JP2020529607A - 非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像 - Google Patents

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Abstract

放射線を検出するように動作可能な構造体が記載される。構造体は、第1の厚さを有する第1のスクリーンと、第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンとを備える。第1のスクリーンの背面は、構造体に向けられた入射放射線に対面し得る。第1のスクリーンは、第1のスクリーン内で散乱した光子を光センサアレイに向けて反射する第1の反射レイヤを含み得る。第2のスクリーンは、第1のスクリーン及び第2のスクリーンが反対方向に向くように、光センサアレイに対面し得る。第2のスクリーンは、光センサアレイを通過した光子を光センサアレイに向けて反射する第2の反射レイヤを含み得る。

Description

関連出願への相互参照.
本出願は、2017年8月3日出願の米国仮出願第62/540620号、及び、2018年7月30日出願の米国仮出願第62/711883に対する優先権を主張する。
本出願は、概して放射線ディテクタ及びデジタル放射線撮像に関する。
デジタル放射線撮像において、イメージングシステムは、放射線を吸収して光を発生するスクリーンを含み得る。発生された光は、光センサのアレイにより感知され、電気信号を生成する。生成された電気信号は、イメージングシステムにより、デジタル画像を生成するのに用いられる。いくつかの例において、生成された画像の品質(例えばシャープネス、解像度等)は、光散乱等の様々な現象による影響を受ける。
いくつかの例において、概してデジタル放射線撮像への適用における構造体が記載される。
構造体は、第1の厚さを有する第1のスクリーンと、第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンとを含み得る。構造体は、第1のスクリーン及び第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイをさらに含み得る。第1のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーンの背面は、構造体に向けられた入射放射線に対面し得る。第1のスクリーンは、構造体に向けられた入射放射線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤを含み得る。第1のスクリーンは、第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤをさらに含み得る。第1の反射レイヤは、第1の蛍光体レイヤにおいて散乱した光子を光センサアレイに向けて反射し得る。第2のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーン及び第2のスクリーンは逆方向に向けられ得る。第2のスクリーンは、第2の蛍光体レイヤを含み得る。第2のスクリーンは、第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤをさらに含み得る。第2の反射レイヤは、光センサアレイを通過した光子を光センサアレイへと反射し得る。光センサアレイは、光子を捕捉して、捕捉された光子を電気信号に変換するように動作可能であり得る。
いくつかの例において、概してイメージングシステムが記載される。イメージングシステムは、構造体と通信可能に構成されたプロセッサを含み得る。構造体は、第1の厚さを有する第1のスクリーンと、第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンとを含み得る。構造体は、第1のスクリーン及び第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイをさらに含み得る。第1のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーンの背面は、構造体に向けられた入射放射線に対面し得る。第1のスクリーンは、構造体に向けられた入射放射線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤを含み得る。第1のスクリーンは、第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤをさらに含み得る。第1の反射レイヤは、第1の蛍光体レイヤにおいて散乱した光子を光センサアレイに向けて反射し得る。第2のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーン及び第2のスクリーンは逆方向に向けられ得る。第2のスクリーンは、第2の蛍光体レイヤを含み得る。第2のスクリーンは、第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤをさらに含み得る。第2の反射レイヤは、光センサアレイを通過した光子を光センサアレイへと反射し得る。光センサアレイは、光子を捕捉して、捕捉された光子を電気信号に変換するように動作可能であり得る。プロセッサは、構造体から電気信号を入力し、電気信号を用いて画像を生成するように構成され得る。
