TWI546943B - 用於高能射線之非直接式感測器以及感測模組 - Google Patents
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Description
本案揭露一種非直接式放射線感測技術,尤指一種能感測高能射線之非直接式感測器以及感測模組。
由於醫學、生物及材料領域對於高精密之x射線(x-ray)或γ射線(γ-ray)影像的需要,故對閃爍體(scintillator)或螢光物(phosphor)之光轉換層的特性,例如高光轉換效率、低衰減時間及低餘輝(after glow)等特性要求也越來越高,若能具有可偵測x射線及γ射線更有其優勢。
一般而言,矽半導體或光電倍增管(Photo Multiplier Tubes)類的光感測器係與閃爍體或螢光物結合,用來將閃爍體或螢光物吸收x射線或γ射線所發出的光子轉變為光電流,而非直接測得x射線或γ射線影像,然而,如第1圖所示,矽半導體的能隙(對應長於450nm的光)與通常具有高光轉換效率及低衰減時間之光轉換層,例如為含鈰釔鋁石榴石(YAlO3:Ce(YAP:Ce))所發出的紫外光(約350至420nm),甚至是具有更高光轉換效率、低餘輝及快速衰減特性之光轉換層的材料,例如為含鈰氯化鑭(LaCl3:Ce)或含
鈰溴化鑭(LaBr3:Ce)所主要發出的紫外光,並不匹配。因此,使用矽半導體製成的x射線或γ射線之非直接式感測器無法具有高的紫外光-光電流轉換效率,且矽半導體也缺乏撓曲性。再者,雖然光電倍增管的工作波長可匹配光轉換層發出的紫外光,但光電倍增管是以多重光電板組成,且各光電板之間須以高電壓驅動,故光電倍增管無法製作成高解析度的大面積陣列式感測器。
因此,如何有效地運用高光轉換效率、低餘輝及快速衰減特性之光轉換層,實為本領域技術人員的一大課題。
符合本案之一實施例揭露一種用於高能射線之非直接式感測器,係包括有機感測元件和光轉換層。該有機感測元件包括:具有相對之第一表面及第二表面的基板,形成於該第一表面上的第一電極,形成於該第一電極上且該有機主動層之能隙大於3電子伏特的有機主動層,以及形成於該有機主動層上的第二電極。另外,該光轉換層形成於該有機感測元件上或該基板之第二表面上。
符合本案之另一實施例揭露一種用於高能射線之非直接式感測模組,係包括:複數個用於高能射線之非直接式感測器以及選擇元件。各該用於高能射線之非直接式感測器係包含有機感測元件和光轉換層,其中,該有機感測元件包括具有相對之第一表面及第二表面的基板,形成於該第一表面上的第一電極,形成於該第一電極上且該有機主動層之能隙大於3電子伏特的有機主動層,以及形成於
該有機主動層上的第二電極,而該光轉換層形成於該有機感測元件上或該基板之第二表面上。而該選擇元件係耦接至以陣列方式排列之該複數個用於高能射線之非直接式感測器。其中,該選擇元件係控制該複數個用於高能射線之非直接式感測器所偵測到之光電流的讀取。
1‧‧‧用於高能射線之非直接式感測器
2、2’‧‧‧選擇元件
10‧‧‧有機感測元件
100‧‧‧基板
100a‧‧‧第一表面
100b‧‧‧第二表面
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧有機主動層
1201‧‧‧塊狀異質接合結構
1210‧‧‧施體材料
1220‧‧‧受體材料
1520、1620‧‧‧層
130‧‧‧第二電極
150‧‧‧第一功能層
1510‧‧‧電子阻擋層
160‧‧‧第二功能層
1610‧‧‧電洞阻擋層
20‧‧‧光轉換層
30‧‧‧封裝結構
40‧‧‧膠體
50‧‧‧黏著層
第1圖係說明先前技術之非直接式x射線感測器的光轉換層與主動層之頻譜響應圖;第2A和2B圖係符合本案之用於高能射線之非直接式感測器之實施例示意性剖視圖;第3圖係符合本案之用於高能射線之非直接式感測器的另一實施例之示意性剖視圖;第4A至4C圖係符合本案之有機主動層的施體材料及受體材料應用於用於高能射線之非直接式感測器之結構實施例;第5A至5C圖係於符合本案之有機主動層的施體材料及受體材料為塊狀異質接合結構(BHJ)的情況下,本案之用於高能射線之非直接式感測器的第一功能層中施體材料的層及第二功能層中受體材料的層之實施例示意圖;第6圖係符合本案之用於高能射線之非直接式感測器具體實施之一實施例示意圖;以及第7A及7B圖係符合本案之用於高能射線之非直接式感測模組的實施例示意圖。
以下藉由具體實施範例說明本案之可實施方式,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容瞭解本案之其他優點及功效。本案亦可藉由其它不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用,在不悖離本案之精神下進行各種修飾與變更。
