TWI765666B - X光感測裝置 - Google Patents

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TWI765666B
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張家銘
陳瑞沛
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Abstract

一種X光感測裝置包括感光元件、含鉛玻璃以及X光轉換結構。感光元件被配置為感測具有第一波長的光線。含鉛玻璃重疊於感光元件。X光轉換結構設置於含鉛玻璃上。含鉛玻璃位於感光元件與X光轉換結構之間。X光轉換結構被配置為將X光至少部分轉化成具有第一波長的光線。

Description

X光感測裝置
本發明是有關於一種X光感測裝置，且特別是有關於一種包括鉛玻璃的X光感測裝置。
隨著醫療技術的進展，許多醫生會利用X光來檢察病患的身體狀況。舉例來說，醫生在執行手術之前，利用X光檢察病患的骨骼情況，藉此降低手術失敗的風險。
目前，X光感測裝置中包括許多感光元件，這些感光元件通常會藉由薄膜電晶體或其他主動/被動元件來控制。然而，隨著X光感測裝置的使用時間增加，X光不斷反覆的照射薄膜電晶體中的半導體通道層。薄膜電晶體中的半導體通道層被X光反覆的照射之後容易出現劣化的問題，導致X光感測裝置產生的影像模糊不清。若X光感測裝置產生的影像模糊不清，容易使醫生對病患的骨骼情況產生誤判。因此，目前亟需一種可以解決前述問題的方法。
本發明提供一種X光感測裝置，能改善主動元件劣化的問題。
本發明的至少一實施例提供一種X光感測裝置。X光感測裝置包括感光元件、含鉛玻璃以及X光轉換結構。感光元件被配置為感測具有第一波長的光線。含鉛玻璃重疊於感光元件。X光轉換結構設置於含鉛玻璃上。含鉛玻璃位於感光元件與X光轉換結構之間。X光轉換結構被配置為將X光至少部分轉化成具有第一波長的光線。
10、20、30、40:X光感測裝置
100:感光元件
110、110a:第一電極
120:感光層
130:第二電極
200:含鉛玻璃
202、322:第一面
204、324:第二面
300:X光轉換結構
310:閃爍體層
320:第一軟性基板
330:黏著層
340:金屬層
350:第二軟性基板
360:抗水氣層
400:主動元件
410:閘極
420:半導體通道層
422:導電區
424:通道區
430:源極
440:汲極
450:閘極絕緣層
600:X光轉換結構
610:閃爍體層
620:第一保護層
630:金屬層
640:第二保護層
700:擋牆結構
710:第一層
720:第二層
a-a’、b-b’:線
AL:主動元件層
BP1、PV1、PV2、PV3:絕緣層
DR1:第一方向
DR2:第二方向
H1、H2、H3、TH1、TH2、TH3:通孔
ILD:層間介電層
L1:第一訊號線
L2:第二訊號線
L3:第三訊號線
OCA:光學膠層
PL:平坦層
SA:感測區
T1、T2、T3、T4、U1、U2:厚度
Z1、Z2、Z3:X光
圖1A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。
圖1B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視示意圖。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。
圖2B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的仰視示意圖。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。
圖3B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視 示意圖。
圖4A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。
圖4B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視示意圖。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。圖1B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視示意圖。圖1A對應了圖1B中線a-a’的位置，且圖1B省略繪出了圖1A中的部分構件。
