JP2018155642A - 放射線検出器及び放射線検出装置 - Google Patents

放射線検出器及び放射線検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018155642A
JP2018155642A JP2017053458A JP2017053458A JP2018155642A JP 2018155642 A JP2018155642 A JP 2018155642A JP 2017053458 A JP2017053458 A JP 2017053458A JP 2017053458 A JP2017053458 A JP 2017053458A JP 2018155642 A JP2018155642 A JP 2018155642A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
radiation detector
photoelectric conversion
detector according
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017053458A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6842327B2 (ja
Inventor
光吉 小林
Mitsuyoshi Kobayashi
光吉 小林
怜美 田口
Satomi Taguchi
怜美 田口
勲 高須
Isao Takasu
勲 高須
励 長谷川
Tsutomu Hasegawa
励 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2017053458A priority Critical patent/JP6842327B2/ja
Publication of JP2018155642A publication Critical patent/JP2018155642A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6842327B2 publication Critical patent/JP6842327B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】本発明が解決しようとする課題は、信号量の増加を抑制し、かつ高周波ノイズの小さい高感度な放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】上記の課題を達成するために、実施形態に係る放射線検出器10は、第1方向に複数配置され、放射線を電気信号として光電変換する光電変換層4と、光電変換層4間に配置される導入体と、を具備し、導入体2は、放射線を導入する部分を有し、この導入体2の導入する部分と、前記第1方向に垂直な第2方向を含む面と、の間の鋭角が60°以下である。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及び放射線検出装置に関する。
光電変換層で変換された電荷を検出する光検出器が知られている。例えば、一対の電極層の間に光電変換層を配置し、光電変換層で変換された電荷を、電極を介して読出す構成が知られている。以下では、この構成単位を検出素子と呼称する。検出器の入射面を大きくするため、検出素子をアレイ状に敷き詰める構成が開示されている。信号量を増やさずにより大きな面積の検出器を実現するためには、検出素子面積を大きくする必要があるが、検出素子面積が大きくなると読み出し回路において高周波ノイズが増幅されやすくなり、信号に対するノイズ比が悪化するという問題があった。このため、従来技術ではノイズ量を抑えつつ検出面を大きくする事は困難であった。
特開2014−056067号公報 特許第5750394号公報
本発明の実施形態は、信号量の増加を抑制し、かつ高周波ノイズの小さい高感度な放射線検出器を提供する。
本発明の実施形態によれば放射線検出器は、第1方向に複数配置され、放射線を電気信号として光電変換する光電変換層と、光電変換層間に配置される導入体と、を具備し、導入体は、前記放射線を導入する部分を有し、この導入体の導入する部分と、第1方向に垂直な第2方向を含む面と、の間の鋭角が60°以下である。
図1は、第1の実施形態に係る放射線検出器を示す模式図である。 図2は、図1のp−p´を第1方向に沿って切断した断面図である。 図3は、放射線が、導入体2によって導入される導入経路である。 図4は、放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。 図5は、放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。 図6は、各検出素子1の受光面の形状である。 図7は、第2の実施形態に係る放射線検出器10のp−p´を第1方向に沿って切断した断面図である。 図8は、検出装置の一例を表す模式図である。
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは、互いに対応するものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態に係る放射線検出器10である。
