JP4604865B2 - 集積回路パッケージから集積回路を取り出す方法 - Google Patents

集積回路パッケージから集積回路を取り出す方法 Download PDF

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Description

この発明は、集積回路パッケージ及びこれを備えた光または放射線検出器に係り、特に、集積回路パッケージに含まれる集積回路を再利用可能にする技術に関する。
光または放射線用検出器として近年、フラットパネル型検出器(または、「二次元センサ」ともいい、以下単に「検出器」という)が用いられる。図6に示すように検出器は、光または放射線に有感な半導体層(図示省略)を積層し、この半導体層から電荷情報を読み出すアクティブマトリクス基板51と、この電荷情報の読出動作を駆動する駆動基板53と、読み出された電荷情報を増幅しデジタル化する集積回路(Integrated Circuit)55と、デジタル化された放射線信号を処理したり、集積回路55に電源を供給する信号処理基板57とを備えている。
集積回路55は、ベアチップの状態でフレキシブル基板59上に形成された電極の上に直接実装され、その後、モールド等のコーティングが施されている。実装方法は、一般的にフリップチップ実装が用いられる。このように、集積回路55とフレキシブル基板59とを一体としたものは、TAB(Tape Automated Bonding)、またはチップオンフィルム(COF)と呼ばれる(本明細書では集積回路パッケージ61と呼ぶものとする)。なお、一度実装した場合、集積回路55をフレキシブル基板59から再利用可能に分離することはできない。
この集積回路パッケージ61は1つの検出器に多数個使用されており、図示するように、アクティブマトリクス基板51および信号処理基板57の一旦側に並べて設けられている。
集積回路55の電極間のピッチは比較的狭い、いわゆる狭ピッチであるので(例えば、50〜300μm)、各集積回路パッケージ61は、アクティブマトリクス基板51および信号処理基板57(これらを特に区別しない場合は、「外部回路」と総称する)と、異方導電性接着(ACF:Anisotropic conductive film)技術を用いて電気的に接続される。
この異方導電性接着技術は、樹脂を主材とする基材に導電性の粒子(フィラー)を混ぜ込んだ異方導電性接着材料(図示省略)を用いる。この異方導電性接着材料をアクティブマトリクス基板51または信号処理基板57と、フレキシブル基板59とによって両側から加圧、圧縮するとともに加熱する。これにより、異方導電性接着材料内の粒子が潰され、異方導電性接着材料の表裏面に多数の導電路が形成される。その後、異方導電性接着材料を硬化させることで、所定の強度と各導電路間の絶縁を確保しつつ、外部回路とフレキシブル基板59とを接着している。
この異方導電性接着技術によって一度接続した場合、異方導電性接着材料自体がリペア性を持たないので、フレキシブル基板59を再利用可能に分離することはできない。そのため、外部回路との接続部位の手前でフレキシブル基板59を切断する。一方、外部回路は比較的硬質なガラス基板や通常のPWB(Printed Wired Board)回路基板で構成されているため、異方導電性接着材料とフレキシブル基板59を分離しても電極が損傷せず、再利用することができる(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−279319号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、集積回路パッケージ61を一旦、外部回路と接続すると、その後の取り外し、または交換の際には、上述したようにフレキシブル基板59を外部回路から再利用可能に分離することができない。このとき、集積回路パッケージ61に含まれる集積回路55についても、フレキシブル基板59から再利用可能に分離することができない。結局、集積回路パッケージ61を取り外したり、交換する場合は、これに含まれる集積回路55とともに処分せざるを得ない。しかしながら、集積回路は非常に高価であるので、このように集積回路パッケージ61を使い捨てるような使い方は、相当なコストアップとなる。
