JPWO2018173893A1 - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents

放射線検出器及び放射線画像撮影装置 Download PDF

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Abstract

放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、少なくとも変換層を覆う保護膜と、基材の第１の面とは反対側の第２の面に設けられた補強部材と、基材の第２の面との間に支持部材を挟んで支持部材を支持する支持部材と、を備える、可撓性の基材を用いたセンサ基板が不連続に撓むことを抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。

Description

本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。
このセンサ基板に可撓性の基材を用いることが望まれている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化したり、被写体の撮影を行い易くしたりすることができる。
センサ基板に可撓性の基材を用いる場合、基材すなわち、センサ基板に撓みが生じる。センサ基板に撓みが生じることにより、例えば変換層の耐久性や防湿性が低下する場合があった。
そこで、センサ基板の剛性を高める技術として、例えば、特開２０１６−１８０７０７号公報には、放射線検出器を収納する筐体の天板とセンサ基板との間に緩衝部を設けることにより、センサ基板の剛性を高めるとともに、天板とセンサ基板とを相互に補強し合うことを可能にする技術が記載されている。
一般に、樹脂製の基材では、ガラス製の基材に比べて剛性が低いため、撓みやすく、特に基材全体が一体的に撓むのではなく、部分的または局所的に撓む等、不連続な撓みが生じる場合がある。例えば、特開２０１６−１８０７０７号公報に記載の技術では、緩衝部を設けた領域と設けていない領域との境界において、部分的または局所的に撓みが発生する懸念がある。
全体が一体的に撓んだ場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。しかしながら、基材に不連続な撓みが生じた状態で撮影を行った場合、不連続な撓みが放射線画像の画質に与える影響を画像補正により抑制することが困難となる場合が多く、例えば放射線画像にアーチファクト等が生じてしまい、画質が低下する懸念がある。
本開示は、可撓性の基材を用いたセンサ基板が不連続に撓むことを抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。
本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、少なくとも変換層を覆う保護膜と、可撓性の基材を補強する補強部材と、補強部材とともに、センサ基板を支持する支持部材と、を備える。
また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、補強部材は、基材の第１の面とは反対側の第２の面に設けられており、支持部材は、基材の第２の面との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する。
また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第２の形態の放射線検出器において、基材の第１の面における複数の画素が設けられた領域である画素領域の外側の領域に対応する第２の面の領域との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する。
また、本開示の第４の態様の放射線検出器は、第２の態様の放射線検出器において、複数の画素は、複数の第１画素と複数の第１画素の外周部に設けられ、かつ放射線画像の形成における用途が複数の第１画素と異なる複数の第２画素とを含み、支持部材は、第１画素が設けられた領域の外側に対応する基材の第２の面の領域との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する。
また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第２の態様の放射線検出器において、支持部材は、基材の第２の面の端部に対応する第１領域との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する第１支持部材と、基材の第２の面の第１領域外の領域との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する第２支持部材と、を含む。
また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第５の態様の放射線検出器において、第１支持部材と第２支持部材とは、熱的に接続されている。
また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第５の態様または第６の態様の放射線検出器において、センサ基板は、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方が、接続される接続部を備えた外周部を有し、第１支持部材と第２支持部材とは、接続部を有する外周部の領域外で、熱的に接続されている。
また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第２の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、保護膜は、さらに、基材の第２の面の外周部における所定の領域を覆い、支持部材は所定の領域における基材の第２の面との間に補強部材を挟んで補強部材を支持する。
また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第８の態様の放射線検出器において、保護膜は、少なくとも変換層を覆う第１保護膜と、所定の領域及び第１保護膜全体を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える。
また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第８の態様の放射線検出器において、放射線検出器の保護膜は、少なくとも変換層を覆う第１保護膜と、所定の領域及び第１保護膜の端部を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える。
また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第２の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層のセンサ基板に設けられた側の面と反対側の面の側に設けられた補強層をさらに備える。
また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、変換層は、画像の形成に寄与する複数の画素が設けられた画素領域を含み、かつ画素領域よりも広い範囲を覆う状態に設けられ、支持部材は、基材の第１の面とは反対側の第２の面における、画素領域に対応する領域外であり、かつ変換層の端部に対応する領域を跨った領域に設けられている。
また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、補強部材は、基材の第２の面の、支持部材が設けられた領域外に設けられている。
また、本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、補強部材は、支持部材が設けられた状態の基材の第２の面を覆う。
また、本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、補強部材は、変換層における、センサ基板が設けられた側と反対側に保護膜を挟んで設けられており、センサ基板及び変換層を挟んで、支持部材の少なくとも一部の領域と補強部材の一部の領域とが対向している。
また、本開示の第１６の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、補強部材は、変換層における、センサ基板が設けられた側と反対側に保護膜を挟んで設けられた第１補強部材と、基材の第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２補強部材とを含み、第２補強部材、センサ基板、及び変換層を挟んで、支持部材の少なくとも一部の領域と第１補強部材の一部の領域とが対向している。
また、本開示の第１７の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、補強部材は、変換層、保護膜、及び支持部材が設けられた状態のセンサ基板全体を覆う。
また、本開示の第１８の態様の放射線検出器は、第１２の態様から第１７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、支持部材の厚みは、支持部材の厚みよりも厚い。
また、本開示の第１９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１８の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材の第１の面とは反対側の第２の面に放射線が照射される撮影に用いられる。
また、本開示の第２０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩを含んでいる。
また、本開示の第２１の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第２０の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、を備える。
また、本開示の第２２の態様の放射線画像撮影装置は、第２１の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
