JP2596295B2 - 密着型イメージセンサの製造方法 - Google Patents
密着型イメージセンサの製造方法Info
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- JP2596295B2 JP2596295B2 JP4319555A JP31955592A JP2596295B2 JP 2596295 B2 JP2596295 B2 JP 2596295B2 JP 4319555 A JP4319555 A JP 4319555A JP 31955592 A JP31955592 A JP 31955592A JP 2596295 B2 JP2596295 B2 JP 2596295B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は密着型イメージセンサの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】密着型イメージセンサは、集束性レンズ
アレイを使用せずに画像読取装置を構成できるので装置
の小型化、低価格化を実現させるデバイスとして製品化
開発が盛んに行われている。
アレイを使用せずに画像読取装置を構成できるので装置
の小型化、低価格化を実現させるデバイスとして製品化
開発が盛んに行われている。
【０００３】しかしながら、このような密着型イメージ
センサは、透光性ガラス薄板等の保護膜と原稿との摩擦
によって発生する静電気により信号転送回路の誤動作や
光電変換素子の破壊等を生ずるという問題があり、原稿
と直接接触する面に透明導電膜を設けて静電気の発生を
抑える方法が採用されていたが、原稿との摩擦により傷
がついたり摩耗する等の欠点があった。この摩耗対策と
して原稿と接触する保護膜の下に透明導電膜を設けるこ
とにより、耐摩耗性を実現させたもの（例えば、特開昭
６４−７１１７３号公報又は特開平２−２９１１６９号
公報）がある。
センサは、透光性ガラス薄板等の保護膜と原稿との摩擦
によって発生する静電気により信号転送回路の誤動作や
光電変換素子の破壊等を生ずるという問題があり、原稿
と直接接触する面に透明導電膜を設けて静電気の発生を
抑える方法が採用されていたが、原稿との摩擦により傷
がついたり摩耗する等の欠点があった。この摩耗対策と
して原稿と接触する保護膜の下に透明導電膜を設けるこ
とにより、耐摩耗性を実現させたもの（例えば、特開昭
６４−７１１７３号公報又は特開平２−２９１１６９号
公報）がある。
【０００４】図４は従来の密着型イメージセンサの第１
の例（特開昭６４−７１１７３号公報参照）を示す断面
図である。
の例（特開昭６４−７１１７３号公報参照）を示す断面
図である。
【０００５】図４に示すように、透光性ガラス基板１上
に配置して設けた光電変換素子部１６を含む表面に透光
性絶縁膜７を被覆する。光電変換素子部１６は光電変換
素子アレイ４，スイッチング用薄膜トランジスタ（以下
ＴＦＴと記す）５，接地電極２，信号読出配線６などか
らなり透光性ガラス基板１上に配置されている。透光性
絶縁膜７は接地電極２の上に開口部８を設けておく。次
に、透光性ガラス薄板１１に予じめ透明導電膜１０ａを
成膜しておいた基板を、透光性接着剤１２を介して透光
性絶縁膜７の上に載置し固着する。透明導電膜１０ａと
接地電極とはガラス薄板１１を載置する前に開口部８内
に導電接着剤例えば銀ペースト１７を塗布しておき、硬
化させることによって電気的に接続する。
に配置して設けた光電変換素子部１６を含む表面に透光
性絶縁膜７を被覆する。光電変換素子部１６は光電変換
素子アレイ４，スイッチング用薄膜トランジスタ（以下
ＴＦＴと記す）５，接地電極２，信号読出配線６などか
らなり透光性ガラス基板１上に配置されている。透光性
絶縁膜７は接地電極２の上に開口部８を設けておく。次
に、透光性ガラス薄板１１に予じめ透明導電膜１０ａを
成膜しておいた基板を、透光性接着剤１２を介して透光
性絶縁膜７の上に載置し固着する。透明導電膜１０ａと
接地電極とはガラス薄板１１を載置する前に開口部８内
に導電接着剤例えば銀ペースト１７を塗布しておき、硬
化させることによって電気的に接続する。
【０００６】この密着型イメージセンサでは、原稿が透
光性ガラス薄板１１上を密着状態で移動していく際に発
生する静電気によって生ずる信号のレベルシフトや光電
変換素子の破壊を抑制できる。
光性ガラス薄板１１上を密着状態で移動していく際に発
生する静電気によって生ずる信号のレベルシフトや光電
変換素子の破壊を抑制できる。
【０００７】しかしながら、透光性ガラス基板１と透光
性ガラス薄板１１の間に、透光性接着剤１２と銀ペース
ト１７との異なる材質のものが混在して設けられるため
に硬化条件が異なり、別々に硬化処理せねばならない。
さらに、銀ペースト１７を硬化させるための加熱により
予じめ硬化させてあった透光性接着剤中に、銀ペースト
１７中からの放出ガスが入り込み気泡１８が発生した
り、最悪の場合透光性ガラス薄板１１が剥れたりする。
また、透光性ガラス薄板１１に予じめ透明導電膜１０ａ
を成膜することは透光性ガラス薄板１１の厚みが０．０
３〜０．０５ｍｍ程度であるため、割れないように取扱
うことが困難で、複雑な高精度の制御が必要となりコス
ト高になる欠点があった。
性ガラス薄板１１の間に、透光性接着剤１２と銀ペース