請參考圖1A與圖1B，X光感測裝置10包括感光元件100、含鉛玻璃200以及X光轉換結構300。在本實施例中，X光感測裝置10更包括主動元件400、第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3。在本實施例中，主動元件層AL形成於含鉛玻璃200的第一面202，且X光轉換結構300形成於含鉛玻璃200的第二面204，其中主動元件層AL包含感光元件100、主動元件400、第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3。
在含鉛玻璃200中，氧化鉛的重量百分比為10wt%至75wt%，且含鉛玻璃200的厚度T1為0.5毫米至5毫米，例如0.5毫米至3毫米。在一些實施例中，含鉛玻璃200針對波長為 400奈米至700奈米(例如550奈米)的可見光的穿透率約大於或等於85%，且針對波長約0.1奈米至10奈米的X光的穿透率約小於或等於11.6%。
主動元件400形成於含鉛玻璃200上。在本實施例中，主動元件400包括閘極410、半導體通道層420、源極430以及汲極440。
半導體通道層420形成於含鉛玻璃200上。在一些實施例中，半導體通道層420包括低溫多晶矽(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)或其他半導體材料。在一些實施例中，半導體通道層420包括兩個導電區422以及位於兩個導電區422之間的通道區424。在一些實施例中，導電區422的摻雜濃度不同於通道區424的摻雜濃度。
第一訊號線L1與閘極410形成於含鉛玻璃200上。閘極410重疊於半導體通道層420的通道區424，且閘極410與半導體通道層420之間夾有閘極絕緣層450。在本實施例中，第一訊號線L1電性連接至閘極410。第一訊號線L1與閘極410屬於相同導電層，舉例來說，第一訊號線L1與閘極410是由同一層導電材料圖案化後所形成。在一些實施例中，閘極絕緣層450、第一訊號線L1與閘極410是經由同一道蝕刻製程圖案化。在本實施例中，第一訊號線L1與閘極410為單層或多層結構，且第一訊號線L1與閘極410的材料包括金屬、金屬材料的氮化物、 金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
在一些實施例中，閘極絕緣層450僅位於閘極410與半導體通道層420之間以及第一訊號線L1與半導體通道層420之間，但本發明不以此為限。在其他實施例中，閘極絕緣層450並非與第一訊號線L1以及閘極410經由同一道蝕刻製程圖案化，且閘極絕緣層450自半導體通道層420上延伸至含鉛玻璃200上。
層間介電層ILD形成於第一訊號線L1、閘極410、半導體通道層420以及含鉛玻璃200上。
源極430以及汲極440形成於層間介電層ILD上。源極430以及汲極440分別透過通孔H1、H2而電性連接至半導體通道層420，其中通孔H1、H2貫穿層間介電層ILD。源極430電性連接至第二訊號線L2。在本實施例中，源極430以及汲極440屬於相同導電膜層。舉例來說，源極430以及汲極440是由同一層導電材料圖案化後所形成。在本實施例中源極430以及汲極440為單層或多層結構，且源極430以及汲極440的材料包括金屬、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
在本實施例中，主動元件400是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，主動元件 400為底部閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。
絕緣層BP1位於主動元件400上。感光元件100位於絕緣層BP1上，且含鉛玻璃200重疊於感光元件100。感光元件100包括第一電極110、感光層120以及第二電極130。
第一電極110形成於絕緣層BP1上，且透過通孔H3電性連接至主動元件400的汲極440，其中通孔H3貫穿絕緣層BP1。在本實施例中，第一電極110包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是上述至少二者之堆疊層。
