CN102670224A - 放射线图像检测装置的维护方法 - Google Patents

放射线图像检测装置的维护方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种放射线图像检测装置的维护方法，所述放射线图像检测装置包含：荧光体和薄膜型传感器部，所述荧光体含有当暴露于放射线时发射荧光的荧光材料，所述薄膜型传感器部与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且检测在所述荧光体中产生的荧光，所述维护方法包括：定期进行结构噪声检查、MTF检查和暗电流检查中的至少一项检查以检测所述荧光体的劣化。

Description

放射线图像检测装置的维护方法
技术领域
本发明涉及放射线图像检测装置的维护方法。
背景技术
近年来，在实践中使用采用FPD(平板探测器)以检测放射线图像并产生数字图像数据的放射线图像检测装置，并因为与常规成像板的情况相比能够即时检查图像而迅速普及。提出了各种类型的这种放射线图像检测装置。其实例为间接转换型。
间接转换型放射线图像检测装置具有：由用于响应放射线照射而发射荧光的荧光材料如CsI(碘化铯)形成的闪烁体；和以在基材上二维布置多个薄膜型光电转换元件和开关器件的方式构造的传感器面板。通过放射线图像转换面板中的闪烁体将透过摄影物体(image-takingobject)的放射线转换成光。然后，在传感器面板中通过光电转换元件将源自闪烁体的荧光转换成电信号。
另外，还提出了所谓的正面读取(ISS：照射侧采集)型放射线图像检测装置，其通过改进间接转换型的放射线图像检测装置，使得放射线从传感器面板侧入射而获得(例如，参见专利文献1(日本特开平7-27864号公报))。根据这种放射线图像检测装置，在传感器面板附近发射的闪烁体的荧光强度增加并因此提高了敏感度。这减少了用于检测放射线图像所必要的曝光量，并因此减少了摄影物体的曝光量。
另外，还提出一种技术，所述技术以由荧光材料如CsI制成的柱状晶体群的形式来构造闪烁体，从而提高放射线图像检测装置的敏感度(例如，参见专利文献2(日本特开2011-017683号公报))。通过气相沉积形成的柱状晶体不包含杂质如粘合剂，并另外提供沿晶体生长方向引导发射的荧光的光导效应并因此抑制荧光的扩散。这提高了放射线图像检测装置的敏感度并提高了图像的锐度。
在此，在ISS型放射线图像检测装置中，放射线透过传感器面板的基材并然后入射到闪烁体中。所述传感器面板的基材通常由玻璃构成。然而，玻璃以很多量吸收放射线。这引起入射到闪烁体中的放射线衰减的担忧。因此，在专利文献1中所述的放射线图像检测装置中，所述传感器面板的基材由放射线吸收能力比玻璃低的树脂片构成。或者，即使当使用玻璃时，也采用薄至几个100μm等的玻璃片。
上述类型的放射线图像检测装置的特性可能发生变化，因为它们随着老化而劣化，并且使用例如调制转换函数(MTF)和噪声功率谱作为随老化而劣化的评价项(参考例如专利文献3(JP-T-2004-518958(在本文中使用的符号“JP-T”表示PCT专利申请的公开的日文翻译)))。
发明内容
在ISS放射线图像检测装置中，如果除去传感器面板的基材，则进一步减少了入射到闪烁体中的放射性的衰减。然而，如果将基材剥离，则丧失由基材获得的防湿性。结果，湿气渗透到其中形成有光电转换元件和开关元件的传感器薄膜中，并且甚至可能通过传感器薄膜而渗透到闪烁体中。由于作为闪烁体材料的CsI显示潮解性，因此闪烁体可能由于湿气渗透而劣化。
在存在基材的情况下，由湿气渗透引起的闪烁体劣化从其外围部开始发展。另一方面，如果将基材剥离，则湿气渗透在闪烁体的全部区域上发生且闪烁体可能从其中心部开始劣化。由于闪烁体的中心部主要用于放射线图像检测，因此为了保持基于放射线图像的诊断的高准确性，必须正确检测闪烁体的劣化。
在专利文献3中公开的维护方法中，通过监测NPS随老化的变化来检测检测装置的劣化，其中所述NPS是各种噪声如闪烁体的结构噪声、X-射线量子噪声以及传感器面板的电噪声的总和。尽管闪烁体的劣化表现为结构噪声，但结构噪声对NPS的贡献比较小。因此，NPS评价难以正确检测闪烁体的劣化。此外，为了仅从NPS提取结构噪声分量，必须对在各个噪声分量可以彼此区分的这些不同组条件下获取的许多图像进行复杂的分析。照这样，仅提取结构噪声分量是困难的。
在上述情况下进行了本发明，本发明的目的是正确并容易地检测荧光体的劣化。
根据本发明的一个方面，提供了放射线图像检测装置的维护方法，所述放射线图像检测装置包含：荧光体和薄膜型传感器部，所述荧光体含有当暴露于放射线时发射荧光的荧光材料，所述薄膜型传感器部与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且检测在所述荧光体中产生的荧光，所述维护方法包括：定期进行结构噪声检查、MTF检查和暗电流检查中的至少一项检查以检测所述荧光体的劣化，其中所述结构噪声检查包括获取放射线图像，并检测在获取的放射线图像与过去获取的图像之间的放射线图像检测装置所独有的图案的变化；所述MTF检查包括获取MTF图的放射线图像并检测获取的放射线图像的MTF变化；并且所述暗电流检查包括在没有放射线的情况下获取黑色图像，并基于获取的黑色图像来检测传感器部中的暗电流变化。
使用这种方法，可以正确并容易地检测荧光体的劣化。
附图说明
图1显示了用于描述本发明实施方案的维护方法的示例性放射线图像检测装置的构造。
图2示意显示了图1的放射线图像检测装置的检测部的构造。
图3示意显示了图2的检测部的荧光体的构造。
图4是沿图3中的线IV-IV获得的荧光体的截面图。
图5是沿图3中的线V-V获得的荧光体的截面图。
图6示意性显示了图2的检测部的传感器部的构造。
图7是本发明一个实施方案的放射线图像检测装置的维护方法的流程图。
图8是本发明另一个实施方案的放射线图像检测装置的维护方法的流程图。
图9是图8的实施方案的修改的维护方法的流程图。
图10是本发明另一个实施方案的放射线图像检测装置的维护方法的流程图。
图11是图10的实施方案的修改的维护方法的流程图。
具体实施方式
图1显示了用于描述本发明实施方案的维护方法的示例性放射线图像检测装置的构造。
图1中所示的放射线图像检测装置是便携式放射线图像检测装置(在下文中称为盒)。盒1装备有用于检测放射线的检测部2、用于控制检测部2的操作并基于由检测部2检测的放射线而产生放射线图像的控制部3、以及容纳检测部2和控制部3的壳体4。
在壳体4中，在与检测部2重叠的顶板5上放置物体(例如患者的摄影对象部位)。源自所述物体的放射线穿过顶板5，并入射到检测部2中。顶板5由放射线吸收率低的材料、典型地为碳纤维增强塑料或铝制成。
