JP2000338253A - 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 - Google Patents
固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器Info
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 105
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シンチレータ層の光学的な結合特性が改善さ
れている大面積の固体像検出器の製造を可能にする方法
を提供する。 【解決手段】 多くの並び合って配置されているパネル
から成り、パッシベーション層により被覆されている、
半導体材料、特に無定形のシリコンから成る画素マトリ
ックスと、シンチレータ層の上に入射する電磁波を画素
マトリックスにより処理可能な電磁波に変換するための
シンチレータ層とを含んでいる固体画像検出器の製造方
法において、パッシベーション層の上にシンチレータ層
から放出される電磁波に対して透過性の層が被覆され、
その後にこの層の上にシンチレータ層が蒸着される。
れている大面積の固体像検出器の製造を可能にする方法
を提供する。 【解決手段】 多くの並び合って配置されているパネル
から成り、パッシベーション層により被覆されている、
半導体材料、特に無定形のシリコンから成る画素マトリ
ックスと、シンチレータ層の上に入射する電磁波を画素
マトリックスにより処理可能な電磁波に変換するための
シンチレータ層とを含んでいる固体画像検出器の製造方
法において、パッシベーション層の上にシンチレータ層
から放出される電磁波に対して透過性の層が被覆され、
その後にこの層の上にシンチレータ層が蒸着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多くの並び合って
配置されているパネルから成り、パッシベーション層に
より被覆された半導体材料、特に無定形のシリコンから
成る画素マトリックスと、シンチレータ層の上に入射す
る電磁波を画素マトリックスにより処理可能な電磁波に
変換するためのシンチレータ層とを含む固体画像検出器
の製造方法に関する。
配置されているパネルから成り、パッシベーション層に
より被覆された半導体材料、特に無定形のシリコンから
成る画素マトリックスと、シンチレータ層の上に入射す
る電磁波を画素マトリックスにより処理可能な電磁波に
変換するためのシンチレータ層とを含む固体画像検出器
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】公知のこのような固体画像検出器は、半
導体材料、例えば無定形のシリコン（ａ‐Ｓｉ）から成
る画素マトリックスの形態の能動的な読出しマトリック
スに基づいている。像情報はＸ線変換器、（例えばセシ
ウム沃化物（ＣｓＩ））から成るいわゆるシンチレータ
層の中で、画素マトリックスにより処理可能な電磁波に
変換される。像情報は、画像マトリックスの能動的な画
素の中に電荷として記憶され、続いて専用の電子回路に
より読出され、かつアナログ‐ディジタル変換される。
Ｘ線量子はシンチレータ層の中で電磁波に、セシウム沃
化物の場合には光に変換され、続いてホトダイオードを
含んでいる無定形のシリコンの画素に運ばれる。この光
学的なプロセスは、良好な像質を達成するため、最適化
されていなければならない。その際に、画素マトリック
スへのシンチレータ層の結合が本質的に決定的である。
なぜならば、悪い結合は最も重要な像質にとって重要な
パラメータに悪影響を及ぼすからである。これらのパラ
メータは周波数領域内でＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ
ｓ‐Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｋｔｉｏｎ）により定量
化される分解能と、ＤＱＥ（Ｄｅｔｅｃｔｉｖｅ Ｑｕ
ａｎｔｅｎ Ｅｆｆｉｚｉｅｎｚ）により記述される信
号対雑音伝達能とである。これらのパラメータに対して
良い値を得るためには、発生される信号、すなわちシン
チレータから発生される電磁波を、損失および漏れプロ
セスによる取るに足るほどの減弱なしに、そして散乱ま
