CN105814455B - 低重量x射线屏蔽件的照相平板检测器及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供辐射照相平板检测器和制造所述平板检测器的方法，所述平板检测器具有以指定顺序的层构造：a)闪烁体或光导层(1)，b)成像阵列(2)，c)第一基材(3)，d)包括第二基材(4)和在所述第二基材的一侧上的X‑射线吸收层(5)的X‑射线屏蔽件，其特征在于所述吸收层包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。

Description

低重量X射线屏蔽件的照相平板检测器及制造方法
技术领域
本发明涉及诊断成像，且更具体地讲，涉及具有X-射线屏蔽件的辐射照相X-射线检测器，所述X-射线屏蔽件保护检测器电子件且降低或消除在受试者暴露于X-射线源期间反向散射的X-射线的影响。
背景技术
X-射线成像是捕获患者或动物的医学图像以及检查例如行李、封装及其他包裹的密封容器的内含物的非侵入性技术。为了捕获这些图像，X-射线束照射目标物。随后，X-射线随着其穿过目标物而衰减。衰减的程度由于目标物的内部组成和/或厚度的变化而跨目标物改变。衰减的X-射线束撞击在设计用来将衰减的射束转化成目标物的内部结构的有用阴影图像的X-射线检测器上。
辐射照相平板检测器(RFPDs)日益用以在待分析的患者的身体部分的检查程序期间捕获目标物的图像。这些检测器可将X-射线直接转化成电荷(直接转化直接辐射照相法-DCDR)或以间接方式转化成电荷(间接转化直接辐射照相法-ICDR)。
在直接转化直接辐射照相法中，RFPDs将X-射线直接转化成电荷。X-射线与光导层例如非晶硒(a-Se)直接相互作用。
在间接转化直接辐射照相法中，RFPDs具有闪烁磷光体例如CsI:Tl或Gd2O2S，其将X-射线转化成光，光随后与非晶硅(a-Si)半导体层相互作用，在其中产生电荷。
所产生的电荷经由包括薄膜晶体管(TFTs)的开关阵列收集。晶体管逐行且逐列地开启以读出检测器的信号。电荷转变成电压，电压转化为数位，该数位储存在可用以产生软拷贝或硬拷贝图像的计算机文件中。近来，互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器在X-射线成像中变得重要。基于CMOS的检测器已经用于乳房造影、牙科、荧光检查、心脏病学和血管造影图像中。使用那些检测器的优势在于读出速度高且电子噪声低。
一般而言，包括作为开关阵列的TFTs和光电二极管(在ICDR的情况下)的成像阵列沉积在薄玻璃基材上。在玻璃基材上的闪烁体或光导体和成像阵列的组件不吸收来自X-射线源且穿透诊断的目标物的所有一次辐射。因此，安置在该组件下的电子件暴露于某一分数的一次X-射线辐射。因为该电子件对辐射不足够坚固，所以该穿透的辐射可能造成损伤。
此外，未被玻璃基材上的闪烁体或光导体和成像阵列的组件吸收的X-射线可吸收在玻璃基材下面的结构中。在这些结构中吸收的一次辐射产生各向同性发射且因此暴露检测器的成像部分的二次辐射。二次辐射被称作“反向散射”且可暴露检测器的成像部分图像，由此将伪迹引入重建图像中。因为在组件下的空间并未均质地填充，所以散射辐射的量是位置依赖性的。散射辐射的一部分在闪烁体或光导体和成像阵列的组件方向上发射且可贡献记录的信号。因为该贡献在空间上不均匀，所以该贡献将在图像中产生雾度，且因此减小动态范围。其还将产生图像伪迹。
为了避免对电子件的损伤和由散射辐射引起的图像伪迹，X-射线屏蔽件可在闪烁体或光导体和成像阵列的组件下面应用。由于其高密度和对X-射线的高固有阻止能力，将具有高原子序数的金属用作这类X-射线屏蔽件中的材料。这些的实例为如在EP1471384B1、US2013/0032724A1和US2012/0097857A1中公开的来自钽、铅或钨的片材或板。
然而，具有高原子序数的金属也具有高密度。因此，基于这些材料的X-射线屏蔽件具有高重量。重量是RFPD的重要特性，特别是对于RFPDs的可携带性而言。因此，任何重量减小都对例如医务人员的RFPDs使用者有益。
US7317190B2公开了包含辐射吸收材料以降低X-射线检测器的后盖的X-射线反射的辐射吸收X-射线检测器面板支持物支持物。含有重原子例如铅、硫酸钡和钨的吸收材料可经由化学气相沉积技术作为膜布置到刚性面板支持物上或者可经由用用以制造刚性面板载体支持物的基体材料注射成型来混合。
在US5650626中，公开了X-射线成像检测器，其包括支撑转化和检测单元的基材。所述基材包括一种或多种具有大于22的原子序数的元素。因为检测器阵列直接沉积在基材上，所以基材的合适材料的品种相当有限。
在US5777335中，公开了成像装置，其包括基材，优选含有选自由Pb、Ba、Ta或W形成的组的金属的玻璃。根据该发明人，使用该玻璃将不需要基于铅的另外X-射线屏蔽件。然而，含有足够量的来自由Pb、Ba、Ta或W形成的组的金属的玻璃比通常用作用于成像阵列的基材的玻璃更昂贵。
US7569832公开了辐射照相成像装置，即RFPD，其包括两个各自具有不同厚度的作为闪烁体的闪烁磷光体层和在这两层之间透射X-射线的基材。在基材的相对侧使用另外的磷光体层改进X-射线吸收，同时维持空间分辨率。如所公开的另外磷光体的存在并不足以吸收所有一次X-射线辐射，无法防止下层电子件的损伤以及防止反向散射。在该RFPD的设计中将仍然需要额外的X-射线屏蔽件。
在US2008/011960A1中，要求保护双筛选数字辐射照相设备。该设备由各自包括捕获并处理X-射线的闪烁磷光体层的两个平板检测器(前面板和后面板)。在后面板中的闪烁磷光体层促进图像形成且并不充当保护下层电子件的X-射线屏蔽件。该双筛数位平板还需要X-射线屏蔽件来保护下层电子件并避免由散射辐射引起的图像伪迹。
WO2005057235A1描述用于X-射线检测器的屏蔽件，其中铅或另一合适材料布置在CT-装置中的处理电路前面。
WO20051055938公开了轻重量膜，其具有至少相当于0.254mm铅的X-射线吸收且必须应用在用于个人辐射防护或衰减的服装或织物例如围裙、盾状屏蔽件、性腺屏蔽件、手套等上。所述膜由包含高原子量金属或其有关化合物和/或合金的聚合物胶乳混合物得到。合适的金属为具有大于45的原子序数的金属。没有提到在RFPD中使用该轻重量膜。尽管要求保护了轻重量膜，但是在膜组合物中使用的金属颗粒仍然促导致屏蔽件重量往高发展。
