TW201830053A - 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 Download PDF

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赤松圭一
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日商富士軟片股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能夠抑制反射層端部的剝離之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分：TFT基板；像素陣列，設置在TFT基板的像素區域，並形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層；反射層，反射由轉換層轉換之光線；及黏接層，至少覆蓋從反射層的端部到TFT基板的表面之區域。

Description

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
本發明係關於一種放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
一直以來，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在這樣的放射線圖像攝影裝置中使用用於對透射了被攝體之放射線進行檢測並生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在具備下述構件者（參閱日本特開2016-128764號公報及日本特開2014-185857號公報）：像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；反射層，反射由轉換層轉換之光線；及保護層，覆蓋整個轉換層及整個反射層。
上述現有技術的放射線檢測器中，保護層具有保護轉換層免受濕氣等水分的影響之功能和將反射層固定於基板及轉換層之功能。但是，現有技術中可能會無法利用保護層將反射層固定於基板及轉換層。尤其，有時反射層端部的固定不充分而導致容易剝離。
本發明提供一種能夠抑制反射層端部的剝離之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
本發明的第1形態的放射線檢測器具有依序積層有下述構件之部分：基板；像素陣列，設置在基板的像素區域，並形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層；反射層，反射由轉換層轉換之光線；及黏接層，至少覆蓋從反射層的端部到基板的表面之區域。
本發明的第2形態的放射線檢測器具有依序設置有下述構件之部分：基板；像素陣列，隔著剝離層而設置在基板上，並形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層；反射層，反射由轉換層轉換之光線；及黏接層，至少覆蓋從反射層的端部到基板的表面之區域。
又，本發明的第3形態的放射線檢測器在第1形態或第2形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層覆蓋基板的設置有像素陣列之區域。
本發明的第4形態的放射線檢測器具有依序設置有下述構件之部分：阻擋層；像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層；反射層，反射由轉換層轉換之光線；及黏接層，至少覆蓋從反射層的端部到阻擋層的表面之區域。
又，本發明的第5形態的放射線檢測器在第4形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層覆蓋阻擋層的設置有像素陣列之區域。
又，本發明的第6形態的放射線檢測器在第1形態至第5形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏著層設置在包含轉換層的中央部之區域。
又，本發明的第7形態的放射線檢測器在第1形態至第5形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏著層在內包像素陣列之區域覆蓋轉換層。
又，本發明的第8形態的放射線檢測器在第1形態至第7形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層的周緣部具有越向外側厚度變得越薄之傾斜，反射層的外周位於轉換層的周緣部。
又，本發明的第9形態的放射線檢測器在第1形態至第7形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層的周緣部具有兩種不同高度，反射層的外周部位於轉換層的周緣部。
又，本發明的第10形態的放射線檢測器在第1形態至第9形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏接層覆蓋反射層。
又，本發明的第11形態的放射線檢測器在第1形態至第9形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏接層覆蓋轉換層。
又，本發明的第12形態的放射線檢測器在第1形態至第11形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏著層設置在反射層與轉換層之間。
又，本發明的第13形態的放射線檢測器在第1形態至第12形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，反射層的材料為白色PET。
又，本發明的第14形態的放射線檢測器在第13形態的放射線檢測器的基礎上，反射層的厚度為10μm以上且40μm以下。
又，本發明的第15形態的放射線檢測器在第1形態至第14形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，，反射層設置在與像素陣列對應之區域。
又，本發明的第16形態的放射線檢測器在第1形態至第15形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏著層的厚度為2μm以上且7μm以下。
又，本發明的第17形態的放射線檢測器在第1形態至第16形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層包含CsI的柱狀結晶。
又，本發明的第18形態的放射線檢測器在第1形態至第16形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層為塗佈於像素陣列且分散有GOS之樹脂層。
又，本發明的第19形態的放射線檢測器在第1形態至第18形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，還具備覆蓋積層體和黏接層之保護層，該積層體包含轉換層、積層於轉換層之黏著層、及積層於黏著層之反射層。
又，本發明的第20形態的放射線檢測器在第1形態至第19形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層周緣部的至少一部分的傾斜角度為90°以上且166°以下。
本發明的第21形態的放射線圖像攝影裝置具備：本發明的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取積蓄在複數個像素中之電荷之控制訊號；驅動部，根據控制訊號，從複數個像素讀取電荷；及訊號處理部，輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出至控制部。 [發明效果]
依本發明，能夠抑制反射層端部的剝離。
