JP2016148555A - 放射線検出装置及び放射線検出システム - Google Patents

Abstract

【課題】定電位端子部の擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生を低減することができる放射線検出装置を提供する。【解決手段】光電変換素子領域１０２と、複数の配線部と複数の配線部１０３と複数の電気接続部１２２と、基板１０１の第１表面に有するセンサパネル１００と、光電変換素子領域１０２と対向するように第１表面上に配置されたシンチレータ層１１１と、シンチレータ層１１１の上面及び側面を覆うように設けられて光電変換素子領域１０２の周縁で第１表面に固定された導電層１４２と、定電位を有する部材に導電層１４２を電気的に接続する定電位端子部２０１とを有しており、定電位端子部２０１は、その一部又は全部が伸縮性を有する構造とされている。【選択図】図１

Description

本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに関するものである。

近年、大面積の平面状に形成された複数の光電変換素子の上方に、放射線を照射することによって発光するシンチレータ層を積層した放射線検出装置が商品化されている。この放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、例えば以下のものが知られている。光電変換素子及びＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を有する複数の画素が２次元状に配置され、画像情報を有する放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を有してなる放射線検出装置がある。また、２次元状に配置された複数の画素の上方に、シンチレータ層を支持基板に形成したシンチレータパネルを貼り合わせてなる放射線検出装置がある。また、放射線を直接的に電気信号に変換するアモルファスＳｅ等の光電変換素子及びＴＦＴを有する複数の画素を備えた放射線検出装置がある。

上記のような高特性の放射線検出装置は、画素領域が大面積であるため、外部からの放射ノイズや静電気等の影響が増加することがある。この場合、光電変換素子及びＴＦＴの半導体層への雑音電圧や雑音電流に起因する誤動作や誤信号が発生して、放射線検出装置の信頼性の低下を招く。このような外部からの放射ノイズや静電気等の影響を防止するために、特許文献１に開示されたような放射線検出装置が案出されている。

特許文献１に開示された以下の構成の放射線検出装置は、センサパネル、外部配線部、複数の外部配線部、シンチレータ、導電層、及び定電位端子部を有する。センサパネルは、絶縁基板上に配置された複数の光電変換素子部からなる光電変換素子領域と、第１配線群の複数と、第２配線群の複数とを有する第１表面を備える。複数の外部配線部は、それぞれ電子回路を有し、複数の第１配線群又は第２配線群に第１表面に設けられた電気接続部を介して接続される。シンチレータは、光電変換素子領域に対向して配置されている。導電層は、シンチレータのセンサパネルと対向する側に配置されている。特許文献１の放射線検出装置では、定電位端子部が絶縁基板の光電変換素子領域を有する第１表面とは反対側の第２表面側に設けられた定電位を有する部材に導電層を電気的に接続する。

特開２００６−２５８５５０号公報

しかしながら、特許文献１に示す放射線検出装置では、定電位端子部が外部振動等により振動して絶縁性基板と擦れて傷つき、ノイズ源や断線となって誤動作や誤信号が発生する虞がある。特に、定電位端子部の下部に放射線検出装置内に存在する塵芥等の異物が経年と共に堆積することにより、誤動作や誤信号の発生の危険性が高まる。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、定電位端子部の擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生を低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを目的とする。

本発明の放射線検出装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素が行列状に配置された光電変換素子領域と、基板の第１表面に有するセンサパネルと、前記光電変換素子領域と対向するように前記第１表面に配置されており、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に波長変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の上面及び側面を覆うように設けられ、前記光電変換素子領域の周縁で前記第１表面に固定された導電層と、前記センサパネルの前記第１表面と反対側の第２表面側に設けられた定電位を有する部材に前記導電層を電気的に接続する定電位端子部とを含み、前記定電位端子部は、その一部又は全部が伸縮性を有する構造とされている。

本発明によれば、定電位端子部の擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生を防止することができる。

第１の実施形態による放射線検出装置の概略構成を示す模式図である。 第２の実施形態による放射線検出装置の構成を示す模式図である。 第３の実施形態による放射線検出装置の構成を示す模式図である。 第３の実施形態による放射線検出装置における定電位端子部の金属層との接続部の近傍を拡大して示す模式図である。 第４の実施形態による放射線検出システムの概略構成を示す模式図である。

以下、本発明の例示的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

（第１の実施形態）
本実施形態では、放射線検出装置を開示する。検出対象の放射線の代表的な例としてＸ線が挙げられるが、放射線はＸ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も含み得る。

