90的温度可以通过温度控制元件如珀尔帖效应元件控制。而且，在上面的说明中，作为要通过作为物理刺激所致的热而弯曲的驱动部件，示例性地使用双金属90。然而，也可以使用形状记忆合金。
图15和16示例上面描述的X射线图像检测装置3的再另一个修改的实例。
在图15和16中示例的X射线图像检测装置103中，将一个双金属90设置在支持检测单元62的支持体63的覆盖部92上，其形成为覆盖几乎整个覆盖部92的尺寸。施加有根据由控制台4设定的成像距离SID的来自驱动单元91的电流的双金属90是弯曲的，以确保环绕作为中心的X射线焦点16的球形表面。与使双金属90弯曲同时，支持体63和由支持体63支持的检测单元62也是弯曲的，以与绕作为中心的X射线焦点16的球形表面一致。因此，每个柱状晶体82朝向X射线焦点16，并且变得基本上平行于入射至柱状晶体82的X射线。这抑制了X射线在闪烁体60内穿过多个柱状晶体82行进，从而进一步提高图像的锐度。
图17示例上面描述的X射线成像装置1的修改的实例，并且图18示例图17中的X射线成像装置的X射线图像检测装置的构造。
X射线成像装置201具有多个X射线源202。X射线从通过控制台4的控制装置40控制的X射线源202相继发射，并且X射线焦点位置依次通过开关X射线源202移动。
在X射线图像检测装置203中，支持检测单元62的支持体63的覆盖部92划分为多个区域，并且双金属90设置在各自的区域中。在示例性实例中，覆盖部92在x方向和y方向的每一个分割为三个区域，并且各自的区域设置有双金属90。驱动单元91构造为根据X射线焦点位置彼此独立地控制施加至双金属90的电流。
图19示意性地示例X射线图像检测装置203中的检测单元62的弯曲。
因为将对于双金属90彼此独立地控制的电流从驱动单元91施加，可以不同地改变检测单元62的曲率半径，以及连接检测单元62的中心与曲率中心的直线的方向。
例如，当施加至各自的区域中的双金属90的电流相同时，检测单元62基本上关于检测单元62的中心对称地弯曲。这里，将检测单元62的中心与相应的曲率中心连接的直线基本上沿z方向(图19A)。在y方向上的中心行区域中施加至双金属90的电流中，当将在一侧行区域施加至双金属90的电流设定为高并且将在另一侧行区域施加至双金属90的电流设定为低时，检测单元62关于检测单元62的中心不对称地弯曲。这里，连接检测单元62的中心与曲率中心的直线关于z方向倾斜(图19B和19C)。
如上所述，通过根据X射线焦点位置彼此独立地控制施加至双金属90的电流，检测单元62的曲率中心可以符合通过开关X射线源202相继移动的X射线焦点位置。因此，关于从不同的X射线焦点位置发射的放射线，闪烁体60的各自的柱状晶体82可以基本上平行于入射至柱状晶体82的X射线。
图20示例上面描述的X射线图像检测装置3的再另一个修改的实例。
在上面描述的X射线图像检测装置3及其修改的实例中，作为构造为弯曲检测单元62的驱动部件，例如，示例性地使用要通过作为外部刺激所致的热而弯曲的双金属。然而，可以使用通过外部刺激伸展或收缩的驱动部件，并且对于这种驱动部件，例如，压电元件或使用聚合物凝胶的体积相变的人造肌肉可以是示例。这些通过施加电压作为外部刺激所致而伸展或收缩。
在图18中示例的X射线图像检测装置303中，支持检测单元62的支持体63的外周固定至箱体64的内壁。将人造肌肉390设置在支持体63的覆盖部92的中心。
人造肌肉390的伸展/收缩方向上的一个末端连接至支持体63，并且另一个末端固定至与支持体63相反的箱体64的内壁。驱动单元(未示出)构造为根据成像距离SID控制施加至人造肌肉390的电压。当从驱动单元91根据成像距离SID施加电压的人造肌肉390收缩时，支持体63弯曲以符合绕作为中心的X射线焦点16的球形表面，并且由支持体63支持的检测单元62也弯曲以符合绕作为中心的X射线焦点16的球形表面。因此，各自的柱状晶体82朝向X射线焦点16，并且变为基本上平行于入射至柱状晶体82的X射线。
在另一个构造中，可以将支持体63的覆盖部92的中心固定至箱体64以使得支持体63的外周可以通过多个人造肌肉390支持。在该构造中，可以对于人造肌肉390彼此独立地控制施加至各自的人造肌肉390的电压。这里，以与上面描述的X射线成像装置201中的X射线图像检测装置203相同的方式，通过根据X射线焦点位置彼此独立地控制施加至各自的人造肌肉390的电压，检测单元62的曲率中心可以符合通过开关X射线源202而相继移动的X射线焦点位置。
上面描述的放射线图像检测装置的每一个可以以高灵敏度和高清晰度检测放射线图像，并且因此可以在包埋在需要以低放射线照射剂量检测锐利图像的多种装置，包括用于医学诊断如乳房X射线照相术的X射线成像装置内的同时使用。例如，该装置具有其宽应用范围，因为它可以用作用于非破坏性测试的工业用途的X射线成像装置，或作为用于检测除电磁波之外的微粒束(α射线、β射线、γ射线)的装置。
在下文中，将描述可以用于构成传感器面板61的每个组件的材料。
[光电转换元件]
虽然通常使用无机半导体材料如非晶硅作为上述光电转换元件70的光导电层73(参考图3)，也可以使用JP-A-2009-32854中公开的任意OPC(有机光电转换)材料。可以使用由OPC材料形成的膜(在下文中称为OPC膜)作为光导电层73。OPC膜含有有机光电转换材料，其吸收由闪烁体发射的光并且产生对应于所吸收的光的电荷。因此，含有有机光电转换材料的OPC膜在可见光范围内具有尖锐的吸收光谱。除由闪烁体发射的光之外的电磁波几乎不被OPC膜吸收。因此，可以有效地抑制由放射线如由OPC膜吸收的X射线产生的噪音。
优选的是形成OPC膜的有机光电转换材料的吸收峰波长接近于由闪烁体发射的光的峰值波长，以便更有效地吸收由闪烁体发射的光。理想地，有机光电转换材料的吸收峰波长与由闪烁体发射的光的峰值波长一致。然而，如果有机光电转换材料的吸收峰波长与由闪烁体发射的光的峰值波长之间的差别小，可以令人满意地吸收由闪烁体发射的光。具体地，有机光电转换材料的吸收峰波长与由闪烁体响应放射性射线发射的光的峰值波长之间的差别优选不大于10nm，更优选不大于5nm。
