JP2596295B2 - 密着型イメージセンサの製造方法 - Google Patents
密着型イメージセンサの製造方法Info
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- JP2596295B2 JP2596295B2 JP4319555A JP31955592A JP2596295B2 JP 2596295 B2 JP2596295 B2 JP 2596295B2 JP 4319555 A JP4319555 A JP 4319555A JP 31955592 A JP31955592 A JP 31955592A JP 2596295 B2 JP2596295 B2 JP 2596295B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は密着型イメージセンサの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】密着型イメージセンサは、集束性レンズ
アレイを使用せずに画像読取装置を構成できるので装置
の小型化、低価格化を実現させるデバイスとして製品化
開発が盛んに行われている。
アレイを使用せずに画像読取装置を構成できるので装置
の小型化、低価格化を実現させるデバイスとして製品化
開発が盛んに行われている。
【0003】しかしながら、このような密着型イメージ
センサは、透光性ガラス薄板等の保護膜と原稿との摩擦
によって発生する静電気により信号転送回路の誤動作や
光電変換素子の破壊等を生ずるという問題があり、原稿
と直接接触する面に透明導電膜を設けて静電気の発生を
抑える方法が採用されていたが、原稿との摩擦により傷
がついたり摩耗する等の欠点があった。この摩耗対策と
して原稿と接触する保護膜の下に透明導電膜を設けるこ
とにより、耐摩耗性を実現させたもの(例えば、特開昭
64−71173号公報又は特開平2−291169号
公報)がある。
センサは、透光性ガラス薄板等の保護膜と原稿との摩擦
によって発生する静電気により信号転送回路の誤動作や
光電変換素子の破壊等を生ずるという問題があり、原稿
と直接接触する面に透明導電膜を設けて静電気の発生を
抑える方法が採用されていたが、原稿との摩擦により傷
がついたり摩耗する等の欠点があった。この摩耗対策と
して原稿と接触する保護膜の下に透明導電膜を設けるこ
とにより、耐摩耗性を実現させたもの(例えば、特開昭
64−71173号公報又は特開平2−291169号
公報)がある。
【0004】図4は従来の密着型イメージセンサの第1
の例(特開昭64−71173号公報参照)を示す断面
図である。
の例(特開昭64−71173号公報参照)を示す断面
図である。
【0005】図4に示すように、透光性ガラス基板1上
に配置して設けた光電変換素子部16を含む表面に透光
性絶縁膜7を被覆する。光電変換素子部16は光電変換
素子アレイ4,スイッチング用薄膜トランジスタ(以下
TFTと記す)5,接地電極2,信号読出配線6などか
らなり透光性ガラス基板1上に配置されている。透光性
絶縁膜7は接地電極2の上に開口部8を設けておく。次
に、透光性ガラス薄板11に予じめ透明導電膜10aを
成膜しておいた基板を、透光性接着剤12を介して透光
性絶縁膜7の上に載置し固着する。透明導電膜10aと
接地電極とはガラス薄板11を載置する前に開口部8内
に導電接着剤例えば銀ペースト17を塗布しておき、硬
化させることによって電気的に接続する。
に配置して設けた光電変換素子部16を含む表面に透光
性絶縁膜7を被覆する。光電変換素子部16は光電変換
素子アレイ4,スイッチング用薄膜トランジスタ(以下
TFTと記す)5,接地電極2,信号読出配線6などか
らなり透光性ガラス基板1上に配置されている。透光性
絶縁膜7は接地電極2の上に開口部8を設けておく。次
に、透光性ガラス薄板11に予じめ透明導電膜10aを
成膜しておいた基板を、透光性接着剤12を介して透光
性絶縁膜7の上に載置し固着する。透明導電膜10aと
接地電極とはガラス薄板11を載置する前に開口部8内
に導電接着剤例えば銀ペースト17を塗布しておき、硬
化させることによって電気的に接続する。
【0006】この密着型イメージセンサでは、原稿が透
光性ガラス薄板11上を密着状態で移動していく際に発
生する静電気によって生ずる信号のレベルシフトや光電
変換素子の破壊を抑制できる。
光性ガラス薄板11上を密着状態で移動していく際に発
生する静電気によって生ずる信号のレベルシフトや光電
変換素子の破壊を抑制できる。
【0007】しかしながら、透光性ガラス基板1と透光
性ガラス薄板11の間に、透光性接着剤12と銀ペース
ト17との異なる材質のものが混在して設けられるため
に硬化条件が異なり、別々に硬化処理せねばならない。
さらに、銀ペースト17を硬化させるための加熱により
予じめ硬化させてあった透光性接着剤中に、銀ペースト
17中からの放出ガスが入り込み気泡18が発生した
り、最悪の場合透光性ガラス薄板11が剥れたりする。
また、透光性ガラス薄板11に予じめ透明導電膜10a
を成膜することは透光性ガラス薄板11の厚みが0.0
3〜0.05mm程度であるため、割れないように取扱