检测部2装备有当暴露于放射线时发射荧光的闪烁体(荧光体)10和用于检测由闪烁体10产生的荧光的传感器部11。
闪烁体10与传感器部11隔开并形成在支持体13上。用于将闪烁体10与传感器部11光学结合的树脂层14夹在这两者之间，并且将闪烁体10的与支持体13相反的表面结合至传感器部11。
胶粘层16夹在顶板5与检测部2之间，在检测部2中，支持体13、闪烁体10和传感器部11如上所述彼此叠置，并且将检测部2在传感器部11一侧上的表面结合至顶板5。
在作为ISS放射线图像检测装置的本实例的盒1中，入射到检测部2的放射线通过传感器部11并入射到闪烁体10中。在闪烁体10中对放射线做出响应而产生荧光，并且所述荧光被传感器部11检测到。由于产生更多荧光的闪烁体10的放射线入射侧与传感器部11邻接设置，因此盒1具有高敏感度。
或者，检测部2可以覆盖有由聚对二甲苯等制成的保护膜，然后结合至顶板5。可以将检测部2的传感器单元11侧的整个表面结合至顶板。或者，从例如在替换顶板5中的修复性的观点来说，可以将检测部2的传感器单元11侧表面的仅一部分(例如中心部或外围部)结合至顶板5。在这种情况下，优选形成胶粘层16，从而在检测部2与顶板5之间不形成封闭空间，也就是说，从而形成与外部连通的放气通道。使用这种措施，即使发生大气压力或温度的变化或者有重物作用在顶板5上，气泡也不易保留在检测部2与顶板5之间。
图2显示了盒1的检测部2的构造。图3示意性显示了检测部2的闪烁体10的构造。
用于构造闪烁体10的可用荧光材料包括CsI:Tl(铊活化的碘化铯)、NaI:Tl(铊活化的碘化钠)和CsI:Na(钠活化的碘化铯)。其中CsI:Tl是优选的，因为发射光谱与a-Si光电二极管的光谱敏感度中的最大点(近550nm)相符。
由如下部件构造闪烁体10：在与支持体13相反的侧上设置的柱状部34；和在支持体13侧上设置的非柱状部36。尽管随后描述细节，但是通过气相沉积而在支持体13上以堆叠层的形式连续形成柱状部34和非柱状部36。在此，柱状部34和非柱状部36由相同的荧光材料构成。然而，添加的活化剂如Tl的量可相互不同。
柱状部34由其中荧光材料的晶体生长成柱状的柱状晶体35的群形成。在此，在一些情况下，将多个邻近的柱状晶体连接在一起而形成一个柱状晶体。在邻近的柱状晶体35之间形成间隙，因此柱状晶体35相互独立。
由荧光材料的比较小的晶体的群来构造非柱状部36。在此，在一些情况下，所述非柱状部36包含上述荧光材料的无定形材料。在非柱状部36中，晶体不规则地连接在一起或相互重叠，并因此在晶体之间不形成明确的间隙。
在所述闪烁体10中，将与支持13相反的侧上的表面，即在柱状部34的每个柱状晶体的尖端侧上的表面结合至传感器部11。因此，在闪烁体10的放射线入射侧上，布置由柱状晶体35的群构成的柱状部34。
借助于柱状晶体35和周围的间隙(空气)之间的折射率差而使得由柱状晶体35发射的荧光在每个柱状晶体35内重复全反射，从而抑制荧光的扩散并将荧光引导至传感器部11。这提高了图像的锐度。
然后，在由柱状晶体35发射的荧光中，将向与传感器部11相反的侧即向支持体13移动的荧光通过非柱状部36向传感器部11反射。这提高了荧光的利用效率并因此提高了敏感度。
每个柱状晶体35在生长的初始阶段比较薄，并且随着晶体生长的进行而变厚。在柱状部34的与非柱状部36接合的部分中，许多小直径柱状晶体35并立在一起，并且大量比较大的间隙在晶体生长方向上延伸而产生大的空隙率。另一方面，非柱状部36由比较小的晶体和比较小晶体的聚集体形成，且各个间隙比较小。与柱状部34相比，非柱状部36更致密并且空隙率更小。在支持体13与柱状部34之间存在非柱状部36增加了支持体13与闪烁体10之间的附着。结果，防止了闪烁体10从支持体13上剥离。
图4是显示图3中所示的闪烁体10的IV-IV横截面的电子显微镜照片。
从图4中可以看出，在柱状部34中，柱状晶体35在晶体生长方向上具有直径几乎均匀的截面部。另外，在每个柱状晶体35周围形成间隙。因此，所述柱状晶体35相互独立地存在。优选地，从光导效应、机械强度和像素缺陷防止的观点来看，所述柱状晶体35的晶体直径(柱直径)为2μm以上且8μm以下。过小的柱直径引起柱状晶体35的机械强度的不足。因此，产生因冲击等而损坏的担忧。相反，过大的柱直径引起分配给每个像素的柱状晶体35的数量不足。因此，产生如下担忧：当晶体中出现裂纹时，像素以高概率变得有缺陷。
在此，柱直径指示从柱状晶体35的生长方向中的上面侧来观察的晶体的最大直径。作为详细的测量方法，通过使用SEM(扫描电子显微镜)从生长方向中的上面侧观察柱状晶体35来测量柱直径。所述观察在使得可观察100至200个柱状晶体35的放大倍率(约2000倍)下进行。然后，对包含在一个摄影框中的每个晶体测量柱直径的最大值。然后，计算平均值。将柱直径值(μm)测量至小数点后第二位。然后，根据JISZ 8401将通过在小数点后第二位四舍五入而获得的值用作平均值。
图5是显示图3中所示的闪烁体10的V-V横截面的电子显微镜照片。
从图5中可以看出，在非柱状部36中，晶体不规则地连接在一起或相互重叠。因此，与柱状部34中的情况相比，在晶体之间没有见到明确的间隙。从紧密接触和光反射的观点来看，优选构成非柱状部36的晶体的直径为0.5μm以上且7.0μm以下。当晶体直径过小时，所述间隙接近0并因此产生光反射功能下降的担忧。当晶体直径过大时，平坦度下降并因此产生与支持体13的紧密接触变差的担忧。另外，从光反射的观点来看，优选构成非柱状部36的每个晶体的形状为近似球形。
在此，如下进行在晶体连接在一起的情况中晶体直径的测量。将通过接合邻近晶体之间形成的洼部(凹部)而获得的每根线看作晶体之间的边界，从而将连接的晶体分离成最小的多边形。然后，测量柱直径和与柱直径对应的晶体直径。然后，与对柱状部34中的晶体直径所用的方法类似地计算并采用平均值。
另外，尽管取决于放射线的能量，但从柱状部34中充分的放射线吸收和图像锐度的观点来看，优选柱状部34的厚度为200μm以上且700μm以下。当柱状部34的厚度过小时，未充分放射线并且因此产生敏感度降低的担忧。当厚度过大时，出现光扩散并因此产生如下担忧：即使通过柱状晶体的光导效应也不能避免图像锐度的下降。
从与支持体13的紧密接触和光反射的观点来看，优选非柱状部36的厚度为5μm以上且125μm以下。当非柱状部36的厚度过小时，产生不能获得与支持体13的充分紧密接触的担忧。当厚度过大时，非柱状部36对荧光的贡献以及由非柱状部36中的光反射而引起的扩散出现增加。因此，产生图像锐度下降的担忧。
