JP2022510692A - パッシブデバイスアセンブリを備えた集積デバイスパッケージ - Google Patents

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stack
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ヴィクラム・ヴェンカタドリ
サントシュ・アニル・クダルカル
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アナログ ディヴァイスィズ インク
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Abstract

集積デバイスパッケージが開示される。パッケージは、パッケージ基板と、アクティブ電子回路を有する集積デバイスダイと、を含むことができる。集積デバイスダイは、第１の側部と、第１の側部の反対側の第２の側部と、を有することができる。第１の側部は、ボンディングワイヤによってパッケージ基板に電気的に接続される接着パッドを有することができる。再分配層（ＲＤＬ）スタックは、集積デバイスダイの第１の側部上に配置され得る。ＲＤＬスタックは、絶縁層と、導電性再分配層と、を備えることができる。パッケージは、ＲＤＬスタックに、装着され、および電気的に接続される、パッシブ電子デバイスアセンブリを含むことができる。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年１２月６日に提出された米国仮特許出願第６２／７７６，３４２号に対する優先権を主張し、その内容全体が、あらゆる目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
技術分野
本分野は、パッシブデバイスアセンブリを備えた集積デバイスパッケージに関する。
関連技術の説明
様々な種類の電子システムは、コンデンサ、抵抗器、インダクタなどの受動電子部品を含むことができる。電子システムの他の部品によって処理される前または後に電気信号を調節する、またはフィルタリングするために、受動電子部品を使用することができる。受動電子部品の電子システムへの組み込みは、貴重なボード空間を占有し、したがって、電子システムのフットプリントを増加させ得る。さらに、受動電子部品をシステム内の他のデバイスに接続することは、電気的損失をもたらし得る。したがって、電子システムへの受動電子部品の改善された組み込みの継続的な必要性が依然として存在する。
１つの実施形態では、集積デバイスパッケージが開示される。集積デバイスパッケージは、パッケージ基板と、アクティブ電子回路を有する集積デバイスダイと、を含むことができる。集積デバイスダイは、第１の側部と、第１の側部の反対側の第２の側部と、を有することができ、第１の側部は、ボンディングワイヤによってパッケージ基板に電気的に接続される接着パッドを備える。パッケージは、集積デバイスダイの第１の側部に配置された再分配層（ＲＤＬ）スタックを含むことができ、ＲＤＬスタックは、絶縁層と、導電性再分配層と、を含む。パッケージは、ＲＤＬスタックに装着され、かつ電気的に接続されるパッシブ電子デバイスアセンブリを備えることができる。
別の実施形態では、センサモジュールが開示される。センサモジュールは、電子デバイスを備えることができる。電子デバイスは、素子と、素子の第１の側部に配置された再分配層（ＲＤＬ）スタックと、を備えることができる。ＲＤＬスタックは、絶縁層と、導電性再分配層と、を備えることができる。電子デバイスは、ＲＤＬスタックに装着され、かつ電気的に接続されるパッシブ電子デバイスアセンブリを備えることができる。センサモジュールは、撮像センサアセンブリをさらに含むことができ、電子デバイスは、撮像センサアセンブリに装着される。
ここで、添付の図面を参照して、非限定的な例として、本開示の実施形態が説明される。
図１は、１つの実施形態による電子デバイスの概略側面断面図である。
図２Ａは、別の実施形態による、電子デバイスを含む集積デバイスパッケージの概略側面断面図である。
図２Ｂは、別の実施形態による、電子デバイスを含む集積デバイスパッケージの概略側面断面図である。
図３は、１つの実施形態によるセンサモジュールの概略側面断面図である。
本明細書で開示される様々な実施形態は、集積デバイスダイの表面上に配置された再分配層（ＲＤＬ）スタックに装着されるパッシブデバイスアセンブリを有する電子デバイスを含む集積デバイスパッケージに関する。いくつかのパッケージでは、パッシブ電子デバイス（複数可）は、集積デバイスダイに隣接するシステムボードまたはパッケージ基板などの基板に装着され得る。そのようなパッケージでは、フットプリントは、パッシブ電子デバイス（複数可）の横方向に隣接する装着配置のために所望されるよりも大きくなり得る。さらに、パッシブ電子デバイス（複数可）を集積デバイスダイに隣接して装着し、かつ基板を介してそれらを電気的に接続することは、パッシブ電子デバイス（複数可）と集積デバイスダイとの間の電子信号経路の長さを増加させ得、これは、電気的損失、ノイズ、および性能の低下につながり得る。
本明細書に開示される実施形態では、パッケージの性能は、例えば、ダイの上に配置されたＲＤＬスタックにパッシブ電子デバイス（複数可）を装着することによって、集積デバイスダイのアクティブ電子回路のより近くにパッシブ電子デバイス（複数可）を装着することによって改善され得る。いくつかの実施形態では、パッシブ電子デバイス（複数可）は、ダイの横方向のフットプリント内でダイの上に装着され得、これはまた、パッケージの全体的なフットプリントを有益に低減することができる。
さらに、いくつかの実施形態では、パッケージ（ＲＤＬスタックに装着されたパッシブデバイス（複数可）を含む）は、撮像センサアセンブリに装着され得、センサアセンブリによって変換された信号を処理するように構成され得る。例えば、本明細書に説明されるように、センサアセンブリは、センサ基板に装着されたセンサダイを備えることができる。センサダイ（例えば、フォトダイオードアレイ、またはＰＤＡ）は、電磁放射線を電気信号に変換することができる。信号は、センサ基板を介してパッケージに送信され得る。有益には、パッシブ電子デバイス（複数可）を有するパッケージは、様々な種類のセンサアセンブリにとって重要であり得る、低減されたフットプリントを提供することができる。
図１は、１つの実施形態による電子デバイス１の概略側面断面図である。デバイス１は、アクティブ部品（例えば、アクティブ回路）がその中に形成される集積デバイスダイ２を備える素子を備えることができる。図１の素子は、集積デバイスダイであるが、他の実施形態では、図３に関連して以下に説明するように、素子は、インターポーザなどの別の適切なデバイスを備えることができる。集積デバイスダイ２は、シリコン、ゲルマニウム、または他のＩＩＩ－ＩＶ族半導体材料の組み合わせから形成されるダイなどの半導体ダイを備えることができる。集積デバイスダイ２は、プロセッサダイ、メモリダイ、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ダイ、センサダイなどの任意の好適な種類のデバイスダイを備えることができる。図３に関連して本明細書で説明されるように、例えば、ダイ２は、センサアセンブリによって変換された信号を処理するように構成されたプロセッサダイを備えることができる。ダイ２の上面１８は、絶縁不動態化層５を通して露出された複数の導電性接着パッド４を備えることができる。いくつかの配置では、不動態化層５は、接着パッド４の一部に重なり、接合領域を画定することができる。様々な実施形態では、接着パッド４および不動態化層５は、例えば、ウエハ作製中に、ダイ２上にパターン化され得る。導電性接着パッド４は、銅などの任意の好適な種類の導電性材料を含むことができる。不動態化層５は、酸化ケイ素、窒化ケイ素などの絶縁材料または誘電体材料を備えることができる。ＲＤＬスタック３は、いくつかの配置では、アクティブ回路上に配置され得る。いくつかの実施形態では、ダイ２のアクティブ回路は、ダイ２の上面１８にまたはその付近に配置され得る。他の実施形態では、ダイ２のアクティブ回路は、半導体貫通ビア（ＴＳＶ）を介して接続された接着パッド４を有するダイ２の対向する下面１９に、またはその付近に配置され得る。さらに他の実施形態では、ダイ２のアクティブ回路は、上面１８と下面１９との間のダイ２内に配置され得る。