また、本開示の第２３の態様の放射線画像撮影装置は、第２１の態様の放射線画像撮影装置において、制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
本開示によれば、可撓性の基材を用いたセンサ基板が不連続に撓むことを抑制することができる。
第１実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 第１実施形態の放射線検出器の一例を、第２の面の側からみた平面図である。 図２に示した放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。 第１実施形態の放射線検出器の他の例のＡ−Ａ線断面図である。 表面読取方式に第１実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の一例を示す断面図である。 表面読取方式に第１実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の他の例を示す断面図である。 第２実施形態の放射線検出器の一例を、第２の面の側からみた平面図である。 図７に示した放射線検出器のＡ−Ａ線断面図である。 表面読取方式に第２実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の一例を示す断面図である。 第３実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第４実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 第５実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第６実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 支持部材の他の例を説明するために、放射線検出器を第２の面の側からみた平面図である。 支持部材の他の例を説明するために、放射線検出器を第２の面の側からみた平面図である。 支持部材の他の例を説明するために、放射線検出器を第２の面の側からみた平面図である。 支持部材が設けられた位置の他の例を説明するために、放射線画像撮影装置を放射線検出器の第２の面の側からみた平面図である。 アクティブエリアの他の例を説明するための、放射線検出器の他の例の断面図である。 第１〜第６実施形態の放射線検出器において、さらに補強層を備えた場合の一例の断面図である。 第７実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 放射線画像撮影装置内に、図２０に示した放射線検出器を設けた状態の一例を説明するための断面図である。 第７実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 第８実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第８実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 第８実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 放射線検出器を複数（２つ）備えた放射線画像撮影装置における複数の放射線検出器の一例の断面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照）と、放射線を光に変換する変換層３０（図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
画素１６は、センサ基板１２のアクティブエリア１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図示省略）を介して、駆動部１０２に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図示省略）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図示省略）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。
本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を有するセンサ基板１２と、変換層３０と、保護膜３２と、支持部材３４と、補強部材３６と、を備えており、補強部材３６、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。なお、以下では、補強部材３６、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向という。
基材１４は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。なお、基材１４は、所望の可撓性を有しておればよく、樹脂シートに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス製の薄板等であってもよい。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１４が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ〜１２５μｍのものであればよい。また例えば、基材１４がガラス製の薄板の場合、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．１ｍｍ以下ならば可撓性を有しており、樹脂製の基材１４と同様に撓む傾向があるため、厚さが０．１ｍｍ以下のものであればよい。
図２及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。すなわち、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５としている。また、基材１４のアクティブエリア１５の反対側の第２の面１４Ｂの領域を、「第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域」という。本実施形態のアクティブエリア１５が、本開示の画素領域の一例である。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が設けられている。
また、図３に示すように、変換層３０は、アクティブエリア１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ〜７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０を形成している。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層を形成した場合、センサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられていてもよいし、粘着層等を介して設けてもよい。この場合の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、補強部材３６が、基材１４の第２の面１４Ｂに設けられている。本実施形態では、一例として、基材１４の第２の面１４Ｂ全体に補強部材３６が設けられている。
補強部材３６は、基材１４の強度（剛性）を補強する。また、本実施形態の補強部材３６は、防湿性を有しており、基材１４の第２の面１４Ｂからの湿気（水分）の侵入を抑制する。
さらに、本実施形態の補強部材３６は、帯電防止性を有している。本実施形態の基材１４は可撓性を有しており、一般的な可撓性を有していない放射線検出器よりも基材１４の厚みが薄いため、摩擦等により基材１４が帯電し易くなる。補強部材３６が帯電防止性を有することで、基材１４の帯電を抑制することができる。
このような補強部材３６としては、例えばポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートが挙げられる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、保護膜３２が、変換層３０を覆っている。具体的には、保護膜３２は、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面を覆っている。なお、図３に示した保護膜３２は、画素１６の側面も覆っているが、画素１６の側面の一部または全体を覆わない形態としてもよい。また、図３に示した保護膜３２は、保護膜３２の端部（側面）が基材１４の第１の面１４Ａと接触している形態を示しているが、保護膜３２の端部と基材１４の第１の面１４Ａとは非接触であってもよい。また、例えば、図４に示すように、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が形成された境界である角部１４Ｃで第１保護膜３２Ａの端部が折れ曲がり、角部１４Ｃの近傍の、第１の面１４Ａの表面を第１保護膜３２Ａが覆っていてもよい。
保護膜３２としては、例えば、パリレン（登録商標）膜や、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が用いられる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、支持部材３４が基材１４の第２の面１４Ｂの領域１７との間に補強部材３６を挟んで補強部材３６を支持する。すなわち、支持部材３４は、領域１７において基材１４を保護膜３２及び補強部材３６を介して、いわゆる裏打ちしている。支持部材３４は、例えば、両面テープやのり等の接着剤により、補強部材３６に固定されている。なお、領域１７は、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域以外の外周部の領域であり、本実施形態の領域１７が、本開示の第１領域の一例及び所定の領域の一例に対応している。
