JP2014529728A - 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 - Google Patents
電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014529728A JP2014529728A JP2014523408A JP2014523408A JP2014529728A JP 2014529728 A JP2014529728 A JP 2014529728A JP 2014523408 A JP2014523408 A JP 2014523408A JP 2014523408 A JP2014523408 A JP 2014523408A JP 2014529728 A JP2014529728 A JP 2014529728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- organic
- ionizing radiation
- organic semiconductor
- detector according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 155
- CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 4-cyanophenol Chemical group OC1=CC=C(C#N)C=C1 CVNOWLNNPYYEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 95
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 79
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 50
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 37
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 30
- -1 poly (paraphenylene-vinylene) Polymers 0.000 claims description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 17
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 15
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 11
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 claims description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M alizarin red S Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(S([O-])(=O)=O)C(O)=C2O HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitro-1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CEQFOVLGLXCDCX-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-(dimethylamino)phenyl]diazenyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1C(O)=O CEQFOVLGLXCDCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003998 acyclic ketones Chemical class 0.000 claims description 3
- OENHQHLEOONYIE-UKMVMLAPSA-N all-trans beta-carotene Natural products CC=1CCCC(C)(C)C=1/C=C/C(/C)=C/C=C/C(/C)=C/C=C/C=C(C)C=CC=C(C)C=CC1=C(C)CCCC1(C)C OENHQHLEOONYIE-UKMVMLAPSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 3
- FDFGHPKPHFUHBP-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=C(C=CC=C3)C3=C(C(O)=O)C2=C1 FDFGHPKPHFUHBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011648 beta-carotene Substances 0.000 claims description 3
- TUPZEYHYWIEDIH-WAIFQNFQSA-N beta-carotene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/C1=C(C)CCCC1(C)C)C=CC=C(/C)C=CC2=CCCCC2(C)C TUPZEYHYWIEDIH-WAIFQNFQSA-N 0.000 claims description 3
- 235000013734 beta-carotene Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960002747 betacarotene Drugs 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 claims description 3
- KTHXBEHDVMTNOH-UHFFFAOYSA-N cyclobutanol Chemical compound OC1CCC1 KTHXBEHDVMTNOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- OENHQHLEOONYIE-JLTXGRSLSA-N β-Carotene Chemical compound CC=1CCCC(C)(C)C=1\C=C\C(\C)=C\C=C\C(\C)=C\C=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C OENHQHLEOONYIE-JLTXGRSLSA-N 0.000 claims description 3
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 claims description 2
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical compound OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L dipotassium;[(2r,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl] phosphate Chemical compound [K+].[K+].OC[C@H]1O[C@H](OP([O-])([O-])=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O KCIDZIIHRGYJAE-YGFYJFDDSA-L 0.000 claims description 2