可以满足这样的条件的有机光电转换材料的实例包括亚芳基系有机化合物、喹吖啶酮系有机化合物和酞菁系有机化合物。例如，可见光范围内的喹吖啶酮的吸收峰波长是560nm。因此，当使用喹吖啶酮作为有机光电转换材料并且使用CsI(Tl)作为闪烁体材料时，可以将峰波长上的上述区别设定在5nm内以使得在OPC膜中产生的电荷的量可以基本上增加至最大。
设置在偏压电极74a与电荷收集电极74b之间的有机层的至少一部分可以由OPC膜形成。更详细地，有机层可以由用于吸收电磁波的部分、光电转换部分、电子输送部分、电子空穴输送部分、电子阻挡部分、电子空穴阻挡部分、结晶防止部分、电极、层间接触改善部分等堆叠或混合形成。
优选有机层含有有机p-型化合物或有机n-型化合物。有机p-型半导体(化合物)是主要由电子空穴输送有机化合物代表的给体型有机半导体(化合物)，意指具有容易给出电子的特性的有机化合物。更详细地，在彼此接触使用的两种有机材料中，具有较低电离电位的一种被称为给体型有机化合物。因此，可以使用任意有机化合物作为给体型有机化合物，条件是该有机化合物具有给出电子的特性。可以使用的给体型有机化合物的实例包括三芳基胺化合物、联苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯基甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花青化合物、部花青化合物、氧杂菁化合物、多胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚亚芳基化合物、稠合芳族碳环状化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物)、具有含氮杂环化合物作为配体的金属配合物等。给体型有机半导体不限于此，而是可以使用具有比用作n-型(受体型)化合物更低电离电位的任何有机化合物作为给体型有机半导体。
n-型有机半导体(化合物)是主要由电子传输有机化合物为代表的受体型有机半导体(化合物)，意指具有容易地接收电子的特征的有机化合物。更具体地，当彼此接触使用两种有机化合物时，具有更高的电子亲合势的两种有机化合物中的一种是受体型有机化合物。因此，可以使用任意有机化合物作为受体型有机化合物，条件是该有机化合物具有接受电子的特性。其实例包括稠合芳族碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物)，含有氮原子、氧原子或硫原子的5至7元杂环化合物(例如吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、异喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、菲咯啉、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、
Figure BDA0000369776020000171
唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并
Figure BDA0000369776020000172
唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并哒嗪、三唑并嘧啶、四氮杂茚、二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚亚芳基化合物、芴化合物、环戊二烯化合物、硅烷基化合物以及具有含氮杂环化合物作为配体的金属配合物。受体型有机半导体不限于此。可以使用任意有机化合物作为受体型有机半导体，条件是该有机化合物具有比用作给体型有机化合物的有机化合物更高的电子亲合势。
对于p-型有机染料或n-型有机染料，可以使用任何已知染料。其优选实例包括花青染料、苯乙烯基染料、半花青染料、部花青染料(包括零次甲基部花青(简单部花青))、三核部花青染料、四核部花青染料、若丹菁染料、配合物花青染料、配合物部花青染料、alopolar染料、氧杂菁染料、半氧杂菁染料、方酸菁染料、克酮酸染料、氮杂次甲基染料、香豆素染料、亚芳基染料、蒽醌染料、三苯基甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲碱染料、螺环化合物、金属茂染料、芴酮染料、俘精酸酐(flugide)染料、苝染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛青染料、二苯基甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯基胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩
Figure BDA0000369776020000181
嗪染料、酞苝染料、卟啉染料、叶绿素染料、酞菁染料、金属配合物染料以及稠合芳族碳环染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物)。
可以优选使用这样的光电转换膜(光敏层)，其在一对电极之间具有p-型半导体层和n-型半导体层，并且p-型半导体和n-型半导体中的至少一个是有机半导体，并且其中将包含p-型半导体和n-型半导体的整体异质结结构层设置作为那些半导体层之间的中间层。光电转换膜中包含的整体异质结结构层可以弥补有机层的载流子扩散长度短的缺陷。因此，可以提高光电转换效率。整体异质结结构详细描述在JP-A-2005-303266中。
优选的是，考虑到来自荧光体层的光的吸收，光电转换膜较厚。考虑到不对于电荷的分离做出任何贡献的比例，光电转换膜优选不薄于30nm并且不厚于300nm，更优选不薄于50nm并且不厚于250nm，特别是更优选不薄于80nm并且不厚于200nm。