US6548570公开了待施用于用于个人辐射防护的衣服或织物上的辐射屏蔽组合物。所述组合物包含聚合物(优选为弹性体)和作为填料的其量占组合物重量的至少80%的具有高原子序数的金属的均质分散的粉末。将装载材料与填充材料混合并在低于180℃的温度下与弹性体捏合，产生可在工业规模上均质地施用到衣服和织物上的辐射屏蔽组合物。然而，金属的使用显著增加本发明的屏蔽件的重量。
WO2009/0078891公开了具有高辐射屏蔽性能和优良经济效率的不含铅及其他有害组分的辐射屏蔽片材。所述片材通过将屏蔽材料填充到有机聚合物材料中形成，所述屏蔽材料为含有至少一种选自镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)和钆(Gd)的元素的氧化物粉末且所述聚合物为例如橡胶、热塑性弹性体、聚合物树脂或类似物的材料。相对于片材的总体积而言，在辐射屏蔽片材中填充的屏蔽材料的体积量为40-80体积%。没有提到在RFPD中使用该轻重量膜。
根据上文论述，显而易见需要具有X-射线屏蔽件以保护下层电子件并吸收由下层结构生成的散射辐射以避免在成像区域中的图像伪迹的RFPD，而其具有低重量、低成本且可以经济有效的方式制造。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供具有单个成像阵列的辐射照相平板检测器中X-射线屏蔽件的高重量贡献的解决方案且同时提供以经济有效方式制造X-射线屏蔽件的解决方案。所述目的已经通过如权利要求1限定的辐射照相平板检测器达到。所述X-射线屏蔽件为如权利要求1限定的第二基材和X-射线吸收层的组合。
如权利要求1限定的RFPD的另外优势为可以连续方式调节所述X-射线屏蔽件的厚度以达到所需要程度的X-射线屏蔽效果，而不是像在具有标准厚度的市售屏蔽金属片材的情况下那样以较大步伐调节。尽管可购买具有定制厚度的板，但是由于定制，那些金属板的价格仍然非常高。
根据本发明的另一方面，所述X-射线屏蔽件的组成产生X-射线吸收层，其在机械上足够坚固以避免用第二基材密封所述层或不需要昂贵的成型技术。此外，所述X-射线屏蔽件包括第二基材，而所述X-射线屏蔽件贡献整个RFPD的机械强度且更具体地而言贡献单个成像阵列的薄脆玻璃基材的机械强度。
根据另一方面，本发明包括制造辐射照相平板检测器的方法。所述方法包括提供基材和在所述基材上涂布具有至少一种具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的基料。
本发明的其他特征、元件、步骤、特性和优势从本发明的优选实施方案的以下详细说明中将变得更加显而易见。本发明的具体实施方案还在从属权利要求中限定。
附图简述
图1代表根据本发明的一个实施方案的RFPD和下层电子件的横截面，其中：
1为闪烁体或光导层
2为单个成像阵列
3为第一基材
4为第二基材
5为X-射线吸收层
6为下层电子件。
图2代表根据本发明的一个实施方案的RFPD的横截面，其中：
1为闪烁体或光导层
2为单个成像阵列
3为第一基材
4为第二基材
5为X-射线吸收层
6为下层电子件
实施方案的描述
本发明涉及包括闪烁体或光导层、在第一基材上的单个成像阵列和具有涂布在基材(第二基材)上的包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的X-射线吸收层的X-射线屏蔽件。
X-射线吸收层
已经发现通过使用包含基料和一种或多种具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的层可制成具有与仅由金属组成的X-射线屏蔽件相同的X-射线阻挡止能力但具有比其明显轻的重量的X-射线屏蔽件。优选这些化合物为原子序数为20或更高的金属的氧化物或盐，例如卤化物、氧硫化物、亚硫酸盐、碳酸盐。可在本发明的范围内使用的原子序数高于20的合适金属元素的实例有例如钡(Ba)、钙(Ca)、铈(Ce)、铯(Cs)、钆(Gd)、镧(La)、镥(Lu)、钯(Pd)、锡(Sn)、锶(Sr)、碲(Te)、钇(Y)和锌(Zn)的金属。本发明的又一优势在于这些化合物相对廉价且以低毒性为特征。
具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的优选化合物的实例有碘化铯(CsI)、氧硫化钆(Gd2O2S)、氟溴化钡(BaFBr)、钨酸钙(CaWO4)、钛酸钡(BaTiO3)、氧化钆(Gd2O3)、氯化钡(BaCl2)、氟化钡(BaF2)、氧化钡(BaO)、氧化铈、硝酸铯(CsNO3)、氟化钆(GdF2)、碘化钯(PdI2)、二氧化碲(TeO2)、碘化亚锡、氧化锡、硫化钡、碳酸钡(BaCO3)、碘化钡、氯化铯(CsCl)、溴化铯(CsBr)、氟化铯(CsF)、硫酸铯(Cs2SO4)、卤化锇、氧化锇、硫化锇、卤化铼、氧化铼、硫化铼、BaFX(其中X代表Cl或I)、RFXn(其中RF代表选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的镧系元素且X代表选自F、Cl、Br、I的卤离子)、RFyOz、RFy(SO4)z、RFySz和/或RFy(WO4)z，其中n、y、z独立地为大于1的整数。这些化合物可制造较低重量的X-射线屏蔽件且由于其比其纯金属类似物低的吸湿性而易于操作。最优选的金属化合物有：Gd2O2S、Gd2O3、Ce2O3、CsI、BaFBr、CaWO4、YTaO4和BaO。
本发明的另一优势在于可用于所述X-射线吸收层的金属元素的范围比纯金属和/或合金的相应范围大得多，这是因为它们中的许多在其元素形式下不稳定。实例有碱金属、碱土金属和稀土金属。另外，本发明的X-射线屏蔽件允许以参考衰减辐射所需要的容许剂量限制确定X-射线吸收层的厚度的方式对X-射线设备进行灵活调节。
具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物可作为分散在基料中的粉末用于本发明的X-射线吸收层中。在所述X-射线吸收层中所述基料以重量%计的量可在1%-50%、优选1%-25%、更优选1%-10%、最优选1%-3%的范围内变化。