感光層120形成於第一電極110上。在本實施例中，感光層120包括P型半導體、本質半導體以及N型半導體的堆疊層。換句話說，在本實施例中，感光元件100為PIN型二極體(PIN photodiode)。在其他實施例中，感光層120的材料包括富矽氧化層(Silicon-rich oxide)、富矽氮化物(Silicon-rich nitride)、富矽氮氧化物(silicon-rich oxynitride)、富矽碳化物(silicon-rich carbide)、富矽碳氧化物(silicon-rich oxycarbide)、氫化富矽氧化物(hydrogenated silicon-rich oxide)、氫化富矽氮化物(hydrogenated silicon-rich nitride)、氫化富矽碳化物(hydrogenated silicon-rich carbide)或其組合。
第二電極130形成於感光層120上。在本實施例中，第一電極110較第二電極130更靠近含鉛玻璃200。在一些實施例中，第二電極130包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧 化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二電極130包括反光導電材料，例如金屬。
絕緣層PV1形成於感光元件100以及絕緣層BP1上。平坦層PL形成於絕緣層PV1上。通孔TH1貫穿平坦層PL以及絕緣層PV1。絕緣層PV2形成於平坦層PL上。
第二訊號線L2以及第三訊號線L3形成於絕緣層PV2上。第二訊號線L2透過通孔TH2而電性連接至主動元件400的源極430，其中通孔TH2貫穿絕緣層BP1、絕緣層PV1、平坦層PL以及絕緣層PV2。第三訊號線L3透過通孔TH3而電性連接至感光元件100的第二電極130，其中通孔TH3重疊於通孔TH1，且通孔TH3貫穿絕緣層PV2。
第二訊號線L2以及第三訊號線L3屬於相同導電層，舉例來說，第二訊號線L2以及第三訊號線L3是由同一層導電材料圖案化後所形成。在本實施例中，第二訊號線L2以及第三訊號線L3為單層或多層結構，且第二訊號線L2以及第三訊號線L3的材料包括金屬、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。絕緣層PV3覆蓋第二訊號線L2以及第三訊號線L3。
在本實施例中，第一訊號線L1實質上沿著第一方向DR1延伸，且第二訊號線L2以及第三訊號線L3實質上沿著第二 方向DR2延伸，其中第一方向DR1交錯於第二方向DR2。
X光轉換結構300設置於含鉛玻璃200上。含鉛玻璃200位於感光元件100與X光轉換結構300之間。
在本實施例中，X光Z1自X光轉換結構300的一側進入X光感測裝置10。X光轉換結構300被配置為將X光Z1至少部分轉化成具有第一波長的光線Z2。在本實施例中，X光轉換結構300將40%至95%的X光Z1轉化成具有第一波長的光線Z2，而另一部分未被轉化的X光Z3則穿過X光轉換結構300。在本實施例中，光線Z2為可見光，且第一波長為400奈米至700奈米。
由於含鉛玻璃200針對波長為400奈米至700奈米(例如550奈米)的可見光的穿透率約大於或等於85%，大部分的光線Z2可以穿過含鉛玻璃200。感光元件100被配置為感測具有第一波長的光線Z2。由於大部分的光線Z2都可以穿過含鉛玻璃200，X光感測裝置10的解析度不會被含鉛玻璃200明顯影響。
此外，由於含鉛玻璃200針對波長約0.1奈米至10奈米的X光Z3的穿透率約小於或等於11.6%。只有少部份的X光Z3或完全沒有X光Z3能夠穿過含鉛玻璃200，因此，能避免X光Z3照射到主動元件400而導致主動元件400劣化。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。圖2B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的仰視示意圖。圖2A對應了圖2B中線b-b’的位置，且圖2B 省略繪出了圖2A中的部分構件。
在此必須說明的是，圖2A和圖2B的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖2A與圖2B，主動元件層AL與X光轉換結構300分別位於含鉛玻璃200的兩側。