对于关于上述OPC膜的任何其他构造，例如，参考JP-A-2009-32854中的说明。
[开关装置]
虽然通常使用无机半导体材料如非晶硅作为开关装置71的活性层，可以使用例如，如JP-A-2009-212389中所公开的有机材料。有机TFT可以具有任意类型的结构，但场效应晶体管(FET)结构是最优选的。在FET结构中，将栅极电极部分地设置在绝缘基板的上表面。设置绝缘体层以覆盖电极并且在除电极之外的部分接触基板。此外，将半导体活性层设置在绝缘体层的上表面上，并且将透明源电极和透明漏电极部分地安置在半导体活性层的上表面上和彼此位于一定距离。该构造被称为顶部接触型装置。还优选使用其中可以将源电极和漏电极安置在半导体活性层下方的底部接触型装置。此外，可以使用其中载流子在有机半导体膜的厚度方向流动的垂直晶体管结构。
(活性层)
本文提到的有机半导体材料是显示作为半导体的性质的有机材料。与由无机材料形成的半导体类似，有机半导体材料的实例包括传导作为载流子的电子空穴(空穴)的p-型有机半导体材料(或简单地称为p-型材料或称为电子空穴传输材料)，以及传导作为载流子的电子的n-型有机半导体材料(或简单地称为n-型材料或称为电极传输材料)。在有机半导体材料中，很多p-型材料通常显示良好的性质。此外，p-型晶体管作为在大气下的晶体管通常在操作稳定性上是出色的。这里，这里将对于p-型有机半导体材料进行说明。
有机薄膜晶体管的一个性质是载流子迁移率(也简称为迁移率)μ，其显示载流子在有机半导体层中的迁移率。虽然优选的迁移率根据应用变化，更高的迁移率通常是优选的。迁移率优选不低于1.0×10-7cm2/Vs，更优选不低于1.0×10-6cm2/Vs，再优选不低于1.0×10-5cm2/Vs。当制造场效应晶体管(FET)装置时，迁移率可以通过性质或TOF(飞行时间)测量获得。
p-型有机半导体材料可以或者是低分子量材料或者是高分子量材料，但优选低分子量材料。很多低分子量材料典型地显示出色的性质：容易高度提纯，原因在于可以对其施加多种提纯方法如升华精炼、重结晶、柱色谱等，或容易形成高度有序的晶体结构，原因在于低分子量材料具有固定的分子结构。低分子量材料的分子量优选不低于100并且不高于5,000，更优选不低于150并且不高于3,000，再更优选不低于200并且不高于2,000。
对于这种p-型有机半导体材料，可以示例性地使用酞菁化合物或萘酞菁(naphthalocyanine)化合物。其具体实例在下面给出。而且，M表示金属原子，Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表示乙基，并且Ph表示苯基。
[化学式1]
Figure BDA0000369776020000201
化合物 M R n R’ R”
1 Si OSi(n-Bu)3 2 H H
2 Si OSi(i-Pr)3 2 H H
3 Si OSi(OEt)3 2 H H
4 Si OSiPh3 2 H H
5 Si O(n-C8H17) 2 H H
7 Ge OSi(n-Bu)3 2 H H
8 Sn OSi(n-Bu)3 2 H H
9 Al OSi(n-C6H13)3 1 H H
10 Ga OSi(n-C6H13)3 1 H H
11 Cu - - O(n-Bu) H
12 Ni - - O(n-Bu) H
13 Zn - - H t-Bu
14 V=O - - H t-Bu
15 H2 - - H t-Bu
16 Si OSiEt3 2 - -
17 Ge OSiEt3 2 - -
18 Sn OSiEt3 2 - -
19 Al OSiEt3 1 - -
20 Ga OSiEt3 1 - -
(除了活性层之外的开关装置构成部分)
对构成栅极电极、源电极或漏电极的材料没有特别的限制，条件是它具有所需的导电性。然而，其实例可以包括透明导电氧化物如ITO(因掺杂的氧化锡)、IZO(铟掺杂的氧化锌)、SnO2、ATO(锑掺杂的氧化锡)、ZnO、AZO(铝掺杂的氧化锌)、GZO(镓掺杂的氧化锌)、TiO2、或FTO(氟掺杂的氧化锡)、透明导电聚合物如PEDOT/PSS([聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸)，或碳材料如碳纳米管。这些电极材料可以通过，例如，真空蒸发法、溅射法或溶液涂布法成膜。
在对于绝缘层使用的材料上没有特别的限制，条件是它具有所需的绝缘效果。其实例可以包括无机材料如二氧化硅、氮化硅或氧化铝，或有机材料如聚酯(例如，PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯))、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚-对-亚二甲苯基树脂、酚醛清漆树脂、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)。这些绝缘膜材料可以通过，例如，真空蒸发法、溅射法或溶液涂布法成膜。
以上描述的有机TFT的其他构造可以参考JP-A-2009-212389的说明书。
而且，在开关装置71的活性层中，例如，可以使用JP-A-2010-186860中描述的无定形氧化物。在下文中，将描述JP-A-2010-186860中描述的场效应晶体管(FET)中包含的含有无定形氧化物的活性层。活性层作为FET的通道层，允许电子或空穴移动。
活性层构造为包括无定形氧化物半导体。无定形氧化物半导体可以在低温成膜，并且因此可以适当地形成在柔性基板上。在活性层中使用的无定形氧化物半导体可以优选是包含选自包括In、Sn、Zn和Cd的组的至少一种元素的无定形氧化物，更优选包含选自包括In、Sn和Zn的组的至少一种的无定形氧化物，并且再更优选，包含选自包括In和Zn的组的至少一种的无定形氧化物。