図1に示すように、本実施形態に係る放射線検出器10は、半導体検出素子1が所定の間隔を隔てて複数、2次元配置される。
半導体検出素子1は、第1の電極層5と、光電変換層4と、第2の電極層8と、基板3と、を含む。本実施の形態では、光電変換素子4は、第1の電極層5と第2の電極層8との間に配置されている。検出素子1は、基板3の受光面において正方形をしており、アレイ状に二次元配列している。受光面とは、放射線の入射方向に対してほぼ垂直な平面である。導入体2は、第1方向における検出素子1間に設けられている。
光電変換層4は放射線(例えば、β線)のエネルギーを電荷(電気信号ともいう)に変換する。光電変換層4は、例えば、アモルファスシリコンなどの無機材料や、CIGS(銅、インジウム、ガリウム、セレンの化合物)や、有機材料などを主成分とする。主成分とする、とは、70%以上の含有率であること示す。また、光電変換層4として、パンクロ感光性の有機光電変換膜を用いてもよい。光電変換層4に有機光電変換膜を用いると、放射線検出器を自在に曲げることができる。
光電変換層4の構成材料は、上記に限定されない。なお、光電変換層4は、波長選択性を有していてもよい。波長選択性とは、光電変換対象の波長領域以外の波長の光を透過させることを示す。この場合、例えば、光電変換層4は、キナクリドンや、サブフタロシアニン等を含む構成としてもよい。なお、光電変換層4は、有機材料を主成分とすることが好ましい。
有機材料を主成分とする光電変換層4を用いると、有機材料を主成分としない場合に比べて、光電変換層4の抵抗率を高くすることが出来る。光電変換層4の抵抗率が高いほど、光電変換層4で発生した電荷が、光電変換層4における、他の検出素子1からの電荷が各検出素子1に混入することを抑制することができる。
また、光電変換層4は、ナノ粒子を含むことが好ましい。光電変換層4にナノ粒子を含むことにより、粒子密度や粒子径等の変化により入射した放射線の屈折率を部分々で制御することができる。そのため、放射線から検出素子1が取り出せるエネルギーを増やすことができる。ナノ粒子の材料は、例えば、酸化チタンである。
光電変換層4の厚みは限定されない。厚みとは、第1方向に交差する第2方向に一致する。なお、交差するとは、ほぼ直交していること意味する。光電変換層4の各々の厚みは、例えば、1nm以上1mm以下の範囲であり、1μm以上500μm以下の範囲が好ましい。
次に、第1の電極層5及び第2の電極層8について説明する。
第1の電極層5及び第2の電極層8は、光電変換層4が入射した放射線から変換した電気信号を配線層7に出力する。電極層5及び電極層8は、導電性を有する材料で構成すればよい。電極層5及び8は、例えば、ITO、グラフェン、ZnO、アルミニウム、金などで構成する。
電極層5及び8の厚みは限定されない。電極層5及び8の厚みは、例えば、35nmである。また、電極5と電極8とで、厚みが異なっていてもよい。
検出素子1間には導入体2が配置される。導入体2は、第2方向に突き出ており検出素子1に放射線を導入する。この導入体2が放射線を検出素子に導入する事により、受光面の面積を変えずに入射面積の大きい放射線検出器10を実現出来る。
図2は、図1のp−p´を第1方向に沿って切断した断面図である。
図2に示すように導入体2は配線層7上に設けられている。本明細書で、上とは、第2方向において放射線入射側を示している。配線層7は、導入体2は、各第1の電極層5から出力された電気信号を信号処理部11に入力する。配線層7の材料は、例えば、ポリイミドが用いられる。信号処理部11は、各第1の電極層5から出力された電気信号を用いて様々な処理を行う。信号処理部11では、例えば放射線の検出エネルギーを特定して、画像データとして表示部13に出力する事が行われる。
光電変換層4は、各第1の電極層5上に設けられ、その上面が放射線の入射する受光面となっている。
基板3の材料は、例えば、シリコンやガラスである。なお、基板3の構成材料は、シリコンに限定されない。
図2において、導入体2は、放射線入射側に頂点が来るように、第2方向に三角形状に突き出ており、放射線入射側の三角形の斜辺に放射線が入射したとき、反射して、検出素子1に導入する。導入体2の材料は、例えば、W,Pb,Ag,Au,Moや基板3と同一材料が用いられる。導入体2の作成方法については、例えば3Dプリンタを用いたり、インゴットからの削り出しで作成される。また、必ずしもアレイは一体で形成される必要はなく、例えば検出素子単位で作成し、後で検出素子と組み合わせても良い。
次に検出素子1間に入射した放射線のうち、検出素子1に導入できたものの割合である回収率と導入体2の第1方向の長さに対する第2方向の長さの比の関係を説明する。図3に示すように導入体2に入射する放射線は、反射して検出素子1に導入されるものと検出素子1に導入されないものがある。反射して検出素子1に導入される分だけ、本実施形態に係る放射線検出器10は高感度になる。図4は、検出素子1間に入射した放射線のうち、検出素子1に導入できたものの割合である回収率と導入体2の第1方向の長さに対する第2方向の長さの比の関係を示した図である。例えば、図4に示したように、第1方向の長さに対する第2方向の長さの比が3の時、検出素子1間(導入体2)に入射した放射線の45%を検出素子1に導入することができる。上記では、一例を示したが、導入体2は、第1方向の長さに対する第2方向の長さの比が0.5以上であることが好ましい。