いくつかの例において、概してX線装置が記載される。装置は、放射線ディテクタと、X線放射源と、プロセッサとを含み得る。X線放射源は、X線放射源及び放射線ディテクタの間に配置された対象物にX線を照射するように動作可能であり得る。放射線ディテクタは、第1の厚さを有する第1のスクリーンと、第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンとを含み得る。放射線ディテクタは、第1のスクリーン及び第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイをさらに含み得る。第1のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーンの背面は、放射線ディテクタに照射されたX線に対面し得る。第1のスクリーンは、X線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤを含み得る。第1のスクリーンは、第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤをさらに含み得る。第1の反射レイヤは、第1の蛍光体レイヤにおいて散乱した光子を光センサアレイに向けて反射し得る。第2のスクリーンは光センサアレイに対面するように向けられ、これにより第1のスクリーン及び第2のスクリーンは逆方向に向けられ得る。第2のスクリーンは、第2の蛍光体レイヤを含み得る。第2のスクリーンは、第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤをさらに含み得る。第2の反射レイヤは、光センサアレイを通過した光子を光センサアレイへと反射し得る。光センサアレイは、光子を捕捉して、捕捉された光子を電気信号に変換するように動作可能であり得る。プロセッサは、放射線ディテクタから電気信号を入力し、電気信号を用いて対象物の画像を生成するように構成され得る。
様々な実施形態の構造及び動作に加えて、更なる特徴が、添付の図面を参照しながら、以下で詳細に記載される。図面において、類似の符号は同一又は機能的に類似した要素を示す。
ある実施形態において、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像を実装するために利用される構造体の例を示す。 ある実施形態において、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像を実装するために利用される構造体の例を示す。 ある実施形態において、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像に関するパフォーマンス尺度の結果の例を示す。 ある実施形態において、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像に関するパフォーマンス尺度の結果の例を示す。 X線ディテクタの通常の構成と、本開示に記載のデュアルスクリーン構成との差異を示す。 1つのスクリーンを有する通常又は従来の構成と本開示に記載のデュアルスクリーン構成との間のMTFの差異を示した実験の例を示す。 1つのスクリーンを有する通常又は従来の構成と本開示に記載のデュアルスクリーン構成との間のDQEの差異を示した実験の例を示す。
本発明の実施形態を、添付の図面を参照しながら以下詳細に解説する。発明を説明するにあたって、発明の概念の理解を明瞭にして、不要な詳細が発明を不明瞭にすることを避けるために、分野で広く知られた関連する機能又は構造については省略している。
デジタル放射線撮像の適用において、アクティブマトリクス間接フラットパネルイメージャ(AMFPI)が用いられ得る。いくつかの例において、AMFPIは単一の増感スクリーンを含み、その増感スクリーンの下にセンサアレイ(例えば薄膜トランジスタアレイ)を配置することで作成され得る。これにより、AMFPIは、X線を増感スクリーンの上から入射させることで動作できる。単一増感スクリーンの厚さは、X線吸収率と空間解像度とのトレードオフに基づき得る。例えば、厚さを増やすと吸収率及び感度は向上し得るが、増強スクリーンの蛍光体レイヤにおける光散乱により解像度の低下の原因にもなり得る。
スクリーンフィルム放射線撮像において、デュアルスクリーンシステムは、単一増強スクリーンから分割された2つのパーティションの間に配置されたデュアルエマルジョンフィルムを含み得る。このような構成は、入射放射線とフィルムとの距離が短くなるため、光散乱が軽減され得るが、光子がフィルムエマルジョンを貫通して反対側のパーティションから反射するクロスオーバー現象を引き起こし得る。
以下でさらに説明されるが、本開示に係る構造体(例えば図1の構造体100)は、様々なデジタル放射線撮像システム及びフィルムスクリーン放射線撮像システムの欠点のいくつかに対処できる。
