CN103282968B - 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置 - Google Patents

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Abstract

为了提高放射线图像变换面板的特性，在图像变换面板2中，设置有支持体11和荧光体18，该荧光体18形成在该支持体上并且包含由于放射线曝光发出荧光的荧光物质。荧光体包括柱状部34和非柱状部36，该柱状部34由通过荧光物质的晶体的柱状生长而形成的柱状晶体的群而形成。该柱状部和非柱状部被一体化地形成以在所述柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且在该非柱状部的柱状部侧处的孔隙率高于在该非柱状部的支持体侧处的孔隙率。

Description

放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置
技术领域
本发明涉及一种放射线图像变换面板、一种该放射线图像变换面板的制造方法和一种设置有该放射线图像变换面板的放射线图像检测装置。
背景技术
最近已经实际地使用检测放射线图像的平面板检测器（FPD）来产生数字图像数据的放射线图像检测装置。该放射线图像检测装置与常规摄像板相比可以立即确认图像，并且因此已经被迅速地普及。存在各种类型的放射线图像检测装置，并且作为所述放射线图像检测装置中的一种，器件的间接变换方式是已知的。
放射线图像检测装置的间接变换方式设置有放射线图像变换面板和具有二维阵列的光电变换器件的传感器面板，其中，所述放射线图像变换面板具有由通过放射线曝光发出荧光的诸如CsI或GOS（Gd2O2S）的荧光物质形成的闪烁体。通常，放射线图像变换面板和传感器面板被接合，使得闪烁体与二维阵列的光电变换器件紧密接触。经过对象的放射线首先由放射线图像变换面板的闪烁体变换成光，然后，闪烁体的荧光由传感器面板的光电变换器件的群光电地变换以产生电信号（数字图像数据）。
关于放射线图像检测装置的间接变换方式，已经建议所谓的表面读数类型的放射线图像检测装置（ISS：照射侧采样），其中，放射线被允许从传感器面板侧入射（例如，参见专利文献1）。根据放射线图像检测装置，从在传感器面板附近的闪烁体发出的荧光量增加，从而提高灵敏度。这可以减少检测放射线图像所需的曝光量，从而减少对象的曝光剂量。
另外，已知通过气相沉积方法由柱状晶体的群形成闪烁体的技术以便提高灵敏度，其中，柱状晶体通过在支持体上的诸如CsI的荧光物质的晶体的柱状生长而获得（例如，参见专利文献2和3）。通过气相沉积方法形成的柱状晶体不包括诸如粘合剂的杂质，并且还具有沿晶体的生长方向引导从柱状晶体发出的荧光的光导效应，从而抑制荧光的散射。因此，可以实现在放射线图像检测装置的灵敏度和图像的清晰度上的提高。
此外，为了提高设置有包括柱状晶体的群的闪烁体的放射线图像变换面板的特性，已经提出各种建议。例如，在专利文献2中描述的放射线图像变换面板，包括荧光物质的球形晶体的群的非柱状部被形成在闪烁体的支持体侧处，并且包括柱状晶体的群的柱状部被形成在非柱状部上。由于非柱状部被置于支持体与柱状部之间，所以实现闪烁体与支持体的粘接上的改善。另外，通过在非柱状部中的光反射，可以实现荧光的利用效率的提高并且因此灵敏度的提高。
在专利文献3中描述的放射线图像变换面板中，包括荧光物质的球形晶体的群的非柱状部被形成在闪烁体的支持体侧处，并且包括柱状晶体的群的柱状部被形成在该非柱状部上。该非柱状部被结构为两层，并且其中球形晶体相互独立地存在的球状晶体层被设置在支持体侧处。并且，其中多个球形晶体被集合以形成区域的区域层被形成在柱状部处。球状晶体层减轻相对小的应力，并且区域层减轻诸如剪力的大应力，从而提高闪烁体与支持体的粘接。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP-B-3333278
专利文献2:JP-A-2005-69991
专利文献3:JP-A-2007-315866
发明内容
技术问题
从提高与支持体的粘接的观点来看，期望非柱状部与支持体之间的接触面积是大的，也就是，存在少量间隙。同时，从通过非柱状部的光反射来提高灵敏度的观点来看，期望在非柱状部与柱状部之间的接触面积中存在很多间隙。然而，在专利文献3中描述的放射线图像变换面板中，与其中所述多个球形晶体集合以形成区域的区域层相比，包括相互独立地存在的球形晶体的球状晶体层具有更高的孔隙率。球状晶体层被布置在支持体侧。具有相对低的孔隙率的区域层被布置在柱状部侧处。因此，从能够高度实现与支持体的粘接的改善以及灵敏度的提高两者的观点来看，存在在专利文献3中描述的放射线图像变换面板上的改善的空间。
考虑到上述问题，已经完成了本发明，并且本发明的目的是提高放射线图像变换面板的特性。
问题的解决办法
（1）一种放射线图像变换面板，设置有支持体和荧光体，该荧光体形成在支持体上并且包含通过放射线曝光发出荧光的荧光物质，其中该荧光体包括柱状部和非柱状部，该柱状部由通过荧光物质的晶体的柱状生长而获得的柱状晶体的群形成，该柱状部和该非柱状部被一体化地形成以在柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且在该非柱状部的柱状部处的孔隙率高于在该非柱状部的支持体侧处的孔隙率。
（2）一种制造（1）的放射线图像变换面板的方法，其中，所述非柱状部和所述柱状部以该顺序通过气相沉积方法将荧光物质的晶体沉积在支持体上而形成，其中，当所述非柱状部被形成时，所述荧光物质的晶体的沉积速率是变化的。
（3）一种设置有（1）的放射线图像变换面板和传感器面板的放射线图像检测装置，所述传感器面板检测从所述放射线图像变换面板产生的荧光并且将所述荧光变换成电信号。
发明的有利效果
根据本发明，被置于支持体与柱状部之间的荧光体的非柱状部的孔隙率可以被设置成在支持体侧处是相对低的并且在柱状部侧处是相对高的，从而实现荧光体与支持体的粘接性的改善以及由于非柱状部的光反射而引起的灵敏度的改善两者。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的一个示例性实施例的放射线的图像检测装置的构成的视图。
图2是示意性地示出图1的放射线图像检测装置的传感器面板的构成的视图。
图3是示意性地示出图1的放射线图像检测装置的放射线图像变换面板的构成的视图。
图4是示出图3的放射线图像变换面板的荧光体的IV-IV横截面的视图。
图5是示意性地示出图3的放射线图像变换面板的荧光体的V-V横截面的视图。
具体实施方式
图1和图2示出根据本发明的一个示例性实施例的放射线的图像检测装置的构成。
