TW202014148A - 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 Download PDF

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Abstract

本發明的放射線檢測器具有依序設置有如下之部分：基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素；轉換層，將放射線轉換為光；反射性黏著層，反射被轉換層轉換之光；及黏接層，覆蓋包括黏著層的端部至基板的表面之區域之區域。

Description

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
本揭示關於一種放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
一直以來，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線拍攝之放射線圖像攝影裝置。如此的放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射被攝體之放射線而生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，已知有具備形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之基板和將放射線轉換為光之轉換層者。如此的放射線檢測器中，已知有作為具有反射被轉換層轉換之光之功能之層例如具備反射層之技術（參閱日本特開2018-009804號公報及日本特開2017-187424號公報）。
上述習知之技術的放射線檢測器中，具有反射光之功能之層不能說被充分固定於基板及轉換層的端部，從而有剝離之慮。尤其，在基板具有可撓性之情況下，因基板撓曲，具有反射光之功能之層變得容易剝離。因此，期待將具有反射光之功能之層固定於基板及轉換層之技術。
因此，可考慮在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置具有黏著性之層等，並藉由具有黏著性之層將具有反射光之功能之層固定於基板及轉換層。然而，在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置黏著層之情況下，有使藉由放射線檢測器而得之放射性圖像的畫質降低之慮。
本揭示提供一種與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置具有黏著性之層之情況相比，能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
本揭示的第1態樣為放射線檢測器，具有依序設置有如下之部分：基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素；轉換層，將放射線轉換為光；反射性黏著層，反射被轉換層轉換之光；及黏接層，覆蓋包括黏著層的端部至基板的表面之區域之區域。
本揭示的第2態樣在第1態樣中，黏著層可以形成於基材上，黏著層可以配置於轉換層側。
本揭示的第3態樣在第2態樣中，基材可以具有反射性。
本揭示的第4態樣在第1態樣至第3態樣中的任一態樣中，黏著層可以為分散有無機白色粉末之黏著性樹脂。
本揭示的第5態樣在第4態樣中，粉末可以含有氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鎂及氧化鈣中的至少1個。
本揭示的第6態樣在第1態樣中，黏著層可以具有為反射性的金屬性第1黏著膜和為反射性的樹脂性第2黏著膜積層而成之積層結構，第2黏著膜可以配置於轉換層側。
本揭示的第7態樣在第1態樣至第6態樣中的任一態樣中，可以進一步具備覆蓋黏著層及轉換層之保護層。
本揭示的第8態樣在第7態樣中，保護層可以具有聚對酞酸乙二酯膜和鋁膜積層而成之積層結構。
本揭示的第9態樣在第1態樣至第8態樣中的任一態樣中，轉換層的周緣部可以具有隨著朝向外側厚度變薄之傾斜度，黏著層的外周可以位於轉換層的周緣部。
本揭示的第10態樣為放射線檢測器，其具有依序設置有如下之部分：基板，形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之像素區域；轉換層，將放射線轉換為光；及反射性黏著層，反射被轉換層轉換之光，且覆蓋包括遍及整個轉換層及基板的表面之區域之區域。
本揭示的第11態樣在第10態樣中，黏著層可以為分散有無機白色粉末之熱塑性樹脂。
本揭示的第12態樣在第11態樣中，粉末可以含有氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鎂及氧化鈣中的至少1個。
本揭示的第13態樣在第10態樣至第12態樣中的任一態樣中，可以進一步具備覆蓋黏著層之保護層。
本揭示的第14態樣在第13態樣中，保護層可以具有聚對酞酸乙二酯膜和鋁膜積層而成之積層結構。
本揭示的第15態樣在第13態樣或第14態樣中，保護層的外周可以被密封劑密封。
本揭示的第16態樣在第7態樣、第8態樣、第13態樣、第14態樣及第15態樣中的任一態樣中，可以進一步具備設置於包括基板、轉換層、黏著層及保護層之積層體的保護層側及基板側中的至少一側之加強基板。
本揭示的第17態樣在第16態樣中，加強基板的剛性可以高於基板的剛性。
本揭示的第18態樣在第16態樣或第17態樣中，加強基板的厚度可以厚於基板的厚度。
本揭示的第19態樣在第1態樣至第15態樣中的任一態樣中，轉換層的中央部的區域可以覆蓋基板的像素區域且大於基板的像素區域。
本揭示的第20態樣在第1態樣至第19態樣中的任一態樣中，轉換層的中央部的區域可以覆蓋基板的像素區域且小於基板的像素區域。
本揭示的第21態樣在第1態樣至第20態樣中的任一態樣中，基板可以具有可撓性。
本揭示的第22態樣在第21態樣中，基板可以在與轉換層側相反之一側的面上具有含有平均粒徑為0.05μm以上且25μm以下的無機微粒子之層。
本揭示的第23態樣在第1態樣至第22態樣中的任一態樣中，轉換層可以含有CsI柱狀結晶。
又，本揭示的第24態樣為放射線檢測器，其具有依序設置有如下之部分：基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素；轉換層，將放射線轉換為光；及保護層，具有在至少覆蓋轉換層之反射性黏著膜上積層有保護膜之積層結構，且覆蓋包括遍及整個轉換層及基板的表面之區域之區域，保護層的黏著膜配置於轉換層側。
又，本揭示的第25態樣為放射線圖像攝影裝置，其具備：第1態樣至第24態樣中的任一態樣的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素之電荷之控制訊號；驅動部，依據控制訊號從複數個像素讀取電荷；及訊號處理部，輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而向控制部輸出。 發明效果
依上述態樣，與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置有具有黏著性之層之情況相比，本揭示的放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離。
以下，參閱圖式對本揭示之示例性實施形態進行詳細說明。再者，本示例性實施形態並不限定於本揭示。
[第1示例性實施形態] 本示例性實施形態的放射線檢測器具有檢測透射被攝體之放射線而輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本示例性實施形態的放射線檢測器具備TFT（Thin Film Transistor）基板和將放射線轉換為光之轉換層（參閱圖3的放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14）。