図１は、第１の実施形態による放射線検出装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の一点鎖線Ｉ−Ｉ'に沿った断面図である。この放射線検出装置においては、支持台３０１に貼り合わされたセンサパネル１００上にシンチレータ層１１１が配置され、シンチレータ層１１１の上面及び側面を覆うようにシンチレータ保護膜１４０が配置されている。センサパネル１００は、絶縁性基板１０１上に光電変換素子領域１０２、配線部１０３、及び光電変換素子領域１０２と配線部１０３とを覆うセンサ保護膜１０４が設けられている。但し、絶縁性基板に限定されるものではなく半導体基板などの導電性基板を用いても良い。絶縁性基板１０１の周縁領域には、パッド部等の電気接続部１２２が配線部１０３と接続されて設けられており、外部接続用配線１２３の一端が接続されている。外部回路配線１２３は、配線部１０３と回路基板１２５とを電気的に接続させるための部材である。外部回路配線１２３は、例えば駆動用であればシフトレジスタ等の駆動用外部電子回路が搭載されても良い。また、外部回路配線１２３は、読み出し用であれば例えばアナログ増幅回路、バッファアンプ、サンプルホールド回路、アナログマルチプレクサ等により構成された電子回路が搭載されても良い。外部回路配線１２３にはフレキシブル配線基板が好適に用いられ、回路基板１２５にはプリント配線基板が好適に用いられ得る。シンチレータ保護膜１４０は、接着層１４１及び導電層である金属層１４２を有して構成されている。金属層１４２は、アルミニウム等からなり、反射層及び外来ノイズを遮断する電磁シールド層として機能するものである。金属層１４２の一端部分には、定電位端子部２０１が形成されており、定電位端子部２０１に定電位が供給されることにより、金属層１４２は電磁シールド層として機能する。この放射線検出装置では、シンチレータ層１１１の上面側から放射線が入射する。

絶縁性基板１０１は、ガラス基板が好適に用いられるが、その他、例えばプラスチック基板等を用いても良い。光電変換素子領域１０２は、絶縁性基板１０１の第１表面に設けられ、各々がフォトセンサ（光電変換素子）及びスイッチ素子を有する複数の画素が例えば行列状に配置されてなるものである。フォトセンサには、アモルファスシリコン等で形成されたＰＩＮ型フォトダイオード、ＭＩＳ型フォトセンサ等が好適に用いられる。また、スイッチ素子には、アモルファスシリコンやポリシリコン等で形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が好適に用いられる。配線部１０３は、複数の画素と電気的に接続された複数の配線が配置されている部分であり、即ち配線部１０３は複数の画素に電気的に接続されている。絶縁性基板１０１の第１表面と反対側の第２表面は、支持台３０１によって支持され得る。

センサ保護膜１０４は、光電変換素子領域１０２及び配線部１０３を被覆して保護する第１の層と、保護膜を被覆して光電変換素子領域１０２及び配線部１０３に影響される第１の層上の表面形状を平坦にする第２の層とにより構成される。第１の層は、シンチレータ層１１１から発せられる光を透過する材料が好適に用いられ、例えば、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材料により形成される。第２の層は、例えばポリイミド、アクリル、変性アクリル樹脂、ポリスルフォン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等の透明な有機樹脂が好適に用いられる。電気接続部１２２は、配線部１０３と外部回路基板１２５とを電気的に接続するためのものであり、異方性導電樹脂等の接着性導電体により接続される。

シンチレータ層１１１は、入射された放射線を光電変換素子領域１０２のフォトセンサが感知可能な波長帯域の光に波長変換するものであり、例えば柱状結晶構造を有する蛍光体が用いられている。シンチレータ層１１１は、ＣｓＩ：Ｔｌに代表される柱状結晶構造を有する蛍光体が好適に用いられる。特に、アモルファスシリコンからなるフォトセンサが良好に吸収する波長領域の光を発する柱状結晶構造を有するアルカリハライド：付活剤からなる蛍光体が好適に用いられる。ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等が好適に用いられる。なお、本実施形態においては、シンチレータ層１１１が直接的にセンサ保護膜１０４上に蒸着により形成されている。本発明はこれに限定されるものではなく、シンチレータ層１１１が他に準備された支持体上に形成され、センサパネル１００と接着剤により貼り合わされる形態でも良い。即ち、シンチレータ層は光電変換素子領域と対向するように絶縁性基板１０１の第１表面上に配置される。

