JPWO2018173894A1 - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
放射線検出器は、可撓性の基材（１４）、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素（１６）が形成された層を含むセンサ基板（１２）と、画素が形成された層における基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層（３０）と、端部も含め基材の第１の面の側に設けられ、少なくとも変換層全体を覆う第１保護膜（３２）と、少なくとも第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜（３４）と、を備える、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。
Description
本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器として、センサ基板に可撓性の基材を用いたものが知られている（例えば、特開２０１０−８５２６６号公報参照）。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
ところで、センサ基板に可撓性の基材を用いた放射線検出器の製造方法の例として、塗布法と呼ばれる方法及びラミネート法と呼ばれる方法が知られている。塗布法では、ガラス基板等の支持体上に、塗布により可撓性の基材を形成し、さらにセンサ基板及び変換層を形成する。その後、変換層が形成されたセンサ基板を、支持体からレーザ剥離により剥離する。一方、ラミネート法では、ガラス基板等の支持体に、可撓性の基材となるシートを貼り合わせ、さらにセンサ基板及び変換層を形成する。その後、変換層が形成されたセンサ基板を、支持体からメカニカル剥離により剥離する。
このように、塗布法及びラミネート法のいずれにおいても、その製造工程において、センサ基板を支持体から剥離する工程が含まれるが、支持体からセンサ基板を剥離しにくい場合があった。
一方、特開２０１０−８５２６６号公報に記載の技術のように、センサ基板の基材や変換層等を保護するために防湿性を有する保護膜によりセンサ基板を覆うことが行われているが、支持体からセンサ基板を剥離しやすくしようとした場合、保護膜が損なわれて防湿性が低下する場合があった。
本開示は、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供す。
本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、端部も含め基材の第１の面の側に設けられ、少なくとも変換層全体を覆う第１保護膜と、少なくとも第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜と、を備える。
また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、第２保護膜はさらに、第１保護膜の少なくとも端部を覆う。
また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、第２保護膜は、第１の面及び第２の面の何れも覆う。
また、本開示の第４の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、少なくとも、第１保護膜で覆われた領域以外、かつ第２保護膜で覆われた領域以外の領域を覆う第３保護膜をさらに備える。
また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、少なくとも、第１保護膜の端部及び第２保護膜の端部を覆う第３保護膜をさらに備える。
また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、記第１保護膜の側面と、基材の側面とが面一である。
また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１保護膜は、第２保護膜よりも柔軟性が高い。
また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第７の態様の放射線検出器において、第１保護膜の材料は、第２保護膜の材料と異なる。
また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第７の態様または第８の態様の放射線検出器において、第１保護膜の密度は、第２保護膜の密度よりも低い。
また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第７の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１保護膜の厚みは、第２保護膜の厚みよりも薄い。
また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、センサ基板に接続された、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルをさらに備え、少なくとも一方のケーブルは、前記第２保護膜に覆われている。
また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルが接続される接続部が基材の外周部に設けられ、第１保護膜は、接続部の周囲の第１の面を覆っていている。
また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１２の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩを含んでいる。
また、本開示の第１４の態様の放射線画像撮影装置は、本開示の第１の態様から第１３の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、を備える。
また、本開示の第１５の態様の放射線画像撮影装置は、第１４の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
また、本開示の第１６の態様の放射線画像撮影装置は、第１４の態様の放射線画像撮影装置において、制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられていてもよい。
本開示によれば、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照）と、放射線を光に変換する変換層（図３参照）３０と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
画素１６は、センサ基板１２のアクティブエリア１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図示省略）を介して、駆動部１０２に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図示省略）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図示省略）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を含むセンサ基板１２と、変換層３０と、第１保護膜３２と、第２保護膜３４と、を備えており、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。なお、以下では、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向という。