本実施形態の支持部材３４は、少なくとも第２の面１４Ｂの面内方向における剛性が基材１４よりも高い。支持部材３４としては、所望の剛性が得られる大きさを有するＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）等のプラスチックやアルミ板等が挙げられる。なお、本実施形態の支持部材３４は、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域の外側に設けられているため、支持部材３４における放射線の透過率及び吸収率は放射線画像の撮影において大きな影響を与えない。なお、支持部材３４の厚みＬ１は、厚くなるほど、被写体から画素１６までの距離（図５、距離Ｌ２参照）が長くなるため、撮影された放射線画像にボケが生じるようになる。そのため、支持部材３４の厚みＬ１は、所望の剛性と、所望の画質とに応じて定めることが好ましい。
本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に設けられている。
図５には、表面読取方式(ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling)に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
図５に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向するように設けられている。
制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方は制御基板１１０に形成されていてもよい。
また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うこと好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
図５に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
なお、図５では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図５に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図５では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図５に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
また、図６には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
図６に示すように、筐体１２０内には、積層方向と交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向に並んで設けられている。
また、図６に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
一般に、基材１４が樹脂製のシートや比較的薄いガラスの薄板の場合、ガラス製の基材（比較的厚いガラス板）に比べて剛性が低いため撓みやすい。特に、樹脂製のシートは、ガラス板に比べて不連続な撓みが生じやすい。
特に、基材１４が樹脂製のシートや比較的薄いガラスの薄板の場合、基材１４全体が一体的に撓むのではなく、部分的または局所的に撓んだり歪んだり、基材１４の面内（第１の面１４Ａ及び第２の面１４Ｂ）の位置毎に撓み方が異なったりする場合がある。このような場合に生じる撓みや歪みについて、全体が一体的に撓むのに対して本実施形態では、「不連続な撓み」と称する。
基材１４全体が一体的に撓んだ状態で放射線画像の撮影を行った場合、画像補正を行うことにより、基材１４の撓みが放射線画像の画質に与える影響を抑制し、放射線画像の画質の低下を抑制することができる。しかしながら、基材１４に不連続な撓みが生じた状態で撮影を行った場合、放射線画像の画質に不連続な撓みが与える影響を画像補正により抑制することが困難となる場合が多く、例えば放射線画像にアーチファクト等が生じてしまい、画質が低下する懸念がある。
これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が、基材１４の外周の領域である領域１７において、第２の面１４Ｂとの間で補強部材３６を挟み込んで、補強部材３６を支持している。そのため、基材１４の端部に生じる歪みを支持部材３４及び補強部材３６により抑制することができる。また、本実施形態の放射線検出器１０では、補強部材３６がセンサ基板１２の基材１４の第２の面１４Ｂ側の全体に亘って設けられており、基材１４の剛性を補強している。そのため、基材１４、すなわちセンサ基板１２に不連続な撓みが生じるのを抑制することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が、第２の面１４Ｂ側から補強部材３６を介して基材１４を支持している。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４における支持部材３４が設けられた領域と支持部材３４が設けられていない領域との境界部分を補強部材３６が補強することにより、境界部分に生じる不連続な撓みを抑制することができる。
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態では、放射線検出器１０の構成の一部が第１実施形態と異なるため、異なる構成について図面を参照して説明する。
図７は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１４の第２の面１４Ｂ側からみた平面図である。また、図８は、図７における放射線検出器１０のＡ−Ａ線断面図である。また、図９には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
本実施形態の放射線検出器１０は、図７及び図８に示すように、第１実施形態の支持部材３４の替わりに、第１支持部材３４Ａ及び第２支持部材３４Ｂを備えている。
第１支持部材３４Ａは、第１実施形態の支持部材３４に対応しており、同様の構成及び機能を有する。
一方第２支持部材３４Ｂは、補強部材３６の第１支持部材３４Ａで囲まれた、第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域に設けられている。本実施形態の第２支持部材３４Ｂは、第１支持部材３４Ａよりも、熱容量が小さい、熱拡散部材を用いている。また、第２支持部材３４Ｂは、第１支持部材３４Ａよりも剛性が高い。また、本実施形態の第２支持部材３４Ｂは、第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域に設けられているため、放射線を透過する部材を用いており、少なくとも第１支持部材３４Ａよりも放射線の吸収率が低く透過率が高い部材を用いている。このような特性を有する第２支持部材３４Ｂとしては、例えば、グラファイトのシートが挙げられる。
このように第２支持部材３４Ｂは、アクティブエリア１５内における補強部材３６を支持しているため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制する効果を更に高めることができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０は、図７及び図８に示すように、第１支持部材３４Ａと第２支持部材３４Ｂとが伝熱部材３９に接続されていることにより、第１支持部材３４Ａ及び第２支持部材３４Ｂが熱的に接続されている。なお、「熱的に接続」とは、第１支持部材３４Ａ及び第２支持部材３４Ｂの一方から他方に熱が伝導する状態であればよく、本実施形態と異なり、第１支持部材３４Ａと第２支持部材３４Ｂとが何らかの部材等により接続されておらず、熱が伝導するのに十分な間隔だけ離れて第１支持部材３４Ａと第２支持部材３４Ｂとが設けられている状態も含む。
ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１では、放射線検出器１０に対してセンサ基板１２側から放射線が照射される。図９に示した例では、放射線画像の撮影において、筐体１２０の撮影面１２０Ａと放射線照射装置（図示省略）との間に、被写体が配置され、撮影面１２０Ａに被写体を透過した放射線Ｘが照射される。
このように放射線画像の撮影を行う場合、撮影面１２０Ａ付近に被写体が位置したり、撮影面１２０Ａと被写体が接触したりする。そのため被写体の体温等の熱が被写体から、筐体１２０を介して放射線検出器１０に伝わる場合がある。このように被写体から伝わった熱は、アクティブエリア１５内に一様に伝わるのではなく、部分的に伝わる場合が多い。そのため、センサ基板１２のアクティブエリア１５内に熱分布が生じることがある。このようにアクティブエリア１５内に生じた熱分布は、撮影された放射線画像に画像ムラが生じる原因になる。
これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、第２支持部材３４Ｂにより、筐体１２０を介して伝わった熱をアクティブエリア１５内において分散することができる。また、伝熱部材３９により第２支持部材３４Ｂから第１支持部材３４Ａへ伝熱することができるため、アクティブエリア１５内の熱分布のむらを低下させることができる。
さらに、本実施形態の放射線検出器１０では、図９に示すように、第１支持部材３４Ａと、筐体１２０の側面（撮影面１２０Ａと交差する面）とが伝熱部材１２２により接続されている。このように第１支持部材３４Ａと筐体１２０の側面とを伝熱部材１２２によって接続することにより、本実施形態の放射線画像撮影装置１によれば、伝熱部材１２２を介して筐体１２０に熱を逃すことができる。
[第３実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では保護膜３２が覆う領域が、第１実施形態の保護膜３２が覆う領域と異なるため、本実施形態の放射線検出器１０における保護膜３２について説明する。
図１０には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１０に示すように、本実施形態の保護膜３２は、変換層３０を覆いさらに、領域１７までの領域を覆っている。具体的には、保護膜３２は、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面、さらに第１の面１４Ａの外周部から基材１４の側面を回り込み補強部材３６の領域１７に亘る領域全体を覆っている。