- 150000002290 germanium Chemical class 0.000 claims description 2
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 claims description 2
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 22291-04-9 Chemical compound C1=CC(C(N(CCN(C)C)C2=O)=O)=C3C2=CC=C2C(=O)N(CCN(C)C)C(=O)C1=C32 HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 12
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 12
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 10
- 239000003570 air Substances 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 101150049580 Esam gene Proteins 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000034408 response to ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSJVWZAETSBXKU-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxypropane Chemical compound CCOC(C)C XSJVWZAETSBXKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052695 Americium Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052685 Curium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052766 Lawrencium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052764 Mendelevium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100208721 Mus musculus Usp5 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052781 Neptunium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009118 appropriate response Effects 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000376 autoradiography Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- CEQFOVLGLXCDCX-WUKNDPDISA-N methyl red Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1C(O)=O CEQFOVLGLXCDCX-WUKNDPDISA-N 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000020588 necrotizing soft tissue infection Diseases 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001959 radiotherapy Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002603 single-photon emission computed tomography Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Abstract
Description
電離放射線検出器は、数種類存在する。
そのため、電離放射線の直接検出器を開発できれば都合がよい。
本明細書における全ての引例、具体的には特許および非特許文献のいずれも、その全体が本明細書中に援用される。
以下の図を参照しつつ、本発明を説明する。
さらなる利点は極めて低い暗電流であり、これは図12において証明される。
基板上での有機半導体の成長には、多くの異なる周知の方法が採用可能である。
a.有機半導体の溶液を基板上に載置させる工程、
b.前記溶液を蒸発させる工程、および
c.得られた前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程。
a.有機半導体の溶液をパターン基板上に載置させる工程、および
b.前記溶液を蒸発させる工程。
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程、
b.前記溶液を蒸発させる工程、
c.前記有機半導体を基板上に載置させる工程、および
d.前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程。
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程、
b.前記溶液を蒸発させる工程、
c.前記有機半導体をパターン基板上に載置すする工程。
好ましくは、前記蒸発は、制御された圧力および温度において実行されてもよい。
有機電極を用いることで、製造方法がより容易でより安価となる、というさらなる効果が予見される。
好ましい実施形態において、前記有機半導体は単結晶である。別の好ましい実施形態において、前記有機半導体は多結晶である。
ここで報告される全ての電気的測定は、空気中、室温および環境光の下で、Keithley Source-Meters2400およびElectrometers6175Aを用いて行われた。4HCB上のオーム接点は、銀を成分とするエポキシ(Epo−Tek E415G)を用いて、またはPDMSスタンプ印刷法によるPEDOT:PSSで作成された。
全ての測定は、室温で開放環境において行われた。我々は、24〜170mGy/sの間で安定したX線線量率を誘起するために、5mA〜35mAの間の電流で35kVにおいて作動される、Mo陽極を有するX線管を使用した。
調製において、約40mgの4HCBを、約10mlのエチルエーテルに溶解した。
得られた溶液を、濾過し、導電トレースを有するパターン基板が底に配置されたビーカに注入する。その後、前記ビーカを適切な蓋で閉じて、前記閉蓋されたビーカを、6℃にサーモスタットで調温した部屋に置く。48時間後に前記溶媒は完全に蒸発し、前記基板は4HCBの結晶によって被覆される。
さらなる調製において、約40mgの4HCBを、10mlのエチルエーテル/トルエンの9.5:0.5(v/v)混合溶媒に溶解する。得られた溶液を、実施例1において開示したように処理する。
さらなる調製において、約40mgの4HCBを、10mlのエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンの0.5:0.45:0.05(v/v)混合溶媒に溶解する。得られた溶液を、その後、実施例1において開示したように処理する。
さらなる調製において、室温および環境圧力下で、エーテル(10ml)中の4HCB(40mg)の溶液を、マイクロピペットによって、導電トレースのパターンが形成された基板上に載置した。前記基板に予め画定された導電性パターンに既に電気的に接続されている、得られた多結晶を、有効なデバイスを形成するために用いる。