シンチレータ保護膜１４０は、シンチレータ層１１１を覆っており、シンチレータ層１１１を外力による破壊及び外気の水分による変質から保護するためのものである。特に、本実施形態に用いられているＣｓＩ：Ｔｌ等のシンチレータ層１１１は、柱状結晶構造であるために外力による衝撃に弱く、また潮解性を有するため外気の水分により変質し易いものである。そのため、シンチレータ保護膜１４０は、シンチレータ層１１１の表面及び側面を被覆し密着して配置されている。シンチレータ保護膜１４０は、金属層１４２のキズ等から保護するため、金属層１４２上に樹脂層を設けるようにしても良い。

シンチレータ保護膜１４０の接着層１４１は、シンチレータ層１１１と接着してこれを保護する機能を有する。金属層１４２は、水分からシンチレータ層１１１を保護する機能と、外力による破壊からシンチレータ層１１１を保護する機能と、シンチレータ層１１１からの光を反射する機能を有する。また、金属層１４２は、グランド電位に接地される等、定電位が供給されることにより、外部からのノイズを遮断する電磁シールド機能を有する。

例えば、接着層１４１の材料としては、例えば以下のものが好適に用いられる。ＣＶＤ法によって形成されるポリパラキシリレン製樹脂、ホットメルト系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと言う）等のポリエステル、アクリル樹脂がある。また、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレータン、シリコン、ビニル重合体、ビニル共重合体等を用いても良い。接着層１４１の厚みは、１０μｍ〜１５０μｍ程度が望ましい。特に、ホットメルト系樹脂は、極性溶媒、溶剤、及び水を含んでいないので、柱状結晶構造を有するシンチレータ層１１１に接触しても溶解しないことから、シンチレータの保護機能を有する他に、加熱溶融状態で、他の有機材料、及び無機材料に接着性を有する。そのため、ホットメルト系樹脂は、センサパネル１００の外部領域において加熱加圧処理をすることによりセンサパネル１００と強固な密着状態となり、好適に外部からの水分の侵入を防止することができる。

金属層１４２は、外部からの光の進入を防止しつつ蛍光体１１１からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が好ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｕ等の反射率の高い金属が望ましく、金属シート状に形成されている層であれば電磁シールド層としても機能することができる。金属層１４２は、接着層１４１と貼り合わせて用い、また、剛性保護の目的でＰＥＴ等の樹脂材料を積層することも可能である。

定電位端子部２０１は、シンチレータ保護膜１４０の金属層１４２の一部が延伸されて当該金属層１４２と一体形成され得る。定電位端子部２０１は、金属層１４２の一部が延伸されたものではなく、金属層１４２とは別体の部材として金属層１４２と電気的に接続されるものとしても良い。定電位端子部２０１は、絶縁性基板１０１の周縁領域及び側面を通って支持台３０１の背面（即ち、絶縁性基板１０１の第２表面側）に設けられた外部回路基板１２５の定電位部にビス１２４で固定されている。これにより、シンチレータ保護膜１４０の金属層１４２は、定電位端子部２００を介して定電位の支持台３０１と同一電位とされている。定電位端子部２００は、接地された支持台３０１のような一定電位を供給できる定電位部と少なくとも１箇所以上で電気的に接続されることが望ましい。

定電位端子部２０１は、その一部又は全部又は一部が伸縮性を有する構造とされている。本実施形態では、定電位端子部２０１の一部が伸縮性に富んだ折り畳み自在な蛇腹構造２０１ａとされている。定電位端子部２０１は、蛇腹構造２０１ａの存在により、その背面が絶縁性基板１０１及び支持台３０１と密着することなく、空間的な余裕が生じており、振動に対しても強い構成とされている。そのため、例えば冷却ファンの風や外部振動に起因する絶縁性基板１０１及び支持台３０１との間の擦過が防止され、また経年と共に堆積した定電位端子部２０１の下部の塵芥等の異物を圧迫することもない。従って、容量が増加してノイズ源となったり断線等が発生することが抑止され、誤動作や誤信号の発生が大幅に低減する。

定電位端子部２０１は、絶縁性基板１０１の第２表面側に設けられた外部回路基板１２５の定電位部と電気的に接続されて定電位に固定されることにより、シンチレータ保護膜１４０の金属層１４２が電磁シールド部材として機能する。

定電位端子部２０１を外部回路基板１２５にビス１２４で固定する代わりに、半田等を用いた金属接合、導電性接着剤による接着等、一般的な電機接続手法により電気的に接続するようにしても良い。定電位端子部２０１を一定電位とするための部材としては、支持台３０１の代わりに、筐体（不図示）、炭素を主材料とした表面カバー（不図示）、放射線遮蔽板（不図示）、ベースカバー（不図示）等が好適に用いられる。外部回路基板１２５には、外部接続用配線の他端も接続されている。定電位端子部２０１と外部接続用配線とが近接する場合には、振動により両者の容量変動が発生しないように、互いに別部材に固定する等の措置を講ずることが望ましい。定電位端子部２０１は、シンチレータ保護部層１４０の金属層１４２の一部を延伸したものとする代わりに、金属層１４２と異なる導電部材により金属層１４２と電気的に接続されたものとしても良い。