基材１４は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。なお、基材１４は、所望の可撓性を有しておればよく、樹脂シートに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１４が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ〜１２５μｍのものであればよい。また例えば、基材１４がガラス基板の場合、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．１ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．１ｍｍ以下のものであればよい。
図２及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。すなわち、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５としている。
また、図３に示すように、変換層３０は、アクティブエリア１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、第１保護膜３２が、端部も含め基材１４の第１の面１４Ａの側に設けられ、変換層３０の全体、具体的には、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、及び側面から画素１６に亘る領域を覆っている。
第１保護膜３２の材料としては、例えば、ポリエチレン、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）、軟質塩化ビニール、アルミニウム薄膜、ポリプロピレン、ＡＢＳ(Acrylonitrile Butadiene Styrene）樹脂、ＰＢＴ（Polybutyleneterephthalate）、ＰＰＥ（Polyphenylene ether）、スチロール、アクリル、ポリアセタール、ナイロン、ポリカーボネート等が挙げられる。第１保護膜３２の具体例としては、例えば、パリレン（登録商標）膜、ＰＥＴ等の絶縁性のシート、及び絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート等の防湿膜が用いられる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、第２保護膜３４が、基材１４の全体、具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の第１の面１４Ａの端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの領域を覆っている。
第２保護膜３４の材料としては、例えば、ポリエチレン、ＰＥＴ、軟質塩化ビニール、アルミニウム薄膜、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、ＰＢＴ、ＰＰＥ、スチロール、アクリル、ポリアセタール、ナイロン、ポリカーボネート等が挙げられる。第２保護膜３４の具体例としては、例えば、パリレン膜、ＰＥＴ等の絶縁性のシート、及び絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペットのシート等の防湿膜が用いられる。
図２及び図３に示した放射線検出器１０のように、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備える放射線検出器１０の製造方法について図４を参照して説明する。
図４に示すように、基材１４に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体２００に、剥離層２０２を介して、基材１４が形成される。ラミネート法により基材１４を形成する場合、支持体２００上に、基材１４となるシートを貼り合わせる。基材１４の第２の面１４Ｂが剥離層２０２に接する。
さらに、基材１４の第１の面１４Ａに、画素１６が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が形成される。
さらに、画素１６の上に、変換層３０が形成される。本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０が形成される。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層３０を設けた場合、変換層３０のセンサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられてもよいし、粘着層等を介して設けられてもよい。反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０が設けられたセンサ基板１２に、第１保護膜３２を変換層３０の全体、具体的には、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、及び側面から画素１６に亘る領域に形成することにより、図４に示した状態となる。
この後、変換層３０及び第１保護膜３２が設けられたセンサ基板１２を支持体２００から剥離する。例えば、ラミネート法では、センサ基板１２（基材１４）の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体２００から引きはがすことにより、メカニカル剥離を行う。
ここで、本実施形態の放射線検出器１０と異なる場合、すなわち図４に示した場合と異なり、形成した第１保護膜３２が支持体２００上の領域まで覆っている場合、センサ基板１２の剥離において、支持体２００を覆う第１保護膜３２により、剥離しにくくなる場合がある。特に、剥離の起点となるセンサ基板１２(基材１４）の辺について支持体２００上まで第１保護膜３２で覆っていると、剥離がし難くなる。また、第１保護膜３２が支持体２００上までの領域を覆っている場合、センサ基板１２の剥離に伴い、第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離してしまう場合がある。センサ基板１２の端部から第１保護膜３２が剥離すると、防湿性が低下することになる。
これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、図４に示したように、第１保護膜３２は、変換層３０の表面、側面及び画素１６の側面を覆っているが、基材１４の第１の面１４Ａ及び側面１４Ｃは覆っていない。そのため、第１保護膜３２は、支持体２００上の領域を覆っていない。
従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２の剥離の起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