請參照第2A圖,其係說明本案之用於高能射線之非直接式感測器1之一實施例示意性剖視圖,如圖所示,用於高能射線之非直接式感測器1可用於感測高能射線,例如但非限制而言可用於x射線或γ射線或相似特性等高能射線,該用於高能射線之非直接式感測器1係包括有機感測元件10和光轉換層20,其中,有機感測元件10包括基板100、第一電極110、有主動機層120及第二電極130。
如上所述之基板100可視設計需要為透明基板或不透明基板,且基板100係具有相對之第一表面100a及第二表面100b。而第一電極110係形成於第一表面100a上,特定但非限定而言,第一電極110可為一般作為陽極之銦錫氧化物(ITO)等透明電極,然而,第一電極110亦可作為陰極。
如上所述之有機主動層120係形成於第一電極110上,且能隙(最高佔用分子軌域(HOMO,Highest Occupied Molecular Orbital)與最低未佔用分子軌域(LUMO,Lowest Unoccupied Molecular Orbital)之差)大於3電子伏特(eV),有機主動層120可含有施體(Donor)及受體(Acceptor),特定但非限定而言,施體可為能隙大於3電子伏特之4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫NPB)、(Diphenylbutadiyne,
DPB)、咔唑衍生物例如4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(Carbazolyl Biphenyl,CBP)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(Tris(Carbazol-9-yl)-Triphenylamine,TCTA)或2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)參(1-苯基-1H-苯並咪唑)(縮寫TPBi),而受體材料可為富勒烯(C70、C60)、[6,6]-苯基C 61-丁酸甲基酯(PC60BM)或[6,6]-苯基C 71-丁酸甲基酯(PC70BM)。
如上所述之第二電極130係形成於有機主動層120上,特定但非限定而言,第二電極130可為一般作為陰極之金屬電極,且第二電極130可為金屬膜、指叉狀電極或格柵狀電極等形式,然而,第二電極130亦可作為陽極。
如上所述之光轉換層20可形成於有機感測元件10上,如圖2A所示,光轉換層20可形成於有機感測元件10之第二電極130上。特定但非限定而言,形成於有機感測元件10之第二電極130上的光轉換層20之材料係為閃爍體或螢光粉(例如,矽酸鎦(Lu2SiO5)、含鈰釔鋁石榴石(YAlO3:Ce)、含鈰氯化鑭(LaCl3:Ce)或含鈰溴化鑭(LaBr3:Ce)等等),且形成於有機感測元件10之第二電極130上的光轉換層20可吸收x射線或γ射線或相似特性等高能射線並發出主要波長為紫外光的光(如第1圖中之LaBr3:Ce的實線),以由可有效吸收紫外光之能隙大於3電子伏特的主動層材料吸收並產生激子,接著,該激子漂移至施體材料與受體材料之間的界面而分離成電子及電洞,從而分別經受體材料及施體材料而傳送至陰極及陽極。
另外,可改變光轉換層20的設置位置,如第2B圖一
實施例所示,光轉換層20也可形成於基板100之第二表面100b上,即光轉換層20與有機感測元件10分別位在基板100兩側,形成於基板100之第二表面100b上的光轉換層20可吸收x射線或γ射線或相似特性等高能射線並發出主要波長為紫外光的光,以由可有效吸收紫外光之能隙大於3電子伏特的主動層材料吸收並產生激子,接著,激子分離成電子及電洞,並分別傳送至陰極及陽極,皆如同上述。
請參照第3圖,其係說明本案之用於高能射線之非直接式感測器1另一實施例之示意性剖視圖。其中,用於高能射線之非直接式感測器1中具有第一表面100a及第二表面100b之基板100、第一電極110、有機主動層120及第二電極130,其與第2A圖所述相同,故不再贅述。於本實施例中,更包括形成於第一電極110與有機主動層120之間的第一功能層150,而本揭露亦可包括形成於第二電極130與有機主動層120之間的第二功能層160。