図１の実施形態では、ダイ２である素子の上面１８上に再分配層（ＲＤＬ）スタック３が設けられ得る。パッシブデバイスアセンブリ１２は、素子のＲＤＬスタック３に装着され得る。ＲＤＬスタック３は、ダイ２の接着パッド４と他のデバイスとの間に電気通信を提供するための絶縁および導電性材料の１つ以上の層を備えることができる。ＲＤＬは、典型的には、ダイ２における接着パッド４によって提供されるものとは幾何学的に異なるパターンを有する（例えば、はんだバンプまたはワイヤ接着部を介して）他のデバイスに接続ポイントを提供するために用いられる。例えば、ＲＤＬスタック３は、外部デバイスに接続するために信号入力出力（Ｉ／Ｏ）パッドで横方向にファンアウトまたはファンインするように構成することができる。
図示された実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２は、導電性接着剤１０（例えば、はんだペースト、導電性エポキシ、異方性導電性フィルム、または任意の他の好適な接着剤）によってＲＤＬスタック３に装着された１つ以上のパッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂを備える。パッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂは、任意の好適な表面実装技術（ＳＭＴ）部品などの任意の好適な種類のパッシブデバイスを含むことができる。例えば、パッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂは、コンデンサ、インダクタ、抵抗器などのうちの１つ以上を含むことができる。パッシブデバイス１１ａ、１１ｂは、絶縁、ノイズフィルタリング、調整などに使用することができる。いくつかの配置では、金属蓋を、電磁干渉遮蔽のためにパッケージ２の局所領域に提供することができる。しかしながら、図示される実施形態では、オーバーモールドされた部品を保護するために、センサアセンブリ用途に成形化合物を利用することが好ましい場合がある。さらに、空洞を画定するために蓋を利用するいくつかのデバイスは、集積デバイスダイの全体を遮蔽するために蓋を利用し得る。撮像センサ用途などのいくつかの実施形態では、パッシブデバイスおよび／またはダイがオーバーモールドされ得るように、ダイおよび／またはパッシブアセンブリの片側のみが有害放射線を受け得る。したがって、有益に、本明細書に開示される実施形態は、追加の遮蔽のために金属蓋を組み込むよりも費用対効果が高い場合がある成形化合物を利用することができる。２つのデバイス１１ａ、１１ｂが図１に示されているが、１つ、３つ、４つ、または４つを超えるパッシブ電子デバイスを含む、任意の好適な数のパッシブデバイスが設けられ得ることを理解されたい。
図１に示されるＲＤＬスタック３は、複数の絶縁層および導電層を備えることができる。例えば、図１に示されるように、ＲＤＬスタック３は、第１の絶縁再不動態化層６と、導電性再分配層（ＲＤＬ）７と、を含むことができる。いくつかの実施形態では、再不動態化層６および導電性ＲＤＬ７は、別個の作製設備、例えば、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）設備に提供することができる。いくつかの実施形態では、ＲＤＬスタック３は、ウエハをダイシングする前（例えば、ウエハレベル処理中）またはウエハをダイシングした後（例えば、ダイシングされたチップ間のポリマーなどの絶縁材料によって再構成されたウエハ上）に形成することができる。いくつかの実施形態では、再不動態化層６は、ダイ２の上面１８上に堆積され得、基礎となる接着パッド４を露出させるようにパターン化され得る。導電性ＲＤＬ７は、再不動態化層６の上に堆積され得、再不動態化層６において画定された開口部内に延在して、接着パッド４に機械的および電気的接続を提供し得る。
第２の絶縁再不動態化層９は、導電性ＲＤＬ７の上に、および導電性ＲＤＬ７に設けられた隙間における第１の再不動態化層６の部分の上に、設けることができる。第１の再不動態化層６と同様に、第２の再不動態化層９は、導電性ＲＤＬ７の部分を露出するようにパターン化され得る。アンダーバンプ金属化（ＵＢＭ）層８は、第２の再不動態化層９の上、および導電性ＲＤＬ７の露出部分の上に設けられ得る。示されるように、ＵＢＭ層８は、導電性ＲＤＬ７の露出部分に電気的に接続することができる。図示された実施形態では、ＲＤＬスタック３は、２つの絶縁層（層６、９）および２つの導電層（層７、８）を含むが、ＲＤＬスタック３には、任意の好適な数の絶縁層および導電層が使用され得ることを理解されたい。
第１および第２の絶縁再不動態化層６、９は、任意の好適な種類の絶縁材料または誘電体材料を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、再不動態化層６、９は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機誘電体を含むことができ、またはポリマー、例えば、エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾキサゾール（ＰＢＯ）などの有機誘電体を含むことができ、または任意の他の適切な誘電体材料を含むことができる。導電性ＲＤＬ７およびＵＢＭ層８は、例えば、銅、アルミニウムなどの任意の好適な金属などの導電性材料を含む。パッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂは、導電性接着剤１０を介してＵＢＭ層８に電気的に接続され得る。したがって、ＲＤＬスタック３は、ＵＢＭ層８、導電性ＲＤＬ７、およびダイ２の接着パッド４を介して、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂとダイ２におけるアクティブ回路との間の電気通信を提供することができる。
図示された実施形態では、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂは、例えば、ダイ２の横方向のフットプリント内に配置されるように、集積デバイスダイ２を覆うように位置付けられる。そのような配置では、パッケージ基板上のダイ２に隣接するパッシブデバイスを提供するパッケージと比較して、パッケージの全体的な横方向のフットプリントが低減され得る。さらに、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂをアクティブ回路の近くに位置付けることで、電気的ノイズおよび損失は有益に低減され得る。例えば、いくつかの実施形態では、信号伝送距離と損失を減少させるように、アクティブ回路はＲＤＬスタック３の上面１８に、またはその近くに設けられ得る。他の実施形態では、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂおよびＲＤＬスタック３は、ダイの裏側に設けられてもよく、基板貫通ビア（ＴＳＶ）を介して、アクティブ回路とＲＤＬスタック３とデバイス１１ａ、１１ｂとの間の電気通信を提供することができる。いくつかの配置では、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂはダイにおけるアクティブ回路を覆うことができる。他の実施形態では、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂは、アクティブ回路を覆っていなくてもよい。図示された実施形態では、ＲＤＬスタック３は、接着パッド４からの信号がパッシブデバイス１１ａ、１１ｂの対応する接点またはリードに内側に横方向に伝送されるファンイン電気接続を提供する。しかしながら、以下に説明されるように、他の実施形態では、ＲＤＬスタック３は、ダイ２から少なくとも部分的に横方向にオフセットされ得るパッシブデバイスにファンアウト電気接続を提供することができる。