以下，參閱附圖對本發明的實施形態進行詳細說明。另外，本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態]
本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線而輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本實施形態的放射線檢測器具備TFT（Thin Film Transistor（薄膜電晶體））基板及將放射線轉換成光線之轉換層（參閱圖3，放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14）。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線檢測器中的TFT基板12的構成的一例進行說明。另外，本實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35形成有包含複數個像素30之像素陣列31之基板。因此，以下將“像素區域35”這一表達用作與“像素陣列31”相同的定義。本實施形態的TFT基板12為發明技術的基板的一例。
基材11例如為無鹼玻璃等玻璃基板或包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂薄片等。作為樹脂薄片的具體例，可舉出XENOMAX（註冊商標）。又，基材11可以具有可撓性，此時，作為基材11，上述樹脂薄片或比較薄的玻璃基板等為較佳。若考慮可撓性，則例如基材11為樹脂薄片時，厚度為5μm~125μm者為較佳。又，例如基材11為玻璃基板時，通常在一邊為43cm以下的尺寸下，若厚度為0.3mm以下則具有可撓性，因此厚度為0.3mm以下者為較佳。
每個像素30包含感測器部34及開關元件32。感測器部34根據由轉換層轉換之光線而產生電荷並積蓄。開關元件32讀取由感測器部34積蓄之電荷。本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30在TFT基板12的像素區域35中二維狀地配置在一個方向（與圖1的橫方向對應之掃描配線方向，以下還稱為“行方向”）及與行方向交叉之交叉方向（與圖1的縱方向對應之訊號配線方向，以下還稱為“列方向”）上。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如在行方向及列方向上配置1024個×1024個像素30。
又，放射線檢測器10中相互交叉而設置有複數個掃描配線38和複數個訊號配線36，複數個掃描配線38用於控制TFT32的開關狀態（開啟及關閉），複數個訊號配線36存在於像素30的每一列，並且讀取積蓄在感測器部34之電荷。複數個掃描配線38中的各配線經由分別設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部驅動部（參閱圖23及圖24，驅動部103）連接，藉此使從驅動部輸出且控制TFT32的開關狀態之控制訊號流過。又，複數個訊號配線36中的各配線經由分別設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的訊號處理部（參閱圖23及圖24，訊號處理部104）連接，藉此將從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部。
又，為了向各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
本實施形態的放射線檢測器10中，在TFT基板12上形成有轉換層14。圖2係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖3係圖2中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。另外，以下在放射線檢測器10的結構中稱為“上”時，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中為上。
如圖2及圖3所示，本實施形態的轉換層14設置在包含TFT基板12的像素區域35之一部分區域上。如此，本實施形態的轉換層14未設置在TFT基板12的外周部的區域上。
本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用包含CsI（碘化銫）之閃爍體。作為這樣的閃爍體，例如包含照射X線時的發射光譜為400nm~700nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。另外，CsI:Tl的可見光區域中的發射峰值波長為565nm。
如圖5所示之一例，本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14在TFT基板12上藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition（化學氣相沉積））法等氣相沉積法而直接形成為條狀的柱狀結晶14A。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出如下真空蒸鍍法，亦即，當使用CsI:Tl作為轉換層14時，在真空度為0.01Pa~10Pa的環境下，利用電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI:Tl進行加熱而使其氣化，並將TFT基板12的溫度設為室溫（20℃）~300℃而使CsI:Tl沉積在TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100μm~800μm為較佳。
另外，本實施形態中，將轉換層14的柱狀結晶14A的、生長方向的基點側（本實施形態中的TFT基板12側）的端部稱為“根部”，將生長方向上與根部相反一側的尖端部稱為“末端”。
又，本實施形態的轉換層14如上述那樣藉由氣相沉積法而形成，因此如圖3所示，轉換層14的外周部總體上具有越向外側厚度變得越薄之傾向，因此，具有越向外側厚度變得越薄之傾斜角度θ的傾斜。本實施形態中，以在忽略製造誤差及測定誤差時厚度被視為大致恆定之、從轉換層14的中央到預先設定之範圍內的轉換層14的厚度的平均值為基準，作為一例，如圖4所示那樣將相對於基準厚度之相對膜厚（以下，還稱為“相對膜厚”）為90%以下的外周區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。又，如圖4所示，將被周緣部14C所包圍之轉換層14的區域稱為“中央部（中央部14B）”。換言之，“中央部”係指至少包含轉換層14的厚度大致恆定的部分，且還包含相對膜厚超過90%之部分之區域。本實施形態中，作為具體例，將在從轉換層14的外周距離5mm以內的區域內，且相對膜厚為90%以下的外周區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。因此，如圖3及圖4等所示，周緣部14C具有隨著轉換層14的厚度朝向外周而逐漸變薄之傾向。換言之，在周緣部14C上位置具有兩種不同高度。
又，如圖4所示，轉換層14的端部的傾斜角度θ具有陡峭亦即進一步減小之傾向。通常，放射線檢測器10以收納於箱體（參閱圖23及圖24箱體120）之狀態被使用。此時所謂的窄邊框的情況較多，亦即從箱體120的側面到放射線檢測器10的端部的距離較短。因此，如上所述，轉換層14的端部的傾斜角度θ變得陡峭，作為具體例，成為90°以上且166°以下。另外，本實施形態的傾斜角度θ為本發明的傾斜角度的一例。
另外，傾斜角度θ的測定方法並無特別限定，本實施形態中，作為一例，在傾斜角度θ的測定方法中，在矩形形狀轉換層14的1個邊上的等間隔的4處位置上，從TFT基板12剝離轉換層14的端部的一部分而分別作為樣品。對4個樣品進行拋光而形成截面之後使用光學顯微鏡進行觀察，藉此進行了測定。將4個樣品的測定值的平均值作為製成樣品之轉換層14的邊上的傾斜角度θ。