本実施形態では、さらに、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、基材１４の第２の面１４Ｂに、第２保護膜３４を基材１４の全体、具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の第１の面１４Ａの端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの領域に形成することにより、図２及び図３に示した本実施形態の放射線検出器１０が製造される。基材１４の第２の面１４Ｂに第２保護膜３４を形成する方法としては、例えば、蒸着によりパリレン膜を形成してもよいし、また例えば、シート状の保護膜により、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの第１の面１４Ａを覆ってもよい。なお、シート状の保護膜を用いる場合、１枚のシートにより、第２保護膜３４で覆うべき上記の領域全体を覆ってもよい。また、例えば、第１の面１４Ａ側及び第２の面１４Ｂ側の各々からシートで基材１４を挟む等、複数枚のシートで基材１４を挟み込むことにより、第２保護膜３４で覆うべき上記の領域を覆ってもよい。
このように、基材１４の第２の面１４Ｂに第２保護膜３４を設けることにより、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、センサ基板１２の防湿性が低下するのを抑制することができる。
なお、第２保護膜３４は、図２及び図３に示した形態に限定されず、例えば、図５に示した放射線検出器１０のように、少なくとも、基材１４の第２の面１４Ｂを覆っていれば、第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができる。
このように、第１保護膜３２は、センサ基板１２を支持体２００から剥離する前に設けられる。センサ基板１２を支持体２００から剥離する場合、センサ基板１２が撓むが、第１保護膜３２の柔軟性が低いと、センサ基板１２の撓みの影響をうけて変換層３０が損傷する懸念がある。一方、第２保護膜３４は、センサ基板１２を支持体２００から剥離した後に設けられる。そのため、第２保護膜３４については、上記のように、センサ基板１２を支持体２００から剥離する場合の撓みによる影響を考慮せずともよく、柔軟性を低くすることにより、放射線検出器１０全体の耐衝撃性を向上させることができる。
従って、第１保護膜３２は柔軟性が高いことが好ましく、本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２の柔軟性のほうが、第２保護膜３４の柔軟性よりも高い。
なお、第１保護膜３２の柔軟性を、第２保護膜３４の柔軟性よりも高くする方法としては、例えば、第１保護膜３２の材料を、第２保護膜３４の材料よりも、一般的に柔軟性が高いとされる材料で形成することが挙げられる。この場合の第１保護膜３２の材料の具体例としては、ポリエチレン、軟質塩化ビニール、及びアルミニウムが挙げられ、第２保護膜３４の材料の具体例としては、ポリプロピレンが挙げられる。また例えば、一般的に、物体(膜）の密度が低くなるほど、柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２の密度を、第２保護膜３４の密度よりも低くしてもよい。また例えば、一般的に、膜の厚みが薄くなるほど、柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２の厚みを、第２保護膜３４の厚みよりも薄くしてもよい。また例えば、一般的に、蒸着により膜を設けた場合と、シート状の膜を貼り付けることにより設けた場合とでは、蒸着により設けられた膜の方が柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２を蒸着により設け、第２保護膜３４をシート状の膜を貼り付けることにより設けてもよい。
本実施形態の放射線検出器１０を適用した放射線画像撮影装置１では、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に放射線検出器１０が設けられている。
図６には、表面読取方式(ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling)に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
図６に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向するように設けられている。
制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方が制御基板１１０に形成されていてもよい。
また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うことが好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
図６に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向に撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能である。例えば、被写体の撮影部位等に応じて放射線検出器１０を撓ませた状態に維持して放射線画像の撮影を行うことができる。
図６に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
なお、図６では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図６に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図６では、本実施形態では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図６に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
なお、放射線画像撮影装置１（放射線検出器１０）全体を撓ませて放射線画像の撮影を行った場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。
また、図７には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
図７に示すように、筐体１２０内には、積層方向と交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向に並んで設けられている。
また、図７に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
図７に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向にわずかに撓ませた状態、例えば、中央部を１ｍｍ〜５ｍｍ程度撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能であるが、制御基板１１０及び電源部１０８と放射線検出器１０とが積層方向に設けられており、かつ基台１１８が設けられているため、図６に示した放射線画像撮影装置１の場合ほどは撓まない。
