JPH079386Y2 - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH079386Y2 JPH079386Y2 JP1988114972U JP11497288U JPH079386Y2 JP H079386 Y2 JPH079386 Y2 JP H079386Y2 JP 1988114972 U JP1988114972 U JP 1988114972U JP 11497288 U JP11497288 U JP 11497288U JP H079386 Y2 JPH079386 Y2 JP H079386Y2
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- JP
- Japan
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- sensor
- chip
- bonding
- drive circuit
- circuit board
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、画像の読み取りを行なうイメージセンサに係
り、特にセンサ基板のセンサ部と駆動回路基板に実装さ
れたICチップとを高密度に接続するためのイメージセン
サの構造に関する。
り、特にセンサ基板のセンサ部と駆動回路基板に実装さ
れたICチップとを高密度に接続するためのイメージセン
サの構造に関する。
（従来の技術） 密着型イメージセンサは、原稿とほぼ同一幅の光電変換
部としてのセンサ部をアモルファスシリコン（ａ−Si）
等で形成している。従って、原稿に描かれた画像を読み
取る際、原稿とセンサ部とをほぼ密着して用いることが
でき、縮小光学系を必要としない大面積デバイスとして
の使用が可能となり、読み取り装置の小型化が実現でき
る。
部としてのセンサ部をアモルファスシリコン（ａ−Si）
等で形成している。従って、原稿に描かれた画像を読み
取る際、原稿とセンサ部とをほぼ密着して用いることが
でき、縮小光学系を必要としない大面積デバイスとして
の使用が可能となり、読み取り装置の小型化が実現でき
る。
密着型イメージセンサは、例えば第２図にその平面図、
第３図に第２図のIII-III´線断面図を示すように、セ
ンサ基板11上に形成されたセンサ部12と、このセンサ部
12の駆動を行なうため駆動回路基板13上に実装されたIC
チップ14と、このICチップ14に制御信号，電源等の各種
信号の供給を行なうため駆動回路基板13上に形成された
外部接続用配線15とによって構成される。
第３図に第２図のIII-III´線断面図を示すように、セ
ンサ基板11上に形成されたセンサ部12と、このセンサ部
12の駆動を行なうため駆動回路基板13上に実装されたIC
チップ14と、このICチップ14に制御信号，電源等の各種
信号の供給を行なうため駆動回路基板13上に形成された
外部接続用配線15とによって構成される。
センサ部12は、センサ基板11上にCrの着膜及びフォトリ
ソエッチングプロセスにより複数の下部電極21としての
クロムパターンを形成し、これらを覆うように光電変換
層22としてのアモルファスシリコン層パターンを形成
し、この光電変換層22を覆うように上部電極23としての
酸化インジウム・スズ層パターンを形成した複数のサン
ドイッチ型センサを並設して成る。
ソエッチングプロセスにより複数の下部電極21としての
クロムパターンを形成し、これらを覆うように光電変換
層22としてのアモルファスシリコン層パターンを形成
し、この光電変換層22を覆うように上部電極23としての
酸化インジウム・スズ層パターンを形成した複数のサン
ドイッチ型センサを並設して成る。
以上説明した密着型イメージセンサでは、センサ基板11
と駆動回路基板13とは異なる材質で形成されているが、
これは微細加工が必要な部分のみガラス製のセンサ基板
11上に薄膜プロセスで形成し、他の部分はガラスエポキ
シ製の駆動回路基板13上にプリント配線で形成すること
により密着型イメージセンサの製造コストの軽減を図っ
たものである。
と駆動回路基板13とは異なる材質で形成されているが、
これは微細加工が必要な部分のみガラス製のセンサ基板
11上に薄膜プロセスで形成し、他の部分はガラスエポキ
シ製の駆動回路基板13上にプリント配線で形成すること
により密着型イメージセンサの製造コストの軽減を図っ
たものである。
そして、センサ部12の下部電極21からの引き出し電極21
aがICチップ14近傍位置になるように、支持板31上にセ
ンサ基板11及び駆動回路基板13を固定し、引き出し電極
21aとICチップ14のパッド，外部接続用配線15とICチッ
プ14のパッドとをそれぞれボンディングワイヤ41,42を
介して接続していた。
aがICチップ14近傍位置になるように、支持板31上にセ
ンサ基板11及び駆動回路基板13を固定し、引き出し電極
21aとICチップ14のパッド，外部接続用配線15とICチッ
プ14のパッドとをそれぞれボンディングワイヤ41,42を
介して接続していた。
（考案が解決しようとする課題） ワイヤボンディングは、第４図に示すように、中央にAu
ワイヤ100を貫通させた逆円錐形のキャピラリツール200
を動作させることによって行なう。例えば引き出し電極
21aとICチップのパッドとのワイヤボンディングを行な
うときには、先ずAuワイヤ100の先端に球状を形成し、
これをICチップ14のパッド上に押し潰すことによってAu
ワイヤ100とICチップ14のパッドとを接続し、次にキャ
ピラリツール200を動作させAuワイヤ100の周面一部をセ
ンサ部12の引き出し電極21aに接続する（第５図）。そ
して、ワイヤボンディングを行なう際、隣接するボンデ
ィングワイヤ41とキャピラリツール200の表面とが接触
しないように、既に接続されたボンディングワイヤ41´
（第４図）から離してボンディングを行なう。