なお、コネクタ接続は、一般に狭ピッチで電気的に接続することができないので、集積回路とフレキシブル基板とを良好に接続することができない。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、外部回路と異方導電性接着技術により接続しつつ、集積回路を再利用することができる集積回路パッケージを提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、集積回路パッケージから集積回路を取り外す方法において、前記集積回路パッケージは、集積回路と、前記集積回路が実装される硬質プリント基板と、X線検出器の検出部と前記集積回路とを電気的に接続するフレキシブル基板と、を備え、前記硬質プリント基板と前記フレキシブル基板とが異方導電性接着材料で電気的に接続されており、前記硬質プリント基板に接合している異方導電性接着材料を加熱して取り外し、残った部分を溶剤で溶かし、前記硬質プリント基板との接続端近傍で切断された前記フレキシブル基板の各片とともに前記異方導電性接着材料を前記硬質プリント基板から剥離して、前記集積回路を前記硬質プリント基板と一体に取り外す方法である。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、硬質プリント基板に接合している異方導電性接着材料を加熱して取り外し、残った部分を溶剤で溶かし、硬質プリント基板との接続端近傍で切断されたフレキシブル基板の各片とともに異方導電性接着材料を前記硬質プリント基板から剥離する。比較的硬い硬質プリント基板が異方導電性接着材料と直接接合するように構成することで、硬質プリント基板は異方導電性接着材料から分離することができる。このとき、硬質プリント基板に形成された回路パターン及び電極の強度は比較的高いので、硬質プリント基板は損傷を受けることなく、異方導電性接着材料を完全に剥がすことができる。したがって、硬質プリント基板に実装される集積回路は、硬質プリント基板と一体となって、フレキシブル基板および異方導電性接着材料から分離することができる。したがって、例えば、外部回路が不良または異常となった場合であっても、集積回路パッケージに含まれる集積回路を処分することを要せず、硬質プリント基板とともに再利用することができる。
上述した発明において、前記硬質プリント基板は、セラミック基板、ガラス基板、およびガラスエポキシ樹脂基板のいずれかであることが好ましい。
硬質プリント基板をセラミック基板、ガラス基板、およびガラスエポキシ樹脂基板のいずれかとすることで、接合する異方導電性接着材料を好適に分離することができる。
上述した発明において、前記集積回路パッケージは光または放射線検出器に設けられており、前記外部回路は、光または放射線に感応して電荷情報を生成する半導体層と、前記半導体層から得られた電荷情報を読み出すアクティブマトリクス基板とを備えていることが好ましい
アクティブマトリクス基板や半導体層に不良や異常があった場合であっても、集積回路は再利用することができる光または放射線検出器とすることができる。
なお、本明細書は、次のような光または放射線検出器に係る発明も開示している。
(1)上述した発明において、前記集積回路は、増幅器、および/または、A/D変換器として機能し、アクティブマトリクス基板によって読み出された電荷情報を増幅、および/または、デジタル化することが好ましい
前記(1)に記載の発明によれば、集積回路を増幅器やA/D変換器として機能させることで、好適に電荷情報を増幅しデジタル化することができる。
(2)上述した発明において、前記集積回路は、ゲートドライバ回路として機能し、アクティブマトリクス基板の電荷情報の読出し動作を制御することが好ましい
前記(2)に記載の発明によれば、集積回路をゲートドライバ回路として機能させることで、好適にアクティブマトリクス基板の電荷情報の読出し動作を制御することができる。
この発明に係る方法によれば、硬質プリント基板に接合している異方導電性接着材料を加熱して取り外し、残った部分を溶剤で溶かし、硬質プリント基板との接続端近傍で切断されたフレキシブル基板の各片とともに異方導電性接着材料を前記硬質プリント基板から剥離する。比較的硬い硬質プリント基板が異方導電性接着材料と直接接合するように構成することで、硬質プリント基板は異方導電性接着材料から分離することができる。このとき、硬質プリント基板に形成された回路パターン及び電極の強度は比較的高いので、硬質プリント基板は損傷を受けることなく、異方導電性接着材料を完全に剥がすことができる。したがって、硬質プリント基板に実装される集積回路は、硬質プリント基板と一体となって、フレキシブル基板および異方導電性接着材料から分離することができる。したがって、例えば、外部回路が不良または異常となった場合であっても、集積回路パッケージに含まれる集積回路を処分することを要せず、硬質プリント基板とともに再利用することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図1は、実施例に係るX線検出器の概略構成を示す平面図であり、図2は検出部の垂直断面図であり、図3はX線検出器の詳細構成を示す平面図である。X線検出器は、この発明における光または放射線検出器に相当する。
本実施例のX線検出器は、フラットパネル型検出器であり、X線を検出する検出部1と、この検出部1を駆動する駆動基板3と、検出部1から読み出される信号である電荷情報を信号処理基板5とを有する。駆動基板3と検出部1の一端側との間は、駆動用集積回路を実装した駆動用TAB7によって電気的に接続されている。