放射线图像检测装置1设置有放射线图像面板2和传感器面板3，该放射线图像面板2包括通过放射线曝光而发出荧光的闪烁体18（荧光体），该传感器面板3包括二维阵列的光电变换器件26，该二维阵列的光电变换器件26光电地变换放射线图像面板2的闪烁体18的荧光。
放射线图像面板2包括支持体11，闪烁体18形成在该支持体11上。放射线图像面板2被构成为从传感器面板3分离，并且经树脂层接合到传感器面板3，其中树脂层允许闪烁体18被光耦合到光电变换器件26，而在至支持体11的相对侧处的闪烁体18的表面面对传感器面板3的光电变换器件26的二维阵列。
在本示例性实施例中，放射线从传感器面板3侧被照射，通过传感器面板3被传输并且入射到闪烁体18上。放射线入射到其上的闪烁体18产生荧光，并且所产生的荧光由传感器面板3的光电变换器件26进行光电变换。在像上述构成那样的放射线图像检测装置1中，产生大量荧光的闪烁体18的放射线进入侧被设置成与光电变换器件26相邻，从而提高灵敏度。
传感器面板3具有包括由在绝缘性基板上的薄膜晶体管（TFT）形成的切换器件28，并且光电变换器件26的二维阵列被形成在TFT基板16上。被构成为覆盖光电变换器件26和平坦化TFT基板16的表面的平坦化层23被形成在TFT基板16上。被构成为将放射线图像面板2接合到传感器面板3的粘接层25被形成在平坦化层23上。平坦化层23和粘接层25构成上述树脂层。另外，作为树脂层，也可以使用由透明液体或凝胶等制成的匹配油等。从灵敏度和图像清晰度的观点来看，树脂层的厚度优选地是50μm或以下，并且更优选地是5μm至30μm。
各个光电变换器件26具有如下构成：其中，光导层20通过从闪烁体18入射的荧光产生电荷，并且一对电极设置在光导层20的顶表面和底表面处。设置在闪烁体18的侧面处的光导层20的表面处的电极22是对光导层20施加偏压的偏置电极，而设置在相对侧表面处的电极24是收集从光导层20产生的电荷的电荷收集电极。
切换器件被二维地布置在对应于光电变换器件26的二维阵列的TFT基板16上，并且光电变换器件26的电荷收集电极24被连接至TFT基板16的对应的切换器件28。由电荷收集电极24收集的电荷由切换器件28读出。
在TFT基板16上，多条栅极线30被设置成沿一个方向（行方向）延伸以将各个切换器件28设置成ON/OFF（通/断），并且多条信号线（数据线）32被设置成沿与栅极线30垂直的方向延伸以经由在ON（通）状态下切换器件28读出电荷。然后，在TFT基板16的外围中，设置分别被连接至栅极线30和信号线32的连接端子38。如图2所示，连接端子38经连接电路连接到电路基板（未示出）。电路基板包括作为外部电路的栅极线驱动器、以及电路处理单元。
切换器件28通过经由栅极线30从栅极线驱动器供应的信号被逐线依次置于ON状态下。然后，将由置于ON状态下的切换器件28读出的电荷作为电荷信号经信号线32传输，并且被输入到信号处理单元。因此，电荷被依次逐线读出，并且在信号处理单元中被变换成电信号以产生数字图像数据。
在下文中，将详细地描述其放射线图像面板2和闪烁体18。
图3示意性地示出放射线图像面板2的构成。
放射线图像面板2包括在支持体11上形成的支持体11和闪烁体18。
关于支持体11，可以使用碳板、碳纤维增强塑料（CFRP）、玻璃板、石英基板、蓝宝石基板或从铁、锡、铬、铝等选择的金属板。然而，只要支持体可以允许闪烁体18形成于支持体上，则支持体并不限于上述那些。
关于构成闪烁体18的荧光物质，可以使用例如CsI:TlNaI：Tl（铊激活碘化钠）、CsI：Na（钠激活碘化铯）等。从这些当中，由于其发射光谱适合于a-Si光电二极管的光谱灵敏度的最大值（大约550nm），所以CsI:Tl是优选的。
闪烁体18由设置在支持体11相对侧处的柱状部34和设置在支持体11侧处的非柱状部36构成。非柱状部36由具有不同的孔隙率的下层36A和上层36B构成，其中，下层36A与支持体11相接触，并且上层36B是与柱状部34相接触。柱状部34和非柱状部36被连续地形成为被成层地堆叠在支持体11上。虽然稍后将会描述细节，但是可以使用气相沉积方法来形成。同时，柱状部34和非柱状部36由相同的荧光物质形成，其中，可以改变诸如Tl的激活剂的添加量。
通过由荧光物质的晶体的柱状生长获得的柱状晶体的群来形成柱状部34。另外，存在一种情况：多个相邻的柱状晶体可以相互接合以便形成一个柱状晶体。在相邻的柱状晶体之间存在间隙，并且因此各个柱状晶体相互独立地存在。
由通过使荧光物质的晶体以具有相对小直径的大体球形形状生长获得的球形晶体的群形成非柱状部36。另外，多个球形晶体集合以在与支持体11相接触的下层36A中形成块。同时，存在其中荧光物质的非晶部可以被包括在下层36A中的情况。同时，在与柱状部34相接触的上层36B中，球形晶体相互独立地存在，或球形晶体的团聚度小于下层36A的球形晶体的团聚度。上层36B具有比下层36A相对更高的孔隙率。在由球形晶体群体形成的非柱状部36中，晶体（可以部分地包括非晶部分）不规则地重叠，并且一些晶体可以在厚度方向或面内方向上相互融合。因此，在晶体之间几乎不会发生明显间隙。因此，孔隙率一般比柱状部34的孔隙率低。同时，在面内方向上的晶体之间的融合在支持体11侧处的下喜忧参半36A中更加显著。
放射线图像面板2被接合到传感器面板3，而在支持体11的相对侧处的闪烁体18的表面，即，柱状部34的各个柱状晶体的末端，面对传感器面板3的光电变换器件26的二维阵列。因此，包括柱状晶体的群的柱状部34被布置在闪烁体18的放射线进入侧处。
由于柱状晶体内的全反射归因于在柱状晶体和在晶体周围的间隙（空气）之间的折射率差别而被重复，所以在柱状部34的各个柱状晶体中产生的荧光被抑制扩散。然后，将荧光引导至面对柱状晶体的光电变换器件26。因此，提高了图像的清晰度。
在柱状部34的各个柱状晶体中产生并且朝向传感器面板3的相对侧（即，支持体11侧）的荧光朝在非柱状部36中的传感器面板3侧被反射。这将提高荧光的使用效率，从而提高灵敏度。
特别地，与柱状部34相接触的非柱状部36的上层36B具有比下层36A相对高的孔隙率，并且间隙可以容易地出现在与上层36B相接触的柱状部34的各个柱状晶体的连接端的周围。这可能导致在连接端中的全反射，从而朝传感器面板3侧有效地反射朝支持体11侧行进的荧光。从光反射的观点来看，上层36B优选地具有5%至20%的孔隙率。
另外，柱状部34的各个柱状晶体在初始生长时是相对薄的，并且随着晶体生长变得较厚。柱状部34与非柱状部36的接合部具有具有小直径的直立柱状晶体，并且因此，具有相对高的孔隙率。在一侧处，非柱状部36由具有小直径的球形晶体或其集合体形成，与柱状部34相比，非柱状部36较密集并且具有较低的孔隙率。由于非柱状部36被置于支持体11与柱状部34之间，所以提高了闪烁体18与支持体11的粘接性。