ワイヤ100を貫通させた逆円錐形のキャピラリツール200
を動作させることによって行なう。例えば引き出し電極
21aとICチップのパッドとのワイヤボンディングを行な
うときには、先ずAuワイヤ100の先端に球状を形成し、
これをICチップ14のパッド上に押し潰すことによってAu
ワイヤ100とICチップ14のパッドとを接続し、次にキャ
ピラリツール200を動作させAuワイヤ100の周面一部をセ
ンサ部12の引き出し電極21aに接続する（第５図）。そ
して、ワイヤボンディングを行なう際、隣接するボンデ
ィングワイヤ41とキャピラリツール200の表面とが接触
しないように、既に接続されたボンディングワイヤ41´
（第４図）から離してボンディングを行なう。
しかし、ICチップ14の上面とセンサ基板11の上面との高
低差が大きいとキャピラリツール200の上下動が大きく
なり、キャピラリツール200の先端が逆円錐形であるの
に起因してキャピラリツール200の表面とボンディング
ワイヤ41とが接触するおそれがあった。これを防止する
ためにはボンディングの間隔を広くする必要があり、そ
の結果ボンディング密度を粗くするという欠点があっ
た。
低差が大きいとキャピラリツール200の上下動が大きく
なり、キャピラリツール200の先端が逆円錐形であるの
に起因してキャピラリツール200の表面とボンディング
ワイヤ41とが接触するおそれがあった。これを防止する
ためにはボンディングの間隔を広くする必要があり、そ
の結果ボンディング密度を粗くするという欠点があっ
た。
また、ボンディングワイヤ41で接続するICチップ14の上
面とセンサ基板11との高低差が大きいと、ボンディング
ワイヤ41の全長が長くなり、その自重で中央部41aが弛
んでICチップ14の角部14aに接触し、ショートしてしま
うというおそれがあった。
面とセンサ基板11との高低差が大きいと、ボンディング
ワイヤ41の全長が長くなり、その自重で中央部41aが弛
んでICチップ14の角部14aに接触し、ショートしてしま
うというおそれがあった。
本考案は上記実情に鑑みてなされたもので、センサ部と
ICチップとを接続するワイヤボンディングのボンディン
グ密度の向上を図るとともに、ボンディングの信頼性を
図ることができるイメーセンサの構造を提供することを
目的とする。
ICチップとを接続するワイヤボンディングのボンディン
グ密度の向上を図るとともに、ボンディングの信頼性を
図ることができるイメーセンサの構造を提供することを
目的とする。
（問題点を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するため本考案に係るイメー
ジセンサは、センサ部を有するセンサ基板と、ICチップ
を実装した駆動回路基板とを支持板上に設置し、センサ
部とICチップとをボンディングワイヤで接続する分離型
イメージセンサにおいて、次の構成を特徴としている。
ジセンサは、センサ部を有するセンサ基板と、ICチップ
を実装した駆動回路基板とを支持板上に設置し、センサ
部とICチップとをボンディングワイヤで接続する分離型
イメージセンサにおいて、次の構成を特徴としている。
前記支持板のセンサ基板設置面を、前記支持板の駆動回
路基板設置面に対して凸部として形成し、センサ部のボ
ンディング面と、ICチップのボンディング面とが略同一
平面上に位置するようにする。
路基板設置面に対して凸部として形成し、センサ部のボ
ンディング面と、ICチップのボンディング面とが略同一
平面上に位置するようにする。
（作用） 本考案によれば、センサ基板におけるセンサ部のボンデ
ィング面と、駆動回路基板に実装されたICチップのボン
ディング面とが略同一平面に位置するように構成したの
で、センサ部のボンディング面とICチップのボンディン
グ面との高低差をなくすことができる。
ィング面と、駆動回路基板に実装されたICチップのボン
ディング面とが略同一平面に位置するように構成したの
で、センサ部のボンディング面とICチップのボンディン
グ面との高低差をなくすことができる。
（実施例） 本考案の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図に実施例に係るイメージセンサの断面図を示す。
本実施例にイメージセンサは、センサ部12を上部に形成
したガラス製のセンサ基板１と、外部接続用配線15を上
部に形成したガラスエポキシ製の駆動回路基板２を、支
持板３上に設置している。
したガラス製のセンサ基板１と、外部接続用配線15を上
部に形成したガラスエポキシ製の駆動回路基板２を、支
持板３上に設置している。
支持板３の上面には、センサ基板１を設置するセンサ基
板設置部3aと駆動回路基板２を設置する駆動回路基板設
置部3bが設けられ、このセンサ基板設置部3aは、駆動回
路基板設置部3bに対して凸状に形成されている。駆動回
路基板設置部3bに設置された駆動回路基板２にはICチッ
プ14が実装され、このICチップ14の上面と前記センサ基
板設置部3a上に設置されるセンサ基板１の上面とが略同
一平面上に位置するように構成している。
板設置部3aと駆動回路基板２を設置する駆動回路基板設
置部3bが設けられ、このセンサ基板設置部3aは、駆動回
路基板設置部3bに対して凸状に形成されている。駆動回
路基板設置部3bに設置された駆動回路基板２にはICチッ
プ14が実装され、このICチップ14の上面と前記センサ基
板設置部3a上に設置されるセンサ基板１の上面とが略同
一平面上に位置するように構成している。
従って、センサ部12の下部電極とICチップ14のパッドと
をワイヤボンディングする際、センサ部12側とICチップ
14側とに高低差がないので、前述したキャピラリツール
200の上下動を最小限にすることができると共に、両者
間に接続されるボンディングワイヤ41の全長を短くする
ことができる。
をワイヤボンディングする際、センサ部12側とICチップ