たは屈折による位置情報の本質的な偏差なしに画素マト
リックスの上にもたらすことが重要である。
導体材料、例えば無定形のシリコン（ａ‐Ｓｉ）から成
る画素マトリックスの形態の能動的な読出しマトリック
スに基づいている。像情報はＸ線変換器、（例えばセシ
ウム沃化物（ＣｓＩ））から成るいわゆるシンチレータ
層の中で、画素マトリックスにより処理可能な電磁波に
変換される。像情報は、画像マトリックスの能動的な画
素の中に電荷として記憶され、続いて専用の電子回路に
より読出され、かつアナログ‐ディジタル変換される。
Ｘ線量子はシンチレータ層の中で電磁波に、セシウム沃
化物の場合には光に変換され、続いてホトダイオードを
含んでいる無定形のシリコンの画素に運ばれる。この光
学的なプロセスは、良好な像質を達成するため、最適化
されていなければならない。その際に、画素マトリック
スへのシンチレータ層の結合が本質的に決定的である。
なぜならば、悪い結合は最も重要な像質にとって重要な
パラメータに悪影響を及ぼすからである。これらのパラ
メータは周波数領域内でＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ
ｓ‐Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｋｔｉｏｎ）により定量
化される分解能と、ＤＱＥ（Ｄｅｔｅｃｔｉｖｅ Ｑｕ
ａｎｔｅｎ Ｅｆｆｉｚｉｅｎｚ）により記述される信
号対雑音伝達能とである。これらのパラメータに対して
良い値を得るためには、発生される信号、すなわちシン
チレータから発生される電磁波を、損失および漏れプロ
セスによる取るに足るほどの減弱なしに、そして散乱ま
たは屈折による位置情報の本質的な偏差なしに画素マト
リックスの上にもたらすことが重要である。
【０００３】信号および位置情報を得るための最良の公
知の方法は、シンチレータ層による画素マトリックスま
たはその上に構成されたパッシベーション層の直接的な
蒸着である。これは、特定の温度条件を遵守しつつ、個
別のパネルから成る固体検出器に対して適用可能であ
る。しかし、並び合って配置されている多くの部分検出
器から成る大面積の検出器では問題が生ずる。これらの
部分検出器の当接縁に常に、シンチレータ層の結晶成長
を強く乱し、そして均等な成長を妨げる顕微鏡的な小さ
い穴が生ずるのである。これらの当接縁を囲む範囲の中
では満足な信号伝達、従ってまた像質が達成されない。
このような大面積の固体検出器の直接的な蒸着はこれま
で不可能であった。
知の方法は、シンチレータ層による画素マトリックスま
たはその上に構成されたパッシベーション層の直接的な
蒸着である。これは、特定の温度条件を遵守しつつ、個
別のパネルから成る固体検出器に対して適用可能であ
る。しかし、並び合って配置されている多くの部分検出
器から成る大面積の検出器では問題が生ずる。これらの
部分検出器の当接縁に常に、シンチレータ層の結晶成長
を強く乱し、そして均等な成長を妨げる顕微鏡的な小さ
い穴が生ずるのである。これらの当接縁を囲む範囲の中
では満足な信号伝達、従ってまた像質が達成されない。
このような大面積の固体検出器の直接的な蒸着はこれま
で不可能であった。
【０００４】しかしそれにもかかわらず、このような大
面積の画素マトリックスの上にシンチレータ層を被着す
るためには、シンチレータ層を先ず基板、通常は薄いア
ルミニウム箔の上に蒸着し、続いてシンチレータ層と共
に、画素マトリックスに向かうように固体像検出器の部
分検出器の上に接着する。しかしこの接着により光学的
な結合特性が著しく損なわれるので、ＭＴＦもＤＱＥも
特に高い位置頻度の際に直接的なプロセスの際よりも悪
い。
面積の画素マトリックスの上にシンチレータ層を被着す
るためには、シンチレータ層を先ず基板、通常は薄いア
ルミニウム箔の上に蒸着し、続いてシンチレータ層と共
に、画素マトリックスに向かうように固体像検出器の部
分検出器の上に接着する。しかしこの接着により光学的
な結合特性が著しく損なわれるので、ＭＴＦもＤＱＥも
特に高い位置頻度の際に直接的なプロセスの際よりも悪
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、シン
チレータ層の光学的な結合特性が改善された、大面積の