図１には示されていないが、デバイス１は、プリント回路基板（ＰＣＢ）、リードフレーム、セラミック基板などの任意の好適な種類のパッケージ基板に装着することができる。いくつかの実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２は、ダイ２をパッケージ基板に装着する前に、ダイ２に装着することができる。他の実施形態では、ダイ２は、パッシブデバイスアセンブリ１２をダイ２に装着する前に、基板に装着することができる。いくつかの実施形態では、成形化合物または封入剤を、ダイ２およびＲＤＬスタック３の上に設けることができる。例えば、ダイ２およびパッシブデバイス１１ａ、１１ｂは、以下に説明するように、図２Ａに示される配置と同様の配置でパッケージ化することができる。他の実施形態では、パッケージ蓋は、パッケージ蓋とダイ２との間に配置された気体（例えば、空気）空洞を備えて、ダイ２およびＲＤＬスタック３の上に設けることができる。さらに他のパッケージ配置が好適であり得る。いくつかの実施形態では、ＲＤＬスタック３は、ファンアウト電気構成を提供するように配置され得る。このような実施形態では、成形化合物は、ダイ２の一部の上に提供され得、ＲＤＬスタック３は、ダイ２の上に、およびダイ２の外側に横方向に延在する成形化合物の部分の上に提供され得る。いくつかの実施形態では、ＵＢＭ層８は、ダイから外側に横方向に延在することができ、１つ以上のパッシブデバイス１１ａ、１１ｂは、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂの部分がダイ２から横方向にオフセットされるように、ＵＢＭ層８に装着され得る。
図２Ａは、別の実施形態による電子デバイス１を含む集積デバイスパッケージ２０の概略側面断面図である。別段の注記がない限り、図２Ａの部品は、図１の同じ番号の部品と同じ、または概ね同様であってもよい。例えば、図１と同様に、図２Ａの実施形態は、集積デバイスダイ２の表面上のＲＤＬスタック３に装着されたパッシブデバイスアセンブリ１２（詳細については、図１を参照されたい）を含む。図２Ａの実施形態では、ダイ２は、接着剤（図示せず）を介してパッケージ基板１６に装着され得る。上で説明したように、パッケージ基板は、ＰＣＢ、リードフレーム、セラミック基板などの任意の好適な種類の基板を備えることができる。図３などの様々な実施形態では、パッケージ基板１６は、センサアセンブリの対応するパッドと電気的に通信するように構成された接着パッドを有することができる。パッケージ基板１６は、その中に導電性トレースを有する絶縁基板を備えることができる。
図１の実施形態と同様に、ＲＤＬスタック３は、ダイ２の上面１８上に形成され得る。しかしながら、図１の実施形態とは異なり、図２Ａの実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２は、（例えば、はんだボールまたはバンプ１４によって）導電性接着剤によってＲＤＬスタック３に装着されたインターポーザ１３を備える。いくつかの実施形態では、インターポーザ１３は、信号をルーティングするためのトレースおよびビアを有するが、アクティブ処理回路を有さない、ダミーインターポーザを備えることができる。他の実施形態では、インターポーザ１３は、アクティブ処理回路を有する電気的にアクティブなインターポーザを備えることができる。パッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂは、導電性接着剤（図２Ａには図示せず）を介してインターポーザ１３に装着され得る。インターポーザ１３は、例えば、積層構造体、ＰＣＢ基板、セラミックインターポーザ、半導体（例えば、シリコン）インターポーザなどの任意の好適な種類のインターポーザを備えることができる。インターポーザ１３は、ワイヤ接着部１５ａを介してパッケージ基板１６に電気的に接続され得る。したがって、いくつかの実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２は、パッケージ基板１６（例えば、ワイヤ接着部１５ａを介する）およびダイ２（例えば、はんだボール１４を有するフリップチップ配置を介する）の両方と有益に通信し得る。あるいは、インターポーザは、ダイ２を介して、例えば、はんだバンプ１４を介してパッケージ基板１６に単独で接続されてもよい。ダイ２は、ワイヤ接着部１５ｂを介してパッケージ基板１６に電気的に接続し得る。あるいは、ダイ２は、アクティブ側を上方または下方に有するＴＳＶを含むことができる。図示されていないが、パッケージ基板１６はまた、システムボードなどのより大きなシステムへの電気接続のために外面上にリードを含むことが理解されよう。外部リードは、リードフレームリード、はんだボールなど、パッケージ基板１６の構造に応じて様々な形態をとり得る。
図１の電子デバイス１およびパッシブデバイスアセンブリ１２は、図２Ａに示されるインターポーザ１３の代わりにパッケージ２０で使用され得ることも理解されたい。そのような実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２（例えば、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂを含む）は、インターポーザを使用せずにダイ２のＲＤＬスタック３に直接装着され得る。成形化合物１７は、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂ、ダイ２、およびパッケージ基板１６の露出された上部の上に設けられ得る。
成形化合物１７または封入剤は、パッケージ部品を外部環境から保護するために、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂ、インターポーザ１３、ワイヤ接着部１５ａ、１５ｂ、およびダイ２の上に設けられ得る。図１の実施形態と同様に、図２Ａのパッケージ２０は、パッケージ２０の電気的性能を改善しながら全体的なパッケージのフットプリントを有益に低減することができる。例えば、図１と同様に、パッシブデバイスアセンブリ１２（例えば、パッシブデバイス１１ａ、１１ｂ、およびインターポーザ１３）は、ダイ２の横方向のフットプリント内に在り得る。しかしながら、他の実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２の少なくとも一部は、ダイ２の横方向のフットプリントの外側に在り得る。
上で説明したように、本明細書に開示される様々な実施形態は、デジタルＸ線撮像システム、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）撮像システム、超音波撮像システム、または任意の他の好適な撮像システムなどの撮像システムで使用するように構成されたセンサモジュールに関する。例えば、図１および図２Ａのパッシブ集積デバイスアセンブリは、センサアセンブリによって変換された信号を調節する、または信号に別様に作用するためにセンサアセンブリ内に設けられ得る。有益には、電子デバイス１およびパッケージ２０によってフットプリントが低減されることは、センサモジュールのフットプリントも低減されることを可能にし得る。
図２Ｂは、集積デバイスパッケージ２０の別の実施形態を図示する。図２Ｂは、図２Ａに示されたパッケージ２０と概ね同様である。別段の注記がない限り、図２Ｂの参照番号は、図２Ａの同じ番号の部品と同じまたは概ね同様の部品を表す。図２Ｂの実施形態では、インターポーザ１３は、集積デバイスダイ２の対応する横方向のフットプリントよりも横方向に大きくてもよい。図２Ｂのより大きなインターポーザ１３は、パッケージ２０の機能性を改善することができる多数の電気部品を有利に収容することができる。例えば、１つ以上の追加のアクティブデバイスダイ（複数可）４２は、好適な導電性接着剤を介して、インターポーザ１３に装着され得る。デバイスダイ（複数可）４２は、ダイ２からの信号を含むパッケージ２０の部品および／またはインターポーザ１３に装着された部品を処理および／またはテストすることができる。
