CN108966641B - 放射线检测器以及放射线图像摄影装置 - Google Patents

放射线检测器以及放射线图像摄影装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种放射线检测器以及放射线图像摄影装置，根据本发明，在使用支撑体制造且具备具有挠性基材的传感器基板的放射线检测器的制造工序中，能够从支撑体轻松剥离传感器基板，并且能够抑制挠性基材的防湿性下降，所述放射线检测器具备：传感器基板，包含挠性基材、及设置在基材的第1面且形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素的层；转换层，设置在形成有像素的层的与基材相反的一侧，并且将放射线转换为光；第1保护膜，包含端部在内设置在基材的第1面侧，并且至少覆盖整个转换层；以及第2保护膜，至少覆盖与第1面相反的一侧的第2面)。

Description

放射线检测器以及放射线图像摄影装置
技术领域
本发明涉及一种放射线检测器以及放射线图像摄影装置。
背景技术
一直以来，已知有以医疗诊断为目的而进行放射线拍摄的放射线图像摄影装置。在这种放射线图像摄影装置中使用用于检测透射了被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。
作为放射线检测器，存在如下放射线检测器，其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换为光；以及传感器基板，设置有积蓄根据被转换层转换的光而产生的电荷的多个像素。作为这种放射线检测器，已知有在传感器基板中使用了挠性基材的放射线检测器(例如，参照日本特开2010-85266号公报)。通过使用挠性基材，例如有时能够将放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻量化，并且被摄体的拍摄会变得容易。
发明内容
发明要解决的技术课题
作为在传感器基板中使用了挠性基材的放射线检测器的制造方法的一例，已知有被称为涂布法的方法和被称为层压法的方法。涂布法中，在玻璃基板等支撑体上通过涂布形成挠性基材，进而形成传感器基板和转换层。之后，通过激光剥离而从支撑体剥离形成有转换层的传感器基板。另一方面，层压法中，在玻璃基板等支撑体上贴合成为挠性基材的薄片，进而形成传感器基板和转换层。之后，通过机械剥离而从支撑体剥离形成有转换层的传感器基板。
这样，在涂布法和层压法中的任一方法中均包含在其制造工序中从支撑体剥离传感器基板的工序，但有时很难从支撑体剥离传感器基板。
另一方面，如日本特开201085266号公报中记载的技术那样，为了保护传感器基板的基材或转换层等，通过具有防湿性的保护膜来覆盖了传感器基板，但想要从支撑体轻松剥离传感器基板时，有时保护膜会受损而防湿性下降。
本公开的提供一种在使用支撑体制造且具备具有挠性基材的传感器基板的放射线检测器的制造工序中，能够从支撑体轻松剥离传感器基板，并且能够抑制挠性基材的防湿性下降的放射线检测器以及放射线图像摄影装置。
用于解决技术课题的手段
本公开的第1方式的放射线检测器具备：传感器基板，包含挠性基材、及设置在基材的第1面且形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素的层；转换层，设置在形成有像素的层的与基材相反的一侧，并且将放射线转换为光；第1保护膜，包含端部在内设置在基材的第1面侧，并且至少覆盖整个转换层；以及第2保护膜，至少覆盖与第1面相反的一侧的第2面。
并且，根据第1方式的放射线检测器，本公开的第2方式的放射线检测器中，第2保护膜还覆盖第1保护膜的至少端部。
并且，根据第1方式的放射线检测器，本公开的第3方式的放射线检测器中，第2保护膜覆盖第1面和第2面这两者。
并且，根据第1方式的放射线检测器，本公开的第4方式的放射线检测器还具备第3保护膜，该第3保护膜至少覆盖被第1保护膜覆盖的区域以外且被第2保护膜覆盖的区域以外的区域。
并且，根据第1方式的放射线检测器，本公开的第5方式的放射线检测器还具备第3保护膜，该第3保护膜至少覆盖第1保护膜的端部和第2保护膜的端部。
并且，根据第1方式至第4方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第6方式的放射线检测器中，第1保护膜的侧面与基材的侧面在同一平面上。
并且，根据第1方式至第6方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第7方式的放射线检测器中，第1保护膜的柔性比第2保护膜的柔性高。
并且，根据第7方式的放射线检测器，本公开的第8方式的放射线检测器中，第1保护膜的材料与第2保护膜的材料不同。
并且，根据第7方式或第8方式的放射线检测器，本公开的第9方式的放射线检测器中，第1保护膜的密度比第2保护膜的密度低。
并且，根据第7方式至第9方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第10方式的放射线检测器中，第1保护膜的厚度比第2保护膜的厚度薄。
并且，根据第1方式至第10方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第11方式的放射线检测器还具备第1电缆和第2电缆中的至少一个电缆，该第1电缆与连接于传感器基板且供从多个像素读取电荷的驱动部连接，该第2电缆与信号处理部连接，该信号处理部中被输入与从多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据，至少一个电缆被所述第2保护膜覆盖。
并且，根据第1方式至第10方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第12方式的放射线检测器中，第1电缆和第2电缆中的至少一个电缆所连接的连接部设置在基材的外周部，该第1电缆与供从多个像素读取电荷的驱动部连接，该第2电缆与信号处理部连接，该信号处理部中被输入与从多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据，第1保护膜覆盖连接部周围的第1面。