ト１７との異なる材質のものが混在して設けられるため
に硬化条件が異なり、別々に硬化処理せねばならない。
さらに、銀ペースト１７を硬化させるための加熱により
予じめ硬化させてあった透光性接着剤中に、銀ペースト
１７中からの放出ガスが入り込み気泡１８が発生した
り、最悪の場合透光性ガラス薄板１１が剥れたりする。
また、透光性ガラス薄板１１に予じめ透明導電膜１０ａ
を成膜することは透光性ガラス薄板１１の厚みが０．０
３〜０．０５ｍｍ程度であるため、割れないように取扱
うことが困難で、複雑な高精度の制御が必要となりコス
ト高になる欠点があった。
【０００８】図５は従来の密着型イメージセンサの第２
の例（特開平２−２９１１６９号公報参照）を示す断面
図である。
の例（特開平２−２９１１６９号公報参照）を示す断面
図である。
【０００９】図５に示すように、光電変換素子１６を設
置した透光性ガラス基板１上に導電性接着剤２０を介し
て透光性ガラス薄板１１を接着して構成しており、光電
変換素子１６を含む表面に設けたパッシベーション膜２
１の上に透光性の導電性接着剤２０を介して透光性ガラ
ス薄板１１を載置し固着している。接地電極２との電気
的接続は導電性接着剤２０により直接接続され、特に銀
ペーストのような導電接着剤を必要とせず、静電気除去
が確実に実現できる。
置した透光性ガラス基板１上に導電性接着剤２０を介し
て透光性ガラス薄板１１を接着して構成しており、光電
変換素子１６を含む表面に設けたパッシベーション膜２
１の上に透光性の導電性接着剤２０を介して透光性ガラ
ス薄板１１を載置し固着している。接地電極２との電気
的接続は導電性接着剤２０により直接接続され、特に銀
ペーストのような導電接着剤を必要とせず、静電気除去
が確実に実現できる。
【００１０】しかし、透光性の導電性接着剤２０は特殊
な材料を必要とし透光性ガラス薄板１１と基板１との間
に充填されたときに放出ガスにより気泡１８が多数発生
し、光学的に分解能を劣化させたり、電気伝導度を低下
させたりする。他にも光電変換素子１６上に厚さ１μｍ
以下のパッシベーション膜２１を１層形成しただけなの
で、透光性導電接着剤２０との間の浮遊容量が増大して
信号レベルが減少し、総合的なＳ／Ｎを大きくできない
という欠点を有する。
な材料を必要とし透光性ガラス薄板１１と基板１との間
に充填されたときに放出ガスにより気泡１８が多数発生
し、光学的に分解能を劣化させたり、電気伝導度を低下
させたりする。他にも光電変換素子１６上に厚さ１μｍ
以下のパッシベーション膜２１を１層形成しただけなの
で、透光性導電接着剤２０との間の浮遊容量が増大して
信号レベルが減少し、総合的なＳ／Ｎを大きくできない
という欠点を有する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この従来の密着型イメ
ージセンサでは、透光性ガラス薄板に予じめ透明導電膜
を設置したのでは接地電極との電気的接続のための材料
塗布工程と独自の硬化工程とが必要になる。また、導電
性接着剤による透光性ガラス薄板の載置固着は導電性の
劣化と気泡発生により所望の読取り特性が得られないと
いうような問題点があった。
ージセンサでは、透光性ガラス薄板に予じめ透明導電膜
を設置したのでは接地電極との電気的接続のための材料
塗布工程と独自の硬化工程とが必要になる。また、導電
性接着剤による透光性ガラス薄板の載置固着は導電性の
劣化と気泡発生により所望の読取り特性が得られないと
いうような問題点があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の密着型イメージ
センサの製造方法は、透光性ガラス基板上に光電変換素
子部および接地電極を配置して設ける工程と、前記光電
変換素子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜から
なる第１の透光性絶縁膜を形成した後前記接地電極上の
前記第１の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第１
の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部を含む前
記第１の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第２の
透光性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記
接地電極上の前記第２の透光性絶縁膜を選択的にエッチ
ングして前記第１の開口部に位置合わせし前記接地電極
の表面に達する第２の開口部を設ける工程と、前記第２
の開口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含
む前記第２の透光性絶縁膜の表面にＩＴＯ膜を形成する
工程と、前記ＩＴＯ膜の上に紫外線硬化型の透光性接着
剤を塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄
板を押し当て５〜６Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力に保持された雰
囲気中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ
前記ガラス薄板を固着させる工程とを含んで構成され