14側とに高低差がないので、前述したキャピラリツール
200の上下動を最小限にすることができると共に、両者
間に接続されるボンディングワイヤ41の全長を短くする
ことができる。
（考案の効果） 上述したように本考案は、センサ基板におけるセンサ部
のボンディング面と駆動回路基板に実装されたICチップ
のボンディング面とが略同一平面上に位置するように構
成し、両者の高低差をなくしたので、キャピラリツール
の上下動を最小限にすることができるので、ワイヤボン
ディングする際、キャピラリツールの表面と既に接続さ
れたボンディングワイヤとの接触を防止できボンディン
グ密度の向上を図ることができる。
のボンディング面と駆動回路基板に実装されたICチップ
のボンディング面とが略同一平面上に位置するように構
成し、両者の高低差をなくしたので、キャピラリツール
の上下動を最小限にすることができるので、ワイヤボン
ディングする際、キャピラリツールの表面と既に接続さ
れたボンディングワイヤとの接触を防止できボンディン
グ密度の向上を図ることができる。
またセンサ基板におけるセンサ部のボンディング面と駆
動回路基板に実装されたICチップのボンディング面との
高低差をなくしたので、両者間に接続されるボンディン
グワイヤの全長を短くすることができ、自重によりその
中央部が弛んでICチップの角部に接触することを防止し
てボンディング（半導体）の信頼性の向上を図ることが
できる。
動回路基板に実装されたICチップのボンディング面との
高低差をなくしたので、両者間に接続されるボンディン
グワイヤの全長を短くすることができ、自重によりその
中央部が弛んでICチップの角部に接触することを防止し
てボンディング（半導体）の信頼性の向上を図ることが
できる。
第１図は本考案実施例のイメージセンサを示す断面説明
図、第２図は従来のイメージセンサを示す平面説明図、
第３図は第２図のイメージセンサのIII-III´線断面説
明図、第４図はキャピラリツールによるワイヤボンディ
ングの説明図、第５図はセンサ部とICチップとの接続部
分を示す説明図である。 １……センサ基板 ２……駆動回路基板 ３……支持板 3a……センサ基板設置部 3b……駆動回路基板設置部 12……センサ部 14……ICチップ 41……ボンディングワイヤ
図、第２図は従来のイメージセンサを示す平面説明図、
第３図は第２図のイメージセンサのIII-III´線断面説
明図、第４図はキャピラリツールによるワイヤボンディ
ングの説明図、第５図はセンサ部とICチップとの接続部
分を示す説明図である。 １……センサ基板 ２……駆動回路基板 ３……支持板 3a……センサ基板設置部 3b……駆動回路基板設置部 12……センサ部 14……ICチップ 41……ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】センサ部を有するセンサ基板と、ICチップ
を実装した駆動回路基板とを支持板上に設置し、センサ
部とICチップとをボンディングワイヤで接続する分割型
イメージセンサにおいて、 前記支持板のセンサ基板設置面を、前記支持板の駆動回
路基板設置面に対して凸部として形成し、 センサ部のボンディング面と、ICチップのボンディング
面とが略同一平面上に位置することを特徴とするイメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988114972U JPH079386Y2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988114972U JPH079386Y2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236057U JPH0236057U (ja) | 1990-03-08 |
| JPH079386Y2 true JPH079386Y2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=31356205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988114972U Expired - Lifetime JPH079386Y2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079386Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4231328B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2009-02-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5293285A (en) * | 1976-02-02 | 1977-08-05 | Hitachi Ltd | Structure for semiconductor device |
| JPH0626247B2 (ja) * | 1985-07-18 | 1994-04-06 | 株式会社東芝 | イメ−ジセンサの製造方法 |
| JPS6229162A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH0734464B2 (ja) * | 1986-07-24 | 1995-04-12 | 株式会社東芝 | 読取装置 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP1988114972U patent/JPH079386Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236057U (ja) | 1990-03-08 |
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