合适的基料例如为有机聚合物或无机连接组分。合适有机聚合物的实例为聚乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸(acrylic acid)、丁烯酸、丙烯酸(propenoic acid)、氨基甲酸酯丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯、共聚酯四丙烯酸酯、甲基化三聚氰胺、乙酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯。还可使用无机连结组分。合适无机连结组分的实例为氧化铝、二氧化硅或氧化铝纳米粒子、磷酸铝、硼酸钠、磷酸钡、磷酸、硝酸钡。
优选的基料为有机聚合物，例如乙酸丁酸纤维素、聚(甲基)丙烯酸烷酯、聚乙烯基-正丁缩醛、聚(乙酸乙烯酯-共-氯乙烯)、聚(丙烯腈-共-丁二烯-共-苯乙烯)、聚(氯乙烯-共-乙酸乙烯酯-共-乙烯醇)、聚(丙烯酸丁酯)、聚(丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯基缩丁醛)、偏苯三酸、丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、聚异戊二烯和/或其混合物。优选所述基料包括一种或多种具有来自聚丁二烯或聚异戊二烯的饱和橡胶嵌段的苯乙烯-氢化二烯嵌段共聚物，其作为橡胶状和/或弹性体聚合物。根据本发明可作为嵌段-共聚基料使用的特别合适的热塑性橡胶为KRATON™ G橡胶，KRATON™为得自SHELL的商品名称。
如果X-射线吸收层的涂层待固化，则所述基料优选包括可聚合的化合物，其可为单官能或多官能单体、低聚物或聚合物或其组合。所述可聚合化合物可包含一个或多个可聚合基团，优选可自由基聚合的基团。可采用在本领域中通常已知的任何可聚合的单或寡官能单体或低聚物。优选的单官能单体描述在EP1637322 A [0054]-[0057]段中。优选的寡官能单体或低聚物描述在EP1637322A [0059]-[0064]段中。特别优选的可聚合化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯和1,6-己二醇二丙烯酸酯。所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯为低聚物，其可具有一个、两个、三个或更多个可聚合的基团。
在制备所述X-射线吸收层的涂布溶液期间溶解作为有机聚合物的基料的合适溶剂可为丙酮、己烷、乙酸甲酯、乙酸乙酯、异丙醇、甲氧基丙醇、乙酸异丁酯、乙醇、甲醇、二氯甲烷和水。最优选的溶剂为甲苯、甲基乙基酮(MEK)和甲基环己烷。为了溶解合适的无机连结组分，优选水作为主溶剂。在可固化涂布液体的情况下，可将一种或多种单和/或双官能单体和/或低聚物用作稀释剂。充当稀释剂的优选单体和/或低聚物可与上述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物混溶。作为稀释剂使用的一种或多种单体或低聚物优选为一种或多种低粘度丙烯酸酯单体。
本发明的X-射线吸收层还可包含另外的化合物，例如分散剂、增塑剂、光引发剂、光可固化的单体、抗静电剂、表面活性剂、稳定剂、氧化剂、粘合剂、封端剂和/或弹性体。
可在本发明中使用的分散剂包括非表面活性聚合物或表面活性物质，例如表面活性剂，将其加到基料中以改进具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的颗粒的分离并进一步防止在涂布溶液中沉降或结块。分散剂的合适实例为得自Sakyo的Stann JF95B和得自Daniel Produkts Germany的Disperse Ayd™ 1900。将分散剂加到X-射线吸收层的涂布溶液中进一步改进所述层的均质性。
增塑剂的合适实例为得自BASF的Plastilit™ 3060、得自Solutia Europe的Santicizer™ 278和得自BASF的Palatinol™ C。在所述X-射线吸收层中增塑剂的存在改进与挠性基材的相容性。
合适的光引发剂公开在例如J.V. Crivello等“Photoinitiators for FreeRadical, Cationic & Anionic Photopolymerisation 2nd edition (用于自由基、阳离子和阴离子光聚合的光引发剂，第2版)”, Wiley/SITA Series in Surface CoatingsTechnology的第III卷，由G. Bradley编辑且在1998年由John Wiley and Sons LtdLondon出版，276-294页中。合适光引发剂的实例可为得自Rahn的Darocure™ 1173和Nuvopol™ PI-3000。合适抗静电剂的实例可为得自Acris的Cyastat™ SN50和得自Langer的Lanco™ STAT K 100N。
合适表面活性剂的实例可为Dow Corning™ 190和Gafac RM710、得自Rodia的Rhodafac™ RS-710。合适的稳定剂化合物的实例可为得自ICI Surfactants的Brij™ 72和得自Baerlocher Italia的Barostab™ MS。合适氧化剂的实例可为得自Riedel De Haen的氧化铅(IV)。合适粘合剂的实例可为得自Cray Valley的Craynor™ 435和得自Noveon的Lanco™ wax TF1780。合适封端剂的实例可为得自Baxenden的Trixene™ BI7951。合适弹性体化合物的实例可为得自Schramm的Metaline™。
所述X-射线吸收层的厚度也可变化且取决于必要的屏蔽能力和/或在RFPD设计中可用以结合X-射线屏蔽件的空间。在本发明中，所述X-射线吸收层的厚度可为至少0.1mm，更优选在0.1mm-1.0mm范围内。
根据应用，可调节所述X-射线屏蔽件的具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的涂层重量，且在使用RFPD用于医学用途的情况下，该涂层重量优选为至少100mg/cm2，更优选为至少200mg/cm2。
用于X-射线吸收层的基材
根据本发明的X-射线屏蔽件的X-射线吸收层的基材，在下文中指示为第二基材，可为刚性或挠性的，例如铝板；铝箔；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)的膜；金属箔片；碳纤维增强塑料(CFRP)片材；玻璃；挠性玻璃；三醋酸酯及其组合或其层合物。用于本发明的第二基材的优选材料为PET、玻璃和铝，这归因于其低重量、低成本和利用度。