而且，如圖2~圖5所示，本實施形態的放射線檢測器10具備黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22。
作為一例，如圖2及圖3所示，黏著層16設置在包含轉換層14的周緣部14C的一部分及整個中央部14B之區域上。換言之，本實施形態的黏著層16設置在轉換層14與反射層18之間。另外，黏著層16至少設置在覆蓋轉換層14覆蓋像素陣列31之區域之位置，換言之，黏著層16設置在覆蓋轉換層14內包像素陣列31之區域之位置。又，如圖5所示，本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14的末端侵入到黏著層16。
本實施形態的黏著層16為光透射性層，作為黏著層16的材料，可舉出丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及聚矽氧系黏接劑等。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出聚胺酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可舉出EVA（乙烯･乙酸乙烯酯共聚樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱塑性塑膠。
黏著層16的厚度變得越厚，亦即轉換層14與反射層18之間的間隔越寬，導致由轉換層14轉換之光線在黏著層16內越模糊，因此作為結果，藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像成為模糊之圖像。因此，黏著層16的厚度變得越厚，MTF（Modulation Transfer Function（調變轉換函數））、及DQE（Detective Quantum Efficiency（量子檢測效率））越降低，並且其降低程度亦增加。
另一方面，還包括未設置黏著層16的情況在內，將黏著層16的厚度設為過薄時，有時會在轉換層14與反射層18之間形成微小的空氣層（省略圖示）。此時，從轉換層14朝向反射層18之光線在空氣層與轉換層14之間、及在空氣層與反射層18之間發生多重反射。若因多重反射而導致光線衰減，則放射線檢測器10的靈敏度降低。
本發明人等進行研究的結果得知，若黏著層16的厚度超過7μm，則DQE的降低程度進一步增加，導致比未設置黏著層16時（厚度為0μm時）更加降低。又，得知當黏著層16的厚度小於2μm時，放射線檢測器10的靈敏度降低。
因此，本實施形態中，將黏著層16的厚度設為2μm以上且7μm以下。另外，雖然根據材料而不同，但黏著層16的折射率大致為1.5左右。
另外，黏著層16具有將反射層18固定於轉換層14之功能，但若黏著層16的厚度為2μm以上，則會得到抑制反射層18相對於轉換層14在面內方向（與厚度方向交叉之方向）偏離之充分的效果。
另一方面，作為一例，如圖2及圖3所示，反射層18設置在黏著層16上，並覆蓋黏著層16其本身的整個上表面。又，反射層18至少覆蓋轉換層14的中央部14B，反射層18的外周部到達至轉換層14的周緣部14C。亦即，反射層18的外周部位於轉換層14的、越向外側厚度變得越薄之周緣部14C。換言之，轉換層14的周緣部14C具有兩種不同高度，並且反射層18的外周部位於轉換層14的周緣部14C。反射層18具有反射由轉換層14轉換之光線之功能。
作為反射層18的材料，使用有機系材料者為較佳，例如，將白色PET（Polyethylene Terephthalate（聚對苯二甲酸乙二酯））、TiO2 、Al2 O3 、發泡白色PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等中的至少1種用作材料者為較佳。尤其，從反射率的觀點考慮，將白色PET用作材料者為較佳。
另外，白色PET係指在PET上添加有TiO2 或硫酸鋇等白色顏料者。又，聚酯系高反射薄片係指具有疊加有複數個薄的聚酯薄片之多層結構之薄片（薄膜）。又，發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。
本實施形態中，反射層18的厚度設為10μm以上且40μm以下。若反射層18的厚度變厚，則反射層18的外周部的上表面與轉換層14的上表面之間的段差增大。本實施形態中，藉由將黏接層20及保護層22的薄片（薄膜）貼合於已形成有反射層18之狀態的TFT基板12上而製造放射線檢測器10。若上述段差較大，則在反射層18上貼合黏接層20及保護層22時，有時會導致在該段差部分黏接層20及保護層22的至少一者翹起。
又，若反射層18的厚度變厚，則可以說成為具有剛性之狀態，因此有時難以沿著轉換層14的周緣部14C的傾斜而彎曲，從而變得難以加工。
從該等觀點進行研究之結果，在本實施形態的放射線檢測器10中使用白色PET作為反射層18的材料時，如上述那樣將反射層18的厚度設為40μm以下。
另一方面，反射層18的厚度變得越薄，反射率越下降。若反射率下降，則藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質亦具有下降之傾向。因此，從藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質的觀點考慮，考慮所期望的反射率（例如，80%）而設定反射層18的厚度的下限值為較佳。在本實施形態的放射線檢測器10中使用白色PET作為反射層18的材料時，如上述那樣將反射層18的厚度設為10μm以上。
另一方面，作為一例，如圖2及圖3所示，黏接層20設置在TFT基板12中的從轉換層14的外周部附近的區域到覆蓋反射層18端部之區域。換言之，本實施形態的放射線檢測器10中，覆蓋設置有黏著層16及反射層18之整個轉換層14之黏接層20直接固定（黏接）於TFT基板12的表面的一部分。黏接層20具有將反射層18固定於TFT基板12及轉換層14之功能。又，黏接層20具有固定保護層22之功能。作為黏接層20的材料，例如可舉出與黏著層16相同的材料。另外，本實施形態中，黏接層20所具有之黏接力強於黏著層16所具有之黏接力。
而且，作為一例，如圖2及圖3所示，保護層22設置在黏接層20上。本實施形態的保護層22覆蓋積層體19和黏接層20。積層體19包含轉換層14、積層於轉換層14之黏著層16、及積層於黏著層16之反射層18。本實施形態的保護層22具有保護轉換層14免受濕氣等水分的影響之功能。又，本實施形態的保護層22具有與黏接層20一同將反射層18固定於TFT基板12及轉換層14之功能。作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜。作為有機膜，例如可舉出PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide（聚苯硫醚））、OPP（Oriented PolyPropylene（定向聚丙烯））、PEN（PolyEthylene Naphthalate（聚萘二甲酸乙二酯））、PI（PolyImide（聚醯亞胺））等。又，作為保護層22，亦可使用藉由使鋁箔與聚對苯二甲酸乙二酯等絕緣性薄片（薄膜）進行黏接等而將鋁積層而成之ALPET（註冊商標）薄片。
作為圖2~圖5所示之本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例，可舉出以下方法。
預先準備將與放射線檢測器10匹配之製成所期望的大小之黏著層16的薄片（薄膜）、和製成所期望的大小之反射層18的薄片進行貼合而成者。
另一方面，在TFT基板12上如上述那樣藉由氣相沉積法而直接形成轉換層14。
又，另一方面，在製成所期望的大小之保護層22的薄片的整個單面上設置黏接層20。另外，黏接層20的設置方法設為與黏接層20的材料對應之方法即可，例如可以將製成所期望的大小之黏接層20的薄片貼合於保護層22的單面上，亦可以在保護層22的整個單面上塗佈成為黏接層20之液體狀材料。