固体像検出器の製造を可能にする方法を提供することで
ある。
チレータ層の光学的な結合特性が改善された、大面積の
固体像検出器の製造を可能にする方法を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は冒頭に記載さ
れている種類の方法において、本発明によれば、パッシ
ベーション層の上にシンチレータ層から放出される電磁
波に対して透過性の層を被着し、その後この層の上にシ
ンチレータ層を蒸着することにより解決される。
れている種類の方法において、本発明によれば、パッシ
ベーション層の上にシンチレータ層から放出される電磁
波に対して透過性の層を被着し、その後この層の上にシ
ンチレータ層を蒸着することにより解決される。
【０００７】本発明による方法では、多くの並び合って
配置された部分検出器から成る画素マトリックスのパッ
シベーション層、例えばシリコン窒化物層の上に、先ず
電磁波透過性の層が被覆され、これに伴ない平らな面が
パネル縁の当接継ぎ目の範囲内にも作られる。このこと
は、シンチレータ材料を直接にこの層の上に蒸着し、そ
して均等なシンチレータ層を部分検出器の当接継ぎ目の
範囲内にも成長させることを可能にする。電磁波透過性
の層が直接的に画素マトリックスのパッシベーション層
の上に被覆されており、しかもシンチレータ層が直接的
にこの層の上に被覆されているので、こうして非常に良
好な光学的結合が生ずる。
配置された部分検出器から成る画素マトリックスのパッ
シベーション層、例えばシリコン窒化物層の上に、先ず
電磁波透過性の層が被覆され、これに伴ない平らな面が
パネル縁の当接継ぎ目の範囲内にも作られる。このこと
は、シンチレータ材料を直接にこの層の上に蒸着し、そ
して均等なシンチレータ層を部分検出器の当接継ぎ目の
範囲内にも成長させることを可能にする。電磁波透過性
の層が直接的に画素マトリックスのパッシベーション層
の上に被覆されており、しかもシンチレータ層が直接的
にこの層の上に被覆されているので、こうして非常に良
好な光学的結合が生ずる。
【０００８】光学的な結合を一層改善するため、本発明
によれば、シンチレータ層の屈折率と、パッシベーショ
ン層または半導体材料の屈折率との間の中間の屈折率を
持つ層が使用される。これにより、シンチレータ層から
発生される電磁波の、これに対して電磁波抵抗性の層の
中への入射の際の屈折と、この貫通する電磁波のパッシ
ベーション層または半導体材料の中への入射の際に生ず
る屈折とを可能な限りわずかに保つことができる。
によれば、シンチレータ層の屈折率と、パッシベーショ
ン層または半導体材料の屈折率との間の中間の屈折率を
持つ層が使用される。これにより、シンチレータ層から
発生される電磁波の、これに対して電磁波抵抗性の層の
中への入射の際の屈折と、この貫通する電磁波のパッシ
ベーション層または半導体材料の中への入射の際に生ず
る屈折とを可能な限りわずかに保つことができる。
【０００９】第１の実施態様によれば、層としてパッシ
ベーション層の上に接着もしくは粘着力により取付けら
れる箔が使用される。その際に、屈折率が箔の屈折率と
パッシベーション層または半導体材料の屈折率との間に
位置する接着剤が使用される。接着剤層も特定の厚みを
有するので、その屈折率の相応の選択により屈折を考慮
に入れて、電磁波案内の別の改善が達成される。最後
に、多くの異なる屈折率を有する箔層から成る箔も使用
される。
ベーション層の上に接着もしくは粘着力により取付けら
れる箔が使用される。その際に、屈折率が箔の屈折率と
パッシベーション層または半導体材料の屈折率との間に
位置する接着剤が使用される。接着剤層も特定の厚みを
有するので、その屈折率の相応の選択により屈折を考慮
に入れて、電磁波案内の別の改善が達成される。最後
に、多くの異なる屈折率を有する箔層から成る箔も使用
される。
【００１０】箔の厚みは可能な限りわずかであるべきで
あり、そして数μｍの範囲内であるべきである。直接的
に箔の上に蒸着されるので、すなわち蒸着のために必要
な温度に曝されるので、それは少なくとも１８０°Ｃま
で、特に少なくとも２５０°Ｃまで熱的に安定であらね
ばならない。
あり、そして数μｍの範囲内であるべきである。直接的
に箔の上に蒸着されるので、すなわち蒸着のために必要
な温度に曝されるので、それは少なくとも１８０°Ｃま