首先，參閱圖1對本示例性實施形態的放射線檢測器中的TFT基板12的構成的一例進行說明。再者，本示例性實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35上形成有包括複數個像素30之像素陣列31之基板。因此，以下以與“像素陣列31”相同的含義使用“像素區域35”這一表述。本示例性實施形態的TFT基板12為揭示技術的基板的一例。
基材11例如為無鹼玻璃等玻璃基板或含有聚醯亞胺等塑膠之樹脂片等。作為樹脂片的具體例，可舉出XENOMAX（註冊商標）。又，基材11具有可撓性為較佳，此時，作為基材11，上述樹脂片或比較薄的玻璃基板等為較佳。
基材11的厚度係依據材質的硬度及TFT基板12的大小等而獲得所期望的可撓性之厚度即可，例如基材11為樹脂片之情況下，係厚度為5μm～125μm者即可，若係厚度為20μm～50μm者，則更佳。又，例如基材11為玻璃製基板之情況下，通常一個邊之尺寸為43cm左右時，若厚度為0.3mm以下則具有可撓性，且趨於與樹脂製基材11相同地彎曲，因此係厚度為0.3mm以下者即可。
再者，作為基材11，具有300℃～400℃下的熱膨脹率為20ppm/K以下、厚度25μm的狀態下400℃下的MD（Machine Direction，縱向）方向上的熱收縮率為0.5%以下及500℃下的彈性係數為1GPa以上之類的特性為較佳。作為具有如此的特性之樹脂片的具體例，可舉出在與設置有轉換層14之一側相反之一側的面上具有含有平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機微粒子之層之上述XENOMAX（註冊商標）。 再者，本示例性實施形態中的上述厚度、熱膨脹率、彈性係數及平均粒徑等的測量方法中適用了日本特開2010-076438號公報中記載之評價方法。例如，熱膨脹率的測量方法係在下述條件下對MD方向及TD（Transverse Direction，橫向）方向的伸縮率進行測量，測量以90℃～100℃、100℃～110℃、……之10℃的間隔的伸縮率及溫度，將該測量進行至400℃為止，並將作為100℃至350℃為止的所有測量值的平均值而導出之熱膨脹率（ppm/℃）換算為（ppm/K）。關於熱膨脹率的測量條件，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，樣本長度設為10mm，樣本寬度設為2mm，初荷重設為34.5g/mm2 ，升溫開始溫度設為25℃，升溫結束溫度設為400℃，升溫速度設為5℃/min，且環境設為氬氣。
各像素30包括依據由轉換層轉換之光而產生電荷並將其蓄積之感測器部34及讀取藉由感測器部34蓄積之電荷之開關元件32。本示例性實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30係在TFT基板12的像素區域35沿一方向（與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”）及與行方向交叉之方向（與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”）二維狀配置。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向和列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉設置有用於控制TFT32的開關狀態（導通及關斷）之複數個掃描配線38和針對像素30的每一列設置之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38之每一個分別經由設置於TFT基板12上之墊片（省略圖示）與放射線檢測器10的外部的驅動部（參閱圖22及圖23的驅動部103）連接，藉此從驅動部輸出之控制TFT32的開關狀態之控制訊號流經複數個掃描配線38之每一個。又，複數個訊號配線36之每一個分別經由設置於TFT基板12上之墊片（省略圖示）與放射線檢測器10的外部的訊號處理部（參閱圖22及圖23的訊號處理部104）連接，藉此從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部。
又，為了對各像素30施加偏壓，各像素30之感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置於TFT基板12上之墊片（省略圖示）與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源對各像素30施加偏壓。
本示例性實施形態的放射線檢測器10中，在TFT基板12上形成有轉換層。圖2係從形成有轉換層14之一側觀察本示例性實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖3係圖2中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。再者，以下在放射線檢測器10的結構中稱為“上”之情況下，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中位於上方。
如圖2及圖3所示，本示例性實施形態的轉換層14設置於TFT基板12的包括像素區域35之一部分區域上。如此，本示例性實施形態的轉換層14未設置於TFT基板12的外周部的區域上。
本示例性實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了含有CsI（碘化銫）之閃爍器。作為如此的閃爍器，例如含有照射X射線時之發光光譜為400nm～700nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。再者，CsI:Tl之可見光區域內之發光峰值波長為565nm。
本示例性實施形態的放射線檢測器10中，如圖5所示之一例，轉換層14藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）法等氣相沉積法直接在TFT基板12上形成為長條狀的柱狀結晶14A。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出真空蒸鍍法，其在作為轉換層14使用CsI:Tl之情況下，在真空度0.01Pa～10Pa的環境下藉由電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI:Tl進行加熱而使其氣化，並使TFT基板12的溫度成為室溫（20℃）～300℃而使CsI:Tl沉積於TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100μm～800μm為較佳。
再者，本示例性實施形態中，將轉換層14的柱狀結晶14A的生長方向上的基點側（本示例性實施形態中為TFT基板12側）的端部稱為“根基”，將與生長方向上的根基相反之一側的尖銳的端部稱為“末端”。
又，如上所述，本示例性實施形態的轉換層14藉由氣相沉積法形成，因此如圖3所示，整體而言，轉換層14的外周的區域隨著朝向外側厚度趨於變薄，因此，具有隨著朝向外側厚度變薄之傾斜度。本示例性實施形態中，以若無視製造誤差及測量誤差則可視為厚度大致恆定之、離轉換層14的中央在既定的範圍內的轉換層14的厚度的平均值為基準，作為一例，如圖4所示，將相對於基準厚度之膜厚（以下，稱為“相對膜厚”）為90%以下的外周的區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。又，如圖4所示，將被周緣部14C包圍之轉換層14的區域稱為“中央部（中央部14B）”。換言之，“中央部”係指，既至少包括轉換層14的厚度大致恆定的部分，亦包括相對膜厚超過90%之部分之區域。再者，本示例性實施形態中，如圖2及圖3所示，像素區域35小於中央部14B，且像素區域35被中央部14B覆蓋。