并且，根据第1方式至第12方式中任一方式的放射线检测器，本公开的第13方式的放射线检测器中，转换层包含CsI。
并且，本公开的第14方式的放射线图像摄影装置具备：本公开的第1方式至第13方式中任一方式的放射线检测器；控制部，输出用于读取积蓄在多个像素中的电荷的控制信号；驱动部，根据控制信号，输出用于从多个像素读取电荷的驱动信号；以及信号处理部，被输入与从多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据。
并且，根据第14方式的放射线图像摄影装置，本公开的第15方式的放射线图像摄影装置中，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有控制部及放射线检测器。
并且，根据第14方式的放射线图像摄影装置，本公开的第16方式的放射线图像摄影装置还具备电源部，该电源部向控制部、驱动部及信号处理部中的至少一处供电，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有电源部、控制部及放射线检测器。
发明效果
根据本公开，在使用支撑体制造且具备具有挠性基材的传感器基板的放射线检测器的制造工序中，能够从支撑体轻松剥离传感器基板，并且能够抑制挠性基材的防湿性下降。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
图2是从第1面侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图3是图2所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图4是对图2和图3所示的放射线检测器的制造方法进行说明的说明图。
图5是第1实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图6是表示将本实施方式的放射线图像摄影装置适用于表面读取方式的情况下放射线检测器被设置在壳体内的状态的一例的剖视图。
图7是表示将本实施方式的放射线图像摄影装置适用于表面读取方式的情况下放射线检测器被设置在壳体内的状态的另一例的剖视图。
图8是第2实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图9是第3实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图10是第3实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图11是从设置有第1保护膜的一侧观察从第4实施方式的支撑体剥离之前的状态的传感器基板和支撑体的一例的俯视图。
图12是从图11所示的支撑体剥离之前的传感器基板的A-A线剖视图。
图13是第4实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图14是设置有第1保护膜的区域与第1～第4实施方式的放射线检测器不同的放射线检测器的一例的剖视图。
图15是设置有第1保护膜的区域与第1～第4实施方式的放射线检测器不同的放射线检测器的另一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式并不限定本发明。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线图像摄影装置通过检测透射了摄影对象即被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息，从而具有拍摄摄影对象的放射线图像的功能。
首先，参照图1，对本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的结构的一例的概略进行说明。图1是表示本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
如图1所示，本实施方式的放射线图像摄影装置1具备放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106以及电源部108。
放射线检测器10具备传感器基板12(参照图3)以及将放射线转换为光的转换层(参照图3)30。传感器基板12具备挠性基材14以及设置在基材14的第1面14A的多个像素16。另外，以下，对于多个像素16，有时简称为“像素16”。
如图1所示，本实施方式的各像素16具备根据转换层所转换的光而产生并积蓄电荷的传感器部22、以及读取积蓄在传感器部22中的电荷的开关元件20。本实施方式中，作为一例，使用薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transisto r)作为开关元件20。因此，以下，将开关元件20称为“TFT20”。本实施方式中形成有传感器部22和TFT20，作为经平坦化的层而进一步设置有在基材14的第1面14A形成有像素16的层。以下，对于形成有像素16的层，为了方便说明，有时也称为“像素16”。
在传感器基板12的有源区域15，沿着一个方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下还称为“行方向”)和与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下还称为“列方向”)而二维状地配置有像素16。图1中，简化显示了像素16的排列，例如像素16在行方向和列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中相互交叉设置有针对像素16的每一行而设置且用于控制TFT20的开关状态(导通和关断)的多个扫描配线26和针对像素16的每一列而设置且用于读取积蓄在传感器部22中的电荷的多个信号配线24。多个扫描配线26的每一个分别经由焊盘(省略图示)而与驱动部102连接。驱动部102上连接有后述控制部100，根据从控制部100输出的控制信号而输出驱动信号。多个扫描配线26的每一个中，从驱动部102输出且驱动TFT20而控制开关状态的驱动信号流入多个扫描配线的每一个中。并且，多个信号配线24的每一个分别经由焊盘(省略图示)而与信号处理部104连接，由此从各像素16读取的电荷作为电信号而输出至信号处理部104。信号处理部104生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据。