本发明的合适基材还包括通过将光吸收或光反射材料合并到基材中而基本不透光的基材。
更优选的基材为由例如PET、铝或挠性玻璃得到的挠性片材。将X-射线吸收层施用到如上所述的基材(第二基材)上优选借助于涂布方法进行。涂布是将一个或多个层施用到基材上的经济有效的技术。借助于涂布技术，所述X-射线吸收层可与光吸收或光反射层、粘合层等一起施用。挠性基材特别适合连续涂布方法。此外，挠性基材可作为卷使用且它们可在涂布和干燥或固化的制造方法中卷绕和退卷。
可使用白色层来射由在所述X-射线吸收层中的闪烁磷光体发射的光。包含TiO2的层优选用以反射在由所述闪烁磷光体发射的光的一种或多种波长下的90%或更多的光。在所述光反射层中TiO2的固含量优选在25-50(重量)%范围内，且厚度优选在5-40µm范围内。更优选所述TiO2的固含量为所述层的总固含量的33-38(重量)%且层厚度为13-30µm。
在本发明的另一优选实施方案中，由于其高吸光效率，可使用黑色层以吸收由所述X-射线吸收层中的闪烁磷光体发射的光。黑色颗粒例如碳黑细粉(象牙黑、钛黑、铁黑)适合得到由闪烁磷光体发射的光的充分吸收。优选碳黑的固含量在3-30(重量)%范围内且2-30µm的层厚度将吸收90%或更多的由所述闪烁磷光体发射的光。更优选所述碳黑的固含量的范围为6-15(重量)%且层厚度为5-15µm。在本发明的另一实施方案中，可使用特别是在由在所述X-射线吸收层中的闪烁磷光体发射的光的最大波长下吸收的有色颜料或染料。
闪烁体
在根据本发明用于间接转化直接辐射照相法的RFPD中，所述闪烁体任选包括载体和提供在其上的闪烁磷光体，例如Gd2O2S:Tb、Gd2O2S:Eu、Gd2O3:Eu、La2O2S:Tb、La2O2S、Y2O2S:Tb、CsI:Tl、CsI:Eu、CsI:Na、CsBr:Tl、NaI:Tl、CaWO4、CaWO4:Tb、BaFBr:Eu、BaFCl:Eu、BaSO4:Eu、BaSrSO4、BaPbSO4、BaAl12O19:Mn、BaMgAl10O17:Eu、Zn2SiO4:Mn、(Zn,Cd)S:Ag、LaOBr、LaOBr:Tm、Lu2O2S:Eu、Lu2O2S:Tb、LuTaO4、HfO2:Ti、HfGeO4:Ti、YTaO4、YTaO4:Gd、YTaO4:Nb、Y2O3:Eu、YBO3:Eu、YBO3:Tb或(Y,Gd)BO3:Eu或其组合。除了结晶闪烁磷光体之外，还可使用闪烁玻璃或有机闪烁体。
当在适当条件下蒸发时，掺杂CsI的层将以具有高充填密度的针状、密堆积结晶的形式冷凝到载体上。这种柱状或针状闪烁磷光体在本领域中已知。参见，例如ALN Stevels等，“Vapor Deposited CsI:Na Layers: Screens for Application in X-Ray ImagingDevices (蒸气沉积的CsI:Na层：在X-射线成像装置中应用的筛选)” , Philips ResearchReports 29:353-362 (1974)；和T. Jing等，“Enhanced Columnar Structure in CsILayer by Substrate Patterning (通过基材图案化在CsI层中的增强的柱状结构)”,IEEE Trans. Nucl. Sci. 39: 1195-1198 (1992)。更优选所述闪烁磷光体层包含掺杂的CsI。
还可使用不同闪烁磷光体的共混物。中值粒度通常为约0.5µm-约40µm。出于配制简易性以及优化例如速度、清晰度和噪音的性质，优选1µm-约20µm的中值粒度。用于本发明的实施方案的闪烁体可使用常规涂布技术制备，籍此将例如Gd2O2S的闪烁磷光体粉末与基料材料的溶液混合并借助于刮刀涂布机涂布到基材上。所述基料可选自透射X-射线、激发并发射光的多种已知有机聚合物。在本领域中通常采用的基料包括聚(乙烯醇)的邻磺基苯甲醛缩醛钠；氯-磺化聚(乙烯)；大分子双酚聚(碳酸酯)与包含双酚碳酸酯和聚(环氧烷)的共聚物的混合物；水性乙醇可溶性尼龙；聚(丙烯酸烷酯和甲基丙烯酸烷酯)和聚(丙烯酸烷酯和甲基丙烯酸烷酯与丙烯酸和甲基丙烯酸)的共聚物；聚(乙烯基缩丁醛)；和聚(氨基甲酸酯)弹性体。可使用的其他优选基料在上文中在X-射线吸收层的章节中描述。可采用任何磷光体与基料的常规比率。通常，当采用高重量比的磷光体:基料时，闪烁磷光体层越薄，获得的图像越清晰。优选在约70:30至99:1范围内的磷光体:基料重量比。
光导层
在根据本发明用于直接转化直接辐射照相法的RFPD中，尽管可使用例如HgI2、PbO、PbI2、TlBr、CdTe和钆化合物的其他光导体，但所述光导层通常为非晶硒。所述光导层优选经由气相沉积而沉积在成像阵列上，但也可使用任何合适的涂布方法涂布。
成像阵列和第一基材
在本发明中用于间接转化直接辐射照相的单个成像阵列基于间接转化方法，其使用若干物理组件以将X-射线转化成光，所述光随后转化成电荷。第一部件为将X-射线转化成光(光子)的闪烁磷光体。将光进一步导向非晶硅光电二极管层，其将光转化成电子并产生电荷。收集电荷并由存储电容器储存。邻近非晶硅的薄膜晶体管(TFT)阵列读出电荷并产生图像。合适图像阵列的实例公开在US5262649和Samei E.等的“General guidelines forpurchasing and acceptance testing of PACS equipment (PACS设备的购买和验货测试的通用指导)”, Radiographics, 24, 313-334中。优选可使用如在US2013/0048866的[90-125]段和US2013/221230的[53-71]和[81-104]段中描述的成像阵列。
在本发明中用于直接转化直接辐射照相法的单个成像阵列基于将X-射线光子直接转化成电荷的直接转化方法。在该阵列中，在位于光导体层上面的顶部电极和TFT元件之间产生电场。随着X-射线攻击光导体，产生电荷且电场促使电荷向TFT元件移动，在TFT元件收集电荷并由存储电容器储存。合适图像阵列的实例由Samei E.等，“General guidelinesfor purchasing and acceptance testing of PACS equipment (PACS设备的购买和验货测试的通用指导)”, Radiographics, 24, 313-334公开。.