詳而言之但非限定,若第一電極110為陽極,則第一功能層150可具有或不具有電子阻擋層1510,其中,電子阻擋層1510之材料可為聚(3,4-乙撐基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS)、氧化鎢(WO3)或鉬氧化物(如MoO3等),然而,第一功能層150亦可視需要而復具有例如為電洞傳導層、或光調變層之類的各種材料層,其中,電洞傳導層材料與主動層材料中的施體材料可以相同或不同,有時電洞傳導層也可具有電子阻擋層效果。且於第一功能層150中,電子阻擋層1510的位置一般係鄰接於第一電極
110,但亦可視需要而於第一電極110與電子阻擋層1510之間或有機主動層120與電子阻擋層1510之間設置例如為電洞傳導層、或光調變層之類的各種材料層。另外,對於第二功能層160而言,若第二電極130為陰極,則第二功能層160可具有或不具有電洞阻擋層1610,而電洞阻擋層1610之材料可為4,7-二苯基-二苯基-1,10-菲繞啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲(BCP)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)或1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)等,然而,第二功能層160亦可視需要而具有例如為電子傳導層、或光調變層之類的各種材料層,其中,電子傳導層材料與主動層材料中的受體材料可以相同或不同,有時電子傳導層也可具有電洞阻擋層效果。且於第二功能層160中,電洞阻擋層1610的位置一般係鄰接於第二電極130,但亦可視需要而於第二電極130與電洞阻擋層1610之間或有機主動層120與電洞阻擋層1610之間設置例如為電子傳導層、或光調變層之類的各種材料層。
此外,所屬技術領域中具有通常知識者可視需要而使第一電極110與第二電極130之電性對調,並調整第一功能層150及第二功能層160中之各種材料層的材料及分布,惟調整各種材料層的材料及分布之原理及方法已為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知,在此不再贅述。另外,第一功能層150和第二功能層160可視需要僅存在一者或兩者皆存在。
請參照第4A至4C圖,其係本案之有機主動層的施體
材料及受體材料應用於用於高能射線之非直接式感測器之結構實施例。
如第4A圖所示一實施例,有機主動層120中之施體材料1210及受體材料1220可呈單純之雙層結構(Bilayer)。
如第4B圖所示一實施例,有機主動層120中之施體材料1210及受體材料1220亦可呈施體材料1210及受體材料1220之間具有彼此嵌合的指狀或彼此嵌合的孔狀與突部之界面的雙層結構,以減短激子分離前的漂移距離。
如第4C圖所示一實施例,有機主動層120中之施體材料1210及受體材料1220可呈塊狀異質接合結構(BHJ)1201,其中之施體材料1210及受體材料1220可為混摻(blending)結構,以同樣地減短激子分離前的漂移距離。
請參照第5A至5C圖,其係於本案之有機主動層120的施體材料1210及受體材料1220為塊狀異質接合結構1201的情況下,本案之用於高能射線之非直接式感測器1的具體實施之實施例示意圖,其中,第5A圖係顯示本案一實施例之用於高能射線之非直接式感測器1的第一功能層150中更包括與塊狀異質接合結構1201接觸之施體材料1210的層1520及第二功能層160中與塊狀異質接合結構1201接觸之受體材料1220的層1620,而如電洞阻擋層1610與電子阻擋層1510之各種材料層的材料及分布之原理及方法已為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知,在此不再贅述。
如第5B圖一實施例所示,本案之用於高能射線之非
直接式感測器1的第二功能層160中更包括與塊狀異質接合結構1201接觸之受體材料1220的層1620。而如電洞阻擋層1610與電子阻擋層1510之各種材料層的材料及分布之原理及方法已為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知,在此不再贅述。
如第5C圖一實施例所示,本案之用於高能射線之非直接式感測器1的第一功能層150中更包括與塊狀異質接合結構1201接觸之施體材料1210的層1520。而如電洞阻擋層1610與電子阻擋層1510之各種材料層的材料及分布之原理及方法已為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知,在此不再贅述。