NTIの結晶の作成のために、購入したままの状態の20mgのNTI粉末(Aldrich)を30mlのCHCI3に溶解した。前記溶液を250mLのビーカに入れて、前記ビーカを適切な蓋で被覆し、48時間フードの下側に置いた。その間に前記溶媒は完全に蒸発した。その後、へらを用いて針状の前記結晶を前記ビーカの底から取り出した。
典型的な調製により、予め精製された(A. Fraleoni-Morgeraら、J.Crystal Growth 2010, 312, 3466)4HCB結晶(30mg)を、250mlのビーカ中において10mlのエチルエーテル(高純度)に溶解した。前記ビーカはアルミニウム箔で被覆され、6℃の、通気孔が形成された冷蔵庫に入れられ、低速度での溶媒の蒸発を行い、前記蒸発は48時間以内に完了した。このように得られた単結晶は、へらを用いて慎重に前記ビーカの底から取り出され、回収された。
図2に示される前記セットアップで搭載された4HCB単結晶を基礎とする検出器の応答を測定した。
4HCB単結晶を石英基板に載置し、これらを、X線ビーム(図2のbにおけるように)からシールドされるように適切に遮蔽される金属電極と接触させ、35kVのX線線量を照射した。これらの条件において、2つの平面軸a、bに沿って測定したバルク電流(IOFF)はほぼ同じであった。そのため、以下の記載において我々は、軸a、bを区別することなく「垂直」軸および「平面」軸のみとして参照する。
前記有機半導体4HCBに基づくX線のイントリンジックな直接検出器のレイアウトを、図6aにおいて示す。図6eは、平面軸および垂直軸に対する、正規化された光電流に関するX線照射の効果、すなわち(ION−IOFF)/IOFFを示す。
前記有機半導体NTIを基礎とする、X線のイントリンジックな直接検出器のレイアウトを図6bに示す。図6cにおいて、NTI単結晶のX線照射に対する応答が示され、ヒステリシスを確認できないことが明らかである。
図8において、X線誘導電流変動ΔΙ=(ION−IOFF)(図8a,8b)および、正規化されたX線誘導光電流ΔΙ/IOFF(図8c、8d)が、4HCB結晶の平面軸および垂直軸に対して、それぞれ低〜高線量率および異なるバイアスにおいて報告される。正規化されたX線誘導光電流は、前記結晶の異方性応答を表わす。報告されたデータを、PEDOT:PSS電極を有しPDMS基板上に作成された全有機デバイスについて得た。図8において、有機電極を有し有機基板上に作製された4HCB単結晶を基礎とする別のデバイスの応答が、種々の作動バイアスについて報告される。図8のデータと比較して分かるように、前記デバイスは良好に再現可能な異方性応答を有する。4HCB結晶がなく有機電極のみにX線照射されて得られた曲線(黒点)は、金属接点とは異なり、有機導電性接点が、いかなる関連信号も導かないことを示す。一般に、全有機デバイス構造が、電離放射線の検出器の設計の自由度を増す。
X線を受ける4HCB結晶の耐放射性を評価するために、実施例1および2に従って調整され、同等の電気輸送特性を有する10個の結晶を、2.1kGyの累積的な線量にさらした。そして、オン/オフ切替えされるX線ビーム(線量率170mGy/s)におけるこれら結晶の電気応答を調べた。図9は、垂直軸(図9a)および平面軸(図9b)に沿って、1つの結晶を総累積線量2.1kGyにさらす前後で得られた結果を示す。ここで、垂直軸および平面軸に沿ったバルク電流IOFFはほぼ等しい。これは、接点の大きさおよび接点間の距離の違いに起因し、この違いは、垂直軸で約200μm(結晶の厚さ)であり、平面軸で約700μmである。
本実施例では、0.4μGy/sの平均線量を供給する241Am源(5.4MeV、3kBq)からのアルファ粒子に対する、前述のように成長した4HCB結晶の応答を示す。
高放射線量環境で使用されるX線検出器としてのデバイスの信頼性を評価するために、4HCB結晶を10mGyの累積的な線量までアルファ放射線にさらした後、オン/オフ切替えされるX線ビーム(35kVおよび35mA)の下で試験を行った。これらの応答(図11(実線))が、アルファ線照射はX線検出の再現性および信頼性にほとんど影響を与えないことを示す。さらに、同一の結晶(既に、アルファ粒子を照射した結晶)を、2.1kGyのX線の累積的な線量をさらにさらした場合、この結晶は検出器として依然として良好に機能する(点線)。依然として良好に機能する構成は従来技術と比較して極めて有利である。なぜなら、この構成はいかなる放射線検出器においても一般に利点だからである。この特性は、「耐放射性」として定義され、この検出器が強放射線環境下で長時間作動可能であることを示す。我々がX線(図4)のみ照射された結晶で観察したように、仮にバルク電流が減少する場合であっても、ΔΙ=ION−IOFFは一貫して同一である。この挙動は、オン/オフ動作の繰返しサイクルについて確認されており、4HCB結晶を膨大な累積量のアルファ粒子およびX線(つまり、高電離性環境)にさらした後でさえも、いかに確実にX線を検出できるかを評価する。
〔態様1〕
イントリンジックな直接検出器として有機半導体を備えた、電離放射線の検出器。
〔態様2〕
態様1に記載の検出器において、前記電離放射線が、X線、ガンマ線、中性子、荷電粒子(特に、アルファ線、電子、陽電子)からなる群から選択される、検出器。
〔態様3〕
態様1または2に記載の検出器において、信号処理回路が、複数の電極によって前記イントリンジックな直接検出器に接続される、検出器。
〔態様4〕
態様3に記載の検出器において、前記電極のうちの少なくとも1つが有機電極である、検出器。
〔態様5〕
態様4に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、導電性ポリマ混合物、導電性ポリマ、ドープされた半導体ポリマおよび/もしくはドープされた半導体分子、カーボンナノチューブ、フラーレンおよび/もしくはフラーレン誘導体、グラファイト、グラフェンおよび/もしくはグラフェン誘導体、ならびに有機導電電荷移動塩類からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
〔態様6〕
態様5に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、PEDOT:PSS、ポリアニリン、ポリ(パラフェニレン−ビニレン)のドープ誘導体、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)のドープ誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、グラフェンおよびグラフェン酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
〔態様7〕
態様4から6のいずれか一態様に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。
〔態様8〕
態様3に記載の検出器において、前記少なくとも1つの電極が、金属および/または半金属および/または無機材料を含む極薄の層である、検出器。
〔態様9〕
態様8に記載の検出器において、前記少なくとも1つの極薄の電極が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、ドープされたシリコン、インジウムすず酸化物、フッ素すず酸化物、アルミニウム−亜鉛酸化物およびチタン−インジウム酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
〔態様10〕
態様8または9に記載の検出器において、前記少なくとも1つの金属および/または半金属および/または無機の電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。