で、特に少なくとも２５０°Ｃまで熱的に安定であらね
ばならない。
【００１１】層を構成するために箔を用いる本発明の代
替的な実施例では、層が粘性のある層材料の注型と、こ
れに続く硬化により形成される。部分検出器が上側に鋳
込まれ、それによって非常に平らな表面層が得られ、そ
の上に次いでシイチレータ材料が蒸着される。層材料と
して接着剤が使用され、この場合ここでも層の厚みは数
μｍであるべきであろう。使用される層材料は硬化した
状態で少なくとも１８０°Ｃまで、特に少なくとも２５
０°Ｃまで安定でなければならない。
替的な実施例では、層が粘性のある層材料の注型と、こ
れに続く硬化により形成される。部分検出器が上側に鋳
込まれ、それによって非常に平らな表面層が得られ、そ
の上に次いでシイチレータ材料が蒸着される。層材料と
して接着剤が使用され、この場合ここでも層の厚みは数
μｍであるべきであろう。使用される層材料は硬化した
状態で少なくとも１８０°Ｃまで、特に少なくとも２５
０°Ｃまで安定でなければならない。
【００１２】特に箔を使用する場合には、安定性を得る
ため、層を被覆するに先立って、並び合って配置される
パネルの継ぎ目を少なくとも部分的に充填材料により満
たすのが目的にかなっている。層の注型時、当接継ぎ目
はいずれにせよ層材料により満たされるので、これによ
り十分な安定性が生ずる。
ため、層を被覆するに先立って、並び合って配置される
パネルの継ぎ目を少なくとも部分的に充填材料により満
たすのが目的にかなっている。層の注型時、当接継ぎ目
はいずれにせよ層材料により満たされるので、これによ
り十分な安定性が生ずる。
【００１３】しかし、当接継ぎ目を経て側部で電磁波が
半導体材料の中に、従ってまた縁側の画素の中に入射す
るのを避けるため、充填材料として、シンチレータ層か
ら放出される電磁波に対して透過性でない材料を使用す
るべきである。ここでもまた充填材料として接着剤が適
している。この充填材料、特に接着剤は、箔を使用する
場合にも注型層を形成する場合にも、前もって当接継ぎ
目の中に導入し、その後に初めて箔を被着し、または層
材料を注型する。当接継ぎ目は、その際に可能なかぎり
完全に電磁波を透過しない材料により満たされるべきで
あろう。これにより、シンチレータ層から放出される電
磁波が意図に反して入射し、縁範囲内で情報エラーを生
ずることが避けられる。
半導体材料の中に、従ってまた縁側の画素の中に入射す
るのを避けるため、充填材料として、シンチレータ層か
ら放出される電磁波に対して透過性でない材料を使用す
るべきである。ここでもまた充填材料として接着剤が適
している。この充填材料、特に接着剤は、箔を使用する
場合にも注型層を形成する場合にも、前もって当接継ぎ
目の中に導入し、その後に初めて箔を被着し、または層
材料を注型する。当接継ぎ目は、その際に可能なかぎり
完全に電磁波を透過しない材料により満たされるべきで
あろう。これにより、シンチレータ層から放出される電
磁波が意図に反して入射し、縁範囲内で情報エラーを生
ずることが避けられる。
【００１４】方法とならんで本発明はさらに、多くの並
び合って配置されているパネルから成り、パッシベーシ
ョン層により被覆された半導体材料、特に無定形のシリ
コンから成る画素マトリックスと、シンチレータ層の上
に入射する電磁波を画素マトリックスにより処理可能な
電磁波に変換するためのシンチレータ層とを含む固体画
像検出器において、パッシベーション層の上にこれを覆
う層が被着されており、その上にシンチレータ層が被着
されていることを特徴とする固体画像検出器に関する。
び合って配置されているパネルから成り、パッシベーシ
ョン層により被覆された半導体材料、特に無定形のシリ
コンから成る画素マトリックスと、シンチレータ層の上
に入射する電磁波を画素マトリックスにより処理可能な
電磁波に変換するためのシンチレータ層とを含む固体画
像検出器において、パッシベーション層の上にこれを覆
う層が被着されており、その上にシンチレータ層が被着
されていることを特徴とする固体画像検出器に関する。
【００１５】本発明の他の目的にかなった実施態様は従
属請求項にあげられている。
属請求項にあげられている。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の他の利点、特徴および詳