る。
センサの製造方法は、透光性ガラス基板上に光電変換素
子部および接地電極を配置して設ける工程と、前記光電
変換素子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜から
なる第１の透光性絶縁膜を形成した後前記接地電極上の
前記第１の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第１
の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部を含む前
記第１の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第２の
透光性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記
接地電極上の前記第２の透光性絶縁膜を選択的にエッチ
ングして前記第１の開口部に位置合わせし前記接地電極
の表面に達する第２の開口部を設ける工程と、前記第２
の開口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含
む前記第２の透光性絶縁膜の表面にＩＴＯ膜を形成する
工程と、前記ＩＴＯ膜の上に紫外線硬化型の透光性接着
剤を塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄
板を押し当て５〜６Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力に保持された雰
囲気中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ
前記ガラス薄板を固着させる工程とを含んで構成され
る。
【００１３】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明に関係する技術の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【００１５】図１に示すように、透光性ガラス基板１の
上に設けた光電変換素子アレイ４，電荷蓄積用キャパシ
タ３，信号転送用ＴＦＴ５，信号読出し配線６などから
なる光電変換素子部１６及び接地電極２と、これら光電
変換素子部１６及び接地電極２を含む表面に設けた窒化
シリコン膜又は酸化シリコン膜からなる厚さ約５００ｎ
ｍの第１の透光性絶縁膜７と、接地電極２の上の透光性
絶縁膜７に設けたコンタクト用の開口部８と、透光性絶
縁膜７の上に設けたポリイミド系樹脂膜又はアクリル系
樹脂膜等の第２の透光性絶縁膜９と、開口部８に整合し
て透光性絶縁膜９に設けた開口部８ａと、開口部８ａを
通じて接地電極２に達する部分を含み絶縁膜９の表面を
覆って設けたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）膜１０と、ＩＴＯ膜１０の上に透光性接着剤１２を
介して固着した透光性ガラス薄板１１とを有して構成さ
れる。
上に設けた光電変換素子アレイ４，電荷蓄積用キャパシ
タ３，信号転送用ＴＦＴ５，信号読出し配線６などから
なる光電変換素子部１６及び接地電極２と、これら光電
変換素子部１６及び接地電極２を含む表面に設けた窒化
シリコン膜又は酸化シリコン膜からなる厚さ約５００ｎ
ｍの第１の透光性絶縁膜７と、接地電極２の上の透光性
絶縁膜７に設けたコンタクト用の開口部８と、透光性絶
縁膜７の上に設けたポリイミド系樹脂膜又はアクリル系
樹脂膜等の第２の透光性絶縁膜９と、開口部８に整合し
て透光性絶縁膜９に設けた開口部８ａと、開口部８ａを
通じて接地電極２に達する部分を含み絶縁膜９の表面を
覆って設けたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）膜１０と、ＩＴＯ膜１０の上に透光性接着剤１２を
介して固着した透光性ガラス薄板１１とを有して構成さ
れる。
【００１６】ここで、透光性ガラス薄板１１は厚さが約
０．０５〜０．１ｍｍで、例えば日本電気硝子製のＢＬ
Ｃ薄板ガラスを使用し、透光性ガラス基板１と熱的整合
性を保持し、原稿１３との摩擦により摩耗しないような
高度の材料を使用している。
０．０５〜０．１ｍｍで、例えば日本電気硝子製のＢＬ
Ｃ薄板ガラスを使用し、透光性ガラス基板１と熱的整合
性を保持し、原稿１３との摩擦により摩耗しないような
高度の材料を使用している。
【００１７】このような構造の密着型イメージセンサ
は、透光性ガラス薄板１１の上面と原稿１３との摩擦に
よって静電気が発生した場合、接地電位のＩＴＯ膜１０
によって光電変換素子アレイ４，電荷蓄積用キャパシタ
３，信号転送用ＴＦＴ５，信号読出し配線６などの光電
変換素子部１６が電気的にシールドされているので光電
変換信号への影響を実用上無視できる。
は、透光性ガラス薄板１１の上面と原稿１３との摩擦に
よって静電気が発生した場合、接地電位のＩＴＯ膜１０
によって光電変換素子アレイ４，電荷蓄積用キャパシタ
３，信号転送用ＴＦＴ５，信号読出し配線６などの光電
変換素子部１６が電気的にシールドされているので光電
変換信号への影響を実用上無視できる。
【００１８】また、電荷キャパシタ３，ＴＦＴ５，信号
読出配線６などと、このＩＴＯ膜１０との間で作られる
浮遊容量は、誘電体層として第１の透光性絶縁膜７の厚
さ約５００ｎｍの無機絶縁膜と厚さ５μｍ〜１０μｍ程