〔態様11〕
態様1から10のいずれか一態様に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が可撓性を有する、検出器。
〔態様12〕
態様1から11のいずれか一態様に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が光学的に透明である、検出器。
〔態様13〕
態様1から12のいずれか一態様に記載の検出器において、前記有機半導体が、オルト二置換ベンゼン、メタ二置換ベンゼン、パラ二置換ベンゼン、縮合芳香族炭化水素類、アゾベンゼン類、共役非環状分子、ホウ素含有分子、リン含有分子、シリコン含有分子およびゲルマニウム含有分子からなる群から選択される、検出器。
〔態様14〕
態様13に記載の検出において、前記有機半導体が、4−ヒドロキシシアノベンゼン、1,8−ナフタレンジイミド、2,4−ジニトロナフタレン−1−オル、9,10−アントラセンジカルボン酸、3,4−ジヒドロキシ−9,10−ジオキソ−2−アントラセンスルホン酸ナトリウム塩、アゾベンゼン、2−(4−ジメチルアミノフェニルアゾ)安息香酸、β−カロチン、ベンゾ[b]チエニ−2イルボロン酸、および二カリウムトリス(1,2−ベンゼンジオラト−0,0’)ゲルマニウム塩からなる群から選択される、検出器。
〔態様15〕
態様1から14のいずれか一態様に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機単結晶である、検出器。
〔態様16〕
態様15に記載の検出器において、前記有機単結晶が4−ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。
〔態様17〕
態様15または16に記載の検出器において、前記結晶上に複数の電極が配置され、前記結晶は、さらされる電離放射線に対する二次元または三次元の異方性応答の検出を可能にする幾何学的なレイアウトを有する、検出器。
〔態様18〕
態様17に記載の検出器において、前記有機単結晶が1,8−ナフタレンジイミドからなる、検出器。
〔態様19〕
態様1から14のいずれか一態様に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機多結晶である、検出器。
〔態様20〕
態様19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、4−ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。
〔態様21〕
態様19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、1,8−ナフタレンジイミドからなる、検出器。
〔態様22〕
態様1から21のいずれか一態様に記載の検出器において、同一または異なる複数の有機半導体が、単一の基板上に集積化される、検出器。
〔態様23〕
態様1から22のいずれか一態様に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体の溶液を基板上に載置する工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.結果として生じる有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。
〔態様24〕
態様1から23のいずれか一態様に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体の溶液をパターン基板上に載置する工程と、
b.前記溶液を蒸発する工程とを備えた、製造方法。
〔態様25〕
態様23または24に記載の製造方法において、前記工程a)における前記溶液の載置は、インクジェット印刷法、ドロップキャスティング法、スプレー塗布法、パッド印刷法、エレクトロスプレー法、ドクターブレード法およびディップコーティング法からなる群から選択される方法で行われる、製造方法。
〔態様26〕
態様1から25のいずれか一態様に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.結果として生じる有機半導体を基板上に載置する工程と、
d.前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。
〔態様27〕
態様1から26のいずれか一態様に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.前記有機半導体をパターン基板上に載置する工程とを備えた、製造方法。
〔態様28〕
態様23から27のいずれか一態様に記載の製造方法において、前記溶液に用いられる前記溶媒が、非環状エーテル類、環状エーテル類、非環状脂肪族炭化水素類、環状脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、非環状アルコール類、環状アルコール類、非環状ケトン類、環状ケトン類、カルボン酸、無水物、ニトリル類、ハロゲン化溶媒、および水からなる群から選択される、製造方法。
〔態様29〕
態様28に記載の製造方法において、前記溶媒が、エチルエーテル、メチルエチルエーテル、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、石油エーテル、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、トルエン、エチルベンゼン、エタノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロブタノール、アセトン、シクロヘキサノン、酢酸、ギ酸、無水酢酸、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレンおよび水からなる群から選択される、製造方法。
〔態様30〕
態様28または29に記載の製造方法において、2つ以上の溶媒の混合物が用いられる、製造方法。
〔態様31〕
態様30に記載の製造方法において、前記混合物が、エチルエーテル:石油エーテル、エチルエーテル:トルエン、およびエチルエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンからなる群から選択される、製造方法。
〔態様32〕
態様23〜31のいずれか一態様に記載の製造方法において、前記溶液を蒸発させる前記工程において、温度および/または圧力が制御される、製造方法。
〔態様33〕
態様23または27に記載の製造方法において、前記有機半導体が既に存在する電極に対応して載置されるのを可能にする化学的または物理的な処理が、前記パターン基板に対して予め施される、製造方法。
〔態様34〕
態様33に記載の方法において、前記処理が、真空、ガス、真空下での紫外線処理、ガス存在下での紫外線処理、機械的摩耗、研磨、酸による化学的エッチング、塩基による化学的エッチング、および自己組織化単分子層の堆積からなる群から選択される、製造方法。
〔態様35〕
電離放射線のイントリンジックな直接検出器を製造するのに有機半導体を使用する方法。
〔態様36〕
態様1から22のいずれか一態様に記載の検出器が設けられた機器または装置。
〔態様37〕
態様36に記載の機器または装置であって、放射線装置である機器または装置。
〔態様38〕
態様36または37に記載の機器または装置であって、医学分野、(特に歯科医学および医学用画像処理;)民間分野、(特に空港および国境のセキュリティ・チェック;)分析技術、殺菌装置および工業品質管理において用いられる、機器または装置。
Claims (38)
- イントリンジックな直接検出器として有機半導体を備えた、電離放射線の検出器。