このような保護膜３２としては、例えば、パリレン膜や絶縁性のシート等が挙げられる。パリレン膜の場合、蒸着により保護膜３２を形成することができ、絶縁性のシートの場合、接着剤等により貼り合わせることで保護膜３２を設けることができる。
図１０に示した本実施形態の放射線検出器１０では、保護膜３２が、変換層３０及び画素１６を覆い、さらに補強部材３６の外周部における領域１７までを覆っているため、基材１４が撓んだ場合でも、変換層３０が剥がれにくくなる。また、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が基材１４の外周の領域である領域１７を補強部材３６を挟み、保護膜３２との間で支持しているため、センサ基板１２における可撓性の基材１４が撓んでも、支持部材３４により領域１７における撓みが抑制される。従って、保護膜３２がセンサ基板１２及び変換層３０から剥がれにくくなるため、変換層３０の剥離を抑制する効果をより高めることができる。
一般に、変換層３０が剥離したり、湿気等により劣化したりした場合、生成される放射線の画質の低下を招く。これに対して本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の剥離を抑制し、防湿の低下を抑制するため、生成される放射線画像の画質の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、第１支持部材３４Ａ、第２支持部材３４Ｂ、補強部材３６、及び伝熱部材３９を備えているため、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制する効果を更に高めることができ、また、アクティブエリア１５内の熱分布のむらを低下させることができる。
[第４実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図１１には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１１に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図１１に示すように第１保護膜３２Ａは、第１実施形態の放射線検出器１０の第１保護膜３２Ａと同様に設けられており、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面を覆っている。
一方、図１１に示すように第２保護膜３２Ｂは、領域１７及び第１保護膜３２Ａ全体を含む領域を覆う。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、第１保護膜３２Ａに覆われた変換層３０及び画素１６を覆っており、第３実施形態の保護膜３２と同様の領域を覆っている。
このような第１保護膜３２Ａとしては、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第１保護膜３２Ａを形成することができる。また、第２保護膜３２Ｂとしては、例えば、絶縁性のシート等が挙げられ、この場合、接着剤等により貼り合わせることで第２保護膜３２Ｂを設けることができる。
図１１に示した本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０の表面及び側面を第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂで覆うことにより、二重の封止を行っているため、変換層３０に対する防湿性能をより高めることができる。特に、ＣｓＩは、水分に弱く、放射線検出器１０の内部に水分が侵入した場合、放射線画像の画質が低下する懸念がある。そのため、変換層３０にＣｓＩを用いた場合、本実施形態の放射線検出器１０のように、変換層３０に対する防湿性能をより高めることが好ましい。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、第１支持部材３４Ａ、第２支持部材３４Ｂ、補強部材３６、及び伝熱部材３９を備えているため、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制する効果を更に高めることができ、また、アクティブエリア１５内の熱分布のむらを低下させることができる。
[第５実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図１２には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１２に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図１２に示すように本実施形態の第１保護膜３２Ａは、少なくとも変換層３０を覆う。具体的には、本実施形態の第１保護膜３２Ａは、第１実施形態の放射線検出器１０の第１保護膜３２Ａと同様に設けられており、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、変換層３０の側面、及び画素１６の側面を覆っている。
一方、図１２に示すように第２保護膜３２Ｂは、領域１７及び第１保護膜３２Ａの端部を含む領域を覆う。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、補強部材３６の領域１７、基材１４の側面、基材１４の第１の面１４Ａの領域１７、及び第１保護膜３２Ａの端部の領域を覆っている。なお、第２保護膜３２Ｂが覆う第１保護膜３２Ａの端部の領域は、第１保護膜３２Ａの外周から所定の範囲内の領域である。なお、所定の範囲は、変換層３０の側面または画素１６の側面における第１保護膜３２Ａの端部の位置、及び変換層３０を支えるために必要な第２保護膜３２Ｂと第１保護膜３２Ａとの接触面積等に基づき、実験的に得られた範囲とすればよい。
このような第１保護膜３２Ａとしては、例えば、パリレン膜または絶縁性のシート等が挙げられ、パリレン膜の場合、蒸着により第１保護膜３２Ａを形成することができ、絶縁性のシートの場合、接着剤等により貼り合わせることで第１保護膜３２Ａを設けることができる。
また、第２保護膜３２Ｂとしては、例えば、絶縁性のシート等が挙げられ、この場合、接着剤等により貼り合わせることで第２保護膜３２Ｂを設けることができる。このように本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２Ａと第２保護膜３２Ｂとを接着剤等により貼り合わせることにより、第１保護膜３２Ａと第２保護膜３２Ｂとを一体化させている。
図１２に示した本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２Ａが、変換層３０の表面及び側面、画素１６の側面を覆っており、第２保護膜３２Ｂが、基材１４の外周部における領域１７に対応する第１の面１４Ａ及び補強部材３６、基材１４の側面、及び第１保護膜３２Ａの端部の領域を覆っている。従って、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、変換層３０の剥離を抑制し、防湿性の低下を抑制する効果を高めることができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、第１支持部材３４Ａ、第２支持部材３４Ｂ、補強部材３６、及び伝熱部材３９を備えているため、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制する効果を更に高めることができ、また、アクティブエリア１５内の熱分布のむらを低下させることができる。
[第６実施形態]
本実施形態の放射線検出器１０では、第１実施形態の保護膜３２に対応する構成が異なるため異なる構成について説明する。
図１３には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１３示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１実施形態の放射線検出器１０の保護膜３２に替わり、第１保護膜３２Ａ及び第２保護膜３２Ｂの２つの保護膜を備えている。
図１３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０における第１保護膜３２Ａは、第３実施形態の保護膜３２と同様である。
一方、図１３に示すように、本実施形態の第２保護膜３２Ｂは、基材１４の第１の面１４Ａと画素１６との境界である角部１４Ｃの近傍の領域を第１保護膜３２Ａを介して覆っている。具体的には、第２保護膜３２Ｂは、基材１４の領域１７に対応する領域から、画素１６の側面及び変換層３０の側面の一部までを、第１保護膜３２Ａを介して覆っている。
本実施形態の放射線検出器１０によれば、第３実施形態の保護膜３２と同様に第１保護膜３２Ａが設けられているため、第３実施形態の放射線検出器１０と同様に、変換層３０の剥離を抑制し、防湿性の低下を抑制する効果を高めることができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、第１支持部材３４Ａ、第２支持部材３４Ｂ、補強部材３６、及び伝熱部材３９を備えているため、第２実施形態の放射線検出器１０と同様に、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制する効果を更に高めることができ、また、アクティブエリア１５内の熱分布のむらを低下させることができる。
以上説明したように、上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、画素１６が形成された層における基材１４と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、少なくとも変換層３０を覆う保護膜３２と、基材１４の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂに設けられた補強部材３６と、基材１４の第２の面１４Ｂとの間に補強部材３６を挟んで補強部材３６を支持する支持部材３４と、を備える。
