JP7314019B2 - 放射線検出装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、放射線検出装置の製造方法に関する。
薄膜トランジスタ(TFT)を用いた液晶ディスプレイのような表示装置用のマトリクスパネルの製造技術が向上し、パネルの大型化と共に表示部の大画面化が進められてきた。この製造技術は、TFTなどのスイッチ素子と半導体によって構成された光電変換素子を有する大面積エリセンサとしてマトリクスパネルに応用されている。このマトリクスパネルは、X線などの放射線を可視光等の光に変換するシンチレータと組み合わせて、医療用X線撮像装置のような放射線検出装置の分野で利用されている。このマトリクスパネルはガラス基板上に形成する技術が一般的であったが、近年では、装置の軽量化と衝撃や変形に耐える高い信頼性が期待できる樹脂基板等を用いた可撓性のマトリクスパネルの開発が進み、放射線検出装置にも利用されつつある。
可撓性のマトリクスパネルを形成する方法として、ガラス基板等の剛性のある基板上に樹脂材料等を薄膜状に載置し、その薄膜上にエリアセンサを形成するのが一般的である。このような可撓性のマトリクスパネルは、例えば特許文献1のように、装置軽量化のために、可撓性のマトリクスパネルは不要なガラス基板から剥離されて利用される。特許文献1では、ガラス等の基板上にポリイミド(以下PI)等の樹脂材料による可撓性絶縁膜を形成し、可撓性絶縁膜上にTFTや半導体による複数の光電変換素子を形成したマトリクスパネルを準備する。そして、特許文献1では、マトリクスパネルにシンチレータと当該シンチレータを保護するための保護部材を配置し、その状態でガラス等の基板を剥離する工程が示されている。
特開2009-133837号公報
しかしながら、特許文献1での基板の剥離は、レーザー光を照射して行っているが、レーザー光を発生させる装置はマトリクスパネルに対して効率よく照射させるために当該装置自体が大型かつ高価なものとなり得る。そのため、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを製造するに際し、製造コストと製造安定性の面で課題がある。
そこで、本発明の目的は、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを、そのコストを低減しつつ安定的に製造することが可能な放射線検出装置の製造方法を提供することである。
上記課題を解決する本発明の放射線検出装置の製造方法は、基板の上に設けられた可撓性絶縁層に設けられた、各々が光電変換素子を有する複数の画素を有する画素アレイの上に、放射線を光に変換するシンチレータを形成する形成工程と、前記可撓性絶縁層の一端に設けられた固定部材が固定されたローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離する剥離工程と、を行う放射線検出装置の製造方法であって、前記剥離工程は、前記可撓性絶縁層の前記シンチレータが配置された配置領域と前記シンチレータが配置されていない非配置領域との間の剛性差を低減するための補強部が配置された前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離することを特徴とする。
本発明により、可撓性絶縁基板上にエリアセンサ及びシンチレータを有する可撓性のマトリクスパネルを、そのコストを低減しつつ安定的に製造することが可能な放射線検出装置の製造方法を提供し得る。
放射線検出装置を用いた放射線検出システムの概略図 放射線検出装置に組み込まれる放射線検出パネルの模式的平面図及び断面図 剥離ユニットを説明するための模式的斜視図及び断面図 比較例を説明するための模式的斜視図及び断面図 放射線検出装置の製造方法を説明するためのフロー図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図 放射検出装置の製造方法の一例を説明するための概略平面図及び側面図
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。また、放射線という用語は、例えば、X線の他、α線、β線、γ線、粒子線、宇宙線を含みうる。