細は以下に説明する実施例から、また図面により明らか
になる。
細は以下に説明する実施例から、また図面により明らか
になる。
【００１７】図１は多数の個々の画素３から成り、それ
ぞれ画素マトリックスを備えた半導体材料から成る４つ
の分離した部分検出器、いわゆるパネル２から成る本発
明による固体像検出器１を原理図の形態で示す。パネル
２は当接継ぎ目４を形成して並び合って配置されてい
る。当接継ぎ目４は数μｍ幅であり、その幅は主として
向かい合うパネルの縁部の品質に関係する。調査の結
果、継ぎ目幅は２０〜８０μｍの範囲内、時にはそれ以
上となることが判明している。図１中に示されているパ
ネル２は、その下側でガラス保持体の形態の共通の基板
上に配置されている。画素３により形成される能動的な
像面の上に、例えばシリコン窒化物から成り、詳細には
示されていないパッシベーション層５が被着されてい
る。このパッシベーション層の上に再び、後でまた説明
するように、シンチレータ層が形成される。図１中には
さらに駆動および読出し電子回路の行ドライバー６およ
び読出しチップ７が示されている。
ぞれ画素マトリックスを備えた半導体材料から成る４つ
の分離した部分検出器、いわゆるパネル２から成る本発
明による固体像検出器１を原理図の形態で示す。パネル
２は当接継ぎ目４を形成して並び合って配置されてい
る。当接継ぎ目４は数μｍ幅であり、その幅は主として
向かい合うパネルの縁部の品質に関係する。調査の結
果、継ぎ目幅は２０〜８０μｍの範囲内、時にはそれ以
上となることが判明している。図１中に示されているパ
ネル２は、その下側でガラス保持体の形態の共通の基板
上に配置されている。画素３により形成される能動的な
像面の上に、例えばシリコン窒化物から成り、詳細には
示されていないパッシベーション層５が被着されてい
る。このパッシベーション層の上に再び、後でまた説明
するように、シンチレータ層が形成される。図１中には
さらに駆動および読出し電子回路の行ドライバー６およ
び読出しチップ７が示されている。
【００１８】先に説明したように、図１中に示すパネル
配置の上に、シンチレータ層を被着する必要がある。図
４は並び合って配置されたパネルの直接的な蒸着の際
に、存在する当接継ぎ目から生ずる問題を示す。基板８
上の両方のパネルの間に当接継ぎ目４が位置する。図４
に示すように、この場合、針状のセシウム沃化物結晶１
０から成るシンチレータ層９をパッシベーション層の上
に成長する際に、結晶に乱れが生ずる。このことは当接
継ぎ目の範囲内の不満足な像質に通ずる。
配置の上に、シンチレータ層を被着する必要がある。図
４は並び合って配置されたパネルの直接的な蒸着の際
に、存在する当接継ぎ目から生ずる問題を示す。基板８
上の両方のパネルの間に当接継ぎ目４が位置する。図４
に示すように、この場合、針状のセシウム沃化物結晶１
０から成るシンチレータ層９をパッシベーション層の上
に成長する際に、結晶に乱れが生ずる。このことは当接
継ぎ目の範囲内の不満足な像質に通ずる。
【００１９】図２は固体像検出器１１を通る断面を示
す。この固体像検出器では両方のパネル１３の間の当接
継ぎ目１２が、例えば接着剤の形態の充填材料１４によ
り満たされている。充填材料１４は、電磁波がパネル１
３の縁範囲の中に側部から入射するのを避けるように、
シンチレータ層１５から放出される電磁波に対して不透
過性である。パネル１３の画素マトリックス１７を覆う
パッシベーション層１６の上に、図示の実施例では、シ
ンチレータ層１５から放出される電磁波に対して透過性
の箔１９の形態の層１８が被着されている。箔１９はパ
ッシベーション層１６も、また当接継ぎ目１２も覆い、
平らな面を形成し、そしてその上にはシンチレータ層１
５が蒸着されている。箔１９の取付は接着剤層２０によ
り行われる。箔１９の屈折率および場合によっては接着
剤層２０の屈折率は、シンチレータ層１５から画素マト
リックス１７への電磁波の案内を最適化するために、シ
ンチレータ層１５ならびにパッシベーション層１６およ
び場合によってはパネル１３の半導体材料に相応して選
ばれている。接着剤層２０による箔１９の取付に対して
代替的に、箔を粘着により取付けることも可能である。
す。この固体像検出器では両方のパネル１３の間の当接
継ぎ目１２が、例えば接着剤の形態の充填材料１４によ