上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４、３４Ａ（以下、区別しない場合は「支持部材３４」と総称する）が、基材１４の外周の領域である領域１７において、第２の面１４Ｂとの間で補強部材３６を挟み込んで、補強部材３６を支持している。そのため、基材１４の端部に生じる歪みを支持部材３４及び補強部材３６により抑制することができる。また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、補強部材３６がセンサ基板１２の基材１４の第２の面１４Ｂ側の全体に亘って設けられており、基材１４の剛性を補強している。そのため、基材１４、すなわちセンサ基板１２に不連続な撓みが生じるのを抑制することができる。
また、上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が、第２の面１４Ｂ側から補強部材３６を介して基材１４を支持している。そのため、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４における支持部材３４が設けられた領域と支持部材３４が設けられていない領域との境界部分を補強部材３６が補強することにより、境界部分に生じる不連続な撓みを抑制することができる。
従って、上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０によれば、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２が不連続に撓むことを抑制することができる。
なお、上記第１〜第６実施形態では、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域外の領域である領域１７全体に、支持部材３４を設ける形態について説明したが、支持部材３４を設ける位置や数等は上記各実施形態に限定されない。上述したように、支持部材３４により、基材１４の第２の面１４Ｂとの間に補強部材３６を挟んで補強部材３６を支持することができる形態であれば、具体的な、支持部材３４の数、複数設ける場合の個々の支持部材３４の大きさや配置は、限定されないことはいうまでもない。
例えば、図１４に示すように、センサ基板１２の四隅の各々に、支持部材３４を設けてもよい。また例えば、図１５に示すように、センサ基板１２の四辺の各々の中央に、支持部材３４を設けてもよい。また例えば、図１６に示すように、複数の支持部材３４（図１６では１６個）を基材１４の第２の面１４Ｂの外周１４Ｏから所定の距離内側の周縁１４Ｓ上に、周縁１４Ｓに沿って設けてもよい。なお、図１６に示した放射線検出器１０では、支持部材３４を設ける周縁１４Ｓをアクティブエリア１５と領域１７との境界としているが、特に限定されない。なお、周縁１４Ｓに沿った複数の支持部材３４の長さの合計が、周縁１４Ｓの長さに対して二分の一以上でかつ、周縁１４Ｓの長さ未満とすることにより、支持部材３４により領域１７における撓みを抑制する効果をより高められる。また例えば、上記各実施形態では、矩形状のセンサ基板１２の全ての辺に支持部材３４を設けた形態について説明したが、センサ基板１２の一部の辺のみに支持部材３４を設けてもよい。
また、上記第２〜第６実施形態では、矩形状のセンサ基板１２の全ての辺に第１支持部材３４Ａと第２支持部材３４Ｂとを熱的に接続する伝熱部材３９を設けた形態について説明したが、センサ基板１２の一部の辺のみに伝熱部材３９を設けてもよい。例えば、駆動部１０２、信号処理部１０４、及び制御部１００（制御基板１１０）の少なくとも１つと、センサ基板１２とを接続するフレキシブルケーブル１１２等のフレキシブルケーブル（本開示の第１ケーブル及び第２ケーブルの一例に相当）が接続される端子（図示省略）を有するセンサ基板１２の辺には、伝熱部材３９を設けない形態としてもよい。例えば、図１７では、センサ基板１２の辺１２＿ｌ１及び辺１２＿ｌ２の各々に、フレキシブルケーブルが接続される端子（図示省略）を有している場合を示している。図１７に示した放射線検出器１０では、辺１２＿ｌ１及び辺１２＿ｌ２の各々には伝熱部材３９を設けていない。駆動部１０２、信号処理部１０４、及び制御部１００における各回路部は、熱に弱い場合がある。この場合、これらの回路部にセンサ基板１２から伝熱するのを抑制するために、フレキシブルケーブルが接続される端子（図示省略）を有するセンサ基板１２の辺には、伝熱部材３９を設けない形態とすることが好ましい。
また、上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０では、画素１６が設けられた領域全体をアクティブエリア１５とする形態について説明したが、アクティブエリア１５とする領域は上記各実施形態に限定されるものではない。例えば、複数の画素１６のうち、一部の画素１６に対応する領域によりアクティブエリア１５を特定してもよい。例えば、放射線検出器１０が、図１８に示すように、画素１６が、放射線画像の画素に実質的に対応する複数の第１画素１６Ａと、放射線画像の形成における用途が異なり、かつ第１画素１６Ａの外周部に設けられた複数の第２画素１６Ｂとを備えている場合がある。なお、ここで放射線画像の形成における用途が異なるとは、例えば、画像の補正に用いられる場合等のことをいう他、放射線画像の形成において用いられず、電荷が読み捨てられる場合のこともいう。図１８に示した放射線検出器１０では、第１画素１６Ａが設けられた領域をアクティブエリア１５として定めている。
なお、図１８に示した放射線検出器１０のように、アクティブエリア１５よりも変換層３０が大きく、アクティブエリア１５全体を変換層３０が覆う場合がある。例えば、上記図１８に示した場合の他、変換層３０の形成におけるセンサ基板１２に対する蒸着位置のずれや貼り合わせ位置のずれ等を考慮する場合等では、変換層３０をアクティブエリア１５よりも大きく設ける。この場合、図１８に示したように、アクティブエリア１５外において、支持部材３４と変換層３０とにより、基材１４を挟み込んで支持することが好ましい。
なお、上記第１〜第６実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２の撓みを補強するために、補強部材３６及び支持部材３４を設けた形態について説明したが、センサ基板１２の撓みを補強するために、その他の部材等をさらに設けてもよい。例えば、変換層３０のセンサ基板１２に設けられた側と反対側の面の側に補強層をさらに設けてもよい。例えば、図１８に示した放射線検出器１０に、上記補強層を設けた場合の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１９に示した放射線検出器１０では、補強層３７が、変換層３０のセンサ基板１２に設けられた側と反対側の面の側に設けられている。換言すると、補強部材３６と補強層３７とで、基材１４及び変換層３０を挟んでいる。このように補強層３７を設けることで、センサ基板が不連続に撓むことをより抑制することができる。
また、図１９に示した放射線検出器１０では、補強層３７は、変換層３０の端部３０Ｃを跨る領域において、センサ基板１２を挟んで支持部材３４と対向している。従って、補強部材３６及び補強層３７により変換層３０の端部３０Ｃが固定されるため、変換層３０が基材１４から剥離するのを抑制することができる。なお、このような補強層３７としては、例えば、補強部材３６と同様の部材であってもよいし、また例えば、同様の部材であっても、補強層３７の方が薄い等、厚みが異なっていてもよいし、柔軟性が異なっていてもよい。
上記第１〜第６実施形態では、上述のように、支持部材３４が、基材１４の第２の面１４Ｂとの間に補強部材３６を挟んで補強部材３６を支持し、補強部材３６が、基材１４の第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂに設けられた形態について説明した、以下の各実施形態では、支持部材３４及び補強部材３６のその他の形態について説明する。なお、以下の各実施形態では、支持部材３４及び補強部材３６以外の放射線検出器１０の構成は、アクティブエリア１５の領域が上述した図１８に示した放射線検出器１０と同様である他は、第１実施形態の放射線検出器１０と同様であるため、詳細な説明を省略する。
［第７実施形態］
図２０には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図２０に示すように、本実施形態の支持部材３４は、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、アクティブエリア１５に対応する領域外であり、かつ変換層３０の端部３０Ｃに対応する領域を跨った領域に設けられている。
また、図２０に示すように、補強部材３６は、基材１４の第２の面１４Ｂの、支持部材３４が設けられた領域外に設けられている。換言すると、支持部材３４は、基材１４の第２の面１４Ｂの、支持部材３４が設けられていない領域全体を覆っている。
図２０に示すように、支持部材３４と補強部材３６とは、同様に基材１４の第２の面１４Ｂに設けられているが、上記第１〜第６実施形態と同様に、図２０に示すように、厚みが異なり、支持部材３４の厚みは、補強部材３６の厚みよりも厚い。
上記第１〜第６実施形態、及び本実施形態のように、センサ基板１２に可撓性の基材１４を用いた放射線検出器１０単体で取り扱う場合、例えば、放射線画像撮影装置１の製造工程において、筐体１２０内に設けられる迄の間等における、いわゆる製造工程におけるハンドリングを行う場合等、センサ基板１２における可撓性の基材１４が撓むと、変換層３０の端部３０Ｃに対応する位置（以下、「端部位置」という）で、基材１４に不連続な撓みが発生する可能性が高い。端部位置でセンサ基板１２に不連続な撓みが発生すると、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易くなる。
本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域外において、変換層３０の端部３０Ｃに対応する領域を跨った領域、すなわち端部位置に設けられている。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、基材１４が撓んだ場合でも、センサ基板１２から変換層３０が剥離し難くなる。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、補強部材３６が、基材１４の基材１４Ｂに設けられているため、基材１４の剛性を補強することができ、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２が不連続に撓むことを抑制することができる。