对于直接转化方法和间接转化方法两者，电荷必须由读出电子件读出。在其中生成并储存的电荷被逐行读出的读出电子件的实例由Samei E.等，Advances in DigitalRadiography. RSNA Categorical Course in Diagnostic Radiology Physics (49-61页) Oak Brook, III公开。
本发明的成像阵列的基材(在下文中表示为“第一基材”)通常为玻璃。然而，还可使用在由塑料、金属箔片制成的基材上制造的成像阵列。所述成像阵列可由氮化硅或例如含氟聚合物、聚酰亚胺、聚酰胺、聚氨酯和环氧树脂的基于聚合物的涂料层保护免受湿气和环境因素影响。并且，可使用基于B-级双苯并环丁烯基(BCB)单体的聚合物。或者，还可使用具有低介电常数的多孔无机电介质。
下层电子件
位于所述X-射线吸收层下的下层电子件包括电路板，所述电路板装备有用于处理来自所述成像阵列的电信号和/或控制所述成像阵列的驱动器的电子部件并电连接到所述成像阵列。
制造放射照相平板检测器的方法
制造X-射线屏蔽件的方法
本发明的X-射线屏蔽件可通过采用例如刀片涂布、刮刀涂布、旋涂、浸涂、喷涂、丝网印刷和层合的任何已知方法将包含至少一种具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物和基料的涂布溶液涂覆到基材(第二基材)上得到。最优选的方法为刮刀涂布。
在一个优选的实施方案中，所述涂布溶液通过首先将基料溶解于合适溶剂中来制备。向该溶液中加入具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。为了得到均质的涂布溶液或涂漆，在制备方法中可包括混合物的均质化步骤或研磨步骤。可在与具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物混合之前将分散剂加到基料溶液中。所述分散剂改进颗粒在涂布溶液中的分离并防止成分在涂布溶液中沉降或结块。将分散剂加到X-射线吸收层的涂布溶液中减小了涂布溶液的表面张力并改进X-射线吸收层的涂层质量。
在本发明的另一实施方案中，为可聚合化合物的基料可溶解于包含一种或多种单和/或双官能单体和/或低聚物的稀释剂中。
在搅拌或均质化之后，涂布溶液优选使用涂布刀片或刮刀涂覆到基材上。所述基材可为第一基材或第二基材。如果涂布溶液涂布在第一基材上，则所述涂布优选在与所述成像阵列相对的侧上进行。在将所述X-射线吸收层涂布到基材上之后，所述X-射线吸收层可经由IR源、UV源、加热的金属辊或热空气干燥。当在所述涂布溶液中使用光可固化的单体时，涂布的层可经由加热或经由UV源固化。在干燥或固化之后，可将在第二基材上涂布的X-射线屏蔽件切割成适当尺寸的片材。
关于在X-射线的医疗设备和非破坏性试验设备中的屏蔽电子件，可使用包括基材和X-射线吸收层的所得到的X-射线屏蔽件，所述X-射线吸收层包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。所述X-射线吸收层与基材的组合给予将在医疗装置或非破坏性试验装置中作为自备部件使用的整个X-射线屏蔽件足够的机械强度。
制造用于间接转化直接辐射照相法的RFPD的方法
根据本发明的用于间接转化直接辐射照相法的RFPD通过组装上文描述的不同部件来制造。现在描述优选的方法。
在第一步骤中，包括闪烁磷光体和载体的闪烁体经由胶粘连接在位于优选为玻璃的第一基材上的单个成像阵列上。胶粘用压敏粘合剂或热熔体进行。优选使用热熔体。热熔体的合适实例有聚乙烯-乙酸乙烯酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酯、聚氨酯、苯乙烯嵌段共聚物、聚碳酸酯、含氟聚合物、硅酮橡胶、聚吡咯。由于较高的耐热性和稳定性，最优选的热熔体为聚烯烃和聚氨酯。所述热熔体优选薄于25µm。具有衬里的热熔体置放到所述成像阵列的表面上。在第一基材上的成像阵列以及热熔体随后在烘箱中在指定温度下加热。在冷却之后，将衬里除去并释放具有自由粘合侧的熔融的热熔体。所述闪烁体通过使闪烁磷光体层与热熔体的粘合侧接触且通过施加高温高压涂覆而连接到所述成像阵列。为了在成像阵列的全部区域上实现良好的粘着，必须应用0.6-20巴的压力且需要80-220℃的温度值历时10-1000秒。籍此形成闪烁体-成像阵列-第一基材的堆叠。在本发明的一个优选的实施方案中，该堆叠可安置在下层电子件之上，该下层电子件执行来自成像阵列的电信号的处理或成像阵列的驱动器的控制。
在最后步骤中，所述X-射线屏蔽件在所述单个成像阵列的相对侧上连接到所述第一基材。所述X-射线屏蔽件的第二基材或X-射线吸收层可与所述第一基材接触。优选的方法为，在所述接触之后，使用具有防护能力的箔片通过冷轧层合或热轧层合使得到的堆叠的部件固定。最合适的箔片为具有最大100µm的厚度的基于聚乙烯、聚酯、聚氯乙烯或丙烯酸的箔片。另一优选方法为使用压敏胶粘剂或热熔体。具有衬里的热熔体置放到所述X-射线屏蔽件的基材(第二基材)或X-射线吸收层上。随后将所述X-射线屏蔽件优选在烘箱中在指定温度下加热。在冷却之后，将衬里除去并释放具有自由粘合侧的熔融的热熔体。所述X-射线屏蔽件通过使所述堆叠的第一基材与所述热熔体的粘合侧接触且通过施加高温高压连接到所述成像阵列。为了在部件的待胶粘的全部区域上实现良好的粘着，必须应用0.6-20巴的压力且需要80-220℃的温度值历时10-1000秒。
在本发明的一个优选的实施方案中，所述闪烁磷光体经由涂布或沉积方法直接涂覆在单个成像阵列上。该方法具有如下优势：不需要胶粘且因此省略在RFPD的制造方法中的至少一个步骤。
制造用于直接转化直接辐射照相法的RFPD的方法
根据本发明的用于直接转化直接辐射照相法的FPD通过组装上文描述的不同部件来制造。
一种优选的方法如下：将优选为非晶硒的光导体沉积到位于优选为玻璃的第一基材上的单个成像阵列上。沉积方法的实例公开在Fischbach等，“Comparison of indirectCsI/a:Si and direct a:Se digital radiography (间接CsI/a:Si与直接a:Se数字辐射照相法的比较)”，Acta Radiologica 44 (2003) 616-621中。在光导层上面提供顶部电极之后，具有光导体的单个成像阵列与X-射线屏蔽件连接。这可根据如对于制造用于间接转化直接辐射照相法的RFPD所描述相同的方法进行。
实施例
1.测量方法
1.1 X-射线屏蔽件的X-射线屏蔽能力
