JPS60231336A - プロ−ブ・カ−ド - Google Patents
プロ−ブ・カ−ドInfo
- Publication number
- JPS60231336A JPS60231336A JP8719184A JP8719184A JPS60231336A JP S60231336 A JPS60231336 A JP S60231336A JP 8719184 A JP8719184 A JP 8719184A JP 8719184 A JP8719184 A JP 8719184A JP S60231336 A JPS60231336 A JP S60231336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probes
- pad electrode
- contact
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・産業上の利用分野
本発明は、半導体素子の測定に使用されるプローブ・カ
ードに関する。
ードに関する。
・従来の技術
従来、プローブ・カードにおける探針の取り付けは測定
しようとする半導体素子のパッド電極の位置に合わせて
各々探針の位置を定め、しかる後例えば貼着固定される
。
しようとする半導体素子のパッド電極の位置に合わせて
各々探針の位置を定め、しかる後例えば貼着固定される
。
、 しかるに、測定される半導体素子の集積度の向上に
伴って、かかる探針の総数は増加の一途にある。一方、
歩留まり向上のため、測定される半導体素子全作り付け
たウェハの寸法も増大し、直径５インチを越すウェハが
使用されるようになっている。このため、プロセスを終
了してプローバ上に取り付けられたウェハは複雑な変形
をしており場所により、プローブ・カードよりの距離が
変化している。
伴って、かかる探針の総数は増加の一途にある。一方、
歩留まり向上のため、測定される半導体素子全作り付け
たウェハの寸法も増大し、直径５インチを越すウェハが
使用されるようになっている。このため、プロセスを終
了してプローバ上に取り付けられたウェハは複雑な変形
をしており場所により、プローブ・カードよりの距離が
変化している。
・発明が解決しようとする問題点
上述の結果、プローブ・カードに取り付けた探針を半導
体素子のパッド電極と接触させ、該半導体素子の測定及
び評価を実施する際、プローブ・カードに取り付けた前
記探針のすべてを、ウエノ・面上の全半導体素子の測定
を通じて、対応するパッド電極と良好に接触させる事は
困難になってきた。通常、プローブ・カード取付時の調
整法としては、該当半導体素子数個を選んで探針と接触
させ、パッド電極に残る探針の跡を手掛かりに、ウェハ
の上・歪量、又は、プローブ・カードの保持高す、及び
プローブ・カードの傾きを調整していた。しかし、かか
る探針とウェハの相対位置の調整作業は煩雑で手間のか
かるものであり、かつ熟練を要するので、半導体素子の
検査期間の短縮及び製造コストの低減を阻む要因となっ
ていた。
体素子のパッド電極と接触させ、該半導体素子の測定及
び評価を実施する際、プローブ・カードに取り付けた前
記探針のすべてを、ウエノ・面上の全半導体素子の測定
を通じて、対応するパッド電極と良好に接触させる事は
困難になってきた。通常、プローブ・カード取付時の調
整法としては、該当半導体素子数個を選んで探針と接触
させ、パッド電極に残る探針の跡を手掛かりに、ウェハ
の上・歪量、又は、プローブ・カードの保持高す、及び
プローブ・カードの傾きを調整していた。しかし、かか
る探針とウェハの相対位置の調整作業は煩雑で手間のか
かるものであり、かつ熟練を要するので、半導体素子の
検査期間の短縮及び製造コストの低減を阻む要因となっ
ていた。
さらに、この傾向は前述したウェハ寸法の増加に伴なう
面内歪の増加及び半導体素子面積の増加に伴って強調さ
れる。つまり、ウェハ面上の位置によって最適の調整状
態が異なる事になり、ウェハ全体に渡って良好な接触状
態をもたらす調整状態の予測・実現は難しい。この結果
、探針とパッド電極の接触不良に伴うよう良否判定誤り
及び被測定半導体素子の破壊を招き、歩留まり低下の要
因となる。
面内歪の増加及び半導体素子面積の増加に伴って強調さ
れる。つまり、ウェハ面上の位置によって最適の調整状
態が異なる事になり、ウェハ全体に渡って良好な接触状
態をもたらす調整状態の予測・実現は難しい。この結果
、探針とパッド電極の接触不良に伴うよう良否判定誤り
及び被測定半導体素子の破壊を招き、歩留まり低下の要
因となる。
それ故、本発明の目的は、この探針と被測定半導体素子