用于支持体13的材料不限于特别的材料，只要可以在其上形成闪烁体10即可。例如，支持体13可由碳板、CFRP(碳纤维增强塑料)、玻璃板、石英基材、蓝宝石基材、或者由选自铁、锡、铬、铝等的材料构成的金属片制造。其中，优选采用由铝或铝合金构成的金属片，其对于由闪烁体10的柱状晶体发射的荧光具有反射性。
当支持体13由铝或铝合金所构成的金属片制造时，在由柱状晶体35发射的荧光中，将向与传感器部11相反的侧，即向支持体13移动的荧光向传感器部11反射。这提高了荧光的利用效率并因此提高了敏感度。在此，即使使用由铝或铝合金构成的金属片之外的碳板等，当在要在其上形成闪烁体10的表面上形成由铝或铝合金构成的涂膜时，获得了相似的效果。
另外，构成闪烁体10的CsI具有随着温度增加敏感度下降的倾向。本例的盒1为如上所述的ISS型。在这种情况下，通常在支持体13之后布置控制部3(与闪烁体10相反)并因此将控制部3中产生的热传递至支持体13。因此，当支持体13由具有令人满意的热导率的铝或铝合金所构成的金属片制造时，从控制部3传递的热迅速扩散。这避免了闪烁体10中的局部温度上升和由此引起的局部敏感度下降。因此，避免了图像不均匀性的出现。
通过气相沉积等在支持体13上依次连续并一体地形成闪烁体10的非柱状部36和柱状部34。具体地，在0.01至10Pa真空压力的环境下，通过使电阻加热型坩埚通电而加热并蒸发CsI:Tl。然后，在将支持体13的温度保持在室温(20℃)至300℃范围内的状态中，将CsI:Tl沉积到支持体13上。
当要在支持体13上形成CsI:Tl的结晶相时，首先，沉积比较小直径的晶体，从而形成非柱状部36。然后，在改变选自真空压力和支持体13的温度的至少一个条件的状态下，在形成非柱状部36后连续形成柱状部34。具体地，在增加真空压力和/或增加支持体13的温度的状态下生长柱状晶体35的群。
如上所述，有效并容易地制造闪烁体10。另外，这种制造方法具有如下优点：当控制真空压力和支持体温度时，根据设计简单地制造各种规格的闪烁体。
接下来，下面参考图2和6描述传感器部11。图6显示了检测部2的传感器部11的构造。
所述传感器部11具有：多个光电转换元件26；和多个开关器件28，所述多个开关器件28各自由用于读取在每个光电转换元件26中产生的电荷的薄膜晶体管(TFT)构成。每个光电转换元件26为薄膜型元件。然后，由无机或有机光电转换材料所构成的薄膜形成用于在接收源自闪烁体的荧光时产生电荷的光电导层20。以二维布置这些光电转换元件26和开关器件28。
在此，在例示性实例中，在相互不同的层中形成光电转换元件26的阵列和开关器件28的阵列。在闪烁体10侧上布置光电转换元件26的阵列。在此，可在相同层中形成光电转换元件26的阵列和开关器件28的阵列。或者，可从闪烁体10侧依次形成开关器件28的阵列和光电转换元件26的阵列。然后，如在例示性实例中那样，当在相互不同的层中形成光电转换元件26的阵列和开关器件28的阵列时，使得每个光电转换元件26的尺寸是大的。另外，当从闪烁体10侧依次形成光电转换元件26的阵列和开关器件28的阵列时，使得光电转换元件26更接近闪烁体10而布置。这提高了敏感度。
在光电转换元件26的阵列上，形成平坦化层23以覆盖这些光电转换元件26，从而使其表面平坦。另外，在平坦化层23上形成用于将闪烁体10与传感器部11结合的胶粘层25。所述平坦化层23和所述胶粘层25构成上述树脂层14。从敏感度和图像锐度的观点来看，优选所述树脂层14的厚度为50μm以下，且更优选在5μm至30μm的范围内。
每个光电转换元件26由如下构成：用于在接收源自闪烁体10的荧光时产生电荷的光电导层20；和分别设置在光电导层20的正面和背面上的一对电极。所述设置在光电导层20的闪烁体10侧的表面上的电极22为用于在光电导层20上施加偏压的偏压电极。所述设置在相反侧表面上的电极24为用于收集由光电导层20产生的电荷的电荷收集电极。将光电转换元件26的电荷收集电极24连接到对应的开关器件28上。通过开关器件28读取由每个电荷收集电极24收集的电荷。
其中形成开关器件28的阵列的层具有：在一个方向(行方向)上延伸并打开或关闭单独开关器件28的多根栅极线30；在垂直于栅极线30的方向(列方向)上延伸并在打开的状态中通过开关器件28读取电荷的多根信号线(数据线)32。然后，在传感器部11的外围中布置连接至栅极线30和信号线32的连接端部38。如图2中所示，通过连接电路39将连接端部38连接至设置在控制部3中的电路板(未示出)(参见图1)。这种电路板具有栅极线驱动器(gate driver)和信号处理部。
作为对通过栅极线30由栅极线驱动器提供的信号的响应，将开关器件28逐行打开。然后，将通过在打开状态中的每个开关器件28读取的电荷作为电荷信号通过信号线32传输，并然后输入到信号处理部中。因此，依次逐行读取电荷，并然后通过上述信号处理部将其转换成电信号，从而产生数字图像数据。
在具有上述构造的传感器部11中，例如，通过使用公知的成膜技术在绝缘基材如玻璃基材上形成光电转换元件26和开关器件28的阵列。然后，将以在绝缘基材上形成光电转换元件26和开关器件28的阵列的方式构造的传感器面板隔着胶粘层25而结合至闪烁体10。
然后，从结合至闪烁体10的上述传感器面板中剥离绝缘基材。然后，在闪烁体10中，保留光电转换元件26和开关器件28的阵列并构成传感器部11。在剥离绝缘基材之后，由闪烁体10支持薄膜型的光电转换元件26和开关器件28的阵列。在此，可在绝缘基材上形成合适的剥离层并然后可在其上形成光电转换元件26和开关器件28的阵列，从而构造上述传感器面板。这使得绝缘基材易于剥离。
由于能够以高敏感度在高分辨率下检测放射线图像，所以可以将盒1并入各种装置如X-射线成像装置中使用，所述X-射线成像装置为了以低放射线照射量检测尖锐图像而需要的医疗检查如乳腺摄影检查。也可以将盒1也可以并入无损检验用工业X-射线成像装置中使用，以及用作检测γ-射线或粒子射线如α-射线或β-射线的装置。照这样，盒1具有广泛的应用范围。
接下来，将描述盒1的维护方法。
图7是适用于盒1并使用结构噪声的一个实施方案的检查方法。
通过盒1获取的放射线图像包括源自闪烁体10的结构噪声。在由CsI等的柱状晶体群形成的闪烁体10中，结构噪声由厚度、晶体直径或晶体分布的不均匀性引起，并在图像中表现为盒1所独有的固定图案。
因为如上所述已经剥离了绝缘基材，因此盒1缺少否则会由绝缘基材提供的防湿性。因此，湿气随着时间推移而渗透到传感器部11中，并且甚至可能通过传感器部11而渗透到闪烁体10中。由于作为闪烁体10的材料的CsI等显示潮解性，因此由CsI等的柱状晶体群形成的闪烁体10的柱状晶体结构可能由于吸收湿气而劣化，作为其结果，包含在通过盒1获取的放射线图像中的固定图案发生变化。基于上述理解，在本实施方案中，通过在无物体的情况下定期获取放射线图像并监测由此获取的每个图像中固定图案的变化来检测闪烁体10的劣化。