なお、本実施形態の放射線検出器１０を、筐体１２０内に収納し、放射線画像撮影装置１を形成する場合、図２１に示した一例のように、基材１４及び変換層３０を挟んで、支持部材３４と対向する位置に、放射線検出器１０を支持し固定するためのリブ５０を配置することが好ましい。図２１に示した一例では、支持部材３４及びリブ５０により変換層３０の端部３０Ｃが固定されるため、変換層３０が基材１４から剥離するのをより抑制することができる。
なお、基材１４の第２の面１４Ｂに設けられる補強部材３６の具体的な配置は、図２０に示した形態に限らない。例えば、図２２に示した一例のように、補強部材３６を、支持部材３４が設けられた状態の基材１４の第２の面１４Ｂを覆う領域に設けてもよい。
また、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４が、基材１４（センサ基板１２）の端部よりも内側までしか設けられていない形態について説明したが、上記第１〜第６実施形態と同様に、支持部材３４を基材１４の端部の位置まで設ける形態としてもよい。
［第８実施形態］
本実施形態の放射線検出器１０では、補強部材３６が設けられている位置が、第７実施形態と異なるため異なる構成について説明する。
図２３には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図２３に示すように、支持部材３４は、第７実施形態の放射線検出器１０における支持部材３４と同様に、材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域外において、変換層３０の端部３０Ｃに対応する領域を跨った領域、すなわち端部位置に設けられている。なお、図２３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、支持部材３４を、基材１４の端部の位置まで設けられているが、第７実施形態の放射線検出器１０と同様に、支持部材３４を、基材１４の端部よりも内側までしか設けらない形態としてもよい。
また、図２３に示すように、本実施形態の補強部材３６は、変換層３０における、センサ基板１２と反対側に保護膜３２を挟んで設けられている。図２３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２及び変換層３０を挟んで、支持部材３４の少なくとも一部の領域と補強部材３６の一部の領域とが対向している。
このように本実施形態の放射線検出器１０では、補強部材３６と支持部材３４とは、変換層３０の端部３０Ｃを跨る領域（端部位置）において、センサ基板１２を挟んで対向している。従って、支持部材３４及び補強部材３６により変換層３０の端部３０Ｃが固定されるため、変換層３０が基材１４から剥離するのを抑制することができる。
また、本実施形態の放射線検出器１０によれば、補強部材３６が、変換層３０における、センサ基板１２と反対側に保護膜３２を挟んで設けられているため、基材１４の剛性を補強することができ、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２が不連続に撓むことを抑制することができる。
なお、補強部材３６は、変換層３０における、センサ基板１２と反対側に保護膜３２を挟んだ位置に少なくとも設けられていればよく、具体的な配置は、図２３に示した形態に限らない。例えば、図２４に示した一例のように、補強部材３６を、変換層３０、保護膜３２、及び支持部材３４が設けられた状態のセンサ基板１２全体を覆う状態に配置してもよい。
また、例えば、放射線検出器１０が、複数の補強部材３６を備える形態としてもよい。例えば、図２５に示した一例のように、放射線検出器１０が、変換層３０における、センサ基板１２と反対側に保護膜３０を挟んで設けられた第１補強部材３６Ａと、基材１４の第２の面１４Ｂに設けられた第２補強部材３６Ｂとを含む形態としてもよい。この場合、第１補強部材３６Ａと第２補強部材３６Ｂとで、センサ基板１２を挟むため、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２が不連続に撓むことをより抑制することができる。
以上説明したように、上記第７及び第８実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、画素１６が形成された層における基材１４と反対側に、画像の形成に寄与する複数の画素が設けられた画素領域を含み、かつ画素領域よりも広い範囲を覆う状態に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、少なくとも変換層３０を覆う保護膜３２と、可撓性の基材１４を補強する補強部材３６と、基材１４の第２の面１４Ｂにおける、アクティブエリア１５に対応する領域外であり、かつ変換層３０の端部３０Ｃに対応する領域（端部位置）を跨った領域に設けられた支持部材３４と、を備える。
このように、上記第７及び第８実施形態の放射線検出器１０では、基材１４の剛性を補強する補強部材３６を設けると共に、基材１４の第２の面１４Ｂのアクティブエリア１５に対応する領域外において、変換層３０の端部３０Ｃに対応する領域を跨った領域、すなわち端部位置に支持部材３４が設けられている。
従って、上記第７及び第８実施形態の放射線検出器１０によれば、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２が不連続に撓むことを抑制することができ、かつ基材１４が撓んだ場合でも、センサ基板１２から変換層３０が剥離し難くなる。
また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を変換層３０の放射線が入射する側と反対側にセンサ基板１２を配置するいわゆる、「裏面読取方式(ＰＳＳ：Penetration Side Sampling)」に適用してもよい。可撓性の基材を用いたセンサ基板をＰＳＳ方式に適用した場合でも、センサ基板が不連続に撓む懸念がある。ＰＳＳ方式の場合であっても、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、支持部材３４及び補強部材３６を設けたことにより、センサ基板１２の不連続な撓みを抑制することができる。
また、上記各実施形態では、放射線画像撮影装置１が１つの放射線検出器１０を備えている形態について説明したが、放射線画像撮影装置１は、複数の放射線検出器１０を備える形態であってもよい。例えば、図２６に示すように、放射線画像撮影装置１は、ＩＳＳ方式の放射線検出器１０＿１及び１０＿２を放射線が照射される方向に重ねて用いる形態であってもよい。図２６に示した場合では、可撓性の基材１４＿１に画素１６＿１が設けられたセンサ基板１２＿１に、直接蒸着することによりＣｓＩを用いた変換層３０＿１を形成した放射線検出器１０＿１を、放射線の照射側に近い位置に配置している。また、可撓性の基材１４＿２に、画素１６＿２が設けられたセンサ基板１２＿２にＧＯＳのシートを貼り合わせることにより変換層３０＿２を形成した放射線検出器１０＿１を放射線の照射側から離れた位置に配置している。なお、図２６では、第１実施形態の放射線検出器１０と同様に、放射線検出器１０＿１には、保護膜３２＿１、支持部材３４＿１、及び補強部材３６＿１が設けられ、放射線検出器１０＿２には、保護膜３２＿２、支持部材３４＿２、及び補強部材３６＿２が設けられた状態を示している。
この場合、補強部材３６＿１の基材１４と接していない側の面には、放射線に対して透過性を有する緩衝層４０を設けることが好ましい。また、変換層３０＿１のＣｓＩの柱状結晶の先端が、放射線検出器１０＿２側に向いているため、柱状結晶の先端やその周辺部の損傷を防止するために、補強部材３６＿２と保護膜３２＿１との間に、可視光に対して透過性を有する緩衝層４２を設けることが好ましい。
また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、アクティブエリア１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
その他、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
２０１７年３月２２日出願の日本国特許出願２０１７−０５６５５９号の開示、及び２０１８年２月１６日出願の日本国特許出願２０１８−０２５８０３号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１ 放射線画像撮影装置
１０、１０＿１、１０＿２ 放射線検出器
１２、１２＿１、１２＿２ センサ基板
１４、１４＿１、１４＿２ 基材、１４Ａ 第１の面、１４Ｂ 第２の面、１４Ｃ 角部、１４Ｏ 外周、１４Ｓ 周縁
１５ アクティブエリア
１６ 画素、１６Ａ 第１画素、１６Ｂ 第２画素
１７ 領域
２０ ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２ センサ部
２４ 信号配線
２６ 走査配線
２８ 共通配線
３０、３０＿１、３０＿２ 変換層、３０Ｃ 端部
３２、３２＿１、３２＿３ 保護膜、３２Ａ 第１保護膜、３２Ｂ 第２保護膜
３４、３４＿１、３４＿２ 支持部材、３４Ａ 第１支持部材、３４Ｂ 第２支持部材
３６、３６＿１、３６＿２ 補強部材、３６Ａ 第１補強部材、３６Ｂ 第２補強部材
３７ 補強層
３９ 伝熱部材
４０、４２ 緩衝層
５０ リブ
１００ 制御部、１００Ａ ＣＰＵ、１００Ｂ メモリ、１００Ｃ 記憶部
１０２ 駆動部
１０４ 信号処理部
１０６ 画像メモリ
１０８ 電源部
１１０ 制御基板
１１２ フレキシブルケーブル
１１４ 電源線
１１６ シート
１１８ 基台
１２０ 筐体、１２０Ａ 撮影面
１２２ 伝熱部材
Ｌ１ 厚み
Ｌ２ 距離

Claims (23)

  1. 可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
    前記画素が形成された層における前記基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、
    少なくとも前記変換層を覆う保護膜と、
    前記可撓性の基材を補強する補強部材と、
    前記補強部材とともに、前記センサ基板を支持する支持部材と、