之後，在積層有反射層18和黏著層16之狀態的薄片上貼合設置有黏接層20之保護層22的薄片，製成依序積層有黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22之積層薄膜。
而且，之後以覆蓋整個轉換層14之狀態，將上述積層薄膜貼合於形成有轉換層14之TFT基板12上。
另外，在進行上述貼合時，在大氣壓下或減壓下（真空下）進行，但為了抑制在進行貼合時空氣等的進入，在減壓下進行為較佳。
又，作為設置反射層18之方法，如上述那樣貼合薄片狀的反射層18之方法為較佳。作為不同方法，例如可舉出藉由將成為材料之黏合劑塗佈於轉換層14上而形成反射層18之方法。但是，塗佈黏合劑之方法中，導致塗佈於轉換層14的周緣部14C上之黏合劑沿著周緣部14C的傾斜而流動，因此有時僅能夠在轉換層14的中央部14B形成反射層18。此時，若根據轉換層14的中央部14B而減小設置反射層18之區域的大小，則放射線檢測器10的靈敏度降低。另一方面，若為了維持設置反射層18之區域的大小而增大整個轉換層14，則導致放射線檢測器10大型化。因此，如本實施形態，當放射線檢測器10的轉換層14具有傾斜時，藉由貼合薄片狀的反射層18而設置反射層18為較佳。
如此，圖2~圖5所示之本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20及保護層22覆蓋整個反射層18（整個上表面及側面）。又，黏接層20及保護層22直接固定於TFT基板12上。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，反射層18的剝離、尤其反射層18的端部的剝離得到抑制。另外，在本實施形態中，反射層18的端部係指反射層18的外周附近的預先設定之範圍內的區域。
又，如上所述，當在轉換層14的至少一部分的端部上傾斜角度為90°以上且166°以下的陡峭的情況下，與傾斜角度θ平緩時相比，在轉換層14的傾斜部分反射層18變得容易剝離。
相對於此，本實施形態的放射線檢測器10中，藉由上述構成，反射層18的剝離、尤其轉換層14的傾斜部上的反射層18的剝離得到抑制。
另外，圖2~圖5所示之本實施形態的放射線檢測器10中，在為基材11的厚度比較厚之玻璃基板等時，在TFT基板12上如上述那樣依序形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22即可。另一方面，當基材11為比較薄的基板，例如為具有可撓性之基板時，如圖6所示之一例，在厚度比基材11厚的玻璃基板等支撐體50上隔著剝離層52，例如利用層壓法等而形成TFT基板12。而且，與上述相同地依序形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22之後，利用剝離層52將TFT基板12從支撐體50上剝離。剝離方法並無特別限定，例如層壓法中，將TFT基板12（基材11）的四個邊中的任意一個邊作為剝離的起點，從成為起點之邊向相對向之邊，逐漸從支撐體50剝下TFT基板12，藉此進行機械剝離即可。又，例如，雷射剝離（laser Lift Off）法中，從支撐體50的背面（與設置有TFT基板12之面相反一側的面）照射雷射，透射支撐體50並藉由雷射使剝離層52分解，藉此從支撐體50上剝離TFT基板12即可。
[第2實施形態]
繼而，對第2實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與第1實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏著層16及反射層18之區域進行說明。
圖7係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖8係圖7中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖7及圖8所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域。換言之，本實施形態的黏著層16及反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面。另一方面，本實施形態的黏著層16及反射層18並未直接設置在TFT基板12上。
另外，本實施形態的放射線檢測器10例如能夠藉由與在第1實施形態中進行上述說明之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法進行製造。
如此，在圖7及圖8所示之本實施形態的放射線檢測器10中，亦與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，黏接層20及保護層22覆蓋整個反射層18（整個上表面及側面）。又，黏接層20及保護層22直接固定於TFT基板12上。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，反射層18的剝離、尤其反射層18的端部的剝離得到抑制。
又，依據本實施形態的放射線檢測器10，與第1實施形態的放射線檢測器10相比，反射層18較大且覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。
[第3實施形態]
繼而，對第3實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與上述各實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏著層16及反射層18之區域進行說明。
圖9係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖10係圖9中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖9及圖10所示，本實施形態的放射線檢測器10中，與第2實施形態的放射線檢測器10相同地，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域。換言之，本實施形態的黏著層16及反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面。又，與第2實施形態的放射線檢測器10不同地，本實施形態的放射線檢測器10中，設置有黏著層16及反射層18之區域到達至轉換層14的外周附近的TFT基板12上。換言之，本實施形態的放射線檢測器10中，在轉換層14的外周附近的TFT基板12上直接設置有黏著層16及反射層18。
另外，本實施形態的放射線檢測器10例如能夠藉由與在第1實施形態中進行上述說明之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法進行製造。
如此，在圖9及圖10所示之本實施形態的放射線檢測器10中，亦與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，黏接層20及保護層22覆蓋整個反射層18（整個上表面及側面）。又，黏接層20及保護層22直接固定於TFT基板12上。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，反射層18的剝離、尤其反射層18的端部的剝離得到抑制。
又，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18到達至TFT基板12上，因此有時TFT基板12相應地大型化，但能夠更穩定地固定反射層18。
而且，本實施形態的放射線檢測器10中，與第1實施形態的放射線檢測器10相比，反射層18較大且覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。