うことが困難で、複雑な高精度の制御が必要となりコス
ト高になる欠点があった。
性ガラス薄板11の間に、透光性接着剤12と銀ペース
ト17との異なる材質のものが混在して設けられるため
に硬化条件が異なり、別々に硬化処理せねばならない。
さらに、銀ペースト17を硬化させるための加熱により
予じめ硬化させてあった透光性接着剤中に、銀ペースト
17中からの放出ガスが入り込み気泡18が発生した
り、最悪の場合透光性ガラス薄板11が剥れたりする。
また、透光性ガラス薄板11に予じめ透明導電膜10a
を成膜することは透光性ガラス薄板11の厚みが0.0
3〜0.05mm程度であるため、割れないように取扱
うことが困難で、複雑な高精度の制御が必要となりコス
ト高になる欠点があった。
【0008】図5は従来の密着型イメージセンサの第2
の例(特開平2−291169号公報参照)を示す断面
図である。
の例(特開平2−291169号公報参照)を示す断面
図である。
【0009】図5に示すように、光電変換素子16を設
置した透光性ガラス基板1上に導電性接着剤20を介し
て透光性ガラス薄板11を接着して構成しており、光電
変換素子16を含む表面に設けたパッシベーション膜2
1の上に透光性の導電性接着剤20を介して透光性ガラ
ス薄板11を載置し固着している。接地電極2との電気
的接続は導電性接着剤20により直接接続され、特に銀
ペーストのような導電接着剤を必要とせず、静電気除去
が確実に実現できる。
置した透光性ガラス基板1上に導電性接着剤20を介し
て透光性ガラス薄板11を接着して構成しており、光電
変換素子16を含む表面に設けたパッシベーション膜2
1の上に透光性の導電性接着剤20を介して透光性ガラ
ス薄板11を載置し固着している。接地電極2との電気
的接続は導電性接着剤20により直接接続され、特に銀
ペーストのような導電接着剤を必要とせず、静電気除去
が確実に実現できる。
【0010】しかし、透光性の導電性接着剤20は特殊
な材料を必要とし透光性ガラス薄板11と基板1との間
に充填されたときに放出ガスにより気泡18が多数発生
し、光学的に分解能を劣化させたり、電気伝導度を低下
させたりする。他にも光電変換素子16上に厚さ1μm
以下のパッシベーション膜21を1層形成しただけなの
で、透光性導電接着剤20との間の浮遊容量が増大して
信号レベルが減少し、総合的なS/Nを大きくできない
という欠点を有する。
な材料を必要とし透光性ガラス薄板11と基板1との間
に充填されたときに放出ガスにより気泡18が多数発生
し、光学的に分解能を劣化させたり、電気伝導度を低下
させたりする。他にも光電変換素子16上に厚さ1μm
以下のパッシベーション膜21を1層形成しただけなの
で、透光性導電接着剤20との間の浮遊容量が増大して
信号レベルが減少し、総合的なS/Nを大きくできない
という欠点を有する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この従来の密着型イメ
ージセンサでは、透光性ガラス薄板に予じめ透明導電膜
を設置したのでは接地電極との電気的接続のための材料
塗布工程と独自の硬化工程とが必要になる。また、導電
性接着剤による透光性ガラス薄板の載置固着は導電性の
劣化と気泡発生により所望の読取り特性が得られないと
いうような問題点があった。
ージセンサでは、透光性ガラス薄板に予じめ透明導電膜
を設置したのでは接地電極との電気的接続のための材料
塗布工程と独自の硬化工程とが必要になる。また、導電
性接着剤による透光性ガラス薄板の載置固着は導電性の
劣化と気泡発生により所望の読取り特性が得られないと
いうような問題点があった。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の密着型イメージ
センサの製造方法は、透光性ガラス基板上に光電変換素
子部および接地電極を配置して設ける工程と、前記光電
変換素子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜から
なる第1の透光性絶縁膜を形成した後前記接地電極上の
前記第1の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第1
の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部を含む前
記第1の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第2の
透光性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記
接地電極上の前記第2の透光性絶縁膜を選択的にエッチ
ングして前記第1の開口部に位置合わせし前記接地電極
の表面に達する第2の開口部を設ける工程と、前記第2
の開口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含
む前記第2の透光性絶縁膜の表面にITO膜を形成する
工程と、前記ITO膜の上に紫外線硬化型の透光性接着
剤を塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄
