JP7225383B2 - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Description

本開示は、放射線画像撮影装置に関する。

放射線画像撮影に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、米国特許第９１１０１７５号明細書には、蛍光体層と、蛍光体層に積層された金属基板とを含むイメージングプレートが記載されている。米国特許第９１１０１７５号明細書には、金属基板から発せられる二次エネルギーにより、蛍光体層にコヒーレントな相互作用を及ぼすことが記載されている。

ところで、放射線画像撮影装置として、放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータで変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、を備えたものがある。例えば、円筒状の構造物を検査対象とする非破壊検査にこのような放射線画像撮影装置を用いる場合、放射線画像撮影装置は、検査対象物の表面形状に沿ってフレキシブルに変形できることが好ましい。

放射線画像撮影装置がフレキシブルであるためには、シンチレータを薄くする必要がある。しかしながら、特に非破壊検査で用いられる高いエネルギー領域の放射線（１００～１０００ｋｅＶ程度）は、シンチレータが薄い場合、シンチレータを通過してしまう。すなわち、シンチレータの感度が不足し、放射線画像撮影装置により得られる画像は粒状が粗い不鮮明なものなってしまう。

本開示は、以上の事情を鑑みてなされたものであり、鮮明な画像を得ることができる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る放射線画像撮影装置は、金属を含む第１の金属含有層と、第１の金属含有層と接して設けられたシンチレータと、シンチレータから発せられる光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備え、第１の金属含有層、シンチレータ及びセンサ基板が積層された積層体は、可撓性を有し、第１の金属含有層は、シンチレータと接する面が複数の画素の各々の大きさより細かい粗さで粗面化されている。

なお、本開示の放射線画像撮影装置は、第１の金属含有層が、金属板であってもよい。

また、本開示の放射線画像撮影装置は、第１の金属含有層が、金属の粒子が含まれる樹脂であってもよい。

また、本開示の放射線画像撮影装置は、第１の金属含有層及びシンチレータを一体的に封止する封止部を備えてもよい。

また、本開示の一態様に係る放射線画像撮影装置は、金属を含む第１の金属含有層と、第１の金属含有層と接して設けられたシンチレータと、シンチレータから発せられる光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備え、第１の金属含有層、シンチレータ及びセンサ基板が積層された積層体は、可撓性を有し、積層体のセンサ基板側の面と接して設けられ、金属を含む第２の金属含有層をさらに備え、第２の金属含有層が、積層体のセンサ基板側の面と接して設けられた樹脂フィルムと、樹脂フィルムと接して設けられ、第２の金属で構成される第２のフィルタと、第２のフィルタと接して設けられ、第２の金属よりも比重が大きい第３の金属で構成される第３のフィルタと、を備える。

本開示によれば、鮮明な画像を得ることができる放射線画像撮影装置を提供することができる。

実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成の一例を示す側面断面図である。 実施形態に係る放射線画像撮影装置の電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る放射線画像撮影装置が検査対象物に設けられた状態の一例を示す図である。 実施形態に係る金属板の増感作用を説明するための図である。 実施形態に係るシンチレータの吸収率を示すグラフである。 実施形態に係る金属板の質量エネルギー吸収係数を示すグラフである。 放射線源から発せられる放射線のエネルギー分布を示すグラフである。 フィルタを通過後の放射線のエネルギー分布を示すグラフである。 検査対象物を通過後の放射線のエネルギー分布を示すグラフである。 金属板を通過後の放射線のエネルギー分布を示すグラフである。 実施形態に係る金属板の粗面化の一例を示す側面断面図である。 実施形態に係る封止部の一例を示す側面断面図である。 実施形態に係る金属の粒子が含まれる樹脂の一例を示す側面断面図である。 実施形態に係る第２の金属含有層の構成の一例を示す側面断面図である。 実施形態に係る第２の金属含有層の作用を説明するための図である。 実施形態に係る第２の金属含有層の作用を説明するための図である。