また、信号処理基板5と検出部1の他の一端側との間は、複数個の集積回路パッケージ9が並列に接続されている。各集積回路パッケージ9は、集積回路11とこの集積回路11が実装されるセラミック基板13とセラミック基板13と接続される2個のフレキシブル基板15、16とを含み、これらが一体としてTAB(Tape Automated Bonding)と同じ機能となっている。
図2を参照する。検出部1は、図示するようにX線の入射側から順に、バイアス電圧を印加する印加電極21と、X線を電荷情報に変換するX線変換層23と、変換された電荷情報を収集する電荷収集電極25とアクティブマトリクス基板27とが積層されている。すなわち、本実施例のX線検出器は、直接、X線を電荷に変換する直接変換タイプである。
X線変換層23としては、アモルファスセレン等が例示される。また、アクティブマトリクス基板27としては、電気絶縁性を有するガラス基板等が例示される。X線変換層23は、この発明における半導体層に相当する。
電荷収集電極25は、平面視2次元マトリクス状に分離形成されている。さらに、アクティブマトリクス基板27上には、電荷収集電極25ごとに、電荷情報を蓄積するコンデンサCaと、電荷収集電極25とコンデンサCaとをソースSに接続し、電荷情報を取り出すスイッチング素子である薄膜トランジスタ(Thin Film Transistors)Trとが分離形成されている。これら1組の電荷収集電極25とコンデンサCaと薄膜トランジスタTrとは、これに応じた領域のX線変換層23および印加電極21と併せて、1個の検出素子dを構成する。
したがって、X線検出器の検出面には、図3に示すように、多数個の検出素子dは、交差する2軸方向である行と列に沿って配列されていると見ることができる。たとえば、縦50cm×横50cm程の広さの検出面には、縦3072個×横3072個の検出素子dが配列されている。
さらに、アクティブマトリクス基板27には、検出素子dの行ごとにゲートライン31が敷設されているとともに、検出素子dの列ごとにデータライン33とが敷設されている。各ゲートライン31は、各行の薄膜トランジスタTrのゲートに共通接続されている。また、各データライン33は、各列の薄膜トランジスタTrのドレインに共通接続されている。
駆動基板3、および駆動用TAB7は、例えば、プリント配線基板等の基板やTABにゲートドライバ回路として機能する集積回路を搭載したものである。そして、アクティブマトリクス基板27から引き出された各ゲートライン31に接続されている。
信号処理基板5は、例えば、プリント配線基板等の基板に信号処理回路として機能する集積回路を搭載したものである。そして、アクティブマトリクス基板27から引き出された各データライン33と、複数個の集積回路パッケージ9を介して接続されている。
図4を参照する。図4は、実施例に係る集積回路パッケージ9の正面図と平面図である。集積回路11は、電荷情報を増幅し、かつ、デジタル化する機能を有する。したがって、集積回路11は、図3に示すように、機能的に見ると、増幅器41、およびA/D変換器43となる。
セラミック基板13は、集積回路11を実装することができるセラミックの薄板である。機械的な強度があり、比較的硬質である。セラミック基板13は、この発明における硬質プリント基板に相当する。
集積回路11の実装方法は、フリップチップ実装方式による。すなわち、バンプ(図示省略)が形成された集積回路の接続面11aを下側にして、熱や圧力をかけてセラミック基板13と電気的に接続する。
フレキシブル基板15、16は、その一端側をセラミック基板13の対向する2辺の両側にそれぞれ接続している。フレキシブル基板15、16とセラミック基板13との間の電気的接続は、異方導電性接着(ACF:Anisotropic conductive film)技術が用いられている。この方法によれば、電極間のピッチが狭ピッチ(例えば、50〜300μm)であっても、好適に電気的な接続をとることができる。
異方導電性接着(ACF:Anisotropic conductive film)技術は、樹脂を主材とする基材に導電性の粒子(フィラー)を混ぜ込んだ異方導電性接着材料19を用いる。この異方導電性接着材料19をフレキシブル基板15、16とセラミック基板13とによって両側から加圧、圧縮する。これにより、異方導電性接着材料19内の粒子が潰され(図示省略)、異方導電性接着材料19の表裏面に多数の導電路が形成される。このとき、異方導電性接着材料19に熱を加えて硬化させることで、所定の強度と各導電路間の絶縁を確保しつつ、フレキシブル基板15、16とセラミック基板13とを接着している。