[第4實施形態]
繼而，對第4實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏接層20之區域與第1實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏接層20之區域進行說明。
圖11係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖12係圖11中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖11及圖12所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置在從轉換層14的周緣部附近的TFT基板12至反射層18（黏著層16）的外周部之區域上。亦即，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20未覆蓋反射層18及轉換層14的整個上表面。
作為圖11及圖12所示之本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例，可舉出以下方法。
預先準備將與放射線檢測器10匹配之製成所期望的大小之黏著層16的薄片（薄膜）、和製成所期望的大小之反射層18的薄片進行貼合而成者。
另一方面，在TFT基板12上如上述那樣藉由氣相沉積法而直接形成轉換層14。
之後，將預先準備之貼合黏著層16和反射層18而成者貼合在形成有轉換層14之TFT基板12上。
又，另一方面，在製成所期望的大小之保護層22的薄片的周緣部設置黏接層20。與第1實施形態中進行的上述說明相同地，黏接層20的設置方法設為與黏接層20的材料對應之方法即可，例如藉由塗佈或貼合而設置即可。
之後，對於設置有黏接層20之保護層22，為了設為由黏接層20覆蓋作為反射層18的端部之外周部之狀態，將設置有黏接層20之保護層22的薄片貼合於設置有轉換層14、黏著層16及反射層18之TFT基板12上。
另外，在進行上述貼合時，尤其將設置有黏接層20之保護層22貼合於反射層18上時，為了抑制空氣等進入到未設置黏接層20的部分的保護層22與反射層18之間，在減壓下進行為較佳。
如此，依據圖11及圖12所示之本實施形態的放射線檢測器10，黏接層20覆蓋作為反射層18的端部之外周部，又覆蓋反射層18的側面，因此利用黏接層20，反射層18的尤其端部的剝離得到抑制。
又，依據本實施形態的放射線檢測器10，黏接層20未覆蓋轉換層14的整個上表面，因此能夠抑制放射線因從保護層22側進行照射並到達至轉換層14為止透射黏接層20而衰減的情況。
[第5實施形態]
繼而，對第5實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與第3實施形態相同，設置黏接層20之區域與第4實施形態大致相同。參閱附圖，對設置黏著層16、反射層18及黏接層20之區域進行說明。
圖13係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖14係圖13中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖13及圖14所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域、及轉換層14的外周附近的TFT基板12上的區域。又，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置在從轉換層14的周緣部附近的TFT基板12至反射層18（黏著層16）的外周部之區域上。
另外，本實施形態的放射線檢測器10例如能夠藉由與在第4實施形態中進行上述說明之放射線檢測器10的製造方法相同的製造方法進行製造。
如此，依據圖13及圖14所示之本實施形態的放射線檢測器10，與第4實施形態的放射線檢測器10相同地，黏接層20覆蓋反射層18的外周部及側面，因此利用黏接層20，反射層18的尤其端部的剝離得到抑制。
又，依據本實施形態的放射線檢測器10，黏著層16及反射層18到達至TFT基板12上，因此能夠將反射層18更穩定地固定於TFT基板12及轉換層14。
又，依據本實施形態的放射線檢測器10，反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。而且，依據本實施形態的放射線檢測器10，黏接層20未覆蓋轉換層14的整個上表面，因此能夠抑制放射線因從保護層22側進行照射並到達至轉換層14為止透射黏接層20而衰減的情況。
[第6實施形態]
上述各實施形態中，對具備在基材11的像素區域35設置有像素陣列31之TFT基板12之放射線檢測器10進行了說明。本實施形態中，對不具有基材11的放射線檢測器10進行說明。
圖15示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖15所示，本實施形態的放射線檢測器10與第1實施形態的放射線檢測器10（參閱圖2及圖3）相同地，具備像素陣列31、轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22。
又，如圖15所示，本實施形態的放射線檢測器10在不具備基材11（TFT基板12）這一方面與第1實施形態的放射線檢測器10（參閱圖3及圖4）不同。
本實施形態的放射線檢測器10如下製造：在成為支撐體之基板60上，隔著剝離層62而設置像素陣列31之後，進一步形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22，然後利用剝離層62而剝離基板60。由於如此進行製造，因此本實施形態的放射線檢測器10不具備玻璃基板等基材11。
作為基板60，例如與參閱上述圖6而說明之支撐體50相同地，能夠使用玻璃基板等。又，作為剝離層62，係用於從像素陣列31剝離基板60者，利用熱方法、光學方法及化學方法中的至少1種方法，並藉由活化之有機或無機材料而形成。作為將剝離層62活化之方法的具體例，可舉出蝕刻。
又，如圖16所示之一例，本實施形態的放射線檢測器10亦可以在像素陣列31與轉換層14之間具備阻擋層64等具有預先設定之功能之其他層。圖16所示之放射線檢測器10中，藉由設置阻擋層64，轉換層14中所含之熒光材料擴散於像素陣列31，因此能夠抑制像素30劣化。又，當藉由蝕刻將剝離層62活化時，阻擋層64發揮蝕刻停止（etch stop）功能。作為這樣的阻擋層64，能夠適用氮化矽等無機材料、或聚醯亞胺或BCB（Benzocyclobutene（苯環丁烯））等有機材料。
此時，黏接層20直接固定（黏接）於阻擋層64的表面的一部分。藉此，依據圖16所示之放射線檢測器10，反射層18的剝離、尤其反射層18的端部的剝離得到抑制。
又，本實施形態的放射線檢測器10可以還具備隔著像素陣列31而與轉換層14相對向之轉換層。例如，圖17所示之一例中示出如下狀態，亦即，一對轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22設置成隔著像素陣列31及阻擋層66而相對向之狀態。作為此時的阻擋層66，能夠使用與上述阻擋層64相同者。
又，例如，圖18所示之一例中示出隔著像素陣列31及黏著層68與轉換層14相對向且還設置有轉換層74之狀態。作為此時的黏著層68，能夠使用與上述黏著層16相同者。又，作為此時的轉換層74，能夠適用GOS（Gd2 O2 S:Tb）等分散於樹脂等黏合劑者。
又，例如，如圖17所示之放射線檢測器10或如圖18所示之放射線檢測器10，本實施形態的放射線檢測器10中，放射線檢測器10具備相對向之兩個轉換層時，亦可以在轉換層彼此之間設置與各轉換層對應之像素陣列31。換言之，放射線檢測器10亦可以在照射到放射線之面相對向之狀態下，具備2組像素陣列31及轉換層（轉換層14或轉換層74）。另外，此時，為了減少像素陣列31彼此的光學串擾，亦可以在轉換層彼此之間設置遮光層。