信号处理部104中连接有后述的控制部100，从信号处理部104输出的图像数据依次输出至控制部100。控制部100中连接有图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据通过由控制部100进行的控制而依次存储于图像存储器106。图像存储器106具有能够存储规定数量的图像数据的存储容量，每当进行放射线图像的拍摄时，通过拍摄而得到的图像数据依次存储于图像存储器106。
控制部100具备CPU(中央处理单元(Central Processing Unit))100A、包含ROM(只读存储器(Read Only Memory))和RAM(随机存取存储器(Ran dom Access Memory))等的存储器100B、以及闪存等非易失性存储部100C。作为控制部100的一例，可举出微型计算机等。控制部100控制放射线图像摄影装置1的整体的动作。
并且，为了对各像素16施加偏压，各像素16的传感器部22中，在信号配线24的配线方向上设置有共用配线28。共用配线28经由焊盘(省略图示)而与传感器基板12的外部的偏压电源(省略图示)连接，由此从偏压电源对各像素16施加偏压。
电源部108向控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108等各种元件和各种电路供电。另外，图1中，为了避免复杂化，省略了将电源部108与各种元件和各种电路连接的配线的图示。
进一步对本实施方式的放射线检测器10进行详细说明。图2是从第1面14A侧观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图3是图2中的放射线检测器10的A-A线剖视图。
如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10具备包含基材14和像素16的传感器基板12、转换层30、第1保护膜32以及第2保护膜34，并且依次设置有基材14、像素16以及转换层30。另外，以下，将基材14、像素16以及转换层30所排列的方向(图3中的上下方向)称为层叠方向。
基材14具有挠性，例如为包含聚酰亚胺等塑料的树脂片。作为基材14的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。另外，基材14只要具有期望的挠性即可，并不限定于树脂片。例如，基材14也可以为厚度比较薄的玻璃基板等。基材14的厚度为根据材质的硬度和传感器基板12的大小(第1面14A或第2面14B的面积)等而得到期望的挠性的厚度即可。例如当基材14为树脂片时，厚度为5μm～125μm即可。并且，例如当基材14为玻璃基板时，通常在一个边为43cm左右的尺寸下，如果厚度为0.1mm以下则具有挠性，因此厚度为0.1mm以下即可。
如图2和图3所示，多个像素16设置在基材14的第1面14A中的内侧的一部分区域。即，本实施方式的传感器基板12中，在基材14的第1面14A的外周部未设置有像素16。本实施方式中，将基材14的第1面14A中的设置有像素16的区域设为有源区域15。
并且，如图3所示，转换层30覆盖有源区域15。本实施方式中，作为转换层30的一例，使用包含CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这种闪烁器，例如优选包含X射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：T1(添加有铊的碘化铯)或CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：T1的可见光区域中的发光峰值波长为565nm。
并且，如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10中，第1保护膜32包含端部在内设置在基材14的第1面14A侧，并且覆盖整个转换层30，具体而言，覆盖转换层30的表面(不与像素16接触一侧的面)以及从侧面遍及到像素16的区域。
作为第1保护膜32的材料，例如可举出聚乙烯、PET(聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate))、软质氯乙烯、铝薄膜、聚丙烯、ABS(丙烯腈丁二烯苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene))树脂、PBT(聚对苯二甲酸丁二酯(Polybutyleneterephthalate))、PPE(聚苯醚(Po lyphenylene ether))、苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、尼龙、聚碳酸酯等。作为第1保护膜32的具体例，例如可使用派瑞林(注册商标)膜、PET等绝缘性薄片、以及在绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠有铝的ALPET(注册商标)薄片等防湿膜。
并且，如图2和图3所示，本实施方式的放射线检测器10中，第2保护膜34覆盖整个基材14，具体而言，覆盖基材14的第2面14B、基材14的侧面14C、以及从基材14的第1面14A的端部到像素16(第1保护膜32)为止的区域。