請參照第6圖,其係說明本案之用於高能射線之非直接式感測器1之一實施例示意圖。如圖所示,本實施例為光轉換層20形成於包含基板100、第一電極110、有機主動層120及第二電極130之有機感測元件10上。此時,可於基板100之第一表面100a上形成封裝結構30,一般而言,封裝結構30可為密閉蓋體,光轉換層20被密閉於封裝結構30,使光轉換層20受到封裝結構30封蓋而可處於超低水氧環境中。另外,封裝結構30可透過膠體40與第二表面100b接合。換句話說,高能射線之非直接式感測器1包括一封裝結構30,將該光轉換層20與該有機感測元件10封裝於該封裝結構30內。
於本實施例中,更揭露包括形成於有機感測元件10之第二電極130上的黏著層50,使得光轉換層20藉由該
黏著層50而黏著於第二電極130上。或者,在光轉換層20藉由該黏著層50而黏著於第二電極130上的結構下,第二電極130上下各有一層絕緣層形成一絕緣層/金屬層/絕緣層(Insulator-Metal-Insulator,IMI)結構,對光轉換層20被激發出的光子具有高穿透率。另外,光轉換層20也可形成於基板100之第二表面100b上,使得形成於基板100之第二表面100b上的光轉換層20和有機感測元件1分別位在基板100兩側,同樣地,形成於基板100之第二表面100b上的光轉換層20可透過黏著層50(非一定本圖所示位置)黏著於第二表面100b上,同時也可透過封裝結構30(非一定本圖所示位置)將形成於基板100之第二表面100b上的光轉換層20封閉於超低水氧環境中。在此結構下,形成於基板100之第二表面100b上的光轉換層’20與透過黏著層50達到與基板100之間折射率匹配(index match),光轉換層20被激發出的光子具有高穿透率。介於基板100與光轉換層20之間的折射率匹配層不一定要有黏著效果。
請參照第7A圖,其係說明本案之用於高能射線之非直接式感測模組的一實施例示意圖。於本實施例中,用於高能射線之非直接式感測模組係包括複數個用於高能射線之非直接式感測器1及單一或複數個選擇元件2,該些用於高能射線之非直接式感測器1係排列並與選擇元件2耦接,以令選擇元件2讀取該些用於高能射線之非直接式感測器1所偵測到的光電流,一般但非限制而言,該些用於高能射線之非直接式感測器1可為成行列的陣列排列,然
而本案之用於高能射線之非直接式感測模組亦可依不同設計而以其它形式排列,若該些用於高能射線之非直接式感測器1為陣列排列時,用於高能射線之非直接式感測模組可具有二個選擇元件2,其中之一為行選擇元件2,另一則為列選擇元件2,以分別對不同行及不同列之用於高能射線之非直接式感測器進行掃描並讀取光電流。
請參照第7B圖,其係說明本案之用於高能射線之非直接式感測模組之另一實施例的示意圖。於本實施例中,用於高能射線之非直接式感測模組係包括複數個用於高能射線之非直接式感測器1及複數個選擇元件2’,選擇元件2’可使用電晶體或者二極體,而用於高能射線之非直接式感測器1及選擇元件2’,可耦接並組成一偵測器單元,偵測器單元可以包括放大器形成主動式像素(active pixel)。其選擇電路陣列可以是面板產業的TFT背板或是半導體製程的互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)陣列,然而本案之用於高能射線之非直接式感測模組亦可依不同設計而以其它形式排列,因此,本案之用於高能射線之非直接式感測模組可逐一選擇讀取特定偵測器單元,以完成整體模組的讀取。在另一實施例,該選擇元件為複數個,且各該選擇元件與至少一該用於高能射線之非直接式感測器耦接並組成一偵測器單元,而該用於高能射線之非直接式感測模組係獨立選擇讀取該些偵測器單元。其中,用於高能射線之非直接式感測器1之各型態如第2A、2B、3和5A至5C圖實
施例中詳述。
綜上所述,本案係使能吸收x射線或γ射線或相似特性等高能射線並發出紫外光之光轉換層與具有能隙大於3電子伏特之有機主動層結合而得到至少以下功效及優點:(1)相對於使用矽半導體之感測器而言,本案之光轉換層的能隙更適配於具有高光轉換效率、低餘輝及快速低衰減時間特性之發出紫外光的光轉換層匹配而能得到較佳的光轉換效率響應、另可不受餘輝影響的清晰影像及快速的反應時間;(2)相對於使用矽半導體之感測器而言,本案藉由有機主動層之有機半導體技術而可作成曲面式或撓曲式感測器;(3)相對於使用光電倍增管之感測器而言,本案藉由有機半導體技術而可較輕易作成高解析度的陣列式感測器,從而較精確偵測到影像的細微變化。
上述實施例係用以例示性說明本案之原理及其功效,而非用於限定本案發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本案之精神及範疇下,對上述實施例進行修改。因此本案發明之權利保護範圍,應如後述之申請專利範圍所列。