次に、導入体2が、画素ピッチにおいて検出素子1間が占める割合と検出素子1間に入射した放射線のうち、検出素子1に導入できたものの割合である回収率の関係について図5を用いて説明する。画素ピッチとは、受光面において、検出素子1の面積と検出素子1間の面積(導入体2が設けられる場合は、導入体2の底面積)を足したものである。ここでは、図5は第1方向の長さに対する第2方向の長さの比が3で計算している。例えば、検出素子1の受光面が正方形かつ第1方向の長さが2mmであり、検出素子1間の長さが2mmの時、検出素子1間の受光面に占める割合は75%を占め、検出素子1に対して3倍の面積を持つ。この時、検出素子1に入射する放射線量を100としたとき、導入体2がない場合とある場合を考える。導入体2がない場合、検出可能な放射線量は、検出素子1に入射するだけであるので、放射線の検出量は100である。一方で、導入体2がある場合、検出可能な放射線量は、検出素子1へ入射する放射線と導入体2によって検出素子1に導入される放射線の和となる。導入体2によって検出素子1に導入される放射線量は、面積比(ここでは、3)×入射放射線(ここでは、100)×回収率(ここでは、0.25)と示すことができ、75と算出できる。したがって、検出量は、100+75=175となり、導入体2を設けることで、感度が1.75倍になる。上記では、一例を示したが、画素ピッチに対する前記導入体2の第1方向の長さの比が0.025以上2.2以下であることが好ましい。
本実施形態に係る放射線検出器10は、導入体2を備えることで、高周波ノイズの小さい高感度な放射線検出器10を実現出来る。例えば信号処理部11にチャージアンプ回路が含まれる場合、接続する半導体検出素子の容量に比例して高周波数領域のノイズが増幅されるという特徴がある。したがって導入体2により入射面積が拡大しても検出素子面積が変わらなければ、チャージアンプ回路を発生源とするノイズ増大を抑制する事が出来る。
さらに、図2のように導入体2の放射線を導入する部分(導入体2の形状である三角形の斜辺部分)と第2方向を含む面との間の鋭角θが60°以下であってもよい。ここで、鋭角とは、0°より大きく90°より小さい角度のことである。
また、図1の例によらず、図6のように、各検出素子1の受光面の形状は、長方形(図6(a))や三角形(図6(b))や六角形(図6(c))であってもよい。形状は異なっていても、検出素子(1a、1b、1c)及び導入体(2a、2b、2c)の役割は図1と同じである。
図2の例によらず、隣接する第1及び第2の電極層の間には電極の信号を外部に取り出すための配線層7が設けられていてもよい。また、配線層7は基板に対して光電変換層4と逆側に配置されていてもよい。
(第2の実施形態)
図7は、第2の実施形態に係る放射線検出器10のp−p´を第1方向に沿って切断した断面図である。
第1の実施形態と異なる点のみを説明する。
本実施形態に係る放射線検出器14は、第1の実施形態に係る放射線検出器10に第2方向において、検出素子1上及び導入体2上に放射線を緩衝する緩衝層6をさらに具備する。
緩衝層6は、導入体2よりも低密度な素材で形成される。また、光吸収性の素材であることが好ましい。例えば、カーボンブラックや銀系ナノ粒子、及びそれらを含む有機コート、無機コート等である。形成方法としては、例えば蒸着や塗布による方法が挙げられる。緩衝層6の層厚は、特に10μm以上であることが好ましい。
光電変換層4に入射した放射線は、エネルギーが高いほど光電変換層4を透過しやすく、光電変換層4で生成する信号量が小さいため、信号検出が困難となる。緩衝層6を備えることで、検出素子1が検出できない強いエネルギーの放射線を緩衝して、検出素子1が検出できる放射線のエネルギーまで緩和することができる。
(適応例)
図8は、放射線検出装置9の一例を示す模式図である。
本実施形態に係る放射線検出器10は、放射線検出装置9に適用することができる。
放射線検出装置9は、放射線検出器10と、信号処理部11と、通信部12と、表示部13と、を備える。放射線検出器10、通信部12、および表示部13と、信号処理部11と、はデータや信号を授受可能に接続されている。
通信部12は、ネットワークなどを介して外部装置と通信する。本実施の形態では、通信部12は、信号処理部11による特定結果を示す情報を、外部装置へ送信する。表示部13は、各種画像を表示する。本実施の形態では、表示部13は、信号処理部11による判定結果を示す情報を、表示する。
なお、放射線検出装置は、表示部13および通信部12の何れか一方を備えた構成であってもよい。また、放射線検出装置を構成する各部は、1つの筐体に収められていてもよいし、複数の筐体に分割されて配置されていてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、説明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1・・検出素子、2・・導入体、3・・基板、4・・光電変換層、5・・第1の電極層、6・・緩衝層、7・・配線層、8・・第2の電極層、9・・放射線検出装置、10・・放射線検出器、11・・信号処理部、12・・通信部、13・・表示部