如此，圖15~圖18所示之本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20及保護層22覆蓋整個反射層18（整個上表面及側面）。又，黏接層20及保護層22固定於基板60。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，反射層18相對轉換層14之剝離、尤其反射層18的端部相對轉換層14之剝離得到抑制。另外，在本實施形態中，反射層18的端部係指反射層18的外周附近的預先設定之範圍內的區域。
如以上說明，上述各實施形態的放射線檢測器10具有依序設置有下述構件之部分：TFT基板12或基板60；像素陣列31，形成有複數個像素30，該複數個像素30積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層14，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層16；反射層18，反射由轉換層14轉換之光線；及黏接層20，至少覆蓋從反射層18的端部到TFT基板12或基板60的表面之區域。像素陣列31設置在TFT基板12的像素區域35，或隔著剝離層52而設置在基板60上。
如此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，由具有比黏著層16所具有之黏接力強的黏接力之黏接層20覆蓋整個反射層18或外周部，因此能夠更牢固地固定反射層18的端部。
因此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，能夠抑制反射層18端部的剝離。
藉由抑制反射層18的端部的剝離，不僅抑制端部的剝離，而且整個反射層18的剝離亦得到抑制。
若剝離反射層18，則光線不會反射到TFT基板12側，因此可能導致放射線檢測器10的靈敏度降低。相對於此，藉由抑制反射層18的剝離，能夠抑制靈敏度降低，因此能夠抑制藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質下降。
又，若剝離反射層18，則濕氣等水分容易從剝離之部分侵入到放射線檢測器10的內部。在轉換層14、尤其使用了CsI之轉換層14的情況下，由於容易受到水分影響，因此水分侵入到放射線檢測器10的內部時，可能導致放射線檢測器10中得到之放射線圖像的畫質下降。相對於此，藉由抑制反射層18的剝離，能夠抑制水分的侵入，因此能夠抑制藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質下降。
又，當反射層18的側面露出時，濕氣等水分可能會從露出之部分侵入到內部，但上述各實施形態的放射線檢測器10中，由於反射層18的側面被黏接層20及保護層22覆蓋，因此能夠提高防濕效果。
另外，像素陣列31（像素區域35）的大小並不限定於上述各實施形態。例如，上述各實施形態中，對像素陣列31（像素區域35）的大小大於轉換層14的中央部14B的大小，且像素陣列31（像素區域35）的外周到達至轉換層14的周緣部14C之形態進行了說明。但是，如圖19所示之一例，亦可以為像素陣列31（像素區域35）的大小小於轉換層14的中央部14B的大小，且像素陣列31（像素區域35）的外周位於中央部14B內之形態。由轉換層14從放射線轉換之光量具有隨著轉換層14的厚度變薄而減少之傾向，但圖19所示之一例的形態中，像素陣列31（像素區域35）上的轉換層14的厚度成為大致均勻，因此像素區域35的靈敏度特性得到提高。
又，例如，像素陣列31（像素區域35）的大小亦可以大於上述各實施形態的放射線檢測器10。例如，上述各實施形態中，亦可以為像素陣列31（像素區域35）的大小小於設置有反射層18之區域的大小，且像素陣列31（像素區域35）被反射層18所覆蓋，但如圖20所示之一例，像素陣列31（像素區域35）大於反射層18，且具有未被反射層18所覆蓋的像素陣列31（像素區域35）的區域之形態。另外，如上述各實施形態的放射線檢測器10，與圖20所示之放射線檢測器10相比，反射層18覆蓋整個像素陣列31（像素區域35）之形態更加提高根據位於像素陣列31（像素區域35）的外周部之像素30而得到之放射線圖像的畫質。
又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，對設置有反射層18之區域與設置有黏著層16之區域相同（大小相同）之形態進行了說明，但並不限定於該形態。例如，如圖21所示之一例，亦可以設為在黏著層16的上表面的一部分區域而非黏著層16的整個上表面設置有反射層18之形態。又，例如，如圖22所示之一例，亦可以設為設置有反射層18之區域比設置有黏著層16之區域寬（反射層18更大），且反射層18覆蓋黏著層16之形態。在圖21及圖22中的任一形態的放射線檢測器10中，均藉由利用黏接層20覆蓋作為反射層18的端部之外周部，藉此利用黏接層20而抑制反射層18的尤其端部的剝離。另外，如上述各實施形態的放射線檢測器10及圖21中示出一例之放射線檢測器10，在反射層18的整個下部設置有黏著層16時進一步抑制反射層18的剝離。
又，上述各實施形態中，如圖1所示那樣對像素30以矩陣狀二維排列之形態進行了說明，但並不限定於此，例如亦可以為一維排列，亦可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦並無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。而且，當然像素陣列31（像素區域35）的形狀亦並無限定。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各實施形態。上述各實施形態中，對轉換層14的形狀與像素陣列31（像素區域35）的形狀相同地為矩形形狀之形態進行了說明，但轉換層14的形狀亦可以為不與像素陣列31（像素區域35）相同的形狀。又，像素陣列31（像素區域35）的形狀例如亦可以為其他多邊形，亦可以為圓形，而非矩形形狀。
另外，上述各實施形態中，作為一例，對放射線檢測器10的轉換層14為包含CsI之閃爍體之形態進行了說明，但轉換層14亦可以為GOS等分散於樹脂等的黏合劑之閃爍體。使用GOS之轉換層14例如藉由如下形成：在TFT基板12或剝離層62等上直接塗佈分散有GOS之黏合劑之後，進行乾燥並使其固化而形成。作為轉換層14的形成方法，例如，亦可以採用一邊控制塗佈膜的厚度一邊在形成轉換層14之區域塗佈塗佈液之Giza法。另外，此時，在塗佈分散有GOS之黏合劑之前，亦可以進行用於將像素陣列31的表面活化之表面處理。又，在像素陣列31的表面，層間絕緣膜亦可以設置表面保護膜。
若在像素陣列31的表面上直接塗佈使用GOS之轉換層14，則導致端部鬆弛，與上述之使用CsI之轉換層14相同地，在轉換層14的端部產生傾斜部，反射層18的端部變得容易剝離。
相對於此，如上所述，由具有比黏著層16所具有之黏接力強的黏接力之黏接層20覆蓋整個反射層18或外周部，藉此能夠更加牢固地固定反射層18的端部。因此，在具有使用GOS之轉換層14之放射線檢測器10中，亦能夠抑制反射層18端部的剝離。
另外，上述各實施形態的放射線檢測器10亦可以適用於從TFT基板12側照射放射線之表面讀取方式（ISS：Irradiation Side Sampling方式）的放射線圖像攝影裝置中，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線之背面讀取方式（PSS：Penetration Side Sampling方式）的放射線圖像攝影裝置中。
圖23中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用了第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的一例的剖面圖。