図３は、１つの実施形態によるセンサモジュール３０の概略側面断面図である。センサモジュール３０は、撮像センサアセンブリ３３と、センサアセンブリ３に装着された集積デバイスパッケージ２０と、を備えることができる。集積デバイスパッケージ２０は、上述のパッケージ２０と同じであるか、または異なることができる。パッケージ２０は、任意の好適な種類のパッシブデバイスアセンブリ１２を備えることができる。例えば、パッシブデバイスアセンブリ１２は、接着剤によって素子のＲＤＬスタック３に装着されたパッシブ電子デバイス１１ａ、１１ｂを備えることができる。他の実施形態では、パッシブデバイスアセンブリ１２は、素子のＲＤＬスタック３に装着されたインターポーザ１３に装着されたパッシブデバイス１１ａ、１１ｂを備えることができる。例えば、いくつかの実施形態では、素子は、図１および図２に示すような集積デバイスダイ２を備えることができ、パッシブデバイスアセンブリ１２は、集積デバイスダイ２に装着することができる。他の実施形態では、素子は、インターポーザ、基板、他の種類のデバイスなどの別の好適な構造を備えることができる。
Ｘ線源または任意の他の好適な電磁放射線源などの照明源３４が提供され得、電磁放射線をセンサアセンブリ３３に向けることができる。様々な実施形態において、本明細書には示されていないが、物体（人間の患者、または任意の他の好適な対象物など）は、照明源３４とセンサアセンブリ３３との間に設けられ得る。センサアセンブリおよびセンサアセンブリに提供される部品に関する追加の詳細は、米国特許第８，８２９，４５４号、第９，１１６，０２２号、および第１０，３４０，３０２号を通じて見出され得、それらの各々の内容全体が、あらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
センサアセンブリ３３は、センサ基板３１と、センサ基板３１の前側部に装着された１つ以上のセンサダイ３２と、を含むことができる。センサ基板３１は、積層基板、プリント回路基板（ＰＣＢ）基板、半導体インターポーザ、埋め込みトレースを有するポリマーを含む可撓性基板、または埋め込み導電性トレースもしくは相互接続を有する非導電性基部を有する任意の他の好適な基板など、任意の好適な種類の基板を備えることができる。センサダイ３２は、電磁放射線を電流に変換する複数の感光素子を有するフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）を備えることができる。示されていないが、フィルタまたはシンチレータなどの放射線修飾剤は、センサアセンブリ３３の前側部の上に設けられ得る。したがって、センサダイ３２は、ＰＤＡに衝突する光を、センサ基板３１における導電性トレースに伝達され得る電気信号に変換し得る。いくつかの実施形態では、センサダイ３２は、はんだバンプ、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）、導電性エポキシなどの導電性接着剤を介して、センサ基板３１に電気的に接続され得る。
パッケージ２０は、例えば、複数のはんだボール３７、導電性エポキシなどの導電性接着剤を介してセンサアセンブリ３３に装着され得る。パッケージ２０は、上で説明したように、パッシブデバイスアセンブリ１２に加えて、１つ以上のアクティブ集積デバイスダイを備えることができる。ダイ２は、センサダイ３２によって変換され、センサ基板３１を介してパッケージ２０に伝送される電気信号（例えば、アナログ信号）を処理するように構成されたアクティブ処理回路を備えることができる。パッケージ２０のデバイスは、例えば、信号フィルタリング、アナログ－デジタル変換などを含む、任意の好適な方法でこれらの信号を処理することができる。パッケージ２０のデバイスによって処理される信号は、パッケージ２０から（例えば、システムマザーボードを介して）より大きな電子システムに伝送され、ディスプレイ上にレンダリングされるか、またはそうでなければ、撮像された物体を分析するためにさらに処理され得る。
さらに、パッケージ２０またはセンサアセンブリ３３は、高感度回路を有害な電磁放射線から遮蔽するための１つ以上の放射線遮蔽体３８を備えることができる。遮蔽体３８は、高感度回路、例えば、ダイ２の高感度回路に有害放射線（例えば、Ｘ線）が衝突するのを遮断するように選択される任意の好適な材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、遮蔽体３８はタングステンを含むことができる。図３では、例えば、放射線遮蔽体３８は、接着剤によってパッケージ基板１６に取り付けられ得る。ダイ２は、遮蔽体３８に装着され、ダイ２の高感度回路が遮蔽体３８の横方向のフットプリント内に在るように位置付けられ得る。遮蔽体３８は、パッケージ２０の一部として示され、基板１６に装着されるが、他の実施形態では、遮蔽体３８は、センサダイ３２（複数可）と高感度回路（例えば、ダイ２の高感度回路）との間のセンサモジュール３０内の他の場所に配置することができる。例えば、遮蔽体３８は、センサアセンブリ３３とパッケージ２０との間、センサアセンブリ３３内、パッケージ２０における他の場所などに配置され得る。センサモジュール３０において使用される部品（放射線遮蔽体および他の部品を含む）の追加の例は、米国特許第８，８２９，４５４号、第９，１１６，０２２号、および第１０，３４０，３０２号を通じて見出され得、これらのそれぞれの内容全体は、参照によりそれらの全体が、あらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。
本発明は、ある特定の実施形態に関して説明されているが、本明細書に記載されているすべての特徴および利点を提供しない実施形態を含む、当業者に明らかな他の実施形態も、本発明の範囲内である。さらに、上述の様々な実施形態を組み合わせて、さらなる実施形態を提供することができる。さらに、１つの実施形態の文脈で示される特定の特徴もまた、他の実施形態に組み込むことができる。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照することによってのみ定義される。
１ 電子デバイス
２ 集積デバイスダイ
３ 再分配層（ＲＤＬ）スタック
４ 導電性接着パッド
５ 絶縁不動態化層
６ 第１の絶縁再不動態化層
７ 導電性再分配層（ＲＤＬ）
８ アンダーバンプ金属化（ＵＢＭ）層
９ 第２の絶縁再不動態化層
１０ 導電性接着剤
１１ａ パッシブ電子デバイス
１１ｂ パッシブ電子デバイス
１２ パッシブデバイスアセンブリ
１３ インターポーザ
１４ はんだボールまたはバンプ
１５ａ ワイヤ接着部
１５ｂ ワイヤ接着部
１６ パッケージ基板
１７ 成形化合物
１８ 上面
１９ 下面
２０ 集積デバイスパッケージ
３０ センサモジュール
３１ センサ基板
３２ センサダイ
３３ 撮像センサアセンブリ
３４ 照明源
３７ 複数のはんだボール
３８ 放射線遮蔽体
４２ アクティブデバイスダイ

Claims (25)

  1. 集積デバイスパッケージであって、
    パッケージ基板と、
    アクティブ電子回路を有する集積デバイスダイであって、前記集積デバイスダイは、第１の側部と、前記第１の側部の反対側の第２の側部と、を有し、前記第１の側部は、ボンディングワイヤを介して前記パッケージ基板に電気的に接続される接着パッドを備える、集積デバイスダイと、
    前記集積デバイスダイの前記第１の側部に配置された再分配層（ＲＤＬ）スタックであって、前記ＲＤＬスタックは、絶縁層と、導電性再分配層と、を備える、ＲＤＬスタックと、
    前記ＲＤＬスタックに、装着され、および電気的に接続される、パッシブ電子デバイスアセンブリと、を備えた、集積デバイスパッケージ。
  2. 前記パッシブ電子デバイスアセンブリは、前記ＲＤＬスタックに装着された１つ以上のパッシブ電子デバイスを備える、請求項１に記載の集積デバイスパッケージ。
  3. 前記１つ以上のパッシブ電子デバイスは、コンデンサ、インダクタ、および抵抗器のうちの１つ以上を備える、請求項２に記載の集積デバイスパッケージ。
  4. 前記１つ以上のパッシブ電子デバイスは、コンデンサを備える、請求項３に記載の集積デバイスパッケージ。
  5. 前記１つ以上のパッシブ電子デバイスは、導電性接着剤を介して、前記ＲＤＬスタックに装着される、請求項２～４のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  6. 前記パッシブ電子デバイスアセンブリは、前記ＲＤＬスタックに装着されたインターポーザと、前記ＲＤＬスタックに装着された１つ以上のパッシブ電子デバイスと、を備える、請求項１に記載の集積デバイスパッケージ。
  7. 前記インターポーザと前記ＲＤＬスタックとの間に複数のはんだボールをさらに備え、前記インターポーザおよび前記ＲＤＬスタックを電気的に接続する、請求項６に記載の集積デバイスパッケージ。