図1は、本発明の放射線検出装置を用いた放射線検出システムの概略図である。図1において、11は被検者、12は放射線検出装置、13は放射線発生装置、14は処理部である。放射線検出装置12と放射線発生装置13は、処理部14と接続される。処理部14による制御に応じて放射線発生装置13から放射線が照射され、放射線検出装置12は被検者を透過した放射線を検出する。放射線検出装置12は、検出された放射線の情報を信号として処理部14に送信し、処理部14は、所望の演算処理を行い、診断を行うための放射線画像を生成する。
次に、図2(a)~(c)を参照して、放射線検出装置に組み込まれる放射線検出パネル100について説明する。図2(a)は、放射線検出パネル100の放射線入射面の平面図、図2(b)及び図2(c)は、図2(a)のA-A’間におけるそれぞれの例を示す断面図である。
マトリクスパネル110は、可撓性絶縁層111上に画素アレイ112と外部回路接続部132が配置されたものを言う。基板114上に可撓性絶縁層111が設けられ、その基板114は、剛性が高く、光電変換素子やTFTの形成温度に耐え得る材料が使用され得る。基板114としては、特にガラス、セラミックスからなる絶縁基板が好ましい。可撓性絶縁層111も光電変換素子やTFTの形成温度に耐え得る材料かつ加工性の高い材料が使用され得る。可撓性絶縁層111としては、特にポリイミド、ポリアミド等の有機系の絶縁層が用いられる。マトリクスパネル110の形成方法は、まず、液状の可撓性絶縁層111を基板114に塗布・硬化させて形成する方法や、シート状の可撓性絶縁層111を基板114に圧着する方法で、基板114に可撓性絶縁層111を形成する。この際、基板114と可撓性絶縁層111の間には接着層を用いても良い。次に、可撓性絶縁層111上に、光電変換素子とTFTを有する画素が複数配列されてなる画素アレイ112と外部回路接続部132が形成される。画素アレイ112は、不図示の複数の画素、TFTを制御するための配線である駆動線、光電変換素子にバイアスを供給するための配線であるバイアス線、TFTのソースおよびドレイン電極の一方に接続される信号線等で構成される。センサ保護層113は、画素アレイ112を保護する目的でを形成している。センサ保護層113の材料としては、シンチレータ120形成時の熱に耐えうる材料かつシンチレータ120の密着力を向上させる材質であることが望ましい。センサ保護層113としては、ウレタン樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂などの各種の樹脂が用いられる。
シンチレータ120は、X線等の放射線を可視光に変換する機能を有する部材のことを指しており、シンチレータ120にはシンチレータ層121や接着層122、シンチレータ保護層123等も含めてシンチレータ120と呼称する。シンチレータ層121としては、シンチレータ粒子とバインダーとを混合したGOSや、タリウム(Tl)やナトリウム(Na)を賦活させたヨウ化セシウム(CsI)が好適である。GOSを用いたシンチレータ層121では、画素アレイ112上にGOSを塗布する方法やシートのものを貼り合せる方法が取られる。また、CsIを用いたシンチレータ層121では、真空下での蒸着方法を用いるのが一般的であり、画素アレイ112上に直径が1~数10ミクロン程度の複数の柱状の結晶を所望の厚さに成長させて形成する。CsIの特徴として、結晶の柱間に空隙が存在しており、高いMTF(Modulation Transfer Function)を得ることが可能である。また、GOS、CsIいずれの材料を用いたシンチレータ120においても、図2(b)に示すように画素アレイ112上に塗布や蒸着により形成する方法があげられる。また、図2(c)に示すように別途準備したシンチレータ基台124上に蛍光体121を形成したものを画素アレイ112上に接着層125を介して貼り合わせる方法が挙げられる。いずれの方法も、シンチレータ層121を保護するために、シンチレータ層121を被覆するシンチレータ保護層123が形成され得る。シンチレータ保護層123としては、アルミや銅、ステンレスなどの金属類、ポリパラキシリレンやエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂類、樹脂とアルミナや酸化チタンなどのセラミックスからなる複合材料等を用いることが可能である。
放射線検出パネル100は、マトリクスパネル110とシンチレータ120からなる積層体をと呼称する。放射線検出パネル100の画素アレイ112には、フレキシブル配線板などの配線部材131が外部回路接続部132を介して接続され得る。また、放射線検出パネル100には、支持基板133が設けられ得る。支持基板133は、放射線検出パネル110の要求特性に応じて必要な機能が異なり、可撓性絶縁層111の剛性の向上や防湿性向上、放射線検出パネル110の遮光や外来ノイズ耐性の向上、または振動や外部応力の緩衝機能を持つことが望ましい。