在X光感測裝置20中，X光轉換結構300包括閃爍體層310、第一軟性基板320、黏著層330、金屬層340、第二軟性基板350以及抗水氣層360。
第一軟性基板320具有第一面322以及相對於第一面322的第二面324。閃爍體層310形成於第一軟性基板320的第一面322上。在一些實施例中，閃爍體層310包括鉈活化的碘化銫閃爍體(CsI：Tl scintillators)。閃爍體層310例如以1790g/m2±180g/m2的量設置於第一軟性基板320上，且閃爍體層310的厚度T2例如為500微米±50微米。黏著層330形成於第一軟性基板320的第二面324上。
第二軟性基板350重疊於第一軟性基板320。金屬層340形成於第二軟性基板350上，且重疊於閃爍體層310。黏著層330黏接金屬層340。在一些實施例中，金屬層340的材料包括鋁。
抗水氣層360包圍閃爍體層310、第一軟性基板320、 黏著層330、金屬層340以及第二軟性基板350。抗水氣層360的厚度例如約為20微米。
在本實施例中，X光轉換結構300的整體厚度T3約為0.5毫米至1.4毫米。
在本實施例中，光學膠層OCA形成於含鉛玻璃200的第二面204上，且光學膠層OCA黏接X光轉換結構300。換句話說，在本實施例中，X光轉換結構300透過光學膠層OCA而黏至含鉛玻璃200上。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。圖3B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視示意圖。圖3A對應了圖3B中線a-a’的位置，且圖3B省略繪出了圖3A中的部分構件。
在此必須說明的是，圖3A和圖3B的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3A與圖3B，在X光感測裝置30中主動元件層AL形成於基板500上。
基板500重疊於含鉛玻璃200。基板500可以為玻璃基板或軟性基板。主動元件400與感光元件100位於基板500與含鉛玻璃200之間。在本實施例中，含鉛玻璃200的第一面202朝向主動元件層AL，且含鉛玻璃200的第二面204朝向X光轉換 結構300。
主動元件400形成於基板500上。在本實施例中，主動元件400包括閘極410、半導體通道層420、源極430以及汲極440。
半導體通道層420形成於基板500上。在一些實施例中，半導體通道層420包括兩個導電區422以及位於兩個導電區422之間的通道區424。在一些實施例中，導電區422的摻雜濃度不同於通道區424的摻雜濃度。
第一訊號線L1與閘極410形成於基板500上。閘極410重疊於半導體通道層420的通道區424，且閘極410與半導體通道層420之間夾有閘極絕緣層450。在本實施例中，第一訊號線L1電性連接至閘極410。第一訊號線L1與閘極410屬於相同導電層，舉例來說，第一訊號線L1與閘極410是由同一層導電材料圖案化後所形成。在一些實施例中，閘極絕緣層450、第一訊號線L1與閘極410是經由同一道蝕刻製程圖案化。
在本實施例中，閘極絕緣層450僅位於閘極410與半導體通道層420之間以及第一訊號線L1與半導體通道層420之間，但本發明不以此為限。在其他實施例中，閘極絕緣層450並非與第一訊號線L1以及閘極410經由同一道蝕刻製程圖案化，且閘極絕緣層450自半導體通道層420上延伸至基板500上。
層間介電層ILD形成於第一訊號線L1、閘極410、半導體通道層420以及基板500上。
源極430以及汲極440形成於層間介電層ILD上。源極430以及汲極440分別透過通孔H1、H2而電性連接至半導體通道層420，其中通孔H1、H2貫穿層間介電層ILD。源極430電性連接至第二訊號線L2。在本實施例中，源極430以及汲極440屬於相同導電膜層。舉例來說，源極430以及汲極440是由同一層導電材料圖案化後所形成。
在本實施例中，主動元件400是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，主動元件400為底部閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。
絕緣層BP1位於主動元件400上。感光元件100位於絕緣層BP1上，且含鉛玻璃200重疊於感光元件100。感光元件100包括第一電極110a、感光層120以及第二電極130。