図1は、本明細書に記載の実施形態のうち少なくとも一部に従って配置された、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像を実装するために利用され得る構造体100の例を示す。構造体100は、第1のスクリーン110と、第2のスクリーン120と、光センサアレイ105と、基板107とを含み得る。第1のスクリーン110は、第1のスクリーンの背面が構造体100に向けられた入射放射線(例えば入射X線102)に対面するように向けられ得る。光センサアレイ105は、第1のスクリーン110と第2のスクリーン120との間に配置され得る。第1のスクリーン110及び第2のスクリーン120は、第1のスクリーン110及び第2のスクリーン120が互いに対面するように、反対方向に向けられ得る。図1に示す構造体100の向きにおいて、第1のスクリーン110の背面は構造体100の上面であってよく、第2のスクリーン120の背面は構造体100の底面であってよい。図1のスクリーン110の厚さは、第2のスクリーン120の厚さよりも小さくあり得る。第1のスクリーン110は、入射X線102が第1のスクリーン110に入射するように、光センサアレイ105の上に配置され得る。いくつかの例において、第1のスクリーン110の厚さが第2のスクリーン120の厚さよりも小さいため、第1のスクリーン110は光センサアレイ105の上に配置され得る。
スクリーン110は、シンチレーション蛍光体レイヤ114及び反射レイヤ112を含み得る。ここで、反射レイヤ114は高反射率の材料で作られ得る。スクリーン120は、シンチレーション蛍光体レイヤ122と反射レイヤ124とを含み得る。ここで、反射レイヤ124は、高反射率の材料で作られ得る。例えば、反射レイヤ114,124は、二酸化チタン等の白色材料のレイヤでコーティングされていてもよい。反射レイヤ114,124のサイズは同じでも異なっていてもよく、反射レイヤ114,124のコーティング材料は同じでも異なっていてもよい。蛍光体レイヤ114,124の各々は、入射X線102を捕捉し、捕捉されたX線を光子に変換可能な蛍光体結晶を含み得る。いくつかの例において、蛍光体レイヤ114の厚さは蛍光体レイヤ124の厚さよりも小さく、これによりスクリーン110はスクリーン120よりも薄くなり得る。いくつかの例では、スクリーン110,120はそれぞれ、粒状のタイプ(例えばGd02S2:Tb)又は円柱状(例えばCsI:TI)、若しくは両方の組み合わせであり得る。いくつかの例において、構造上の安定正を高めるために、反射レイヤ122の下に、より厚いスクリーン(例えばスクリーン120)のための追加の支持体がオプションで配置され得る。
光センサアレイ105は、複数のスイッチング素子106を含み得る感光ストレージエレメント108を含み得る。基板107は、光学的厚さが小さく、光センサアレイ105と蛍光体レイヤ124との間に配置され得る。感光ストレージエレメント108及びスイッチングエレメント106は、基板107の上面に配置され得る。光センサアレイ105は、a−Si:H n−i−p光ダイオード、MISタイプ、又は他のタイプであり得る。光センサアレイ105は、いずれの面から入射する光にも感光性を持ち、スクリーン110,120により放射される波長において低い透過率を有し得る。例えば、光センサアレイ105は、ピクセルクロストーク及びクロスオーバーの影響が低減され得るように、スクリーン110,120により放射される光の波長で高い光吸収率(90%以上)を有し得る。ある例において、基板107は、厚さ30ミクロン未満、好ましくは10ミクロン未満の薄いガラス、プラスチック、又はセルロースであり得る。光センサアレイ105は、光子を捕捉し、捕捉された光子を電気信号に変換することができ、電気信号は(構造体100とは別個の)装置がデジタル画像を生成するために用いられ得る。例えば、各スイッチング素子106は画像のピクセルに対応し、これにより特定の列、行、ピクセルグループを切り替えることで、ピクセル値の群を読み出して画像を生成できる。
ある例において、構造体100は、画像を生成するイメージングシステムのコンポーネントであり得る。動作において、蛍光体レイヤ114は、入射X線102を受け、入射X線102を光に変換し得る。変換された光が光センサアレイ105に到達すると、光センサアレイ105は変換された光から光子を捕捉し、光子を電気信号に変換し得る。図1に示す例において、入射X線102が蛍光体レイヤ114に到達した場合、蛍光体レイヤ114内の結晶がX線を光子140に変換し得る。光子140は、蛍光体レイヤ114内で散乱し得る。散乱された光子の一部は、光センサアレイ105に向けられ、他の散乱された光子は、光センサアレイ105から離れるように向けられ得る。反射レイヤ112は、光センサアレイ105が散乱された光子を捕捉できるように、散乱された光子を光センサアレイ105に向けて反射し得る。
いくつかの例において、入射X線102は、蛍光体レイヤ114により完全に捕捉されない場合がある(例えば、蛍光体レイヤ114が全入射X線を変換するのに十分な結晶を有しない場合がある)。捕捉されないX線は、光センサアレイ105を通過し、第2のスクリーン120の蛍光体レイヤ124内の結晶が、捕捉したX線を光子150に変換する。光子150は、蛍光体レイヤ124内で散乱し得る。散乱された光子の一部は光センサアレイ105に向けられ、他の散乱された光子は光センサアレイ105から離れるように向けられ得る。反射レイヤ122は、光センサアレイ105が散乱された光子を捕捉できるように、散乱された光子を光センサアレイ105に向けて反射し得る。従って、第2のスクリーン120は、光センサアレイ105により吸収されなかったスクリーン110の反射光からの光子を再捕捉することを容易にする。