支持台３０１は、センサパネル１００を支持する部材であり、金属性の基台を用いることが望ましい。支持台３０１に用いる材料としては、マグネシウム合金、アルミ、アルミ合金が好ましい。支持台３０１は、定電位、ここでは接地電位（ＧＮＤ電位）に固定されており、外部回路基板１２５を介して当該支持台３０１に電気的に接続された定電位端子部２０１に当該定電位を与える。

以上説明したように、本実施形態によれば、定電位端子部２０１の配線部１０３や電気接続部１２２との間の容量変動の発生が抑止される。更に、定電位端子部２０１の絶縁性基板１０１及び支持台３０１との擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生が防止される放射線検出装置が実現する。

（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と同様に放射線検出装置を開示するが、定電位端子部の構成が異なる点で第１の実施形態と相違する。図２は、第２の実施形態による放射線検出装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の一点鎖線Ｉ−Ｉ'に沿った断面図である。なお、第１の実施形態の図１と同じ構成部材については、同符号を付して詳しい説明を省略する。

定電位端子部２０２は、その一部又は全部又は一部が伸縮性を有する構造とされている。本実施形態では、定電位端子部２０２の一部が伸縮性に富んだ導電性樹脂で形成されている。金属層１４２と端子部２０２ａとが導電性樹脂からなる伸縮性導電膜２０２ｂで電気的に接続されている。伸縮性導電膜２０２ｂの導電性樹脂としては、例えば信越シリコーン社製の導電シリコーンゴムである商品名ＥＣ−Ａや、共和工業製の導電性シリコンゴムシートである商品名６２°を用いることができる。伸縮性導電膜２０２ｂと金属層１４２及び端子部２０２ａとは、導電性両面テープや導電性接着剤等を用いて接続することが可能である。端子部２０２ａの支持台３０１等の一定電位を供給できる部材との接着では、ビス１２４止め、半田などを用いた金属接合、導電性接着剤による接着等、一般的な電機接続手法により電気的に接続されれば良い。

定電位端子部２０２は、伸縮性導電膜２０２ｂの存在により、その背面が絶縁性基板１０１及び支持台３０１と密着することなく、空間的な余裕が生じ易くされており、振動に対しても強い構成とされている。そのため、例えば冷却ファンの風や外部振動に起因する絶縁性基板１０１及び支持台３０１との間の擦過が防止され、また経年と共に堆積した定電位端子部２０２の下部の塵芥等の異物を圧迫することもない。従って、容量が増加してノイズ源となったり断線等が発生することが抑止され、誤動作や誤信号の発生が大幅に低減する。

以上説明したように、本実施形態によれば、定電位端子部２０２の配線部１０３や電気接続部１２２との間の容量変動が抑止される。更に、定電位端子部２０２の絶縁性基板１０１及び支持台３０１との擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生が防止される放射線検出装置が実現する。

（第３の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と同様に放射線検出装置を開示するが、定電位端子部の構成が異なる点で第１の実施形態と相違する。図３は、第２の実施形態による放射線検出装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の一点鎖線Ｉ−Ｉ'に沿った断面図である。図４は、図３における定電位端子部の金属層との接続部の近傍を拡大して示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の一点鎖線ＩＩ−ＩＩ'に沿った断面図である。なお、第１の実施形態の図１と同じ構成部材については、同符号を付して詳しい説明を省略する。

定電位端子部２０３は、その一部又は全部又は一部が伸縮性を有する構造とされている。本実施形態では、定電位端子部２０３は、金属層１４２との接続部２０４が半固定状態とされており、接続部２０４において金属層１４２に対して一定範囲で可動とされている。接続部２０４において、定電位端子部２０３には楕円穴２０３ａが形成されている。定電位端子部２０３は、金属層１４２と、バネ２０５が配されたネジ２０６が楕円穴２０３ａに挿通して接続されている。楕円穴２０３ａには、ネジ２０６が挿通した状態で所謂アソビの領域である間隙２０７が形成されており、バネ２０５の弾発付勢によりネジ２０６が楕円穴２０３ａ内で無理なく移動可能とされている。