根据本发明的X-射线屏蔽件(INV)和市售的基于金属的X-射线屏蔽件(COMP)的X-射线屏蔽能力基于在X射线曝光和显影之后置放在闪烁体和X-射线屏蔽件之间的辐射照相胶片的光学密度的测量来测量。所述辐射照相胶片自Agfa Healthcare 购得(AGFAHDRC1824)且为具有一个辐射敏感侧的绿色敏感性胶片。X-射线曝光用PhilipsOptimus 80 X-射线源执行。X-射线屏蔽件通常安置在以下构造中：包括印刷电路板(PCB)、铅条和PMMA块的闪烁体-辐射照相胶片-X射线屏蔽件-散射元件。该构造被称作RFPD的标准构造。所使用的默认闪烁磷光体为市售GOS闪烁体(CAWO Superfine 115 SW，得自CAWO)。使闪烁磷光体层与辐射照相胶片的辐射敏感性侧接触。RFPD的下层电子件通过具有离散部件的PCB、铅条和聚甲基丙烯酸甲酯块来模拟。由于其很高的散射性质，使用聚(甲基丙烯酸甲酯)。
为了实现在部件之间的良好接触，各X-射线屏蔽件以及闪烁体和辐射照相胶片借助于真空密封在黑色聚乙烯袋(PE，B型，260×369 mm，0.19mm厚，得自Cornelis Plastic)中。除非另作说明，否则X-射线屏蔽件的基材始终与辐射照相胶片的非辐射敏感性侧接触。以该方式制备的封装被称作基础RFPD。
将X-射线源、该基础RFPD和散射元件安装在水平实验台上。基础RFPD置放在距X-射线源1.5米处。在基础RFPD后面，PMMA块、3mm厚的铅条和PCB彼此挨着置放以模拟RFPD的下层电子件。在散射元件和基础RFPD之间的距离小于0.2cm。对照测量用在RFPD后面没有散射元件的基础RFPD构造进行。
采用标准辐射，使用以下X-射线束品质：RQA3 (10mm Al，52kV)、RQA5 (21mm Al，73kV)、RQA7 (30mm Al，88kV)和RQA9 (40mm Al，117kV)，RQA X-射线束品质如在IEC标准61267，第一版(1994)中定义。
在曝光之后，各胶片在G138i (Agfa Healthcare)中在33℃下显影90秒且将其置放在TR-924型MacBeth光密度计中以测量光学密度。所测得的光学密度越高，发生的X-射线的反向散射越多。
1.2. 称量X-射线屏蔽件：
根据本发明制备的X-射线屏蔽件(INV)和比较X-射线屏蔽件(COMP)在实验室级别(Mettler Toledo PG5002-S)以0.01g的分辨率测量。
1.3. X-射线屏蔽件的X-射线吸收：
X-射线屏蔽件的X-射线吸收用Philips Optimus 80设备以及具有30立方厘米体积池的Triad剂量计测量。测量池距X-射线源1.5米直接置放在X-射线屏蔽件后面。在两种情况下置放X-射线屏蔽件使其基材对着X-射线源。多次收集每次筛选的数据且计算平均值以及标准偏差。
除非另作说明，否则所有试验都在以下标准辐射X-射线束品质(RQA X-射线束品质，如在IEC标准61267，第一版(1994)中定义)：RQA3 (10mm Al，52kV)、RQA5 (21mm Al，73kV)、RQA7 (30mm Al，88kV)和RQA9 (40mm Al，117kV)下进行。
2.材料
除非另作说明，否则在以下实施例中使用的材料均容易地自例如ALDRICHCHEMICAL Co. (Belgium)、ACROS (Belgium)和BASF (Belgium)的标准来源购得。除非另作说明，否则所有材料都在不进一步纯化的情况下使用。
•氧硫化钆(Gd2O2S)或GOS：(CAS 12339-07-0)，粉末，自Nichia得到，平均粒度：3.3µm。
• CaWO4，粉末自Nichia得到，平均粒度：7.0µm。
• YTaO4，粉末自Nichia得到，平均粒度：4.4µm。
•白色PET基材：自Mitsubishi以商品名称Hostaphan WO得到的具有0.19mm的厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
•黑色PET基材：自Toray以商品名称Lumirror X30得到的具有0.188mm的厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
• Disperse Ayd™ 9100(Disperse Ayd™ W-22)，阴离子表面活性剂/脂肪酸酯分散剂(得自Daniel Produkts Company)。
• Kraton™ FG1901X(新名称 = Kraton™ FG1901 GT)，具有30%的聚苯乙烯含量的基于苯乙烯和乙烯/丁烯的透明线性三嵌段共聚物，得自Shell Chemicals。
• Default GOS闪烁体，CAWO Superfine 115 SW，得自CAWO。
•碘化铯(CsI)：(CAS 7789-17-5)，粉末，得自Rockwood Lithium，99.999%。
• Aluminium 318G：具有0.3mm的厚度的得自Alanod的板。
•成像阵列：具有0.7mm的厚度的在Corning Lotus™玻璃上的TFT(根据US2013/0048866，[90-125]段；和US2013/221230，[53-71]和[81-104]段)。
•辐射照相胶片：AGFAHDRC1824，得自Agfa Healthcare。
• PMMA：聚(甲基丙烯酸甲酯)，7cm厚，30×30cm，符合ISO 9236-1标准。
•铅条：13cm×2.5cm，厚度为0.3cm。
• PCB：13cm×4.5cm。
3.制备X-射线屏蔽件
3.1 制备用于涂布X-射线吸收层的溶液：
将4.5g基料(KratonTM FG1901X)溶解于18g的甲苯和MEK(比率75:25重量/重量)的溶剂混合物中并以1900r.p.m的速率搅拌15分钟。此后将具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物作为粉末以200g的量加入且将混合物以1900r.p.m的速率再搅拌30分钟。
3.2 制备X-射线屏蔽件SD-01至SD-20(INV)
如在§1.1中得到的涂布溶液用刮刀以4m/min的涂布速度涂布到若干PET基材(白色和黑色)上，以得到100-450µm的不同干燥层厚度变量，从而得到X-射线屏蔽件SD-01至SD-20(参见表1)。接着，将X-射线屏蔽件在室温下干燥30分钟。为了尽可能地除去挥发性溶剂，将涂布的X-射线屏蔽件在干燥烘箱中在60℃下干燥30分钟且再次在90℃下干燥20-30分钟。X-射线吸收层的总厚度通过调节湿层厚度和/或在干燥各层之后在彼此之上涂布的层的数目来控制。湿层厚度为220µm-1500µm。所得到的屏蔽件的尺寸为18cm×24cm。