活性层中使用的无定形氧化物的实例，详细地，可以包括In2O3、ZnO、SnO2、CdO、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-氧化物(ITO)、镓-锌-氧化物(GZO)、铟-镓-氧化物(IGO)或铟-镓-锌-氧化物(IGZO)。
对于活性层的成膜方法，可以优选用氧化物半导体的多晶烧结体作为靶标使用气相成膜方法。在气相成膜方法中，溅射法或脉冲激光沉积法(PLD方法)是合适的。此外，从大量生产的角度，溅射法是优选的。例如，可以在控制真空度和氧流动速率的同时通过RF磁电管溅射蒸发方法进行成膜。
通过已知的X射线衍射方法确定成膜活性层为无定形膜。活性层的组成比可以通过RBS(卢瑟福反向散射)分析方法获得。
此外，活性层的电导率优选为10-4Scm-1以上并且小于102Scm-1，并且更优选10-1Scm-1以上并且小于102Scm-1。调节活性层的电导率的方法可以包括已知方法如根据氧缺陷的调节方法，根据组成比的调节方法，根据杂质的调节方法，以及根据氧化物半导体材料的调节方法。
对以上无定形氧化物的其他构造可以参考JP-A-2010-186860的说明。
[柔性绝缘基板]
不特别地限定柔性基板，条件是它具有所需的光滑性。基板的实例包括光透射塑料膜等。光透射塑料膜的实例包括由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、纤维素三乙酸酯(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等制成的膜等。此外，在这些塑料膜中可以含有任意有机或无机填充剂。可以考虑的是，优选使用具有在现有的玻璃或塑料中不能获得的如柔韧性、低热膨胀和高强度的性质的芳族聚酰胺、生物纳米纤维等形成柔性基板。
(芳族聚酰胺)
芳族聚酰胺材料具有显示315℃的玻璃化转变温度的高耐热性，显示10GPa的杨氏模量的高刚性，以及显示-3至5ppm/℃的热膨胀系数的高尺寸稳定性。因此，当使用由芳族聚酰胺制成的膜时，与其中使用一般树脂膜的情况比较，可以对于半导体层简单地形成高质量的膜。此外，归因于芳族聚酰胺材料的高耐热性，电极材料可以在高温固化以具有低耐受性。此外，还可以用包括焊料回流步骤的用IC的自动安装完成。此外，因为芳族聚酰胺材料具有与ITO(氧化铟锡)、气体隔离膜或玻璃基板的热膨胀系数接近的热膨胀系数，制造之后的卷曲小。此外，几乎不出现破裂。这里，考虑到减小环境负担，优选的是使用无卤素(符合JPCA-ES01-2003的要求)的不含有卤素的芳族聚酰胺材料。
芳族聚酰胺膜可以与玻璃基板或PET基板层压，也可以粘贴至装置的外壳上。
芳族聚酰胺的高分子间结合(氢键力)导致对溶剂的低溶解性。当通过分子设计解决了低溶解性的问题时，可以优选使用容易形成为无色和透明薄膜的芳族聚酰胺材料。归因于用于控制单体单元的顺序和取代基物种以及芳族环上的位置的分子设计，具有良好溶解性的简单形式可以用保持具有高线性的棒状形状的分子结构获得，带来芳族聚酰胺材料的高刚性或尺寸稳定性。关于分子设计，也可以实现没有卤素。
此外，可以优选使用在膜的面内方向具有最优性质的芳族聚酰胺材料。在溶液流延、垂直拉伸和水平拉伸的每个步骤中根据在流延过程中持续改变的芳族聚酰胺膜的强度控制张力条件。归因于张力条件的控制，可以平衡具有棒状分子结构的具有导致各向异性物理性质容易出现的高线性的芳族聚酰胺膜的面内特性。
具体地，在溶液流延步骤中，控制溶剂的干燥速率以得到面内厚度方向物理各向同性并且最优化包含溶剂的膜的强度和从流延鼓的抗剥强度。在垂直拉伸步骤中，根据在拉伸过程中持续变化的膜强度和溶剂的残留量精确地控制拉伸条件。在水平拉伸中，根据归因于加热变化的膜强度上的改变控制水平拉伸条件并且进行控制以释放膜的残留应力。通过使用这种芳族聚酰胺材料，解决了在流延之后芳族聚酰胺膜可能卷曲的问题。
在每一个用于易于流延的发明以及用于膜面内特性平衡的发明中，可以保持芳族聚酰胺所特有的具有高线性的棒状分子结构以将热膨胀系数保持为低。当改变膜形成过程中的拉伸条件时，可以进一步减小热膨胀系数。
(生物纳米纤维)
相对于光的波长足够小的组分不产生光的散射。因此，可以使用纳米纤维作为用于透明柔性树脂材料的支持体。并且，在纳米纤维中，可以优选使用细菌纤维素和透明树脂的复合材料(有时称为生物纳米纤维)。细菌纤维素由细菌(木醋杆菌(Acetobacter Xylinum))产生。细菌纤维素具有50nm的纤维素微纤维束宽度，其为可见光的波长的约1/10。此外，细菌纤维素的特征在于高强度、高弹性和低热膨胀。
当将细菌纤维素片用透明树脂如丙烯酸类树脂或环氧树脂浸渍并固化时，可以获得显示在500nm的波长约90％的光透射率同时具有约60至70％的高纤维比的透明生物纳米纤维。通过生物纳米纤维，可以获得与硅晶体的热膨胀系数一样低的热膨胀系数(约3至7ppm)、与钢材一样高的强度(约460MPa)，以及高弹性(约30GPa)。
对于关于上述生物纳米纤维的构造，例如，参考JP-A-2008-34556中的说明。
通过用透明树脂如丙烯酸类树脂或环氧树脂浸渍细菌纤维素片并且将透明树脂固化，可以获得以约60至70％的高比例含有纤维并且在500nm的波长抑制约90％的光透射率的透明生物纳米纤维。通过生物纳米纤维，可以获得与硅晶体的热膨胀系数比较更低的热膨胀系数(约3至7ppm)，与钢材相同级别的强度(约460MPa)，以及高模量(约30GPa)。
对于上面描述的生物纳米纤维的构造，参见，例如，JP-A-2008-34556。
如上所述，本说明书公开了以下放射线图像检测装置(1)至(13)。
(1)一种放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置包括：荧光体，所述荧光体含有通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料，和传感器面板，所述传感器面板设置为与所述荧光体紧密接触，并且检测从所述荧光体发射的荧光，其中所述荧光体包括柱状部，所述柱状部由一组柱状晶体形成，所述柱状晶体通过以柱的形状生长所述荧光材料的晶体而形成，放射线入射面在所述荧光体的相反侧设置在所述传感器面板中，并且所述传感器面板具有柔韧性并且是弯曲的，以使曲率中心位于所述放射线入射面的那一侧。