首先，在盒1的制造或运输时获取放射线图像，并将其用作参比图像。
在步骤S1a中，获取放射线图像(这定期进行)。在步骤S2a中，将在由此获得的图像中出现的固定图案与参比图像中的固定图案进行比较。
如果在固定图案中没有发现变化(例如图案模糊、局部模糊或位置偏离)，则在步骤S3a中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。
如果在固定图案中发现变化，则在步骤S4a中判断变化是否超出容许范围。例如，该判断由人目视评价来进行。
如果判断变化超出容许范围，则在步骤S5a中停止使用盒1，并采取适当措施如更换闪烁体10。
另一方面，如果判断变化在容许范围之内，则在步骤S3a中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。
因为如上所述，闪烁体10的结构噪声表现为通过盒1获取的放射线图像中的固定图案，因此通过监测在定期获取的每个放射线图像中出现的、盒1所独有的固定图案的变化，可以正确和容易地检测闪烁体10的劣化。
图8是适用于盒1并使用MTF的另一个实施方案的检查方法。
如上所述，在由CsI等的柱状晶体群形成的闪烁体10中，闪烁体10的柱状晶体结构可能由于吸收湿气而劣化，作为其结果，柱状晶体的光导效应受损，并且图像锐度降低。基于上述理解，在本实施方案中，通过定期获取其中多个细线如同一维点阵排列的MTF图的放射线图像并监测由此获取的每个图像中的MTF变化来检测闪烁体10的劣化。
首先，在盒1的制造或运输时获取MTF图的放射线图像，测定由此获取的图像的MTF并将其用作参比MTF。
在步骤S1b中，获取MTF图的放射线图像(这定期进行)。在步骤S2b中，测定由此获得的图像的MTF，并判断所测定的MTF与参比MTF相比是否下降。
如果所测定的MTF与参比MTF相比没有下降，则在步骤S3b中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。
如果所测定的MTF与参比MTF相比下降，则在步骤S4b中通过将MTF值与预定的容许值(容许极限值)进行比较来判断所测定的MTF是否超出容许范围。
如果判断所测定的MTF超出容许范围(即MTF值小于容许值)，则在步骤S5b中停止使用盒1，并采取适当措施如更换闪烁体10。
另一方面，如果判断所测定的MTF在容许范围之内(即MTF值大于或等于容许值)，则在步骤S6b中，将与在先前检查中获取的图像的MTF值的差值Δ与差值Δ的预设阈值进行比较。如果差值Δ小于或等于阈值，则在步骤S3b中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。另一方面，如果差值Δ大于阈值，则在步骤S7b中将到下一次MTF检查的间隔缩短。
如果与在先前检查中获取的图像的MTF值的差值Δ大于阈值，则闪烁体10的劣化可能加速。缩短检查间隔使得可以更正确地检测闪烁体10的劣化，并及时采取措施。
图9是适用于盒1并使用MTF的修改方案的检查方法。
如果判断所测定的MTF在容许范围之内，则在步骤SS6b中，将与预定容许值的差值δ与差值δ的预设阈值进行比较。如果差值δ小于阈值，则在步骤SS7b中将到下一次MTF检查的间隔缩短。
如果与预定容许值的差值δ小于预设阈值，则闪烁体10的剩余可用时间可能比较短，因为其已经在很大程度上发生劣化。缩短检查间隔使得可以更正确地检测闪烁体10的劣化，并及时采取措施。
图10是适用于盒1并使用暗电流的另一个实施方案的检查方法。
典型地，通过盒1获取的图像的每个像素值包括暗电流分量，其由即使在遮光的状态下也储存在相关光电转换元件26中的电荷引起。暗电流分量取决于温度并典型地随温度的增加而增加。
在盒1中，如上所述已经剥离了绝缘基材，因此盒1缺少否则会由绝缘基材提供的防湿性。因此，湿气随着时间推移而渗透到传感器部11中，并可能引起光电转换元件26的劣化。如果光电转换元件26发生劣化，则在遮光状态下储存在每个光电转换元件26中的电荷增加，并且包含在通过盒1获取的图像的每个像素值中的暗电流分量也增加。并且当作为绝缘基材剥离的结果，湿气渗透到闪烁体10中时，同样的湿气已通过传感器部11。因此，光电转换元件26的劣化和闪烁体10的劣化几乎发生在相同位置处。基于上述理解，在本实施方案中，通过在没有放射线的情况下在规定温度条件下定期获取黑色图像并监测由此获取的每个图像的每个像素的暗电流分量的变化来检测闪烁体10的劣化。
首先，在盒1的制造或运输时获取黑色图像，测定由此获取的图像的各像素的像素值(暗电流分量)，并将其用作各像素的参比像素值。
在步骤S1c中，获取黑色图像(这定期进行)。在步骤S2c中，测定由此获取的图像的各像素的像素值，并判断所测定的像素值与参比像素值相比是否增加。
如果测定的像素值与参比像素值相比没有增加，则在步骤S3c中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。
如果测定的像素值与参比像素值相比增加，则在步骤S4c中通过将其与预定容许值进行比较来判断所测定的像素值是否超出容许范围。
如果判断所测定的像素值中的一个或多个像素值或平均像素值超出容许范围(即大于容许值)，则在步骤S5c中停止使用盒1，并采取适当措施如更换闪烁体10。
另一方面，如果判断所有测定的像素值或平均像素值在容许范围之内(即小于或等于容许值)，则在步骤S6c中，将与先前检查中获取的图像的相应像素值的差值Δ与差值Δ的预设阈值进行比较。如果像素值差值Δ小于或等于阈值，则在步骤S3c中继续使用盒1直至允许进行下一次检查。另一方面，如果像素值差值Δ大于阈值，则在步骤S7c中将到下一次暗电流检查的间隔缩短。
如果与先前检查中获取的图像的相应像素值的差值Δ大于阈值，则传感器部11的劣化可能加速，因此闪烁体10的劣化可能也加速。缩短检查间隔使得可以更正确地检测闪烁体10的劣化，并及时采取措施。
图11是适用于盒1并使用暗电流的修改方案的检查方法。
如果判断所有测定的像素值或平均像素值在容许范围之内，则在步骤SS6c中将与预定容许值的差值δ与差值δ的预设阈值进行比较。如果差值δ小于阈值，则在步骤SS7c中将到下一次暗电流检查的间隔缩短。
如果与预定容许值的差值δ小于预设阈值，则闪烁体10的剩余可用时间可能比较短，因为传感器部11以及因此闪烁体10已经在很大程度上发生劣化。缩短检查间隔使得可以更正确地检测闪烁体10的劣化，并及时采取措施。