り満たされている。充填材料１４は、電磁波がパネル１
３の縁範囲の中に側部から入射するのを避けるように、
シンチレータ層１５から放出される電磁波に対して不透
過性である。パネル１３の画素マトリックス１７を覆う
パッシベーション層１６の上に、図示の実施例では、シ
ンチレータ層１５から放出される電磁波に対して透過性
の箔１９の形態の層１８が被着されている。箔１９はパ
ッシベーション層１６も、また当接継ぎ目１２も覆い、
平らな面を形成し、そしてその上にはシンチレータ層１
５が蒸着されている。箔１９の取付は接着剤層２０によ
り行われる。箔１９の屈折率および場合によっては接着
剤層２０の屈折率は、シンチレータ層１５から画素マト
リックス１７への電磁波の案内を最適化するために、シ
ンチレータ層１５ならびにパッシベーション層１６およ
び場合によってはパネル１３の半導体材料に相応して選
ばれている。接着剤層２０による箔１９の取付に対して
代替的に、箔を粘着により取付けることも可能である。
【００２０】図３は本発明の別の実施例を示す。固体像
検出器のそこに示されている断面図では層２２はパネル
２３の上に粘性のある層材料を注型し、続いて好ましく
は接着剤が使用されるこの層材料を硬化させることによ
り形成されている。層２２はパネル２３のパッシベーシ
ョン層２４を均等に覆い、さらにそれはここでも不透明
の充填材料により満たされる当接継ぎ目２６を満たす。
ここでも平らな表面が生じ、その上にシンチレータ層２
７が蒸着される。
検出器のそこに示されている断面図では層２２はパネル
２３の上に粘性のある層材料を注型し、続いて好ましく
は接着剤が使用されるこの層材料を硬化させることによ
り形成されている。層２２はパネル２３のパッシベーシ
ョン層２４を均等に覆い、さらにそれはここでも不透明
の充填材料により満たされる当接継ぎ目２６を満たす。
ここでも平らな表面が生じ、その上にシンチレータ層２
７が蒸着される。
【００２１】層１８および２２の厚みは数μｍである。
それらはシンチレータ層から放出される電磁波に対して
抵抗性であり、かつ蒸着過程での温度に対して安定であ
る。図２中に示されている箔は、さらに多くの重なり合
って配置された箔層から成っていてよく、その際に各々
の層は、光学的結合の改善を達成するため、異なる屈折
率を有し得る。
それらはシンチレータ層から放出される電磁波に対して
抵抗性であり、かつ蒸着過程での温度に対して安定であ
る。図２中に示されている箔は、さらに多くの重なり合
って配置された箔層から成っていてよく、その際に各々
の層は、光学的結合の改善を達成するため、異なる屈折
率を有し得る。
【図１】多くの個々のパネルから成る固体像検出器の原
理図。
理図。
【図２】箔の形態の層を有する固体像検出器を通る原理
図の形態の断面図。
図の形態の断面図。
【図３】注ぎ込みにより発生された層を有する図２に相
応する図。
応する図。
【図４】本発明による層の組み込みなしにシンチレータ
層の直接的な蒸着から生ずる構成を示すための固体像検
出器を通る断面図。
層の直接的な蒸着から生ずる構成を示すための固体像検
出器を通る断面図。
１ 固体像検出器 ２ 画素 ３ 画素 ４ 当接継ぎ目 ５ パッシベーション層 ６ 行ドライバー ７ 読出しチップ ８ 基板 ９ シンチレータ層 １０ セシウム沃化物結晶 １１ 固体像検出器 １２ 当接継ぎ目 １３ パネル １４ 充填材料 １５ シンチレータ １６ パッシベーション層 １７ 画素マトリックス １８ 層 １９ 箔 ２０ 接着剤層 ２１ 固体像検出器 ２２ 層 ２３ パネル ２４ パッシベーション層 ２５ 充填材料 ２６ 当接継ぎ目 ２７ シンチレータ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ
Claims (20)
- 【請求項１】 多くの並び合って配置されているパネル
から成り、パッシベーション層により被覆されている半
導体材料、特に無定形のシリコンから成る画素マトリッ
クスと、 シンチレータ層の上に入射する電磁波を、画素マトリッ
クスにより処理可能な電磁波に変換するためのシンチレ
ータ層とを含んでいる固体画像検出器の製造方法におい
て、 パッシベーション層の上にシンチレータ層から放出され
る電磁波に対して透過性の層が被着され、その後にこの
層の上にシンチレータ層が蒸着されることを特徴とする