作为第2保护膜34的材料，例如可举出聚乙烯、PET、软质氯乙烯、铝薄膜、聚丙烯、ABS树脂、PBT、PPE、苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、尼龙、聚碳酸酯等。作为第2保护膜34的具体例，例如可使用派瑞林膜、PET等绝缘性薄片、以及在绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠有铝的ALPET薄片等防湿膜。
如图2和图3所示的放射线检测器10那样，参照图4，对具备使用了挠性基材14的传感器基板12的放射线检测器10的制造方法进行说明。
如图4所示，在厚度比基材14厚的玻璃基板等支撑体200上，隔着剥离层202而形成有基材14。当通过层压法形成基材14时，在支撑体200上贴合成为基材14的薄片。基材14的第2面14B与剥离层202接触。
而且，在基材14的第1面14A上形成有像素16。另外，本实施方式中，作为一例，在基材14的第1面14A上隔着使用了SiN等的底涂层(省略图示)而形成有像素16。
而且，在像素16上形成有转换层30。本实施方式中，通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))法等气相沉积法，在传感器基板12上直接形成有作为柱状晶体的CsI的转换层30。该情况下，转换层30中的与像素16接触的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，这样在传感器基板12上通过气相沉积法而直接设置有CsI的转换层30时，在转换层30的与传感器基板12的接触侧的相反的一侧的面上例如也可以设置有具有反射由转换层30转换的光的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置在转换层30上，也可以隔着粘合层等而设置。作为反射层的材料，优选使用了有机类材料的材料，例如优选将白色PET(聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate))、TiO2、Al2O3、发泡白色PET、聚酯类高反射片及镜面反射铝等中的至少一个作为材料而使用的材料。从反射率的观点考虑，尤其优选将白色PET作为材料而使用的材料。
另外，白色PET是指在PET中添加有TiO2或硫酸钡等白色颜料的材料。并且，聚酯类高反射片是指具有重叠有多个薄聚酯片的多层结构的薄片(薄膜)。并且，发泡白色PET是指表面成为多孔质的白色PET。
并且，当作为转换层30而使用CsI的闪烁器时，也能够通过与本实施方式不同的方法而在传感器基板12上形成转换层30。例如可以准备在铝板等上通过气相沉积法蒸镀了CsI的材料，并通过粘合性薄片等来贴合CsI的不与铝板接触的一侧和传感器基板12的像素16，从而在传感器基板12上形成转换层30。
并且，与本实施方式的放射线检测器10不同地，作为转换层30，也可以使用GOS(Gd2O2S：Tb)等来代替CsI。该情况下，例如准备将使GOS分散于树脂等粘合剂的薄片，在通过白色PET等形成的支撑体上通过粘合层等贴合而成的材料，并通过粘合性薄片等来贴合GOS的未贴合有支撑体的一侧和传感器基板12的像素16，从而能够在传感器基板12上形成转换层30。
而且，本实施方式的放射线检测器10中，在设置有转换层30的传感器基板12上，将第1保护膜32形成于整个转换层30上，具体而言，形成于转换层30的表面(不与像素16接触一侧的面)以及从侧面至像素16的区域，由此成为图4所示的状态。
然后，从支撑体200剥离设置有转换层30和第1保护膜32的传感器基板12。例如，层压法中，以传感器基板12(基材14)的四边中的任一个边为剥离的起点，并从成为起点的边开始向相对向的边逐渐将传感器基板12从支撑体200剥下，由此进行机械剥离。
在此，在与本实施方式的放射线检测器10不同的情况下，即与图4所示的情况不同，并且所形成的第1保护膜32覆盖至支撑体200上的区域的情况下，在进行传感器基板12的剥离时，由于覆盖支撑体200的第1保护膜32，有时会变得不易剥离。尤其，若对成为剥离的起点的传感器基板12(基材14)的边，用第1保护膜32覆盖至支撑体200上，则会变得很难剥离。并且，当第1保护膜32覆盖至支撑体200的区域时，随着传感器基板12的剥离，有时会导致第1保护膜32的端部从传感器基板12剥离。若从传感器基板12的端部剥离第1保护膜32，则导致防湿性下降。
相对于此，如图4所示，本实施方式的放射线检测器10中，第1保护膜32覆盖转换层30的表面、侧面及像素16的侧面，但不覆盖基材14的第1面14A和侧面14C。因此，第1保护膜32不覆盖支撑体200上的区域。
因此，根据本实施方式的放射线检测器10，成为传感器基板12的剥离的起点的传感器基板12(基材14)的边未被第1保护膜32覆盖，因此能够容易进行传感器基板12的剥离。并且，能够抑制随着传感器基板12的剥离而第1保护膜32的端部从传感器基板12上的剥离，因此能够抑制防湿性下降。
本实施方式中，在从支撑体200剥离传感器基板12之后，进一步使第2保护膜34形成于整个基材14，具体而言，形成于基材14的第2面14B、基材14的侧面14C以及从基材14的第1面14A的端部到像素16(第1保护膜32)为止的区域，由此制造图2和图3所示的本实施方式的放射线检测器10。作为在基材14的第2面14B形成第2保护膜34的方法，例如可以通过蒸镀来形成派瑞林膜，并且例如也可以利用薄片状保护膜来覆盖基材14的第2面14B、基材14的侧面14C以及从基材14的端部到像素16(第1保护膜32)为止的第1面14A。另外，当使用薄片状保护膜的情况下，可以利用1张薄片来覆盖应该用第2保护膜34覆盖的整个上述区域。并且，例如也可以通过从第1面14A侧和第2面14B侧分别用薄片夹持基材14等、用多张薄片夹持基材14，由此覆盖应该用第2保护膜34覆盖的上述区域。
这样，通过在基材14的第2面14B设置第2保护膜34，能够抑制水分从基材14的第2面14B侵入，因此能够抑制传感器基板12的防湿性下降。
另外，第2保护膜34并不限定于图2和图3所示的方式，例如，如图5所示的放射线检测器10那样，只要至少覆盖基材14的第2面14B，则能够抑制水分从第2面14B侵入。