以下、図面を参照して、本開示の技術を実施するための形態例を詳細に説明する。

まず、図１を参照して、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６の構成について説明する。図１に示すように、放射線画像撮影装置１６は、放射線を透過する筐体２１を備え、筐体２１内には、検査対象物を透過した放射線を検出する放射線検出器２０が設けられている。また、筐体２１内には、制御基板２６、ケース２８、ゲート線ドライバ５２、及び信号処理部５４が設けられている。

放射線検出器２０は、放射線が照射されることにより二次電子を放出する第１の金属含有層の一例としての金属板２３、放射線が照射されることにより光を発するシンチレータ２２、及びセンサ基板の一例としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板３０を備える。金属板２３、シンチレータ２２及びＴＦＴ基板３０は、放射線の入射側から金属板２３、シンチレータ２２、ＴＦＴ基板３０の順番で積層される。すなわち、放射線検出器２０は、金属板２３が直接密着されたシンチレータ２２側から放射線が照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式の放射線検出器とされている。また、金属板２３及びシンチレータ２２は、ＴＦＴ基板３０が備える後述する画素３２が設けられる画素領域Ｌをすべて覆うように積層される。

本実施形態に係るＴＦＴ基板３０の基材は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。ＴＦＴ基板３０の基材の厚みは、材質の硬度、及びＴＦＴ基板３０の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。樹脂シートの厚みとしては、例えば、５μｍ～１２５μｍであればよく、２０μｍ～５０μｍであればより好ましい。樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。

本実施形態に係るシンチレータ２２は、可撓性を有し、例えば、ＧＯＳ（ガドリニウム硫酸化物）を含んで構成されている。シンチレータ２２の厚みは、材質の硬度、及びシンチレータ２２の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。

本実施形態に係る金属板２３は、可撓性を有し、例えば、鉛、銅、タングステン、タンタル、鋼、ステンレス鋼、黄銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銀、金、白金等の金属及び金属化合物を含んで構成されている。金属板２３の材質は、詳細を後述する金属板２３の増感作用の効率を考慮して選択することが望ましい。金属板２３の厚みは、材質の硬度、金属板２３の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。また、金属板２３の材質の第１半価層及び第２半価層や、詳細を後述する二次電子の脱出距離等を目安とした厚みにしてもよい。

ケース２８及びゲート線ドライバ５２と、制御基板２６及び信号処理部５４とは、放射線検出器２０を挟んで、それぞれ放射線検出器２０の対向する側方に設けられている。なお、ケース２８及びゲート線ドライバ５２と、制御基板２６及び信号処理部５４とは、放射線検出器２０の同じ側方に設けられてもよい。

制御基板２６は、後述する画像メモリ５６、制御部５８、及び通信部６６等の電子回路が基板上に形成されている。ケース２８は、後述する電源部７０等が収容される。

次に、図２を参照して、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６の電気系の要部構成について説明する。図２に示すように、ＴＦＴ基板３０には、画素３２が一方向（図２の行方向）及び一方向に交差する交差方向（図２の列方向）に２次元状に複数設けられている。画素３２は、センサ部３２Ａ、及び電界効果型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、以下、単に「薄膜トランジスタ」という。）３２Ｂを含んで構成される。

センサ部３２Ａは、図示しない上部電極、下部電極、及び光電変換膜等を含み、シンチレータ２２が発する光を吸収して電荷を発生させ、発生させた電荷を蓄積する。薄膜トランジスタ３２Ｂは、センサ部３２Ａに蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する。なお、センサ部３２Ａが、照射された放射線の線量の増加に伴い、発生する電荷が増加する変換素子の一例である。また、薄膜トランジスタ３２Ｂが、センサ部３２Ａに発生された電荷を電気信号として出力するスイッチング素子の一例である。

また、ＴＦＴ基板３０には、上記一方向に延設され、各薄膜トランジスタ３２Ｂをオン及びオフさせるための複数本のゲート配線３４が設けられている。また、ＴＦＴ基板３０には、上記交差方向に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ３２Ｂを介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線３６が設けられている。ＴＦＴ基板３０の個々のゲート配線３４はゲート線ドライバ５２に接続され、ＴＦＴ基板３０の個々のデータ配線３６は信号処理部５４に接続されている。