如圖23所示，在箱體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上並排設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10中，在透射了被攝體之放射線照射到之箱體120的攝影面120A側，像素陣列31的未設置轉換層14之一側設置成相對向之狀態。
控制基板110為形成有記憶與從像素陣列31的像素30讀取之電荷對應之圖像資料之圖像記憶體210、或控制來自像素30的電荷的讀取等之控制部212等之基板，並且藉由包含複數個訊號配線之柔性電纜112而與像素陣列31的像素30電連接。另外，圖23所示之放射線圖像攝影裝置1設為在柔性電纜112上設置有藉由控制部212的控制而對像素30的TFT32的開關狀態進行控制之驅動部103、及生成並輸出與從像素30讀取之電荷對應之圖像資料之訊號處理部104之、所謂的COF（Chip On Film（薄膜覆晶）），但驅動部103及訊號處理部104中的至少一者亦可以形成在控制基板110上。
又，控制基板110藉由電源線114而與形成在控制基板110之圖像記憶體210或向控制部212等供給電源之電源部108連接。
在圖23所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片因入射放射線而難以產生2次放射線，因此具有防止向後側亦即轉換層14側散射之功能。另外，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的整個面，又，覆蓋整個轉換層14為較佳。
又，在圖23所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在放射線所入射之一側（攝影面120A側）還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用使鋁箔黏接於絕緣性薄片（薄膜）等而將鋁進行積層之ALPET（註冊商標）薄片、派瑞林（註冊商標）膜、及聚對苯二甲酸乙二酯等絕緣性薄片等的防濕膜。保護層117對像素陣列31具有防濕功能及抗靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素陣列31的放射線所入射之一側的整個面為較佳，覆蓋放射線所入射之一側的TFT基板12的整個面為較佳。
另外，圖23中示出將電源部108及控制基板110這兩者設置在放射線檢測器10的一側、具體而言設置在矩形形狀的像素陣列31的一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖23所示之形態。例如，亦可以將電源部108及控制基板110分散設置在像素陣列31的相對向之2個邊的每一個上，亦可以分散設置在相鄰之2個邊的每一個上。
又，圖23中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用了第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的另一例的剖面圖。
如圖23所示，在箱體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上並排設置有電源部108及控制基板110，放射線檢測器10與電源部108及控制基板110在放射線的入射方向上並排設置。
又，圖23所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10及控制基板110之基座118。基座118中例如使用碳等。
此外，上述各實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成或製造方法等為一例，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，當然能夠根據狀況而進行變更。
於2016年12月26日申請的日本專利申請2016-251803號的發明、及於2017年6月28日申請的日本專利申請2017-126683號的發明，其全部內容藉由參閱收入本說明書中。
本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術標準，以與具體且個別記載了藉由參閱收入個別文獻、專利申請及技術標準的情況相同程度地，藉由參閱收入本說明書中。
1‧‧‧放射線圖像攝影裝置
10‧‧‧放射線檢測器
11‧‧‧基材
12‧‧‧TFT基板
14‧‧‧轉換層
14A‧‧‧柱狀結晶
14B‧‧‧中央部
14C‧‧‧周緣部
16‧‧‧黏著層
18‧‧‧反射層
19‧‧‧積層體
20‧‧‧黏接層
22‧‧‧保護層
30‧‧‧像素
31‧‧‧像素陣列
32‧‧‧TFT
34‧‧‧感測器部
35‧‧‧像素區域
36‧‧‧訊號配線
38‧‧‧掃描配線
39‧‧‧共用配線
50‧‧‧支撐體
52、62‧‧‧剝離層
60‧‧‧基板
64、66‧‧‧阻擋層
68‧‧‧黏著層
74‧‧‧轉換層
103‧‧‧驅動部
104‧‧‧訊號處理部
108‧‧‧電源部
110‧‧‧控制基板
112‧‧‧柔性電纜
114‧‧‧電源線
116‧‧‧薄片
117‧‧‧保護層
118‧‧‧基座
120‧‧‧箱體
120A‧‧‧攝影面
210‧‧‧圖像記憶體
212‧‧‧控制部
θ‧‧‧傾斜角度
圖1係表示第1實施形態的放射線檢測器中的TFT基板的構成的一例之構成圖。 圖2係從設置有轉換層之一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖4係用於說明本實施形態的轉換層中的周緣部和中央部之剖面圖。 圖5係示出第1實施形態的放射線檢測器中的轉換層、黏著層、反射層、黏接層及保護層的積層狀態的一例之剖面圖。 圖6係說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例之圖。 圖7係從設置有轉換層之一側觀察第2實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖8係圖7所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖9係從設置有轉換層之一側觀察第3實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖10係圖9所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖11係從設置有轉換層之一側觀察第4實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖12係圖11所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖13係從設置有轉換層之一側觀察第5實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖14係圖13所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖15係第6實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖16係第6實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。 圖17係第6實施形態的放射線檢測器中的、具有隔著像素陣列而相對向之兩個轉換層之構成的一例的剖面圖。 圖18係第6實施形態的放射線檢測器中的、具有隔著像素陣列而相對向之兩個轉換層之構成的另一例的剖面圖。 圖19係作為像素區域的大小的變形例，表示像素區域的大小較小的放射線檢測器的一例的截面之剖面圖。 圖20係作為像素區域的大小的變形例，表示像素區域的大小較大的放射線檢測器的一例的截面之剖面圖。 圖21係作為設置有反射層之區域和設置有黏著層之區域的變形例，表示設置有黏著層之區域大於設置有反射層之區域的放射線檢測器的一例的截面之剖面圖。 圖22係作為設置有反射層之區域和設置有黏著層之區域的變形例，表示設置有反射層之區域大於設置有黏著層之區域的放射線檢測器的一例的截面之剖面圖。 圖23係表示適用了實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的截面之剖面圖。 圖24係表示適用了實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的截面之剖面圖。