いくつかの例において、上部の(入射X線に対面する)スクリーン110から変換された光は、光センサアレイ105の光学特性を調整することで重み付けされ得る。スクリーン110からの光は、ビーム硬化の影響により入射X線スペクトルの低エネルギー部分からのより多くの情報を含み得る。また、これを強調することにより、構造体100を利用するイメージングシステムにより生成された画像における低コントラスト物体の視認性を向上されることができる。
ある例において、プロセスはコンピュータデバイス又はハードウェアプロセッサにより実装されて構造体100を構築する。また、プロセスは、ビーム品質又は蛍光体レイヤ114,124の半価層(HVL)を決定するために放射線撮像検査を実行するステップから開始し得る。次に、数学的モデルを用いて、2つのスクリーン110,120のコーティングの重量又は厚さの比の関数として、信号対ノイズ比(SNR)、変調伝達関数(MTF)等の性能尺度を決定し得る。その後、放射線撮像検査の結果及び性能尺度に基づいて、構造体100の所望の実装において理想的な性能を提供できる蛍光体レイヤ114,124の厚さ比が選択される。
例えば、構造100を利用するイメージングシステムの検出量子効率(DQE)を最大化するために、2つのシンチレーション蛍光体レイヤ114,124の厚さが選択され得る。DQEは、入力量子毎の出力信号対ノイズ比(SNR)であり、DQEは空間周波数とX線曝露レベルに依存する。DQE性能の基本的な制限は、X線の吸収率と、以下の2つのノイズ係数の積により与えられる。一方は、吸収事象に対する応答の大きさの変動を量子化するもの(Swankファクタ)、もう一方は事象に対する空間応答の変動を定量化するもの(Lubbertsファクタ)である。Lubbertsファクタは、光センサアレイから様々な距離で発生するX線吸収事象により生じる光の空間的広がりの変動によるDQEの低下を示す。検出量子効率を最大化する例では、2つのシンチレーション蛍光体レイヤ114,124の薄い(厚さの小さい)方は、2つのシンチレーション蛍光体レイヤ114,124の厚さの合計の30%〜45%の間となるように選択され得る。
いくつかの例において、2つのシンチレーション蛍光体レイヤ114,124の厚さは、構造体100を利用するイメージングシステムのMTFを最大化するために選択され得る。MTFを最大化するためには、2つのシンチレーションスクリーンの薄い方は、シンチレーションレイヤの厚さの合計の20%〜40%の間になるように選択される。
ある例において、構造体100は、イメージングシステムのコンポーネントである。イメージングシステムは、互いに通信可能に構成された構造体100、プロセッサ、及びメモリを含み得る。構造体100の第1のスクリーン110は、入射X線102を受け、入射X線を光子に変換し得る。反射レイヤ114は、第1の蛍光体レイヤ112内で散乱した光子を光センサアレイ105に向けて反射し得る。第2のスクリーン120の反射レイヤ124は、光センサアレイ105を通過した光子を、再度光センサアレイ105に向けて反射し得る。光センサアレイ105は、捕捉した光子を電気信号に変換し、電気信号をプロセッサに出力し得る。プロセッサは電気信号をメモリに保存し、電気信号を用いて画像を生成し得る。
ある例において、構造体100は、X線源とプロセッサとを含む装置の中の放射線ディテクタであり得る。X線源は、X線を生成するX線管、又はX線を生成し得る他のデバイスであってよい。X線源及び構造体100の間に、物体等の対象物が配置され得る。X線源はX線を対象物に照射し、対象物はX線の一部を吸収して、X線の減衰を引き起こし得る。減衰したX線は、入射X線102として構造体100に向けられ得る。構造体100の第1のスクリーン110は、入射X線102を受け、入射X線を光子に変換し得る。反射レイヤ114は、第1の蛍光体レイヤ112内で散乱した光子を光センサアレイ105に向けて反射し得る。第2のスクリーン120の反射レイヤ124は、光センサアレイ105を通過した光を、再度光センサアレイ105に向けて反射し得る。光センサアレイ105は、光子を捕捉し、捕捉された光子を電気信号に変換し得る。プロセッサは、放射線ディテクタから電気信号を受信し、電気信号を用いて対象物の画像を生成するように動作可能であり得る。
図2は、本明細書に記載の実施形態のうち少なくとも一部に従って配置された、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像を実装するために利用され得る構造体200の例を示す。以下で図2は、図1及び上記の説明を参照しながら説明されることがある。