Claims (15)

  1. 第1方向に複数配置され、放射線を電気信号として光電変換する光電変換層と、
    前記光電変換層間に配置され、前記放射線入射側に突き出た導入体と、を具備し、
    前記導入体は、前記放射線を前記光電変換層に導入する部分を有し、この導入する部分と、前記第1方向に垂直な第2方向を含む面と、の間の鋭角が60°以下である放射線検出器。
  2. 前記導入体は、前記第1方向の長さに対する前記第2方向の長さの比が0.5以上である請求項1記載の放射線検出器。
  3. 前記導入体はW,Pb,Ag,Au,Moの少なくとも1つを含む請求項1または2のいずれか記載の放射線検出器。
  4. 前記導入体は、基板と同一材料を含む請求項1乃至3のいずれか記載の放射線検出器。
  5. 前記第2方向において、前記光電変換層上及び前記導入体上のうちの少なくとも一方に前記放射線を緩衝する緩衝層をさらに具備する請求項1乃至4のいずれか記載の放射線検出器。
  6. 前記緩衝層は、前記導入体よりも低密度である請求項5記載の放射線検出器。
  7. 前記緩衝層は、光吸収性の素材を用いる請求項5または6記載の放射線検出器。
  8. 前記緩衝層は、10μm以上の層厚である請求項5乃至7のいずれか記載の放射線検出器。
  9. 前記光電変換層は、有機光電変換層を含んでいる請求項1乃至8のいずれか記載の放射線検出器。
  10. 前記有機光電変換層はナノ粒子を含む請求項9記載の放射線検出器。
  11. 第1の電極層と第2の電極層との間に前記光電変換層が設けられ、前記第1の電極層間に配置される配線層をさらに具備し、
    前記導入体は、前記配線層上に設けられる請求項1乃至10のいずれか記載の放射線検出器。
  12. 前記放射線は、β線である請求項1乃至11のいずれか記載の放射線検出器。
  13. 前記導入体は、前記第1方向に沿って切断した断面が前記放射線入射側に突き出た三角形である請求項1乃至12のいずれか記載の放射線検出器。
  14. 前記導入する部分が前記三角形の斜辺である請求項1乃至13のいずれか記載の放射線検出器。
  15. 請求項1乃至14のいずれか記載の放射線検出器と、
    前記放射線検出器とデータや信号の授受可能な信号処理部と、
    前記信号処理部による特定結果を示す情報を、外部装置へ送信する通信部と、
    前記信号処理部による判定結果を示す情報を、表示する表示部と、を具備する放射線検出装置。
JP2017053458A 2017-03-17 2017-03-17 放射線検出器及び放射線検出装置 Active JP6842327B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017053458A JP6842327B2 (ja) 2017-03-17 2017-03-17 放射線検出器及び放射線検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017053458A JP6842327B2 (ja) 2017-03-17 2017-03-17 放射線検出器及び放射線検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018155642A true JP2018155642A (ja) 2018-10-04
JP6842327B2 JP6842327B2 (ja) 2021-03-17