本示例性實施形態中，作為具體例，將離轉換層14的外周在5mm以內的區域內且相對膜厚為90%以下的外周的區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。因此，如圖3及圖4等所示，周緣部14C中，轉換層14的厚度趨於朝向外周（緣）逐漸變薄。
再者，本示例性實施形態中，作為轉換層14的厚度朝向外周變薄之例子，例示了具有傾斜角度為θ之恆定的傾斜且厚度逐漸變薄之形態，但並不限定於該形態，例如亦可以為厚度階梯狀發生變化之形態。
再者，上述傾斜角度θ的測量方法並無特別限定，但本示例性實施形態中，作為一例，關於傾斜角度θ的測量方法，在矩形轉換層14的1個邊上的等間隔的4個位置，從TFT基板12剝離轉換層14的端部的一部分作為各樣本。對4個樣本進行拋光而使剖面露出之後，藉由使用光學顯微鏡進行觀察而進行了測量。將4個樣本的測量值的平均值作為製作樣本之轉換層14的邊上的傾斜角度θ。
而且，如圖2～圖6所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10具備黏著層16、黏接層20及保護層22。圖6中示出示意地表示本示例性實施形態的黏著層16、黏接層20及保護層22的一例的剖面之剖面圖。
作為一例，如圖2及圖3所示，黏著層16設置於包括轉換層14的周緣部14C的一部分及中央部14B的整體之區域上。換言之，黏著層16覆蓋轉換層14的中央部14B及周緣部14C的一部分。又，如圖5所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14的末端侵入到黏著層16中。
本示例性實施形態的黏著層16為反射被轉換層14轉換之光之反射性黏著層。本示例性實施形態中，作為黏著層16的一例，使用了在黏著性樹脂中分散有無機白色粉末之白色黏著層。再者，本示例性實施形態中，“白色”係指，所有波長的可見光被漫反射之狀態，光被具有指向性地反射之情況稱為“鏡面”。又，黏著層16等的反射光之“反射性”係指，500nm～550nm的光的反射率的平均為80%以上的狀態。
又，“黏著層”及“黏接層”係指，具有使直接接觸之層（本示例性實施形態中為轉換層14及基材18（參閱圖6））難以從黏著層16分離之功能者。又，“黏著層”及“黏接層”係指，具有藉由不限定於化學結合之任意的力量與固體的表面結合之狀態之層。
作為黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸糊。作為無機白色粉末，可舉出含有氧化鈦（TiO2）、硫酸鋇（BaSO4）、氧化鋁（Al2O3）、氧化鎂（MgO）及氧化鈣（CaO）等中的至少一個之粉末。作為一例本示例性實施形態中，藉由在透明的糊（樹脂）中分散白色粉末作為填充劑，獲得了白色黏著層。
如圖6所示，本示例性實施形態的黏著層16形成於基材18上，基材18配置於黏接層20側，黏著層16配置於轉換層14（圖6中省略圖示）側。作為基材18的材料的例子，可舉出反射光之反射性白PET（PolyEthylene Terephthalate：聚對酞酸乙二酯）等。基材18並不限定於本示例性實施形態，亦可以不具有反射性，具體而言，可以使用不反射被轉換層14轉換之光之材料（例如，透光性材料），但如本示例性實施形態使用反射性材料為較佳。此時，能夠藉由基材18反射未被黏著層16反射至盡之（漏出之）光，因此能夠作為黏著層16及基材18的整體而提高反射率。
再者，白色PET係指，在PET中添加TiO2 或硫酸鋇等白色顏料而成者。又，聚酯系高反射片係指，具有重疊複數個薄聚酯片而成之複數層結構之薄片（薄膜）。又，發泡白色PET係指，表面為多孔質之白色PET。
再者，若黏著層16及基材18的總計厚度變厚，則黏著層16及基材18的外周部的上表面與轉換層14的上表面之間的段差會變大。若上述段差大，則在將貼合有保護層22之黏著層16黏接於轉換層14形成有轉換層14之TFT基板12之情況下，有時會在該段差部分導致保護層22浮起。又，若黏著層16及基材18的總計厚度變厚，則會成為所謂具有韌性之狀態，因此有時難以沿轉換層14的周緣部14C的傾斜彎曲，從而難以進行加工。另一方面，隨著黏著層16的厚度變薄，反射率會下降。若反射率下降，則藉由放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質亦會趨於降低。因此，黏著層16及基材18的厚度依據基於藉由放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質的觀點之所期望的反射率（例如，80%）和製造及加工等觀點確定為較佳。
作為一例，如圖2及圖3所示，黏接層20覆蓋包括黏著層16的端部至TFT基板12的表面之區域之區域，具體而言，覆蓋整個設置有黏著層16之轉換層14及TFT基板12的表面的一部分。換言之，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，覆蓋整個設置有黏著層16之轉換層14之黏接層20直接固定（黏接）於TFT基板12的表面的一部分。黏接層20具有將黏著層16及保護層22固定於TFT基板12及轉換層14之功能。作為黏接層20的材料，例如可舉出丙烯酸系黏著劑、熱熔黏著劑及聚矽氧系黏接劑等。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出丙烯酸胺酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔黏著劑，例如可舉出EVA（乙烯/乙酸乙烯酯共聚合樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚合樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚合樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合體）等熱塑性塑膠。再者，本示例性實施形態中，黏接層20具有之黏接力強於黏著層16具有之黏接力。
作為一例，如圖2及圖3所示，保護層22設置於黏接層20上。本示例性實施形態的保護層22具有從濕氣等水分保護轉換層14之功能。又，本示例性實施形態的保護層22具有與黏接層20一同將黏著層16固定於TFT基板12及轉換層14之功能。作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜，具體而言，可舉出由PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide，聚苯硫）、OPP（Oriented PolyPropylene，延伸聚丙烯）、PEN（PolyEthylene Naphthalate，聚萘酸乙二酯）、PI（PolyImide，聚醯亞胺）等形成之單層膜或積層膜。又，作為保護層22，可以使用在PET等絕緣性薄片（薄膜）黏接鋁箔等而積層有鋁之Alpet（註冊商標）薄膜。本示例性實施形態中，作為一例，如圖6所示，將保護層22製成了PET膜22A、鋁箔膜22B及PET膜22C積層而成之積層膜。
作為圖2～圖6所示之本示例性實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例可舉出以下方法。
預先將黏著層16塗佈於製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之基材18上。將保護層22塗佈於製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之黏接層20上。然後，藉由貼合塗佈有黏著層16之基材18和塗佈有黏接層20之保護層22，準備圖6所示之狀態的積層膜。本示例性實施形態中，如圖6所示，基材18及黏著層16小於黏接層20及保護層22，黏接部21設置於基材18及黏著層16的周圍。
另一方面，如上所述，藉由氣相沉積法直接在TFT基板12上形成轉換層14。