  8. 前記インターポーザに装着されたアクティブデバイスダイをさらに備える、請求項６～７のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  9. 前記インターポーザの横方向のフットプリントは、前記集積デバイスダイの対応する横方向のフットプリントよりも大きい、請求項６～８のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  10. 前記ＲＤＬスタックは、前記ダイの上に配置された第１の絶縁再不動態化層と、前記第１の絶縁再不動態化層における隙間に配置された導電性再分配層（ＲＤＬ）と、を備える、請求項１～９のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  11. 前記ＲＤＬ層上に配置された第２の絶縁再不動態化層と、前記第２の絶縁再不動態化層の隙間に配置されたアンダーバンプ金属化（ＵＢＭ）層と、をさらに備え、前記パッシブ電子デバイスアセンブリは、前記ＵＢＭ層に電気的に接続されている、請求項１０に記載の集積デバイスパッケージ。
  12. 絶縁不動態化層と、前記集積デバイスダイの前記第１の側部上の複数の導電性接着パッドと、をさらに備え、前記複数の導電性接着パッドは、前記導電性ＲＤＬに接続されている、請求項１１に記載の集積デバイスパッケージ。
  13. 前記パッシブ電子デバイスアセンブリは、前記集積デバイスダイの横方向のフットプリント内に在るように、前記集積デバイスダイの上に配置される、請求項１～１２のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  14. 前記パッシブ電子デバイスアセンブリの少なくとも一部は、前記集積デバイスダイの横方向のフットプリントの外側に配置されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  15. 前記集積デバイスダイの前記第２の側部は、接着剤を介して前記パッケージ基板に装着されている、請求項１～１４のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージ。
  16. 前記集積デバイスダイおよび前記パッシブ電子デバイスアセンブリの上に配置された成形化合物をさらに備える、請求項１５に記載の集積デバイスパッケージ。
  17. 撮像センサアセンブリと、請求項１～１６のいずれか１項に記載の集積デバイスパッケージと、を備えたセンサモジュールであって、前記集積デバイスパッケージは、前記撮像センサアセンブリに装着されている、センサモジュール。
  18. 前記撮像センサアセンブリのセンサダイと前記集積デバイスダイとの間に位置付けられた放射線遮蔽体をさらに備える、請求項１７に記載のセンサモジュール。
  19. センサモジュールであって、
    電子デバイスであって、
    素子および前記素子の第１の側部に配置された再分配層（ＲＤＬ）スタックであって、前記ＲＤＬスタックは絶縁層および導電性再分配層を備える、素子およびＲＤＬスタックと、
    前記ＲＤＬスタックに装着され、および電気的に接続される、パッシブ電子デバイスアセンブリと、を備える電子デバイスと、
    撮像センサアセンブリであって、前記電子デバイスは前記撮像センサアセンブリに装着されている、撮像センサアセンブリと、を備える、センサモジュール。
  20. 前記撮像センサアセンブリは、センサ基板と、前記センサ基板に装着されたセンサダイと、を備える、請求項１９に記載のセンサモジュール。
  21. 前記素子は、集積デバイスダイを備える、請求項１９および２０のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
  22. 前記センサダイと前記集積デバイスダイとの間に放射線遮蔽体をさらに備える、請求項２１に記載のセンサモジュール。
  23. 前記集積デバイスダイは、パッケージ基板に装着され、前記集積デバイスダイは、ボンディングワイヤによって前記パッケージ基板に電気的に接続される、請求項２１または２２に記載のセンサモジュール。
  24. 前記集積デバイスダイおよび前記パッシブ電子デバイスアセンブリの上に配置された成形化合物をさらに備える、請求項２１～２３のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
  25. 前記パッシブ電子デバイスアセンブリは、インターポーザと、前記インターポーザに装着された１つ以上のパッシブ電子デバイスと、を備える、請求項１９～２４のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3891793A4 (en) 2018-12-06 2022-10-05 Analog Devices, Inc. INTEGRATED DEVICE ENCLOSURES WITH PASSIVE DEVICE ASSEMBLIES
KR20210099604A (ko) * 2018-12-06 2021-08-12 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 차폐된 통합된 디바이스 패키지들
US11152378B1 (en) * 2020-03-25 2021-10-19 International Business Machines Corporation Reducing error rates with alpha particle protection
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier
CN114551264A (zh) * 2020-11-26 2022-05-27 群创光电股份有限公司 封装元件的制作方法

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1552078A (ja) 1967-11-15 1969-01-03
US4883967A (en) 1987-05-26 1989-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radiation detector and method of manufacturing the same
CN1139872A (zh) 1994-02-03 1997-01-08 模拟公司 层析x射线照相装置的模式化检测装置
US6720493B1 (en) 1994-04-01 2004-04-13 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
US5528043A (en) 1995-04-21 1996-06-18 Thermotrex Corporation X-ray image sensor
JPH0998970A (ja) 1995-10-06 1997-04-15 Canon Inc Ｘ線撮像装置
US5889313A (en) 1996-02-08 1999-03-30 University Of Hawaii Three-dimensional architecture for solid state radiation detectors
JPH10284633A (ja) 1997-04-01 1998-10-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH11345956A (ja) 1998-03-16 1999-12-14 Canon Inc 撮像装置
US6300679B1 (en) 1998-06-01 2001-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Flexible substrate for packaging a semiconductor component
EP1684095B1 (en) 1998-06-18 2013-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