(2)(1)所述的放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置还包括弯曲单元，所述弯曲单元构造为支持所述传感器面板并且弯曲所述传感器面板以使得所述曲率中心的位置可变。
(3)在(2)所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得所述传感器面板的曲率半径可变。
(4)在(2)或(3)所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得连接所述传感器面板的中心与所述曲率中心的直线的方向可变。
(5)在(2)至(4)中的任一项所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而弯曲并且附于所述传感器面板。
(6)在(5)所述的放射线图像检测装置中，所述驱动部件是双金属。
(7)在(6)所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元具有构造为对所述双金属施加电流的驱动单元。
(8)在(2)至(4)中的任一项所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而伸展和收缩，并且具有连接至所述传感器面板的一个末端，以及被固定的另一个末端。
(9)在(5)至(8)中的任一项所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元具有多个所述驱动部件，并且所述弯曲单元将所述物理刺激彼此独立地施加至所述驱动部件。
(10)在(5)至(9)中的任一项所述的放射线图像检测装置中，所述弯曲单元具有构造为支持所述传感器面板的支持体，所述支持体包括覆盖部和接合部，所述覆盖部构造为覆盖与所述传感器面板的与所述荧光体紧密接触的表面相反的表面，所述接合部构造为接合所述传感器面板的边缘，并且所述驱动部件设置在所述覆盖部上。
(11)在(10)所述的放射线图像检测装置中，所述支持体具有柔韧性。
(12)在(1)至(11)中的任一项所述的放射线图像检测装置中，所述荧光体还包括与所述柱状部比较具有低孔隙率的非柱状部，并且所述非柱状部与所述传感器面板紧密接触。
(13)在(12)所述的放射线图像检测装置中，所述非柱状部具有在5μm至50μm的范围内的厚度。
如上所述，本说明书公开以下放射线摄影装置(14)和(15)。
(14)一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：(1)至(13)中的任一项所述的放射线图像检测装置；和放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线，其中所述传感器面板的所述曲率中心对应于所述放射线源的焦点。
(15)一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：(2)至(9)任一项所述的放射线图像检测装置；放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线；和检测单元，所述检测单元构造为检测所述放射线源相对于所述放射线图像检测装置的相对位置，其中所述弯曲单元将所述传感器面板弯曲，使得所述传感器面板的曲率中心的位置是根据通过所述检测单元检测的所述放射线源的相对位置可变的。
工业实用性
根据本发明，关于弯曲以使得曲率中心位于放射线入射面侧的传感器面板，将荧光体安置在外直径侧，并且构成荧光体的一组柱状晶体的前端部分之间的空隙加宽。因此，避免了相邻的柱状晶体的前端部分彼此进行接触，从而抑制了柱状晶体被破坏。因此，即使成像距离相对短，也可以将各自的柱状晶体根据成像距离安置为平行于放射线，从而提高图像的锐度。
已经关于具体示例实施方案详细描述了本发明，但是对于本领域技术人员明白的是可以进行多种修改或变更而不脱离本发明的范围和精神。
本申请基于2011年2月21日提交的日本专利申请号2011-035227，其公开通过引用以其全部内容结合在此。
附图标记列举
1   X射线-摄影系统
2   X射线源
3   X射线图像检测装置
4   控制台
5   X射线源保持装置
6   架台
10  X射线源控制单元
11  高电压生成器
12  X射线管
13  准直管
14  准直管单元
15  旋转阳极
16  X射线焦点
20  顶板轨道
21  运输单元
22  支柱
30  主体
31  保持部
40  控制装置
41  输入装置
42  图像处理单元
43  储存单元
44  监控器
46  总线
60  闪烁体
61  传感器面板
62  检测单元
63  支持体
64  箱体
65  弯曲单元
70  光电转换元件
71  开关装置
72  柔性TFT基板
73  光导电层
74a 偏压电极
74b 电荷收集电极
75  平坦化层
76  栅极线
77  信号线
78  连接端子
79  连接电路
80  柱状部
81  非柱状部
82  柱状晶体
83  基板
90  双金属(驱动部件)
91  驱动单元
92  覆盖部
93  接合部
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置包括：
荧光体，所述荧光体含有通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料，和
传感器面板，所述传感器面板设置为与所述荧光体紧密接触，并且检测从所述荧光体发射的荧光，
其中所述荧光体包括柱状部，所述柱状部由一组柱状晶体形成，所述柱状晶体通过以柱的形状生长所述荧光材料的晶体而形成，