定電位端子部２０３は、接続部２０４の存在により、その背面が絶縁性基板１０１及び支持台３０１と密着することなく、空間的な余裕が生じ易くされており、振動に対しても強い構成とされている。そのため、例えば冷却ファンの風や外部振動に起因する絶縁性基板１０１及び支持台３０１との間の擦過が防止され、また経年と共に堆積した定電位端子部２０３の下部の塵芥等の異物を圧迫することもない。従って、容量が増加してノイズ源となったり断線等が発生することが抑止され、誤動作や誤信号の発生が大幅に低減する。

以上説明したように、本実施形態によれば、定電位端子部２０３の配線部１０３や電気接続部１２２との間の容量変動が抑止される。更に、定電位端子部２０３の絶縁性基板１０１及び支持台３０１との擦過等に起因する誤動作や誤信号の発生が防止される放射線検出装置が実現する。

（第４の実施形態）
本実施形態では、第１〜第３の実施形態の放射線検出装置を適用した、放射線検査装置等に代表される放射線検出システムについて例示する。図５は、第４の実施形態による放射線検出システムの概略構成を示す模式図である。

放射線検出システムは、Ｘ線ルーム４００内に配置される。放射線検出システムは、放射線を発生させるための放射線源であるＸ線チューブ４０３と、放射線検出装置４０５と、イメージプロセッサ４０９を含む信号処理部と、ディスプレイ４０８を含む表示部とを備えて構成される。放射線検出装置４０５は、第１〜第３の実施形態のうちから選ばれた１種の放射線検出装置である。

Ｘ線チューブ４０３で発生したＸ線４０６は、患者等の被検者４０４の胸部４０７を透過し、放射線検出装置４０５に入射する。この入射したＸ線には被検者４０４の体内部の情報が含まれている。放射線検出装置４０５では、入射したＸ線４０６に応じた電気的情報が得られる。その後、この電気的情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ４０９により画像処理され、ディスプレイ４０８により表示される。

上記の電気的情報は、電話、ＬＡＮ、インターネット等のネットワーク４１０により遠隔地へ転送される。これにより、ドクタールーム４０２等の別の場所におけるディスプレイ４１１に表示して、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、上記の電気的情報は、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ４１３によってフィルム４１２等の記録部に記録することもできる。

１００ センサパネル
１０１ 絶縁性基板
１０２ 光電変換素子領域
１０３ 配線
１０４ センサ保護膜
１１１ シンチレータ層
１２２ 電気接続部
１２３ 外部回路配線
１２４ ビス
１２５ 回路基板
１４０ シンチレータ保護膜
１４１ 接着層
１４２ 金属層
２０１，２０２，２０３ 定電位端子部
２０１ａ 蛇腹構造
２０２ａ 端子部
２０２ｂ 伸縮性導電膜
２０３ａ 楕円穴
２０４ 接続部
２０５ バネ
２０６ ネジ
２０７ 間隙

Claims (8)

1. 各々が光電変換素子を含む複数の画素が行列状に配置された光電変換素子領域と、基板の第１表面に有するセンサパネルと、
   前記光電変換素子領域と対向するように前記第１表面に配置されており、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に波長変換するシンチレータ層と、
   前記シンチレータ層の上面及び側面を覆うように設けられ、前記光電変換素子領域の周縁で前記第１表面に固定された導電層と、
   前記センサパネルの前記第１表面と反対側の第２表面側に設けられた定電位を有する部材に前記導電層を電気的に接続する定電位端子部と、
   を含み、
   前記定電位端子部は、その一部又は全部が伸縮性を有する構造とされていることを特徴とする放射線検出装置。
2. 前記定電位端子部は、その一部又は全部が折り畳み自在な蛇腹構造とされていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
3. 前記定電位端子部は、前記導電層の一部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
4. 前記定電位端子部は、その一部又は全部が導電性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
5. 前記定電位端子部は、前記導電層との接続部が半固定状態とされており、前記接続部において前記導電層に対して一定範囲で可動とされていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
6. 前記定電位を有する部材は、接地電位に固定された、前記第２表面側から前記センサパネルを支持する支持台であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
7. 前記センサパネルは、前記複数の画素と電気的に接続された複数の配線部と、前記複数の配線部と電気的に接続された複数の電気接続部と、を前記第１表面に更に有し、
   前記複数の配線部は、前記複数の電気接続部と電気的に接続された外部回路配線を介して、前記センサパネルの前記第２表面側に配置された回路基板に電気的に接続されており、
   前記定電位を有する部材は、前記回路基板の定電位部であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. 放射線を発生する放射線源と、
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置と
   を備えることを特徴とする放射線検出システム。