JPH0626247B2 - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えばフアクシミリ等に用いられ、原稿など
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージセン
サの製造方法に係り、特にその光電変換素子と駆動回路
とを電気的に接続する工程に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、フアクシミリ等に用いられる画像読取り装置を小
型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んで
ある。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の
解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて
画像情報を読取るイメージセンサである。

このイメージセンサは、光の強弱を電気信号に変換する
光電変換素子とこの光電変換素子から電気出力を信号処
理する駆動回路とから基本的に構成されている。この光
電変換素子は、駆動回路とワイヤボンデング、フレキシ
ブルテープ、導体配線、またはスルーホール等により接
続されている。この駆動回路を大別すると、導体配線を
マトリツクス状にパターン化したものと、アナログスイ
ツチ機能を有した集積回路を実装したものとの２種類あ
る。

一方、光電変換素子は例えば薄膜積層構造をとる。光電
変換素子特に薄膜積層構造の光電変換素子は、まずセラ
ミツク基板上にCrからなる個別電極とCrからなる共通電
極の一部を形成する。この後、 a−Siを略１μｍ乃至２
μｍ、個別電極とセラミツク基板の表面上に（共通電極
上に被着しないように）積層し、光電変換膜を形成す
る。次に共通電極を完全に形成するため、光電変換膜上
にＩＴＯを共通電極と接続する様に形成する。それと平
行して、個別電極上にAuからなるボンデングパツドを形
成する。

この光電変換素子では、共通電極と個別電極との間隔が
通常は非常に狭く略１μｍ乃至２μｍ前後である。この
ため、共通電極と個別電極との間の電位差により光電変
換素子の素子破壊が発生する危険がある。本発明者ら
が、行なつた実験の一例では、光電変換膜に１．５μｍ
厚の a−Si：Ｈ薄膜を使用した際、印加電圧30Ｖ以上と
すると光電変換素子の素子破壊が発生することを確認し
た。したがつてイメージセンサ特に光電変換素子の製造
工程では、静電気等の外部要因により光電変換素子の共
通電極および（または）個別電極に電荷が帯電し、光電
変換素子に過大な電圧付加が加わらないように充分注意
する必要がある。

ところで、従来のイメージセンサ特に光電変換素子と駆
動回路との電気的接続例えばワイヤボンデングを用いる
接続工程では、ボンデイングツール等を介して光電変換
素子に電荷が帯電することが多く、またこの電荷を逃が
す方法が皆無であつたため光電変換素子の素子破壊の発
生率が高くなる。このため、イメージセンサの製造歩留
が低下し、製造コストが増加する問題があり、イメージ
センサの低価格化という技術課題に反する危険がある。

〔発明の目的〕

本発明は上述の問題を鑑みてなされたものであり、光電
変換素子の素子破壊を防止し、かつ製造歩留が高いイメ
ージセンサの製造方法を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

上述の目的を達成するため、本発明のイメージセンサの
製造方法は、光電変換素子と駆動回路とを電気的に接続
する工程時に、少なくとも光電変換素子面に光照射を行
なうことを特徴としている。このため、光電変換素子の
素子破壊を防止することができる。

〔発明の実施例〕

以下本発明の一実施例を第１図乃至第２図(d)を参照し
て説明する。

第２図(a)において、セラミツク基板の表面上に厚さ250
0ÅのCrをスパツタリング、真空蒸着等で被着する。そ
の後、エツチングまたはドライエツチング等の技術を用
いて、第２図(b)に示す如く個別電極(2)と共通電極の一
部(3)を形成する。次に第２図(c)に示す如く、個別電極
(2)の一部とセラミツク基板(1)の表面とに a−Siを略１
μｍ乃至２μｍの厚さにプラズマＣＶＤ等で形成し、光
電変換膜(4)を構成する。その次に、第２図(d)に示す如
く、共通電極を完全に形成するため、共通電極の一部
(3)と光電変換膜(4)とを接続するようにＩＴＯ(5)を厚
さ800Åでスパツタリング等の技術で形成する。この共
通電極の一部(3)とＩＴＯ(5)とで共通電極が形成され
る。最後に、個別電極(2)上にAuを被着することによ
り、ボンデイングパツド(6)を形成し、光電変換素子が
構成される。