- 請求項1に記載の検出器において、前記電離放射線が、X線、ガンマ線、中性子、荷電粒子(特に、アルファ線、電子、陽電子)からなる群から選択される、検出器。
- 請求項1または2に記載の検出器において、信号処理回路が、複数の電極によって前記イントリンジックな直接検出器に接続される、検出器。
- 請求項3に記載の検出器において、前記電極のうちの少なくとも1つが有機電極である、検出器。
- 請求項4に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、導電性ポリマ混合物、導電性ポリマ、ドープされた半導体ポリマおよび/もしくはドープされた半導体分子、カーボンナノチューブ、フラーレンおよび/もしくはフラーレン誘導体、グラファイト、グラフェンおよび/もしくはグラフェン誘導体、ならびに有機導電電荷移動塩類からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
- 請求項5に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、PEDOT:PSS、ポリアニリン、ポリ(パラフェニレン−ビニレン)のドープ誘導体、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)のドープ誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、グラフェンおよびグラフェン酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
- 請求項4から6のいずれか一項に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。
- 請求項3に記載の検出器において、前記少なくとも1つの電極が、金属および/または半金属および/または無機材料を含む極薄の層である、検出器。
- 請求項8に記載の検出器において、前記少なくとも1つの極薄の電極が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、ドープされたシリコン、インジウムすず酸化物、フッ素すず酸化物、アルミニウム−亜鉛酸化物およびチタン−インジウム酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。
- 請求項8または9に記載の検出器において、前記少なくとも1つの金属および/または半金属および/または無機の電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が可撓性を有する、検出器。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が光学的に透明である、検出器。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の検出器において、前記有機半導体が、オルト二置換ベンゼン、メタ二置換ベンゼン、パラ二置換ベンゼン、縮合芳香族炭化水素類、アゾベンゼン類、共役非環状分子、ホウ素含有分子、リン含有分子、シリコン含有分子およびゲルマニウム含有分子からなる群から選択される、検出器。
- 請求項13に記載の検出において、前記有機半導体が、4−ヒドロキシシアノベンゼン、1,8−ナフタレンジイミド、2,4−ジニトロナフタレン−1−オル、9,10−アントラセンジカルボン酸、3,4−ジヒドロキシ−9,10−ジオキソ−2−アントラセンスルホン酸ナトリウム塩、アゾベンゼン、2−(4−ジメチルアミノフェニルアゾ)安息香酸、β−カロチン、ベンゾ[b]チエニ−2イルボロン酸、および二カリウムトリス(1,2−ベンゼンジオラト−0,0’)ゲルマニウム塩からなる群から選択される、検出器。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機単結晶である、検出器。
- 請求項15に記載の検出器において、前記有機単結晶が4−ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。
- 請求項15または16に記載の検出器において、前記結晶上に複数の電極が配置され、前記結晶は、さらされる電離放射線に対する二次元または三次元の異方性応答の検出を可能にする幾何学的なレイアウトを有する、検出器。
- 請求項17に記載の検出器において、前記有機単結晶が1,8−ナフタレンジイミドからなる、検出器。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機多結晶である、検出器。
- 請求項19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、4−ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。
- 請求項19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、1,8−ナフタレンジイミドからなる、検出器。
- 請求項1から21のいずれか一項に記載の検出器において、同一または異なる複数の有機半導体が、単一の基板上に集積化される、検出器。
- 請求項1から22のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体の溶液を基板上に載置する工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.結果として生じる有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。 - 請求項1から23のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体の溶液をパターン基板上に載置する工程と、
b.前記溶液を蒸発する工程とを備えた、製造方法。 - 請求項23または24に記載の製造方法において、前記工程a)における前記溶液の載置は、インクジェット印刷法、ドロップキャスティング法、スプレー塗布法、パッド印刷法、エレクトロスプレー法、ドクターブレード法およびディップコーティング法からなる群から選択される方法で行われる、製造方法。
- 請求項1から25のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.結果として生じる有機半導体を基板上に載置する工程と、
d.前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。 - 請求項1から26のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、
a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、
b.前記溶液を蒸発させる工程と、
c.前記有機半導体をパターン基板上に載置する工程とを備えた、製造方法。 - 請求項23から27のいずれか一項に記載の製造方法において、前記溶液に用いられる前記溶媒が、非環状エーテル類、環状エーテル類、非環状脂肪族炭化水素類、環状脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、非環状アルコール類、環状アルコール類、非環状ケトン類、環状ケトン類、カルボン酸、無水物、ニトリル類、ハロゲン化溶媒、および水からなる群から選択される、製造方法。
- 請求項28に記載の製造方法において、前記溶媒が、エチルエーテル、メチルエチルエーテル、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、石油エーテル、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、トルエン、エチルベンゼン、エタノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロブタノール、アセトン、シクロヘキサノン、酢酸、ギ酸、無水酢酸、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレンおよび水からなる群から選択される、製造方法。