KR100465444B1 (ko) 1999-03-31 2005-01-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 협 피치용 커넥터, 정전 액추에이터, 압전 액추에이터,잉크 제트 헤드, 잉크 제트 프린터, 마이크로머신, 액정패널, 전자기기
JP2001099942A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp Ｘ線平面検出装置
US6396898B1 (en) 1999-12-24 2002-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detector and x-ray CT apparatus
JP4532782B2 (ja) 2000-07-04 2010-08-25 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及びシステム
JP2002022841A (ja) 2000-07-04 2002-01-23 Canon Inc 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム
JP4610811B2 (ja) 2000-09-15 2011-01-12 アイメック プローブの製造方法及びその装置
JP3887162B2 (ja) 2000-10-19 2007-02-28 富士通株式会社 撮像用半導体装置
US6426991B1 (en) 2000-11-16 2002-07-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors
US6717150B2 (en) 2000-12-12 2004-04-06 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Solid-state CT detector modules with improved scintillator/diode coupling
DE10116222A1 (de) 2001-03-30 2002-10-17 Siemens Ag Detektor für Röntgen-Computertomograph
JP2003084066A (ja) 2001-04-11 2003-03-19 Nippon Kessho Kogaku Kk 放射線検出器用部品、放射線検出器および放射線検出装置
IL143980A0 (en) 2001-06-25 2002-04-21 Imarad Imaging Systems Ltd Three dimensional radiation detection
US6510195B1 (en) 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
US6776817B2 (en) 2001-11-26 2004-08-17 Honeywell International Inc. Airflow sensor, system and method for detecting airflow within an air handling system
US7189971B2 (en) 2002-02-15 2007-03-13 Oy Ajat Ltd Radiation imaging device and system
US7382043B2 (en) 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US7119340B2 (en) 2002-10-07 2006-10-10 Hitachi, Ltd. Radiation detector, radiation detector element, and radiation imaging apparatus
JP4596748B2 (ja) 2003-05-07 2010-12-15 キヤノン株式会社 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影装置における再構成方法
US7191516B2 (en) 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
DE10335662A1 (de) 2003-08-04 2005-03-10 Siemens Ag Detektormodul für einen Detektor zur Detektion ionisierender Strahlung sowie Detektor
US6903271B2 (en) 2003-09-30 2005-06-07 Intel Corporation Electronic assembly with thermally separated support
US7193218B2 (en) 2003-10-29 2007-03-20 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system
JP4594624B2 (ja) 2004-01-13 2010-12-08 株式会社日立製作所 放射線検出装置および核医学診断装置
US7067817B2 (en) 2004-01-29 2006-06-27 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and making method of same
US7714931B2 (en) 2004-06-25 2010-05-11 Flextronics International Usa, Inc. System and method for mounting an image capture device on a flexible substrate
EP1815270A2 (en) 2004-07-14 2007-08-08 Orbotech Medical Solutions Ltd. Radiation detector head
JP4380460B2 (ja) 2004-08-10 2009-12-09 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、及び放射線検出システム
TWM264651U (en) 2004-10-21 2005-05-11 Chipmos Technologies Inc Package structure of image sensor device
DE102005014187B4 (de) 2005-03-29 2017-02-23 Siemens Healthcare Gmbh Detektormodul, Detektor und Computertomographiegerät
US20060223227A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Tessera, Inc. Molding method for foldover package
JP5128052B2 (ja) 2005-04-22 2013-01-23 浜松ホトニクス株式会社 光検出ユニット、光検出装置、及びｘ線断層撮像装置
TWI429066B (zh) 2005-06-02 2014-03-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and manufacturing method thereof
JP4604865B2 (ja) 2005-06-15 2011-01-05 株式会社島津製作所 集積回路パッケージから集積回路を取り出す方法
JP5159065B2 (ja) 2005-08-31 2013-03-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
DE102005041451A1 (de) * 2005-08-31 2007-03-01 Infineon Technologies Ag Elektronische Steckeinheit
DE102005041452A1 (de) * 2005-08-31 2007-03-15 Infineon Technologies Ag Dreidimensional integrierte elektronische Baugruppe