このように本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２が、変換層３０の全体を覆っており、かつ、第１保護膜３２は、変換層３０の表面、側面及び画素１６の側面を覆っているが、基材１４の第１の面１４Ａ及び側面１４Ｃは覆っていない。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２の剥離の起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が、基材１４の全体を覆っている。そのため、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
[第２実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４を設ける領域が第１実施形態の放射線検出器１０と異なるため、本実施形態の放射線検出器１０における第２保護膜３４について説明する。
本実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４を設ける領域が第１実施形態の放射線検出器１０と異なるため、本実施形態の放射線検出器１０における第２保護膜３４について説明する。
図８には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図８に示すように第２保護膜３４は、変換層３０を覆う第１保護膜３２を含めてセンサ基板１２を覆う。具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、基材１４の端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの第１の面１４Ａ、及び変換層３０と画素１６とを内用する１保護膜３２全体を覆っている。すなわち、第２保護膜３４は、第１の面１４Ａ及び第２の面１４Ｂの何れも覆っている。
このような第１保護膜３２としては、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第１保護膜３２を形成することができる。
このように、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０を、第１保護膜３２及び第２保護膜３４により二重に封止している。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０に対する防湿性能をより高めることができる。特に、ＣｓＩは、水分に弱く、放射線検出器１０の内部に水分が侵入した場合、放射線画像の画質が低下する懸念がある。そのため、変換層３０にＣｓＩを用いた場合、本実施形態の放射線検出器１０のように、変換層３０に対する防湿性能をより高めることが好ましい。
また、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の少なくとも一方がパリレン膜の場合、パリレン膜は樹脂製のシートに比べて、防湿性が低いため、本実施形態の放射線検出器１０のように二重に封止することが好ましい。
また、本実施形態の放射線検出器１０では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が形成された境界である境界部１４Ｄを第２保護膜３４が覆うため、境界部１４Ｄから基材１４の内部に水分が侵入するのを抑制することができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
[第３実施形態]
本実施形態では、上記各実施形態の放射線検出器１０と異なり、第１保護膜３２及び第２保護膜３４と異なる保護膜をさらに備える形態について説明する。
本実施形態では、上記各実施形態の放射線検出器１０と異なり、第１保護膜３２及び第２保護膜３４と異なる保護膜をさらに備える形態について説明する。
図９には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図９に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１保護膜３２及び第２保護膜３４に加えて、さらに第３保護膜３６を備えている。図９に示すように、第３保護膜３６は、基材１４と画素１６との境界である境界部１４Ｄに位置する、第１保護膜３２の端部と第２保護膜３４の端部とを覆っている。
本実施形態の放射線検出器１０では、第３保護膜３６が第１保護膜３２の端部及び第２保護膜３４の端部を覆うことにより、第１保護膜３２の端部、第２保護膜３４の端部、及び第１保護膜３２と第２保護膜３４との境界部等から水分がセンサ基板１２内に侵入するのを抑制することができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
このような第３保護膜３６は、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第３保護膜３６を形成することができる。なお、第３保護膜３６は、放射線検出器１０の屈曲している部分（例えば、図９では境界部１４Ｄ）に設けられるため、密着性を向上させる観点からは、一般的に柔軟性が高いことが好ましい。
なお、第３保護膜３６を設ける領域は、図９に示した領域に限定されず、例えば、第１保護膜３２及び第２保護膜３４が設けられている領域等に応じた領域とすることができる。例えば、図１０には、上記図５に示した放射線検出器１０に対して、第３保護膜３６を設けた場合の一例を示している。図１０（図５）に示した放射線検出器１０では、基材１４の第１の面１４Ａの一部及び側面１４Ｃが第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れによっても覆われていない。このような場合、図１０に示すように、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れにも覆われていない領域を少なくとも含む領域を第３保護膜３６で覆うことが好ましい。なお、この場合においても、図１０に示すように、さらに第１保護膜３２の端部及び第２保護膜３４の端部も含む領域を第３保護膜３６で覆うことが好ましいことはいうまでもない。このように、放射線検出器１０全体が、第１保護膜３２、第２保護膜３４、及び第３保護膜３６の少なくとも１つにより覆われていることにより、外部から水分が侵入するのを抑制する効果をより高めることができる。従って、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
[第４実施形態]
上記各実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａについて、一様に第１保護膜３２を設けない形態について説明した。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａに、第１保護膜３２を設けるか否か、またはどのように設けるか（覆う領域の範囲をどのようにするか）について、一様ではない形態について説明する。
上記各実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａについて、一様に第１保護膜３２を設けない形態について説明した。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａに、第１保護膜３２を設けるか否か、またはどのように設けるか（覆う領域の範囲をどのようにするか）について、一様ではない形態について説明する。