次に、図3(a)及び(b)に示すように、剥離ユニット140は、ローラー141と、剥離対象物を固定するクランプ142と、を含み、剥離対象物をローラー141に沿わせて剥離するような機構を有する。固定方法は、クランプ142単体で挟み込むように固定する方法の他、ローラー141とクランプ142で挟み込むように固定してもよい。また、剥離対象物を接着シート147やテープなどでローラー141に接着固定してもよい。剥離ユニット140のローラー141のローラー幅は、シンチレータ120の破壊を防止するため、少なくともシンチレータ120の幅より大きいことが望ましい。また、ローラー141の移動は、配線部材131を踏まないような軌道とすることで、配線材131の破壊や電気的なショートを防ぐことができる。その他外形サイズや表面硬度などは、ワーク(剥離対象物)のサイズや高さ、材質によって選択することができる。剥離ユニット140は、剥離対象物をそのまま固定するよりも剥離対象物の端に固定部材(クランプフィルム)を設置し、固定部材ごと剥離することが望ましいため、当該固定部材であるクランプフィルム143を更に含む。
ここで、図4(a)及び(b)に示す比較例を用いて、剥離ユニット140を用いた剥離方法で本願発明者が見出した課題について説明する。可撓性絶縁層111の画素アレイ112の上にシンチレータ120が配置されている場合、可撓性絶縁層111と比較してシンチレータ120では剛性が極端に大きくなる。このような積層体である放射線検出パネル100の基板114からの剥離をローラー141で行うと、図4(a)及び(b)に示すようにシンチレータ120の段差部境界で可撓性絶縁層111が折れてしまうことがある。このような状態で剥離を行うためには、ローラー141の回転力を大きくする対策が考えられる。しかしながら、ローラー141の回転力を上げる事により可撓性絶縁層111を引き延ばす力も大きくなるため、可撓性絶縁層111が延伸されてマトリクスパネル110が破損するおそれがある。また、ローラー141の回転力を大きくした場合、基板114の吸着が回転力に負けてしまうと基板114の吸着が解けてローラーに持っていかれ、基板114が破損してしまうというおそれがある。その対策として吸着力をあげることが考えられるが、吸着機構の大型化はまぬがれない。また、ローラー141の径を小さくすることで引き延ばす力を低減し剥離することも考えられるが、径が小さいとマトリクスパネル110の光電変換素子やシンチレータ120が破壊されるおそれがある。
そこで、本願発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す解決手段を見出した。例えば図6に示すように、可撓性絶縁層111を基板114から剥離する剥離工程に際して、補強部150を配置する。補強部150は、可撓性絶縁層111のシンチレータ120が配置された配置領域と、シンチレー120が配置されていない非配置領域と、の間の剛性差を低減する機能を備える。補強部150は、可撓性絶縁層111の4辺のうち、剥離工程において引っ張られる側の辺側のシンチレータ120の可撓性絶縁層111と接している端部に沿って引かれ得る仮想線を跨ぐように、配置され得る。なお、補強部150は、剥離工程に配置されていればよく、剥離工程後に可撓性絶縁層111から除去しても構わないし、そのまま残しても構わない。補強部150を可撓性絶縁層上に形成する方法として、接着層用いて貼り合わせる、塗布により形成する、等の方法が挙げられるが、この限りではない。接着層を用いて貼り合わせる場合、PETフィルム等の樹脂やステンレス等の金属を、接着層により可撓性絶縁層111に貼り合わせることにより補強部150を形成することが可能である。塗布により形成する場合、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂を塗布することにより補強部150を形成することが可能である。また、補強部150の厚さによっても剛性を調整することが可能であるため、厚さは任意であり、補強部150は可撓性絶縁層111よりも剛性が高いことが好ましく、シンチレータ120の剛性と同等であることがより好ましい。なお、補強部150を配置する際に、外部回路接続部132や配線部材131等と接触する場合があるが、放射線検出パネル140の使用上の影響がない限り、接触しても問題ない。