可以单独地进行上述结构噪声检查、MTF检查和暗电流检查中的仅一种检查。然而，优选的是，组合进行它们中的两种或所有检查。多种检查的综合结果能够更正确检测盒1的劣化。在组合进行多种检查的情况下，它们可以从一开始就定期进行。或者，在开始时可以定期进行仅一种检查。如果通过一种检查发现闪烁体10的劣化正在进行或加速，则另外进行其他种类的检查。
在上述MTF检查和暗电流检查中，通过与先前检查结果进行比较来检测闪烁体10或传感器部11的劣化加速的倾向。然而，闪烁体10或传感器部11的加速劣化也可以由闪烁体10与传感器部11之间或传感器部11与顶板5之间的粘附性的降低所引起。在作为便携式放射线图像检测装置的盒1中，闪烁体10与传感器部11之间或传感器部11与顶板5之间的粘附性的这种降低可能由例如盒1的落下或物体的安装的冲击引起。考虑到上文，盒1可以装备有冲击检测单元如加速度传感器。如果通过冲击检测手段检测到强于规定阈值的冲击，则将上述结构噪声检查、MTF检查或暗电流检查的间隔缩短。
下面将描述可用于传感器部11的构成元件的材料。
[光电转换元件]
通常将无机半导体材料如无定形硅用于上述光电转换元件26的光电导层20(参见图1)。例如，可使用在日本特开2009-32854号公报中公开的任何OPC(有机光电转换)材料。可以将由OPC材料形成的膜(下文中称作OPC膜)用作光电导层20。所述OPC膜含有有机光电转换材料，所述有机光电转换材料吸收从荧光体层发射的光并根据吸收的光产生电荷。含有有机光电转换材料的这种OPC膜在可见光范围内具有尖锐的吸收峰。由此，OPC膜几乎不吸收从荧光体层发射的光之外的电磁波，但能够有效抑制由OPC膜吸收的放射线如X射线所产生的噪音。
优选的是，形成OPC膜的有机光电转换材料的吸收峰值波长更接近由荧光体层发射的光的峰值波长，从而最有效地吸收由荧光体层发射的光。理想地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与由荧光体层发射的光的峰值波长一致。然而，如果有机光电转换材料的吸收峰值波长与荧光体层发射的光的峰值波长之差小，则能够充分地吸收荧光体层发射的光。具体地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与荧光体层响应放射线所发射的光的峰值波长之差优选不大于10nm，更优选不大于5nm。
能够满足这种条件的有机光电转换材料的实例包括亚芳基类有机化合物、喹吖啶酮类有机化合物和酞菁类有机化合物。例如，喹吖啶酮在可见光范围内的吸收峰值波长为560nm。因此，当将喹吖啶酮用作有机光电转换材料并将CsI(Tl)用作荧光体层的材料时，可以将上述峰值波长之差设定在5nm以内，使得能够将在OPC膜中产生的电荷的量基本提高至最大。
设置在偏压电极22与电荷收集电极24之间的有机层的至少一部分能够由OPC膜形成。更具体地，所述有机层能够由用于吸收电磁波的部分、光电转换部分、电子输送部分、电子空穴输送部分、电子阻挡部分、电子空穴阻挡部分、结晶防止部分、电极、层间接触改良部分等的堆叠体或混合物形成。
优选地，有机层含有有机p型化合物或有机n型化合物。有机p型半导体(化合物)为主要由电子空穴输送有机化合物表示的给体型有机半导体(化合物)，其是指具有易于提供电子的特性的有机化合物。更详细地，在用于相互接触的两种有机材料中，将具有较低电离电势的物质称作给体型有机化合物。因此，可以将任何有机化合物用作给体型有机化合物，只要所述有机化合物具有提供电子的特性即可。能够使用的给体型有机化合物的实例包括三芳基胺化合物、联苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯基甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、菁化合物、部花青化合物、氧杂菁(oxonol)化合物、多胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撑化合物、稠合芳族碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)、具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物等。给体型有机半导体不限于此，而是可以将电离电势比用作n型(受体型)化合物的有机化合物低的任何有机化合物用作给体型有机半导体。
n型有机半导体(化合物)为主要由电子输送有机化合物表示的受体型有机半导体(化合物)，其是指具有易于接受电子的特性的有机化合物。更具体地，当以相互接触的方式使用两种有机化合物时，该两种有机化合物中具有较高电子亲合力的一种化合物为受体型有机化合物。因此，可以将任何有机化合物用作受体型有机化合物，只要所述有机化合物具有接受电子的特性即可。其实例包括稠合芳族碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)，含有氮原子、氧原子或硫原子的5～7元杂环化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、异喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、邻二氮杂菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、
Figure BDA0000141983270000191
唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并
Figure BDA0000141983270000192
唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并哒嗪、三唑并嘧啶、四氮茚、
Figure BDA0000141983270000201
二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷(pyralidine)，吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)，聚芳撑化合物、芴化合物、环戊二烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物。受体型有机半导体不限于此。可将任何有机化合物用作受体型有机半导体，只要所述有机化合物的电子亲合力高于用作给体型有机化合物的有机化合物即可。
至于p型有机染料或n型有机染料，可使用任何已知染料。其优选实例包括菁染料、苯乙烯基染料、半菁染料、部花青染料(包括零-次甲基部花青(简单部花青)、三核部花青染料、四核部花青染料、若丹菁(rhodacyanine)、复合菁染料、复合部花青染料、alopolar染料、氧杂菁染料、半氧杂菁(hemioxonol)染料、方酸