这样，第1保护膜32在从支撑体200剥离传感器基板12之前进行设置。当从支撑体200剥离传感器基板12时，传感器基板12弯曲，若第1保护膜32的柔性低，则转换层30有可能受到传感器基板12的弯曲的影响而损伤。另一方面，第2保护膜34在从支撑体200剥离传感器基板12之后进行设置。因此，如上所述，关于第2保护膜34，无需考虑从支撑体200剥离传感器基板12时由弯曲产生的影响，通过降低柔性，能够提高放射线检测器10整体的耐冲击性。
因此，优选第1保护膜32的柔性高，本实施方式的放射线检测器10中，第1保护膜32的柔性比第2保护膜34的柔性高。
另外，作为使第1保护膜32的柔性高于第2保护膜34的柔性的方法，例如可举出由通常比第2保护膜34的材料柔性高的材料形成第1保护膜32的方法。作为此时的第1保护膜32的材料的具体例，可举出聚乙烯、软质氯乙烯以及铝，作为第2保护膜34的材料的具体例，可举出聚丙烯。并且例如，通常情况下物体(膜)的密度越低，柔性变得越高，因此也可以使第1保护膜32的密度比第2保护膜34的密度低。并且例如，通常情况下膜的厚度越薄，柔性变得越高，因此也可以使第1保护膜32的厚度比第2保护膜34的厚度薄。并且例如，通常情况下，在通过蒸镀而设置膜的情况和通过贴合而设置片状膜的情况中，通过蒸镀而设置的膜的柔性更高，因此也可以通过蒸镀而设置第1保护膜32并且通过贴合片状膜而设置第2保护膜34。
适用了本实施方式的放射线检测器10的放射线图像摄影装置1中，在透射放射线且具有防水性、抗菌性以及密闭性的壳体内设置有放射线检测器10。
图6中示出将本实施方式的放射线图像摄影装置1适用于表面读取方式(ISS：Irradiation Side Sampling)的情况下放射线检测器10被设置在壳体120内的状态的一例。
如图6所示，在壳体120内，在与层叠方向交叉的方向上并排设置有放射线检测器10、电源部108及控制基板110。放射线检测器10设置成，基材14的第2面14B与被照射透射了被摄体的放射线的壳体120的摄影面120A侧相对向。
控制基板110为形成有图像存储器106和控制部100等的基板，并且通过包含多个信号配线的柔性电缆112而与传感器基板12的像素16电连接。另外，本实施方式中设为在柔性电缆112上设置有驱动部102和信号处理部104的所谓的COF(覆晶薄膜(Chip On Film))，但也可以使将驱动部102和信号处理部104中的至少一者形成在控制基板110上。
并且，控制基板110与电源部108通过电源线114而连接。
本实施方式的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在透射了放射线检测器10的放射线所出射的一侧还设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片很难通过入射放射线而产生二次放射线，因此具有防止向后方即转换层30侧的散射的功能。另外，薄片116至少覆盖转换层30的放射线所出射的一侧的整个面，并且优选覆盖整个转换层30，进而更优选覆盖整个保护膜32。另外，薄片116的厚度根据放射线图像摄影装置1整体的挠性和重量等来选择即可，例如，当薄片116为铜制薄片时，如果厚度为0.1mm左右以上，则具有挠性，并且还具有屏蔽从外部侵入到放射线图像摄影装置1的内部的二次放射线的功能。并且例如薄片116为铜制薄片时，从挠性和重量的观点考虑，优选为0.3mm以下。
图6所示的放射线图像摄影装置1能够在使放射线检测器10向基材14的第2面14B的面外方向弯曲的状态下拍摄放射线图像。例如，能够根据被摄体的摄影部位等来将放射线检测器10维持在弯曲的状态而拍摄放射线图像。
图6所示的放射线图像摄影装置1中，在刚性相对高的壳体120的周边部设置电源部108和控制基板110，因此能够抑制外力对电源部108和控制基板110带来的影响。
另外，图6中示出将电源部108和控制基板110这两者设置在放射线检测器10的一侧、具体而言设置在矩形形状的放射线检测器10的一个边侧的方式，但设置电源部108和控制基板110的位置并不限定于图6所示的方式。例如，可以将电源部108和控制基板110分散设置在放射线检测器10的相对向的2个边的各边上，也可以分散设置在相邻的2个边的各边上。并且，图6中示出在本实施方式中将电源部108和控制基板110设为1个结构部(基板)的方式，但并不限定于图6所示的方式，也可以是将电源部108和控制基板110中的至少一者设为多个结构部(基板)的方式。例如，也可以将电源部108设为包含第1电源部和第2电源部(均省略图示)的方式，并且将第1电源部和第2电源部分别分散设置在放射线检测器10的相对向的2个边的各边上。
另外，当使放射线图像摄影装置1(放射线检测器10)整体弯曲而拍摄放射线图像时，由于弯曲而对图像产生的影响能够通过进行图像校正来抑制。
并且，图7中示出将本实施方式的放射线图像摄影装置1适用于ISS方式的情况下放射线检测器10被设置在壳体120内的状态的另一例。
如图7所示，在壳体120内，在与层叠方向交叉的方向上并排设置有电源部108及控制基板110，并且放射线检测器10、电源部108及控制基板110并排设置于层叠方向上。
并且，图7所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110及电源部108与薄片116之间设置有用于支撑放射线检测器10和控制基板110的基座118。基座118中例如使用碳等。
图7所示的放射线图像摄影装置1能够在使放射线检测器10向基材14的第2面14B的面外方向稍微弯曲的状态下、例如在使中央部弯曲1mm～5mm左右的状态下拍摄放射线图像，但由于控制基板110、电源部108及放射线检测器10设置在层叠方向上，并且设置有基座118，因此不会弯曲成图6所示的放射线图像摄影装置1的程度。