在涂布之后，将各X-射线屏蔽件称重且具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的涂层重量通过应用式1得到。结果记录在表1中：
式1
其中：
WF为X-射线屏蔽件的重量(第二基材 + X-射线吸收层)，
WS为X-射线屏蔽件的基材(第二基材)的重量，
AS为基材(第二基材)的表面积，
P%为在X-射线吸收层中具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物的以重量%计的量。
3.3 钼X-射线屏蔽件SD-21(COMP)
由钼板组成的X-射线屏蔽件由市场上市售可得的RFPDs之一得到。钼板的厚度为0.3mm且尺寸为18cm×24cm。所述钼板不含基材。所述板的组成为99.85%(重量)的Mo和低于0.05%(重量)的Na、K、Ca、Ni、Cu和Bi。
该Mo板的涂层重量基于式1计算，考虑P%为100且WS为0。Mo板的计算涂层重量的结果(在下文表示为SD-21)记录在表1中。
表1：本发明的X-射线屏蔽件(SD-01至SD-20)的涂层重量和在比较X-射线屏蔽件(SD-21)中的Mo的涂层重量。
表1
3.4 在有和没有分散剂的情况下制备X-射线屏蔽件
为了说明在基于GOS且在X-射线吸收层的涂布溶液中有或没有分散剂的情况下制备的X-射线屏蔽件之间的差别，根据在§3.1中描述的方法制备两种X-射线屏蔽件。在两种情况下，使用白色PET基材。对于两种屏蔽件，GOS的涂层重量为172mg/cm²。屏蔽件SD-00.1在涂布溶液中没有分散剂的情况下制备且SD-00.2在具有加到涂布溶液中的分散剂(Disperse Ayd™ 9100)的情况下制备。首先，将0.5g分散剂溶解于11.21g的具有75:25比率(w/w)的甲苯和甲基乙基酮(MEK)溶剂混合物中并与如在§3.1中制备的基料溶液混合。另外的制备步骤与在§3.1和§3.2中相同。两种屏蔽件的X-射线吸收根据测量方法3在RQA5 X-射线束品质和6.3mAs负载下测定。结果示于表2中。
表2：在有或没有分散剂的情况下制备的GOS X-射线屏蔽件的X-射线吸收
表2
如在表2中所示，在涂布溶液中存在分散剂的情况下制备的X-射线屏蔽件具有与在没有分散剂的情况下制备的X-射线屏蔽件相当的重量和X-射线吸收的更均质的X-射线吸收层。分散剂的存在对于屏蔽件的制备方法有利，因为其进一步降低表面张力并防止微米粒度颗粒的漂浮。
4.与对比屏蔽件相比较，本发明X-射线屏蔽件的X-射线屏蔽能力
与比较Mo板X-射线屏蔽件(SD-21)相比较，本发明的X-射线屏蔽件SD-17和SD-18的X-射线屏蔽能力因此根据测量方法1.1在RFPD的标准构造中测量。与比较Mo板X-射线屏蔽件(SD-21)相比较，本发明X-射线屏蔽件SD-19和SD-20的X-射线屏蔽能力根据测量方法1.1在其中散射元件由铅条和PMMA块组成的构造中测量。具有相同表面的X-射线屏蔽件根据测量方法1.2称重。结果示于表3中。
表3：本发明的X-射线屏蔽件与比较屏蔽件SD-21的辐射照相胶片相比较的辐射照相胶片的光学密度的差别。
表3
这些结果表明，本发明屏蔽件的屏蔽能力等于或高于基于钼板的比较X-射线屏蔽件，且在一些情况下其屏蔽能力仅稍低，但是其重量显著低于比较X-射线屏蔽件。
实施例1：制备包括不同X-射线屏蔽件的RFPD
用于间接转化直接辐射照相法的RFPD通过使闪烁体与在玻璃基材(CorningLotus™ Glass)上的上述成像阵列接触来制备。接着，使该封装与不同X-射线屏蔽件SD-01至SD-18和钼金属板SD-21接触。
为了保证在RFPDs的各层之间的良好光学接触，使用基于聚氨酯且厚度小于25µm的热熔体层。使用两种类型的闪烁体：i) 基于粉末的闪烁磷光体GOS (CAWO Superfine115 SW，得自CAWO)和ii) 具有120mg/cm2的CsI的涂层重量的沉积在铝318G基材上的基于针的闪烁磷光体CsI。基于CsI的闪烁体如下制备：将400g CsI置放在真空沉积室中的容器中。在所述腔室中的压力减小到5.10-5毫巴。接着将容器加热到680℃的温度且将CsI沉积在具有24cm×18cm的尺寸的铝载体Al318G上。在容器和基材之间的距离为20cm。在蒸发期间，将基材以12r.p.m.旋转并保持在140℃的温度下。在蒸发过程期间，将氩气引入腔室中。所述过程的持续时间为160分钟。在蒸发过程之后，将X-射线屏蔽件置放在烘箱中并在170℃下保持1小时。
将闪烁体首先连接到在玻璃上的成像阵列。所述连接通过将具有衬里的热熔体置放在玻璃上的成像阵列的表面上来实现。随后将具有成像阵列的玻璃置于烘箱中并在85℃的温度下保持10分钟。在冷却之后，将衬里除去以释放熔融的热熔体的粘合侧。接着，使闪烁体的闪烁磷光体层与热熔体的粘合表面在高温高压下接触。为了在全部区域之上实现良好粘着，在115℃的温度下应用在0.8巴范围内的压力15分钟。
在下一步骤中，X-射线屏蔽件连接到玻璃基材-成像阵列-闪烁体封装。将具有衬里的最大厚度为25µm的基于聚氨酯的热熔体置放到X-射线屏蔽件SD-01至SD-18的在与X-射线吸收层的相对侧的基材(第二基材)上。在使用比较屏蔽件SD-21的情况下，将热熔体直接施用在金属板的一侧上。将X-射线屏蔽件置于烘箱中并在80℃的温度下保持10分钟。在冷却之后，将衬里除去以释放熔融的热熔体的粘合侧。接着，使带有成像阵列和闪烁体的玻璃基材与热熔体的粘合表面在高温高压下接触。为了在全部区域之上实现良好粘着，在115℃的温度下应用0.8巴的压力15分钟。
以下RFPD已经根据上述方法制备：
a) DRGOS-01至DRGOS-18：GOS闪烁体 + GOS X-射线屏蔽件SD-01至SD-18，
b) DRCSI-01至DRCSI-18：CsI闪烁体 + GOS X-射线屏蔽件SD-01至SD-18，
c) DRGOS-19：GOS闪烁体+ Mo X-射线屏蔽件SD-21
d) DRCSI-19：CsI闪烁体+ Mo X-射线屏蔽件SD-21
实施例2：不同X-射线屏蔽件的X-射线屏蔽能力