- 請求項28または29に記載の製造方法において、2つ以上の溶媒の混合物が用いられる、製造方法。
- 請求項30に記載の製造方法において、前記混合物が、エチルエーテル:石油エーテル、エチルエーテル:トルエン、およびエチルエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンからなる群から選択される、製造方法。
- 請求項23〜31のいずれか一項に記載の製造方法において、前記溶液を蒸発させる前記工程において、温度および/または圧力が制御される、製造方法。
- 請求項23または27に記載の製造方法において、前記有機半導体が既に存在する電極に対応して載置されるのを可能にする化学的または物理的な処理が、前記パターン基板に対して予め施される、製造方法。
- 請求項33に記載の方法において、前記処理が、真空、ガス、真空下での紫外線処理、ガス存在下での紫外線処理、機械的摩耗、研磨、酸による化学的エッチング、塩基による化学的エッチング、および自己組織化単分子層の堆積からなる群から選択される、製造方法。
- 電離放射線のイントリンジックな直接検出器を製造するのに有機半導体を使用する方法。
- 請求項1から22のいずれか一項に記載の検出器が設けられた機器または装置。
- 請求項36に記載の機器または装置であって、放射線装置である機器または装置。
- 請求項36または37に記載の機器または装置であって、医学分野、(特に歯科医学および医学用画像処理;)民間分野、(特に空港および国境のセキュリティ・チェック;)分析技術、殺菌装置および工業品質管理において用いられる、機器または装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014523408A JP2014529728A (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014523408A JP2014529728A (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014529728A true JP2014529728A (ja) | 2014-11-13 |
Family
ID=51932054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014523408A Pending JP2014529728A (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014529728A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018091680A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
JP2018151233A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社東芝 | 放射線測定装置 |
JP2018155642A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及び放射線検出装置 |
JP2019144172A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
US10714699B2 (en) | 2018-09-13 | 2020-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecting element and detector |
US10761222B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection element and detector |
KR20210011271A (ko) * | 2019-07-22 | 2021-02-01 | 한국원자력연구원 | 방사선 흡수 검지용 조성물 및 이를 포함하는 방사선 흡수 검지용 생체 적합성 소재 |
US11037993B2 (en) | 2019-06-17 | 2021-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection device and detector |
US11125895B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection element and detector |
US11557632B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector, radiation irradiation device, and radiation method |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786600A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-31 | Ricoh Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JPH08509550A (ja) * | 1993-04-28 | 1996-10-08 | ユニバーシティ オブ サリー | 放射線検出器 |
JPH0983007A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Shimadzu Corp | 半導体放射線検出素子 |
JP2002162474A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 電磁波検出器およびその製造方法 |
JP2003282854A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Konica Corp | 光センサー素子、光センサー装置及びその駆動方法 |
JP2003344545A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線画像検出器 |
JP2004501367A (ja) * | 2000-06-03 | 2004-01-15 | ザ・ユニバーシティ・オブ・リバプール | 高分子半導体材料を用いた電離放射線検出器 |
JP2004064087A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | General Electric Co <Ge> | 可撓性イメージャ及びデジタル画像形成方法 |
JP2005167260A (ja) * | 1998-02-09 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
WO2005080304A1 (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜 |
JP2006216654A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体膜の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