特别地，非柱状部36的与支持体11相接触的下层36A具有比上层36B相对低的孔隙率，并且因此，与支持体11的接触面积可以被充分地确保。因此，支持体11与闪烁体18的粘接可以进一步得到改善。因此，归因于在传感器面板3的支持体11与TFT基板16之间的线性膨胀差别，抵抗由翘曲或冲击施加的应力的抵抗力增加，并且抑制闪烁体18从支持体11被剥离。从粘接的观点来看，下层36A优选地具有15%或以下孔隙率。
图4是示出图3的闪烁体18的IV-IV横截面的电子显微镜照片。
如在图4中能够清楚地看到的，在柱状部34中，柱状晶体示出在晶体生长方向上的大体均匀的横截面直径，并且两样地，柱状晶体相互独立地存在，在柱状晶体周围具有间隙。从光导效应、机械强度、以及防止像素缺陷的观点来看，柱状晶体的晶体直径优选地是2μm或以上并且8μm或以下。当晶体直径太小时，存在的担忧是，各个柱状晶体缺乏机械强度，并且因此受到冲击等的损坏。当晶体直径太大时，在各个光电变换器件26中的柱状晶体的数量减少。因此，存在的担忧是，当在晶体中产生裂纹时，在对应的器件中的缺陷的概率增加。
在此处，晶体直径是指沿柱状晶体的生长方向从顶表面观察到的晶体的最大直径。在特定测量方法中，通过利用（扫描电子显微镜照相）从垂直于柱状晶体的膜厚度方向的平面的观察来测量柱状直径（晶体直径）。当在单次摄影时从表面观察闪烁体时，通过允许观察到100个至200个柱状晶体20A的放大率（约2,000X）来执行观察。对于在单次摄影时所包括的所有晶体而言，采用通过测量柱状晶体的柱状直径并且取其最大值的平均值而获得的值。柱状直径（μm）读取至小数点以下两位，并且通过根据JISZ8401舍入至小数点以下一位来确定平均值。
图5是示出图3的闪烁体18的V-V横截面的电子显微镜照片。
如在图5中能够清楚地看到的，在非柱状部36中，由于晶体不规则地接合或相互重叠，所以不像在柱状部34中那样，在晶体之间的明显间隙不被确认。从粘接和光反射性的观点来看，构成非柱状部36的晶体的直径优选地是0.5μm或以上并且7.0μm或以下。当晶体直径太小时，存在的担忧是，间隙更加接近于0，从而使在上层36B中的光反射功能下降。当晶体直径太大时，存在的担忧是，使得在下层36A中的平坦度下降（接触面积的减小），从而使与支持体11的粘接性减弱。另外，从光反射的观点来看，构成非柱状部36的晶体尤其是构成上层36B的晶体的形状优选地是大体球形。由于晶体直径是小的，所以大体球形可以被保持。然而，孔隙率取决于在非柱状部36中的晶体形状。当构成上层36B的晶体的形状是球形时，晶体直径的增加可以增加与光反射相关联的孔隙率。此外，柱状部34的柱状晶体从上层36B的晶体生长。当晶体直径是大的时，可以避免的是，在柱状部34与上层36B之间的界面附近的柱状晶体的晶体直径变得太小。这从耐冲击性的观点来看是优选的。因此，优选的是，在上层36B中，晶体直径大于下层36A的晶体直径和柱状部34的柱状晶体的直径。
在此处，在晶体相互接合的情况下，测量晶体直径的方法如下：连接在相邻的晶体之间出现的凹进部分（凹部）的线被视为晶体之间的界线，并且所接合的晶体被分离成最小的多边形，因而测量柱状直径和对应于柱状直径的晶体直径。然后，以与柱状部34的晶体直径相同的方式来获得并利用其平均值。
在柱状部34和非柱状部36的厚度中，柱状部34的厚度根据放射线的能量而变化，但是从在柱状部34中的充分的放射线吸收和图像清晰度的观点来看，柱状部34的厚度优选地是200μm或以上并且700μm或以下。当柱状部34的厚度太小时，存在的担忧是，放射线可能无法被充分地吸收，并且因此，使灵敏度下降。当厚度太大时，存在的担忧是，光扩散发生，并且因此，使图像清晰度甚至因柱状晶体的光导效应而降低。
从与支持体11的粘接的观点来看，非柱状部36的下层36A的厚度优选地是5μm或以上并且50μm或以下。从光反射的观点来看，上层36B的厚度优选地是5μm或以上并且125μm或以下。当厚度太小时，存在的担忧是，可能无法获得与支持体11的充分的粘接。当厚度太大时，存在的担忧是，使在非柱状部36中的荧光的作用以及在非柱状部36中通过光反射的扩散增加，从而使图像清晰度下降。
当将柱状部34的厚度设置成t1并且将非柱状部36的厚度设置成t2时，（t2/t1）优选地是0.01或以上并且0.25或以下，并且更优选地0.02或以上并且0.1或以下。当（t2/t1）在上述范围内时，可以将发光效率、光扩散阻止和光反射置于适当的范围内，从而提高灵敏度和图像清晰度。
在下文中，将示例性地描述制备上述闪烁体18的方法。
闪烁体18优选地通过气相沉积方法直接形成在支持体11的表面上。在气相沉积方法中，非柱状部36和柱状部34可以以该顺序依次一体化地形成。在下文中，将示例性地描述使用CsI:Tl作为荧光物质的情况。
气相沉积方法可以根据常规方法执行。在真空度0.01Pa至10Pa的环境下，例如通过对电阻加热类型坩锅施加电流来加热并且汽化CsI:Tl，然后将支持体11的温度调节到室温（20°C）至300°C，以便在支持体上沉积CsI:Tl。
当通过气相沉积方法将CsI:Tl的晶体相形成在支持体11上时，在最初阶段，形成具有相对小的直径的球形晶体或其集合体。然后，通过改变真空度、支持体11的温度中的至少一个条件，继非柱状部36的形成之后，可以形成柱状部34。也就是，在球形晶体被沉积至预定的厚度之后，通过增加真空度和/或增加支持体11的温度，可以使柱状晶体生长。
在通过改变蒸发率（沉积速度）来形成非柱状部36的步骤中，可以形成具有不同的孔隙率的下层36A和上层36B。具体地，当通过坩锅使CsI：Tl的加热温度降低时，蒸发率下降，从而允许具有许多间隙的层被形成。在在支持体11上形成具有相对低的孔隙率的下层36A直至预定的厚度之后，通过维持真空度和支持体11的温度并且降低蒸发率来形成具有相对更高的孔隙率的上层36B。
按照如上所述的方式可以有效且容易地制备闪烁体18。另外，根据该制备方法，存在的优点在于，根据通过控制在闪烁体18的膜形成中的真空度或支持体温度的设计，可以简单地制备具有各种规格的闪烁体。
如上所述，在放射线图像变换面板2和包括该放射线图像变换面板2的放射线图像检测装置1中，被置于支持体11与柱状部34之间的闪烁体18的非柱状部36由具有不同孔隙率的多个层构成，其中，与支持体11相接触的下层36A的孔隙率被设置成相对低的，并且与柱状部34相接触的上层36B的孔隙率也被设置成相对高的。因此，可以高度实现闪烁体18与支持体11的粘接的改善以及由于非柱状部36的光反射而引起的灵敏度的改善两者。
同时，在上述放射线图像变换面板2中，闪烁体18的非柱状部36被构成为具有不同的孔隙率的下层36A和上层36B，而且可以被构成为三层或更多层。另外，虽然下层36A和上层36B通过孔隙率彼此分离，但是非柱状部可以被构成为使得孔隙率从支持体11侧到柱状部34侧逐渐增加。这可以允许粘接的改善和灵敏度的改善两者被高度实现。