然後，在形成有轉換層14之TFT基板12上以覆蓋整個轉換層14之狀態配置上述積層膜，並將黏接部21貼合於TFT基板12，藉此密封轉換層14。再者，當進行上述貼合時，會在大氣壓力下或減壓下（真空下）進行，但為了抑制空氣等進入到所貼合之部位之間，在減壓下進行為較佳。
再者，在為基材11的厚度比較厚的玻璃基板等之情況下，如上所述，圖2～圖6所示之本示例性實施形態的放射線檢測器10只要在TFT基板12上依序形成轉換層14、黏著層16、黏接層20及保護層22即可。另一方面，在基材11為比較薄的基板（例如，具有可撓性之基板）之情況下，如圖7所示之一例，例如藉由積層法等經由剝離層52在厚度厚於基材11之玻璃基板等支撐體50上形成TFT基板12。而且，與上述相同地，依序形成轉換層14、黏著層16、黏接層20及保護層22之後，藉由剝離層52從支撐體50剝離TFT基板12。剝離方法並無特別限定，例如，在機械剝離法中，只要以TFT基板12（基材11）的四個邊中的任一個邊為剝離的起點，並從成為起點之邊朝向對向之邊逐漸從支撐體50剝離TFT基板12即可。又，例如，在雷射剝離（laser Lift Off）法中，只要從支撐體50的背面（與設置有TFT基板12之面相反之一側的面）照射雷射，並透射支撐體50而利用雷射分解剝離層52，藉此從支撐體50剝離TFT基板12即可。
如此，在本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20及保護層22覆蓋整個黏著層16。又，黏接層20及保護層22直接固定在TFT基板12上。
為了在TFT基板12中聚集（反射）更多的被轉換層14轉換之光，因使具有反射光之功能之黏著層16進一步覆蓋轉換層14的周緣部14C，在傾斜的周緣部14C，黏著層16趨於容易從轉換層14剝離。又，在TFT基板12的基材11具有可撓性之情況下，因TFT基板12撓曲，黏著層16趨於容易從轉換層14剝離。
相對於此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，可藉由上述構成抑制黏著層16的剝離，即使在TFT基板12具有可撓性之情況下，亦可抑制黏著層16的剝離。
又，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，黏著層16具備具有反射光之功能之層及具有黏著性之層這兩者的功能，因此與將各自設為不同的層之情況相比，能夠增加厚度。因此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，能夠提高黏著力，因此更加難以剝離黏著層16。
又，本揭示中，發現轉換層14與具有反射光之功能之層（本示例性實施形態中為黏著層16）之間之間隔和與藉由放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質相關之性能（以下，簡稱為放射線檢測器的“性能”）之間存在關係。參閱圖8以如下放射線檢測器為例對上述關係進行說明，該放射線檢測器係與本示例性實施形態不同地，在轉換層14與具有反射光之功能之層之間設置具有黏著性之層而固定具有反射光之功能之層之形態的放射線檢測器、換言之，與本示例性實施形態的黏著層16不同地，將具有反射性之層與具有黏著性之層分開設置的放射線檢測器。圖8中示出表示透明黏著層的厚度X與放射線檢測器的性能之間的對應關係的一例之圖表。
圖8所示之對應關係中，作為放射線檢測器10的性能，評價了靈敏度、MTF（Modulation Transfer Function，調製傳遞函數）及DQE（Detective Quantum Efficiency，量子檢測效率）。又，性能係遵照IEC（International Electrotechnical Commission，國際電工委員會）標準的IEC62220-1，在RQA5條件下且將放射線的劑量（吸收劑量）設為2.5μGy而測量放射線的質量，並以由僅設置有具有反射光之功能之層之（未設置具有黏著性之層之）情況的比較例的放射線檢測器檢測之測量值為100進行評價作為相對值。
又，性能的測量中，相對於在具備四個邊為150μm的大小的像素30之TFT基板12上使用CsI形成轉換層14之狀態者，使用了貼合有透明黏著層、具有反射光之功能之層、基材18、黏接層20及保護層22積層而成之積層膜之放射線檢測器。作為具有黏著性之層的薄片，使用了從100m的捲狀的黏著片中切取之薄片，因此具有黏著性之層的厚度係使用SEM（Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡）對分別針對該捲的前頭及最後尾在寬度方向上的不同的3個位置（總計6個位置）的厚度進行測量，並將測量值的平均值作為黏著層的厚度X。又，作為具有黏著性之層，使用了以丙烯酸系黏著劑為材料者。再者，即使在作為具有黏著性之層使用以熱熔黏著劑為材料者之情況下，關於具有黏著性之層的厚度X與放射線檢測器的性能之間的對應關係，亦獲得與圖8相同的趨勢。
隨著具有黏著性之層的厚度X變厚，亦即，隨著轉換層14與具有反射光之功能之層之間的間隔變寬，被轉換層14轉換之光在具有黏著性之層內變模糊，其結果，藉由放射線檢測器獲得之放射線圖像成為模糊的圖像。因此，如圖8所示，隨著具有黏著性之層的厚度X變厚，MTF及DQE下降，並且其下降的程度亦變大。
如此，從抑制上述光的模糊之觀點考慮，轉換層14與具有反射光之功能之層之間的間隔窄為較佳。本示例性實施形態的放射線檢測器10中，在轉換層14上直接形成了具有反射光之功能之反射性黏著層16。因此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，能夠進一步縮小轉換層14與具有反射光之功能之層之間的間隔。因此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置有具有黏著性之層之情況相比，能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離。
[第2示例性實施形態] 接著，對第2示例性實施形態進行說明。再者，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16之區域不同於第1示例性實施形態，因此參閱圖式對設置黏著層16之區域進行說明。
圖9係從形成有轉換層14之一側觀察本示例性實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖10係圖9中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖9及圖10所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16設置於整個包括中央部及周緣部之轉換層14上的區域。換言之，本示例性實施形態的黏著層16覆蓋整個轉換層14的上表面。
本示例性實施形態的放射線檢測器10例如能夠藉由與在第1示例性實施形態中已述之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法而製造。
如此，與第1示例性實施形態的放射線檢測器10相同地，圖9及圖10所示之本示例性實施形態的放射線檢測器10中，亦由黏接層20及保護層22覆蓋整個黏著層16。又，黏接層20及保護層22直接固定在TFT基板12上。又，與第1示例性實施形態的放射線檢測器10相同地，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，亦在轉換層14上直接形成了具有反射光之功能之反射性黏著層16。因此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置有具有黏著性之層之情況相比，能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離。