構造体200は、第1のスクリーン110と、第2のスクリーン120と、光センサアレイ205と、光ファイバプレート202とを含み得る。光センサアレイ205は、複数のスイッチングエレメント106を含む感光ストレージエレメント108を含み得る。光ファイバプレート202は、無視可能な光学厚さ、1〜3mmの物理厚さ等、光学厚さが実質的に0のものであり得る。いくつかの例において、光ファイバプレート202の光ファイバ開口数は、比較的大きくあり得る。
図3に、白色バッキング(例えば反射レイヤ112,122)及び5lp/mmの解像度(ミリメートルあたりのラインペア)を備えるデュアルスクリーン構造体(構造体100及び/又は200)を利用するイメージングシステムのLubbertsファクタ及びDQEのグラフを示す。
グラフ302において、デュアルスクリーン構造体の2つのスクリーンの合計厚さは160ミクロン(0.160mm)である。ここで、薄い方のスクリーン(第1のスクリーン110)の背面(反射レイヤ112を含む面)は0ミクロンの位置にあり、厚い方のスクリーン(第2のスクリーン120)の背面(反射レイヤ114を含む面)は、160ミクロンの位置にある。グラフ302に示すように、最適なDQE点は0.06mmである。即ち、合計厚さに対する光センサアレイ(例えば光センサ105,205)の最適な位置は、0ミクロン点から0.06mm(60ミクロン)離れた位置、又は、入射X線が受信されている薄い方のスクリーンの裏側である。光センサアレイを0.06mm点に置く場合に、DQEを最大化する2つのスクリーンの厚さ比は約37%である。
図3において、グラフ304は、反射レイヤなしのデュアルスクリーン構造体(構造体100,200,300等)を用いるイメージングシステムのLubbertsファクタ、DQE、及びSwankファクタを示す。グラフ304に示すように、DQEはグラフ302に示すDQEよりも低い。これは、反射レイヤを含めることでイメージングシステムのDQEが増加することを示す。Lubbertsファクタは、光センサアレイから様々な距離で発生するX線吸収事象から生じる光の空間的広がりの変化によるDQEの低下を示す。
図4は、本明細書で説明する実施形態のうちの少なくとも一部に従って配置された、非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像に関する性能測定結果の例を示す。以下図4は、図1〜図3の上記の説明を参照しながら説明されることがある。
グラフ402は、単一の増感スクリーンが相対的厚さの異なる2つの部分に細分され、グラフ402のx軸に示す異なる位置の光センサアレイをサンドする場合の、いくつかの計算結果を示す。図3の例と同様に、グラフ402に関するデュアルスクリーン構造体(例えば構造体100及び/又は200)は、白色バッキング(反射レイヤ112,122)及び5lp/mm(ラインペア・パー・ミリメートル)の解像度を含む。2つのスクリーンの合計の厚さは160ミクロンである。70kVp、RQA5の入射X線ビームが、左方から入射する。MTF及び正規化ノイズ電力スペクトル(NNPS)は、構成ごとにグラフ402に示される。最適なMTF点は0.04mmである。即ち、総厚さに対する光センサアレイ(例えば上述の光センサアレイ105,205)の最適な位置は、0ミクロンポイントから0.04mm(40ミクロン)離れた位置、又は入射X線を受けている薄い方のスクリーンの背面である。光センサアレイを0.06mmにすることによりMTFを最大化するための2つのスクリーンの厚さ比率は約25%となる。
図5は、X線ディテクタの標準構成と、本開示に記載のデュアルスクリーン構成との違いを示す。図5に示すように、標準構成にはシンチレータが1つ含まれ、ガラス基板がディテクタの最下部のレイヤである。デュアルスクリーン構成において、ガラス基板の下にある上スクリーン(「スクリーン1」)よりも厚い別のスクリーン(「スクリーン2」)が追加され、上スクリーンと下スクリーンの両方に反射バッキングがある。
図6は、標準又は従来の1スクリーン構成と、本開示に記載のデュアルスクリーン構成との間のMTFの差を示唆する実験結果を示す。図6に示すように、デュアルスクリーン構成のモデル化されたMTFは、高感度構成と高解像度構成の両方において、従来の構成のモデル化されたMTFよりも大きくなっている。また、図6に示すように、デュアルスクリーン構成の実測MTFは、高感度構成と高解像度構成の両方において、従来の構成の実測MTFよりも大きくなっている。
図7は、通常の1スクリーン構成と本開示に記載のデュアルスクリーン構成とのDQEの差を示唆する実験結果を示す。図7に示す実験結果は、RQA9入射X線ビームを用いた実験に基づく。図7に示すように、デュアルスクリーン構成の実測DQEは、従来の構成よりも大きくなっている。
本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本発明を限定することを意図したものではない。本明細書で用いられるに際し、単数形「ある」及び「その」は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、複数形も含むことを意図している。さらに、本明細書で用いられるとき、「含む」及び/又は「備える」の用語は、指定された機能、整数、ステップ、操作、要素、及び/又はコンポーネントの存在を指定するが、それらが1つ以上の他の機能、整数、ステップ、操作、要素、及び/又はコンポーネントの存在若しくは追加を妨げることはない。