ＴＦＴ基板３０の各薄膜トランジスタ３２Ｂは、ゲート線ドライバ５２からゲート配線３４を介して供給される電気信号により行単位で順にオン状態とされる。そして、オン状態とされた薄膜トランジスタ３２Ｂによって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線３６を伝送されて信号処理部５４に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像を示す画像データが取得される。

信号処理部５４は、個々のデータ配線３６毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路（何れも図示省略）を備えており、個々のデータ配線３６を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、及びＡＤ（Analog-to-Digital）変換器が順に接続されている。そして、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、マルチプレクサにより順次選択された電気信号がＡＤ変換器によってデジタルの画像データへ変換される。

信号処理部５４には後述する制御部５８が接続されており、信号処理部５４のＡＤ変換器から出力された画像データは制御部５８に順次出力される。制御部５８には画像メモリ５６が接続されており、信号処理部５４から順次出力された画像データは、制御部５８による制御によって画像メモリ５６に順次記憶される。画像メモリ５６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ５６に順次記憶される。

制御部５８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）６０、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ６２、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部６４を備えている。制御部５８の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。

通信部６６は、制御部５８に接続され、無線通信により、後述する放射線照射装置１２及び補正装置１４等の外部装置との間で各種情報の送受信を行う。電源部７０は、前述したゲート線ドライバ５２、信号処理部５４、画像メモリ５６、制御部５８、及び通信部６６等の各種回路及び各素子に電力を供給する。なお、図２では、錯綜を回避するために、電源部７０と各種回路及び各素子とを接続する配線の図示を省略している。

また、本実施形態に係る筐体２１の放射線検出器２０の検出面に対向する部分も、金属板２３、シンチレータ２２及びＴＦＴ基板３０と同様に可撓性を有する。したがって、一例として図３に示すように、放射線画像撮影装置１６は、検査対象物１８の外形に沿って曲げた状態で検査対象物１８に設けることができる。例えば、検査対象物１８として天然ガスのパイプラインの配管等の円筒状の物体を適用し、検査対象物１８の内側に放射線源１３を配置することができる。

次に、図４、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る金属板２３によるシンチレータ２２の増感作用について説明する。図４に示すように、検査対象物１８に照射された放射線は、金属板２３を通過し、その後シンチレータ２２に到達する。金属板２３に放射線が照射されると、コンプトン散乱により、金属板２３の表面から二次電子（反跳電子）が放出される。したがって、金属板２３で発生した二次電子がシンチレータ２２に到達する。

図５に、本実施形態に係るシンチレータ２２の材質の一例であるＧＯＳの吸収率の概略図を、ＧＯＳの厚みを変えて示す。縦軸はシンチレータ２２における放射線の吸収率であり、横軸はシンチレータ２２に照射される放射線のエネルギーである。図５から、放射線のエネルギーが高くなるほど、また、シンチレータ２２の厚みが薄くなるほど、シンチレータ２２の吸収率は低下することが分かる。したがって、高いエネルギーの放射線が用いられる非破壊検査において、シンチレータ２２の厚みを可撓性が得られる程度に薄くすると、シンチレータ２２の吸収率が低下する（透過率が高くなる）ので、得られる画像はコントラストが低下した不鮮明な画像になる。そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、シンチレータ２２に密着された金属板２３から放出される二次電子による増感作用により、シンチレータ２２の感度を向上させ、鮮明な画像を得る。

図６に、本実施形態に係る金属板２３の材質の一例として、アルミニウム、銅、鉛のそれぞれの質量エネルギー吸収係数の概略図を破線で示す。縦軸は各金属における質量エネルギー吸収係数であり、横軸は各金属に照射される放射線のエネルギーである。質量エネルギー吸収係数は、放射線と各物質との相互作用により定められ、低いエネルギー領域では光電効果、中エネルギー領域ではコンプトン効果、高いエネルギー領域では電子対生成が主に寄与することが知られている。図６において、実線で示す範囲は、質量エネルギー吸収係数に対してコンプトン散乱が主に寄与する領域である。二次電子はコンプトン散乱により発生すると考えられるので、図６において実線で示す領域のエネルギーの放射線を金属板２３に照射すると、二次電子が効率よく放出される。