所述柱状晶体被设置使得在所述柱状晶体的生长方向上的所述柱状晶体的一个末端与所述传感器面板连接，并且所述柱状晶体的其他末端之间的距离能够扩大和缩小，
放射线入射面在所述荧光体的相反侧设置在所述传感器面板中，并且
所述传感器面板具有柔韧性并且是弯曲的，以使曲率中心位于所述放射线入射面的那一侧。
2.权利要求1所述的放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置还包括弯曲单元，所述弯曲单元构造为支持所述传感器面板并且弯曲所述传感器面板以使得所述曲率中心的位置可变。
3.权利要求2所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得所述传感器面板的曲率半径可变。
4.权利要求2或3所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得连接所述传感器面板的中心与所述曲率中心的直线的方向可变。
5.权利要求2至4中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而弯曲，并且附于所述传感器面板。
6.权利要求5所述的放射线图像检测装置，其中所述驱动部件是双金属。
7.权利要求6所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有构造为对所述双金属施加电流的驱动单元。
8.权利要求2至4中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而伸展和收缩，并且具有连接至所述传感器面板的一个末端，以及被固定的另一个末端。
9.权利要求5至8中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有多个所述驱动部件，并且所述弯曲单元将所述物理刺激彼此独立地施加至所述驱动部件。
10.权利要求5至9中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有构造为支持所述传感器面板的支持体，
所述支持体包括覆盖部和接合部，所述覆盖部构造为覆盖与所述传感器面板的与所述荧光体紧密接触的表面相反的表面，所述接合部构造为接合所述传感器面板的边缘，并且
所述驱动部件设置在所述覆盖部上。
11.权利要求10所述的放射线图像检测装置，其中所述支持体具有柔韧性。
12.权利要求1至11中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述荧光体还包括与所述柱状部比较具有低孔隙率的非柱状部，并且所述非柱状部与所述传感器面板紧密接触。
13.权利要求12所述的放射线图像检测装置，其中所述非柱状部具有在5μm至50μm的范围内的厚度。
14.一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：
权利要求1至13中的任一项所述的放射线图像检测装置；和
放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线，
其中所述传感器面板的所述曲率中心对应于所述放射线源的焦点。
15.一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：
权利要求2至9中的任一项所述的放射线图像检测装置；
放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线；和
检测单元，所述检测单元构造为检测所述放射线源相对于所述放射线图像检测装置的相对位置，
其中所述弯曲单元将所述传感器面板弯曲，使得所述传感器面板的曲率中心的位置是根据通过所述检测单元检测的所述放射线源的相对位置可变的。

Claims (15)

1.一种放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置包括：
荧光体，所述荧光体含有通过放射线暴露而发射荧光的荧光材料，和
传感器面板，所述传感器面板设置为与所述荧光体紧密接触，并且检测从所述荧光体发射的荧光，
其中所述荧光体包括柱状部，所述柱状部由一组柱状晶体形成，所述柱状晶体通过以柱的形状生长所述荧光材料的晶体而形成，
放射线入射面在所述荧光体的相反侧设置在所述传感器面板中，并且
所述传感器面板具有柔韧性并且是弯曲的，以使曲率中心位于所述放射线入射面的那一侧。
2.权利要求1所述的放射线图像检测装置，所述放射线图像检测装置还包括弯曲单元，所述弯曲单元构造为支持所述传感器面板并且弯曲所述传感器面板以使得所述曲率中心的位置可变。
3.权利要求2所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得所述传感器面板的曲率半径可变。
4.权利要求2或3所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元弯曲所述传感器面板以使得连接所述传感器面板的中心与所述曲率中心的直线的方向可变。
5.权利要求2至4中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而弯曲，并且附于所述传感器面板。
6.权利要求5所述的放射线图像检测装置，其中所述驱动部件是双金属。
7.权利要求6所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有构造为对所述双金属施加电流的驱动单元。
8.权利要求2至4中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元包括至少一个驱动部件，所述至少一个驱动部件由物理刺激所致而伸展和收缩，并且具有连接至所述传感器面板的一个末端，以及被固定的另一个末端。