図１１には、本実施形態における支持体２００から剥離する前の状態のセンサ基板１２及び支持体２００の一例を、第１保護膜３２が設けられた側からみた平面図を示す。また、図１２には、図１１に示した支持体２００から剥離前のセンサ基板１２のＡ−Ａ線断面図を示す。
図１１に示した例では、センサ基板１２（基材１４）の外周の一部の辺（三辺）において、第１保護膜３２が基材１４の第１の面１４Ａを覆っている。
また、図１１に示した例では、センサ基板１２の隣接する２辺の各々の外周部に、フレキシブルケーブル１１２が接続される端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂが設けられている。なお、本実施形態のフレキシブルケーブル１１２が、本開示の第１ケーブル及び第２ケーブルの一例である。
センサ基板１２には、上述したように、制御基板１１０、駆動部１０２、及び信号処理部１０４と接続するためのフレキシブルケーブル１１２が接続される。そのため、センサ基板１２の外周には、図１１に示すように、フレキシブルケーブル１１２が接続される接続部の一例として端子部が設けられている。
図１１に示すように、センサ基板１２が端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを備える場合、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂは第１保護膜３２で覆わないことが好ましい。この場合、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを設ける基材１４の第１の面１４Ａの領域をマスキングした状態で、第１保護膜３２を形成すればよい。なお、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺における側面は、第１保護膜３２で覆われていてもよい。例えば、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂにフレキシブルケーブル１１２を熱圧着した後に、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺を起点として、センサ基板１２を支持体２００から剥離した場合、フレキシブルケーブル１１２により剥離しにくくなる。またこのように剥離した場合、剥離帯電により、フレキシブルケーブル１１２に搭載された駆動部１０２または信号処理部１０４等に悪影響を及ぼす場合がある。このような理由から、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺は、剥離の起点としないため、その側面が第１保護膜３２で覆われていても、センサ基板１２の剥離がし難くなることはない。
なお、基材１４の第１の面１４Ａの外周部に端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを設ける場合、支持体２００から剥離するための起点となる基材１４の辺は、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した辺ではないことが好ましい。また、剥離の起点となる基材１４の辺では、センサ基板１２の剥離を容易にするため、第１の面１４Ａを第１保護膜３２が覆っていないことが好ましい。図１１及び図１２に示した場合では、外周部に端子部５０Ａが設けられている基材１４の辺と対向する辺について、第１の面１４Ａには、第１保護膜３２が設けられていない。
この場合、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂにフレキシブルケーブル１１２を接続する。フレキシブルケーブル１１２の接続方法としては、例えば、熱圧着が挙げられる。
センサ基板１２へフレキシブルケーブル１１２を接続した後、フレキシブルケーブル１１２を覆う領域を含め、第２保護膜３４を形成する。図１３には、第１実施形態の放射線検出器１０と同様の第２保護膜３４を形成した放射線検出器１０の一例を示す。図１３に示すように、センサ基板１２と接続された部分におけるフレキシブルケーブル１１２は、第１保護膜３２により覆われてはおらず、第２保護膜３４によって覆われている。
以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、画素１６が形成された層における基材１４と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、端部も含め基材１４の第１の面１４Ａの側に設けられ、少なくとも変換層３０全体を覆う第１保護膜３２と、少なくとも第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂを覆う第２保護膜３４と、を備える。
このように上記各実施形態の放射線検出器１０では、製造工程において支持体２００からセンサ基板１２を剥離する起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が、基材１４の第２の面１４Ｂの全体を覆っている。そのため、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、支持体２００を用いて製造される可撓性の基材１４を有するセンサ基板１２を備えた放射線検出器１０の製造工程において、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材１４の防湿性の低下を抑制することができる。
また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が基材１４の第２の面１４Ｂに設けられているため、積層方向に荷重がかかったことにより放射線検出器１０が撓んだ場合において生じる応力中立面(応力が０となる面）の積層方向の位置を、調整することができる。センサ基板１２と変換層３０との界面（例えば、変換層３０におけるセンサ基板１２と対向する面）に応力がかかることで、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易くなる。応力中立面の積層方向の位置が上記界面に近付くほど、上記界面にかかる応力は小さくなる。上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４を設けることにより、第２保護膜３４を設けない場合に比べて、応力中立面の位置を、上記界面に近付けることができる。
従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線検出器１０が撓んだ場合でも、変換層３０をセンサ基板１２から剥離し難くすることができる。
なお、第１保護膜３２が設けられる領域は、上記各実施形態に限定されない。例えば、図１４に示した放射線検出器１０のように、基材１４の、画素１６が設けられていない第１の面１４Ａの全ての領域を第１保護膜３２で覆ってもよい。図１４に示した場合では、第１保護膜３２の側面３２Ｃと、基材１４の側面１４Ｃとが面一となる。なお、「面一」とは、第１保護膜３２の端部と基材１４の端部とが揃った状態のことをいい、第１保護膜３２の側面３２Ｃと、基材１４の側面１４Ｃとがわずかな差を含み、同一の面上にあるとみなせる状態のことをいう。この場合の放射線検出器１０であっても、製造工程において、センサ基板１２が形成された支持体２００上まで第１保護膜３２が覆うことがないため、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易にすることができる。