板を押し当て5〜6Kg/cm2 の圧力に保持された雰
囲気中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ
前記ガラス薄板を固着させる工程とを含んで構成され
る。
センサの製造方法は、透光性ガラス基板上に光電変換素
子部および接地電極を配置して設ける工程と、前記光電
変換素子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜から
なる第1の透光性絶縁膜を形成した後前記接地電極上の
前記第1の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第1
の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部を含む前
記第1の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第2の
透光性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記
接地電極上の前記第2の透光性絶縁膜を選択的にエッチ
ングして前記第1の開口部に位置合わせし前記接地電極
の表面に達する第2の開口部を設ける工程と、前記第2
の開口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含
む前記第2の透光性絶縁膜の表面にITO膜を形成する
工程と、前記ITO膜の上に紫外線硬化型の透光性接着
剤を塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄
板を押し当て5〜6Kg/cm2 の圧力に保持された雰
囲気中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ
前記ガラス薄板を固着させる工程とを含んで構成され
る。
【0013】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0014】図1は本発明に関係する技術の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【0015】図1に示すように、透光性ガラス基板1の
上に設けた光電変換素子アレイ4,電荷蓄積用キャパシ
タ3,信号転送用TFT5,信号読出し配線6などから
なる光電変換素子部16及び接地電極2と、これら光電
変換素子部16及び接地電極2を含む表面に設けた窒化
シリコン膜又は酸化シリコン膜からなる厚さ約500n
mの第1の透光性絶縁膜7と、接地電極2の上の透光性
絶縁膜7に設けたコンタクト用の開口部8と、透光性絶
縁膜7の上に設けたポリイミド系樹脂膜又はアクリル系
樹脂膜等の第2の透光性絶縁膜9と、開口部8に整合し
て透光性絶縁膜9に設けた開口部8aと、開口部8aを
通じて接地電極2に達する部分を含み絶縁膜9の表面を
覆って設けたITO(Indium Tin Oxid
e)膜10と、ITO膜10の上に透光性接着剤12を
介して固着した透光性ガラス薄板11とを有して構成さ
れる。
上に設けた光電変換素子アレイ4,電荷蓄積用キャパシ
タ3,信号転送用TFT5,信号読出し配線6などから
なる光電変換素子部16及び接地電極2と、これら光電
変換素子部16及び接地電極2を含む表面に設けた窒化
シリコン膜又は酸化シリコン膜からなる厚さ約500n
mの第1の透光性絶縁膜7と、接地電極2の上の透光性
絶縁膜7に設けたコンタクト用の開口部8と、透光性絶
縁膜7の上に設けたポリイミド系樹脂膜又はアクリル系
樹脂膜等の第2の透光性絶縁膜9と、開口部8に整合し
て透光性絶縁膜9に設けた開口部8aと、開口部8aを
通じて接地電極2に達する部分を含み絶縁膜9の表面を
覆って設けたITO(Indium Tin Oxid
e)膜10と、ITO膜10の上に透光性接着剤12を
介して固着した透光性ガラス薄板11とを有して構成さ
れる。
【0016】ここで、透光性ガラス薄板11は厚さが約
0.05〜0.1mmで、例えば日本電気硝子製のBL
C薄板ガラスを使用し、透光性ガラス基板1と熱的整合
性を保持し、原稿13との摩擦により摩耗しないような
高度の材料を使用している。
0.05〜0.1mmで、例えば日本電気硝子製のBL
C薄板ガラスを使用し、透光性ガラス基板1と熱的整合
性を保持し、原稿13との摩擦により摩耗しないような
高度の材料を使用している。
【0017】このような構造の密着型イメージセンサ
は、透光性ガラス薄板11の上面と原稿13との摩擦に
よって静電気が発生した場合、接地電位のITO膜10
によって光電変換素子アレイ4,電荷蓄積用キャパシタ
3,信号転送用TFT5,信号読出し配線6などの光電
変換素子部16が電気的にシールドされているので光電
変換信号への影響を実用上無視できる。
は、透光性ガラス薄板11の上面と原稿13との摩擦に
よって静電気が発生した場合、接地電位のITO膜10
によって光電変換素子アレイ4,電荷蓄積用キャパシタ
3,信号転送用TFT5,信号読出し配線6などの光電
変換素子部16が電気的にシールドされているので光電
変換信号への影響を実用上無視できる。