    を備えた放射線検出器。
  2. 前記補強部材は、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられており、
    前記支持部材は、前記基材の前記第２の面との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する、
    請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 前記支持部材は、前記基材の前記第１の面における前記複数の画素が設けられた領域である画素領域の外側の領域に対応する前記第２の面の領域との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する、
    請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 前記複数の画素は、複数の第１画素と前記複数の第１画素の外周部に設けられ、かつ放射線画像の形成における用途が前記複数の第１画素と異なる複数の第２画素とを含み、
    前記支持部材は、前記第１画素が設けられた領域の外側に対応する前記基材の前記第２の面の領域との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する、
    請求項２に記載の放射線検出器。
  5. 前記支持部材は、前記基材の前記第２の面の端部に対応する第１領域との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する第１支持部材と、前記基材の前記第２の面の前記第１領域外の領域との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する第２支持部材と、を含む、
    請求項２に記載の放射線検出器。
  6. 前記第１支持部材と前記第２支持部材とは、熱的に接続されている、
    請求項５に記載の放射線検出器。
  7. 前記センサ基板は、前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方が、接続される接続部を備えた外周部を有し、
    前記第１支持部材と前記第２支持部材とは、前記接続部を有する外周部の領域外で、熱的に接続されている、
    請求項５または請求項６に記載の放射線検出器。
  8. 前記保護膜は、さらに、前記基材の前記第２の面の外周部における所定の領域を覆い、
    前記支持部材は前記所定の領域における前記基材の前記第２の面との間に前記補強部材を挟んで前記補強部材を支持する、
    請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 前記保護膜は、少なくとも前記変換層を覆う第１保護膜と、前記所定の領域及び前記第１保護膜全体を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える、
    請求項８に記載の放射線検出器。
  10. 前記保護膜は、少なくとも前記変換層を覆う第１保護膜と、前記所定の領域及び前記第１保護膜の端部を含む領域を覆う第２保護膜と、を備える、
    請求項８に記載の放射線検出器。
  11. 前記変換層の前記センサ基板に設けられた側の面と反対側の面の側に設けられた補強層をさらに備える、
    請求項２から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  12. 前記変換層は、画像の形成に寄与する前記複数の画素が設けられた画素領域を含み、かつ前記画素領域よりも広い範囲を覆う状態に設けられ、
    前記支持部材は、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面における、前記画素領域に対応する領域外であり、かつ前記変換層の端部に対応する領域を跨った領域に設けられている、
    請求項１に記載の放射線検出器。
  13. 前記補強部材は、前記基材の第２の面の、前記支持部材が設けられた領域外に設けられている、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
  14. 前記補強部材は、前記支持部材が設けられた状態の前記基材の第２の面を覆う、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
  15. 前記補強部材は、前記変換層における、前記センサ基板と反対側に前記保護膜を挟んで設けられており、
    前記センサ基板及び前記変換層を挟んで、前記支持部材の少なくとも一部の領域と前記補強部材の一部の領域とが対向している、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
  16. 前記補強部材は、前記変換層における、前記センサ基板と反対側に前記保護膜を挟んで設けられた第１補強部材と、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２補強部材とを含み、
    前記第２補強部材、前記センサ基板、及び前記変換層を挟んで、前記支持部材の少なくとも一部の領域と前記第１補強部材の一部の領域とが対向している、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
  17. 前記補強部材は、前記変換層、前記保護膜、及び前記支持部材が設けられた状態の前記センサ基板全体を覆う、
    請求項１２に記載の放射線検出器。
  18. 前記支持部材の厚みは、前記支持部材の厚みよりも厚い、
    請求項１２から請求項１７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  19. 前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に放射線が照射される撮影に用いられる、
    請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  20. 前記変換層は、ＣｓＩを含む、
    請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  21. 請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
    前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
    前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
    を備えた放射線画像撮影装置。
  22. 前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    請求項２１に記載の放射線画像撮影装置。
  23. 前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
    前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    請求項２１に記載の放射線画像撮影装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3770641A4 (en) * 2018-03-19 2021-04-28 FUJIFILM Corporation RADIATION DETECTOR, RADIOLOGICAL IMAGING DEVICE AND PRODUCTION PROCESS
JP6659182B2 (ja) * 2018-07-23 2020-03-04 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
WO2020105706A1 (ja) * 2018-11-22 2020-05-28 富士フイルム株式会社 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法
WO2022065317A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP7370950B2 (ja) * 2020-09-28 2023-10-30 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
JP2022099524A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011237176A (ja) * 2010-04-30 2011-11-24 Fujifilm Corp 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システム
JP2013224949A (ja) * 2013-06-07 2013-10-31 Fujifilm Corp 電子カセッテ
JP2014041116A (ja) * 2012-07-25 2014-03-06 Canon Inc 放射線撮影装置
WO2014050862A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP2016128790A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697493B1 (ko) * 1998-06-18 2007-03-20 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 신틸레이터 패널
JP3737343B2 (ja) * 1999-09-08 2006-01-18 シャープ株式会社 二次元画像検出器
JP4393528B2 (ja) * 2000-11-30 2010-01-06 キヤノン株式会社 Ｘ線撮像装置
US6510195B1 (en) * 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
JP2004170216A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Canon Inc 放射線検出装置