また、例えば、図１５に示した放射線検出器１０のように、第１保護膜３２の端部が、基材１４と画素１６との境界である境界部１４Ｄで折れ曲がることにより、境界部１４Ｄの近傍における第１の面１４Ａの領域を第１保護膜３２で覆ってもよい。
なお、図１４に示した放射線検出器１０及び図１５に示した放射線検出器１０において、上記第３実施形態の放射線検出器１０のように、基材１４の側面等、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れにも覆われていない基材１４の領域を第３保護膜３６で覆ってもよいことはいまでもない。
また、上記各実施形態では、ラミネート法で放射線検出器１０を製造する形態について説明したが、この形態に限定されず、塗布法で放射線検出器１０を製造する形態であっても、第１保護膜３２が剥離の起点を覆わず、かつ第２保護膜３４が基材１４の第２の面１４Ｂを覆うことにより、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易にするとともに、防湿性の低下を抑制することができるという効果が得られることはいうまでもない。
また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を変換層３０の放射線が入射する側と反対側にセンサ基板１２を配置するいわゆる、「裏面読取方式(ＰＳＳ：Penetration Side Sampling)」に適用してもよい。
また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、アクティブエリア１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
その他、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
２０１７年３月２２日出願の日本国特許出願２０１７−０５６５６１号の開示、及び２０１８年２月１６日出願の日本国特許出願２０１８−０２５８０４号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１ 放射線画像撮影装置
１０ 放射線検出器
１２ センサ基板
１４ 基材、１４Ａ 第１の面、１４Ｂ 第２の面、１４Ｃ 側面、１４Ｄ 境界部
１５ アクティブエリア
１６ 画素
２０ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２ センサ部
２４ 信号配線
２６ 走査配線
２８ 共通配線
３０ 変換層
３２ 第１保護膜、３２Ｃ 側面
３４ 第２保護膜
３６ 第３保護膜
５０Ａ、５０Ｂ 端子部
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２ フレキシブルケーブル
１１４ 電源線
１１６ シート
１１８ 基台
１２０ 筐体、１２０Ａ 撮影面
２００ 支持体
２０２ 剥離層
１０ 放射線検出器
１２ センサ基板
１４ 基材、１４Ａ 第１の面、１４Ｂ 第２の面、１４Ｃ 側面、１４Ｄ 境界部
１５ アクティブエリア
１６ 画素
２０ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２ センサ部
２４ 信号配線
２６ 走査配線
２８ 共通配線
３０ 変換層
３２ 第１保護膜、３２Ｃ 側面
３４ 第２保護膜
３６ 第３保護膜
５０Ａ、５０Ｂ 端子部
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２ フレキシブルケーブル
１１４ 電源線
１１６ シート
１１８ 基台
１２０ 筐体、１２０Ａ 撮影面
２００ 支持体
２０２ 剥離層
Claims (16)
- 可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
前記画素が形成された層における前記基材と反対側に設けられ、放射線を前記光に変換する変換層と、
端部も含め前記基材の前記第１の面の側に設けられ、少なくとも前記変換層全体を覆う第１保護膜と、
少なくとも前記第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜と、
を備えた放射線検出器。 - 前記第２保護膜はさらに、前記第１保護膜の少なくとも端部を覆う、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 前記第２保護膜は、前記第１の面及び前記第２の面の何れも覆う、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 少なくとも、前記第１保護膜で覆われた領域以外、かつ前記第２保護膜で覆われた領域以外の領域を覆う第３保護膜をさらに備えた、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 少なくとも、前記第１保護膜の端部及び前記第２保護膜の端部を覆う第３保護膜をさらに備えた、
請求項１に記載の放射線検出器。 - 前記第１保護膜の側面と、前記基材の側面とが面一である、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記第１保護膜は、前記第２保護膜よりも柔軟性が高い、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記第１保護膜の材料は、前記第２保護膜の材料と異なる、
請求項７に記載の放射線検出器。 - 前記第１保護膜の密度は、前記第２保護膜の密度よりも低い、
請求項７または請求項８に記載の放射線検出器。 - 前記第１保護膜の厚みは、前記第２保護膜の厚みよりも薄い、
請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記センサ基板に接続された、前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルをさらに備え、
前記少なくとも一方のケーブルは、前記第２保護膜に覆われている、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルが接続される接続部が前記基材の外周部に設けられ、
前記第１保護膜は、前記接続部の周囲の前記第１の面を覆っている、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 前記変換層は、ＣｓＩを含む、
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の放射線検出器。 - 請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
を備えた放射線画像撮影装置。 - 前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。
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