以下の特許請求の範囲において、ステップと機能要素の対応する複数の構造、材料、行為等がもしあれば、それらは、具体的に請求された他の請求要素と組み合わせてその機能を実行するための任意の構造、材料、又は行為を含むことを意図している。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されているが、開示された形態により本発明が網羅されていること、又は本発明が開示された形態に限定されることを意図するものではない。本発明の保護範囲及び理念から逸脱することなく、多くの修正及び変形が当業者には明らかである。実施形態は、本発明の原理及び実際の応用を最もよく説明し、意図される特定の用途に適した様々な修正を伴う様々な実施形態について、当業者が本発明を理解できるように選択及び説明された。

Claims (20)

  1. 第1の厚さを有する第1のスクリーンと、
    前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンと、
    前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイと、
    を備える構造体であって、
    前記第1のスクリーンは、前記構造体に向けられた入射放射線に前記第1のスクリーンの背面が対面するように、前記光センサアレイに向けられ、
    前記第1のスクリーンは、
    前記構造体に向けられた前記入射放射線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤと、
    前記第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤであって、前記第1の蛍光体レイヤ内で散乱した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第1の反射レイヤと、
    を備え、
    前記第2のスクリーンは、前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンが反対方向に向けられるように、前記光センサアレイに対面するように向けられ、
    前記第2のスクリーンは、
    第2の蛍光体レイヤと、
    前記第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤであって、前記光センサアレイを通過した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第2の反射レイヤと、
    を備え、
    前記光センサアレイは、前記光子を捕捉し、前記捕捉された光子を電気信号に変換する、
    構造体。
  2. 前記光センサアレイは、複数のスイッチングエレメントを含む感光ストレージエレメントを備える、
    請求項1に記載の構造体。
  3. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された基板をさらに備える、
    請求項1に記載の構造体。
  4. 前記基板はガラス、プラスチック、及びセルロースのうちの1つである、
    請求項3に記載の構造体。
  5. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された光ファイバプレートをさらに備える、
    請求項1に記載の構造体。
  6. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの検出量子効率を最大化する、
    請求項1に記載の構造体。
  7. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの変調伝達関数を最大化する、
    請求項1に記載の構造体。
  8. 構造体と通信可能に構成されたプロセッサを備えるイメージングシステムであって、
    前記構造体は、
    第1の厚さを有する第1のスクリーンと、
    前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンと、
    前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイと、
    を備え、
    前記第1のスクリーンは、前記構造体に向けられた入射放射線に前記第1のスクリーンの背面が対面するように、前記光センサアレイに向けられ、
    前記第1のスクリーンは、
    前記構造体に向けられた前記入射放射線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤと、
    前記第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤであって、前記第1の蛍光体レイヤ内で散乱した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第1の反射レイヤと、
    を備え、