另外，虽然在上述放射线图像检测装置1中，放射线从传感器面板3侧入射，但是可以采用其中放射线从放射线图像面板2侧入射的结构。
另外，虽然在上述放射线图像检测装置1中，放射线图像面板2和传感器面板3经平坦化层23和粘接层25被接合，但是在放射线图像面板2和传感器面板3之间的接合方法上不存在任何特别的限制。可以使放射线图像面板2的闪烁体18和传感器面板3的光电变换器件26的阵列光耦合，或者可以采用使得闪烁体18与光电变换器件26的阵列直接紧密接触的方法。在这种情况下，没必要使两个器件的表面处于完全彼此紧密接触中。即使在闪烁体18的表面上存在不平坦，也可以使两个器件布置在重叠状态下的同时光耦合。当在闪烁体18中产生的荧光入射在光电变换器件26的阵列上，可以实现本发明的效果。
各个上述放射线图像检测装置可以检测具有高灵敏度和高清晰度的放射线图像，并且因此在被嵌入在需要在低放射线曝光剂量下检测清晰图像的各种设备内的同时被使用，包括诸如乳房X射线摄影的医疗诊断用X射线摄影器件。例如，该器件具有宽的应用范围，因为它可以被用作用于非破坏性试验的工业使用的X射线摄影器件或用作用于检测除电磁波以外的微粒束（α射线、β射线、γ射线）的器件。
在下文中，将描述可以用于构成传感器面板3的相应的部件的材料。
光电变换器件
虽然诸如无定形硅的无机半导体材料被常常用作上述的光电变换器件26的光导层20（参考图1），但是能够使用在JP-A-2009-32854中公开的任何OPC（有机光电变换）材料。能够将由OPC材料形成的膜（在下文中被称为OPC膜）用作光导层20。OPC膜包含有机光电变换材料，该有机光电变换材料吸收发自闪烁体的光并且生成对应于吸收的光的电荷。因此，包含有机光电变换材料的OPC膜具有在可见光范围内的窄吸收光谱。不同于由闪烁体射出的光的电磁波难以被OPC膜吸收。因此，能够有效地抑制由OPC膜吸收的由诸如X射线的放射线产生的噪音。
优选形成OPC膜的有机光电转换材料的吸收峰值波长更接近闪烁体发出的光的峰值波长，以更加有效地吸收闪烁体发出的光。理想地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与闪烁体发出的光的峰值波长一致。然而，如果有机光电转换材料的吸收峰值波长与闪烁体发出的光的峰值波长之间的差值小，则可以令人满意地吸收闪烁体发出的光。具体地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与由闪烁体响应于放射线发出的光的峰值波长之间的差值优选不大于10nm，更优选不大于5nm。
能够满足这种条件的有机光电转换材料的示例包括基于亚芳基的有机化合物、基于喹吖啶酮的有机化合物和基于酞菁的有机化合物。例如，喹吖啶酮在可见光范围内的吸收峰值波长是560nm。因此，当喹吖啶酮被用作有机光电变换材料，并且CsI（T1）被用作闪烁体材料时，能够将峰值波长的上述差值设定在5nm内，从而基本上可以将OPC膜中产生的电荷量增加到最大值。
设置在偏置电极22与电荷集电极24之间的有机层的至少一部分能够由OPC膜形成。更具体地，有机层能够由用于吸收电磁波的部分、光电变换部、电子传输部、电子空穴传输部、电子阻挡部、电子空穴阻挡部、结晶化阻止部、电极、层间接触提高部等的堆或混合体形成。
优选地，有机层包含有机p型化合物或有机n型化合物。有机p型半导体（化合物）是主要由电子空穴传输有机化合物代表的施主型有机半导体（化合物），意指具有容易供予电子的特性的有机化合物。更加详细地，彼此接触使用的两种有机材料中，具有较低电离势的一者被称为施主型有机化合物。因此，任何有机化合物可以被用作施主型有机化合物，只要该有机化合物具有供予电子的特性。能够使用的施主型有机化合物的示例包括三芳胺化合物、联苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花青化合物、部花青化合物、氧杂菁化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳醚化合物、稠合芳香碳环化合物（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物）、具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物等。施主型有机半导体不限于此，但是具有比用作n型（受主型）化合物的有机化合物低的电离势的任何有机化合物可以被用作施主型有机半导体。
n型有机半导体（化合物）是主要由电子传输有机化合物代表的受主型有机半导体（化合物），是指具有容易接收电子的特性的有机化合物。更具体地，当彼此接触地使用两种有机化合物时，两种有机化合物中具有较高电子亲和力的一种有机化合物是受主型有机化合物。因此，任何有机化合物可以被用作受主型有机化合物，只要该有机化合物具有接收电子的特性。其示例包括稠合芳香碳环化合物（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物）、包含氮原子、氧原子或硫原子的5至7元杂环化合物（例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪，三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、异喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、邻二氮杂菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并哒嗪、三唑并嘧啶、四氮杂茚、二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等）、聚芳撑化合物、芴化合物、环戊二烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物。受体类型有机半导体并不限制于此。具有高于用作施主型有机化合物的有机化合物的电子亲和力的任何有机化合物可以被用作受主型有机半导体。
关于p型有机染料或n型有机染料，可以使用任何已知染料。其优选的示例包括花菁染料、苯乙烯染料、半花菁染料、部花菁染料（包括零次甲基部花菁（简单的部花菁））、三核部花菁染料、四核部花菁染料、罗丹花菁（rhodacyanine）染料、复合花菁染料、复合部花菁染料、alopolar染料、氧杂菁染料、半氧杂菁（hemioxonol）染料、方酸染料、克酮酸染料、氮杂次甲基染料、香豆素染料、亚芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲碱染料、螺环化合物、金属茂染料、芴酮染料、flugide染料、苝染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛蓝染料、二苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩嗪染料、酞苝（phthaloperylene）染料，卟啉染料，叶绿素染料、酞菁染料、金属络合物染料和稠合芳香碳环染料（萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、苝衍生物、荧蒽衍生物）。