度の有機絶縁膜で誘電率εrの小さい第２の透光性絶縁
膜９との積層を設けているので小さい値に抑えることが
可能になる。したがって、密着型イメージセンサを構成
する各素子部のパターン設計が容易になり、低雑音で再
現性の良い性能を得ることが出来る。
読出配線６などと、このＩＴＯ膜１０との間で作られる
浮遊容量は、誘電体層として第１の透光性絶縁膜７の厚
さ約５００ｎｍの無機絶縁膜と厚さ５μｍ〜１０μｍ程
度の有機絶縁膜で誘電率εrの小さい第２の透光性絶縁
膜９との積層を設けているので小さい値に抑えることが
可能になる。したがって、密着型イメージセンサを構成
する各素子部のパターン設計が容易になり、低雑音で再
現性の良い性能を得ることが出来る。
【００１９】また、透光性ガラス薄板１１の上面は、と
くに静電気対策のための導電層および耐摩耗層は予め設
置していない。このため、部材コストは低減され、低価
格の密着センサが可能になり、生産性の面でも、従来の
ものは表裏のチェックを常に電気的な確認をしながら透
光性ガラス薄板１１を載置していたがこれが不要とな
る。
くに静電気対策のための導電層および耐摩耗層は予め設
置していない。このため、部材コストは低減され、低価
格の密着センサが可能になり、生産性の面でも、従来の
ものは表裏のチェックを常に電気的な確認をしながら透
光性ガラス薄板１１を載置していたがこれが不要とな
る。
【００２０】図２（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、透光性ガ
ラス基板１（例えばダウコーニング社製の硼珪酸ガラス
７０５９等のガラス基板）上に、光電変換素子アレイ
４，電荷蓄積用キャパシタ３，信号転送用ＴＦＴ５，信
号読出し配線６等からなる光変換素子部１６と、接地電
極２をスパッタ，プラズマＣＶＤ法を用いて成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニン
グし形成する。アモルファスシリコン膜を光電変換材料
に用いた場合には、電極材料および絶縁材料などを積層
して構成されるが、約１μｍ以上凹凸が発生する。
ラス基板１（例えばダウコーニング社製の硼珪酸ガラス
７０５９等のガラス基板）上に、光電変換素子アレイ
４，電荷蓄積用キャパシタ３，信号転送用ＴＦＴ５，信
号読出し配線６等からなる光変換素子部１６と、接地電
極２をスパッタ，プラズマＣＶＤ法を用いて成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニン
グし形成する。アモルファスシリコン膜を光電変換材料
に用いた場合には、電極材料および絶縁材料などを積層
して構成されるが、約１μｍ以上凹凸が発生する。
【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、これら光
電変換素子部１６および接地電極２を含む表面に光電変
換素子部１６の安定化のためのパッシベーション効果と
絶縁性を向上させるための絶縁膜としてプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン膜等からなる第１の透光性絶縁膜
７を４００ｎｍの厚さに堆積し、接地電極２の上の透光
性絶縁膜７を選択的にエッチングして開口部８を形成す
る。
電変換素子部１６および接地電極２を含む表面に光電変
換素子部１６の安定化のためのパッシベーション効果と
絶縁性を向上させるための絶縁膜としてプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン膜等からなる第１の透光性絶縁膜
７を４００ｎｍの厚さに堆積し、接地電極２の上の透光
性絶縁膜７を選択的にエッチングして開口部８を形成す
る。
【００２３】次に、図２（ｃ）に示すように、開口部８
を含む表面にアクリルあるいはポリイミド樹脂材をスピ
ンナで塗布して硬化させ、フォトリソグラフィ技術でパ
ターニングするか、あるいはスクリーン印刷により塗布
して硬化させることにより開口部８と位置合せした開口
部８ａを有する第２の透光性絶縁膜９を２〜１０μｍの
厚さに形成する。
を含む表面にアクリルあるいはポリイミド樹脂材をスピ
ンナで塗布して硬化させ、フォトリソグラフィ技術でパ
ターニングするか、あるいはスクリーン印刷により塗布
して硬化させることにより開口部８と位置合せした開口
部８ａを有する第２の透光性絶縁膜９を２〜１０μｍの
厚さに形成する。
【００２４】次に、図２（ｄ）に示すように、開口部８
ａを含む表面にＩＴＯを主成分とするＩＴＯインクをス
クリーン印刷して１５０〜２００℃の温度で１時間程度
熱処理し、２μｍの厚さで５００Ω／□程度のシート抵
抗を有するＩＴＯ膜１０を形成する。
ａを含む表面にＩＴＯを主成分とするＩＴＯインクをス
クリーン印刷して１５０〜２００℃の温度で１時間程度
熱処理し、２μｍの厚さで５００Ω／□程度のシート抵
抗を有するＩＴＯ膜１０を形成する。
【００２５】次に、図２（ｅ）に示すように、ＩＴＯ膜
１０の上に紫外線硬化型の透明接着剤１２を塗布して厚
さ０．０５〜０．１ｍｍ（例えば日本電気硝子製のＢＬ
Ｃ薄板ガラス）の透光性ガラス薄板１１を載せて押し当
てた状態で紫外線を約２０００ｍＪの照射量で照射して
透明接着剤１２を硬化させ固着する。この時発生する気
泡を外部環境を陰圧あるいは陽圧に保持し必要に応じて