図６に示すように、金属板２３の材質ごとに二次電子が効率よく放出されるエネルギー領域は異なる。したがって、用いられる放射線源１３の管電圧に応じて、金属板２３の材質を選択することが望ましい。なお、放射線源１３の管電圧は、検査対象物１８の材質及び厚みに応じて設定することが望ましい。金属板２３から二次電子が効率よく放出されるエネルギー領域を抽出するためのフィルタを、放射線源１３と放射線画像撮影装置１６との間に設けてもよい。

また、金属板２３の内部で発生した二次電子はエネルギーが小さく、脱出距離が数～数十ｎｍと短いので、脱出距離よりも深い箇所で発生した二次電子は、金属板２３から放出されず、金属板２３自身に吸収され、シンチレータ２２に到達することができない。したがって、金属板２３の厚みは、二次電子の脱出距離程度であることが望ましい。なお、脱出距離とは、二次電子がエネルギーを損失しないで固体表面から脱出する平均距離である。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、金属板２３から放出される二次電子によってシンチレータ２２の感度を向上させることができるので、鮮明な画像を得ることができる。

次に、図７Ａ～Ｄを参照して、本実施形態に係る金属板２３のフィルタ作用について説明する。図７Ａ～Ｄについて、縦軸は放射線の相対的な強さであり、横軸は放射線のエネルギーである。金属板２３は、図６に示すように、主に低いエネルギー領域において吸収率が高いので、上述した増感作用の他に、低いエネルギー領域の放射線がシンチレータ２２に到達することを抑制するフィルタとしても作用する。非破壊検査において、低いエネルギー領域の放射線は、ノイズとして画像に影響を与える。そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、金属板２３で低いエネルギー領域の放射線を吸収することで、鮮明な画像を得る。

図７Ａに示すように、放射線源１３から発せられる放射線のエネルギー分布は、低いエネルギー領域ほど大きいので、鮮明な画像を得るために、低いエネルギー領域を遮断するフィルタを用いる。フィルタは、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、ロジウム等で構成される、放射線画像撮影装置で通常用いられるフィルタである。図７Ｂに示すように、フィルタを通過した放射線のエネルギー分布は、低いエネルギー領域が遮断されている。

図７Ｃに示すように、検査対象物１８を通過した放射線のエネルギー分布は、検査対象物１８から発生する散乱線の影響により、低いエネルギー領域で強さが増加している。図７Ｄに示すように、金属板２３が低いエネルギー領域の放射線を吸収することで、金属板２３を通過した放射線のエネルギー分布は、低いエネルギー領域が遮断された分布となる。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、金属板２３が検査対象物１８から発生する散乱線を遮断することで、低いエネルギー領域の放射線がシンチレータ２２に到達することを抑制することができるので、鮮明な画像を得ることができる。

次に、図８を参照して、本実施形態に係る金属板２３の粗面化処理について説明する。図８に示すように、金属板２３は、シンチレータ２２と接する面が画素３２の各々の大きさより細かい粗さで粗面化されていてもよい。粗面化は、例えば、ローラ状ブラシを用いた機械的粗面化処理、電解液中で電気分解を行なう電気化学的粗面化処理、薬液中に浸漬する化学的粗面化処理等により実現される。

金属板２３のシンチレータ２２と接する面を、画素３２の各々の大きさより細かい粗さで粗面化することで、画像に影響を与えず、金属板２３とシンチレータ２２との接合力を高めることができる。すなわち、金属板２３とシンチレータ２２とが接する面積が大きくなるので、金属板２３から放出された二次電子を、より多くシンチレータ２２に到達させることができる。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、粗面化処理が施された金属板２３から放出される二次電子によってシンチレータ２２の感度を向上させることができるので、鮮明な画像を得ることができる。

次に、図９を参照して、本実施形態に係る封止部２４について説明する。シンチレータ２２が潮解性を有する場合、シンチレータ２２に対する水分の侵入を抑制することが好ましい。本実施形態においては、金属板２３を直接シンチレータ２２に密着させているので、金属板２３によって、シンチレータ２２を水分から保護することができる。