9.权利要求5至8中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有多个所述驱动部件，并且所述弯曲单元将所述物理刺激彼此独立地施加至所述驱动部件。
10.权利要求5至9中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述弯曲单元具有构造为支持所述传感器面板的支持体，
所述支持体包括覆盖部和接合部，所述覆盖部构造为覆盖与所述传感器面板的与所述荧光体紧密接触的表面相反的表面，所述接合部构造为接合所述传感器面板的边缘，并且
所述驱动部件设置在所述覆盖部上。
11.权利要求10所述的放射线图像检测装置，其中所述支持体具有柔韧性。
12.权利要求1至11中的任一项所述的放射线图像检测装置，其中所述荧光体还包括与所述柱状部比较具有低孔隙率的非柱状部，并且所述非柱状部与所述传感器面板紧密接触。
13.权利要求12所述的放射线图像检测装置，其中所述非柱状部具有在5μm至50μm的范围内的厚度。
14.一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：
权利要求1至13中的任一项所述的放射线图像检测装置；和
放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线，
其中所述传感器面板的所述曲率中心对应于所述放射线源的焦点。
15.一种放射线摄影装置，所述放射线摄影装置包括：
权利要求2至9中的任一项所述的放射线图像检测装置；
放射线源，所述放射线源构造为朝向所述放射线图像检测装置照射放射线；和
检测单元，所述检测单元构造为检测所述放射线源相对于所述放射线图像检测装置的相对位置，
其中所述弯曲单元将所述传感器面板弯曲，使得所述传感器面板的曲率中心的位置是根据通过所述检测单元检测的所述放射线源的相对位置可变的。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105319573A (zh) * 2014-06-03 2016-02-10 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN106443751A (zh) * 2016-09-29 2017-02-22 中国核动力研究设计院 固化桶表面剂量率检测装置及其检测方法
CN106793993A (zh) * 2014-08-08 2017-05-31 射线科学有限公司 影像传感器和使用其的口腔传感器装置
CN108010928A (zh) * 2017-11-02 2018-05-08 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种柔性x射线传感器闪烁体层的直接生长方法
CN110726739A (zh) * 2018-06-29 2020-01-24 夏普株式会社 无损检测装置及无损检测方法
US11045922B2 (en) 2016-05-16 2021-06-29 Sintokogio, Ltd. Surface treatment processing method and surface treatment processing device
CN114072255A (zh) * 2019-07-31 2022-02-18 X开发有限责任公司 移动机器人传感器配置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013050364A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
US9356049B2 (en) * 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
KR102279966B1 (ko) * 2013-12-23 2021-07-21 주식회사 바텍 치과용 엑스선 촬영장치
US10712454B2 (en) * 2014-07-25 2020-07-14 General Electric Company X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier
KR101963121B1 (ko) * 2014-12-02 2019-03-28 주식회사 레이언스 구강내 센서
EP3133422B1 (en) * 2015-08-17 2021-05-05 Nokia Technologies Oy Flexible pixel array controlled by conductive shape memory material
WO2018039962A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Radiation detector and fabricating method thereof
GB201621750D0 (en) 2016-12-20 2017-02-01 Univ York Charged Particle Detector
JP2017122733A (ja) * 2017-03-02 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 Ｘ線検出器
KR102051957B1 (ko) * 2017-11-13 2019-12-04 주식회사 토비스 곡면 디텍터의 제조방법
DE102018200845B4 (de) * 2018-01-19 2021-05-06 Siemens Healthcare Gmbh Montageverfahren für die Herstellung eines Röntgendetektors, Röntgendetektor und Röntgengerät