脱泡する。陽圧にする場合の方が５〜６ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力を気泡に印加できるので有効である。
１０の上に紫外線硬化型の透明接着剤１２を塗布して厚
さ０．０５〜０．１ｍｍ（例えば日本電気硝子製のＢＬ
Ｃ薄板ガラス）の透光性ガラス薄板１１を載せて押し当
てた状態で紫外線を約２０００ｍＪの照射量で照射して
透明接着剤１２を硬化させ固着する。この時発生する気
泡を外部環境を陰圧あるいは陽圧に保持し必要に応じて
脱泡する。陽圧にする場合の方が５〜６ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力を気泡に印加できるので有効である。
【００２６】このような密着型イメージセンサの製造方
法は、静電気を除去するために接地したＩＴＯ膜１０が
開口部８ａの接地電極２に直接接続される。このため従
来例で必要とした透光性導電膜と接地電極２とを接続す
るための銀ペーストが不要となり、この銀ペーストの硬
化のための加熱工程時に銀ペーストからの放出ガスのた
めに透光性ガラス薄板１１が押し上げられはがれたりし
ていたがこれが無くなり安定した接着が実現できる。
法は、静電気を除去するために接地したＩＴＯ膜１０が
開口部８ａの接地電極２に直接接続される。このため従
来例で必要とした透光性導電膜と接地電極２とを接続す
るための銀ペーストが不要となり、この銀ペーストの硬
化のための加熱工程時に銀ペーストからの放出ガスのた
めに透光性ガラス薄板１１が押し上げられはがれたりし
ていたがこれが無くなり安定した接着が実現できる。
【００２７】図３は本発明に関係する技術の他の例を示
す断面図である。
す断面図である。
【００２８】図３に示すように、ＴＦＴ５の上の透光性
絶縁膜７と透光性絶縁膜９との間に厚さ５０〜１００ｎ
ｍ程度のアルミニウム膜又はクロム膜等の導電膜からな
る遮光膜１４を設けて接地電極に接続し、入射光Ｌによ
り照射した原稿１３からの反射光１５がＴＦＴ５に入射
するのを防いでいる以外は第１の実施例と同様の構成を
有しており、ＴＦＴ５に入射する光によってスイッチン
グ機能の低下や信号レベルのシフトが生ずることを防止
できる利点がある。
絶縁膜７と透光性絶縁膜９との間に厚さ５０〜１００ｎ
ｍ程度のアルミニウム膜又はクロム膜等の導電膜からな
る遮光膜１４を設けて接地電極に接続し、入射光Ｌによ
り照射した原稿１３からの反射光１５がＴＦＴ５に入射
するのを防いでいる以外は第１の実施例と同様の構成を
有しており、ＴＦＴ５に入射する光によってスイッチン
グ機能の低下や信号レベルのシフトが生ずることを防止
できる利点がある。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光変換素
子部上の透光性絶縁膜上に直接ＩＴＯ膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にＩＴＯ膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたＩＴＯ膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにＩＴＯ膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
子部上の透光性絶縁膜上に直接ＩＴＯ膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にＩＴＯ膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたＩＴＯ膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにＩＴＯ膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光変換素
子部上の透光性絶縁膜上に直接ＩＴＯ膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にＩＴＯ膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたＩＴＯ膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにＩＴＯ膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
子部上の透光性絶縁膜上に直接ＩＴＯ膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にＩＴＯ膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたＩＴＯ膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにＩＴＯ膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
【図１】本発明に関係する技術の一例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順に示した断面図。
工程順に示した断面図。
【図３】本発明に関係する技術の他の例を示す断面図。
【図４】従来の密着型イメージセンサの第１の例を示す
断面図。