    前記第2のスクリーンは、前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンが反対方向に向けられるように、前記光センサアレイに対面するように向けられ、
    前記第2のスクリーンは、
    第2の蛍光体レイヤと、
    前記第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤであって、前記光センサアレイを通過した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第2の反射レイヤと、
    を備え、
    前記光センサアレイは、前記光子を捕捉し、前記捕捉された光子を電気信号に変換し、
    前記プロセッサは、
    前記構造体からの前記電気信号を入力し、及び、
    前記電気信号を用いて画像を生成するように構成された、
    イメージングシステム。
  9. 前記光センサアレイは、複数のスイッチングエレメントを含む感光ストレージエレメントを備える、
    請求項8に記載のイメージングシステム。
  10. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された基板をさらに備える、
    請求項8に記載のイメージングシステム。
  11. 前記基板はガラス、プラスチック、及びセルロースのうちの1つである、
    請求項10に記載のイメージングシステム。
  12. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された光ファイバプレートをさらに備える、
    請求項8に記載のイメージングシステム。
  13. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの検出量子効率を最大化する、
    請求項8に記載のイメージングシステム。
  14. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの変調伝達関数を最大化する、
    請求項8に記載のイメージングシステム。
  15. 放射線ディテクタと、
    それ自体と前記放射線ディテクタとの間に配置された対象物にX線を放射するように動作可能なX線源と、
    プロセッサと、
    を備える装置であって、
    前記放射線ディテクタは、
    第1の厚さを有する第1のスクリーンと、
    前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する第2のスクリーンと、
    前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンの間に配置された光センサアレイと、
    を備え、
    前記第1のスクリーンは、前記放射線ディテクタに向けて放射された前記X線に前記第1のスクリーンの背面が対面するように、前記光センサアレイに向けられ、
    前記第1のスクリーンは、
    前記構造体に向けられた前記X線を光子に変換する第1の蛍光体レイヤと、
    前記第1のスクリーンの背面に配置された第1の反射レイヤであって、前記第1の蛍光体レイヤ内で散乱した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第1の反射レイヤと、
    を備え、
    前記第2のスクリーンは、前記第1のスクリーン及び前記第2のスクリーンが反対方向に向けられるように、前記光センサアレイに対面するように向けられ、
    前記第2のスクリーンは、
    第2の蛍光体レイヤと、
    前記第2のスクリーンの背面に配置された第2の反射レイヤであって、前記光センサアレイを通過した前記光子を前記光センサアレイに向けて反射する、第2の反射レイヤと、
    を備え、
    前記光センサアレイは、前記光子を捕捉し、前記捕捉された光子を電気信号に変換し、
    前記プロセッサは、
    前記放射線ディテクタからの前記電気信号を入力し、及び、
    前記電気信号を用いて前記対象物の画像を生成するように構成された、
    装置。
  16. 前記光センサアレイは、複数のスイッチングエレメントを含む感光ストレージエレメントを備える、
    請求項15に記載の装置。
  17. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された基板をさらに備える、
    請求項15に記載の装置。
  18. 前記光センサアレイ及び前記第2の蛍光体レイヤの間に配置された光ファイバプレートをさらに備える、
    請求項15に記載の装置。
  19. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの検出量子効率を最大化する、
    請求項15に記載の装置。
  20. 前記第2の厚さに対する前記第1の厚さの比率は、前記構造体を利用するイメージングシステムの変調伝達関数を最大化する、
    請求項15に記載の装置。
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