Claims (21)

  1. 一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分： 基板； 像素陣列，設置在該基板的像素區域，並形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷； 轉換層，將該放射線轉換成光線； 光透射性黏著層； 反射層，反射由該轉換層轉換之光線；及 黏接層，至少覆蓋從該反射層的端部到該基板的表面之區域。
  2. 一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分： 基板； 像素陣列，隔著剝離層而設置在該基板上，並形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷； 轉換層，將該放射線轉換成光線； 光透射性黏著層； 反射層，反射由該轉換層轉換之光線；及 黏接層，至少覆蓋從該反射層的端部到該基板的表面之區域。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層覆蓋該基板的設置有該像素陣列之區域。
  4. 一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分： 阻擋層； 像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷； 轉換層，將該放射線轉換成光線； 光透射性黏著層； 反射層，反射由該轉換層轉換之光線； 黏接層，至少覆蓋從該反射層的端部到該阻擋層的表面之區域。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層覆蓋該阻擋層的設置有該像素陣列之區域。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層覆蓋包含該轉換層的中央部之區域。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層在內包該像素陣列之區域覆蓋該轉換層。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的周緣部具有越向外側厚度變得越薄之傾斜，該反射層的外周部位於該轉換層的周緣部。
  9. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的周緣部具有兩種不同高度， 該反射層的外周部位於該轉換層的周緣部。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏接層覆蓋該反射層。
  11. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏接層覆蓋該轉換層。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層設置在該反射層與該轉換層之間。
  13. 如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該反射層的材料為白色PET。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之放射線檢測器，其中 該反射層的厚度為10μm以上且40μm以下。
  15. 如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該反射層設置在與該像素陣列對應之區域。
  16. 如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層的厚度為2μm以上且7μm以下。
  17. 如申請專利範圍第1項至第16項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層包含CsI的柱狀結晶。
  18. 如申請專利範圍第1項至第16項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層為塗佈於該像素陣列且分散有GOS之樹脂層。
  19. 如申請專利範圍第1項至第18項中任一項所述之放射線檢測器，其還具備覆蓋積層體和該黏接層之保護層，該積層體包含該轉換層、積層於該轉換層之該黏著層及積層於該黏著層之該反射層。
  20. 如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的周緣部的至少一部分的傾斜角度為90°以上且166°以下。
  21. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備： 申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述之放射線檢測器； 控制部，輸出用於讀取積蓄在該複數個像素中之電荷之控制訊號； 驅動部，根據該控制訊號，從該複數個像素讀取電荷；及 訊號處理部，輸入與從該複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出至該控制部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112789524A (zh) * 2018-09-27 2021-05-11 富士胶片株式会社 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012177624A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
JP6000680B2 (ja) * 2012-06-20 2016-10-05 キヤノン株式会社 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム
JP6174849B2 (ja) * 2012-08-10 2017-08-02 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2014071077A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Canon Inc 放射線検出装置、及び、放射線検出システム
JP6514477B2 (ja) * 2013-10-29 2019-05-15 キヤノン株式会社 放射線検出装置および撮像システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112789524A (zh) * 2018-09-27 2021-05-11 富士胶片株式会社 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法
CN112789524B (zh) * 2018-09-27 2024-05-03 富士胶片株式会社 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法

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