1‧‧‧用於高能射線之非直接式感測器
10‧‧‧有機感測元件
100‧‧‧基板
100a‧‧‧第一表面
100b‧‧‧第二表面
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧有機主動層
130‧‧‧第二電極
20‧‧‧光轉換層
Claims (25)
- 一種用於高能射線之非直接式感測器,係包括:有機感測元件,包括:基板,係具有相對之第一表面及第二表面;第一電極,係形成於該第一表面上;有機主動層,係形成於該第一電極上,且該有機主動層之能隙大於3電子伏特;及第二電極,係形成於該有機主動層上;以及光轉換層,係形成於該有機感測元件上或該基板之第二表面上,其中,形成該光轉換層之材料係為閃爍體或螢光粉,且該光轉換層吸收x射線或γ射線並發出含有紫外光的光。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該有機主動層含有施體材料及受體材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該第一電極為陽極材料,且該第二電極為陰極材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,更包括形成於該第一電極與該有機主動層之間的第一功能層或形成於該第二電極與該有機主動層之間的第二功能層。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,更包括形成於該第一電極與該有機主動層 之間的第一功能層及形成於該第二電極與該有機主動層之間的第二功能層。
- 如申請專利範圍第4或5項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該第一電極為陽極材料,且該第二電極為陰極材料,該第一功能層具有電子阻擋層。
- 如申請專利範圍第4或5項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該第一電極為陽極材料,且該第二電極為陰極材料,該第二功能層具有電洞阻擋層。
- 如申請專利範圍第2項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該有機主動層中之該施體材料及受體材料係呈雙層結構(Bilayer)。
- 如申請專利範圍第2項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該有機主動層之施體材料及受體材料係呈該施體材料與該受體材料之間具有彼此嵌合的指狀或彼此嵌合的孔狀與突部之界面的雙層結構。
- 如申請專利範圍第2項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該有機主動層中之該施體材料及受體材料係混摻成塊狀異質接合結構(bulk heterojunction,BHJ)。
- 如申請專利範圍第4或5項所述之用於高能射線之非直接式感測器,該有機主動層含有施體材料及受體材料,且該有機主動層中之該施體材料及受體材料混摻成塊狀異質接合結構,該用於高能射線之非直接式感測器更包括與該塊狀異質接合結構接觸之該第一功能 層之施體材料的層及該第二功能層之受體材料的層。
- 如申請專利範圍第4或5項所述之用於高能射線之非直接式感測器,該有機主動層含有施體材料及受體材料,且該有機主動層中之該施體材料及受體材料混摻成塊狀異質接合結構,該用於高能射線之非直接式感測器更包括與該塊狀異質接合結構接觸的第一功能層之施體材料的層。
- 如申請專利範圍第4或5項所述之用於高能射線之非直接式感測器,該有機主動層含有施體材料及受體材料,且該有機主動層中之該施體材料及受體材料混摻成塊狀異質接合結構,該用於高能射線之非直接式感測器更包括與該塊狀異質接合結構接觸的第二功能層之受體材料的層。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,更包括封裝結構,用於將該光轉換層與該有機感測元件封裝於該封裝結構內。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,更包括黏著層,且於該光轉換層形成於該基板之第二表面上時,該黏著層位於該第二表面與該光轉換層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,更包括黏著層,且於該光轉換層形成於該有機感測元件上時,該黏著層位於該第二電極與該光轉換層之間。