又，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，與第1示例性實施形態的放射線檢測器10相比，黏著層16大，且覆蓋整個轉換層14的上表面，因此容易反射來自轉換層14的光。
[第3示例性實施形態] 接著，對第3示例性實施形態進行說明。再者，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，設置黏接層20之區域不同於第1示例性實施形態，因此參閱圖式對設置黏接層20之區域進行說明。
圖11係從形成有轉換層14之一側觀察本示例性實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖12係圖11中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖11及圖12所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置於轉換層14的周緣部附近的TFT基板12至黏著層16的外周部之區域。亦即，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20未覆蓋整個黏著層16。
本示例性實施形態的放射線檢測器10例如能夠藉由與在第1示例性實施形態中已述之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法而製造。
如此，依圖11及圖12所示之本示例性實施形態的放射線檢測器10，黏接層20覆蓋黏著層16的端部亦即外周部。又，黏接層20及保護層22直接固定在TFT基板12上。因此，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，可藉由黏接層20抑制黏著層16的剝離，尤其可抑制端部的剝離。
又，與第1示例性實施形態的放射線檢測器10相同地，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，亦在轉換層14上直接形成了具有反射光之功能之反射性黏著層16。因此，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置有具有黏著性之層之情況相比，亦能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離。
又，依本示例性實施形態的放射線檢測器10，黏接層20未覆蓋整個轉換層14的上表面，因此能夠抑制放射線從保護層22側照射而到達轉換層14為止因透射黏接層20而衰減。
如上所述，第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器10具有依序設置有如下之部分：TFT基板12，在像素區域35形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素30；轉換層14，將放射線轉換為光；反射性黏著層16，反射被轉換層14轉換之光；及黏接層20，覆蓋包括黏著層16的端部至TFT基板12的表面之區域之區域。
因此，如上所述，依第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器10，與在具有反射光之功能之層與轉換層之間設置有具有黏著性之層之情況相比，能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制具有反射光之功能之層的剝離。
又，若黏著層16剝離，則濕氣等水分容易從所剝離之部分滲入到放射線檢測器10的內部。在為轉換層14、尤其為使用CsI之轉換層14之情況下，不耐水分，因此在水分滲入到放射線檢測器10的內部之情況下，有可能使放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質降低。相對於此，依第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器10，藉由抑制黏著層16的剝離，能夠抑制水分的滲入，因此能夠抑制藉由放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質的降低。
又，在黏著層16的側面暴露之情況下，濕氣等水分有可能從所暴露之部位滲入到內部，但第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器中，黏著層16的側面被黏接層20及保護層22覆蓋，因此能夠提高防濕效果。
[第4示例性實施形態] 接著，對第4示例性實施形態進行說明。再者，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16的構成及設置黏著層16之區域不同於上述第1～第3示例性實施形態，因此參閱圖式對黏著層16的構成及設置黏著層16之區域進行說明。
圖13係從形成有轉換層14之一側觀察本示例性實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖14係圖13中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。又，圖15中示出示意地表示本示例性實施形態的黏著層16及保護層22的一例的剖面之剖面圖。
如圖13及圖14所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16設置於整個包括中央部14B及周緣部14C之轉換層14上的區域及轉換層14的外周附近的TFT基板12上的區域。又，如圖14及圖15所示，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，在保護層22直接設置在黏著層16上而未設置黏接層20這一點上不同於第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器10。
本示例性實施形態中，作為黏著層16的一例，使用了分散有無機白色粉末之由熱塑性樹脂形成之黏著層。作為此時的熱塑性樹脂，能夠使用所謂被稱為熱熔之樹脂，作為具體例，能夠使用聚烯烴系、聚酯系及EVA等。與在第1～第3示例性實施形態中已述之黏著層16相同地，作為無機白色粉末，可舉出含有氧化鈦（TiO2）、硫酸鋇（BaSO4）、氧化鋁（Al2O3）、氧化鎂（MgO）及氧化鈣（CaO）等中的至少1個之粉末。
如圖15所示，作為一例，關於本示例性實施形態的放射線檢測器10中的保護層22，亦將保護層22製成了PET膜22A、鋁箔膜22B及PET膜22C積層而成之積層膜。
作為本示例性實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例可舉出以下方法。 預先準備在製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之保護層22上直接塗佈黏著層16而成者。再者，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16進一步擔負密封保護層22的端部之作用，因此在保護層22的整個面上塗佈黏著層16。另一方面，如上所述，藉由氣相沉積法直接在TFT基板12上形成轉換層14。然後，將塗佈於保護層22上之黏著層16貼合於TFT基板12，藉此密封轉換層14。
如此，圖13～圖15所示之本示例性實施形態的放射線檢測器10具有依序設置有如下之部分：TFT基板12，在像素區域35形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素30；轉換層14，將放射線轉換為光；及反射性黏著層16，反射被轉換層14轉換之光，且覆蓋包括遍及整個轉換層14及TFT基板12的表面之區域之區域。
又，本示例性實施形態的放射線檢測器10具有如下部分，該部分依序配置有：TFT基板12，在像素區域35形成有蓄積依據從放射線轉換之光之產生之電荷之複數個像素30；轉換層14，將放射線轉換為光；及保護層22，具有在至少覆蓋轉換層14之反射性黏著層16上積層有保護層22之積層結構，且覆蓋包括遍及整個轉換層14及TFT基板12的表面之區域之區域，保護層22的黏著層16配置於轉換層14側。