第一電極110a形成於絕緣層BP1上，且透過通孔H3電性連接至主動元件400的汲極440，其中通孔H3貫穿絕緣層BP1。在本實施例中，第一電極110a包括透明導電材料或反光導電材料。
感光層120形成於第一電極110a上。第二電極130形成於感光層120上。在本實施例中，第一電極110a較第二電極130更靠近基板500，且第二電極130較第一電極110a更靠近含鉛玻璃200。在一些實施例中，第二電極130包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為 限。
絕緣層PV1形成於感光元件100以及絕緣層BP1上。平坦層PL形成於絕緣層PV1上。通孔TH1貫穿平坦層PL以及絕緣層PV1。絕緣層PV2形成於平坦層PL上。
第二訊號線L2以及第三訊號線L3形成於絕緣層PV2上。第二訊號線L2透過通孔TH2而電性連接至主動元件400的源極430，其中通孔TH2貫穿絕緣層BP1、絕緣層PV1、平坦層PL以及絕緣層PV2。第三訊號線L3透過通孔TH3而電性連接至感光元件100的第二電極130，其中通孔TH3重疊於通孔TH1，且通孔TH3貫穿絕緣層PV2。
第二訊號線L2以及第三訊號線L3屬於相同導電層，舉例來說，第二訊號線L2以及第三訊號線L3是由同一層導電材料圖案化後所形成。絕緣層PV3覆蓋第二訊號線L2以及第三訊號線L3。在一些實施例中，絕緣層PV3與含鉛玻璃200之間還包含其他絕緣材料或封裝材料，但本發明不以此為限。
在本實施例中，X光Z1自X光轉換結構300的一側進入X光感測裝置30。X光轉換結構300被配置為將X光Z1至少部分轉化成具有第一波長的光線Z2。在本實施例中，X光轉換結構300將40%至95%的X光Z1轉化成具有第一波長的光線Z2，而另一部分未被轉化的X光Z3則穿過X光轉換結構300。在本實施例中，光線Z2為可見光，且第一波長為400奈米至700奈米。
由於含鉛玻璃200針對波長為400奈米至700奈米(例如550奈米)的可見光的穿透率約大於或等於85%，大部分的光線Z2可以穿過含鉛玻璃200。感光元件100被配置為感測具有第一波長的光線Z2。由於大部分的光線Z2都可以穿過含鉛玻璃200，X光感測裝置30的解析度不會被含鉛玻璃200明顯影響。
此外，由於含鉛玻璃200針對波長約0.1奈米至10奈米的X光Z3的穿透率約小於或等於11.6%。只有少部份的X光Z3或完全沒有X光Z3能夠穿過含鉛玻璃200，因此，能避免X光Z3照射到主動元件400而導致主動元件400劣化。
圖4A是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的剖面示意圖。圖4B是依照本發明的一實施例的一種X光感測裝置的俯視示意圖。圖4A對應了圖4B中線b-b’的位置，且圖4B省略繪出了圖4A中的部分構件。
在此必須說明的是，圖4A和圖4B的實施例沿用圖3A和圖3B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖4A與圖4B，X光感測裝置40包括基板500、主動元件層AL、含鉛玻璃200以及X光轉換結構600，其中主動元件層AL位於基板500以及含鉛玻璃200之間，且含鉛玻璃200位於主動元件層AL與X光轉換結構600之間。在一些實施例中，基板500的厚度U1為0.5毫米至0.7毫米，主動元件層 AL的厚度U2小於10微米，且含鉛玻璃200的厚度T1為0.5毫米至3毫米。
在本實施例中，X光感測裝置40更包括擋牆結構700。擋牆結構700環繞X光轉換結構600。在本實施例中，X光轉換結構600包括閃爍體層610、第一保護層620、金屬層630以及第二保護層640。
擋牆結構700形成於含鉛玻璃200上。在本實施例中，擋牆結構700包括多層結構。舉例來說，擋牆結構700包括第一層710以及第二層720。
擋牆結構700的第一層710形成於含鉛玻璃200上，且定義出感測區SA。第一層710環繞感測區SA。
閃爍體層610形成於含鉛玻璃200上，且被擋牆結構700環繞。在本實施例中，閃爍體層610藉由蒸鍍而形成於含鉛玻璃200上的感測區SA中。在一些實施例中，閃爍體層310包括鉈活化的碘化銫閃爍體(CsI：Tl scintillators)。閃爍體層310的厚度T2例如為500微米±100微米。
第一保護層620形成於閃爍體層610上。在本實施例中，第一保護層620自閃爍體層610上延伸至擋牆結構700的第一層710上。第一保護層620的厚度T4例如為20微米±4微米。