这样，本实施方式的放射线检测器10中，第1保护膜32覆盖整个转换层30，并且第1保护膜32虽然覆盖转换层30的表面、侧面以及像素16的侧面，但不覆盖基材14的第1面14A以及侧面14C。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，成为传感器基板12的剥离的起点的传感器基板12(基材14)的边未被第1保护膜32覆盖，因此能够容易进行传感器基板12从支撑体200的剥离。并且，能够抑制随着传感器基板12的剥离而第1保护膜32的端部从传感器基板12的剥离，因此能够抑制防湿性下降。
并且，本实施方式的放射线检测器10中，第2保护膜34覆盖整个基材14。因此，能够抑制水分从基材14的第2面14B侵入，因此能够抑制防湿性下降。
[第2实施方式]
本实施方式的放射线检测器10中，设置第2保护膜34的区域与第1实施方式的放射线检测器10不同，因此对本实施方式的放射线检测器10中的第2保护膜34进行说明。
图8中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图8所示，第2保护膜34包括覆盖转换层30的第1保护膜32在内而覆盖传感器基板12。具体而言，覆盖基材14的第2面14B、基材14的侧面14C、从基材14的端部到像素16(第1保护膜32)为止的第1面14A、以及在内部容纳转换层30和像素16的整个第1保护膜32。即，第2保护膜34覆盖第1面14A和第2面14B这两者。
作为这种第1保护膜32，例如可举出派瑞林膜等，该情况下，能够通过蒸镀而形成第1保护膜32。
这样，本实施方式的放射线检测器10中，通过第1保护膜32和第2保护膜34来双重密封转换层30。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，能够进一步提高对转换层30的防湿性能。尤其，CsI的耐水性较弱，当水分侵入放射线检测器10的内部时，可能会导致放射线图像的画质下降。因此，在转换层30中使用CsI时，如本实施方式的放射线检测器10那样优选进一步提高对转换层30的防湿性能。
并且，当第1保护膜32和第2保护膜34中的至少一者为派瑞林膜的时，与树脂制薄片相比，派瑞林膜的防湿性低，因此优选如本实施方式的放射线检测器10那样进行双重密封。
并且，本实施方式的放射线检测器10中，由第2保护膜34覆盖基材14的第1面14A上的像素16所形成的边界即边界部14D，因此能够抑制水分从边界部14D侵入基材14的内部。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，能够抑制防湿性能下降。
[第3实施方式]
本实施方式中，与上述各实施方式的放射线检测器10不同地，对还具备与第1保护膜32和第2保护膜34不同的保护膜的方式进行说明。
图9中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。如图9所示，本实施方式的放射线检测器10除了具备第1保护膜32和第2保护膜34以外，还具备第3保护膜36。如图9所示，第3保护膜36覆盖位于基材14与像素16的边界即边界部14D的、第1保护膜32的端部和第2保护膜34的端部。
本实施方式的放射线检测器10中，第3保护膜36覆盖第1保护膜32的端部和第2保护膜34的端部，由此能够抑制水分从第1保护膜32的端部、第2保护膜34的端部、以及第1保护膜32与第2保护膜34的边界部等侵入传感器基板12内。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，能够抑制防湿性能下降。
作为这种第3保护膜36，例如可举出派瑞林膜等，该情况下，能够通过蒸镀来形成第3保护膜36。另外，第3保护膜36设置在放射线检测器10的屈曲的部分(例如，图9中的边界部14D)，因此从提高密合性的观点考虑，通常优选柔软性高。
另外，设置第3保护膜36的区域并不限定于图9所示的区域，例如能够设为与设置有第1保护膜32和第2保护膜34的区域等对应的区域。例如，图10中示出对上述图5所示的放射线检测器10设置第3保护膜36的情况的一例。图10(图5)所示的放射线检测器10中，基材14的第1面14A的一部分和侧面14C并未被第1保护膜32和第2保护膜34中的任一个覆盖。这种情况下，如图10所示，优选用第3保护膜36覆盖如下区域，所述区域至少包含未被第1保护膜32和第2保护膜34中的任一个覆盖的区域。另外，在该情况下，如图10所示，当然也优选用第3保护膜36进一步覆盖还包含第1保护膜32的端部和第2保护膜34的端部的区域。这样，通过放射线检测器10整体被第1保护膜32、第2保护膜34以及第3保护膜36中的至少一个覆盖，从而能够进一步提高抑制水分从外部侵入的效果。因此，能够抑制防湿性能下降。
[第4实施方式]
上述各实施方式中，对关于基材14的第1面14A同样地未设置第1保护膜32的方式进行了说明。本实施方式中，关于在基材14的第1面14A上是否设置第1保护膜32或如何设置(如何设定覆盖区域的范围)第1保护膜32，以不同方式进行说明。
图11中示出从设置有第1保护膜32的一侧观察从本实施方式中的支撑体200剥离之前的状态的传感器基板12和支撑体200的一例的俯视图。并且，图12中示出从图11所示的支撑体200剥离之前的传感器基板12的A-A线剖视图。
图11所示的例子中，在传感器基板12(基材14)的外周的一部分边(三个边)上，第1保护膜32覆盖基材14的第1面14A。
并且，图11所示的例子中，在传感器基板12的相邻的2个边各自的外周部设置有连接有柔性电缆112的端子部50A和端子部50B。另外，本实施方式的柔性电缆112为本公开的第1电缆和第2电缆的一例。
如上所述，传感器基板12上连接有控制基板110、驱动部102以及用于与信号处理部104连接的柔性电缆112。因此，如图11所示，在传感器基板12的外周设置有端子部作为柔性电缆112所连接的连接部的一例。