该实施例说明以具有不同散射元件的RFPD的标准构造的具有不同涂层重量和不同基材(第二基材)的X-射线屏蔽件的X-射线屏蔽能力。因此，证明本发明的X-射线屏蔽件降低根据§3.1-3.3制备并以如在测量方法1.1中所述的标准RFPD构造组装的若干X-射线屏蔽件的反向散射的能力。将在标准RFPD构造中暴露的辐射照相胶片的光学密度与在没有散射元件的RFPD构造中暴露的辐射照相胶片的光学密度相比较。试验在如在测量方法1中描述的RQA X-射线束品质且在RQA3-12.5 mAs、RQA5-6.3 mAs、RQA7-5.6 mAs和RQA9-3mAs的负载下进行。表4示出所测得的X-射线屏蔽能力。
表4：相对于以没有散射元件的RFPD构造的X-射线屏蔽件而言以特定RFPD构造的X-射线屏蔽件的辐射照相胶片的光学密度的差别
表4
结果表明在RFPD中的所有本发明的X-射线屏蔽件能够降低来源于模拟RFPD的下层电子件的散射元件的X-射线的反向散射。

Claims (16)

1.辐射照相平板检测器，其包括以指定顺序的层构造：
a) 闪烁体或光导层(1)；
b) 单个成像阵列(2)；
c) 第一基材(3)；
d) X-射线屏蔽件，包括第二基材(4)和在所述第二基材的一侧上的X-射线吸收层(5)，
其特征在于所述吸收层(5)包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。
2.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述第二基材(4)基本上由选自铝、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚醚砜、碳纤维增强塑料、玻璃、三乙酸纤维素及其组合或其层合物的材料组成。
3.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述第二基材为挠性片材。
4.权利要求2的辐射照相平板检测器，其中所述第二基材为挠性片材。
5.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述层构造以如下指定顺序：
a) 闪烁体或光导层(1)；
b) 成像阵列(2)；
c) 第一基材(3)；
d) 第二基材(4)；
e) X-射线吸收层(5)。
6.权利要求2的辐射照相平板检测器，其中所述层构造以如下指定顺序：
a) 闪烁体或光导层(1)；
b) 成像阵列(2)；
c) 第一基材(3)；
d) 第二基材(4)；
e) X-射线吸收层(5)。
7.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述化合物选自CsI、Gd2O2S、BaFBr、CaWO4、BaTiO3、Gd2O3、BaCl2、BaF2、BaO、Ce2O3、CeO2、CsNO3、GdF2、PdI2、TeO2、SnI2、SnO、BaSO4、BaCO3、BaI、BaFX、RFXn、RFyOz、RFy(SO4)z、RFySz、RFy(WO4)z、CsBr、CsCl、CsF、CsNO3、Cs2SO4、卤化锇、氧化锇、硫化锇、卤化铼、氧化铼和硫化铼或其混合物，其中：
- X为选自F、Cl、Br和I的卤素；且
- RF为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的镧系元素；且
- n、y、z独立地为大于1的整数。
8.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述X-射线屏蔽件安置在第一基材(3)和下层电子件(6)之间。
9.权利要求2的辐射照相平板检测器，其中所述X-射线屏蔽件安置在第一基材(3)和下层电子件(6)之间。
10.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中所述基料选自乙酸丁酸纤维素、聚(甲基)丙烯酸烷酯、聚乙烯基-正丁缩醛、聚(乙酸乙烯酯-共-氯乙烯)、聚(丙烯腈-共-丁二烯-共-苯乙烯)、聚(氯乙烯-共-乙酸乙烯酯-共-乙烯醇)、聚(丙烯酸丁酯)、聚(丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯基缩丁醛)、偏苯三酸、丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、聚异戊二烯及其混合物。
11.权利要求2的辐射照相平板检测器，其中所述基料选自乙酸丁酸纤维素、聚(甲基)丙烯酸烷酯、聚乙烯基-正丁缩醛、聚(乙酸乙烯酯-共-氯乙烯)、聚(丙烯腈-共-丁二烯-共-苯乙烯)、聚(氯乙烯-共-乙酸乙烯酯-共-乙烯醇)、聚(丙烯酸丁酯)、聚(丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯基缩丁醛)、偏苯三酸、丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、聚异戊二烯及其混合物。
12.权利要求3的辐射照相平板检测器，其中所述基料选自乙酸丁酸纤维素、聚(甲基)丙烯酸烷酯、聚乙烯基-正丁缩醛、聚(乙酸乙烯酯-共-氯乙烯)、聚(丙烯腈-共-丁二烯-共-苯乙烯)、聚(氯乙烯-共-乙酸乙烯酯-共-乙烯醇)、聚(丙烯酸丁酯)、聚(丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(乙烯基缩丁醛)、偏苯三酸、丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐、聚异戊二烯及其混合物。
13.权利要求1的辐射照相平板检测器，其中在所述X-射线吸收层中所述基料的量为10重量%或更低。
14.权利要求2的辐射照相平板检测器，其中在所述X-射线吸收层中所述基料的量为10重量%或更低。
15.制造权利要求1的辐射照相平板检测器的方法，其包括以下步骤：
a) 提供第一基材(3)，在所述第一基材的一侧上具有成像阵列(2)；和
b) 将闪烁磷光体(1)胶粘到所述成像阵列上；和
c) 提供第二基材(4)；和
d) 在所述第二基材(4)的一侧上涂布所述X-射线吸收层(5)；和
c) 使所述第二基材(4)的与所述X-射线吸收层(5)相对的侧或所述X-射线吸收层(5)与所述第一基材(3)的与所述成像阵列(2)相对的侧接触。
16.权利要求15的制造辐射照相平板检测器的方法，其中所述涂布通过刀片涂布或刮刀涂布执行。
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