集積回路パッケージ9は、集積回路11、セラミック基板13、フレキシブル基板15、16を、絶縁性樹脂に封入し、一体としてTAB状態としたものである。そして、各集積回路パッケージ9は、使用される形態において個別に検査される。
検査を経た集積回路パッケージ9は、フレキシブル基板15の他端側をアクティブマトリクス基板27と接続することにより、検出部1と電気的に接続される。また、フレキシブル基板16の他端側は信号処理基板5と接続される(図4において図示省略)。フレキシブル基板15とアクティブマトリクス基板27との接続、および、フレキシブル基板16と信号処理基板5との接続も、上述した異方導電性接着材料が用いられる。
次に、実施例に係るX線検出器の動作を説明する。
印加電極21にバイアス電圧を印加した状態でX線が入射すると、X線変換層23においてX線から電荷情報に変換される。この電荷情報は電荷収集電極25を介してコンデンサCaに蓄積される。
駆動基板3は、フレキシブル基板7を介して、順次にゲートライン31を選択して走査信号を与える。選択された各ゲートライン31は、走査信号を薄膜トランジスタTrのゲートに転送する。これによって、オン状態に移行した薄膜トランジスタTrを経由して、コンデンサCaに蓄積された電荷情報がデータライン33に読み出される。読み出された電荷情報は各集積回路パッケージ9に入力される。
フレキシブル基板15とセラミック基板13とは、電荷情報を集積回路11に伝送する。集積回路11は、電荷情報を増幅し、デジタル化して出力する。出力されたデータは、セラミック基板13とフレキシブル基板16とを介して信号処理基板5に入力される。信号処理基板5は、データに対して所定の処理を行う。
次に、このような動作をするX線検出器に用いられる集積回路11の再利用について説明する。
集積回路パッケージ9の外部回路である、アクティブマトリクス基板27の不良等によって、集積回路パッケージ9を取り外したり交換する際は、フレキシブル基板15、16をセラミック基板13から分離する。
分離するときは、まず、フレキシブル基板15、16を、セラミック基板13との接続端近傍で切断する。そして、セラミック基板13の電極部に接合している異方導電性接着材料19を加熱して取り外した後、残った部分を溶剤で溶かして、フレキシブル基板15,16の各片とともにセラミック基板13から剥離させる。
セラミック基板13自体が比較的硬質であり、このセラミック基板13に形成された回路パターン強度および電極強度は高い。よって、セラミック基板13の電極を損傷することなく、フレキシブル基板15、16を分離することができる。この際、セラミック基板13に実装される集積回路11は、直接的にフレキシブル基板15、16と接合しないので、損傷を受けることはない。
分離されたセラミック基板13は、集積回路11を実装したまま、新たなフレキシブル基板と接合して集積回路パッケージ9として再度、構成することができる。
このように、実施例1に係るX線検出器に用いられる集積回路パッケージ9は、比較的硬いセラミック基板13とフレキシブル基板15、16が異方導電性接着材料19によって接合しているので、セラミック基板13の電極を損傷させることなく、フレキシブル基板15、16および異方導電性接着材料19を分離することができる。よって、セラミック基板13に実装される集積回路11は、セラミック基板13と一体となって、再利用することができる。
また、集積回路パッケージ9は、比較的硬いセラミック基板13を備えているので、その使用される形態において個別に検査することができるので、良品・不良品を確実に選別することができる。ちなみに、従来の集積回路パッケージ61は、フレキシブル基板の上に直接集積回路55を実装するものであるため、その使用される形態において個別に検査することが難しい。
また、このような集積回路パッケージ9を用いてX線検出器を構成することで、集積回路パッケージ9の交換、取り外しに際して、集積回路11を処分することを要しない。よって、比較的高価な集積回路11を有効に再利用しつつ、X線検出器を製造することができる。
また、集積回路11を、増幅器41、および、A/D変換器43として機能させることで、好適に電荷情報を増幅しデジタル化することができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、集積回路11は、セラミック基板13にフリップチップ実装方式により実装されていたが、これに限られず、ワイヤーボンディング実装方式によって実装してもよい。
さらに、この場合、両面露出構造のプリパンチ方式の(インとアウトの接続端子がそれぞれ異なる表裏面に形成されている)フレキシブル基板17、18を用いて集積回路パッケージ10を構成する。これにより、外部回路との接続を、フリップチップ実装方式による場合の接続のPIN配列を変更することなく行うことができる。
