JP2007170908A - 放射線検出器およびそれを用いた撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シンチレータ31のX線入射面側に読み出しパターンPを積層形成している。したがって、入射されたX線は読み出しパターンPを透過した後にシンチレータ31の入射面側で大部分が停止して可視光フォトンphに変換される。このとき、シンチレータ31の入射面側の近傍に読み出しパターンPがあるので、可視光フォトンphが散乱することなく、あるいは散乱しても可視光フォトンphがさほどに拡がらずに済んで読み出しパターンPでキャリアとして変換されて読み出される。その結果、画像の品質向上を図ることができる。
【選択図】図5
Description
すなわち、ガラス基板などに代表される絶縁基板上にスイッチング素子やキャリア収集電極などをパターン形成した後に、アモルファスセレン膜などに代表される変換層をX線入射面側に積層形成するという発想でなく、変換層のX線入射面側にパターン形成するという逆の発想に着目してみた。してみると、上述した非特許文献3の基板の替わりに変換層を用いれば、変換層のX線入射面側に蒸着あるいは印刷塗布製膜(転写やインクジェット法)によってパターン形成することが可能になる。そして、「間接変換型」のように変換層がシンチレータの場合には、X線は読み出しパターンを透過した後にシンチレータの入射面側で大部分が停止して光に変換される。このとき、シンチレータの入射面側の近傍に読み出しパターンがあるので、光が散乱することなく、あるいは散乱しても光がさほどに拡がらずに済んで読み出しパターンでキャリアとして読み出されて、画像の品質向上が図れるという知見を得た。
すなわち、請求項1に記載の発明は、放射線の入射により前記放射線の情報を光の情報に変換する第1変換層と、変換された光の情報を電荷情報に変換して読み出す読み出しパターンとを備え、変換された電荷情報を読み出すことで放射線を検出する放射線検出器であって、前記読み出しパターンを前記第1変換層の放射線入射面側に積層形成することを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係るに係るX線透視撮影装置のブロック図であり、図2は、X線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図3は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路である。後述する実施例2〜8も含めて、本実施例1では、放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採るとともに、撮像装置としてX線透視撮影装置を例に採って説明する。また、実施例1〜8では「間接変換型」のFPDとして以下を説明する。
図7は、実施例2に係るFPD30の概略断面図であり、図8は、実施例2に係るFPD30の製造工程を示す概略断面図である。実施例1と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図9は、実施例3に係るFPD30の概略断面図である。実施例1,2と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図10は、実施例4に係る側面視したフラットパネル型X線検出器(FPD)30の等価回路である。実施例1〜3と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図14は、実施例5に係るFPD30の概略断面図であり、図15は、実施例5に係るFPD30の製造工程を示す概略断面図である。実施例4と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図16は、実施例6に係るFPD30の概略断面図であり、図17は、実施例6に係るFPD3の製造工程を示す概略断面図である。実施例4,5と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図18〜図20は、実施例7に係るFPD30の概略断面図である。実施例4〜6と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
図21は、実施例8に係るフラットパネル型X線検出器(FPD)30の概略断面図である。実施例4〜7と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、X線透視撮影装置については、図1と同様の構成である。
30 … フラットパネル型X線検出器(FPD)
31、52 … シンチレータ
33、43 … キャリア収集電極
34 … データ線
35 … ゲート線
47 … 光反射層
51 … 半導体厚膜
Ca … コンデンサ
Tr … 薄膜トランジスタ
S … 薄膜シート
P … 読み出しパターン
PD … フォトダイオード
Claims (12)
- 放射線の入射により前記放射線の情報を光の情報に変換する第1変換層と、変換された光の情報を電荷情報に変換して読み出す読み出しパターンとを備え、変換された電荷情報を読み出すことで放射線を検出する放射線検出器であって、前記読み出しパターンを前記第1変換層の放射線入射面側に積層形成することを特徴とする放射線検出器。
- 放射線の入射により前記放射線の情報を電荷情報あるいは電荷情報の基となる光の情報に変換する変換層と、変換された電荷情報あるいは変換された光の情報に基づいた電荷情報を読み出す読み出しパターンとを備え、前記電荷情報を前記読み出しパターンで読み出すことで放射線を検出する放射線検出器であって、前記変換層は、第1変換層と第2変換層とで構成され、前記読み出しパターンを前記第1変換層の放射線入射面側に積層形成し、前記第2変換層を前記読み出しパターンの放射線入射面側に積層形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1または請求項2に記載の放射線検出器において、前記読み出しパターンの少なくとも一部を有機薄膜で形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射線検出器において、前記読み出しパターンの少なくとも一部を蒸着によって形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射線検出器において、前記読み出しパターンの少なくとも一部を印刷塗布製膜によって形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の放射線検出器において、前記読み出しパターンを薄膜シート上に形成し、前記薄膜シート上に形成された読み出しパターンと前記第1変換層とを貼り合わせることを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の放射線検出器において、前記第1変換層の放射線入射面側に読み出しパターンを直接に積層形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項2から請求項7のいずれかに記載の放射線検出器において、前記読み出しパターンと前記第2変換層とを貼り合わせることを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項8のいずれかに記載の放射線検出器において、前記第1変換層の放射線入射面側とは逆方向に、あるいは前記第1変換層および第2変換層の少なくとも一方に、光を反射させる光反射層を積層形成することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項1から請求項9のいずれかに記載の放射線検出器において、前記放射線の情報に基づいた光の情報を前記電荷情報に変換する光電変換層を前記読み出しパターンに含むことを特徴とする放射線検出器。
- 放射線検出器を用いた撮像装置であって、前記検出器は、放射線の入射により前記放射線の情報を光の情報に変換する第1変換層と、変換された光の情報を電荷情報に変換して読み出す読み出しパターンとを備え、前記読み出しパターンを前記第1変換層の放射線入射面側に積層形成し、変換された電荷情報を前記読み出しパターンで読み出すことで放射線を検出し、前記装置は、前記検出器と、画像処理を行う画像処理手段とを備え、その画像処理手段は、前記検出器で検出されたデータに基づいて画像処理を行い、その検出器での検出および画像処理手段による画像処理の一連の処理で撮像を行うことを特徴とする撮像装置。
- 放射線検出器を用いた撮像装置であって、前記検出器は、放射線の入射により前記放射線の情報を電荷情報あるいは電荷情報の基となる光の情報に変換する変換層と、変換された電荷情報あるいは変換された光の情報に基づいた電荷情報を読み出す読み出しパターンとを備え、前記変換層は、第1変換層と第2変換層とで構成され、読み出しパターンを前記第1変換層の放射線入射面側に積層形成するとともに、前記第2変換層を前記読み出しパターンの放射線入射面側に積層形成し、前記電荷情報を前記読み出しパターンで読み出すことで放射線を検出し、前記装置は、前記検出器と、画像処理を行う画像処理手段とを備え、その画像処理手段は、前記検出器で検出されたデータに基づいて画像処理を行い、その検出器での検出および画像処理手段による画像処理の一連の処理で撮像を行うことを特徴とする撮像装置。
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