Figure BDA0000141983270000202
染料、克酮酸
Figure BDA0000141983270000203
(croconium)染料、氮杂次甲基染料、香豆素染料、亚芳基染料、蒽醌染料、三苯基甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲碱染料、螺环化合物、金属茂染料、芴酮染料、俘精酸酐(flugide)染料、二萘嵌苯染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛染料、二苯基甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩
Figure BDA0000141983270000204
嗪染料、酞苝染料、卟啉染料、叶绿素染料、酞菁染料、金属络合物染料和稠合芳族碳环染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)。
可以优选使用如下光电转换膜(感光层)，其在一对电极之间具有p型半导体层和n型半导体层，且p型半导体和n型半导体中的至少一种为有机半导体，并且在这些半导体层之间设置包含p型半导体和n型半导体的本体异质结结构层以作为中间层。包含在光电转换膜中的本体异质结结构层能够覆盖有机层的载流子扩散长度短这一缺陷。由此，能够提高光电转换效率。在日本特开2005-303266号公报中对本体异质结结构进行了详细说明。
从吸收源自荧光体层的光的观点来看，优选的是，光电转换膜更厚。考虑到不会对电荷分离带来任何贡献的比率，所述光电转换膜优选为30nm以上且300nm以下，更优选50nm以上且250nm以下，特别更优选80nm以上且200nm以下。
至于关于上述OPC膜的任何其他构造，例如，参考日本特开2009-32854号公报中的说明。
[开关器件]
通常将无机半导体材料如无定形硅用于每个开关器件28的有源层。然而，可以使用例如日本特开2009-212389号公报中所公开的任何有机材料。虽然有机TFT可具有任何一种结构，但是场效应晶体管(FET)结构是最优选的。在FET结构中，在绝缘基材的上表面的一部分设置栅极，并设置绝缘体层以覆盖电极并与电极之外的其他部分中的基材接触。此外，在绝缘体层的上表面上设置半导体有源层，在半导体有源层的上表面的一部分上以相互隔离的方式布置透明源极和透明漏极。将这种构造称作顶部接触型器件。然而，也可以优选使用其中在半导体有源层下方布置源极和漏极的底部接触型器件。另外，可以使用其中载流子在有机半导体膜的厚度方向上流动的垂直晶体管结构。
(有源层)
本文中提及的有机半导体材料为显示作为半导体的性能的有机材料。与由无机材料形成的半导体类似，有机半导体材料的实例包括传导作为载流子的电子空穴(空穴)的p型有机半导体材料(或简称作p型材料或称作电子空穴输送材料)以及传导作为载流子的电子的n型有机半导体材料(或简称作n型材料或称作电子输送材料)。在有机半导体材料中，许多p型材料通常显示良好的性能。另外，在大气下，作为晶体管，p型晶体管通常具有优异的运行稳定性。因此，本文中将对p型有机半导体材料进行说明。
有机薄膜晶体管的性能之一是载流子迁移率(也简称作迁移率)μ，其表示载流子在有机半导体层中的迁移率。尽管优选的迁移率随应用而变化，但通常优选更高的迁移率。所述迁移率优选为1.0×10-7cm2/Vs以上，更优选1.0×10-6cm2/Vs以上，进一步优选1.0×10-5cm2/Vs以上。通过在制造场效应晶体管(FET)器件时的性能或TOF(飞行时间)的测量，能够获得迁移率。
p型有机半导体材料可以为低分子量或高分子量材料，但优选低分子量材料。许多低分子量材料因能够应用各种提纯方法如升华提纯、重结晶、柱层析等而易于获得高纯度、或者因其具有固定的分子结构而易于形成高度有序的晶体结构，从而通常显示优异的性质。低分子量材料的分子量优选为100以上且5000以下，更优选150以上且3000以下，还更优选200以上且2000以下。
作为p型有机半导体材料，可以例示酞菁化合物或萘菁化合物。如下显示其具体实例。M表示金属原子，Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表示乙基，Ph表示苯基。
[化学式1]
Figure BDA0000141983270000221
化合物1至15        化合物16至20
  化合物   M   R   N   R’   R”
  1   Si   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  2   Si   OSi(i-Pr)3   2   H   H
  3   Si   OSi(OEt)3   2   H   H
  4   Si   OSiPh3   2   H   H
  5   Si   O(n-C8H17)   2   H   H
  7   Ge   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  8   Sn   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  9   Al   OSi(n-C6H13)3   1   H   H
  10   Ga   OSi(n-C6H13)3   1   H   H
  11   Cu   -   -   O(n-Bu)   H
  12   Ni   -   -   O(n-Bu)   H
  13   Zn   -   -   H   t-Bu
  14   V＝O   -   -   H   t-Bu
  15   H2   -   -   H   t-Bu
  16   Si   OSiEt3   2   -   -
  17   Ge   OSiEt3   2   -   -
  18   Sn   OSiEt3   2   -   -
  19   Al   OSiEt3   1   -   -
  20   Ga   OSiEt3   1   -   -
(有源层之外的开关器件的构成元件)
形成栅极、源极或漏极的材料没有特别限制，只要其具有必要的导电性即可。其实例包括透明导电氧化物如ITO(铟掺杂的氧化锡)、IZO(铟掺杂的氧化锌)、SnO2、ATO(锑掺杂的氧化锡)、ZnO、AZO(铝掺杂的氧化锌)、GZO(镓掺杂的氧化锌)、TiO2、FTO(氟掺杂的氧化锡)等；透明导电聚合物如PEDOT/PSS(聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯)；碳材料如碳纳米管等。例如通过真空沉积法、溅射、溶液涂布法等，可将这些电极材料形成为膜。