擋牆結構700的第二層720形成於擋牆結構700的第一層710上，且第二層720環繞感測區SA。在本實施例中，第一 保護層620自閃爍體層610上延伸進擋牆結構700的第一層710與第二層720中。
金屬層630形成於第一保護層620上，且重疊於閃爍體層610。在本實施例中，金屬層630藉由蒸鍍而形成於含鉛玻璃200上的感測區SA中。在一些實施例中，金屬層630的材料包含鋁，且金屬層630的厚度T5例如為0.2微米至0.3微米。
第二保護層640形成於金屬層630上。第二保護層640的厚度T6例如為20微米±4微米。
在本實施例中，X光轉換結構600的整體厚度T3約為0.5毫米至1.4毫米。
在本實施例中，光感測裝置40選擇性地包括襯墊800。襯墊800適用於在蒸鍍製程中支撐光罩。舉例來說，在閃爍體層610的蒸鍍製程中及金屬層630的蒸鍍製程中支撐光罩。在本實施例中，擋牆結構700有助於增加蒸鍍的製程良率，避免閃爍體層610及/或金屬層630汙染到感測區SA以外的區域。
10:X光感測裝置
100:感光元件
110:第一電極
120:感光層
130:第二電極
200:含鉛玻璃
202:第一面
204:第二面
300:X光轉換結構
400:主動元件
410:閘極
420:半導體通道層
422:導電區
424:通道區
430:源極
440:汲極
450:閘極絕緣層
a-a’:線
AL:主動元件層
BP1、PV1、PV2、PV3:絕緣層
H1、H2、H3、TH1、TH2、TH3:通孔
ILD:層間介電層
L2:第二訊號線
L3:第三訊號線
PL:平坦層
T1:厚度
Z1、Z2、Z3:X光

Claims (9)

  1. 一種X光感測裝置，包括：一感光元件，被配置為感測具有第一波長的光線；一含鉛玻璃，重疊於該感光元件，其中在該含鉛玻璃中，氧化鉛的重量百分比為10wt%至75wt%，且該含鉛玻璃的厚度為0.5毫米至5毫米；以及一X光轉換結構，設置於該含鉛玻璃上，且該含鉛玻璃位於該感光元件與該X光轉換結構之間，其中該X光轉換結構被配置為將X光至少部分轉化成具有該第一波長的光線。
  2. 如請求項1所述的X光感測裝置，更包括：一主動元件，形成於該含鉛玻璃上，其中該感光元件包括：一第一電極，電性連接至該主動元件，且該第一電極包括透明導電材料；一感光層，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該感光層上，其中該第一電極較該第二電極更靠近該含鉛玻璃。
  3. 如請求項1所述的X光感測裝置，其中該X光轉換結構包括：一閃爍體層；一金屬層，重疊於該閃爍體層；以及一抗水氣層，包圍該閃爍體層以及該金屬層。
  4. 如請求項3所述的X光感測裝置，其中該X光轉換結構包括：一第一軟性基板，具有一第一面以及相對於該第一面的一第二面，其中該閃爍體層形成於該第一面上；一黏著層，形成於該第二面上；以及一第二軟性基板，重疊於該第一軟性基板，其中該金屬層形成於該第二軟性基板上，且該黏著層黏接該金屬層，其中該抗水氣層包圍該第一軟性基板、該閃爍體層、該黏著層、該金屬層以及該第二軟性基板。
  5. 如請求項3所述的X光感測裝置，更包括：一光學膠層，形成於該含鉛玻璃上，且該光學膠層黏接該X光轉換結構。
  6. 如請求項1所述的X光感測裝置，更包括：一基板，重疊於該含鉛玻璃；一主動元件，形成於該基板上，且該主動元件與該感光元件位於該基板與該含鉛玻璃之間，其中該感光元件包括：一第一電極，電性連接至該主動元件；一感光層，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該感光層上，其中該第一電極較該第二電極更靠近該基板，且該第二電極包括透明導電材料。
  7. 如請求項1所述的X光感測裝置，更包括：一擋牆結構，位於該含鉛玻璃上，且環繞該X光轉換結構。
  8. 如請求項7所述的X光感測裝置，其中該X光轉換結構包括：一閃爍體層，形成於該含鉛玻璃上，且被該擋牆結構環繞；一第一保護層，形成於該閃爍體層上；一金屬層，形成於該第一保護層上，且重疊於該閃爍體層；以及一第二保護層，形成於該金屬層上。
  9. 如請求項8所述的X光感測裝置，其中該擋牆結構包括多層結構，且該第一保護層自該閃爍體層上延伸進該擋牆結構中。
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