一方、シンチレータ２２を水分からより保護するために、図９に示すように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６は、金属板２３及びシンチレータ２２を一体的に封止する封止部２４を備えていてもよい。すなわち、封止部２４は、金属板２３の上面及び側面と、シンチレータ２２の側面とを覆っている。封止部２４は、大気中の水分に対してバリア性を有する材料が用いられ、例えば、アクリル樹脂やシリコン樹脂を用いることができる。

通常、シンチレータ２２を水分から保護するために、シンチレータ２２を樹脂で封止することが行われている。しかしながら、例えば、図９において、金属板２３とシンチレータ２２との間に樹脂を積層すると、金属板２３で発生した二次電子をシンチレータに到達させることが困難になる。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、封止部２４が金属板２３及びシンチレータ２２を一体的に封止することで、金属板２３とシンチレータ２２との密着を阻害することなくシンチレータ２２を水分から保護することができる。したがって、金属板２３で発生した二次電子をシンチレータ２２に到達させやすくすることができ、金属板２３から放出される二次電子によってシンチレータ２２の感度を向上させることができる。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、金属板２３及びシンチレータ２２を一体的に封止するので、金属板２３から放出される二次電子によってシンチレータ２２の感度を向上させることができ、鮮明な画像を得ることができる。

次に、図１０を参照して、本実施形態に係る第１の金属含有層の別の態様について説明する。以上説明した金属板２３は、図１０に示すように、金属粒子２３Ａを含む樹脂２３Ｂであってもよい。金属粒子２３Ａは、鉛、銅、タングステン、タンタル、鋼、ステンレス鋼、黄銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銀、金、白金等の金属及び金属化合物により構成される。樹脂２３Ｂは、例えば、アクリル樹脂やシリコン樹脂により構成される。樹脂２３Ｂの厚みは、材質の硬度、金属板２３の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。

樹脂２３Ｂの吸収率は金属の吸収率よりも低いので、金属粒子２３Ａに放射線が照射されて金属粒子２３Ａから放出される二次電子の多くは、樹脂２３Ｂに吸収されず、シンチレータ２２に到達することができる。したがって、金属板２３を用いる場合と比較し、二次電子による増感作用を高めることができる。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、樹脂２３Ｂが含む金属粒子２３Ａから放出される二次電子によってシンチレータ２２の感度を向上させることができるので、鮮明な画像を得ることができる。

次に、図１１を参照して、本実施形態に係る第２の金属含有層４０の構成について説明する。図１１に示すように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６は、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０側の面と接して設けられ、金属を含む第２の金属含有層４０をさらに備えていてもよい。なお、第２の金属含有層４０は、放射線画像撮影装置１６の筐体２１の内部に設けられるものであってもよいし、筐体２１の外部に設けられるものであってもよい。また、第２の金属含有層４０は、放射線検出器２０と同様に可撓性を有するものであってもよいし、可撓性を有しなくてもよい。

第２の金属含有層４０は、第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４及び第３のフィルタ４６を備える。第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４及び第３のフィルタ４６は、放射線の入射側から第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４、第３のフィルタ４６の順番で配置される。また、第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４及び第３のフィルタ４６は、ＴＦＴ基板３０が備える画素３２が設けられる画素領域Ｌをすべて覆うように配置される。

本実施形態に係る第１のフィルタ４２を構成する第１の金属は、例えば、マグネシウム及びリチウム等の軽金属及び金属化合物を含む。また、本実施形態に係る第２のフィルタ４４を構成する第２の金属は、例えば、鉄及び銅等の、第１の金属よりも比重が大きい金属及び金属化合物を含む。また、本実施形態に係る第３のフィルタ４６を構成する第３の金属は、例えば、鉛等の、第２の金属よりも比重が大きい金属及び金属化合物を含む。第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４及び第３のフィルタ４６のそれぞれの厚みは、詳細を後述する放射線の吸収率に応じて、所望の吸収率が得られる厚みであればよい。