【0018】また、電荷キャパシタ3,TFT5,信号
読出配線6などと、このITO膜10との間で作られる
浮遊容量は、誘電体層として第1の透光性絶縁膜7の厚
さ約500nmの無機絶縁膜と厚さ5μm〜10μm程
度の有機絶縁膜で誘電率εrの小さい第2の透光性絶縁
膜9との積層を設けているので小さい値に抑えることが
可能になる。したがって、密着型イメージセンサを構成
する各素子部のパターン設計が容易になり、低雑音で再
現性の良い性能を得ることが出来る。
読出配線6などと、このITO膜10との間で作られる
浮遊容量は、誘電体層として第1の透光性絶縁膜7の厚
さ約500nmの無機絶縁膜と厚さ5μm〜10μm程
度の有機絶縁膜で誘電率εrの小さい第2の透光性絶縁
膜9との積層を設けているので小さい値に抑えることが
可能になる。したがって、密着型イメージセンサを構成
する各素子部のパターン設計が容易になり、低雑音で再
現性の良い性能を得ることが出来る。
【0019】また、透光性ガラス薄板11の上面は、と
くに静電気対策のための導電層および耐摩耗層は予め設
置していない。このため、部材コストは低減され、低価
格の密着センサが可能になり、生産性の面でも、従来の
ものは表裏のチェックを常に電気的な確認をしながら透
光性ガラス薄板11を載置していたがこれが不要とな
る。
くに静電気対策のための導電層および耐摩耗層は予め設
置していない。このため、部材コストは低減され、低価
格の密着センサが可能になり、生産性の面でも、従来の
ものは表裏のチェックを常に電気的な確認をしながら透
光性ガラス薄板11を載置していたがこれが不要とな
る。
【0020】図2(a)〜(e)は本発明の一実施例の
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【0021】まず、図2(a)に示すように、透光性ガ
ラス基板1(例えばダウコーニング社製の硼珪酸ガラス
7059等のガラス基板)上に、光電変換素子アレイ
4,電荷蓄積用キャパシタ3,信号転送用TFT5,信
号読出し配線6等からなる光変換素子部16と、接地電
極2をスパッタ,プラズマCVD法を用いて成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニン
グし形成する。アモルファスシリコン膜を光電変換材料
に用いた場合には、電極材料および絶縁材料などを積層
して構成されるが、約1μm以上凹凸が発生する。
ラス基板1(例えばダウコーニング社製の硼珪酸ガラス
7059等のガラス基板)上に、光電変換素子アレイ
4,電荷蓄積用キャパシタ3,信号転送用TFT5,信
号読出し配線6等からなる光変換素子部16と、接地電
極2をスパッタ,プラズマCVD法を用いて成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニン
グし形成する。アモルファスシリコン膜を光電変換材料
に用いた場合には、電極材料および絶縁材料などを積層
して構成されるが、約1μm以上凹凸が発生する。
【0022】次に、図2(b)に示すように、これら光
電変換素子部16および接地電極2を含む表面に光電変
換素子部16の安定化のためのパッシベーション効果と
絶縁性を向上させるための絶縁膜としてプラズマCVD
法により窒化シリコン膜等からなる第1の透光性絶縁膜
7を400nmの厚さに堆積し、接地電極2の上の透光
性絶縁膜7を選択的にエッチングして開口部8を形成す
る。
電変換素子部16および接地電極2を含む表面に光電変
換素子部16の安定化のためのパッシベーション効果と
絶縁性を向上させるための絶縁膜としてプラズマCVD
法により窒化シリコン膜等からなる第1の透光性絶縁膜
7を400nmの厚さに堆積し、接地電極2の上の透光
性絶縁膜7を選択的にエッチングして開口部8を形成す
る。
【0023】次に、図2(c)に示すように、開口部8
を含む表面にアクリルあるいはポリイミド樹脂材をスピ
ンナで塗布して硬化させ、フォトリソグラフィ技術でパ
ターニングするか、あるいはスクリーン印刷により塗布
して硬化させることにより開口部8と位置合せした開口
部8aを有する第2の透光性絶縁膜9を2〜10μmの
厚さに形成する。
を含む表面にアクリルあるいはポリイミド樹脂材をスピ
ンナで塗布して硬化させ、フォトリソグラフィ技術でパ
ターニングするか、あるいはスクリーン印刷により塗布
して硬化させることにより開口部8と位置合せした開口
部8aを有する第2の透光性絶縁膜9を2〜10μmの
厚さに形成する。
【0024】次に、図2(d)に示すように、開口部8
aを含む表面にITOを主成分とするITOインクをス
クリーン印刷して150〜200℃の温度で1時間程度
熱処理し、2μmの厚さで500Ω/□程度のシート抵
抗を有するITO膜10を形成する。
aを含む表面にITOを主成分とするITOインクをス
クリーン印刷して150〜200℃の温度で1時間程度
熱処理し、2μmの厚さで500Ω/□程度のシート抵
抗を有するITO膜10を形成する。
【0025】次に、図2(e)に示すように、ITO膜
10の上に紫外線硬化型の透明接着剤12を塗布して厚
さ0.05〜0.1mm(例えば日本電気硝子製のBL
C薄板ガラス)の透光性ガラス薄板11を載せて押し当