用作绝缘层的材料没有特别限制，只要其具有必要的绝缘效果即可。其实例包括无机材料如二氧化硅、氮化硅、氧化铝等；和有机材料如聚酯、(PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚对苯二亚甲基树脂、酚醛清漆树脂、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)等。例如通过真空沉积法、溅射、溶液涂布法等，可将这些绝缘膜材料形成为膜。
至于关于上述有机TFT的任何其它构造，例如参考日本特开2009-212389号公报中的描述。
例如，可将在日本特开2010-186860号公报中公开的无定形氧化物用于开关器件28的有源层。此处对在日本特开2010-186860号公报中公开的包含无定形氧化物的FET晶体管的有源层进行说明。所述有源层充当其中电子或空穴能够移动的FET晶体管的沟道层。
有源层被构造为包含无定形氧化物半导体。能够在低温下将无定形氧化物半导体形成为膜。由此，可优选在柔性基材上形成无定形氧化物半导体。用于有源层的无定形氧化物半导体优选为包含选自In、Sn、Zn和Cd中的至少一种元素的无定形氧化物，更优选为包含选自In、Sn和Zn中的至少一种元素的无定形氧化物，进一步优选包含选自In和Zn中的至少一种元素的无定形氧化物。
用于有源层的无定形氧化物的具体实例包括In2O3、ZnO、SnO2、CdO、铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(GZO)、铟镓氧化物(IGO)和铟镓锌氧化物(IGZO)。
优选的是，将以氧化物半导体的多晶烧结体作为靶的气相成膜法用作用于形成有源层的方法。在气相成膜法中，溅射法或脉冲激光沉积(PLD)法是适合的。此外，从大量生产性考虑，优选溅射法。例如，在受控真空度和受控氧流量下通过RF磁控溅射沉积法而形成有源层。
通过已知的X射线衍射法，可以确认形成为膜的有源层为无定形膜。通过RBS(卢瑟福背散射光谱)法获得了有源层的组成比。
另外，有源层的电导率优选为低于102Scm-1且不低于10-4Scm-1，更优选低于102Scm-1且不低于10-1Scm-1。用于调节有源层的电导率的方法的已知实例包括利用氧缺陷的调节法、利用组成比的调节法、利用杂质的调节法和利用氧化物半导体材料的调节法。
至于关于上述无定形氧化物的任何其他构造，例如，参考日本特开2010-186860号公报中的描述。
[平坦化层和胶粘层]
充当用于将闪烁体10与传感器部11光学连接的树脂层14的平坦化层23和胶粘层25不限于特别的材料，只要使得源自闪烁体10的荧光可到达传感器部11而不会被衰减即可。所述平坦化层23可以由树脂如聚酰亚胺或聚对苯二甲撑构成。然而，优选地，优选使用具有良好成膜性能的聚酰亚胺。胶粘层25可以由如下构成：胶粘剂如紫外线固化胶粘剂、热固性胶粘剂、室温固化型胶粘剂和热熔融型胶粘剂；压敏胶粘剂如橡胶压敏胶粘剂、有机硅压敏胶粘剂和丙烯酸类压敏胶粘剂；或者两面具有这种胶粘剂或压敏胶粘剂的双面胶粘剂/压敏胶粘剂片。在此，从图像的锐度的观点来看，优选的胶粘剂为由低粘度环氧树脂构成的胶粘剂，其使得可以形成与元件尺寸相比足够薄的胶粘层。另外，优选的压敏胶粘剂为难以通过光或氧化而劣化的丙烯酸类压敏胶粘剂。
本说明书公开了放射线图像检测装置的下列维护方法。
(1)一种放射线图像检测装置的维护方法，所述放射线图像检测装置包含：荧光体和薄膜型传感器部，所述荧光体含有当暴露于放射线时发射荧光的荧光材料，所述薄膜型传感器部与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且检测在所述荧光体中产生的荧光，所述维护方法包括：定期进行结构噪声检查、MTF检查和暗电流检查中的至少一项检查以检测所述荧光体的劣化，其中所述结构噪声检查包括获取放射线图像，并检测在获取的放射线图像与过去获取的图像之间的放射线图像检测装置所独有的图案的变化；所述MTF检查包括获取MTF图的放射线图像并检测获取的放射线图像的MTF变化；并且所述暗电流检查包括在没有放射线的情况下获取黑色图像，并基于获取的黑色图像来检测传感器部中的暗电流变化。
(2)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果此次获取的放射线图像的MTF值与先前MTF检查中获取的放射线图像的MTF值之间的差值大于规定阈值，则缩短所述MTF检查的间隔。
(3)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果获取的放射线图像的MTF值与容许值之间的差值小于规定阈值，则缩短所述MTF检查的间隔。
(4)根据(1)至(3)中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果此次获取的黑色图像的像素值与先前暗电流检查中获取的黑色图像的相应像素的像素值之间的差值中的至少一个差值大于规定阈值，则缩短所述暗电流检查的间隔。
(5)根据(1)至(3)中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果获取的黑色图像的像素值与容许值之间的差值小于规定阈值，则缩短所述暗电流检查的间隔。
(6)根据(2)或(3)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：在缩短检查间隔之后，进行所述结构噪声检查、所述MTF检查和所述暗电流检查中的全部检查。
(7)根据(1)至(3)中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：所述放射线图像检测装置还包含冲击检测单元，并且如果所述冲击检测单元检测到强于规定阈值的冲击，则缩短检查间隔。
(8)根据(7)的放射线图像检测装置的维护方法，其中所述冲击检测单元是加速度传感器。
(9)根据(1)至(3)中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：所述荧光材料是碘化铯、碘化钠或者其中向碘化铯或碘化钠中添加活化剂的混合物。
(10)根据(9)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：所述荧光体由柱状晶体群形成，在所述柱状晶体群中所述荧光材料的晶体已经生长成柱状。