WO2007039840A2 (en) 2005-10-05 2007-04-12 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Computed tomography detector using thin circuits
US20070183184A1 (en) 2006-02-03 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Ltd. Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4425936B2 (ja) 2006-02-20 2010-03-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 光モジュール
US7544947B2 (en) 2006-03-08 2009-06-09 Aeroflex Colorado Springs Inc. Cross-talk and back side shielding in a front side illuminated photo detector diode array
US7834325B2 (en) 2006-03-24 2010-11-16 Fujifilm Corporation Radiation image information capturing apparatus and method of detecting temperature of amplifier thereof
CA2647407A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector array
DE102006016345A1 (de) * 2006-04-05 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit diskreten Bauelementen und Verfahren zur Herstellung desselben
US7495226B2 (en) 2006-05-26 2009-02-24 Carestream Health, Inc. Compact and durable encasement for a digital radiography detector
US7504637B2 (en) 2006-07-11 2009-03-17 Aeroflex Colorado Springs Inc. Two component photodiode detector
JP2008109378A (ja) 2006-10-25 2008-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスモジュールとその製造方法および光学デバイスユニットとその製造方法
US8154881B2 (en) 2006-11-13 2012-04-10 Telecommunication Systems, Inc. Radiation-shielded semiconductor assembly
JP2008171881A (ja) 2007-01-09 2008-07-24 Shimadzu Corp 光または放射線検出器
US20080197480A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Semiconductor device package with multi-chips and method of the same
JP2008268038A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Hitachi Ltd 半導体放射線検出器及び産業用ｘ線ｃｔ装置
WO2008144414A1 (en) 2007-05-15 2008-11-27 Aeroflex Colorado Springs Inc. Energy sensitive direct conversion radiation detector
US7468514B1 (en) 2007-06-15 2008-12-23 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor
JP4733092B2 (ja) 2007-09-28 2011-07-27 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
JP5032276B2 (ja) 2007-11-19 2012-09-26 株式会社東芝 放射線検出装置
JP2009189384A (ja) 2008-02-12 2009-08-27 Hitachi Medical Corp Ｘ線ｃｔ装置
JP5137763B2 (ja) 2008-09-26 2013-02-06 富士フイルム株式会社 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム
JP5281484B2 (ja) 2009-05-28 2013-09-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出ユニット
US8263434B2 (en) * 2009-07-31 2012-09-11 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting die with TSV in cavity of substrate for electrical interconnect of Fi-PoP
US8325048B2 (en) 2009-12-08 2012-12-04 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Thermal stress indicator
JP5544872B2 (ja) * 2009-12-25 2014-07-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5358509B2 (ja) 2010-04-15 2013-12-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器モジュール
KR101855294B1 (ko) 2010-06-10 2018-05-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP2012088152A (ja) 2010-10-19 2012-05-10 Toshiba Electron Tubes & Devices Co Ltd 放射線検出装置
CN102639061B (zh) 2010-10-20 2015-11-25 株式会社东芝 Das检测器以及x射线计算机断层摄影装置
US8384227B2 (en) * 2010-11-16 2013-02-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die
JP2012124466A (ja) 2010-11-18 2012-06-28 Nitto Denko Corp 半導体装置用接着フィルム、及び、半導体装置
US8829454B2 (en) 2012-02-27 2014-09-09 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP5815483B2 (ja) 2012-07-27 2015-11-17 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
US9035457B2 (en) 2012-11-29 2015-05-19 United Microelectronics Corp. Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same
US9116022B2 (en) 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