可以优选地使用在一对电极之间具有p型半导体层和n型半导体层的光电转换膜（光敏层），该p型半导体和n型半导体中的至少一个是有机半导体，并且其中，将包括该p型半导体和n型半导体的本体异质结结构层设置为在那些半导体层之间的中间层。在该光电转换膜中包括的本体异质结结构层可以弥补有机层的载流子扩散长度短的缺陷。因此，可以提高光电转换效率。在JP-A-2005-303266中详细描述了该本体异质结结构。
优选的是，考虑到来自荧光体层的光的吸收，光电转换膜较厚。考虑到对于电荷的分离做出任何贡献的比率，光电转换膜优选不薄于30nm且不厚于300nm，更优选不薄于50nm且不厚于250nm，特别优选不薄于80nm且不厚于200nm。
至于关于上述OPC膜的任何其它构成，例如，参考JP-A-2009-32854中的描述。
切换器件
虽然诸如无定形硅的无机半导体材料常常被用作切换器件28的有源层，但是可以使用例如如在JP-A-2009-212389中公开的有机材料。有机TFT可以具有任何类型的结构，但场效应晶体管（FET）结构是最优选的。在FET结构中，栅电极部分地设置在绝缘基板的上表面。绝缘体层被设置以覆盖电极并且在除电极以外的另一个部分中接触基板。此外，半导体有源层设置在绝缘体层的上表面上，并且透明的源极和透明的漏极部分地布置在半导体有源层的上表面上并且彼此相距一定的距离。该构成被称为顶部接触类型器件。优选地，也可以使用其中源极和漏极布置在半导体有源层下方的底部接触类型器件。此外，可以使用其中载流子在有机半导体薄膜的厚度方向上流动的纵向晶体管结构。
（有源层）
本文提及的有机半导体材料是示出作为半导体的属性的有机材料。有机半导体材料的示例包括传导作为载流子的电子空穴（空穴）的p型有机半导体材料（或简单地被称为p型材料或称为电子空穴传输材料）和传导作为载流子的电子的n型有机半导体材料（或简单地被称为n型材料或称为电极传输材料），类似于由无机材料形成的半导体。有机半导体材料的许多p型材料一般表现出良好的属性。此外，p型晶体管作为在大气下的晶体管在操作稳定性上一般是优良的。在此处，将在此处对p型有机半导体材料作出描述。
有机薄膜晶体管的属性之一是载流子迁移率（也被简称为迁移率）μ，μ指示在有机半导体层中的载流子的迁移率。尽管优选的迁移率根据应用改变，但是通常优选较高的迁移率。迁移率优选不低于1.0*10-7cm2/Vs，更优选不低于1.0*10-6cm2/Vs，进一步优选不低于1.0*10-5cm2/Vs。当制造场效应晶体管（FET）器件时，可以通过属性或TOF（飞行时间）测量来获得迁移率。
p型有机半导体材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是优选是低分子量材料。因为下述原因，许多低分子量材料通常示出优异的属性：因为可以对其应用各种精制处理例如升华精制、重结晶、柱色谱法等而易得高度纯化，或者由于因为低分子量材料具有固定的分子结构而易于形成高度有序的晶体结构。低分子量材料的分子量优选不低于100且不高于5,000，更优选不低于150且不高于3,000，进一步优选不低于200且不高于2,000。
关于这样的p型有机半导体材料，作为示例，可以使用酞青化合物或萘酞菁化合物。其特定示例列举如下。另外，M表示金属原子，Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表示乙基，并且Ph表示苯基。
化学品1
化合物1至15化合物16至20
化合物 M R n R’ R”
1 Si OSi（n-Bu）3 2 H H
2 Si OSi（i-Pr）3 2 H H
3 Si OSi（OEt）3 2 H H
4 Si OSiPh3 2 H H
5 Si O（n-C8H17） 2 H H
7 Ge OSi（n-Bu）3 2 H H
8 Sn OSi（n-Bu）3 2 H H
9 Al OSi（n-C6H13）3 1 H H
10 Ga OSi（n-C6H13）3 1 H H
11 Cu - - O（n-Bu） H
12 Ni - - O（n-Bu） H
13 Zn - - H t-Bu
14 V=O - - H t-Bu
15 H2 - - H t-Bu
16 Si OSiEt3 2 - -
17 Ge OSiEt3 2 - -
18 Sn OSiEt3 2 - -
19 Al OSiEt3 1 - -
20 Ga OSiEt3 1 - -
（不同于有源层的切换器件组成部件）
在构成栅电极、源极、或漏极的材料上不存在特定的限制，只要它具有所需的传导性即可。然而，其示例可以包括：透明的导电氧化物，诸如ITO（铟掺杂氧化锡）、IZO（铟掺杂氧化锌）、SnO2、ATO（锑掺杂氧化锡）、ZnO、AZO（铝掺杂氧化锌）、GZO（镓掺杂氧化锌）、TiO2、或FTO（氟掺杂氧化锡）；透明的导电聚合物，诸如PEDOT/PSS。
在用于绝缘层的材料上不存在特定的限制，只要它具有所需的绝缘效果即可。其示例可以包括：无机材料，诸如二氧化硅、氮化硅、或氧化铝；有机材料，诸如聚酯（例如，PEN（聚乙烯奈）、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯））、聚碳酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚对二甲苯树脂、酚醛清漆树脂、PVA（聚乙烯醇）、PS（聚苯乙烯）。这些绝缘膜材料可以是由例如真空蒸发法、溅射方法、或溶液涂覆方法形成的膜。
关于上述有机TFT的其它构成可以参考日本专利申请特开No.2009-212389的说明书。
另外，在切换器件23的有源层中，例如，可以使用在日本专利申请特开No.2010-186860中描述的无定形氧化物。在下文中，将描述包含被包括在日本专利申请特开No.2010-186860中描述的场效应晶体管（FET）中的无定形氧化物的有源层。有源层充当FET的通道层，允许电子或空穴移动。
有源层被构成为包括无定形氧化物半导体。无定形氧化物半导体可以是在低温下形成的膜，并且因此，可以被适当地形成在柔性基板上。在有源层中使用的无定形氧化物半导体可以优选地是包括从包括In、Sn、Zn、和Cd的组选择的至少一种元素的无定形氧化物，更优选地包括从包括In、Sn、和Zn的组选择的至少一种的无定形氧化物，并且进一步更优选地，包括从包括In和Zn的组选择的至少一种的无定形氧化物。