のパッド電極との相対的位置の調整を容易に行い得るプ
ローブ・カードを提供することにある。
のパッド電極との相対的位置の調整を容易に行い得るプ
ローブ・カードを提供することにある。
・問題点を解決するための手段
本発明では、表面にプリント配線の形成されたプリント
基板の開口部の裏面に、電歪効果を有する複数個の介在
物全挾んで、複数の測定用探針を有する基板を取り付け
、又、前記測定用１１憚俊かる圧力を検出するためのセ
ンサー素子を取り付けてち・き、前記探針を被測定パッ
ド電極に接触させたとき探針にかかる圧力を検出し、こ
の信号を元に前記電歪効果素子に加えるべき電圧を算出
して印加電圧を調整し、すべての探針にかかる圧力がす
べて等しくなるように調整できるようにしたことを特徴
としている。さらに、印加電圧算出回路に記憶素子を付
属させ、測定したチップの探針と被測定パッド電極との
接触情報を元に、次に測定するチップの探針と被測定パ
ッドとの接触状態をあらかじめ調整する事も特徴として
いる。
基板の開口部の裏面に、電歪効果を有する複数個の介在
物全挾んで、複数の測定用探針を有する基板を取り付け
、又、前記測定用１１憚俊かる圧力を検出するためのセ
ンサー素子を取り付けてち・き、前記探針を被測定パッ
ド電極に接触させたとき探針にかかる圧力を検出し、こ
の信号を元に前記電歪効果素子に加えるべき電圧を算出
して印加電圧を調整し、すべての探針にかかる圧力がす
べて等しくなるように調整できるようにしたことを特徴
としている。さらに、印加電圧算出回路に記憶素子を付
属させ、測定したチップの探針と被測定パッド電極との
接触情報を元に、次に測定するチップの探針と被測定パ
ッドとの接触状態をあらかじめ調整する事も特徴として
いる。
・実施例
以下、本発明にかかるプローブ・カードの一実施例につ
いて図面にで基いて説明する。第１図は本発明の一実施
例を略示する部分断面図、第２図は部分俯敞図である。
いて図面にで基いて説明する。第１図は本発明の一実施
例を略示する部分断面図、第２図は部分俯敞図である。
第１図において、１は表面にプリント配線５の形成され
た略矩形状のプリント基板であり、プリント基板の中央
には円形の開口部８が設けられている。探針３を取り付
けた基板２はこの開１コ部８中にはめ込まれ、複数個の
電歪素子４・を挾んでプリント基板１に取り付けられる
。プリント配線５より加えられる電源電圧及びテスト信
号は、ジャンパー線６及び貫通孔］０を通して探針８に
伝えられる。探針３にはセンサー素子７が取り付けられ
、探針３を被１ｆｌｌｌ定パツド電極シで接触させたと
き探針３に加わる圧力により生ずる探針３の変形量５− が電気信号に変換される。センサー素子７としては、い
わゆる、バイモルフ型圧型振動子、歪センサー等の使用
が考えられる。−ｔ！ンサー素子により取り出された接
触状態に関する電気信号は演算処理され、電歪素子４・
シて加えられる電圧の平均値及び各々の電歪素子に加え
られる電圧の平均からのズレがめられる。電歪素子とし
ては、例えば、筒状の圧電振動子の利用が考えられる。
た略矩形状のプリント基板であり、プリント基板の中央
には円形の開口部８が設けられている。探針３を取り付
けた基板２はこの開１コ部８中にはめ込まれ、複数個の
電歪素子４・を挾んでプリント基板１に取り付けられる
。プリント配線５より加えられる電源電圧及びテスト信
号は、ジャンパー線６及び貫通孔］０を通して探針８に
伝えられる。探針３にはセンサー素子７が取り付けられ
、探針３を被１ｆｌｌｌ定パツド電極シで接触させたと
き探針３に加わる圧力により生ずる探針３の変形量５− が電気信号に変換される。センサー素子７としては、い
わゆる、バイモルフ型圧型振動子、歪センサー等の使用
が考えられる。−ｔ！ンサー素子により取り出された接
触状態に関する電気信号は演算処理され、電歪素子４・
シて加えられる電圧の平均値及び各々の電歪素子に加え
られる電圧の平均からのズレがめられる。電歪素子とし
ては、例えば、筒状の圧電振動子の利用が考えられる。
この場合印加電圧、歪量曲線シでは、ヒステリシスが存
在するので、演算処理実施の際、過去に印加された電圧
の履歴が必要になる。
在するので、演算処理実施の際、過去に印加された電圧
の履歴が必要になる。
第３図は、本発明シてかかるプローブ・カードを使用す
る際の信号の流れを示すための説明図である。
る際の信号の流れを示すための説明図である。
同図において、測定用探針が接触したときの接触状況は
、センサー素子により検出され、電歪素子制御プロセッ
サにより演算処理される。演算処理の結果、再調整が必
要な場合には、電歪素子制御プロセッサＪ：リプローバ