CN1517069B (zh) * 2003-01-27 2012-03-28 佳能株式会社 放射线摄像装置和放射线摄像系统
US7618511B2 (en) * 2003-03-07 2009-11-17 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor
JP3848288B2 (ja) * 2003-04-25 2006-11-22 キヤノン株式会社 放射線画像撮影装置
JP2006058168A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Hamamatsu Photonics Kk 放射線撮像素子および放射線撮像方法
JP5050572B2 (ja) * 2007-03-05 2012-10-17 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像検出器
US7468514B1 (en) * 2007-06-15 2008-12-23 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor
JP5213378B2 (ja) * 2007-07-27 2013-06-19 富士フイルム株式会社 放射線検出器
JP5018889B2 (ja) * 2007-10-26 2012-09-05 コニカミノルタエムジー株式会社 カセッテ型放射線画像固体検出器
JP5448877B2 (ja) * 2010-01-25 2014-03-19 富士フイルム株式会社 放射線検出器
CN102870008A (zh) 2010-04-30 2013-01-09 富士胶片株式会社 辐射成像装置、辐射成像系统和用于将辐射转换板固定在辐射成像装置中的方法
JP2011247686A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp 放射線画像撮影装置
JP5645500B2 (ja) * 2010-06-23 2014-12-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP5649872B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
JP5966925B2 (ja) * 2010-09-07 2016-08-10 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出器の製造方法
JP5670469B2 (ja) * 2010-10-26 2015-02-18 株式会社島津製作所 放射線検出器および放射線検出器の製造方法
WO2012056899A1 (ja) * 2010-10-26 2012-05-03 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置およびプログラム
JP5456013B2 (ja) * 2010-12-17 2014-03-26 富士フイルム株式会社 放射線撮像装置
JP5557773B2 (ja) * 2011-02-24 2014-07-23 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ並びに放射線撮影装置
JP5677136B2 (ja) * 2011-02-24 2015-02-25 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ
JP2012202784A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Fujifilm Corp 放射線撮影装置及び製造方法
JP5710347B2 (ja) * 2011-04-06 2015-04-30 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置及び製造方法
JP5398773B2 (ja) * 2011-04-07 2014-01-29 富士フイルム株式会社 放射線検出装置
JP5653829B2 (ja) * 2011-04-25 2015-01-14 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置、放射線撮影システム及び放射線撮影方法
JP5728285B2 (ja) * 2011-04-27 2015-06-03 富士フイルム株式会社 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法、並びに放射線画像検出装置
WO2013001917A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 富士フイルム株式会社 放射線出力装置、放射線撮影システム及び放射線撮影方法
JP5694892B2 (ja) * 2011-10-19 2015-04-01 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
WO2013065681A1 (ja) * 2011-10-31 2013-05-10 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影システム、放射線画像処理装置、放射線画像撮影装置、放射線動画像処理方法、及び放射線動画像処理プログラム
JP2013134097A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置、及び、それらを用いた放射線検出システム
JP5947155B2 (ja) * 2012-08-29 2016-07-06 浜松ホトニクス株式会社 放射線像変換パネル
JP2014066562A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toshiba Corp 放射線検出装置
US20140374608A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same
EP3084477B1 (en) * 2013-12-17 2020-05-20 Agfa Nv Radiography flat panel detector having a low weight x-ray shield and the method of production thereof
JP2015118005A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
US9831007B2 (en) * 2014-04-28 2017-11-28 Agfa Healthcare Nv Radiographic flat panel detector having a ferromagnetic layer and the method of production thereof
US10712454B2 (en) * 2014-07-25 2020-07-14 General Electric Company X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier
US9513380B2 (en) * 2014-07-25 2016-12-06 General Electric Company X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier
US9515276B2 (en) * 2014-09-02 2016-12-06 General Electric Company Organic X-ray detector and X-ray systems
JP6478538B2 (ja) * 2014-09-10 2019-03-06 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP6488635B2 (ja) * 2014-10-23 2019-03-27 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
US10890669B2 (en) * 2015-01-14 2021-01-12 General Electric Company Flexible X-ray detector and methods for fabricating the same
US10185041B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-22 Teledyne Dalsa B.V. Radiation detector and a method thereof
JP6609105B2 (ja) 2015-03-24 2019-11-20 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
US9513383B1 (en) * 2015-06-03 2016-12-06 Perkinelmer Holdings, Inc. Scintillator sealing with foil

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011237176A (ja) * 2010-04-30 2011-11-24 Fujifilm Corp 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システム
JP2014041116A (ja) * 2012-07-25 2014-03-06 Canon Inc 放射線撮影装置
WO2014050862A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP2013224949A (ja) * 2013-06-07 2013-10-31 Fujifilm Corp 電子カセッテ
JP2016128790A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム

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