図4とともに図5を参照して説明する。図5は、変形例に係る集積回路パッケージの正面図と平面図である。具体的には、集積回路11の一の電極を電極I1とし、この電極I1と導通するアクティブマトリクス基板27側の端子を端子A1とする。フリップチップ実装方式による集積回路パッケージ9をアクティブマトリクス基板27に接続した場合、端子A1の位置は、図4に示す通りとなる。この集積回路パッケージ9に換えて、ワイヤーボンディング実装方式による集積回路パッケージ10を採用するときは、図5に示すように、集積回路11自体を下側に向ける。これにより、ワイヤーボンディング実装方式では反転する電極I1の平面視の位置(図5参照)を、フリップチップ実装方式のときと同じにすることができる(図4参照)。また、集積回路11と一体に下側に向けられたセラミック基板13に、プリパンチ方式のフレキシブル基板17、18を接続する。これにより、セラミック基板13を、アクティブマトリクス基板27等と好適に接続することができる。そして、電極I1と導通する端子A1の位置(図5参照)を、フリップチップ実装方式のとき(図4参照)と同じにすることができる。
(2)この他に、集積回路11とセラミック基板13との電気的接続を、フリップチップ実装方式に換えて、異方導電性接着技術を用いて行ってもよい。
(3)上述した実施例では、集積回路パッケージ9は、セラミック基板13を備える構成であったが、これに限られない。セラミック基板13に換えて、ガラス基板やガラスエポキシ基板を適宜に選択してもよい。
(4)上述した実施例では、異方導電性接着材料19は、絶縁性基材中に導電性粒子(フィラー)を混ぜ込んだものであり、熱硬化するものであったが、これに限られず、異方導電性接着技術に用いられる公知の材料を適宜に採用することができる。
(5)上述した実施例では、集積回路11は、増幅器41、およびA/D変換器43として機能させるものであったが、これに限られない。たとえば、集積回路11を増幅器41のみとして機能させてもよい。
また、集積回路をゲートドライバ回路と機能させてもよい。このような集積回路を含む集積回路パッケージによって、駆動基板3に換えてアクティブマトリクス基板27の電荷情報の読出し動作を駆動するように構成してもよい。
(6)上述した実施例では、セラミック基板13の両端側にフレキシブル基板15、16を接続して集積回路パッケージ9を構成していたが、フレキシブル基板15、16のいずれかを省略して、セラミック基板13の片側にのみフレキシブル基板を接続して集積回路パッケージを構成してもよい。
(7)上述した実施例では、入射したX線をX線変換層23によって電荷情報に直接的に変換するものであったが、これに限られない。たとえば、入射したX線をシンチレータによって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する間接型であってもよい。
(8)上述した実施例では、X線の入射を検出するX線検出器であったが、入射するものはX線に限定されない。X線以外の放射線、または、光を入射させる場合にも適用できる。
(9)上述した実施例では、X線検出器の用途を特定していないが、たとえば、医用分野に用いられるX線撮影装置に適用してもよい。また、X線以外の放射線を用いる装置にも適用することができ、また、非破壊検査、RI(Radio Isotope)検査、および光学検査などの工業分野などに用いられる放射線撮影装置にも適用できる。
実施例に係るX線検出器の概略構成を示す平面図である。 検出部の垂直断面図である。 X線検出器の詳細構成を示す平面図である。 実施例に係る集積回路パッケージの正面図と平面図である。 変形例に係る集積回路パッケージの正面図と平面図である。 従来のX線検出器の概略構成を示す平面図である。
符号の説明
1 …検出部
3 …駆動基板
5 …信号処理基板
9、10 …集積回路パッケージ
11 …集積回路
13 …セラミック基板
15、16、17、18 …フレキシブル基板
19 …異方導電性接着材料
23 …X線変換層
27 …アクティブマトリクス基板
41 …増幅器
43 …A/D変換器

Claims (1)

  1. 集積回路パッケージから集積回路を取り外す方法において、
    前記集積回路パッケージは、集積回路と、前記集積回路が実装される硬質プリント基板と、X線検出器の検出部と前記集積回路とを電気的に接続するフレキシブル基板と、を備え、前記硬質プリント基板と前記フレキシブル基板とが異方導電性接着材料で電気的に接続されており、
    前記硬質プリント基板に接合している異方導電性接着材料を加熱して取り外し、残った部分を溶剤で溶かし、前記硬質プリント基板との接続端近傍で切断された前記フレキシブル基板の各片とともに前記異方導電性接着材料を前記硬質プリント基板から剥離して、前記集積回路を前記硬質プリント基板と一体に取り外す方法。
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