第１図において、第２図(d)の如く形成された光電変換
素子基板(10)を鉄板(30)上に接着部材（図示せず）を介
して固定する。その後、この鉄板(30)上に駆動回路が形
成された駆動回路基板(20)を接着部材（図示せず）を介
して固定する。この駆動回路基板(20)上には、駆動回路
例えばＩＣ(21)が載置されており、このＩＣ(21)は、リ
ード線(22)，(23)とワイヤボンデイング(24)を介して電
気的に接続されている。この光電変換素子とＩＣ(21)と
をワイヤボンデイング(25)を用いて電気的に接続する
際、光(41)を照射する。このため光電変換素子の個別電
極(2)および（または）共通電極(3)，(5)に帯電した電
荷を導通し、電圧付加を解消することができる。この光
照射の光は、イメージセンサの感度に光の波長をあわせ
たとき、最も効果があることを本発明者らは確認した。
すなわち、光の波長が実質的に400nm（ナノメータ）乃
至700nm（ナノメータ）の範囲にあるとき、最も効果が
ある。

また、光照射の光と照度は、実質的に1,000LX（ルツク
ス）乃至20,000LX（ルツクス）の範囲にあると、光電変
換素子の個別電極および（または）共通電極に帯電した
電荷を導通するのに最も適しており、光電変換素子の素
子破壊を防止することができる。

なお、第１図中(42)はボンデイングパツドである。

次に、第３図及び第４図を参照して本発明の他の実施例
を説明する。なお、同所同部材には同符号を付する。

第３図は、光電変換素子基板(10)を駆動回路基板(61)上
に接着部材(62)を介して載置されているものである。

また、第４図に示したものは、光電変換素子と駆動回路
とを同一基板(71)上に載置したものである。

この第３図または第４図に示したイメージセンサも第１
図に示したイメージセンサと同じ製造工程により製造さ
れる。

なお、上述の実施例では、光電変換素子と駆動回路とを
電気的に接続する際のみに光照射する実施例で説明した
が、本発明はこれに限られず、例えば全工程中に光照射
しても良い。さらに、光電変換素子と駆動回路とを電気
的に接続する手段は、フレキシブルテープ、導体配線、
またはスルーホール等によつても良いことは言うまでも
ない。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明のイメージセンサの製造方法は、少
なくとも光電変換素子と駆動回路との電気的接続工程時
において、光照射を行なうことにより、光電変換素子の
素子破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のイメージセンサの製造方法を説明する
ための模式断面図、第２図(a)乃至第２図(d)は本発明の
イメージセンサの光電変換素子の製造工程を説明するた
めの説明簡略図、第３図乃至第４図は本発明のイメージ
センサの製造方法の他の実施例を示す模式断面図であ
る。 (2)……個別電極 (3)……共通電極の一部 (4)……光電変換膜 (5)……ＩＴＯ (21)……ＩＣ (41)……光

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の高抵抗基体上に共通電極と光電変換
   膜とこの光電変換膜を介してこの共通電極と電気的に接
   続する個別電極とからなる光電変換素子を形成する工程
   と、 第２の高抵抗基体上に前記光電変換素子からの出力信号
   を処理する駆動回路を形成する工程と、 前記光電変換素子と前記駆動回路とを電気的に接続する
   工程とを少なくとも具備したイメージセンサの製造方法
   において、 前記光電変換素子と前記駆動回路とを電気的に接続する
   工程時には、少なくとも前記光電変換素子面に光照射を
   行なうことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
2. 【請求項２】前記光照射の光の波長は、実質的に400nm
   （ナノメータ）乃至700nm（ナノメータ）の範囲にある
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージ
   センサの製造方法。
3. 【請求項３】前記光照射の光の照度は、実質的に1,000L
   X（ルツクス）乃至20,000LX（ルツクス）の範囲にある
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージ
   センサの製造方法。
4. 【請求項４】前記第１の高抵抗基体と前記第２の高抵抗
   基体とは、同一基体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のイメージセンサの製造方法。
5. 【請求項５】前記第１の高抵抗基体と前記第２の高抵抗
   基体とは、別基体であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のイメージセンサの製造方法。
6. 【請求項６】前記光電変換素子と前記駆動回路とを接続
   する手段は、ワイヤボンデイング、フレキシブルテー
   プ、導体配線、またはスルーホールのいずれかの手段に
   よることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメ
   ージセンサの製造方法。