本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16覆蓋整個轉換層14，且進一步覆蓋基材11的表面，因此能夠將黏著層16充分固定於TFT基板12及轉換層14的端部。又，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16直接設置於轉換層14。因此，與上述第1～第3示例性實施形態的放射線檢測器10相同地，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，與在具有反射光之功能之層與轉換層14之間設置具有黏著性之層之情況相比，亦能夠在不使放射線圖像的畫質降低之情況下抑制黏著層16的剝離。
再者，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，亦可以如圖16所示之一例製作成藉由密封劑25密封保護層22及黏著層16的外周之形態。密封劑25進一步覆蓋保護層22及黏著層16的側面為較佳，設置於遍及TFT基板12的表面至保護層22的表面且未覆蓋像素區域35之區域為較佳。密封劑為將樹脂用作材料者為較佳，使用熱塑性樹脂者為更佳。作為密封劑的例子，可舉出丙烯酸糊及胺酯系糊等。
如圖16所示之一例，藉由設置密封劑25，能夠進一步抑制黏著層16的端部的剝離。
[第5示例性實施形態] 本示例性實施形態中，對具備加強基材11之加強基板之放射線檢測器10進行說明。圖17係從形成有轉換層14之一側觀察本示例性實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖18係圖17中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖17及圖18所示，在TFT基板12、緩衝層13、轉換層14及保護層22積層而成之積層體19的轉換層14側的面亦即第1面19A上藉由黏著層48設置有加強基板40。
加強基板40的剛性高於基材11的剛性，且相對於沿垂直方向施加於與第1面19A對向之面之力之尺寸變化（變形）小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第1面19A之力之尺寸變化。又，本示例性實施形態的加強基板40的厚度厚於基材11的厚度，
加強基板40為將塑膠用作材料之基板。成為加強基板40的材料之塑膠為熱塑性樹脂為較佳，可舉出聚碳酸酯（PC）、聚對酞酸乙二酯（PET）、苯乙烯、丙烯酸、聚乙酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS、工程塑膠、聚對酞酸乙二酯及聚苯醚中的至少一個。再者，在該等中，加強基板40為聚丙烯、ABS、工程塑膠、聚對酞酸乙二酯及聚苯醚中的至少一個為較佳，為苯乙烯、丙烯酸、聚乙酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，為聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個為更佳。
如圖3及圖4所示，本示例性實施形態的加強基板40設置於寬於TFT基板12的第1面12A上的設置有轉換層14之區域之區域。因此，如圖3及圖4所示，加強基板40的端部比轉換層14的外周部更向外側（TFT基板12的外周部側）突出。
TFT基板12的外周部連接有詳細內容將在後面敘述之柔性電纜112。在加強基板40與TFT基板12的第1面12A之間，隔著柔性電纜112、防濕劑44及黏著層45設置有密封轉換層14的側面之間隔物46。本示例性實施形態的間隔物46為本揭示的密封構件的一例。
設置間隔物46之方法並無特別限定，例如可以在加強基板40的端部的黏著層48上貼附間隔物46，並將設置有間隔物46之狀態的加強基板40貼附於設置有積層體19、柔性電纜112、防濕劑44及黏著層45之狀態的TFT基板12，藉此將間隔物46設置於TFT基板12與加強基板40之間。再者，間隔物46的寬度（與積層體19的積層方向交叉之方向）並不限定於圖18所示之例子。例如，亦可以將間隔物46的寬度擴展至比圖18所示之例子更靠近轉換層14之位置。
又，在本示例性實施形態的積層體19的TFT基板12側的面亦即第2面19B上設置有具有防止濕氣等水分之功能之保護膜42。作為保護膜42的材料，例如可舉出與保護層22相同的材料。
作為本示例性實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例可舉出以下方法。
預先在製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之加強基板40上塗佈黏著層48，並在黏著層48上設置間隔物46。另一方面，與第1示例性實施形態（參閱圖7）相同地，例如藉由積層法等在厚度厚於基材11之玻璃基板等支撐體50上經由剝離層52形成TFT基板12。而且，如上所述，藉由氣相沉積法在TFT基板12上直接形成轉換層14，又，設置柔性電纜112、防濕劑44及黏著層45。然後，將設置有間隔物46之加強基板40貼合於形成有轉換層14之TFT基板12，藉此密封轉換層14。
在此，當從支撐體50剝離TFT基板12時，由於基材11具有可撓性，因此TFT基板12容易撓曲。在TFT基板12較大地撓曲之情況下，TFT基板12亦較大地撓曲，其結果，有可能會導致轉換層14被破壞。又，並不限定於從支撐體50剝離TFT基板12之情況，在放射線圖像攝影裝置1的製造步驟的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，因TFT基板12撓曲，有可能會導致轉換層14被破壞。相對於此，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，加強基板40設置於積層體19的轉換層14側的面亦即第1面19A，因此能夠抑制TFT基板12較大地撓曲，從而能夠抑制轉換層14被破壞。
再者，加強基板40並不限定於圖17及圖18所示之形態，只要在積層體19的第1面19A及第2面19B中的至少一個面上設置加強基板即可。例如，亦可以如圖19所示之一例製作成在積層體19的第1面19A上設置有加強基板40且在第2面19B上設置有加強基板41之形態。此時，加強基板41的厚度薄於加強基板40的厚度。又，亦可以如圖20所示之一例製作成在TFT基板12的第1面12A與加強基板40之間的空間內的至少一部分填充有填充材料72之形態。
如此，本示例性實施形態的放射線檢測器10中，藉由具備加強基板40及加強基板41中的至少一個面，即使為放射線檢測器10單體，亦能夠抑制TFT基板12較大地撓曲，從而能夠抑制轉換層14被破壞。
再者，基於本揭示的技術之放射線檢測器10並不限定於上述各示例性實施形態。像素陣列31（像素區域35）的大小並不限定於上述各示例性實施形態。例如，上述各示例性實施形態中，對像素陣列31（像素區域35）的大小小於轉換層14的中央部14B的大小，且像素陣列31（像素區域35）的外周位於中央部14B內之形態進行了說明。然而，像素陣列31（像素區域35）並不限定於上述形態，亦可以為如圖21所示之一例的放射線檢測器10，像素陣列31（像素區域35）的大小大於轉換層14的中央部14B的大小，且像素陣列31（像素區域35）的外周遍及至轉換層14的周緣部14C之形態。再者，被轉換層14從放射線轉換之光量隨著轉換層14的厚度變薄趨於減少，因此與上述各示例性實施形態的放射線檢測器10相同地，為像素陣列31（像素區域35）的外周位於中央部14B內之形態時，像素陣列31（像素區域35）上的轉換層14的厚度會變得大致均勻，因此提高像素區域35的靈敏度特性。另一方面，如圖21所示之一例的放射線檢測器10中，