制御プロセッサに信号が送うレ、プローバが下げられる
。そして、電歪素子に制御信号が送られ探針の接触条件
が変更され−〇− た後、再度探針と被測定パッド電極とが接触させられ、
半導体素子の測定・評価が開始される。
、センサー素子により検出され、電歪素子制御プロセッ
サにより演算処理される。演算処理の結果、再調整が必
要な場合には、電歪素子制御プロセッサＪ：リプローバ
制御プロセッサに信号が送うレ、プローバが下げられる
。そして、電歪素子に制御信号が送られ探針の接触条件
が変更され−〇− た後、再度探針と被測定パッド電極とが接触させられ、
半導体素子の測定・評価が開始される。
ウェハに作り付けられた半導体素子を連続して測定する
場合には、第３図に示した記憶素子の利用が有効になる
。例えば、格子状に作成された半導体素子をラスター状
に測定する場合には、近接した２つ以」二の半導体素子
について測定した際の接触状態調整量の記録が存在する
。これを元に、新たに測定する半導体素子の調整量を予
測する事ｆ） 艇できるので、あらかじめ接触条件を設定する事ができ
る。この結果、測定のセット・アップ時間の短縮ができ
る。又、接触状況不良により半導体素子を測定前に破壊
する事を防いだり、ウエノ１の端にかかつて一部分が失
われている半導体素子を飛ばす事、も可能になる。この
効果は、ウエノ１の寸法が大きく、ウェハ而」二の歪が
存在し、場所による再調整が必要になる程、顕著になっ
てくる。
場合には、第３図に示した記憶素子の利用が有効になる
。例えば、格子状に作成された半導体素子をラスター状
に測定する場合には、近接した２つ以」二の半導体素子
について測定した際の接触状態調整量の記録が存在する
。これを元に、新たに測定する半導体素子の調整量を予
測する事ｆ） 艇できるので、あらかじめ接触条件を設定する事ができ
る。この結果、測定のセット・アップ時間の短縮ができ
る。又、接触状況不良により半導体素子を測定前に破壊
する事を防いだり、ウエノ１の端にかかつて一部分が失
われている半導体素子を飛ばす事、も可能になる。この
効果は、ウエノ１の寸法が大きく、ウェハ而」二の歪が
存在し、場所による再調整が必要になる程、顕著になっ
てくる。
この様に、本発明にかかるプローブ・カードを使用すれ
ば探針と被測定パッド電極との接触状態′をすべての探
針に対して同一にする事ができる。
ば探針と被測定パッド電極との接触状態′をすべての探
針に対して同一にする事ができる。
又、電歪素子に加える電圧の平均値をめているｋめ、被
測定パッド電極下部のウェハに破壊的な圧力が加えられ
ぬよう留意することができる。
測定パッド電極下部のウェハに破壊的な圧力が加えられ
ぬよう留意することができる。
この結果、ウェハの歪等により発生する測定箇所による
探針と被測定半導体素子のパッド電極との接触不具合を
防止する事ができ、測定時の半導体素子の破壊、良否判
定誤りを防ぐ事ができる。
探針と被測定半導体素子のパッド電極との接触不具合を
防止する事ができ、測定時の半導体素子の破壊、良否判
定誤りを防ぐ事ができる。
尚、実施例においては、センサー素子及び電歪素子とし
て、圧電振動子を使用した構成になっているが、前者と
しては、探針に加わわる圧力を電気信号に変換する機能
を有するもの、後者としては、探針の接触状態を変化さ
せる変位機能を有するものであれば何でも良い。
て、圧電振動子を使用した構成になっているが、前者と
しては、探針に加わわる圧力を電気信号に変換する機能
を有するもの、後者としては、探針の接触状態を変化さ
せる変位機能を有するものであれば何でも良い。
例えば、前者としては、弾性光学効果を有する結晶の利
用が考えられる。つまり、結晶の偏向作用を利用し、入
射した直線偏光の透過量が探針に加わる圧力により変化
する事を利用している。この変化量を光電変換素子で電
気信号に変換する。
用が考えられる。つまり、結晶の偏向作用を利用し、入
射した直線偏光の透過量が探針に加わる圧力により変化
する事を利用している。この変化量を光電変換素子で電
気信号に変換する。
又、後者としては、油圧又は空気圧を利用したバネの利
用が考えられる。
用が考えられる。
・発明の効果
以上、本発明の実施例エリ明らかなように、本発明ニ係
るプローブ・カードによれば、極めて容易に探針と半導
体素子のパッド電極との相対位置の調整を行なうことが
できるので、半導体素子の測定期間の短縮及び半導体素
子パッド電極との接触不良に起因する素子の破壊、良否
判定の誤り防止による歩留まり向上の結果、製造コスト
の低減を図ることが可能である。
るプローブ・カードによれば、極めて容易に探針と半導
体素子のパッド電極との相対位置の調整を行なうことが