US9324687B1 (en) 2013-03-14 2016-04-26 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer-level passive device integration
US9209136B2 (en) * 2013-04-01 2015-12-08 Intel Corporation Hybrid carbon-metal interconnect structures
US10074628B2 (en) * 2013-10-04 2018-09-11 Mediatek Inc. System-in-package and fabrication method thereof
US20160322418A1 (en) 2013-12-17 2016-11-03 Agfa Healthcare Nw Radiography flat panel detector having a low weight x-ray shield and the method of production thereof
KR102434823B1 (ko) * 2014-03-10 2022-08-19 데카 테크놀로지 유에스에이 인코포레이티드 두꺼운 재배선 층을 포함하는 반도체 디바이스 및 방법
US10084983B2 (en) 2014-04-29 2018-09-25 Fermi Research Alliance, Llc Wafer-scale pixelated detector system
US9257396B2 (en) * 2014-05-22 2016-02-09 Invensas Corporation Compact semiconductor package and related methods
KR20160022549A (ko) 2014-08-20 2016-03-02 삼성전자주식회사 엑스선 검출 장치
JP2017535054A (ja) * 2014-09-26 2017-11-24 インテル・コーポレーション 裏面受動構成要素を有する集積回路ダイ、およびそれに関連する方法
JP6353763B2 (ja) 2014-09-30 2018-07-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2016064374A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Analogic Corporation Detector unit for detector array of radiation imaging modality
US9425143B2 (en) 2014-11-17 2016-08-23 Qualcomm Incorporated Integrated device package comprising an electromagnetic (EM) passive device in an encapsulation layer, and an EM shield
US9583472B2 (en) 2015-03-03 2017-02-28 Apple Inc. Fan out system in package and method for forming the same
US9818727B2 (en) 2015-03-09 2017-11-14 Mediatek Inc. Semiconductor package assembly with passive device
WO2016167830A1 (en) 2015-04-14 2016-10-20 Analogic Corporation Detector array for radiation system
KR102354370B1 (ko) 2015-04-29 2022-01-21 삼성전자주식회사 쉴딩 구조물을 포함하는 자기 저항 칩 패키지
US9835733B2 (en) 2015-04-30 2017-12-05 Zhengrong Ying Apparatus for detecting X-rays
US10283492B2 (en) 2015-06-23 2019-05-07 Invensas Corporation Laminated interposers and packages with embedded trace interconnects
WO2017014798A1 (en) 2015-07-17 2017-01-26 Analogic Corporation Detector unit for detector array of radiation imaging modality
US20170084521A1 (en) 2015-09-18 2017-03-23 Industrial Technology Research Institute Semiconductor package structure
US9837352B2 (en) 2015-10-07 2017-12-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10165682B2 (en) * 2015-12-28 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Opening in the pad for bonding integrated passive device in InFO package
JP2017183398A (ja) 2016-03-29 2017-10-05 東芝メモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10236091B2 (en) 2016-07-14 2019-03-19 Carestream Health, Inc. Backscatter shields and methods of shielding
US10586909B2 (en) 2016-10-11 2020-03-10 Massachusetts Institute Of Technology Cryogenic electronic packages and assemblies
US10276525B2 (en) 2016-11-28 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure and method of fabricating the same
US11177220B2 (en) 2017-04-01 2021-11-16 Intel Corporation Vertical and lateral interconnects between dies
US20180294255A1 (en) 2017-04-11 2018-10-11 Mediatek Inc. Method for fabricating microelectronic package with surface mounted passive element
US20190067034A1 (en) 2017-08-24 2019-02-28 Micron Technology, Inc. Hybrid additive structure stackable memory die using wire bond
JP6978690B2 (ja) 2018-05-25 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置
KR20210099604A (ko) 2018-12-06 2021-08-12 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 차폐된 통합된 디바이스 패키지들
EP3891793A4 (en) 2018-12-06 2022-10-05 Analog Devices, Inc. INTEGRATED DEVICE ENCLOSURES WITH PASSIVE DEVICE ASSEMBLIES

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