如图11所示，当传感器基板12具备端子部50A和端子部50B时，优选端子部50A和端子部50B不被第1保护膜32覆盖。该情况下，以将设置端子部50A和端子部50B的基材14的第1面14A的区域掩蔽的状态形成第1保护膜32即可。另外，与设置有端子部50A或端子部50B的外周部对应的基材14的边的侧面也可以被第1保护膜32覆盖。例如，在使柔性电缆112与端子部50A或端子部50B热压接之后，以与设置有端子部50A或端子部50B的外周部对应的基材14的边为起点，将传感器基板12从支撑体200剥离的情况下，由于柔性电缆112而变得难以剥离。并且这样进行剥离时，由于剥离带电，有时会对搭载于柔性电缆112的驱动部102或信号处理部104等产生不利影响。从这种理由考虑，与设置有端子部50A或端子部50B的外周部对应的基材14的边不会成为剥离的起点，因此即使其侧面被第1保护膜32覆盖，也不会导致传感器基板12的剥离变得困难。
另外，当在基材14的第1面14A的外周部设置端子部50A和端子部50B时，优选成为用于从支撑体200剥离的起点的基材14的边不是与设置有端子部50A或端子部50B的外周部对应的边。并且，为了使传感器基板12的剥离变得容易，优选在成为剥离的起点的基材14的边上第1保护膜32不覆盖第1面14A。在图11和图12所示的情况下，关于与在外周部设置有端子部50A的基材14的边相对向的边，在第1面14A上未设置有第1保护膜32。
该情况下，在从支撑体200剥离传感器基板12之后，使柔性电缆112与端子部50A和端子部50B连接。作为柔性电缆112的连接方法，例如可举出热压接。
在将柔性电缆112连接于传感器基板12之后，包含覆盖柔性电缆112的区域在内而形成第2保护膜34。图13中示出形成了与第1实施方式的放射线检测器10相同的第2保护膜34的放射线检测器10的一例。如图13所示，与传感器基板12连接的部分的柔性电缆112不被第1保护膜32覆盖，而被第2保护膜34覆盖。
如上述说明，上述各实施方式的放射线检测器10具备：传感器基板12，包含挠性基材14、及设置在基材14的第1面14A形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素16的层；转换层30，设置在形成有像素16的层的与基材14相反的一侧，并且将放射线转换为光；第1保护膜32，包含端部在内设置在基材14的第1面14A侧，并且至少覆盖整个转换层30；以及第2保护膜34，至少覆盖与第1面14A相反的一侧的第2面14B。
这样，上述各实施方式的放射线检测器10中，成为在制造工序中从支撑体200剥离传感器基板12的起点的传感器基板12(基材14)的边未被第1保护膜32覆盖，因此能够容易进行传感器基板12的剥离。并且，能够抑制随着传感器基板12的剥离而第1保护膜32的端部从传感器基板12的剥离，因此能够抑制防湿性下降。
并且，上述各实施方式的放射线检测器10中，第2保护膜34覆盖整个基材14的第2面14B。因此，能够抑制水分从基材14的第2面14B侵入，因此能够抑制防湿性下降。
因此，根据上述各实施方式的放射线检测器10，在使用支撑体200制造且具备具有挠性基材14的传感器基板12的放射线检测器10的制造工序中，能够从支撑体200轻松剥离传感器基板12，并且能够抑制挠性基材14的防湿性下降。
并且，上述各实施方式的放射线检测器10中，第2保护膜34设置在基材14的第2面14B上，因此能够调整当由于在层叠方向上承受载重而放射线检测器10弯曲时产生的应力中性面(应力成为0的面)的层叠方向的位置。通过对传感器基板12与转换层30的界面(例如，转换层30的与传感器基板12相对的面)施加应力，从而转换层30不易从传感器基板12剥离。应力中性面的层叠方向的位置越靠近上述界面，施加于上述界面的应力变得越小。上述各实施方式的放射线检测器10中，通过设置第2保护膜34，能够使应力中性面的位置比不设置第2保护膜34的情况更靠近上述界面。
因此，根据上述各实施方式的放射线检测器10，即使在放射线检测器10弯曲的情况下，也能够使转换层30难以从传感器基板12剥离。
另外，设置有第1保护膜32的区域并不限定于上述各实施方式。例如，也可以如图14所示的放射线检测器10那样，用第1保护膜32覆盖基材14的未设置像素16的第1面14A的所有区域。在图14所示的情况下，第1保护膜32的侧面32C与基材14的侧面14C在同一平面上。另外，“在同一平面上”是指第1保护膜32的端部与基材14的端部对齐的状态，是指第1保护膜32的侧面32C与基材14的侧面14C包含微小差异而可以视作在同一面上的状态。即使是该情况下的放射线检测器10，在制造工序中第1保护膜32也不会覆盖到形成有传感器基板12的支撑体200上，因此能够从支撑体200轻松剥离传感器基板12。
并且，例如，如图15所示的放射线检测器10那样，第1保护膜32的端部在基材14与像素16的边界即边界部14D被折弯，由此可以用第1保护膜32覆盖边界部14D附近的第1面14A的区域。
另外，在图14所示的放射线检测器10和图15所示的放射线检测器10中，当然也可以如上述第3实施方式的放射线检测器10那样，用第3保护膜36覆盖基材14的侧面等、未被第1保护膜32和第2保护膜34中的任一者覆盖的基材14的区域。
并且，上述各实施方式中，对通过层压法制造放射线检测器10的方式进行了说明，但并不限定于该方式，即使是通过涂布法制造放射线检测器10的方式，通过第1保护膜32不覆盖剥离的起点，并且第2保护膜34覆盖基材14的第2面14B，当然也可以得到能够从支撑体200轻松剥离传感器基板12，并且能够抑制防湿性下降这样的效果。
并且，上述各实施方式中，对将放射线检测器10(放射线图像摄影装置1)适用于ISS方式的情况进行了说明，但也可以将放射线检测器10(放射线图像摄影装置1)适用于在转换层30的与放射线所入射的一侧相反的一侧配置传感器基板12的所谓“背面读取方式(PSS：Penetration Side Sampling)”中。
并且，如图1所示，上述各实施方式中，对像素16二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限定于此，例如可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。并且，像素的形状也并没有限定，可以是矩形，也可以是六边形等多边形。进而，有源区域15的形状当然也并没有限定。