できるので、半導体素子の測定期間の短縮及び半導体素
子パッド電極との接触不良に起因する素子の破壊、良否
判定の誤り防止による歩留まり向上の結果、製造コスト
の低減を図ることが可能である。
第１図は本発明の一実施例を略示する断面図である。第
２図は同部分俯敞図である。第３図は信号の流れを示す
ブロック図である。 同図中で、 １、 プリント基板 ２、探針固定用基板 ３、探針 ４４、電歪素子 ５、 プリント配線 ６、 ジャンパー配線 ９− ７、 センサー素子 ８、開口部 ９、 支持台 １０、貫通孔 を示している。 一１〇− 算２図 茅 ３ 図
２図は同部分俯敞図である。第３図は信号の流れを示す
ブロック図である。 同図中で、 １、 プリント基板 ２、探針固定用基板 ３、探針 ４４、電歪素子 ５、 プリント配線 ６、 ジャンパー配線 ９− ７、 センサー素子 ８、開口部 ９、 支持台 １０、貫通孔 を示している。 一１〇− 算２図 茅 ３ 図
Claims (1)
- （１）表面にプリント配線の形成されたプリント基板の
開口部の裏面に、電歪効果を有する複数個の介在物を挾
んで、複数の測定用探針を有する基板を取り付け、又、
前記測定用探針には、探針にかかる圧力を検出するため
の七ンサー素子を取り付けて丸・き、前記探針を被測定
パッド電極に接触させたとき探針にかかる圧力を検出し
、この信号を元に前記電歪効果素子に加えるべき電圧を
算出して、印加電圧を調整し、すべての探針にかかる圧
力がすべて等しくなるように調整できるようにしたこと
を特徴とするプローブ・カード。 （２１１１項に述べる印加電圧算出回路に記憶素子を付
属させ、測定したチップの探針と被測定パッド電極との
接触情報を元に、次に測定するチップの探針と被測定パ
ッドとの接触状態をあらかじめ調整する事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のプローブ・カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8719184A JPS60231336A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | プロ−ブ・カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8719184A JPS60231336A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | プロ−ブ・カ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231336A true JPS60231336A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13908092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8719184A Pending JPS60231336A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | プロ−ブ・カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231336A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134244U (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | ||
| US4912399A (en) * | 1987-06-09 | 1990-03-27 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8719184A patent/JPS60231336A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134244U (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | ||
| JPH0342682Y2 (ja) * | 1986-02-18 | 1991-09-06 | ||
| US4912399A (en) * | 1987-06-09 | 1990-03-27 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
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