KR102019259B1 (ko) * 2019-02-07 2019-11-04 (주)바텍이우홀딩스 구강내 센서
KR102373241B1 (ko) * 2021-06-15 2022-03-15 주식회사 디알텍 방사선 디텍터 및 이를 포함하는 방사선 검사장치
KR102683513B1 (ko) * 2022-07-28 2024-07-11 주식회사 레이언스 구강내 센서와 충전장치 및 이들을 포함한 x선 촬영 시스템

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001095789A (ja) * 1999-09-30 2001-04-10 Shimadzu Corp Ｘ線透視撮影装置
US7078702B2 (en) 2002-07-25 2006-07-18 General Electric Company Imager
US6921909B2 (en) * 2002-08-27 2005-07-26 Radiation Monitoring Devices, Inc. Pixellated micro-columnar films scintillator
JP2005337962A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Canon Inc 放射線検出装置
JP2007232619A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法
JP2008048910A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Shimadzu Corp Ｘ線グリッド
JP2008088531A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Fujifilm Corp 蛍光体層の形成方法
JP5142943B2 (ja) 2007-11-05 2013-02-13 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP5268340B2 (ja) 2007-12-07 2013-08-21 キヤノン株式会社 Ｘ線撮影装置及びｘ線撮影方法
JP2009236704A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Toshiba Corp 放射線検出装置
JP2010025620A (ja) 2008-07-16 2010-02-04 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネルとその製造方法
US8461536B2 (en) * 2008-07-18 2013-06-11 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation scintillator and radiation image detector
JP2010192671A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Corp トランジスタ及びトランジスタ制御システム
JP2011017683A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Fujifilm Corp 放射線画像検出器及びその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105319573A (zh) * 2014-06-03 2016-02-10 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN105319573B (zh) * 2014-06-03 2018-04-20 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN106793993A (zh) * 2014-08-08 2017-05-31 射线科学有限公司 影像传感器和使用其的口腔传感器装置
CN106793993B (zh) * 2014-08-08 2020-06-09 射线科学有限公司 影像传感器和使用其的口腔传感器装置
US11045922B2 (en) 2016-05-16 2021-06-29 Sintokogio, Ltd. Surface treatment processing method and surface treatment processing device
TWI776811B (zh) * 2016-05-16 2022-09-11 日商新東工業股份有限公司 表面處理加工方法及表面處理加工裝置
CN106443751A (zh) * 2016-09-29 2017-02-22 中国核动力研究设计院 固化桶表面剂量率检测装置及其检测方法
CN106443751B (zh) * 2016-09-29 2018-12-18 中国核动力研究设计院 固化桶表面剂量率检测装置及其检测方法
CN108010928A (zh) * 2017-11-02 2018-05-08 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 一种柔性x射线传感器闪烁体层的直接生长方法
CN110726739A (zh) * 2018-06-29 2020-01-24 夏普株式会社 无损检测装置及无损检测方法
CN114072255A (zh) * 2019-07-31 2022-02-18 X开发有限责任公司 移动机器人传感器配置

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