以下に、図6~図11を用いて、補強部150の構成及び配置例を例示する。なお、図6~11のいずれにおいても、(a)はマトリクスパネル110をシンチレータ120側から示した概略平面図であり、(b)はマトリクスパネル110の引っ張られる側を左側とした概略側面図である。
図6(a)及び図6(b)に示す第1例では、補強部150はクランプフィルム143の一部として設けられている。すわなち、クランプフィルム143の一部領域が仮想線160を跨ぐように設けられおり、当該一部領域が補強部150として機能している。なお、第1例では、一部の配線部材131及び外部回路接続部131を覆うように配置されているが、先述の通り、放射線検出パネル100の使用上の影響がない限り、覆うように配置されていても問題ない。
図7(a)及び図7(b)に示す第2例では、第1例に対して、可撓性絶縁層111の引っ張られる側の辺の幅よりも広いクランプフィルム143の一部として補強部150が設けられている点で相違する。これにより、同じ厚さであった場合でも第1例よりも剛性を確保することができる。
図8(a)及び図8(b)に示す第3例では、第1例に対して、一部領域が補強部150として機能するクランプフィルム143が配線部材131及び外部回路接続部131を覆わないように配置されている点で相違する。これにより、一部の配線部材131及び外部回路接続部131に対して影響を与えてしまう可能性を低減し得る。
図9(a)及び図9(b)に示す第4例では、第1例に対して、放射線検出パネル100のシンチレータ120を囲うように、クランプフィルム143が配置され、その一部領域が補強部150として機能している点で相違する。これにより、同じ厚さであった場合でも第1例よりも剛性を確保することができる。
なお、第1例から第4例までの、クランプフィルム143の一部領域を補強部150として機能させる例では、剥離工程後にクランプフィルム143を除去することにより補強部150を可撓性絶縁層111から除去することとなる。
次に、図10(a)及び図10(b)に示す第5例では、クランプフィルム143の一部領域を補強部150として機能させていた第1例から第4例に対して、クラン部143とは別の部材として、補強部150を設けている点で相違する。第5例では、クランプフィルム143と同様の材料及び構成の部材を接着層で張り合わせて補強部150を設けても良い。また、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂を塗布することにより補強部150を形成してもよい。
また、図11(a)及び図11(b)に示す第6例では、第6例に対して、クランプ143とは別に設けられる補強部150として、周辺封止部材の一部領域が用いられる点で相違する。周辺封止部材は、シンチレータ120及び画素アレイ112に対する耐湿性を向上させるための部材であり、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂を塗布することにより形成され得る。周辺封止部材は、シンチレータ120を囲うように、可撓性絶縁層111の上に配置され得る。このような周辺封止部材の一部領域を補強部150として機能させることにより、耐湿性の向上にも寄与し得る構成となる。なお、第6例においては、クランプフィルム143は周辺封止部材の引っ張られる側の辺に接するように、周辺封止部材上に配置され得る。また、第6例においては、補強部150として機能する周辺封止部材は、剥離工程後にも可撓性絶縁層111から除去されずに残され得る。
次に、図5(a)及び図5(b)を用いて、補強部150を用いた放射線検出パネル140を有する放射線検出装置の製造方法について説明する。
図5(a)に示す第一例では、ステップS501において既知の手法によりマトリクスパネル110が準備され得る。次にステップS502において、準備されたマトリクスパネル110の画素アレイ112の上に既知の手法によりシンチレータ120が形成され得る。次にステップS503において、既知の手法によりマトリクスパネル110の外部回路接続部132に配線部材131を既知の手法により電気的に接続させ得る。なお、図5(b)の第二例に示すように、ステップS502のシンチレータの形成とステップS503の配線部材131の接続の順番を入れ替えても良い。ここで、マトリクスパネル110に対して直接蒸着法によりシンチレータ層121を形成する場合には、第一例が好適に用いられ得る。一方、マトリクスパネルに対して接着層を介してシンチレータ120を形成する場合には、第二例が好適に用いられ得る。