- 如申請專利範圍第16項所述之用於高能射線之非直接式感測器,該第二電極之上下表面復個別接觸形成有一絕緣層,以使該第二電極與該二絕緣層形成一對光轉換層被激發出之光子具有高穿透率的絕緣層/金屬層/絕緣層(Insulator-Metal-Insulator,IMI)結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該光轉換層之材料為矽酸鎦(Lu2SiO5)、含鈰釔鋁石榴石(YAlO3:Ce)、含鈰氯化鑭(LaCl3:Ce)或含鈰溴化鑭(LaBr3:Ce)的閃爍體或螢光粉。
- 如申請專利範圍第2項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該施體材料為4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(NPB)、(Diphenylbutadiyne,DPB)或咔唑衍生物,而該受體材料為富勒烯(C70、C60)、[6,6]-苯基C61-丁酸甲基酯(PC60BM)或[6,6]-苯基C 71-丁酸甲基酯(PC70BM)。
- 如申請專利範圍第19項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該咔唑衍生物為4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(CBP)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)或2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)參(1-苯基-1H-苯並咪唑)(TPBi)。
- 如申請專利範圍第6項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該第一功能層具有電子阻擋層,該電子阻擋層之材料為聚(3,4-乙撐基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS)、氧化鎢(WO3)或鉬氧化物(MoO3)。
- 如申請專利範圍第7項所述之用於高能射線之非直接式感測器,其中,該第二功能層具有電洞阻擋層,該電洞阻擋層之材料為4,7-二苯基-二苯基-1,10-菲繞啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲(BCP)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)或1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)。
- 一種用於高能射線之非直接式感測模組,係包括:複數個用於高能射線之非直接式感測器,各該用於高能射線之非直接式感測器包含:有機感測元件,包括:基板,係具有相對之第一表面及第二表面;第一電極,係形成於該第一表面上;有機主動層,係形成於該第一電極上,且該有機主動層之能隙大於3電子伏特;及第二電極,係形成於該有機主動層上;及光轉換層,係形成於該有機感測元件上或該基板之第二表面上,其中,形成該光轉換層之材料係為閃爍體或螢光粉,且該光轉換層吸收x射線或γ射線並發出含有紫外光的光;以及選擇元件,係耦接至排列之該複數個用於高能射線之非直接式感測器,其中,該選擇元件係控制該複 數個用於高能射線之非直接式感測器所偵測到之光電流的讀取。
- 如申請專利範圍第23項所述之用於高能射線之非直接式感測模組,其中,該選擇元件讀取該複數個用於高能射線之非直接式感測器係以掃瞄為之。
- 如申請專利範圍第23項所述之用於高能射線之非直接式感測模組,其中,該選擇元件為複數個,且各該選擇元件與至少一該用於高能射線之非直接式感測器耦接並組成一偵測器單元。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW103136755A TWI546943B (zh) | 2014-10-24 | 2014-10-24 | 用於高能射線之非直接式感測器以及感測模組 |
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TW201616643A TW201616643A (zh) | 2016-05-01 |
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