Family

ID=63717335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017053458A Active JP6842327B2 (ja) 2017-03-17 2017-03-17 放射線検出器及び放射線検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6842327B2 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062169A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Hiroshima Univ X線検出要素及びこれを用いたx線検出装置
JP2005268722A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
WO2009113606A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 電磁波・粒子線分光方法及び電磁波・粒子線分光装置
JP2010048821A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Sii Nanotechnology Inc 超伝導x線検出装置及びそれを用いた超伝導x線分析装置
JP2011530081A (ja) * 2008-08-07 2011-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体
JP2013195407A (ja) * 2012-03-23 2013-09-30 Katsuhiro Dobashi 放射線の空間強度分布及びエネルギーの空間分布の調整装置、並びに該調整装置を用いたx線発生装置及び放射線検出器
JP2014099621A (ja) * 2013-12-11 2014-05-29 Takehisa Sasaki 放射線検出素子、及び、放射線検出装置
JP2014529728A (ja) * 2011-08-02 2014-11-13 アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャAlma Mater Studiorum Universita Di Bologna 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062169A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Hiroshima Univ X線検出要素及びこれを用いたx線検出装置
JP2005268722A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
WO2009113606A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 電磁波・粒子線分光方法及び電磁波・粒子線分光装置
JP2011530081A (ja) * 2008-08-07 2011-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光子検出器用の組み合わされた散乱防止グリッド、陰極及び担体
JP2010048821A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Sii Nanotechnology Inc 超伝導x線検出装置及びそれを用いた超伝導x線分析装置
JP2014529728A (ja) * 2011-08-02 2014-11-13 アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャAlma Mater Studiorum Universita Di Bologna 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法
JP2013195407A (ja) * 2012-03-23 2013-09-30 Katsuhiro Dobashi 放射線の空間強度分布及びエネルギーの空間分布の調整装置、並びに該調整装置を用いたx線発生装置及び放射線検出器
JP2014099621A (ja) * 2013-12-11 2014-05-29 Takehisa Sasaki 放射線検出素子、及び、放射線検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6842327B2 (ja) 2021-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11699068B2 (en) Imaging device, imaging module, electronic device, and imaging system
US11888016B2 (en) Image sensor for high photoelectric conversion efficiency and low dark current
JP6073530B2 (ja) 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ
KR102496483B1 (ko) 아발란치 광검출기 및 이를 포함하는 이미지 센서
JP5937006B2 (ja) 単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法
JP2013044723A (ja) 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び放射線画像撮影装置
US20190058001A1 (en) X ray flat panel detector and fabrication method thereof
US20130048960A1 (en) Photoelectric conversion substrate, radiation detector, and radiographic image capture device
WO2020078030A1 (zh) 射线探测器和射线探测面板
JP2008071908A (ja) 超伝導光検出素子
US7233003B2 (en) Radiation detector
CN110620164B (zh) 基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法
JP2020004935A (ja) イメージセンサ
US20130154040A1 (en) Photo detectors
KR20110093535A (ko) 근적외선 광 검출기 및 이를 채용한 이미지 센서, 그 반도체 제조 방법
WO2018054154A1 (zh) 光电探测器及光电探测装置
US8952310B2 (en) Plasmonic light sensors
JP2018155642A (ja) 放射線検出器及び放射線検出装置
US10879295B2 (en) Detection device
JP2014122903A (ja) 放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP5289116B2 (ja) X線検出器
US9640680B1 (en) Wide-band transparent electrical contacts and interconnects for FPAS and a method of making the same
EP3841616A1 (en) High information content imaging using mie photo sensors
JP2020077848A (ja) 撮像装置
KR20210029726A (ko) 촬상 패널, 촬상 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20180831

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190918

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210219

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6842327

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151