次にステップS504において、上述の補強部150を配置し、剥離工程を行う。剥離工程は、図3を用いて説明した手法で行われ得る。当該剥離工程において、補強部150が設けられていることにより、可撓性絶縁層111が延伸されてマトリクスパネル110が破損するおそれが低減され得る。また、吸着機構の大型化を招くことなく基板114が破損してしまうというおそれが低減され得る。また、マトリクスパネル110の光電変換素子やシンチレータ120が破壊されるおそれが低減され得る。
そして、ステップS505において、剥離された可撓性絶縁層111のシンチレータ120が配置された表面と反対側の表面に、接着剤(不図示)を介して支持基板133が配置され得る。これにより、製造工程におけるマトリクスパネル110に対するハンドリングが向上する。次にステップS506において、配線部材131に対してプリント回路基板(PCB)などの回路基板が電気的に接続され、放射線検出パネル100が準備され得る。
111 可撓性絶縁層
112 画素アレイ
114 基板
120 シンチレータ
141 ローラー
143 固定部材
150 補強部

Claims (10)

  1. 基板の上に設けられた可撓性絶縁層に設けられた、各々が光電変換素子を有する複数の画素を有する画素アレイの上に、放射線を光に変換するシンチレータを形成する形成工程と、
    前記可撓性絶縁層の端に設けられた固定部材が固定されたローラーを用いて前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離する剥離工程と、
    を行う放射線検出装置の製造方法であって、
    前記剥離工程は、前記可撓性絶縁層の前記シンチレータが配置された配置領域と前記シンチレータが配置されていない非配置領域との間の剛性差を低減するための補強部が配置された前記可撓性絶縁層を前記基板から剥離することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
  2. 前記補強部は、前記可撓性絶縁層の前記剥離工程において引っ張られる側の辺側の前記シンチレータの前記可撓性絶縁層と接している端部に沿って引かれ得る仮想線を跨ぐように、前記可撓性絶縁層の上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置の製造方法。
  3. 前記可撓性絶縁層は、前記画素アレイと電気的に接続された外部回路接続部を有し、
    前記外部回路接続部には配線部材が電気的に接続されており、
    前記補強部は、前記配線部材を覆うように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置の製造方法。
  4. 前記固定部材の一部領域が前記仮想線を跨ぐように設けられており、
    前記一部領域が前記補強部として機能していることを特徴とする請求項2又は3に記載の放射線検出装置の製造方法。
  5. 前記固定部材が、前記可撓性絶縁層の引っ張られる側の辺の幅よりも広い幅を有することを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置の製造方法。
  6. 前記補強部は前記固定部材とは別の部材として設けられていることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置の製造方法。
  7. 前記シンチレータ120を囲うように前記可撓性絶縁層の上に配置された周辺封止部材の一部領域が前記補強部として機能することを特徴とする請求項6に記載の放射線検出装置の製造方法。
  8. 前記基板から剥離された前記可撓性絶縁層の前記シンチレータが配置された表面と反対側の表面に支持基板が配置される工程が更に行われることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか1項に記載の放射線検出装置の製造方法。
  9. 前記外部回路接続部に前記配線部材が電気的に接続される接続工程が更に行われることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置の製造方法。
  10. 前記接続工程は、前記形成工程の前に行われることを特徴とする請求項9に記載の放射線検出装置の製造方法。
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