固体画像検出器の製造方法。 - 【請求項２】 シンチレータ層の屈折率と、パッシベー
ション層または半導体材料の屈折率との間のほぼ中間の
屈折率を持つ層が使用されることを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項３】 層として箔が使用されることを特徴とす
る請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 箔がパッシベーション層の上に接着また
は粘着力により取付けられることを特徴とする請求項３
記載の方法。 - 【請求項５】 箔の屈折率と、パッシベーション層また
は半導体材料の屈折率との中間の屈折率を持つ接着剤が
使用されることを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 異なる屈折率を持った多くの箔層から成
る箔が使用されることを特徴とする請求項３ないし５の
１つに記載の方法。 - 【請求項７】 少なくとも数μｍの厚みを有する箔が使
用されることを特徴とする請求項３ないし６の１つに記
載の方法。 - 【請求項８】 少なくとも１８０°Ｃまで、特に少なく
とも２５０°Ｃまで安定な箔が使用されることを特徴と
する請求項３ないし７の１つに記載の方法。 - 【請求項９】 粘性のある層材料を注型し、続いてこの
層材料を硬化させることにより層が形成されることを特
徴とする請求項１または２記載の方法。 - 【請求項１０】 層材料として接着剤が使用されること
を特徴とする請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 少なくとも数μｍの厚みを有する層が
形成されることを特徴とする請求項９または１０記載の
方法。 - 【請求項１２】 硬化した状態で少なくとも１８０°Ｃ
まで、特に少なくとも２５０°Ｃまで安定な層材料が使
用されることを特徴とする請求項９ないし１１の１つに
記載の方法。 - 【請求項１３】 層を被覆する前に並び合って配置され
ているパネルの継ぎ目が、少なくとも部分的に充填材料
により満たされることを特徴とする請求項３ないし１２
の１つに記載の方法。 - 【請求項１４】 充填材料として、シンチレータ層から
放出される電磁波に対して透過性でない材料が使用され
ることを特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 充填材料として接着剤が使用されるこ
とを特徴とする請求項１３または１４記載の方法。 - 【請求項１６】 多くの並び合って配置されているパネ
ルから成り、パッシベーション層により被覆されている
半導体材料、特に無定形のシリコンから成る画素マトリ
ックスと、シンチレータ層の上に入射する電磁波を画素
マトリックスにより処理可能な電磁波に変換するための
シンチレータ層とを含んでいる固体画像検出器におい
て、パッシベーション層（１６、２４）の上にこれを覆
う層（１８、２２）が設けられており、その上にシンチ
レータ層（１５、２７）が被着されていることを特徴と
する固体画像検出器。 - 【請求項１７】 層（１８、２２）の屈折率が、シンチ
レータ層（１５、２７）の屈折率とパッシベーション層
（１６、２４）および／または場合によっては半導体材
料の屈折率との間のほぼ中間の値を有することを特徴と
する請求項１６記載の固体画像検出器。 - 【請求項１８】 層（１８）が、画素マトリックス（１
７）の上に接着または付着力により取付けられているこ
とを特徴とする請求項１６または１７記載の固体画像検
出器。 - 【請求項１９】 接着剤の屈折率が、箔（１９）の屈折
率とパッシベーション層（１６、２４）および／または
場合によっては半導体材料の屈折率との間の中間の値を
有することを特徴とする請求項１８記載の固体画像検出
器。 - 【請求項２０】 箔が異なる屈折率を有する多くの箔層
から成っていることを特徴とする請求項１８または１９
記載の固体画像検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19914701.9 | 1999-03-31 | ||