次に、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して、本実施形態に係る第２の金属含有層４０の作用について説明する。図１２Ａに示すように、検査対象物１８に照射された放射線のうち、特に高いエネルギー領域の放射線は、シンチレータ２２及びＴＦＴ基板３０を通過してしまう。ＴＦＴ基板３０を通過した放射線は、放射線画像撮影装置１６の外部にある障害物１９に到達する。障害物１９は、例えば、検査対象物１８の周辺にある構造物や、図３に示すように放射線画像撮影装置１６を検査対象物１８に巻きつけた場合に、放射線画像撮影装置１６の端部同士が重なった部分の後方の放射線画像撮影装置１６等である。放射線が障害物１９に照射されると、障害物１９から後方散乱線が生じ、後方散乱線によってシンチレータ２２が発光する場合がある。その場合、画像が後方散乱線の影響で不鮮明になってしまう。そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、第２の金属含有層４０によって後方散乱線を抑制することで、鮮明な画像を得る。

図６に一例を示すように、質量エネルギー吸収係数は、金属の比重が大きいほど大きくなる。したがって、図１２Ｂに示すように、放射線の入射側から金属の比重が小さい順に複数のフィルタを設けることで、放射線が障害物１９に到達する前に、放射線を効率よく吸収することができる。また、放射線の入射側から金属の比重が小さい順に複数のフィルタを設けることで、前段のフィルタにおいて光電効果やコンプトン効果により発生した特性Ｘ線を、後段のフィルタが吸収することができる。また、特に高いエネルギー領域において、放射線が複数のフィルタを通過して障害物１９に到達しても、障害物１９で発生した後方散乱線を、複数のフィルタが吸収することができる。

なお、第１のフィルタ４２は、例えば、アクリル樹脂やシリコン樹脂等の樹脂フィルムにより構成されていてもよい。樹脂フィルムによっても、第１の金属と同様の機能を発揮することができる。

なお、第２の金属含有層４０が備えるフィルタの数及び種類は、第１のフィルタ４２、第２のフィルタ４４及び第３のフィルタ４６の３種類に限定されるものではない。放射線画像撮影装置１６に照射される放射線のエネルギーに応じて、１又は複数のフィルタを備えていればよい。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１６によれば、第２の金属含有層４０によって後方散乱線を抑制することができるので、鮮明な画像を得ることができる。

また、上記実施形態では、放射線検出器２０に、シンチレータ２２側から放射線が照射されるＰＳＳ方式の放射線検出器を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、放射線検出器２０に、ＴＦＴ基板３０側から放射線が照射されるＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式の放射線検出器を適用する形態としてもよい。

なお、２０１９年４月２４日に出願された日本国特許出願２０１９－０８３２５７の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。また、本明細書に記載された全ての文献、特許出願および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (5)

1. 金属を含む第１の金属含有層と、
   前記第１の金属含有層と接して設けられたシンチレータと、
   前記シンチレータから発せられる光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、
   を備え、
   前記第１の金属含有層、前記シンチレータ及び前記センサ基板が積層された積層体は、可撓性を有し、
   前記第１の金属含有層は、前記シンチレータと接する面が前記複数の画素の各々の大きさより細かい粗さで粗面化されている
   放射線画像撮影装置。
2. 金属を含む第１の金属含有層と、
   前記第１の金属含有層と接して設けられたシンチレータと、
   前記シンチレータから発せられる光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、
   を備え、
   前記第１の金属含有層、前記シンチレータ及び前記センサ基板が積層された積層体は、可撓性を有し、
   前記積層体の前記センサ基板側の面と接して設けられ、金属を含む第２の金属含有層をさらに備え、
   前記第２の金属含有層は、
   前記積層体の前記センサ基板側の面と接して設けられた樹脂フィルムと、
   前記樹脂フィルムと接して設けられ、第２の金属で構成される第２のフィルタと、
   前記第２のフィルタと接して設けられ、前記第２の金属よりも比重が大きい第３の金属で構成される第３のフィルタと、
   を備える放射線画像撮影装置。
3. 前記第１の金属含有層は、金属板である
   請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 前記第１の金属含有層は、金属の粒子が含まれる樹脂である
   請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
5. 前記第１の金属含有層及び前記シンチレータを一体的に封止する封止部を備える
   請求項１から請求項４の何れか１項に記載の放射線画像撮影装置。
   

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