てた状態で紫外線を約2000mJの照射量で照射して
透明接着剤12を硬化させ固着する。この時発生する気
泡を外部環境を陰圧あるいは陽圧に保持し必要に応じて
脱泡する。陽圧にする場合の方が5〜6kg/cm2 の
圧力を気泡に印加できるので有効である。
10の上に紫外線硬化型の透明接着剤12を塗布して厚
さ0.05〜0.1mm(例えば日本電気硝子製のBL
C薄板ガラス)の透光性ガラス薄板11を載せて押し当
てた状態で紫外線を約2000mJの照射量で照射して
透明接着剤12を硬化させ固着する。この時発生する気
泡を外部環境を陰圧あるいは陽圧に保持し必要に応じて
脱泡する。陽圧にする場合の方が5〜6kg/cm2 の
圧力を気泡に印加できるので有効である。
【0026】このような密着型イメージセンサの製造方
法は、静電気を除去するために接地したITO膜10が
開口部8aの接地電極2に直接接続される。このため従
来例で必要とした透光性導電膜と接地電極2とを接続す
るための銀ペーストが不要となり、この銀ペーストの硬
化のための加熱工程時に銀ペーストからの放出ガスのた
めに透光性ガラス薄板11が押し上げられはがれたりし
ていたがこれが無くなり安定した接着が実現できる。
法は、静電気を除去するために接地したITO膜10が
開口部8aの接地電極2に直接接続される。このため従
来例で必要とした透光性導電膜と接地電極2とを接続す
るための銀ペーストが不要となり、この銀ペーストの硬
化のための加熱工程時に銀ペーストからの放出ガスのた
めに透光性ガラス薄板11が押し上げられはがれたりし
ていたがこれが無くなり安定した接着が実現できる。
【0027】図3は本発明に関係する技術の他の例を示
す断面図である。
す断面図である。
【0028】図3に示すように、TFT5の上の透光性
絶縁膜7と透光性絶縁膜9との間に厚さ50〜100n
m程度のアルミニウム膜又はクロム膜等の導電膜からな
る遮光膜14を設けて接地電極に接続し、入射光Lによ
り照射した原稿13からの反射光15がTFT5に入射
するのを防いでいる以外は第1の実施例と同様の構成を
有しており、TFT5に入射する光によってスイッチン
グ機能の低下や信号レベルのシフトが生ずることを防止
できる利点がある。
絶縁膜7と透光性絶縁膜9との間に厚さ50〜100n
m程度のアルミニウム膜又はクロム膜等の導電膜からな
る遮光膜14を設けて接地電極に接続し、入射光Lによ
り照射した原稿13からの反射光15がTFT5に入射
するのを防いでいる以外は第1の実施例と同様の構成を
有しており、TFT5に入射する光によってスイッチン
グ機能の低下や信号レベルのシフトが生ずることを防止
できる利点がある。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光変換素
子部上の透光性絶縁膜上に直接ITO膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にITO膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたITO膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにITO膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
子部上の透光性絶縁膜上に直接ITO膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にITO膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたITO膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにITO膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光変換素
子部上の透光性絶縁膜上に直接ITO膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にITO膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたITO膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにITO膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
子部上の透光性絶縁膜上に直接ITO膜を設けさらに透
光性絶縁膜に設けた開口部を介して接地電極にITO膜
を電気的に接続していることにより、従来例で必要とし
た透明導電膜と接地電極との間の導通を取るための銀ペ
ーストのような導電材の塗布を必要とせず、また、平坦
化されたITO膜上への透光性ガラス薄板の載置固着方
法により、基板間内の気泡発生の無い歩留りの高い製造
方法が得られるという効果を有する。とくにITO膜は
最適の硬化処理条件で設置できるので、低抵抗化が容易
に実現され、高信頼の密着型イメージセンサが得られ
る。
【図1】本発明に関係する技術の一例を示す断面図。