US7186987B1 (en) * | 2001-05-22 | 2007-03-06 | Sandia National Laboratories | Organic materials and devices for detecting ionizing radiation |
JP2008053265A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Postech Foundation | 表面誘導自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法 |
JP2008065949A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Gunma Prefecture | 情報記録媒体 |
WO2010046904A2 (en) * | 2008-09-11 | 2010-04-29 | Indian Institute Of Technology Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
JP2011503668A (ja) * | 2007-11-20 | 2011-01-27 | イーストマン コダック カンパニー | 集積化カラーマスク |
WO2011052721A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 大日精化工業株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体薄膜および有機薄膜トランジスタ |
-
2011
- 2011-08-02 JP JP2014523408A patent/JP2014529728A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08509550A (ja) * | 1993-04-28 | 1996-10-08 | ユニバーシティ オブ サリー | 放射線検出器 |
JPH0786600A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-31 | Ricoh Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JPH0983007A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Shimadzu Corp | 半導体放射線検出素子 |
JP2005167260A (ja) * | 1998-02-09 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
JP2004501367A (ja) * | 2000-06-03 | 2004-01-15 | ザ・ユニバーシティ・オブ・リバプール | 高分子半導体材料を用いた電離放射線検出器 |
JP2002162474A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 電磁波検出器およびその製造方法 |
US7186987B1 (en) * | 2001-05-22 | 2007-03-06 | Sandia National Laboratories | Organic materials and devices for detecting ionizing radiation |
JP2003282854A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Konica Corp | 光センサー素子、光センサー装置及びその駆動方法 |
JP2003344545A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線画像検出器 |
JP2004064087A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | General Electric Co <Ge> | 可撓性イメージャ及びデジタル画像形成方法 |
WO2005080304A1 (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜 |
JP2006216654A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体膜の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008053265A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Postech Foundation | 表面誘導自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法 |
JP2008065949A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Gunma Prefecture | 情報記録媒体 |
JP2011503668A (ja) * | 2007-11-20 | 2011-01-27 | イーストマン コダック カンパニー | 集積化カラーマスク |
WO2010046904A2 (en) * | 2008-09-11 | 2010-04-29 | Indian Institute Of Technology Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
WO2011052721A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 大日精化工業株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体薄膜および有機薄膜トランジスタ |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018091680A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
US10522773B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-12-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector |
JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
JP2018151233A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社東芝 | 放射線測定装置 |
JP2018155642A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及び放射線検出装置 |
US10408953B1 (en) | 2018-02-22 | 2019-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector |
JP2019144172A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
US10761222B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection element and detector |
US11125895B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection element and detector |