又，如圖1所示，上述各示例性實施形態中，對像素30二維排列成矩陣上之態樣進行了說明，但並不限定於此，例如可以為一維排列，亦可以為蜂窩排列。又，像素之形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。而且，當然像素陣列31（像素區域35）的形狀亦無限定。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各示例性實施形態。上述各示例性實施形態中，對轉換層14的形狀與像素陣列31（像素區域35）的形狀相同地為矩形之態樣進行了說明，但轉換層14的形狀亦可以為不同於像素陣列31（像素區域35）之形狀。又，像素陣列31（像素區域35）的形狀例如可以為其他的多邊形，亦可以為圓形，而非矩形。
再者，上述各示例性實施形態中，作為一例，對放射線檢測器10的轉換層14為含有CsI之閃爍器之形態進行了說明，但轉換層14亦可以為在樹脂等黏合劑中分散有GOS等之閃爍器。使用GOS之轉換層14例如藉由將分散有GOS之黏合劑直接塗佈於TFT基板12或剝離層等上之後使其乾燥並固化而形成。作為轉換層14的形成方法，例如可以採用控制塗佈膜的厚度之同時在形成轉換層14之區域塗佈塗佈液之Giza法。再者，此時，可以在塗佈分散有GOS之黏合劑之前，進行用於活化像素陣列31的表面之表面處理。又，層間絕緣膜可以在像素陣列31的表面設置表面保護膜。
若在像素陣列31的表面上直接塗佈使用GOS之轉換層14，則會導致端部鬆弛，與上述之使用CsI之轉換層14相同地，在轉換層14的端部產生傾斜部，黏著層16會變得容易剝離。相對於此，如上所述，利用具有強於黏著層16所具有之黏接力之黏接力之黏接層20覆蓋整個黏著層16或其外周部，藉此能夠更加牢固地固定黏著層16。因此，具有使用GOS之轉換層14之放射線檢測器10中，亦能夠抑制黏著層16端部的剝離。
再者，上述各示例性實施形態的放射線檢測器10可以適用於從TFT基板12側照射放射線之ISS（Irradiation Side Sampling，表面讀取）方式的放射線圖像攝影裝置，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線之PSS（Penetration Side Sampling，背面讀取）方式的放射線圖像攝影裝置。
圖22中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用第1示例性實施形態的放射線檢測器10之狀態的一例的剖面圖。
如圖22所示，在箱體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向並排設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10設置成像素陣列31的未設置轉換層14之一側與透射被攝體之放射線所照射之箱體120的攝影面120A側對向。
控制基板110為形成有存儲與從像素陣列31的像素30讀取之電荷對應之圖像資料之圖像記憶體210和控制來自像素30的電荷的讀取等之控制部212等之基板，其藉由包括複數個訊號配線之柔性電纜112與像素陣列31的像素30電連接。再者，圖22所示之放射線圖像攝影裝置1中，製成了藉由控制部212的控制而控制像素30的TFT32的開關狀態之驅動部103及生成並輸出與從像素30讀取之電荷對應之圖像資料之訊號處理部104設置在柔性電纜112上之所謂COF（Chip On Film，薄膜覆晶），但亦可以驅動部103及訊號處理部104中的至少一者形成於控制基板110。
又，控制基板110藉由電源線114與向形成於控制基板110之圖像記憶體等210和控制部212等供給電源之電源部108連接。
圖22所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在射出透射放射線檢測器10之放射線之一側進一步設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片不易因入射放射線而產生二次放射線，因此具有防止散射到後方亦即轉換層14側之功能。再者，薄片116至少覆蓋整個轉換層14的射出放射線之一側的面，又，覆蓋整個轉換層14為較佳。
又，圖22所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在放射線所入射之一側（攝影面120A側）進一步設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用在絕緣性薄片（薄膜）上黏接鋁箔等而積層有鋁之Alpet（註冊商標）的薄片、派瑞林（註冊商標）膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117對像素陣列31具有防濕功能及防靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋整個像素陣列31的放射線所入射之一側的面為較佳，且覆蓋整個放射線所入射之一側的TFT基板12的面為較佳。
再者，圖22中示出了將電源部108和控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10之一側、具體而言設置於矩形像素陣列31之一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖22所示之形態。例如，可以將電源部108及控制基板110分開設置於像素陣列31的對向之2個邊的各邊，亦可以分開設置於相鄰之2個邊的各邊。
又，圖23中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用第1示例性實施形態的放射線檢測器10之狀態的另一例的剖面圖。
如圖23所示，在箱體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向並排設置有電源部108及控制基板110，沿放射線的入射方向並排設置有放射線檢測器10和電源部108及控制基板110。
又，圖23所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10和控制基板110之基座118。基座118例如使用碳等。
此外，上述各示例性實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例，當然能夠在不脫離本揭示的宗旨之範圍內依狀況進行變更。
日本申請特願2018-119355的揭示之全部內容可藉由參閱引用於本說明書中。
本說明書中記載之所有文獻、專利申請以及技術標準，與具體且分別記載藉由參閱引用各文獻、專利申請以及技術標準之情況相同程度地，藉由參閱引用於本說明書中。
圖1係表示第1示例性實施形態的放射線檢測器中的TFT（Thin Film Transistor，薄膜電晶體）基板的構成的一例之構成圖。 圖2係從設置有轉換層之一側觀察第1示例性實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖4係用於說明本示例性實施形態的轉換層中的周緣部和中央部之剖面圖。 圖5係表示第1示例性實施形態的放射線檢測器中的TFT基板、轉換層、黏著層、黏接層及保護層的積層狀態的一例之剖面圖。 圖6係示意地表示第1～第3示例性實施形態的黏著層、黏接層及保護層的一例的剖面之剖面圖。 圖7係說明第1示例性實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例之圖。 圖8係表示具有黏著性之層的厚度與放射線檢測器的性能之間的對應關係的一例之圖表。 