(11)根据(10)的放射线图像检测装置的维护方法，其中所述放射线图像检测装置还包含容纳所述荧光体和所述传感器部的壳体，并且所述传感器部的与跟所述荧光体相对的表面相反的表面结合至所述壳体的用于支持物体的顶板。
(12)根据(11)的放射线图像检测装置的维护方法，其中所述传感器部的所述表面通过胶粘层结合至所述顶板。
(13)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果所述放射线图像检测装置所独有的图案的变化超出容许范围，则更换所述荧光体。
(14)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果此次获取的放射线图像的MTF值小于容许值，则更换所述荧光体。
(15)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果此次获取的黑色图像的像素值中的至少一个像素值大于容许值，则更换所述荧光体。
(16)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：如果此次获取的黑色图像的平均像素值大于容许值，则更换所述荧光体。
(17)根据(1)至(3)中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：所述传感器部通过从传感器面板剥离基材而形成。
(18)根据(1)的放射线图像检测装置的维护方法，其中：从所述维护方法的首次运行开始，进行所述结构噪声检查、所述MTF检查和所述暗电流检查中的至少两项检查。

Claims (18)

1.一种放射线图像检测装置的维护方法，所述放射线图像检测装置包含：荧光体和薄膜型传感器部，所述荧光体含有当暴露于放射线时发射荧光的荧光材料，所述薄膜型传感器部与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持，并且检测在所述荧光体中产生的荧光，所述维护方法包括：
定期进行结构噪声检查、MTF检查和暗电流检查中的至少一项检查以检测所述荧光体的劣化，其中：
所述结构噪声检查包括：获取放射线图像，并检测在获取的放射线图像与过去获取的图像之间的放射线图像检测装置所独有的图案的变化；
所述MTF检查包括：获取MTF图的放射线图像，并检测获取的放射线图像的MTF变化；以及
所述暗电流检查包括：在没有放射线的情况下获取黑色图像，并基于获取的黑色图像来检测所述传感器部中的暗电流变化。
2.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果此次获取的放射线图像的MTF值与先前MTF检查中获取的放射线图像的MTF值之间的差值大于规定阈值，则缩短所述MTF检查的间隔。
3.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果获取的放射线图像的MTF值与容许值之间的差值小于规定阈值，则缩短所述MTF检查的间隔。
4.权利要求1～3中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果此次获取的黑色图像的像素值与先前暗电流检查中获取的黑色图像的相应像素的像素值之间的差值中的至少一个差值大于规定阈值，则缩短所述暗电流检查的间隔。
5.权利要求1～3中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果获取的黑色图像的像素值与容许值之间的差值小于规定阈值，则缩短所述暗电流检查的间隔。
6.权利要求2或3的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
在缩短检查间隔之后，进行所述结构噪声检查、所述MTF检查和所述暗电流检查中的全部检查。
7.权利要求1～3中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述放射线图像检测装置还包含冲击检测单元，以及
如果所述冲击检测单元检测到强于规定阈值的冲击，则缩短检查间隔。
8.权利要求7的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述冲击检测单元是加速度传感器。
9.权利要求1～3中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述荧光材料是碘化铯、碘化钠或者其中向碘化铯或碘化钠中添加活化剂的混合物。
10.权利要求9的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述荧光体由柱状晶体群形成，在所述柱状晶体群中所述荧光材料的晶体已经生长成柱状。
11.权利要求10的放射线图像检测装置的维护方法，其中所述放射线图像检测装置还包含：容纳所述荧光体和所述传感器部的壳体，以及
所述传感器部的与跟所述荧光体相对的表面相反的表面结合至所述壳体的用于支持物体的顶板。
12.权利要求11的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述传感器部的所述表面通过胶粘层结合至所述顶板。
13.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果所述放射线图像检测装置所独有的图案的变化超出容许范围，则更换所述荧光体。
14.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果此次获取的放射线图像的MTF值小于容许值，则更换所述荧光体。
15.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果此次获取的黑色图像的像素值中的至少一个像素值大于容许值，则更换所述荧光体。
16.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
如果此次获取的黑色图像的平均像素值大于容许值，则更换所述荧光体。
17.权利要求1～3中任一项的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
所述传感器部通过从传感器面板剥离基材而形成。
18.权利要求1的放射线图像检测装置的维护方法，其中：
从首次运行所述维护方法开始，进行所述结构噪声检查、所述MTF检查和所述暗电流检查中的至少两项检查。
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