在有源层中使用的无定形氧化物的示例具体地可以包括In2O3、ZnO、SnO2、CdO、铟锌氧化物（IZO）、铟锡氧化物（ITO）、镓锌氧化物（GZO）、铟镓氧化物（IGO）、或铟镓锌氧化物（IGZO）。
关于有源层的膜形成方法，可以优选地将相膜形成方法结合氧化物半导体的多晶体烧结体使用。在气相膜形成方法当中，溅射方法、或脉冲激光沉积方法（PLD方法）是适当的。此外，从批量生产的观点来看，溅射方法是优选的。例如，在真空度和氧流率受到控制的情况下，可以通过RF磁控管溅射蒸发法来执行膜形成。
膜形成的有源层被确定为是通过已知X射线衍射法形成的非晶体膜。有源层的组成比可以通过RBS（卢瑟福反向散射）分析方法来获得。
此外，有源层的导电性优选地是10-4Scm-1或以上并且小于102Scm-1，并且更优选地10-1Scm-1或以上并且小于102Scm-1。调节有源层的导电性的方法可以包括诸如根据氧缺陷的调节方法、根据组成比的调节方法、根据杂质的调节方法、和根据氧化物半导体材料的调节方法的调节方法的已知方法。
关上述无定形氧化物的其它构成可以参考日本专利申请特开No.2010-186860的说明书。
绝缘性基板
只要具有要求的平滑度，对基板没有特别的限制。基板的示例包括玻璃、石英、光透射塑料膜等。光透射塑料膜的示例包括由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚烯丙基化物（polyalylate）、聚酰亚胺、聚碳酸酯（PC）、三醋酸纤维素（TAC）、醋酸丙酸纤维素（CAP）等制得的膜等。可以认为，优选地使用具有诸如在现有玻璃或塑料中无法获得的灵活性、低热膨胀性和高强度的性质的芳族聚酰胺、生物纳米纤维等来形成柔性基板。
（芳族聚酰胺）
芳族聚酰胺材料具有示出315℃的玻璃化转变温度的高耐热性，示出10GPa的杨氏模量的高硬度以及示出-3至5ppm/℃的热膨胀系数的高尺寸稳定性。因此，与使用一般树脂膜的情况相比，当使用由芳族聚酰胺制成的膜时，可以容易地形成半导体层的高质量膜。另外，由于芳族聚酰胺材料的高耐热性，电极材料能够在高温固化以具有低电阻。此外，还可以对IC的自动安装进行处理，包括焊料回流步骤。此外，由于芳族聚酰胺材料具有接近ITO（铟锡氧化物）的热膨胀系数，因此气体阻挡膜或玻璃基板，制造后的翘曲较小。另外，破裂很少出现。在此，考虑到减少环境负荷，优选的是使用不包含卤素的无卤素（符合JPCA-ES01-2003的要求）芳族聚酰胺材料。
可以使用玻璃基板或PET基板层叠芳族聚酰胺膜，或者可以将芳族聚酰胺膜粘贴到器件的壳体。
芳族聚酰胺的高分子间凝聚力（氢键结合力）导致对于溶剂的低溶解性。当通过分子设计解决低溶解性问题时，可以优选使用容易形成为无色和透明薄膜的芳族聚酰胺材料。由于用于控制单体单元的秩序性和在芳环上的取代基和位置的分子设计，可以使用被保持为具有高度线性的杆状形状的分子结构来获得具有良好溶解性的容易形成，所述高度线性导致芳族聚酰胺材料的高硬度或尺寸稳定性。由于该分子设计，也可以实现无卤素。
另外，可以优选使用具有在膜的平面内方向上的优化特性的芳族聚酰胺材料。根据在模铸期间持续改变的芳族聚酰胺膜的强度在溶液模铸、垂直拉伸和水平拉伸的每一个步骤中控制张力条件。由于张力条件的控制，可以平衡具有杆状分子结构的芳族聚酰胺膜的平面中特性，所述杆状分子结构具有高度线性，高度线性导致容易出现各向异性物质性。
具体地，在溶液模铸步骤中，控制溶剂的干燥速度，以使平面内厚度方向物质性为各向同性，且优化包括溶剂的膜的强度和从模铸鼓的剥离强度。在垂直拉伸步骤中，根据在拉伸期间持续改变的膜强度以及溶剂的残余量，精确地控制拉伸条件。在水平拉伸中，根据由于加热导致改变的膜强度变化来控制水平拉伸条件，且控制水平拉伸条件以释放膜的残余压力。通过使用这种芳族聚酰胺材料，可以解决模铸后的芳族聚酰胺膜的问题。
在用于容易模铸的构思和用于平衡膜平面中特性的构思中的每一个中，可以保持芳族聚酰胺特有的高线性的杆状分子结构，以保持低的热膨胀系数。当改变膜形成期间的拉伸条件时，可以进一步减小热膨胀系数。
（生物纳米纤维）
相对于光波长而言相当小的部件不产生光的散射。因此，纳米纤维可以被用作用于透明柔性树脂材料的支持体。并且，关于纳米纤维，优选地能够使用细菌纤维素和透明树脂的复合材料（有时被称为生物纳米纤维）。通过细菌（木醋酸菌）产生细菌纤维素。细菌纤维素具有50nm的纤维素微纤丝束宽度，大约为可见光波长的1/10。另外，细菌纤维素的特征是高强度、高弹性和低热膨胀。
当细菌纤维素片用例如丙烯酸树脂或环氧树脂的透明树脂浸透且被硬化时，可以获得透明生物纳米纤维，该透明生物纳米纤维在具有大约60至70%的高纤维比的同时示出在500nm的波长中大约90%的透光率。通过该生物纳米纤维，可以获得与硅晶体一样低的热膨胀系数（大约3至7ppm），与钢一样高的强度（大约460MPa）以及高弹性（大约30GPa）。
对于关于上述生物纳米纤维的构成，例如，参考在JP-A-2008-34556中的说明。
平坦化层和粘合层
在平坦化层23和作为允许闪烁体18和光电变换器件26光耦合的树脂层的粘合层25上不存在特定的限制，只要它允许闪烁体18的荧光无衰减地到达光电变换器件26即可。作为平坦化层，可以使用诸如聚酰亚胺或聚对二甲苯的树脂，并且具有良好的膜形成性质的聚酰亚胺是优选的。关于粘合层25，例如，可以使用热塑性树脂、UV可固化粘合剂、热固化粘合剂、室温固化粘合剂、双面粘合剂片。然而，从不降低图像的清晰度的观点来看，优选使用由低粘性环氧树脂制成粘合剂，因为就器件大小而言，所述粘合剂可以形成充分薄的粘合层。
在下文中，将描述制造放射线图像检测装置的特定示例，但是本发明并不限于这些制造示例。
制造示例1
放射线图像变换面板的制造
作为支持体11，制备用于液体晶体（0.7mm厚度）的无碱玻璃基板。首先，利用Ar等离子体对支持体11进行表面处理以便改善与闪烁体的粘接。另外，将经表面处理的支持体放置在闪烁体的膜形成的真空室中。该真空室设置有多个坩埚以便独立地加热原料的CsI和Tl中的每一者。在对室进行排空之后，通过使预定量的AR流入将器件的真空度设置为0.75Pa。在当通过加热原料坩埚使原料的状态稳定时的时间点，通过真空器件的器件机构使支持体同中心地旋转。打开挡板开始非柱状部的气相沉积。
通过在该条件下的膜形成，非柱状部被形成为具有固定孔隙率的单层。然后，在当非柱部的厚度t2变为5μm时的时间点，真空度增加到1Pa以开始柱状部的气相沉积。当改变真空度时，原料的熔化状态改变。因此，在继续气相沉积之前，关闭挡板。然后，当确定融化状态是稳定的时，再次打开挡板。在当状态部的厚度t1变成500μm时的时间点，停止加热原料坩埚。通过真空器件的吸入通过气相沉积将包括非柱状部和柱状部的闪烁体形成在支持体上。