断面図。
【図５】従来の密着型イメージセンサの第２の例を示す
断面図。
断面図。
１ 透光性ガラス基板 ２ 接地電極 ３ キャパシタ ４ 光電変換素子アレイ ６ 信号読出配線 ７，９ 透光性絶縁膜 ８，８ａ 開口部 １０ ＩＴＯ膜 １０ａ 透明導電膜 １１ 透光性ガラス薄板 １２ 透光性接着剤 １３ 原稿 １４ 遮光膜 １５ 反射光 １６ 光電変換素子部 １７ 銀ペースト １８ 気泡 ２０ 導電性接着剤 ２１ バッシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 透光性ガラス基板上に光電変換素子部お
よび接地電極を配置して設ける工程と、前記光電変換素
子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜からなる第
１の透光性絶縁膜を形成した後、前記接地電極上の前記
第１の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第１の開
口部を形成する工程と、前記第１の開口部を含む前記第
１の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第２の透光
性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記接地
電極上の前記第２の透光性絶縁膜を選択的にエッチング
して前記第１の開口部に位置合わせし前記接地電極の表
面に達する第２の開口部を設ける工程と、前記第２の開
口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含む前
記第２の透光性絶縁膜の表面にＩＴＯ膜を形成する工程
と、前記ＩＴＯ膜の上に紫外線硬化型の透光性接着剤を
塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄板を
押し当て５〜６Ｋｇ／ｃｍ 2 の圧力に保持された雰囲気
中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ前記
ガラス薄板を固着させる工程とを含むことを特徴とする
密着型イメージセンサの製造方法。 - 【請求項２】 ＩＴＯ膜が第２の開口部を含む第２の透
光性絶縁膜上にスクリーン印刷されたＩＴＯインクを熱
処理して形成される請求項１記載の密着型イメージセン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319555A JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319555A JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169077A JPH06169077A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2596295B2 true JP2596295B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=18111574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4319555A Expired - Lifetime JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596295B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004096079A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP6500405B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-04-17 | 凸版印刷株式会社 | 接触型２次元イメージセンサ素子およびセンサ装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
| JPS63122166A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPS648666A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Contact type image sensor |
| JPS6484754A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Kyocera Corp | Readout device |
| JPH0716012B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1995-02-22 | 株式会社精工舎 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4319555A patent/JP2596295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06169077A (ja) | 1994-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961112 |