圖9係從設置有轉換層之一側觀察第2示例性實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖10係圖9所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖11係從設置有轉換層之一側觀察第3示例性實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖12係圖11所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖13係從設置有轉換層之一側觀察第4示例性實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖14係圖13所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖15係示意地表示第4示例性實施形態的黏著層及保護層的一例的剖面之剖面圖。 圖16係第4示例性實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。 圖17係從設置有轉換層之一側觀察第5示例性實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖18係圖17所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖19係第5示例性實施形態的放射線檢測器的另一例的A-A線剖面圖。 圖20係第5示例性實施形態的放射線檢測器的另一例的A-A線剖面圖。 圖21係作為像素區域的大小的變形例表示像素區域的大小小的放射線檢測器的一例的剖面之剖面圖。 圖22係表示適用於示例性實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。 圖23係表示適用於示例性實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面之剖面圖。

Claims (25)

  1. 一種放射線檢測器，其具有依序設置有如下之部分： 基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素； 轉換層，將該放射線轉換為光； 具有反射性的黏著層，反射被該轉換層轉換之光；及 黏接層，覆蓋包括該黏著層的端部至該基板的表面之區域之區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層形成於基材上， 該黏著層配置於該轉換層側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之放射線檢測器，其中 該基材具有反射性。
  4. 如申請專利範圍第1至3中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層為分散有無機白色粉末之黏著性樹脂。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中 該粉末含有氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鎂及氧化鈣中的至少1個。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層具有為反射性的金屬製的第1黏著膜和為反射性的樹脂製的第2黏著膜積層而成之積層結構， 該第2黏著膜配置於該轉換層側。
  7. 如申請專利範圍第1至6中任一項所述之放射線檢測器，其進一步具備覆蓋該黏著層及該轉換層之保護層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之放射線檢測器，其中 該保護層具有聚對酞酸乙二酯膜和鋁膜積層而成之積層結構。
  9. 如申請專利範圍第1至8中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的周緣部具有隨著朝向外側厚度變薄之傾斜度， 該黏著層的外周位於該轉換層的周緣部。
  10. 一種放射線檢測器，其具依序設置有如下之部分： 基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素； 轉換層，將該放射線轉換為光；及 具有反射性的黏著層，反射被該轉換層轉換之光，且覆蓋包括遍及整個該轉換層及該基板的表面之區域之區域。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層為分散有無機白色粉末之熱塑性樹脂。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之放射線檢測器，其中 該粉末含有氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鎂及氧化鈣中的至少1個。
  13. 如申請專利範圍第10至12中任一項所述之放射線檢測器，其進一步具備覆蓋該黏著層之保護層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之放射線檢測器，其中 該保護層具有聚對酞酸乙二酯膜和鋁膜積層而成之積層結構。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所述之放射線檢測器，其中 該保護層的外周被密封劑密封。
  16. 如申請專利範圍第7、8、13、14及15中任一項所述之放射線檢測器，其進一步具備設置於包括該基板、該轉換層、該黏著層及該保護層之積層體的該保護層側及該基板側中的至少一側之加強基板。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之放射線檢測器，其中 該加強基板的剛性高於該基板的剛性。
  18. 如申請專利範圍第16或17項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該加強基板的厚度厚於該基板的厚度。
  19. 如申請專利範圍第1至18中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的中央部的區域覆蓋該基板的像素區域且大於該基板的該像素區域。
  20. 如申請專利範圍第1至19中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的中央部的區域覆蓋該基板的像素區域且小於該基板的該像素區域。
  21. 如申請專利範圍第1至20中任一項所述之放射線檢測器，其中 該基板具有可撓性。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之放射線檢測器，其中 該基板在與該轉換層側相反之一側的面上具有含有平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機微粒子之層。
  23. 如申請專利範圍第1至22中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層含有CsI柱狀結晶。
  24. 一種放射線檢測器，其具有依序設置有如下之部分： 基板，在像素區域形成有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素； 轉換層，將該放射線轉換為光；及 保護層，具有在至少覆蓋該轉換層之反射性黏著膜上積層有保護膜之積層結構，且覆蓋包括遍及整個該轉換層及該基板的表面之區域之區域， 該保護層的該黏著膜配置於該轉換層側。
  25. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備： 申請專利範圍1至24中任一項所述之放射線檢測器； 控制部，輸出用於讀取蓄積於該複數個像素中之電荷之控制訊號； 驅動部，依據該控制訊號從該複數個像素讀取電荷；及 訊號處理部，輸入與從該複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而向該控制部輸出。
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