【図2】本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順に示した断面図。
工程順に示した断面図。
【図3】本発明に関係する技術の他の例を示す断面図。
【図4】従来の密着型イメージセンサの第1の例を示す
断面図。
断面図。
【図5】従来の密着型イメージセンサの第2の例を示す
断面図。
断面図。
1 透光性ガラス基板 2 接地電極 3 キャパシタ 4 光電変換素子アレイ 6 信号読出配線 7,9 透光性絶縁膜 8,8a 開口部 10 ITO膜 10a 透明導電膜 11 透光性ガラス薄板 12 透光性接着剤 13 原稿 14 遮光膜 15 反射光 16 光電変換素子部 17 銀ペースト 18 気泡 20 導電性接着剤 21 バッシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項1】 透光性ガラス基板上に光電変換素子部お
よび接地電極を配置して設ける工程と、前記光電変換素
子部および接地電極を含む表面に無機絶縁膜からなる第
1の透光性絶縁膜を形成した後、前記接地電極上の前記
第1の透光性絶縁膜を選択的にエッチングして第1の開
口部を形成する工程と、前記第1の開口部を含む前記第
1の透光性絶縁膜の上に有機絶縁膜からなる第2の透光
性絶縁膜を形成して表面を平坦化する工程と、前記接地
電極上の前記第2の透光性絶縁膜を選択的にエッチング
して前記第1の開口部に位置合わせし前記接地電極の表
面に達する第2の開口部を設ける工程と、前記第2の開
口部を通じて前記接地電極の表面に達する部分を含む前
記第2の透光性絶縁膜の表面にITO膜を形成する工程
と、前記ITO膜の上に紫外線硬化型の透光性接着剤を
塗布した後前記透光性接着剤の上に透光性ガラス薄板を
押し当て5〜6Kg/cm 2 の圧力に保持された雰囲気
中で前記透光性接着剤に紫外線を照射して硬化させ前記
ガラス薄板を固着させる工程とを含むことを特徴とする
密着型イメージセンサの製造方法。 - 【請求項2】 ITO膜が第2の開口部を含む第2の透
光性絶縁膜上にスクリーン印刷されたITOインクを熱
処理して形成される請求項1記載の密着型イメージセン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4319555A JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4319555A JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06169077A JPH06169077A (ja) | 1994-06-14 |
JP2596295B2 true JP2596295B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=18111574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4319555A Expired - Lifetime JP2596295B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2596295B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004096079A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法 |
JP6500405B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-04-17 | 凸版印刷株式会社 | 接触型2次元イメージセンサ素子およびセンサ装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63122166A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
JPS648666A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Contact type image sensor |
JPS6484754A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Kyocera Corp | Readout device |
JPH0716012B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1995-02-22 | 株式会社精工舎 | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4319555A patent/JP2596295B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06169077A (ja) | 1994-06-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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