| DE19914701A DE19914701B4 (de) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbilddetektors sowie Festkörperbilddetektor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000338253A true JP2000338253A (ja) | 2000-12-08 |
| JP4812155B2 JP4812155B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=7903141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088094A Expired - Lifetime JP4812155B2 (ja) | 1999-03-31 | 2000-03-28 | 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6429414B1 (ja) |
| JP (1) | JP4812155B2 (ja) |
| DE (1) | DE19914701B4 (ja) |
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| JP2013113685A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP2014041063A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Canon Inc | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP2014106201A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Canon Inc | 放射線撮像装置、及び放射線撮像システム |
| JP2020169892A (ja) * | 2019-04-03 | 2020-10-15 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線撮影装置 |
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| US7054408B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | CT detector array having non pixelated scintillator array |
| US7166849B2 (en) * | 2004-08-09 | 2007-01-23 | General Electric Company | Scintillator array for use in a CT imaging system and method for making the scintillator array |
| DE102005045895B3 (de) * | 2005-09-26 | 2007-06-14 | Siemens Ag | CMOS Röntgenflachdetektor |
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1999
- 1999-03-31 DE DE19914701A patent/DE19914701B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088094A patent/JP4812155B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-29 US US09/538,144 patent/US6429414B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6429414B1 (en) | 2002-08-06 |
| JP4812155B2 (ja) | 2011-11-09 |
| DE19914701A1 (de) | 2000-10-19 |
| DE19914701B4 (de) | 2005-07-07 |
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