2.对闪烁体的性质的试验
2-1.非柱状部的厚度t2和柱状部的厚度t1的测量
使闪烁体的任何部分断裂，并且通过SEM在柱状晶体的生长方向上观察该任何部分，以便测量柱状部和非柱状部的膜厚度。作为膜厚度值，使用在提取部分处随机地选择的10个位置处测量的值的平均值。另外，在Au的溅射至约之后执行SEM观察，因为CsI具有非传导性。
2-2.晶体直径的测量
使闪烁体的一部分从支持体剥离，并且通过SEM在垂直于柱状晶体的生长方向的平面内观察该一部分，以便测量柱状直径（柱状晶体的横截面直径）。当在单次摄影时从表面（与）观察闪烁体时，以允许观察到100个至200个柱状晶体的放大率（约2,000X）来执行观察。然后，对于在单次摄影时所包括的所有晶体而言，采用通过测量晶体直径的最大值并且取所述最大值的平均值而获得的值。另外，在晶体像在非柱状部中那样相互接合的情况下，连接在相邻的晶体之间出现的凹进部分（凹部）的线被认为是晶体之间的晶界，并且将接合的晶体分离成最小的多边形以便测量晶体直径。柱状直径（μm）读取至小数点以下两位，并且通过根据JISZ8401舍入至小数点以下一位来确定平均值。
当难以从支持体剥离闪烁体时，沿柱状晶体的生长方向在离支持体约100μm的位置处垂直地切割闪烁体。然后，进行对Ar离子的蚀刻直至允许观察到被粘接在支持体上的CsI晶体的界面形状的距离，然后从蚀刻平面执行观察。由于CsI是不导电的，所以在溅射Au至约之后执行SEM观察。
3.放射线图像检测装置的制造
传感器面板是准备，和表面上其，低的粘性环氧树脂胶（由HUNTSMAN公司制造，Araldite2020）稀释，溶剂是施加通过作茧-涂覆使得厚度之后溶剂蒸发可以是15μm。然后，形成粘合层。在形成在传感器面板上的粘合层面对闪烁体的柱状部侧之后，将放射线图像变换面板通过加热经粘合层25接合到传感器面板。
然后，在传感器面板的终端单元上，用于驱动TFT的电路基板和用于读出电荷的集成电路IC通过连接至被设计用于控制驱动和AD转换的电路基板的各向异性的导电膜粘接，以便提供制造示例1的放射线图像检测装置。
放射线被设置成从传感器面板侧入射，并且放射线图像通过控制用于扫描的经由电缆连接至放射线图像检测装置1的PC而读出。
制造示例2至6
除通过在0.75Pa的真空度时改变气相沉积时间如表1中所列举的那样来调节非柱状部的膜厚度，与以制造示例1中描述的相同的方式来制造示例2至6中的放射线图像检测装置。
制造示例7至11
除在非柱状部的膜形成中，如在表1中列举的那样改变真空度并且在表1中列举的那样调节非柱状部中的晶体直径之外，以与制造示例1中描述的相同的方式来制造示例7至11中的放射线图像检测装置。
制造示例12
作为支持体，代替在制造示例1中使用的玻璃基板，使用具有通过湿法腐蚀的以5μm节距约5μm的高度的不平坦度形成的表面的玻璃基板。然后，以与制造示例1中描述的相同的方式制造在制造示例12中的放射线图像检测装置，除在闪烁体的形成中，将柱状部直接气相沉积在支持体上，而无非柱状部的气相沉积。
制造示例13
代替在制造示例中作为支持体的玻璃基板，在制造示例3的相同的条件下，闪烁体是直接形成在传感器面板3的表面上的膜。在本实施例中，在传感器面板附近，首先形成非柱状部，然后形成柱状部，但是不执行通过热固性粘结剂的接合。除此之外，以与制造示例3中描述的相同的方式执行处理。
4.关于放射线图像检测装置的性质的试验
4-1.灵敏度
使用X-射线作为放射线。在X射线的照射时，通过电路驱动传感器面板以便读出在各个光电变换器件中由闪烁光产生的电荷。然后，产生的电荷量在通过电荷放大器放大之后通过AD转换来计算。
先前测量在不照射X射线时读出的电荷量（检测系统的噪音），并且将从在照射X射线时产生的电荷量减去在不照射X射线时读出的电荷量所获得的值设置为灵敏度。在表1中列出结果。另外，该值由关于在制造示例12中的100的灵敏度而言的相对值指示。
4-2.MTF（调制传递函数）
根据IEC标准，计算通过拍摄由W（钨）制成的MTF边缘而获得的边缘图像来获得MTF曲线。在表1中列出结果。另外，与2周/mm的值相比，该值由关于在制造示例12中的100的值的相对值指示。
4-3.整体确定
使用灵敏度和MTF的试验结果的乘积作为指标，以便确定放射线图像检测装置的性能。灵敏度和MTF的乘积优选地是120或以上，因为在图像的感官评价中可以显著地识别在性能上的差别。
表1
如在表1中清楚地列出的，可以看到的是，与在制造示例12中具有仅包括柱状部的闪烁体的放射线图像检测装置相比，在制造示例至11中的放射线图像检测装置具有更高的灵敏度并且还可以抑制诸如图像模糊的图像劣化，以便实现所获得的图像的高清晰度。
另外，通过制造示例1至11，可以看到的是，当非柱状部的厚度t2与柱状部的厚度t1的比率t2/t1在优选的范围内，并且非柱状部的晶体直径在优选的范围内，可以尤其实现良好的灵敏度，并且可以抑制图像模糊。
如上所述，本说明书公开了一种放射线图像变换面板，该放射线图像变换面板设置有支持体和荧光体，该荧光体形成在支持体上并且包含通过放射线曝光发出荧光的荧光物质，其中该荧光体包括柱状部和非柱状部，该柱状部由通过荧光物质的晶体的柱状生长而获得的柱状晶体的群形成，该柱状部和该非柱状部被一体化地形成以在柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且在该非柱状部的柱状部处的孔隙率高于在该非柱状部的支持体侧处的孔隙率。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，非柱状部包括具有不同的孔隙率的多个层，并且与柱状部相接触的上层的孔隙率高于与支持体相接触的下层的孔隙率。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，下层的孔隙率是15%或以下。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，上层的孔隙率范围是从5%至20%。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，下层的厚度范围是从5μm至50μm。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，上层的厚度范围是从5μm至125μm。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，非柱状部具有从与所述支持体相接触的一侧到与所述柱状部相接触的一侧逐渐增加的孔隙率。
并且，在本说明书中公开的放射线图像变换面板中，所述非柱状部包括通过使荧光物质的晶体以大体球形生长获得的球形晶体的群而形成，并且所述球形晶体的群的至少一部分在面内方向上被融合。