US10714699B2 (en) | 2018-09-13 | 2020-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecting element and detector |
US11037993B2 (en) | 2019-06-17 | 2021-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detection device and detector |
KR20210011271A (ko) * | 2019-07-22 | 2021-02-01 | 한국원자력연구원 | 방사선 흡수 검지용 조성물 및 이를 포함하는 방사선 흡수 검지용 생체 적합성 소재 |
KR102320403B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2021-11-03 | 한국원자력연구원 | 방사선 흡수 검지용 조성물 및 이를 포함하는 방사선 흡수 검지용 생체 적합성 소재 |
US11557632B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector, radiation irradiation device, and radiation method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014529728A (ja) | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 | |
Liu et al. | Flexible, printable soft‐X‐ray detectors based on all‐inorganic perovskite quantum dots | |
EP2739992B1 (en) | Direct detectors for ionizing radiations, and methods for producing such detectors | |
Thirimanne et al. | High sensitivity organic inorganic hybrid X-ray detectors with direct transduction and broadband response | |
Xu et al. | High-performance surface barrier X-ray detector based on methylammonium lead tribromide single crystals | |
Li et al. | Sensitive and stable 2D perovskite single‐crystal X‐ray detectors enabled by a supramolecular anchor | |
Xu et al. | CsPbBr3 single crystal X-ray detector with Schottky barrier for X-ray imaging application | |
Cao et al. | Preparation of lead-free two-dimensional-layered (C8H17NH3) 2SnBr4 perovskite scintillators and their application in X-ray imaging | |
Ciavatti et al. | Towards Low-Voltage and Bendable X-ray Direct Detectors Based on Organic Semiconducting Single Crystals | |
Büchele et al. | X-ray imaging with scintillator-sensitized hybrid organic photodetectors | |
CN110168408B (zh) | 直接转换辐射检测器 | |
Xu et al. | Bulk organic–inorganic methylammonium lead halide perovskite single crystals for indirect gamma ray detection | |
Tsai et al. | Quasi‐2D Perovskite Crystalline Layers for Printable Direct Conversion X‐Ray Imaging | |
Chen et al. | Organic photoelectric materials for X-ray and gamma ray detection: mechanism, material preparation and application | |
Qiu et al. | Polymer composites entrapped Ce-doped LiYF4 microcrystals for high-sensitivity X-ray scintillation and imaging | |
Li et al. | Are inorganic lead halide perovskite nanocrystals promising scintillators? | |
Xiang et al. | X-ray Sensitive hybrid organic photodetectors with embedded CsPbBr3 perovskite quantum dots | |
Chaudhari et al. | A review on BiI3 perovskites and composites for direct X-ray detection | |
Posar et al. | A review of printable, flexible and tissue equivalent materials for ionizing radiation detection | |
Tie et al. | Antisolvent-assisted synthesis of bismuth halide perovskite polycrystal alloys for sensitive X-ray detection | |
Butanovs et al. | Nuclear instruments and methods in physics research section a: accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment | |
Mao et al. | Stable and printable direct x-ray detectors based on micropyramid ω-Bi 2 O 3 with low detection limit | |
Possanzini et al. | Fully Textile X‐Ray Detectors Based on Fabric‐Embedded Perovskite Crystals | |
Li et al. | Radiation detection technologies enabled by halide perovskite single crystals | |
Butanovs et al. | Nanoscale X-ray detectors based on individual CdS, SnO2 and ZnO nanowires |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160415 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160920 |