此外，上述各实施方式中说明的放射线图像摄影装置1以及放射线检测器10等的结构和制造方法等为一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，当然能够根据状况而进行变更。
于2017年3月22日申请的日本专利申请2017-056561号的公开以及2018年2月16日申请的日本专利申请2018-025804号的公开，其全部内容通过参照收入本说明书中。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请以及技术标准，以与具体且个别记载了通过参照收入个别文献、专利申请以及技术标准的情况相同程度地，通过参照收入本说明书中。
符号说明
1-放射线图像摄影装置，10-放射线检测器，12-传感器基板，14-基材，14A-第1面，14B-第2面，14C-侧面，14D-边界部，15-有源区域，16-像素，20-TFT(开关元件)，22-传感器部，24-信号配线，26-扫描配线，28-共用配线，30-转换层，32-第1保护膜，32C-侧面，34-第2保护膜，36-第3保护膜，50A、50B-端子部，100-控制部，100A-CPU，100B-存储器，I00C-存储部，102-驱动部，104-信号处理部，106-图像存储器，108-电源部，110-控制基板，112-柔性电缆，114-电源线，116-薄片，118-基座，120-壳体，120A-摄影面，200-支撑体，202-剥离层。

Claims (15)

1.一种放射线检测器，其中，
所述放射线检测器具备：
传感器基板，包含挠性基材、及设置在所述基材的第1面且形成有对根据从放射线转换的光而产生的电荷进行积蓄的多个像素的层；
转换层，设置在形成有所述像素的层的与所述基材相反的一侧，并且将放射线转换为所述光；
第1保护膜，包含端部在内设置在所述基材的所述第1面侧，并且至少覆盖整个所述转换层；以及
第2保护膜，至少覆盖与所述第1面相反的一侧的第2面，
所述第1保护膜的柔性比所述第2保护膜的柔性高。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第2保护膜还覆盖所述第1保护膜的至少端部。
3.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第2保护膜覆盖所述第1面和所述第2面这两者。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备第3保护膜，所述第3保护膜至少覆盖被所述第1保护膜覆盖的区域以外且被所述第2保护膜覆盖的区域以外的区域。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备第3保护膜，所述第3保护膜至少覆盖所述第1保护膜的端部和所述第2保护膜的端部。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述第1保护膜的侧面与所述基材的侧面在同一平面上。
7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1保护膜的材料与所述第2保护膜的材料不同。
8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1保护膜的密度比所述第2保护膜的密度低。
9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1保护膜的厚度比所述第2保护膜的厚度薄。
10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备第1电缆和第2电缆中的至少一个电缆，所述第1电缆与连接于所述传感器基板且用于从所述多个像素读取电荷的驱动部连接，所述第2电缆与信号处理部连接，所述信号处理部中被输入与从所述多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的所述电信号对应的图像数据，
所述至少一个电缆被所述第2保护膜覆盖。
11.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
第1电缆和第2电缆中的至少一个电缆所连接的连接部设置在所述基材的外周部，所述第1电缆与用于从所述多个像素读取电荷的驱动部连接，所述第2电缆与信号处理部连接，所述信号处理部中被输入与从所述多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的所述电信号对应的图像数据，
所述第1保护膜覆盖所述连接部周围的所述第1面。
12.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述转换层包含CsI。
13.一种放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置具备：
权利要求1所述的放射线检测器；
控制部，输出用于读取积蓄在所述多个像素中的电荷的控制信号；
驱动部，根据所述控制信号，输出用于从所述多个像素读取电荷的驱动信号；以及
信号处理部，被输入与从所述多个像素读取的电荷对应的电信号，并且生成并输出与所输入的所述电信号对应的图像数据。
14.根据权利要求13所述的放射线图像摄影装置，其中，
在与所述放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有所述控制部及所述放射线检测器。
15.根据权利要求13所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置还具备电源部，所述电源部向所述控制部、所述驱动部及所述信号处理部中的至少一处供电，
在与所述放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层及转换层排列的层叠方向交叉的方向上，并排设置有所述电源部、所述控制部及所述放射线检测器。
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