并且，本发明公开了制造放射线图像变换面板的方法，其中，所述非柱状部和所述柱状部以该顺序通过气相沉积方法将荧光物质的晶体沉积在支持体上而形成，其中，当所述非柱状部被形成时，所述荧光物质的晶体的沉积速度是不同的。
并且，在制造放射线图像变换面板的方法中，当形成所述非柱状部时，所述荧光物质的所述晶体的初期沉积速率被设置成高于所述荧光物质的所述晶体的终期沉积速率。
并且，本说明书公开了设置有上述放射线图像变换面板和传感器面板的放射线图像检测装置，所述传感器面板检测从所述放射线图像变换面板产生的荧光并且将所述荧光变换成电信号。
并且，在本说明书中的放射线图像检测装置中，所述放射线图像变换面板和所述传感器面板彼此接合，使得所述荧光体的所述柱状部侧的表面面对所述传感器面板。
并且，在本说明书中的放射线图像检测装置具有在所述传感器面板侧处的放射线进入表面。
并且，在本说明书中的放射线图像检测装置具有在所述放射线图像变换面板侧处的放射线进入表面。
已经参照特定示例性实施例详细地描述了本发明。然而，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以是以做出各种改变和修改。本申请是基于2010年12月27日提交的日本专利申请No.2010-291391，该专利的内容通过引用被包含在此。
工业实用性
本发明可以以高灵敏度和高清晰度检测放射线图像，并且因此，本发明在被嵌入在需要在低放射线照射剂量下检测清晰图像的各种设备内的同时被使用，包括诸如乳房X射线摄影的医疗诊断用X射线摄影器件。例如，器件具有宽的应用范围，因为它可以被用作用于非破坏性测试的工业使用的X射线摄影器件或用作用于检测除电磁波以外的微粒束（α射线、β射线、γ射线）的器件。
附图标记清单
1：放射线图像检测装置
2：放射线图像变换面板
3：传感器面板
11：支持体
16：TFT基板
18：闪烁体
20：光导层
22：电极
23：平坦化层
24：电极
25：粘合层
26：光电变换器件
28：切换器件
30：栅极线
32：信号线
34：柱状部
36：非柱状部
36A：下层
36B：上层
38：连接端子

Claims (19)

1.一种设置有支持体和荧光体的放射线图像变换面板，所述荧光体形成在所述支持体上并且包含通过放射线曝光发出荧光的荧光物质，
其中，所述荧光体包括柱状部和非柱状部，所述柱状部由通过所述荧光物质的晶体的柱状生长而获得的柱状晶体的群形成，
所述柱状部和所述非柱状部被一体化地形成以在所述柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且
在所述非柱状部的柱状部侧处的孔隙率高于在所述非柱状部的支持体侧处的孔隙率。
2.根据权利要求1所述的放射线图像变换面板，其中，所述非柱状部包括具有不同孔隙率的多个层，并且
与所述柱状部相接触的上层的孔隙率高于与所述支持体相接触的下层的孔隙率。
3.根据权利要求2所述的放射线图像变换面板，其中，所述下层的孔隙率是15％或以下。
4.根据权利要求2或3所述的放射线图像变换面板，其中，所述上层的孔隙率范围是从5％至20％。
5.根据权利要求2或3中的任一项所述的放射线图像变换面板，其中，所述下层的厚度范围是从5μm至50μm。
6.根据权利要求2或3中的任一项所述的放射线图像变换面板，其中，所述上层的厚度范围是从5μm至125μm。
7.根据权利要求1所述的放射线图像变换面板，其中，所述非柱状部具有从与所述支持体相接触的一侧到与所述柱状部相接触的一侧逐渐增加的孔隙率。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的放射线图像变换面板，其中，所述非柱状部通过包括球形晶体的群而形成，所述球形晶体的群通过使所述荧光物质的晶体以大体球形生长而获得，以及
所述球形晶体的群的至少一部分在面内方向上被融合。
9.一种用于制造权利要求1至8中的任一项所述的放射线图像变换面板的方法，其中，所述非柱状部和所述柱状部通过气相沉积方法将所述荧光物质的晶体沉积在支持体上而以该顺序形成在所述支持体上，
其中，当形成所述非柱状部时，所述荧光物质的所述晶体的沉积速率是改变的。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，当形成所述非柱状部时，所述荧光物质的所述晶体的初期沉积速率被设置成高于所述荧光物质的所述晶体的终期沉积速率。
11.一种设置有根据权利要求1至8中的任一项所述的放射线图像变换面板以及传感器面板的放射线图像检测装置，所述传感器面板检测从所述放射线图像变换面板产生的荧光并且将所述荧光变换成电信号。
12.根据权利要求11所述的放射线图像检测装置，其中，所述放射线图像变换面板和所述传感器面板彼此接合，使得所述荧光体的柱状部侧的表面面对所述传感器面板。
13.根据权利要求12所述的放射线图像检测装置，其具有在传感器面板侧的放射线进入表面。
14.根据权利要求12所述的放射线图像检测装置，其具有在放射线图像变换面板侧的放射线进入表面。
15.一种设置有荧光体和传感器面板的放射线图像检测装置，所述荧光体包含通过放射线曝光发出荧光的荧光物质，所述传感器面板检测从所述荧光体产生的荧光并且将所述荧光变换成电信号，
其中，所述荧光体形成在所述传感器面板上，且包括柱状部和非柱状部，所述柱状部由通过所述荧光物质的晶体的柱状生长而获得的柱状晶体的群形成，
所述非柱状部与所述传感器面板接触，
所述柱状部和所述非柱状部被一体化地形成以在所述柱状部的晶体生长方向上重叠，并且
所述非柱状部包括具有不同孔隙率的多个层，并且
与所述传感器面板相接触的下层的孔隙率小于与所述柱状部相接触的上层的孔隙率，并且
在传感器面板侧上设置放射线进入表面。
16.根据权利要求15所述的放射线图像变换面板，其中，所述下层的孔隙率是15％或以下。
17.根据权利要求15或16所述的放射线图像变换面板，其中，所述下层的厚度范围是从5μm至50μm。
18.根据权利要求15或16中的任一项所述的放射线图像变换面板，其中，所述上层的厚度范围是从5μm至125μm。
19.一种设置有荧光体和传感器面板的放射线图像检测装置，所述荧光体包含通过放射线曝光发出荧光的荧光物质，所述传感器面板检测从所述荧光体产生的荧光并且将所述荧光变换成电信号，
其中，所述荧光体形成在所述传感器面板上，且包括柱状部和非柱状部，所述柱状部由通过所述荧光物质的晶体的柱状生长而获得的柱状晶体的群形成，
所述非柱状部与所述传感器面板接触，
所述柱状部和所述非柱状部被一体化地形成以在所述柱状部的晶体生长方向上重叠，
所述非柱状部具有从与所述传感器面板相接触的一侧到与所述柱状部相接触的一侧逐渐增加的孔隙率，以及
在传感器面板侧上设置放射线进入表面。
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